JPH06151293A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPH06151293A JPH06151293A JP32370492A JP32370492A JPH06151293A JP H06151293 A JPH06151293 A JP H06151293A JP 32370492 A JP32370492 A JP 32370492A JP 32370492 A JP32370492 A JP 32370492A JP H06151293 A JPH06151293 A JP H06151293A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- unit
- section
- heat treatment
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 インターフェース部において処理を可能に
し、トラブル発生時には被処理体を退避させて過剰処理
を防止すると共に、処理の安定性が図れる処理装置を提
供する。 【構成】 塗布・現像ステーション１と露光ステーショ
ン２間を被処理体Ｗの受渡しを行うインターフェース部
３で接続する。インターフェース部３に熱処理部２５を
設けると共に、トラブル発生時に熱処理部２５からウエ
ハＷを退避させる退避部２６を設ける。これにより、イ
ンターフェース部３において処理を行うことができ、ト
ラブル発生時には熱処理部２５からウエハＷを退避させ
てオーバーベーク等の不具合を防止することができ、処
理の安全化を図ることができる。
し、トラブル発生時には被処理体を退避させて過剰処理
を防止すると共に、処理の安定性が図れる処理装置を提
供する。 【構成】 塗布・現像ステーション１と露光ステーショ
ン２間を被処理体Ｗの受渡しを行うインターフェース部
３で接続する。インターフェース部３に熱処理部２５を
設けると共に、トラブル発生時に熱処理部２５からウエ
ハＷを退避させる退避部２６を設ける。これにより、イ
ンターフェース部３において処理を行うことができ、ト
ラブル発生時には熱処理部２５からウエハＷを退避させ
てオーバーベーク等の不具合を防止することができ、処
理の安全化を図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、処理装置に関するも
のである。
のである。
【０００２】
【従来の技術】第１および第２処理部間を被処理体の受
渡しを行うインターフェース部で接続した処理装置とし
て、半導体ウエハ（以下にウエハという）の処理装置が
知られている。この処理装置は、第１処理部としてウエ
ハにレジスト膜の形成および現像を行う塗布・現像ステ
ーションと、第２処理部として露光ステーションを備え
ている。また、インターフェース部にはウエハの受渡し
用搬送機構が設けられている。
渡しを行うインターフェース部で接続した処理装置とし
て、半導体ウエハ（以下にウエハという）の処理装置が
知られている。この処理装置は、第１処理部としてウエ
ハにレジスト膜の形成および現像を行う塗布・現像ステ
ーションと、第２処理部として露光ステーションを備え
ている。また、インターフェース部にはウエハの受渡し
用搬送機構が設けられている。
【０００３】ところで、露光ステーションで処理された
ウエハは、その安定性を図る上で直ちに次処理（第３処
理）である熱処理（ベーク）を施すことが望ましい。
ウエハは、その安定性を図る上で直ちに次処理（第３処
理）である熱処理（ベーク）を施すことが望ましい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置においては、露光後の熱処理を行うた
めに塗布・現像ステーションに装備されている熱処理部
を利用するようにしていたため、露光後直ちに熱処理を
行うことが困難であった。また、露光後の熱処理におい
ては、オーバーベークを防止するために厳しい時間管理
と温度管理が要求されているが、例えば熱処理部の次の
処理部（冷却処理部）でトラブルが発生して熱処理後の
ウエハを熱処理部から次の処理部に移動できなくなった
場合、オーバーベークを招く問題があった。
この種の処理装置においては、露光後の熱処理を行うた
めに塗布・現像ステーションに装備されている熱処理部
を利用するようにしていたため、露光後直ちに熱処理を
行うことが困難であった。また、露光後の熱処理におい
ては、オーバーベークを防止するために厳しい時間管理
と温度管理が要求されているが、例えば熱処理部の次の
処理部（冷却処理部）でトラブルが発生して熱処理後の
ウエハを熱処理部から次の処理部に移動できなくなった
場合、オーバーベークを招く問題があった。
【０００５】この発明は、上記事情を考慮してなされた
もので、インターフェース部において熱処理を可能と
し、トラブル発生時には熱処理部から被処理体を退避さ
せてオーバーベーク等の過剰処理を防止することがで
き、処理の安定性が図れる処理装置を提供することを目
的としている。
もので、インターフェース部において熱処理を可能と
し、トラブル発生時には熱処理部から被処理体を退避さ
せてオーバーベーク等の過剰処理を防止することがで
き、処理の安定性が図れる処理装置を提供することを目
的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明の第１の処理装置は、第１および第２処理部
間を被処理体の受渡しを行うインターフェース部で接続
した処理装置において、上記インターフェース部に第３
処理部を設けると共に、第３処理部から被処理体を退避
させる退避部を設けたことを特徴としている。なお、イ
ンターフェース部に第３処理部と退避部を設けるだけで
目的は達成されるが、装置の小形化を図る上で第３処理
部と退避部とが垂直方向に積層配置されていることが好
ましい。
にこの発明の第１の処理装置は、第１および第２処理部
間を被処理体の受渡しを行うインターフェース部で接続
した処理装置において、上記インターフェース部に第３
処理部を設けると共に、第３処理部から被処理体を退避
させる退避部を設けたことを特徴としている。なお、イ
ンターフェース部に第３処理部と退避部を設けるだけで
目的は達成されるが、装置の小形化を図る上で第３処理
部と退避部とが垂直方向に積層配置されていることが好
ましい。
【０００７】また、この発明の第２の処理装置は、塗布
・現像処理部と露光処理部を被処理体の受渡しを行うイ
ンターフェースで接続した処理装置において、上記イン
ターフェース部に露光後の被処理体を加熱処理する熱処
理部を設けると共に、この熱処理部の垂直方向にトラブ
ル発生時に熱処理部から熱処理後の被処理体を退避させ
る冷却機能を有する退避部を設けたことを特徴としてい
る。
・現像処理部と露光処理部を被処理体の受渡しを行うイ
ンターフェースで接続した処理装置において、上記イン
ターフェース部に露光後の被処理体を加熱処理する熱処
理部を設けると共に、この熱処理部の垂直方向にトラブ
ル発生時に熱処理部から熱処理後の被処理体を退避させ
る冷却機能を有する退避部を設けたことを特徴としてい
る。
【０００８】
【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、インターフェース部に第３処理部を設けること
により、第２処理部での処理後直ちに次の処理を行うこ
とが可能となる。また、トラブル発生時には被処理体を
第３処理部から退避部に退避させることにより、オーバ
ーベーク等の不具合の発生を防止することができる。従
って、処理の安定した被処理体が得られる。
よれば、インターフェース部に第３処理部を設けること
により、第２処理部での処理後直ちに次の処理を行うこ
とが可能となる。また、トラブル発生時には被処理体を
第３処理部から退避部に退避させることにより、オーバ
ーベーク等の不具合の発生を防止することができる。従
って、処理の安定した被処理体が得られる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の一実施例を添付図面に基づ
いて詳述する。
いて詳述する。
【００１０】なお、図はこの発明を半導体ウエハの処理
装置に適用した場合の実施例を示している。図１ないし
図３において、１は第１処理部である塗布・現像ステー
ションであり、この塗布・現像ステーション１には第２
処理部である露光ステーション２が被処理体であるウエ
ハの受渡しを行うインターフェース部３を介して接続さ
れている。
装置に適用した場合の実施例を示している。図１ないし
図３において、１は第１処理部である塗布・現像ステー
ションであり、この塗布・現像ステーション１には第２
処理部である露光ステーション２が被処理体であるウエ
ハの受渡しを行うインターフェース部３を介して接続さ
れている。
【００１１】上記塗布・現像ステーション１には、Ｘ
（水平，図２の左右）方向に伸びるメイン搬送路４に沿
って移動自在でかつ昇降、回転自在な主処理部用搬送機
構であるメイン搬送アーム５が設けられると共に、この
メイン搬送路４の両側には、例えばアドヒージョン部
６、冷却部７、ベーク部８、塗布部９、現像部１０など
の処理部が配置されている。
（水平，図２の左右）方向に伸びるメイン搬送路４に沿
って移動自在でかつ昇降、回転自在な主処理部用搬送機
構であるメイン搬送アーム５が設けられると共に、この
メイン搬送路４の両側には、例えばアドヒージョン部
６、冷却部７、ベーク部８、塗布部９、現像部１０など
の処理部が配置されている。
【００１２】上記インターフェース部３には、メイン搬
送路４の端部すなわち塗布・現像ステーションの搬出入
口１１に面して冷却機能を有する中間受渡し台１２が設
けられると共に、露光ステーション２に面して搬入用載
置台１３および搬出用載置台１４が配置されている。ま
た、インターフェース部３には、Ｘ方向、これと直交す
るＹ（図２の前後）方向、昇降（Ｚ方向）および回転
（θ方向）自在なウエハの受渡し用搬送機構１５が設け
られている。この搬送機構１５は例えばボールねじ機構
によりＹ方向に移動される移動体１６を有し、この移動
体１６には昇降機構１７および回転機構１８を介して搬
送基台１９が昇降および回転自在に設けられ、この搬送
基台１９にはウエハを保持するピンセット２０が進退自
在に設けられている。ピンセット２０の前端部および後
端部にはウエハの前後の位置を規制する規制部２１，２
２（段部）が突設され、搬送基台１９にはピンセット２
０が後端位置まで後退したときに、ピンセット２０に保
持されているウエハの後方側の周縁部に当接する当接部
２３を内面に有する一対の位置決め部材２４がピンセッ
ト２０の移動路を挟んで両側に設けられている。
送路４の端部すなわち塗布・現像ステーションの搬出入
口１１に面して冷却機能を有する中間受渡し台１２が設
けられると共に、露光ステーション２に面して搬入用載
置台１３および搬出用載置台１４が配置されている。ま
た、インターフェース部３には、Ｘ方向、これと直交す
るＹ（図２の前後）方向、昇降（Ｚ方向）および回転
（θ方向）自在なウエハの受渡し用搬送機構１５が設け
られている。この搬送機構１５は例えばボールねじ機構
によりＹ方向に移動される移動体１６を有し、この移動
体１６には昇降機構１７および回転機構１８を介して搬
送基台１９が昇降および回転自在に設けられ、この搬送
基台１９にはウエハを保持するピンセット２０が進退自
在に設けられている。ピンセット２０の前端部および後
端部にはウエハの前後の位置を規制する規制部２１，２
２（段部）が突設され、搬送基台１９にはピンセット２
０が後端位置まで後退したときに、ピンセット２０に保
持されているウエハの後方側の周縁部に当接する当接部
２３を内面に有する一対の位置決め部材２４がピンセッ
ト２０の移動路を挟んで両側に設けられている。
【００１３】そして、上記インターフェース部３には第
３処理部としての熱処理部２５が設けられると共に、退
避が必要とされる時、例えばトラブル発生時に上記熱処
理部２５からウエハを退避させる退避部２６が設けられ
ている。特に、露光後のウエハには厳しい時間管理およ
び温度管理が要求されることから、実施例では上記熱処
理部２５の近傍には第４処理部である冷却処理部２７が
設けられている。また、本実施例ではこれらの処理部２
５，２７および退避部２６が上記中間受渡し台１２の垂
直方向に積層配置例えば下部垂直の同一軸線上に配置さ
れ、装置の小形化が図られている。
３処理部としての熱処理部２５が設けられると共に、退
避が必要とされる時、例えばトラブル発生時に上記熱処
理部２５からウエハを退避させる退避部２６が設けられ
ている。特に、露光後のウエハには厳しい時間管理およ
び温度管理が要求されることから、実施例では上記熱処
理部２５の近傍には第４処理部である冷却処理部２７が
設けられている。また、本実施例ではこれらの処理部２
５，２７および退避部２６が上記中間受渡し台１２の垂
直方向に積層配置例えば下部垂直の同一軸線上に配置さ
れ、装置の小形化が図られている。
【００１４】更に具体的には、中間受渡し台１２は背板
２８を介して４段の棚部２９ａ〜２９ｄを形成してなる
棚本体３０の最上段の棚部２９ａに設けられ、その下方
の棚部２９ｂ〜２９ｄに熱処理部２５、冷却処理部２７
および退避部２６が順に設けられている。なお、これら
熱処理部２５、冷却処理部２７および退避部２６は順序
を違えて配置してもよい。
２８を介して４段の棚部２９ａ〜２９ｄを形成してなる
棚本体３０の最上段の棚部２９ａに設けられ、その下方
の棚部２９ｂ〜２９ｄに熱処理部２５、冷却処理部２７
および退避部２６が順に設けられている。なお、これら
熱処理部２５、冷却処理部２７および退避部２６は順序
を違えて配置してもよい。
【００１５】熱処理部２５は、図４に示すように、棚部
２９ｂに設けられた上部の開放した箱体３１を有し、こ
の箱体３１内にはウエハＷを載置する加熱板３２が配置
されている。加熱板３２にはウエハＷの受取り受渡し時
に加熱板３２より突出してウエハＷを支持する複数本例
えば３本のピン３３が昇降自在に嵌挿され、これらのピ
ン３３の下端部は昇降枠３４を介して図示しない昇降機
構に連結されている。加熱板３２の上方にはウエハＷの
搬出入用スペースＳを介して上部カバー３５が設けら
れ、この上部カバー３５には加熱処理時に発生するガス
を排出する排気ダクト３６が接続されている。また、箱
体３１内には搬出入用スペースＳおよび加熱板３２の周
囲を覆う円筒状のシャッタ３７が図示しない昇降機構を
介して昇降自在に設けられている。
２９ｂに設けられた上部の開放した箱体３１を有し、こ
の箱体３１内にはウエハＷを載置する加熱板３２が配置
されている。加熱板３２にはウエハＷの受取り受渡し時
に加熱板３２より突出してウエハＷを支持する複数本例
えば３本のピン３３が昇降自在に嵌挿され、これらのピ
ン３３の下端部は昇降枠３４を介して図示しない昇降機
構に連結されている。加熱板３２の上方にはウエハＷの
搬出入用スペースＳを介して上部カバー３５が設けら
れ、この上部カバー３５には加熱処理時に発生するガス
を排出する排気ダクト３６が接続されている。また、箱
体３１内には搬出入用スペースＳおよび加熱板３２の周
囲を覆う円筒状のシャッタ３７が図示しない昇降機構を
介して昇降自在に設けられている。
【００１６】上記退避部２６は、図５に示すように、棚
部２９ｄに設けられた上部の開放した箱体３８を有し、
この箱体３８内にはウエハＷを載置する載置板例えば冷
却板３９が配置されている。冷却板３９にはウエハＷの
受取り受渡し時に冷却板３９より突出してウエハＷを支
持する複数本例えば３本のピン４０が昇降自在に嵌挿さ
れ、これらのピン４０の下端部は昇降枠４１を介して図
示しない昇降機構に連結されている。冷却板３９の上方
にはウエハＷの搬出入用スペースＳを介して上部カバー
４２が設けられている。なお、この退避部２６にも上記
熱処理部２５と同様のシャッタを設けるようにしてもよ
い。上記中間受渡し台１２および冷却処理部２７は上記
退避部２６とほぼ同様の構成になっている。
部２９ｄに設けられた上部の開放した箱体３８を有し、
この箱体３８内にはウエハＷを載置する載置板例えば冷
却板３９が配置されている。冷却板３９にはウエハＷの
受取り受渡し時に冷却板３９より突出してウエハＷを支
持する複数本例えば３本のピン４０が昇降自在に嵌挿さ
れ、これらのピン４０の下端部は昇降枠４１を介して図
示しない昇降機構に連結されている。冷却板３９の上方
にはウエハＷの搬出入用スペースＳを介して上部カバー
４２が設けられている。なお、この退避部２６にも上記
熱処理部２５と同様のシャッタを設けるようにしてもよ
い。上記中間受渡し台１２および冷却処理部２７は上記
退避部２６とほぼ同様の構成になっている。
【００１７】次に、上記実施例の作用について述べる。
今、塗布・現像ステーション１で順次アドヒージョン部
６、冷却部７、塗布部９、ベーク部８にてそれぞれ処理
されてレジスト膜が形成されたウエハがメイン搬送アー
ム５により中間受渡し台１２に受渡されたとすると、受
渡し用搬送機構１５が中間受渡し台１２から搬出用載置
台１４にウエハを受渡し、搬入用載置台１３から熱処理
部２５に露光後のウエハを受渡す。
今、塗布・現像ステーション１で順次アドヒージョン部
６、冷却部７、塗布部９、ベーク部８にてそれぞれ処理
されてレジスト膜が形成されたウエハがメイン搬送アー
ム５により中間受渡し台１２に受渡されたとすると、受
渡し用搬送機構１５が中間受渡し台１２から搬出用載置
台１４にウエハを受渡し、搬入用載置台１３から熱処理
部２５に露光後のウエハを受渡す。
【００１８】また、受渡し用搬送機構１５は熱処理部２
５から冷却処理部２７に熱処理後のウエハを受渡し、冷
却処理部２７から中間受渡し台１２に冷却処理後のウエ
ハを受渡す。そして、中間受渡し台１２に受渡された冷
却処理後のウエハはメイン搬送アーム５により塗布・現
像ステーション１における現像部１０に受渡されること
になる。
５から冷却処理部２７に熱処理後のウエハを受渡し、冷
却処理部２７から中間受渡し台１２に冷却処理後のウエ
ハを受渡す。そして、中間受渡し台１２に受渡された冷
却処理後のウエハはメイン搬送アーム５により塗布・現
像ステーション１における現像部１０に受渡されること
になる。
【００１９】このようにインターフェース部３に露光ス
テーション２から搬入されるウエハを熱処理するための
熱処理部２５および冷却処理部２７を設けることによ
り、露光後直ちにウエハの熱処理（ＰＥＢポストエクス
ポージャーベーク），冷却処理を行うことが可能とな
り、処理の迅速化および安定化が図れる。特に、露光→
熱処理→冷却の時間管理を厳密に行える。そのため、例
えば化学増幅型レジストを使用したフォトリソグラフィ
ー工程においても安定した処理が可能となる。
テーション２から搬入されるウエハを熱処理するための
熱処理部２５および冷却処理部２７を設けることによ
り、露光後直ちにウエハの熱処理（ＰＥＢポストエクス
ポージャーベーク），冷却処理を行うことが可能とな
り、処理の迅速化および安定化が図れる。特に、露光→
熱処理→冷却の時間管理を厳密に行える。そのため、例
えば化学増幅型レジストを使用したフォトリソグラフィ
ー工程においても安定した処理が可能となる。
【００２０】一方、このような処理工程において、冷却
処理部２７から冷却処理後のウエハが持ち去られず熱処
理後のウエハを直ちに冷却処理部２７に搬入できない等
のトラブルが発生した場合には、緊急避難的に自動的に
受渡し用搬送機構１５により熱処理部２５から退避部２
６に熱処理後のウエハが受渡される。従って、トラブル
発生時には熱処理部２５から退避部２６に熱処理後のウ
エハを直ちに退避させることができるので、オーバーベ
ークを防止することができる。しかも、退避部２６にも
冷却機能が備えられているので、たとえ上記トラブルが
発生したとしても処理の安定したウエハを得ることがで
きる。また、中間受渡し台１２の下方垂直軸線上に熱処
理部２５、冷却処理部２７および退避部２６を積層配置
したので、装置の小形化が図れると共にウエハの移載を
迅速に行うことができる。
処理部２７から冷却処理後のウエハが持ち去られず熱処
理後のウエハを直ちに冷却処理部２７に搬入できない等
のトラブルが発生した場合には、緊急避難的に自動的に
受渡し用搬送機構１５により熱処理部２５から退避部２
６に熱処理後のウエハが受渡される。従って、トラブル
発生時には熱処理部２５から退避部２６に熱処理後のウ
エハを直ちに退避させることができるので、オーバーベ
ークを防止することができる。しかも、退避部２６にも
冷却機能が備えられているので、たとえ上記トラブルが
発生したとしても処理の安定したウエハを得ることがで
きる。また、中間受渡し台１２の下方垂直軸線上に熱処
理部２５、冷却処理部２７および退避部２６を積層配置
したので、装置の小形化が図れると共にウエハの移載を
迅速に行うことができる。
【００２１】なお、上記実施例では、熱処理部２５、冷
却処理部２７および退避部２６を中間受渡し台１２の下
方垂直軸線上に配置したが、中間受渡し台１２に隣接し
て配置するようにしてもよい。また、退避部２６は複数
枚のウエハを収容できるようにしてもよく、複数個設置
してもよい。
却処理部２７および退避部２６を中間受渡し台１２の下
方垂直軸線上に配置したが、中間受渡し台１２に隣接し
て配置するようにしてもよい。また、退避部２６は複数
枚のウエハを収容できるようにしてもよく、複数個設置
してもよい。
【００２２】なお、上記実施例ではこの発明を半導体ウ
エハの処理装置に適用した場合について説明したが、こ
の発明はガラス基板，ＬＣＤ基板，フォトマスク，ＣＤ
等の処理装置、その他加熱・冷却を必要とする処理装置
等にも適用できることは勿論である。また、上記実施例
では、トラブル発生時にウエハを退避させる例について
説明したが、任意に例えば露光・加熱・冷却後のウエハ
を別途評価するために必要な時に退避させるようにして
もよい。
エハの処理装置に適用した場合について説明したが、こ
の発明はガラス基板，ＬＣＤ基板，フォトマスク，ＣＤ
等の処理装置、その他加熱・冷却を必要とする処理装置
等にも適用できることは勿論である。また、上記実施例
では、トラブル発生時にウエハを退避させる例について
説明したが、任意に例えば露光・加熱・冷却後のウエハ
を別途評価するために必要な時に退避させるようにして
もよい。
【００２３】
【発明の効果】以上要するにこの発明によれば、上記の
ように構成されているので、以下のような優れた効果を
発揮する。
ように構成されているので、以下のような優れた効果を
発揮する。
【００２４】１）請求項１に記載の処理装置によれば、
インターフェース部に第３処理部を設けたので、第２処
理部での処理後直ちに次の処理を行うことができ、また
トラブル発生時には第３処理部から被処理体を退避部に
退避させることができるので、オーバーベーク等の過剰
処理の発生が防止され、時間管理が十分で処理の安定し
た被処理体が得られる。
インターフェース部に第３処理部を設けたので、第２処
理部での処理後直ちに次の処理を行うことができ、また
トラブル発生時には第３処理部から被処理体を退避部に
退避させることができるので、オーバーベーク等の過剰
処理の発生が防止され、時間管理が十分で処理の安定し
た被処理体が得られる。
【００２５】２）請求項２に記載の処理装置によれば、
第３処理部と退避部とを垂直の同一軸線上に配置したの
で、装置の小形化が図れる。
第３処理部と退避部とを垂直の同一軸線上に配置したの
で、装置の小形化が図れる。
【００２６】３）請求項３に記載の処理装置によれば、
露光後の被処理体をインターフェース部にて迅速に加熱
処理することができ、しかもトラブル発生時には熱処理
部から冷却機能を有する退避部に熱処理後の被処理体を
迅速に退避させて冷却することができ、時間管理が十分
で処理の安定した被処理体が得られる。
露光後の被処理体をインターフェース部にて迅速に加熱
処理することができ、しかもトラブル発生時には熱処理
部から冷却機能を有する退避部に熱処理後の被処理体を
迅速に退避させて冷却することができ、時間管理が十分
で処理の安定した被処理体が得られる。
【図１】この発明の処理装置の実施例を示す側面図であ
る。
る。
【図２】同処理装置の平面図である。
【図３】同処理装置の要部斜視図である。
【図４】同処理装置における熱処理部の断面図である。
【図５】同処理装置における退避部の断面図である。
１ 塗布・現像ステーション（第１処理部） ２ 露光ステーション（第２処理部） ３ インターフェース部 ２５ 熱処理部（第３処理部） ２６ 退避部 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
Claims (3)
- 【請求項１】 第１および第２処理部間を被処理体の受
渡しを行うインターフェース部で接続した処理装置にお
いて、 上記インターフェース部に第３処理部を設けると共に、
第３処理部から被処理体を退避させる退避部を設けたこ
とを特徴とする処理装置。 - 【請求項２】 上記第３処理部と退避部とが垂直方向に
積層配置されていることを特徴とする請求項１記載の処
理装置。 - 【請求項３】 塗布・現像処理部と露光処理部を被処理
体の受渡しを行うインターフェースで接続した処理装置
において、 上記インターフェース部に露光後の被処理体を加熱処理
する熱処理部を設けると共に、この熱処理部の垂直方向
にトラブル発生時に熱処理部から熱処理後の被処理体を
退避させる冷却機能を有する退避部を設けたことを特徴
とする処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32370492A JP3032999B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32370492A JP3032999B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151293A true JPH06151293A (ja) | 1994-05-31 |
| JP3032999B2 JP3032999B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=18157675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32370492A Expired - Fee Related JP3032999B2 (ja) | 1992-11-09 | 1992-11-09 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3032999B2 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217267A (ja) * | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2006203003A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム |
| JP2006229183A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-31 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及びその方法 |
| JP2006229184A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-31 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置及びその方法 |
| JP2006310733A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2006310730A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2006310732A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-11-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US7323060B2 (en) | 2003-12-11 | 2008-01-29 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| US7563323B2 (en) | 2003-09-22 | 2009-07-21 | Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. | Substrate treating apparatus |
| JP2011187975A (ja) * | 2005-01-21 | 2011-09-22 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置 |
| JP2013118303A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US8496761B2 (en) | 2004-11-10 | 2013-07-30 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| US8540824B2 (en) | 2005-09-25 | 2013-09-24 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing method |
| US8585830B2 (en) | 2004-12-06 | 2013-11-19 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
1992
- 1992-11-09 JP JP32370492A patent/JP3032999B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8034190B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-10-11 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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| US8040488B2 (en) | 2004-12-06 | 2011-10-18 | Sokudo Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| JP2011193014A (ja) * | 2005-01-21 | 2011-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置 |
| JP2011199299A (ja) * | 2005-01-21 | 2011-10-06 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置 |
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| US9741594B2 (en) | 2011-12-05 | 2017-08-22 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method for performing heat treatment on substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3032999B2 (ja) | 2000-04-17 |
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