JP2006229183A - 塗布、現像装置及びその方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理ブロックS2に、塗布膜形成用の単位ブロックであるTCT層B3、COT層B4、BCT層B5と、現像処理用の単位ブロックであるDEV層B1,B2とを互いに積層して設ける。反射防止膜を形成する場合、しない場合のいずれの場合においても、TCT層B3、COT層B4、BCT層B5の内の使用する単位ブロックを選択することにより対応でき、この際の搬送プログラムの複雑化を抑えて、ソフトウェアの簡易化を図ることができる。
【選択図】図1
Description
a)前記処理ブロックは、互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックと、を備え、
b)前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、夫々基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及び基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックであり、
c)前記各単位ブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、これらユニット間で基板を搬送する単位ブロック用の搬送手段と、を備えたことを特徴とする。また前記各単位ブロックは、基板を冷却する冷却ユニットを備えるものであってもよい。
り、TCT層B3にウエハWを受け渡すために第1の受け渡しステージTRS3に搬送され、当該TCT層B3のメインアームA3に受け渡される。そしてTCT層B3では、メインアームA3により、冷却ユニット(COL3)→第2の反射防止膜形成ユニット33→加熱ユニット(CHP3)→周縁露光装置(WEE)→棚ユニットU6の第2の受け渡しステージTRS8の順序で搬送されて、レジスト膜の上に第2の反射防止膜が形成される。
続いて第2の受け渡しステージTRS8のウエハWはインターフェイスアームBにより露光装置S4に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。露光処理後のウエハWは、インターフェイスアームBにより、DEV層B1(DEV層B2)にウエハWを受け渡すために、棚ユニットU6の第2の受け渡しステージTRS6(TRS7)に搬送され、このステージTRS6(TRS7)上のウエハWは、DEV層B1(DEV層B2)メインアームA1(メインアームA2)に受け取られ、当該DEV層B1(B2)にて、先ず加熱ユニット(PEB1(PEB2))→冷却ユニット(COL1(COL2))→現像ユニット32→加熱ユニット(POST1(POST2))の順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハWは、トランスファーアームCにウエハWを受け渡すために、第1の受け渡しステージTRS1(TRS2)に搬送され、トランスファーアームCにより、キャリアブロックS1に載置されている元のキャリア20に戻される。
り、ITC層B6に受け渡すために温調ユニット(CPL6)の第2の温調プレート520に搬送され、この温調プレート520の上に例えば12秒間載置されることにより、ウエハWは(23+1)℃から(23+0.2)℃に冷却される。そしてメインアームA6により保護膜塗布ユニット401→加熱ユニット(CHP6)→棚ユニットU6の温調ユニット(CPL9)の第1の温調プレート510の順序で搬送され、加熱ユニット(CHP6)の冷却プレート54にて約50℃に粗熱取りされたウエハWは、この温調ユニット(CPL9)の第1の温調プレート510の上に12秒程度載置されることにより、(23+1)℃まで冷却される。
20 キャリア
S1 キャリアブロック
S2 処理ブロック
S3 インターフェイスブロック
S4 露光装置
S5 補助ブロック
A1〜A5 メインアーム
B インターフェイスアーム
C トランファーアーム
D1 第1の受け渡しアーム
D2 第2の受け渡しアーム
E 第3の受け渡しアーム
F1,F2 第4の受け渡しアーム
31 塗布ユニット
32 現像ユニット
33 第1の反射防止膜形成ユニット
34 第2の反射防止膜形成ユニット
6 制御部
71 検査ユニット
72 洗浄ユニット
401 保護膜塗布ユニット
402 保護膜除去ユニット
403 洗浄ユニット
500 温調ユニット
510 第1の温調プレート
520 第2の温調プレート
Claims (21)
- キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックと、前記塗布膜形成用の単位ブロックに対して積層された現像処理用の単位ブロックと、を備え、
b)前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックは、夫々基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック、及び基板に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックであり、
c)前記各単位ブロックは、薬液を基板に塗布するための液処理ユニットと、基板を加熱する加熱ユニットと、これらユニット間で基板を搬送する単位ブロック用の搬送手段と、を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記各単位ブロックは、基板を冷却する冷却ユニットを備えることを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。
- 単位ブロック毎に当該単位ブロック内の基板の搬送経路を指定した搬送レシピと、
全ての単位ブロックに基板を搬送するモードと、レジスト液を塗布するための単位ブロックとレジスト液を塗布する前に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックと現像処理を行なう単位ブロックとに基板を搬送するモードと、レジスト液を塗布するための単位ブロックとレジスト液を塗布した後に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックと現像処理を行なう単位ブロックとに基板を搬送するモードと、を含むモード群の間で基板を搬送するモードを選択するモード選択手段と、を備え、
モード選択手段により基板を搬送する単位ブロックを選択すると共に、選択された単位ブロックで用いられる搬送レシピを選択して処理を行なうことを特徴とする請求項1又は2記載の塗布、現像装置。 - 各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第1の受け渡しステージを積層して構成された第1の受け渡しステージ群と、
各単位ブロック毎にインターフェイスブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なう第2の受け渡しステージを積層して構成された第2の受け渡しステージ群と、
前記第1の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための第1の基板受け渡し手段と、
前記第2の受け渡しステージ同士の間で基板の受け渡しを行なうための、第1の基板受け渡し手段とは別個に設けられた第2の基板受け渡し手段と、を備えることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一に記載の塗布、現像装置。 - 第1の受け渡しステージ群は、キャリアブロックと処理ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうためのキャリアブロック用受け渡しステージを含むことを特徴とする請求項4記載の塗布、現像装置。
- 第2の受け渡しステージ群は、インターフェイスブロックと処理ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうためのインターフェイスブロック用受け渡しステージを含むことを特徴とする請求項4記載の塗布、現像装置。
- 前記塗布膜形成用の単位ブロックに設けられた液処理ユニットは、共通の処理容器内に設けられ、複数の基板を夫々保持するために横方向に配列された複数の基板保持部と、前記処理容器内に設けられ、複数の基板保持部に保持された基板に対して薬液を塗布する共通の薬液ノズルと、を備えたことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
- 処理ブロックとインターフェイスブロックとの間に、塗布膜形成後露光処理前及び/又は露光処理後現像処理前並びに現像処理後のいずれかの処理を行なうユニットを備えた補助ブロックを設けることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
- 前記補助ブロックに設けられるユニットは、基板表面の状態を検査するための、基板に形成された塗布膜の膜厚を検査するための膜厚検査ユニット、露光前及び/又は露光後の基板を洗浄するための洗浄ユニット、露光装置にて生じるパターンの位置ずれを検出するためのデフォーカス検査装置、レジスト液の塗布ムラを検出するための塗布ムラ検出装置、現像処理の不良を検出するための現像不良検出装置、基板に付着したパーティクル数を検出するためのパーティクル数検出装置、レジスト塗布後の基板に発生するコメットを検出するためのコメット検出装置、スプラッシュバック検出装置、基板表面の欠陥を検出するための欠陥検出装置、現像処理後の基板に残存するレジスト残渣を検出するためのスカム検出装置、レジスト塗布処理及び/又は現像処理の不具合を検出するための不具合検出装置、基板上に形成されたレジスト膜の線幅を測定するための線幅測定装置、露光後の基板とフォトマスクとの重ね合わせ精度を検査するための重ね合わせ検査装置の少なくとも一つであることを特徴とする請求項8記載の塗布、現像装置。
- 前記露光装置は、基板表面に液層を形成して液浸露光するものであり、
前記補助ブロックに設けられるユニットは、前記液浸露光された後の基板を洗浄する洗浄ユニットであることを特徴とする請求項8記載の塗布、現像装置。 - 前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックの間で、前記液処理ユニット、加熱ユニット、搬送手段の配置レイアウトが同じであることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
- 前記露光装置は、基板表面に液層を形成して液浸露光するものであり、
前記補助ブロックに設けられるユニットは、レジスト膜の上に撥水性の保護膜を形成するための保護膜塗布ユニットであることを特徴とする請求項8記載の塗布、現像装置。 - 前記露光装置は、基板表面に液層を形成して液浸露光するものであり、
前記補助ブロックに設けられるユニットは、レジスト膜の上に形成された撥水性の保護膜を除去するための保護膜除去ユニットであることを特徴とする請求項8又は12記載の塗布、現像装置。 - 前記露光装置は、基板表面に液層を形成して液浸露光するものであり、
前記現像処理用の単位ブロックに、レジスト膜の上に形成された撥水性の保護膜を除去するための保護膜除去ユニットが設けることを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。 - 前記互いに積層された複数の塗布膜形成用の単位ブロックに対して、レジスト膜が形成された基板に対して、前記レジスト膜の上に撥水性の保護膜を形成するための塗布膜形成用の単位ブロックをさらに積層して設けることを特徴とする請求項10、12ないし14のいずれか一に記載の塗布、現像装置。
- 前記露光装置は、基板表面に液層を形成して液浸露光するものであり、
前記液浸露光された後の基板を洗浄する洗浄ユニットをインターフェイスブロックに設けることを特徴とする請求項1ないし9、12ないし15のいずれか一に記載の塗布、現像装置。 - 第1の受け渡しステージ群の中には、塗布膜が形成される前の基板を載置して、基板に対して塗布膜形成用の薬液を塗布する処理を行なう温度に調整するための温調ユニットが設けられていることを特徴とする請求項4記載の塗布、現像装置。
- 第2の受け渡しステージ群の中には、塗布膜が形成される前の基板を載置して、基板に対して塗布膜形成用の薬液を塗布する処理を行なう温度に調整するための温調ユニットが設けられていることを特徴とする請求項4記載の塗布、現像装置。
- 前記温調ユニットは、加熱ユニットにて加熱された基板を載置して第1の温度に粗調整する第1の温調プレートと、基板を載置して基板温度をさらに精密に温度調整する第2の温調プレートとを備えることを特徴とする請求項17又は18記載の塗布、現像装置。
- 請求項1記載の塗布、現像装置において行なわれる塗布、現像方法において、
塗布膜形成用の単位ブロックにて、基板に第1の反射防止膜を形成する工程と、
次いで前記反射防止膜の形成が行われる単位ブロックとは異なる層に設けられた塗布膜形成用の単位ブロックにて、前記基板表面に形成された第1の反射防止膜の上にレジスト液を塗布する工程と、
次いで前記レジスト液の塗布が行われる単位ブロックとは異なる層に設けられた塗布膜形成用の単位ブロックにて、前記基板表面に塗布されたレジスト液の上に第2の反射防止膜を形成する工程と、
次いで前記複数の塗布膜形成用の単位ブロックとは異なる層に設けられた現像処理用の単位ブロックにて、前記レジスト膜が形成された露光後の基板に対して現像処理を行なう工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。 - 請求項1記載の塗布、現像装置において行なわれる塗布、現像方法において、
全ての塗布膜形成用の単位ブロックに基板を搬送するモードと、基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック及びレジスト液を塗布する前に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックに基板を搬送するモードと、基板にレジスト液を塗布するための単位ブロック及びレジスト液を塗布した後に反射防止膜用の薬液を塗布するための単位ブロックに基板を搬送モードとの間で、モードを選択する工程と、
次いで選択されたモードに基づいて、使用する塗布膜形成用の単位ブロックに順次基板を搬送して、基板に対して塗布膜を形成する工程と、
次いで前記複数の塗布膜形成用の単位ブロックとは異なる層に設けられた現像処理用の単位ブロックにて、前記塗布膜が形成された露光後の基板に対して現像処理を行なう工程と、を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
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