KR20060088865A - 광방출 소자, 그 제조방법 및 광방출 소자를 이용한 노광장치 - Google Patents

광방출 소자, 그 제조방법 및 광방출 소자를 이용한 노광장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20060088865A
KR20060088865A KR1020060065665A KR20060065665A KR20060088865A KR 20060088865 A KR20060088865 A KR 20060088865A KR 1020060065665 A KR1020060065665 A KR 1020060065665A KR 20060065665 A KR20060065665 A KR 20060065665A KR 20060088865 A KR20060088865 A KR 20060088865A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
photocathode
emitting device
substrate
exposure apparatus
Prior art date
Application number
KR1020060065665A
Other languages
English (en)
Inventor
정효수
Original Assignee
정효수
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 정효수 filed Critical 정효수
Priority to KR1020060065665A priority Critical patent/KR20060088865A/ko
Publication of KR20060088865A publication Critical patent/KR20060088865A/ko
Priority to KR1020070051746A priority patent/KR100884131B1/ko
Priority to PCT/KR2007/003420 priority patent/WO2008007928A1/en
Priority to US12/373,405 priority patent/US7944146B2/en
Priority to JP2009519384A priority patent/JP2009543157A/ja
Priority to EP07768749A priority patent/EP2041777A4/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/70391—Addressable array sources specially adapted to produce patterns, e.g. addressable LED arrays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/44—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using single radiation source per colour, e.g. lighting beams or shutter arrangements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
    • B41J2/4476—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using cathode ray or electron beam tubes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
    • B41J2/465—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using masks, e.g. light-switching masks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70375—Multiphoton lithography or multiphoton photopolymerization; Imaging systems comprising means for converting one type of radiation into another type of radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 광방출 소자, 그 제조방법 및 이를 이용한 노광 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 광음극을 포함하는 광방출 소자와 이를 이용한 렌즈 또는 거울로 이루어진 광학시스템이 필요 없는 노광 장치에 관한 것이다. 본 발명은 제1광을 방사하는 광원부; 상기 광원부와 대면적으로 접촉하는 음극 기판(cathode plate); 상기 음극 기판 상에 부착되어 구성되고, 반복적으로 다수의 홀(hole)이 구성된 금속 마스크층; 상기 금속 마스크층 표면에 형성되고, 상기 제1광을 수광하여 전자를 방출하는 광음극(photocathode); 상기 음극 기판과 마주보는 일면에 이격되어 구성된 양극 기판(anode plate); 및 상기 양극 기판의 하부에 구성되고, 상기 방출된 전자가 충돌하면 제2광을 발광하는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 광방출 소자를 제공하여, 각종 미러 및 렌즈가 필요 없거나, 최소화된 광학시스템을 갖는 노광 장치를 제공한다.
노광 장치, 포토캐소드(photocathode), 광방출 소자

Description

광방출 소자, 그 제조방법 및 광방출 소자를 이용한 노광 장치{PHOTOCATHODE LIGHTING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND EXPOSURE APPARATUS USING PHOTOCATHODE LIGHTING DEVICE}
도 1은 종래의 일반적으로 사용되는 노광 장치를 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 광방출 소자의 구조의 단면을 나타낸 단면도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 광방출 소자의 음극 기판부 및 양극 기판부의 제조 공정의 흐름을 도시한 것이다.
도 5는 도 3 및 도 4에 따른 광방출 소자(200)의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 노광 장치의 단면을 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 노광 장치의 단면을 도시한 것이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
210: 광원부 220: 음극 기판(cathode plate)
230: 금속 마스크 240: 광음극(photocathode)
250: 전자 260: 형광체(phosphor)
270: 양극 기판(anode plate) 280: 제1광
290: 제2광 300: 스페이서(spacer)
본 발명은 광방출 소자, 그 제조방법 및 이를 이용한 노광 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 광음극을 포함하는 광방출 소자와 이를 이용한 렌즈 또는 거울로 이루어진 광학시스템이 필요 없거나, 최소화된 노광 장치에 관한 것이다.
포토리소그래피(photolithography)는 PDP(plasma display panel), LCD(liquid crystal display) 등의 평판디스플레이 장치(flat panel display, FPD) 산업, PCB 산업, 반도체 산업, 또는 MEMS 분야 등 다양한 산업분야에서 사용되는 기판이나 피노광체의 제조에 있어서, 기판이나 피노광체에 전극패턴 등을 형성하는 방법이다.
일반적으로 포토리소그래피(photolithography) 공정은 기판(substrate) 세정 공정, 표면처리 공정, 포토레지시트(PR) 도포 공정, 정렬(alignment)/노광 공정, 현상 공정으로 구성되는데, 특히 정렬/노광 공정을 수행하는 장비를 노광 장치라 한다.
노광 장치는 미세한 회로패턴을 기판에 구현하는데 그 목적이 있으며, 그 구성 요소인 광원, 조명계, 패턴마스크 혹은 레티클(reticle), 스테이지(stage), 포토레지스트(photoresist) 등의 요소 기술들의 향상을 통해 노광기술을 비약적으로 향상시키고 있다.
반도체 산업의 경우 반도체 장치가 점차 고집적화됨에 따라, 노광 장치에서는 웨이퍼 상의 미세한 선폭의 회로패턴 이미지에 높은 해상도가 요구되며, 회로 선폭의 정확한 구현을 위해서 노광 장치에 설치된 여러 구성 요소들에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다.
도 1은 종래의 일반적으로 사용되는 노광 장치를 나타낸다. 종래의 노광 장치는 크게 빛을 발광하여 조사하는 조명시스템과 조사된 빛을 정형화(standardization)하여 정렬(alignment)시키고 초점을 조정하는 광학시스템과 패턴이 형성된 패턴마스크와 기판을 포함하여 구성된다.
상기 조명시스템은 초고압수은램프 또는 할로겐램프 등 빛을 발광하는 광원(130)과 광원(130)의 빛을 집광하여 한 방향으로 조사하는 타원체형미러(140)를 포함하여 구성된다. 상기 광학시스템은 빛의 진행방향과 특성을 조정하기 위하여 콜드미러(cold mirror)(150)와 인터그레이터렌즈(integrator lens)(170)와 콜리메이트미러(collimate mirror)(160)와 구면미러(spherical mirror)(180)를 포함하여 구성된다.
상기 광원(130)에서 발광된 빛은 타원체형미러(140)에 의하여 집광되어 콜드미러(150)에 입사된다. 이때 타원체형미러(140)와 콜드미러(150)는 표면이 다층의 코팅처리가 되어 특정 자외선파장을 반사시키며 나머지 파장은 통과시키게 된다. 특히, 콜드미러(150)는 타원체형미러(140)으로부터 반사된 빛에서 자외선 파장 영역의 빛을 반사하고 가시광선 및 적외선 파장 영역의 빛을 투과하는 거울로서, 대부분의 노광 공정에 사용되는 노광 장치는 자외선 영역의 빛을 사용하므로 상기 콜 드미러는 자외선용 콜드미러인 것이 바람직하다.
상기 콜드미러(150)에 입사된 빛은 진행방향이 바뀌어 상기 인터그레이터렌즈(170)에 입사된다. 인터그레이터렌즈(170)는 작은 사이즈의 단위구면렌즈의 조합으로 구성된 다중의 렌즈어레이(lens-array)로 구성된다. 인터그레이즈렌즈(170)는 1차 렌즈(170a)와 2차 렌즈(170b)로 구성되어 1차 렌즈(170a)의 단위구면렌즈로 입사되는 빛은 다시 광축이 일치하는 2차 렌즈(170b)의 단위구면렌즈를 통과한 후 출사된다.
인터그레이터렌즈(170)를 통과한 빛은 콜리메이트미러(160)에 의하여 빛의 평행성이 유지되면서 반사되어 구면미러(180)에 입사된다. 구면미러(180)에서 반사된 빛은 광축에 평행하게 진행하면서 패턴마스크(120)를 통과하여 피노광체(100)에 패턴마스크(120)에 형성된 패턴을 노광하게 된다.
최근에는 기판 또는 피노광체의 패턴형성 공정의 생산성 향상을 위한 다면취(多面取) 공법의 적용이 시도되고 있고, 다면취 공법의 적용을 위해서는 노광면적의 확대가 필수적이다. 그러나 종래의 노광 장치에서 광학시스템을 사용하여 노광면적을 확대하게 되면 유효면적내의 조도 저하를 초래하여 패턴품질이 저하되고 패턴형성을 위한 노광시간이 증가되는 등 노광효율이 저하되는 문제점이 있다.
또한, 종래의 노광 장치는 광원으로부터 발광된 빛을 정형화하여 정렬시키고 초점을 조정하는 광학시스템 자체가 복잡한 미러구조 및 렌즈로 구성되어 있기 때문에 높은 설비 제조비용은 물론 노광 장치의 거대화를 가져왔다.
그리고, 피노광체(100) 상에 패터닝되는 소자 또는 특성 크기가 점점 더 미 세해짐에 따라서, 기술적인 문제들도 발생한다. 즉 반도체 소자 또는 특성 크기의 구현을 위하여, 더 짧은 파장의 전자기 방사선이 피노광체 상에 레티클(reticle) 또는 패턴마스크의 패턴을 투영하기 위해 사용되어야 하고, 그러한 극자외선(UV) 파장에서 요구되는 해상도 및 이미지화 능력을 가진 광학시스템은 한계를 가진다.
또한, 종래의 노광 장치의 경우 고전압, 고전류에 의한 높은 전력으로 인하여 높은 유지비용으로 비경제적인 측면이 있었고, 초고압수은램프 또는 할로겐램프 등 빛을 발광하는 광원은 그 예열시간(setup time)이 장시간이 소요되기 때문에 낮은 생산수율을 보이는 면도 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술을 개선하기 위해 안출된 것으로서, 각종 미러 및 렌즈가 필요 없는 최소화된 광학시스템 구조를 갖도록 광방출 소자를 포함하는 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 또 다른 목적은 방출된 전자와 형광체를 충돌시켜 빛을 내고 영상을 만들어 저소비전력, 뛰어난 영상 색감을 갖는 차세대 디스플레이로서의 광방출 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 또 다른 목적은 광시야각, 고속응답, 박형경량, 고정밀도를 갖는 휘도수명 특성이 뛰어난 FPD(flat panel display)로서의 이상적인 성능을 갖는 광방출 소자부를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 또 다른 목적은, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 형광체를 사용하여 적색, 녹색, 청색의 삼원색 빛을 개별적으로 내거나 또는 삼원색을 합하여 백색의 빛을 내며 소비전력이 아주 적은 LCD 백라이트(backlight)로서 이상적인 성능을 갖는 광방출 소자부를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 또 다른 목적은 종래의 노광 장치가 갖는 저전력이 소모되는 노광 장치를 제공함과 동시에, 적은 예열시간(setup time)으로 경제성과 높은 생산수율을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 낮은 설비 제조비용, 최소화된 설비규모를 갖는 광방출 소자를 포함하는 노광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 노광 되는 유효면적 내의 조도 증가에 의한 패턴품질을 향상시키고, 패턴형성을 위한 짧은 노광 시간을 갖고, 큰 노광 면적을 지원하여 노광 효율을 높일 수 있는 반도체, FPD, PCB, MEMS 제조용 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 또 다른 목적은 FPD, CNT(carbon nano tube)와 같은 종래의 광방출 소자들에 비하여 빛 방출(light emission)에 있어, 뛰어난 균일성(uniformity)를 갖는 광방출 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 이루고 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 제1광을 방사하는 광원부; 상기 광원부와 대면적으로 접촉하는 음극 기판(cathode plate); 상기 음극 기판 상에 부착되어 구성되고, 반복적으로 다수의 홀(hole)이 구성된 금속 마스크층; 상기 금속 마스크층 표면에 형성되고, 상기 제1광을 수광하여 전자를 방출하는 광음극(photocathode); 상기 음극 기판과 마주보는 일면에 이 격되어 구성된 양극 기판(anode plate); 및 상기 양극 기판의 하부에 구성되고, 상기 방출된 전자가 충돌하면 제2광을 발광하는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 광방출 소자를 제공한다.
또한 본 발명은 노광 장치에 있어서, 제1광을 방사하는 광원부; 상기 광원부와 대면적으로 접촉하는 음극 기판(cathode plate); 상기 음극 기판 상에 부착되어 구성되고, 반복적으로 다수의 홀(hole)이 구성된 금속 마스크층; 상기 금속 마스크층 표면에 형성되고, 상기 제1광을 수광하여 전자를 방출하는 광음극(photocathode); 상기 음극 기판과 마주보는 일면에 이격되어 구성된 양극 기판(anode plate); 및 상기 양극 기판의 하부에 구성되고, 상기 방출된 전자가 충돌하면 제2광을 발광하는 형광체를 포함하는 광방출 소자; 및 상기 제2광에 의해 패턴마스크의 패턴을 투영하는 피노광체를 장착하는 스테이지를 포함하고, 상기 제2광은 상기 피노광체의 표면에 수직으로 입사하는 것을 특징으로 하는 노광 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 광방출 소자의 제조방법에 있어서, 제1광을 방사하는 광원부와 대면적으로 접촉하는 음극 기판을 형성하는 단계; 상기 음극 기판 상에 부착되어 구성되고, 반복적으로 다수의 홀(hole)이 구성된 금속 마스크층을 형성하는 단계; 상기 금속 마스크층 표면에 형성되고, 상기 제1광을 수광하여 전자를 방출하는 광음극(photocathode)을 형성하는 단계; 상기 음극 기판과 마주보는 일면에 이격되어 구성된 양극 기판(anode plate)을 형성하는 단계; 및 상기 양극 기판의 하부에 구성되고, 상기 방출된 전자가 충돌하면 제2광을 발광하는 형광체를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광방출 소자의 제조방법을 제공한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 광방출 소자의 구조의 단면을 나타낸 단면도이다. 도 2를 참조하면, 광방출 소자(200)는 광원부(210), 음극 기판(cathode plate)(220), 금속 마스크(230), 광음극(photocathode)(240), 양극 기판(anode plate)(270) 또는 형광체(260)를 포함한다.
광원부(210)는 종래의 노광장치에서의 초고압수은램프 또는 할로겐램프 등 빛을 발광하는 광원에 한정되는 것이 아니라, 빛을 낼 수 있는 램프 또는 장치이면 모두 적용 가능하다.
음극 기판(220)은 외부로부터 입사되는 빛이 잘 투과될 수 있는 상용화 되어 있는 유리를 사용할 수 있다. 특히 자외선영역의 투과도가 좋은 실리카 또는 MgF2 등을 사용할 수 있다. 또, 달리, 음극 기판(220)은 외부로부터 입사되는 빛이 잘 투과될 수 있는 상용화되어 있는 유리를 사용할 수도 있다. 특히, 광원부가 자외선 영역의 빛을 방출하는 것인 경우에는 자외선 영역의 투과도가 좋은 합성 석영, 사파이어, 및 MgF2 중의 어느 하나를 사용할 수 있다. 또한, 음극 기판(220)은 절연성을 가지는 투명 기판으로서, 충분한 구조적 강도를 갖는 투명성을 가진 재료도 사용 가능하다. 음극 기판(220)은 가능한 빛의 최대량이 조사영역에 투사되도록 빛에 투명해야 한다. 음극 기판은 임의의 두께를 가질 수 있지만 대략적으로 10mm 이하가 바람직하다.
광원부(210)로부터 방사된 제1광(280)은 음극 기판(220) 상에 투사되고, 음극 기판(220)을 통과하여, 선정된(predetermined) 조사영역에서 광음극(240)에 의해 흡수된다. 제1광(280)이 상기 조사영역으로 투사될 때, 광음극(240)은 상기 조사영역에 대향하는 광음극(240)의 표면으로부터 전자(250)를 방출한다. 그리고, 대면적인 음극 기판(220)에 전기적 차징(electric charging) 현상을 방지하기 위해서는 전도도가 높은 물질을 상기 음극 기판(220) 표면에 증착할 수 있다. 즉, 이 경우에는 투명전도막이 코팅된 투명 기판을 음극 기판(220)으로 사용할 수 있다. 이 경우 사용되는 투명전도막은 ZnO, In2O3 , SnO2 등이 바람직하다.
제1광(280)은 상기 조사영역에 대응하는 광음극(240)의 표면 또는 그 근방에서 광음극(240)에 의해 흡수된다. 그 시점에서 전자(250)는 광자에너지에서 일 함수를 뺀 것과 동일한 운동에너지를 가질 것이다. 이들 전자(250)는 광음극(240) 재료 내에서의 충돌로 그다지 많은 에너지를 손실하지 않는다면 상기 조사영역에서 광음극의 표면으로부터 방출된다.
또한 본 발명의 광방출 소자는 전자(250)가 특정한 표면 스폿(spot)에서만 방출되도록 금속 마스크층(230)을 포함한다. 또한 조사영역에서만 제1광(280)이 입사하도록 제1광(280)을 블로킹하기 위해 음극 기판(220)과 광음극(240) 사이에 금속 마스크층을 더 포함할 수도 있다. 상기 금속 마스크층(230)은 일반적인 금속재료이면 충분하다. 일반적으로 광음극(240)은 금속 마스크층을 전혀 갖지 않거나 하나 이상의 금속 마스크층을 가질 수도 있다.
광음극(240)은 빛이 조사될 때 전자를 방출하는 임의의 재료로 만들어질 수 있다. 가장 효과적인 광음극(240) 재료로는 금, 알루미늄 또는 탄화물 재료가 사용된다. 현재 상용화되어 있는 광음극에 사용되는 재료는 일함수(work function)가 낮은 알칼리 금속을 주성분으로 하는 것과 갈륨아세나이드(GaAs) 반도체를 주성분으로 하는 Ⅲ-Ⅴ족 반도체, 또는 징크세레나이드(ZnSe)와 같은 II-V족 반도체로 이루어진 그룹으로 나눌 수 있다. 알칼리 금속을 주성분으로 하는 광음극 재료에는 Cs-I, Cs-Te, Sb-Cs 등과 2종류의 알칼리 금속을 사용하는 것과 Sb-Rb-Cs, Sb-K-Cs, Sb-Na-K, 3종류의 알칼리 금속을 사용하는 Sb-Na-K-Cs 등이 있다. GaAs를 주성분으로 하는 광음극 재료에는 GaAs(Cs), InGaAs(Cs) 등이 있다. 본 발명의 광음극의 두께는 약 1㎛ 미만의 두께가 바람직하다.
제1광(280)의 광자(photon)는 적어도 광음극(240)의 일 함수의 에너지를 갖는다. 광음극(240)은 만일 광자 에너지가 포토캐소드의 일함수보다 큰 경우 광자에 의해 조사될 때 전자(250)를 방출한다. 전자(250)는 광음극(240)과 양극 기판(270) 사이에 공급된 전압에 의해 광음극(240)과 양극 기판(270) 사이에서 가속된다. 진공 챔버 외부에 장착된 전력 공급기(도면에서 도시되지 아니함)에 의해 생성된 광음극(240)과 양극 기판(270) 사이의 전압은 일반적으로 수 kV 내지 수십 kV가 된다.
가속된 전자(250)는 양극 기판(270)의 하부에 구성된 형광체(phosphor)(260)와 충돌하면서 제2광(290)이 방사된다. 형광체(260)는 양극 기판(270) 하부에 대면적으로 분포하기 때문에 그로부터 방사되는 제2광(290) 역시 대면적인 노광 면적 을 가질 수가 있고, 제2광의 방사 특성상 거의 평행광인 특성을 갖는다.
양극 기판(270)은 음극 기판(220)과 마찬가지로, 외부로부터 입사되는 빛이 잘 투과될 수 있는 상용화 되어 있는 유리를 사용할 수 있다. 특히 자외선영역의 투과도가 좋은 실리카 또는 MgF2 등을 사용할 수 있다. 양극 기판(270)은 외부로부터 입사되는 빛이 잘 투과될 수 있는 상용화되어 있는 유리를 사용할 수도 있다. 특히, 광원부가 자외선 영역의 빛을 방출하는 것인 경우에는 자외선 영역의 투과도가 좋은 합성 석영, 사파이어, 및 MgF2 중의 어느 하나를 사용할 수 있다. 또한, 양극 기판(270)은 투명 기판으로서, 충분한 구조적 강도를 갖는 투명성을 가진 재료도 사용 가능하다. 양극 기판(270)은 가능한 빛의 최대량이 조사영역에 투사되도록 빛에 투명해야 한다. 양극 기판은 임의의 두께를 가질 수 있지만 대략적으로 10mm 이하가 바람직하다.
제2광이 본 발명의 노광 장치의 노광을 위한 실질적인 광원으로서 작용을 한다. 형광체(260)는 그 종류에 따라 다양한 파장 범위의 광을 방출할 수 있게 된다. 즉, 형광체(260)의 선택에 따라 i(365nm), h(405nm), 및 g(436nm) line 의 어느 하나의 파장, 또는 이 외의 적정한 자외선 파장 범위를 갖는 광을 방사하여 노광 공정에 이용함으로써, 패턴마스크 상의 미세패턴을 피노광체에 투영이 가능하게 된다.
또한 음극 기판(220)과 양극 기판의 이격을 위해서 본 발명의 광방출 소자(200)는 스페이서(300)를 더 포함할 수도 있다(도 6에 도시되어 있음).
앞서 설명한 광방출 소자(200)는 멀티미디어화나 모바일화가 급속히 진행되는 정보화 사회에 있어서 FPD(플랫 패널 디스플레이)의 수요는 가속도적으로 높아지고 있는 시점에서, 기존의 FPD의 디스플레이에 비해 광시야각, 고속응답, 박형경량, 고정밀도를 갖는 휘도수명 특성이 뛰어난 FPD(flat panel display)로서의 이상적인 성능을 보여줄 수 있다. 즉, 상술한 광방출 소자(200)는 종래의 FED(Field Emission Display), CRT(Cathode-Ray Tube), 및 평판 디스플레이의 장점을 접목한 것으로 CRT와 같이 미세한 크기의 전자총이 수많은 전자를 방출하여 각각의 형광체와 충돌시켜 빛을 내고 영상을 만들 수 있으므로, 광방출 소자(200)는 소비 전력이 매우 적고 영상의 색감이 뛰어나며, 두께가 얇고 가벼워서 기존의 FPD보다 대형화가 용이한 차세대 디스플레이로 평가될 수 있다. 또한 빛 방출에 있어 뛰어난 균일성(uniformity)을 가질 수 있는 광방출 소자(디스플레이)로서 역할을 할 수 있다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 광방출 소자의 음극 기판부 및 양극 기판부의 제조 공정의 흐름을 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 광방출 소자의 음극 기판부를 형성하기 위해서 우선 음극 기판(220)을 준비한다(도 3(a)). 상술한 바와 같이 음극 기판(220)은 외부로부터 입사되는 빛이 잘 투과될 수 있는 상용화 되어 있는 유리를 사용할 수 있다. 특히 자외선영역의 투과도가 좋은 실리카 또는 MgF2 등을 사용할 수 있다. 또 달리, 음극 기판(220)은 외부로부터 입사되는 빛이 잘 투과될 수 있는 상용화되어 있는 유리를 사용할 수도 있다. 이후, 양극 기판(270)과의 일정한 이격 을 위한 스페이서(310)을 형성시킨다. 경우에 따라서는 스페이서를 형성시키지 않아도 된다. 소자의 면적이 작을 경우가 그 예에 해당한다. 다음으로, 광음극(240)이 증착된 금속 마스크층(230)을 상기 음극 기판(220) 상에 결합시킨다(도 3(C)). 상기 금속 마스크는 CRT 산업에서 사용하는 새도우마스크(shadow mask)와 동일하거나 유사한 방법으로 제작한다. 소정의 금속 재질의 패턴마스크에 의해 상기 금속 마스크층(230)을 식각(etching)하여 상기 패턴마스크의 패턴을 투영시킨다. 식각공정의 특성 상 도 3(c)에서 보는 바와 같이, 등방적(isotrophic) 식각 형태를 보인다. 상기 식각된 금속 마스크층(230) 표면에 물리 기상증착법(PVD, physical vapor deposition)을 사용하여 광음극(240)을 형성시킨다. 여기서, 금속 마스크층(230)과 음극 기판(220) 상에 존재하는 잔여 광음극을 제거하는 추가적인 공정을 더 포함할 수도 있다. 상기 광음극(240)의 형성은 물리 기상증착법에 한정되지 아니하고, 기타 광음극(240)의 형성이 가능한 여러 방법이 적용될 수 있다. 이렇게 광방출 소자(200)의 하부를 형성한 뒤 광방출 소자(200)의 상부를 제조한다. 그 순서는 역으로도 가능하다.
도 4를 참조하면, 광방출 소자(200)의 양극 기판부를 형성하기 위하여 먼저, 양극 기판(270)을 준비한다(도 4(a)). 다음으로, 상기 양극 기판(270)에 형광체(260)를 도포한다(도 4(b)). 상기 형광체(260)는 선정된 파장 범위를 갖는 제2광을 방출하는 형광체일 수 있다. 상기 도포된 형광체(260) 상에 에멀젼(emulsion) 처리를 하고, 알루미늄(410)을 증착한다(도4 (c)). 또한 본 발명에 따른 광음극 소자부를 디스플레이용의 용도로 사용하고자 할 경우에는 상기 형광체(260) 위에 포토리소그래피 또는 패턴마스크를 사용한 식각법을 사용하여 소정의 패턴을 형광체(260)에 투영시켜 선정된 화소 영역을 생성하여 광방출 소자(200)의 상부를 완성할 수도 있다.
도 3 및 도 4에서 제조된 광방출 소자(200)의 음극 기판부 및 양극 기판부를 결합하고 광원부를 결합하여 광방출 소자(200)를 제조한다. 또한, 도 3 및 도 4는 광방출 소자를 제조하기 위한 일실시예를 설명한 것이며, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다.
도 5는 도 3 및 도 4에 따른 광방출 소자(200)의 제조방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5를 참조하면, 도 3 및 도 4에서 상술한 바와 같이 소정의 공정을 거쳐 양극 기판부와 음극 기판부를 제조한다(단계(510)). 제조된 상기 양극 기판부와 상기 음극 기판부를 정렬하여 실링(sealing)시킨 후(단계(520)), 상기 양극 기판부와 상기 음극 기판부 사이의 패널 내부를 배기(evacuation)시켜 패널 내부를 진공으로 유지한다(단계(530)). 진공 배기(vacuum evacuation)후 캡핑(capping)하여 진공 패널을 완성시키고(단계(540), 음극 기판부에 광원부를 결합하여 광음극 소자부를 완성하게 된다(단계(550)). 상기 광원부(210)는 종래의 노광장치에서의 초고압수은램프 또는 할로겐램프 등 빛을 발광하는 광원에 한정되는 것이 아니라, 빛을 낼 수 있는 램프 또는 장치이면 충분하다.
또한 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 상기 광방출 소자(200)는 하기의 과정을 거쳐서 제조가 가능하다. 먼저 제1광을 방사하는 광원부와 대면적으로 접 촉하는 음극 기판을 형성한다. 다음으로, 상기 음극 기판 상에 부착되어 구성되고, 반복적으로 다수의 홀(hole)이 구성된 금속 마스크층을 형성시키고, 상기 금속 마스크층 표면에 형성되고, 상기 제1광을 수광하여 전자를 방출하는 광음극을 형성한다. 이후, 상기 음극 기판과 마주보는 일면에 이격되어 구성되는 양극 기판을 형성시키고, 상기 양극 기판의 하부에 구성되고, 상기 방출된 전자가 충돌하면 제2광을 발광하는 형광체를 형성시켜 광방출 소자를 제조할 수도 있다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 노광 장치의 단면을 도시한 것이다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 노광 장치는 도 2에서 상술한 광방출 소자(200)를 포함하고, 제2광(290)에 의해 피노광체(100) 상에 패턴마스크(120)의 패턴을 투영하며, 상기 제2광의 광축은 상기 피노광체의 표면과 수직인 평행광인 것을 특징으로 한다. 즉, 제2광은 피노광체의 표면에 수직으로 입사하게 된다. 도 6에서 광방출 소자(200)와 패턴마스크(120) 사이는 제2광의 방사를 표현하기 위해 다소 이격된 것으로 도시하였으나 실질적으로는 거의 근접한 형태이다.
도 2에서 상술하였듯이, 제2광(290)이 본 발명에서의 노광을 위한 실질적인 광원으로서 작용을 하고, 형광체의 선택에 따라 i(365nm), h(405nm), 및 g(436nm) line 뿐만 아니라 다양한 파장 범위를 갖는 제2광(290)의 방사가 가능하므로 패턴마스크 상의 다양한 미세패턴을 피노광체에 투영이 가능하게 된다.
상술한 노광 장치는 반도체 소자 제조 용도에 한정되지 아니하고, PDP(plasma display panel), LCD(liquid crystal display) 등의 평판디스플레이 장치(flat panel display, FPD) 산업, PCB 산업, MEMS 분야, 및 자외선 경화기 산업, 자외선 세정기 산업 분야에 널리 사용될 수 있다.
또한 본 발명의 노광 장치에 의하여 노광 공정이 수행된다면, 각종 미러 및 렌즈가 필요 없게 되어 낮은 설비 제조비용, 최소화된 설비규모를 갖는 노광 장치가 제공될 수 있다.
또한 본 발명의 상기 노광 장치는 피노광체(110)를 장착하는 스테이지(stage)를 더 포함할 수 있으며, 상기 스테이지는 광방출 소자에 접촉(contact)하여 위치하게 되므로, 노광 되는 유효면적 내의 조도가 증가하여 패턴품질을 향상시키고, 패턴형성을 위한 짧은 노광 시간 및 노광 효율을 높일 수 있는 장점이 있다.
도 7는 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 노광 장치의 단면을 도시한 것이다. 도 7를 참조하면, 본 발명에 따른 노광 장치는 도 2에서 상술한 광방출 소자(200) 또는 인터그레이터렌즈(intergrator lens)(170)를 포함한다. 인터그레이터렌즈(170)는 광방출 소자(200)와 포토레지스트(110)가 도포된 피노광체(100) 사이에 위치하고, 광방출 소자(200)로부터 방사된 제2광을 광축에 평행하게 진행하도록 한다. 즉, 본 발명의 노광 장치는 투사형(projection) 방식으로 피노광체를 노광할 수도 있다. 인터그레이터렌즈(170)는 상술하였듯이, 작은 사이즈의 단위구면렌즈의 조합으로 구성된 다중의 렌즈어레이로 구성되는데, 1차 렌즈(170a)와 2차 렌즈(170b)로 구성되어 1차 렌즈(170a)의 단위구면렌즈로 입사되는 제2광은 다시 광축이 일치하는 2차 렌즈(170b)의 단위구면렌즈를 통과한 후 출사된다. 인터그레이터렌즈(170)를 통과한 제2광은 빛의 평행성이 유지되므로, 다른 미러나 렌즈가 필요 없는 최소화된 광학시스템을 갖는 노광 장치의 구현이 가능하다.
인터그레이터렌즈(170)는 제2광의 평행성이나 피노광체와 광방출 소자와의 상대적 거리에 따라 적어도 하나 이상일 수 있다. 또한 적어도 하나 이상의 인터그레이터렌즈(170)를 갖는 경우, 패턴마스크(120)는 인터그레이터렌즈(170) 사이나 혹은 피노광체(100)에 근접한 곳에 위치할 수도 있다. 도 7에서는 패턴마스크(120)는 인터그레이터렌즈(170) 사이에 위치한 경우를 도시한 것이다.
또한 본 발명에 의한 노광 장치는 상기 피노광체를 장착하는 스테이지를 더 포함할 수 있고, 이 경우 인터그레이터렌즈(170)는 상기 제2광을 상기 피노광체가 장착된 상기 스테이지에 집광시킨다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
본 발명에 따르면, 각종 미러 및 렌즈가 필요 없는 최소화된 광학시스템 구조를 갖도록 광방출 소자를 포함하는 노광 장치가 제공된다.
또한 본 발명에 따르면, 방출된 전자와 형광체를 충돌시켜 빛을 내고 영상을 만들어 저소비전력, 뛰어난 영상 색감을 갖는 차세대 디스플레이로서의 광방출 소자가 제공된다.
또한 본 발명에 따르면, 광시야각, 고속응답, 박형경량, 고정밀도를 갖는 휘 도수명 특성이 뛰어난 FPD(flat panel display)로서의 이상적인 성능을 갖는 광방출 소자부가 제공된다.
또한 본 발명에 따르면, 적색(R), 녹색(G), 청색(B) 형광체를 사용하여 적색, 녹색, 청색의 삼원색 빛을 개별적으로 내거나 또는 삼원색을 합하여 백색의 빛을 내며 소비전력이 아주 적은 LCD 백라이트(backlight)로서 이상적인 성능을 갖는 광방출 소자부가 제공된다.
또한 본 발명에 따르면, 종래의 노광 장치가 갖는 저전력이 소모되는 노광장치가 제공되는 동시에, 적은 예열시간(setup time)으로 경제성과 생산수율을 높일 수 있다.
또한 본 발명에 따르면, 낮은 설비 제조비용, 최소화된 설비규모를 갖는 광방출 소자를 포함하는 노광 장치가 제공된다.
또한 본 발명은 노광 되는 유효면적 내의 조도 증가에 의한 패턴품질을 향상시키고, 패턴형성을 위한 짧은 노광 시간을 갖고, 큰 노광 면적을 지원하여 노광 효율을 높일 수 있는 노광 장치가 제공된다.
또한 본 발명은 FPD, CNT(carbon nano tube)와 같은 종래의 광방출 소자들에 비하여 빛 방출(light emission)에 있어, 뛰어난 균일성(uniformity)를 갖는 광방출 소자를 제공한다.

Claims (8)

  1. 노광 장치에 있어서,
    제1광을 방사하는 광원부;
    상기 광원부와 대면적으로 접촉하는 음극 기판(cathode plate);
    상기 음극 기판 상에 부착하여 구성되고, 반복적으로 다수의 홀(hole)이 구성된 금속 마스크층;
    상기 금속 마스크층 표면에 형성되고, 상기 제1광을 수광하여 전자를 방출하는 광음극(photocathode);
    상기 음극 기판과 마주보는 일면에 이격되어 구성된 양극 기판(anode plate); 및
    상기 양극 기판의 하부에 구성되고, 상기 방출된 전자가 충돌하면 제2광을 발광하는 형광체
    를 포함하는 광방출 소자; 및
    상기 제2광에 의해 패턴마스크의 패턴을 투영하는 피노광체를 장착하는 스테이지
    를 포함하고,
    상기 제2광은 상기 피노광체의 표면에 수직으로 입사하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2광을 상기 스테이지에 집광시키는 인터그레이터렌즈(intergrator lens)를 더 포함하고,
    상기 인터그레이터렌즈는 상기 광방출 소자부와 상기 피노광체 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2광은 i(365nm), h(405nm), 및 g(436nm) 중에서 어느 하나의 파장 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 음극 기판은 유리(glass), 실리카, 사파이어, 및 MgF2로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 광음극은 알카리 금속, 금, 알루미늄, 탄화물, II-VI 및 Ⅲ-Ⅴ족 반도체로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  6. 제1광을 방사하는 광원부;
    상기 광원부와 대면적으로 접촉하는 음극 기판(cathode plate);
    상기 음극 기판 상에 부착되어 구성되고, 반복적으로 다수의 홀(hole)이 구성된 금속 마스크층;
    상기 금속 마스크층 표면에 형성되고, 상기 제1광을 수광하여 전자를 방출하는 광음극(photocathode);
    상기 음극 기판과 마주보는 일면에 이격되어 구성된 양극 기판(anode plate); 및
    상기 양극 기판의 하부에 구성되고, 상기 방출된 전자가 충돌하면 제2광을 발광하는 형광체
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 광방출 소자.
  7. 광방출 소자의 제조방법에 있어서,
    제1광을 방사하는 광원부와 대면적으로 접촉하는 음극 기판을 형성하는 단계;
    상기 음극 기판 상에 부착되어 구성되고, 반복적으로 다수의 홀(hole)이 구성된 금속 마스크층을 형성하는 단계;
    상기 금속 마스크층 표면에 형성되고, 상기 제1광을 수광하여 전자를 방출하는 광음극(photocathode)을 형성하는 단계;
    상기 음극 기판과 마주보는 일면에 이격되어 구성된 양극 기판(anode plate) 을 형성하는 단계; 및
    상기 양극 기판의 하부에 구성되고, 상기 방출된 전자가 충돌하면 제2광을 발광하는 형광체를 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 광방출 소자의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 광음극은 알카리 금속, 금, 알루미늄, 탄화물, II-VI 및 Ⅲ-Ⅴ족 반도체로 이루어진 그룹에서 선택된 하나의 재료인 것을 특징으로 하는 광방출 소자의 제조방법.
KR1020060065665A 2006-07-13 2006-07-13 광방출 소자, 그 제조방법 및 광방출 소자를 이용한 노광장치 KR20060088865A (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060065665A KR20060088865A (ko) 2006-07-13 2006-07-13 광방출 소자, 그 제조방법 및 광방출 소자를 이용한 노광장치
KR1020070051746A KR100884131B1 (ko) 2006-07-13 2007-05-28 광방출 소자, 그 제조방법 및 광방출 소자를 이용한 노광장치
PCT/KR2007/003420 WO2008007928A1 (en) 2006-07-13 2007-07-13 Photocathode lighting device, method for manufacturing the same and exposure apparatus using photocathode lighting device
US12/373,405 US7944146B2 (en) 2006-07-13 2007-07-13 Photocathode lighting device, method for manufacturing the same and exposure apparatus using photocathode lighting device
JP2009519384A JP2009543157A (ja) 2006-07-13 2007-07-13 光放出素子とその製造方法、および光放出素子を用いた露光装置
EP07768749A EP2041777A4 (en) 2006-07-13 2007-07-13 PHOTO CATEODE ILLUMINATION DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND EXPOSURE DEVICE WITH A PHOTOCATODE ILLUMINATION DEVICE

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060065665A KR20060088865A (ko) 2006-07-13 2006-07-13 광방출 소자, 그 제조방법 및 광방출 소자를 이용한 노광장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060088865A true KR20060088865A (ko) 2006-08-07

Family

ID=37177139

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060065665A KR20060088865A (ko) 2006-07-13 2006-07-13 광방출 소자, 그 제조방법 및 광방출 소자를 이용한 노광장치
KR1020070051746A KR100884131B1 (ko) 2006-07-13 2007-05-28 광방출 소자, 그 제조방법 및 광방출 소자를 이용한 노광장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070051746A KR100884131B1 (ko) 2006-07-13 2007-05-28 광방출 소자, 그 제조방법 및 광방출 소자를 이용한 노광장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7944146B2 (ko)
EP (1) EP2041777A4 (ko)
JP (1) JP2009543157A (ko)
KR (2) KR20060088865A (ko)
WO (1) WO2008007928A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101701642B1 (ko) * 2015-10-20 2017-02-01 이기승 노광장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5395738A (en) 1992-12-29 1995-03-07 Brandes; George R. Electron lithography using a photocathode
US5442193A (en) 1994-02-22 1995-08-15 Motorola Microelectronic field emission device with breakdown inhibiting insulated gate electrode
US6002207A (en) * 1995-08-25 1999-12-14 International Business Machines Corporation Electron source with light shutter device
JP3667487B2 (ja) * 1996-07-24 2005-07-06 宮代 彰一 表示装置
JP2003505843A (ja) 1999-07-26 2003-02-12 アドバンスド ビジョン テクノロジーズ，インコーポレイテッド 絶縁ゲート電子電界放出デバイスおよびその製造プロセス
US6538256B1 (en) * 2000-08-17 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Electron beam lithography system using a photocathode with a pattern of apertures for creating a transmission resonance
JP4414114B2 (ja) * 2001-05-09 2010-02-10 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 蛍光表示管及びその駆動方法並びに駆動回路
JP3809092B2 (ja) * 2001-10-24 2006-08-16 ペンタックス株式会社 露光装置用光源システム
JP3645854B2 (ja) * 2001-12-07 2005-05-11 日本放送協会 冷陰極表示装置およびその作製方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2041777A4 (en) 2009-08-05
US20090309483A1 (en) 2009-12-17
EP2041777A1 (en) 2009-04-01
KR20080007092A (ko) 2008-01-17
JP2009543157A (ja) 2009-12-03
WO2008007928A1 (en) 2008-01-17
KR100884131B1 (ko) 2009-02-17
US7944146B2 (en) 2011-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8033881B2 (en) Method of manufacturing field emission device
JP2012028335A (ja) 発光パターンを有する有機発光素子、その製造方法および装置
TWI829864B (zh) 光電陰極發射器及其操作方法
US20070057621A1 (en) Electron emission type backlight unit, flat panel display device having the same, and method of driving the flat electron emission unit
US20080143241A1 (en) Discharge field emission device, and light source apparatus and display apparatus applying the same
US7492089B2 (en) Electron emission type backlight unit and flat panel display device having the same
KR100884131B1 (ko) 광방출 소자, 그 제조방법 및 광방출 소자를 이용한 노광장치
US8313356B2 (en) Method of packaging electron emission device
US7348720B2 (en) Electron emission device and electron emission display including the same
JP2008091279A (ja) 発光装置
JP5085766B2 (ja) 両面が発光する面光源装置
US20070049154A1 (en) Method of fabricating field emission display device and cathode plate thereof
KR20060042081A (ko) 화상 표시 장치
US20090009056A1 (en) Light-emitting appartus
US8026657B2 (en) Electron emission light-emitting device and light emitting method thereof
US20080197772A1 (en) Display apparatus and method of fabricating the same
CN1883028A (zh) 图像显示装置
KR20070047521A (ko) 전계방출형 백라이트 유닛 및 구동방법
TWI435359B (zh) 場發射顯示裝置
KR100565198B1 (ko) 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 제조방법
WO2017158931A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の発光パターン形成方法
US20070158672A1 (en) Flat light source and manufacturing method thereof
KR20030014984A (ko) 칼라음극선관의 스크린 구조 및 그의 형성 방법
KR20040075994A (ko) 칼라 음극선관용 패널
KR20060000755A (ko) 표시장치용 형광층의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant