1326805 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於對例如半導體晶圓或LCD基板（液晶顯 示器用玻璃基板）等之基板執行光阻液之塗佈處理或曝光 後之顯像處理等之塗佈、顯像裝置及其方法。 【先前技術】 φ 關於半導體裝置或LCD基板之製程，是藉由被稱爲 光微影之技術而對基板執行光阻圖案之形成。該技術之執 行是藉由在例如半導體晶圓（以下稱爲晶圓）等之基板上， 塗佈光阻液，在該晶圓表面形成液膜，使用光罩曝光該光 * 阻膜之後，藉由執行顯像處理取得所欲圖案的一連串工程 % 〇 如此之處理一般是使用將曝光裝置連接於執行光阻液 之塗佈或顯像之塗佈、顯像裝置的光阻圖案形成裝置而執 φ 行。就以如此之裝置而言，有所知的有例如專利文獻1所 示之構成，該裝置是如第23圖所示般，收納有多數片晶 圓W之載體10是被搬入至載體區塊1A之載體台11，載 體10內之晶圓是藉由交接臂12被交接至處理區塊1Β» -然後，被搬運至處理區塊內之塗佈單元13A，塗佈光 阻液，接著經由介面區塊1C而被搬運至曝光裝置1D。 曝光處理後之晶圓是再次返回處理區塊1B，而以顯 像單元13B執行顯像處理，成爲返回至原有之載體10內 。圖中l4(Ma~l4c)是具備有於塗佈單元13A或顯像單元 1326805 1 3 B之處理前後用以對晶圓執行特定加熱處理或冷卻處理 之加熱單元、冷卻單元或交接台等之棚單元。在此，晶圓 W是藉由被設置在處理區塊1B之兩個搬運手段15A、15B ，搬送塗佈單元13A和顯像單元13B和棚單元14a〜14c之 各部等，在處理區塊1 B內置放晶圓W之模組間。此時， 晶圓W爲了施予上述處理，針對處理預定之所有晶圓W ，各個是依據事先決定以任何時機被搬送至任何模組之搬 運行程而被搬運。 但是，於藉由作爲目的之光阻膜之種類，在光阻膜之 上下形成反射防止膜之時，或於光阻膜之上下一方形成反 射防止膜之時，僅以光阻膜不形成反射防止膜之時等，塗 佈之態樣則爲不同，因此依據批次所需之塗佈單元、加熱 單元、冷卻單元等之塗佈膜形成用之單元處理條件則有不 同之時。此時，該些塗佈單元、加熱單元、冷卻單元被設 置在相同處理區塊內之構成中，因爲了使與依據作爲目的 之光阻膜之種類而所使用之單元不同，晶圓之搬運流程有 所不同，故必須對光阻膜之種類準備，但是因沿著上述搬 運行程所作成之搬運程式原本較爲複雜，故對每目的之光 阻膜準備搬運程式則非常複雜，實際上不可能。 再者，塗佈單元、加熱單元、冷卻單元設置在相同處 理之區塊內的構成中，被組裝至1個處理區塊之單元數較 多，處理區塊變大型化，佔有面積變大。並且，近年曝光 裝置之產量提高，即使對於塗佈、顯像裝置，也要求配合 曝光裝置之產量的處理能力，但是因以共同搬運系統執行 -6- 1326805 •曝光前之處理的光阻形成用之單元及反射防止膜形成用之 單元的晶圓W之搬運，和相對於用以執行曝光後處理之 顯像之單元的晶圓W搬運，故則有難以高產量化之問題 〇 因此，本發明者是上下配置收納曝光處理前之模組的 區域，和收納曝光處理後之模組的區域，藉由在各個區域 設置搬運手段，減低搬運手段之負荷，提高搬運效率，藉 φ 此提高塗佈、顯像裝置之產量，並且針對搬運自由度之高 多層化系統予以檢討。 如此一來，各在上下配置執行塗佈處理之區域，和執 行顯像處理之區域，並在各個區域設置搬運手段之構成雖 然記載於專利文獻2，但是關於提高搬運效率，提高搬運 ' 自由度之點，於專利文獻2中並無任何揭示。 〔專利文獻1〕日本特開2004- 1 93 597號公報 〔專利文獻2〕日本特開3 3 3 7677號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 本發明是鑑於如此事情而所創作出者，其目的是在光 阻膜之上下形成反射防止膜，提供可以謀求省空間化，再 者，基板之搬送之自由度大，取得高搬運效率之技術。另 外之目的是提供皆可以對應於塗佈反射防止膜之時，或不 塗佈之時中之任一者，並且可以謀求軟體之簡易化之技術 1326805 〔用以解決課題之手段〕 因此，本發明之塗佈、顯像裝置是屬於將藉由載體而 被搬入至載體區塊的基板，交接至處理區塊，於在該處理 區塊形成包含光阻膜之塗佈膜之後，經由介面區塊搬運至 曝光裝置，並將經由上述介面區塊而返回之曝光後基板， 在上述處理區塊予以顯像處理而交接至上述載體區塊的塗 佈、顯像裝置，即使爲下述者亦可。 (a) 上述處理區塊具備有互相被重疊之多數塗佈膜形成 用之單位區塊，和相對於上述塗佈膜形成用之單位區塊而 被疊層之顯像處理用之單位區塊， (b) 上述互相被疊層之多數塗佈膜形成用之單位區塊， 各爲用以在基板塗佈光阻之單位區塊，及在基板塗佈反射 防止膜用之藥液的單位區塊， (c) 上述各單位區塊是具備有用以將藥液塗佈在基板的 液處理單元、加熱基板之加熱單元，和在該些單元之間搬 送基板之單位區塊用之搬運手段。再者，上述各單位區塊 即使具備冷卻基板之冷卻單元亦可。 在此，塗佈、顯像裝置中，即使具備有搬運配方（ Recipe )，對每單位區塊指定該單位區塊內之基板之搬運 路徑；和模式選擇手段，該是在模式群之間選擇搬運基板 之模式’該模式群包含有：將基板搬運至所有單位區塊之 模式：將基板搬運至用以塗佈光阻液之單位區塊，和用以 於塗佈光阻液之前塗佈反射防止膜用之藥液之單位區塊， 和執行顯像處理之單位區塊的模式；和將基板搬運至用以 -8- 1326805 塗佈光阻液單位區塊，和用以於塗佈光阻之後塗佈反射防 止膜用之藥液之單位區塊，和執行顯像處理之單位區域的 模式，藉由模式選擇手段選擇搬運基板之單位區塊，並且 選擇在所選擇之單位區塊中所使用之搬送配方而執行處理 亦可。 再者，上述塗佈、顯像裝置即使構成具備有：疊層第 1交接台而所構成的第1交接台群，在每各單位區塊被設 φ 置於載體區塊側，用以在各單位區塊之搬運手段之間執行 基板之交接；疊層第2交接台而所構成的第2交接台群， 在每各單位區塊被^置於介面區塊側，用以在各單位區塊 ^ 之搬運手段之間執行基板之交接的；第1基板交接手段， 用以在上述第1交接台彼此之間，執行基板之交接；第2 基板交接手段，用以在上述第2交接台彼此之間執行基板 之交接，且與第1基板交接手段不同地個別被配置亦可。 此時，第1交接台群即使包含用以在載體區塊和處理區塊 φ 之間執行基板之交接的載體區塊用交接台亦可，第2交接 台群即使包含有用以在介面區塊和處理區塊之間執行基板 之交接的介面區塊交接台亦可。 再者，被設於上述塗佈膜形成用之單位區塊之液處理 單元是被構成具備有：被設置在共同處理容器內，爲了各 保持多數基板，被配列於橫方向之多數基板保持部；被設 置在上述處理容器內，對被多數基板保持部所保持之基板 塗佈藥液之共同的藥液噴嘴爲佳。 並且，本發明即使以構成於處理區塊和介面區塊之間 -9- 1326805 ，設置具備有執行塗佈膜形成後曝光處理前及/或曝光處 理後顯像處理以及顯像後中之任一處理之單元的輔助區塊 亦可，此時，被設置在上述輔助區塊之單元，即使是用以 檢查被形成在基板之塗佈膜之膜厚的膜厚檢查單元；用以 洗淨曝光前及/或曝光後之基板的洗淨單元：用以檢測出 在曝光裝置所產生之圖案位置偏差的失焦檢查裝置；用以 檢測出光阻液之塗佈不均的塗佈不均檢測裝置；用以檢測 出顯像處理不良之顯像不良檢測裝置；用以檢測出顆粒數 之顆粒數檢測裝置；用以檢測出發生在光阻塗佈後之基板 的彗星條痕的彗星條痕檢測裝置；回濺檔板（Splashback) 檢測裝置；用以檢測出基板表面之缺陷的缺陷檢測裝置； 用以檢測出殘留於顯像處理後之基扳的光阻殘渣的浮渣檢 測裝置；用以檢測出光阻塗佈處理及/或顯像處理之不良 狀況的不良狀況檢測裝置；用以檢測被形成在基板上之光 阻膜之線寬的線寬測量裝置；用以檢查曝光後之基板和光 罩之重疊精度的重疊精度檢査裝置中之至少一種亦可，於 上述曝光裝置爲在基板表面形成液層而予以液浸曝光者之 時，被設置在輔助區塊之單元即使是洗淨被上述液浸曝光 後之基板的洗淨單元亦可》 在此，塗佈、顯像裝置，是構成在上述互相被疊層之 多數塗佈膜形成用之單位區塊之間，上述液處理單元、加 熱單元、搬運手段之配置佈局相同爲佳。 再者，上述曝光裝置是在基板表面形成液層而予以液 浸曝光者，被設置在上述輔助區塊之單元，即使是用以在 -10- 1326805 光阻膜上形成撥水性之保護膜的保護膜塗佈單元亦可，上 述曝光裝置是在基板表面形成液層而予以液浸曝光者，被 設置在上述輔助區塊之單元，即使爲用以除去被形成於光 阻膜上之撥水性之保護膜的保護膜除去單元亦可。再者， 保護膜除去單元即使設置在顯像處理用之單位區塊亦可。 並且，上述曝光裝置是在基板表面形成液層而予以液浸曝 光者，即使成爲將介面區塊設置在洗淨被上述液浸曝光後 Φ 之基板的洗淨單元亦可。並且，即使對於上述互相被疊層 之多數塗佈膜形成用之單位區塊，又設置有對形成有光阻 膜之基板，疊層用以在上述光阻膜上形成撥水性之保護膜 的塗佈膜形成用之單位區塊亦可。 在上述第1交接台群之中，即使設置有用以載置形成 ' 塗佈膜之前的基板，而對基板調整成執行將塗佈膜形成用 之藥液予以塗佈之處理溫度的調溫單元亦可，在上述第2 交接台群之中，即使設置有用以載置形成塗佈膜之前的基 φ 板，而對基板調整成執行將塗佈膜形成用之藥液予以塗佈 之處理溫度的調溫單元亦可。 該調溫單元是具備有例如載置以加熱單元所加熱之基 板而粗調整成第1溫度之第1調溫板，和載置基板又將基 板溫度予以精密溫度調整之第2調溫板。 於如此之塗佈、顯像裝置中，是實施包含有：在塗佈 膜形成用之單位區塊，在基板形成第1反射防止膜之工程 ;接著在被設置在與執行形成上述反射防止膜之單位區塊 不同之層的塗佈膜形成用之單位區塊，於被形成於上述基 -11 - 1326805 板表面之第1反射防止膜之上塗佈光阻液之工程；接著在 被設置在與執行形成上述反射防止膜之單位區塊不同之層 的塗佈膜形成用之單位區塊，於被塗佈在上述基板表面之 光阻液上形成第2反射防止膜之工程；接著在被設置在與 上述多數塗佈膜形成用之單位區塊不同之層的顯像處理用 之單位區塊，對形成有上述光阻膜之曝光後基板，執行顯 像處理之工程。 再者，實施以包含有：在模式群之間選擇模式之工程 ，該模式群包含有：將基板搬運至所有塗佈膜形成用之單 位區塊之模式；和將基板搬運至用以在基板塗佈光阻液之 單位區塊，及用以於塗佈光阻液之前塗佈反射防止膜用之 藥液之單位區塊的模式；和將基板搬運至用以在基板塗佈 光阻液之後塗佈反射防止膜用之藥液的單位區塊的模式； 接著根據被選擇之模式，依序將基板搬運至所使用之塗佈 膜形成用之單位區塊，對基板形成塗佈膜之工程；和接著 在被設置於與上述多數塗佈膜形成用之單位區塊不同層之 顯像處理用之單位區塊，對形成有上述塗佈膜之曝光後之 基板執行顯像處理之工程爲特徵之塗佈、顯像方法。 〔發明效果〕 於上述中，本發明因互相疊層設置用以在基板上塗佈 光阻之單位區塊，及用以在基板塗佈反射防止膜用之藥液 之單位區塊，故即使在光阻膜之上下形成反射防止膜之時 ，亦可以縮小處理區塊之佔有面積，以圖省空間化。 -12- 1326805 再者，藉由選擇所使用之塗佈膜形成用之單位區塊’ 可以對應於塗佈反射防止膜之時，或不塗佈之時。此時因 單位區塊內之基板之搬運路徑相同，故即使在以1台塗佈 、顯像裝置形成不同塗佈膜之時，亦可以抑制搬運程式之 繁雜化，以謀求軟體之簡化。 並且，因在被疊層之各單位區塊之間，藉由第1及第 2基板交接手段執行基板之搬運，故即使在各塗佈膜形成 用之單位區塊，使用任一基板交接手段而將執行有各塗佈 處理之基板搬運至下層的單位區塊亦可，可以增大搬運之 自由度。再者，藉由兩條基板交接手段，在各單位區塊之 間執行基板之搬運，依此可以分擔基板交接手段之負荷， 提昇搬運效率，提高產量。並且，設置可以存取於所有單 位區塊之專用基板交接手段，因藉由該基板交接手段和不 同層之單位區塊執行基板交接，故搬運系統之構成單純化 ，容易謀求搬運程式之簡易化。 並且，若依據本發明之其他發明，因將有用以對基板 塗佈藥液之多數塗佈部收納於共同之處理容器內，故可以 使處理環境相同，並可以謀求調溫系統或藥液供給噴嘴等 之共用化。 【實施方式】 以下，針對本發明所涉及之塗佈、顯像裝置之第1實 施形態予以說明。第1圖是表示本發明之塗佈 '顯像裝置 適用於光阻圖案之時之一實施形態之平面圖，第2圖是同 -13- 1326805 槪略斜視圖，第3圖是同槪略側面圖。該裝置是具備有用 以搬入搬出例如1 3片如基板之晶圓W被密閉收納之載體 20的載體區塊S1，和將多數個例如5個單位區塊B1〜B5 縱向配列而所構成之處理區塊S2，和介面區塊S3和曝光 裝置S4。 在上述載體區塊S1，設置有可多數載置上述載體20 之載置台21;由該載置台21觀看被設置在前方壁面之開 關部22 ;和用以經由開關部22自載體20取出晶圓W之 轉接臂C。該轉接臂C是以在後述單位區塊B1之交接台 TRS1、TRS2、TRS-F之間執行晶圓W之交接的方式，構 成進退自如、升降自如、於垂直軸旋轉自如、在載體20 之配列方向移動自如。 在載體區塊S1之深處，連接有以框體24包圍周圍之 處理區塊S2。處理區塊S2在該例中，從下方側分配下段 側之2段爲用以執行顯像處理之第1及第2單位區塊（DEV 層）Bl、B2、被形成在光阻膜之上層側之反射防止膜（以下 ，稱爲「第2反射防止膜」）之形成處理之第3單位區塊 (TCT層）B3、用以執行光阻液之塗佈處理之第4單位區塊 (COT層）B4、用以執行被形成在光阻膜之下層側之反射防 止膜（以下，稱爲「第1反射防止膜」）之形成處理之第5 單位區塊（BCT層）B5。在此，上述DEV層Bl、B2相當於 顯像處理用之單位區塊，TCT層B3、COT層B4、BCT層 B5是相當於塗佈膜形成用之單位區塊。 接著’針對第1〜第5單位區塊B(B1〜B5)之構成予以 1326805 說明。該些各單位區塊B1~B5是具備有用以對晶圓W塗 佈藥液之液處理單元，和用以執行以上述液處理單元所執 行之處理之前處理及後處理之各種加熱、冷卻系統之處理 單元，和用以在上述液處理單元和加熱、冷卻系統之處理 單元之間執行晶圓W之交接之專門搬運手段A之主臂 A1~A5。 該些單位區塊 B1~B 5是在該例中，在各單位區塊 φ B 1 ~B5之間，同樣形成上述液體處理單元、加熱、冷卻系 統之處理單元和搬運手段A之配置佈局。在此，配置佈局 相同是指各處理單元中載置晶圓 W之中心，即是液處理 單元中之後述旋轉夾具之中心，或加熱單元或冷卻單元中 之加熱板或冷卻板之中心相同之意。 首先，以第1圖所示之COT層B4爲例，說明如下。 在該COT層B4之略中央，於COT層B4之長度方向（圖 中 Y軸方向），形成有用以連接載體區塊S1和介面區塊 φ S3之晶圓W之搬運區域R1 » 在自該搬運區域R1之載體區塊S1側觀看到之兩側， 由前側（載體區塊S1側）朝向深側在右側設置有用以執行 光阻之塗佈處理之多數個塗佈部的塗佈單元31以作爲上 述液處理單元。各單位區塊是從前側朝向深側在左側，依 序設置有加熱 '冷卻系統之單元將冷卻系統之單元予以多 段化之4個棚單元Ul、U2、U3、U4，多數段例如以2段 疊層之構成形成用以利用塗佈單元31所執行之處理之前 處理及後處理之各種單元。如此一來，上述搬運區域R1 -15- 1326805 被區劃，例如藉由使清淨空氣予以噴出而排出至該被區劃 之搬運區域R1，而抑制該區域內之顆粒浮游。 在用以執行上述前處理及後處理之各種單元中，例如 第4圖及第5圖所示般，包含有用以將光阻液之塗佈前將 晶圓W調整至特定溫度之冷卻單元（COL4)、用以於光阻 液之塗佈後執行晶圓W之加熱處理之例如預烘烤單元之 加熱單元（CHP)、用以使光阻液和晶圓W之密著性提昇之 疏水化處理單元（ADH)、用以僅使晶圓W之邊緣部選擇性 曝光之邊緣曝光裝置（WEE)等。再者，冷卻單元（COL4)或 加熱單元（CHP)等之各處理單元是各被收納至處理容器51 內，棚單元U1~U4是2段疊層上述處理容器51而所構成 ，在面對各處理容器51之搬運區域R1之面，形成有晶圓 搬入搬出口 52。並且，上述疏水化處理單元雖然是在 HMDS環境下執行氣體處理，但是若設置在塗佈膜形成用 之單位區塊B3〜B5中之任一者即可。 在上述搬運區域R1設置有上述主臂A4。該主臂A4 是被構成在該COT層B4內之所有模組（置放晶圓W之場 所），例如在棚單元U5和棚單元U6之各部間執行晶圓交 接，因此構成進退自如、升降自如、在垂直軸旋轉自如、 在Y軸方向移動自如。 再者，與搬運區域R1之載體區塊S1鄰接之區域，是 成爲第1晶圓交接區域R2，在該區域R2，如第1及第3 圖所示般，在轉交臂C和主臂A4可以存取之位置上敗置 棚單元U5，並且具備有構成用以對該棚單元U5執行晶圓 -16- 1326805 W之交接的第1基板交接手段的第丨交接臂Dl。 區塊 例中 交接 交接 接台 如及 之第 間執 該例 1交 晶圓 TRS- 區塊 轉交 以執 是成 不般 備有 第2 上述棚單元U5是如第3圖所示般，在各單位 B1-B5之主臂A1-A5之間執行晶圓W之交接，於該 ’各單位區塊B1〜B5是具備有1個以上例如兩個第1 台TRS1〜TRS5，依此構成多段疊層第1交接台之第1 台群。再者，第1交接臂D1是以可以對各第1交 TRS1〜TRS5執行晶圓W之交接之方式，構成進退自 φ 升降自如。再者，上述第1及第2單位區塊B1、B2 1交接台TRS1、TRS2該例中是被構成在轉交臂C之 行晶圓W之交接，相當於載體用交接台。並且，於 . 中，第2單位區塊B2是具備例如兩個TRS-F當作第 接台，該交接台TRS-F是當作用以藉由轉交臂C將 W搬入至處理區塊S2之專用交接台使用。該交接台 F也相當於載體區塊用交接台，即使設置在第1單位 B1亦可，並且即使不個別設置該交接台TRS-F，於自 φ 臂C搬入處理區塊S2時，使用交接台TRS1、2而予 行亦可。 並且，與搬運區域R1之介面區塊S3鄰接之區域 爲第2晶圓交接區域R3，在該區域R3是如第1圖所 ，在主臂A4可以存取之位置設置棚單元U6，並且具 構成用以對於該棚單元U6執行執行晶圓W之交接 基板交接手段的第2交接臂D2。 上述棚單元U6是如第3圖及第6圖所示般，在各單 位區塊B1~B5之主臂A1〜A5之間執行晶圓W之交接，於 1326805 該例中，各單位區塊B1〜B 5是具備有1個以上例如兩個第 2交接台TRS6〜TRS10，依此構成多段疊層第2交接台之 第2交接台群。第2交接臂D2是以可以對各第2交接台 TRS6〜TRS10執行晶圓W之交接的方式，構成進退自如及 升降自如。如此一來，在本實施形態中，是構成在疊層5 段之各單位區塊B1〜B5之間，可以藉由上述第1交接臂 D1和第2交接臂D2，經由各個第1交接台TRS1〜TRS5和 TRS-F、第2交接台TRS6〜TRS10，可以自由執行晶圓 W 之交接。 接著，針對其他單位區塊B使用第5圖及第7圖簡單 說明。在此，第 5圖是由搬運區域R1側觀看棚單元 U1〜U4之圖式《DEV層B1、B2是同樣構成，設置有用以 對晶圓W執行顯像處理之顯像單元32以當作液處理單元 ，在棚單元U1~U4除具備有將曝光後之晶圓W予以加熱 之被稱爲後曝光烘烤單元之加熱單元（PEB 1、PEB2)，或於 該加熱單元（PEB1、PEB2)中之處理後用以將晶圓 W調整 成特定溫度之冷卻單元（COL1、COL2)，和爲了飛散水分 將顯像處理後之晶圓W予以加熱處理之被稱爲後烘烤單 元等之加熱單元（POST1、POST2)以外，其他被構成與 COT層B4相同》 然後在該些DEV層Bl、B2中，藉由各個主臂A1、 A2，對各個第1交接台TRS1、TRS2、TRS-F、第2交接 台TRS6、TRS7、顯像單元32和棚單元U1~U4之各處理 單兀’執行晶圓W之交接。 -18- 1326805 再者，TCT層B3是設置有用以對晶圓w執行第2反 射防止膜之形成處理之第2反射防止膜形成單元33以作 爲液處理單元，在棚單元U1~U4，除具備有用以於反射防 止膜形成處理前將晶圓 W調整至特定溫度之冷卻單元 (COL3)，或將反射防止膜形成處理後之晶圓W予以加熱 處理之加熱單元（CHP3)之外，其他則被構成與COT層B4 相同。然後，在該TCT層B3，藉由主臂A3，對第1交接 φ 台TRS3、第2交接台TRS8、第2反射防止膜形成單元33 和對棚單元U1〜U4之各處理單元執行晶圓w之交接。 然後，BCT層B5是設置用以對晶圓W執行第1反射 防止膜之形成處理之第1反射防止形成膜單元34以當作 液處理單元，在棚單元U1-U4，具備有用以於反射防止膜 * 形成處理前將晶圓W調整成特定溫度之冷卻單元（COL5) ，和將反射防止膜形成處理後之晶圓W予以加熱處理之 加熱單元（CHP5)，除不具備有邊緣曝光裝置（WEE)之外， φ 其他被構成與COT層B4相同。然後在該第5單位區塊 B5，藉由主臂 A5，對第1交接台 TRS5、第2交接台 TRS10、第1反射防止膜形成單元34、棚單元U卜U4之 各處理單元，執行晶圓W之交接。 在此，上述加熱單元（CHP3〜5、POST1、2、PEB1、2) 是如第1圖所示般，具備有加熱板53和兼作搬運臂之冷 卻板54，藉由冷卻板54執行主臂A4和加熱板53之間的 晶圓W之交接，使用可以以1個單元執行加熱冷卻之構 成的裝置，就冷卻單元（COL1〜5)是使用例如具備有水冷方 -19- 1326805 式之冷卻板之構成的裝置。再者，上述加熱單元（C HP 3 ~5 、POST1' 2、PEB1、2)冷卻板54也相當於本發明之冷卻 單元。 並且’第5圖是表示該些處理單元之佈局之一例者， 該佈局爲簡便，處理單元即使不限定於加熱單元（CHP、 PEB、POST)、冷卻單元（COL)、疏水化處理單元（ADH)、 邊緣曝光裝置（WEE)，設置其他處理單元亦可，實際裝置 是考慮各處理單元之處理時間等而決定單元之設置數。 另外，在處理區塊S2之棚單元U6之深處，經由介面 區塊S3連接有曝光裝置S4。在介面區塊S3，具備有用以 對處理區塊S2之棚單元U6和曝光裝置S4執行晶圓W之 交接的介面臂B，該介面臂B是構成介於處理區塊S2和 曝光裝置S4之間的晶圓W之搬運手段，於該例中，以對 第1〜第4單位區塊B1〜B4之第2交接台TRS6~TRS9執行 晶圓W之交接之方式，構成進退自如、升降自如、在垂 直軸旋轉自如，於該例中第2交接台TRS6〜TRS9是相當 於介面區塊用交接台。 再者，上述介面臂B即使構成對所有單位區塊B1〜B5 之第2交接台TRS6〜TRS10執行晶圓W之交接亦可，於此 時第2交接台TRS 6〜TRS 10相當於介面區塊用交接台。 接著，針對主臂A(A1~A5)、第1及第2交接臂D1、 D2、介面臂B、液處理單元之構成予以簡單說明。首先， 主臂A是如第4圖所示般，具備有用以支撐晶圓W之背 面側邊緣區域之2根臂102、102，該些臂101、102是沿 -20- 1326805 著基台103而互相獨立構成進退自如。再者，該基台103 是被構成藉由旋轉機構104在垂直軸旋轉自如，並且被構 成藉由移動機構105，沿著被安裝於面對支撐棚單元 U1-U4之台部106之搬運區域R1之面的Y軸導軌107在 Y軸方向移動自如，並且沿著升降導軌108升降自如。如 此一來，臂101、102是被構成進退自如、在Y軸方向移 動自如、升降自如、在垂直軸旋轉自如，成爲可以在棚單 φ 元U1〜U6之各單元或第1及第2之交接台TRS1〜TRS10、 液處理單元之間執行晶圓W之交接。如此之主臂A是根 據來自後述控制部6之指令，藉由控制器控制驅動。再者 ，爲了防止臂之加熱單元之蓄熱，成爲可以以程式任意控 制晶圓W之交接順序。 . 再者，上述介面臂B是例如第8圖所示般，沿著基台 202進退自如地設置用以支撐晶圓w之背面側中央區域之 1根臂201。上述基台202是在升降台20 3上被安裝成藉 φ 由旋轉機構204繞著垂直軸旋轉自如，沿著升降導軌205 被設置成升降自如。如此一來，臂201是被構成進退自如 、升降自如 '在垂直軸旋轉自如，成爲可以在棚單元U6 之第2交接台TRS6〜TRS9之間執行晶圓W之交接。 上述第1及第2交接臂Dl、D2除不繞著垂直軸旋轉 之外，其他被構成與介面臂B相同。如此第1及第2交接 臂D1、D2、介面臂B是根據後述控制部6之指令控而藉 由無圖示之控制器控制驅動。 接著，針對塗佈單元31使用第9圖簡單說明。該例 -21 - 1326805 中’ 3個塗佈部301、3 02、3 03是被收納於共同之處理容 器300之內部，各個是在以面對搬運區域R1之方式配列 在橫方向（Y軸方向）之狀態下，被設置在共同之基座3 04 〇 該些塗佈部301、3 02、3 03因被構成相同，故當以塗 佈部301爲例之時，圖中305爲構成基板保持部之旋轉夾 具’構成藉由真空吸著將晶圓W保持於水平。該旋轉夾 具305是可以藉由驅動部306而繞著垂直軸旋轉，並且可 以升降。再者，在旋轉夾具3 05之周圍，設置有包圍從晶 圓W跨過旋轉夾頭305之側方部分之罩杯307，在該罩杯 307之底面，設置有包含排氣管或洩漏管等之排液部3 08 。圖中309是用以將沖洗液供給至被旋轉夾具305所保持 之晶圓W之邊緣部之側邊沖洗機構，被構成升降自如、 於垂直軸旋轉自如。 再者，圖中310是用以對3個塗佈部301、302、303 供給塗佈液之共同供給噴嘴（藥液噴嘴），該供給噴嘴310 是被構成藉由移動機構312，沿著順著處以處理容器300 之長度方向（Y方向）而所設置之導引軌道311，從一端側 之塗佈部3 0 1之罩杯3 0 7之外側至另一端側之塗佈部3 0 3 之罩杯307之外方側移動自如，並且升降自如。依此，在 該例中，藉由供給噴嘴3 1 0，光阻液供給至被各塗佈部 301〜3 03之旋轉夾具305所保持之晶圓W之略中央區域。 圖中，313爲被設置在另一端側之塗佈部303之外側的供 給噴嘴310之待機區域。 -22- 1326805 圖中314爲被安裝在處理容器300之頂棚部之 元’ 315是被設置在處理電容器300之底面之排氣 自排氣部以特定排氣量排出之同時，自過濾單元31 特定流量之調整溫度和溼度後的清淨氣體，依此在 器3 00內形成清淨氣體之向下流，以比主臂A4之 域R1更正壓之方向加以設定。圖中316爲被形成 處理容器300之搬運區域R1之面的晶圓W之搬入 φ ，設置有開閉快門。 在該塗佈單元31中，晶圓W是藉由主臂A4 搬出口 316被搬入至處理容器3 00內，被交接至事 定之塗佈部301、302' 303中之任一者之旋轉夾具 然後，自供給噴嘴3 1 0將光阻液供給至該晶圓W 部，並且使旋轉夾具3 05予以旋轉，藉由離心力使 向晶圓W之徑方向擴展，使在晶圓W表面形成光 。如此一來，形成有光阻液膜之晶圓 W經由搬入. % 316藉由主臂A4被搬出至塗佈單元31之外部。 如此之塗佈單元3 1因3個塗佈部301〜3 03被 共同處理容器3 00之內部，故處理環境爲相同。因 以使供給噴嘴310共用化，因成爲可以藉由1根供 310對3個塗佈部301~303供給光阻液，故比起在 佈部301 ~3〇3設置處理容器300和供給噴嘴310之 以刪減全部構件點數或佔有面積。 並且，由於處理環境爲相同，即使針對執行形 流之氣體供給或該氣體之排氣之手段亦可以共用化 過濾單 部，與 4供給 處理容 搬運區 於面對 搬出口 經搬入 先所決 3 05 » 之中央 光阻液 阻液膜 搬出口 設置在 此，可 給噴嘴 每各塗 時，可 成向下 ，各由 -23- 1326805 該點亦可以刪減構件點數或佔有面積爲有效。再者，因塗 佈部301〜3 03被配置在共同之環境內，故可以在各塗佈部 301〜303以相同環境執行光阻液之塗佈處理，可以均勻執 行被環境影響之光阻液之塗佈處理。 再者，因3個塗佈部301〜303被設置在共同基座304 ，故於執行調整旋轉夾具305和主臂A4之臂101、102之 高度時，若針對1個塗佈部301〜3 03執行即可。再者，因 被構成藉由共同供給臂310，對各塗佈部301〜303供給光 阻液，故即使針對各旋轉夾具3 05和供給噴嘴3 1 0之高度 調整，針對1個塗佈部3 01 ~3 03執行亦可。因此，減輕該 些高度調整所須之繁雜，再者短縮調整時間。 顯像單元32是在整個供給噴嘴310之長邊方向形成 顯像液之供給區域，以供給顯像液至晶圓W之直徑方向 之方向被構成，除具備有洗淨液噴嘴之點外，其他幾乎與 塗佈單元31同樣被構成，構成塗佈部之多數個顯像處理 部是被收納在共同處理容器300內。洗淨噴嘴是被構成與 供給噴嘴310相同，被構成藉由移動機構沿著上述導引軌 道311移動自如 '並且升降自如，成爲對於被各塗佈部 30 1~3 03之旋轉夾頭305之晶圓W供給洗淨液。 如此之顯像單元3 2是晶圓W藉由主臂A 1 ' A2經由 搬入搬出口 316而被搬入至容器3 00內，且晶圓W被交 接至事先所決定之塗佈部（顯像處理部）301、302、3 03中 之任一旋轉夾具305。然後，自供給噴嘴310供給顯像液 至該晶圓W之中央部，並且藉由旋轉夾具305使晶圓w 1326805 予以半旋轉，依此將顯像液供給至晶圓w之全面。然後 ，於特定時間經過後，自洗淨液噴嘴供給洗淨液至晶圓W ，並沖洗晶圓W表面之顯像液，之後使晶圓W予以旋轉 而使乾燥，依此完成顯像處理。 再者，該顯像單元3 2即使個別設置洗淨液噴嘴，設 置以與塗佈單元31之側邊沖洗機構3 09相同之構成，被 構成升降自如、於垂直軸旋轉自如之洗淨機構，依此將洗 淨液供給至被旋轉夾具3 05之晶圓W之中央部亦可。 上述第1反射防止膜形成單元3 3是用以於塗佈光阻 液之前在晶圓W塗佈反射防止膜用之藥液，第2反射防 止膜形成單元34是用以於塗佈光阻液之後塗佈反射防止 膜用之藥液，該些單元33、34除自供給噴嘴310供給至 反射防止膜用之藥液之外，被構成與各塗佈單元31相同 在此，針對該光阻圖案形成裝置中之晶圓W之流程 φ ，以在光阻膜之上下各形成反射防止膜之情形予以說明。 首先，自外部載體20被搬入至載體區塊S1，藉由轉交臂 C自該載體20內取出晶圓W。晶圓W是由轉交臂C首先 被交接第2單位區塊B2之棚單元U5之第1交接台TRS-F ，接著’晶圓W爲了將晶圓w交接至BCT層B5，藉由第 1交接臂D1經由第1交接部Trs5被交接至BCT層B5之 主臂A5。然後’在BCT層B5是藉由主臂A5，以冷卻單 元（COL5)—第1反射防止膜形成單元34—加熱單元 (CHP5)—棚單元U6之第2交接台TRS10之順序被搬運， -25- 1326805 形成第1反射防止膜。 接著’第2交接台TRS10之晶圓W是藉由第2交接 臂D2，爲了將晶圓W交接至COT層B4被搬運至第2交 接台TRS9，接著，被交接至該COT層B4之主臂A4。然 後，COT層B4是藉由主臂A4，以疏水化處理單元（ADH) 冷卻單元（COL4)—塗佈單元31—加熱單元CHP4—第1 交接台TRS4之順序被搬運，在第1反射防止膜上形成光 阻膜。 接著，第1交接台TRS4之晶圓W是藉由第1交接臂 D1，爲了將晶圓W交接至TCT層B3被搬運至第1交接 台TRS3，被交接至該TCT層B3之主臂A3。然後，TCT 層B3是藉由主臂A3，以冷卻單元（COL3)—第2反射防止 膜形成單元33 —加熱單元CHP3—周邊曝光裝置（WEE)— 棚單元U6之第2交接台TRS8之順序被搬運，在光阻膜 上形成第2反射防止膜。 接著，第2交接台TRS8之晶圓W是藉由介面臂B而 被搬運至曝光裝置S4，在此執行特定之曝光處理。曝光 處理後之晶圓W是藉由介面臂B，爲了將晶圓W交接至 DEV層B1(DEV層B2)，被搬運至棚單元U6之第2交接 台TRS6(TRS7)，該台TRS6(TRS7)上之晶圓W是被DEV 層B1(DEV層B2)主臂A1(主臂A2)接收，在該DEV層B1 ，以首先加熱單元32—冷卻單元（COLl(COL2))—顯像單 元32—加熱單元（P〇STl(P〇ST2))之順序被搬運，執行特 定顯像處理。如此一來，執行顯像處理之晶圓W爲了將 -26- 1326805 晶圓 w交接至轉交臂 c，被搬運至第 1交接台 TRS1(TRS2)，藉由轉交臂C，返回被載置在載體區塊S1 之原有載體20。 以上，上述光阻圖案形成裝置是具備有執行各處理單 元之配方（Recipe )的管理、晶圓W之搬運流程（搬運路 徑）之配方的管理、各處理單元之處理或執行主臂A1~A5 、轉交臂C、第1及第2交接臂D1、D2、介面臂B之驅 φ 動控制之電腦所形成之控制部。以該控制部6使用單位區 塊B1~B5搬運基板，執行處理。 上述搬運區塊流程之配方爲指定單位區塊內之晶圓W 之搬運路徑（搬運順序），於每單位區塊B1〜B5，因應所形 成之塗佈膜之種類而被形成，依此在每單位區塊B1~B5, ' 多數個搬運流程處理程式儲存於控制部6中。 再者，依據所形成之塗佈膜，有將晶圓W搬運至所 以單位區塊B1〜B5之模式，將晶圓W搬運至執行顯像處 φ 理之單位區塊（DEV層Bl、B2)和執行光阻液塗佈之單位 區塊（COT層B4)和用以形成第1反射防止膜之單位區塊 (BCT層B5)之模式，和將晶圓W搬運至執行顯像處理之 單位區塊（DEV層B1、B2)和執行光阻液之塗佈之單位區 塊（COT層B4)和用以形成第2反射防止膜之單位區塊 (TCT層B3)之模式，藉由控制部6之模式選擇手段，因應 所欲形成之塗佈膜之種類，選擇搬運晶圓W之單位區塊 ，並且由在每被選擇之單位區塊所準備之多數搬運流程配 方，選擇出最適合之配方，因應所形成之塗佈膜選擇所使 -27- 1326805 用之單位區塊，在該單位區塊控制各處理單元或臂之驅動 ，執行一連串之處理。 如此之光阻圖案形成裝置是在不同區域設置各塗佈形 成用之單位區塊，和顯像處理用之單位區塊，因各個設置 有專用之主臂A，故減輕主臂A之負擔。因此提昇主臂A 之搬運效率，故其結果可以提高產量。 再者，因互相疊層而設置用以形成光阻膜之專用單位 區塊（COT層B4)、用以形成第1反射防止之專用單位區塊 (BCT層B5)、用以形成第2反射防止膜之專用單位區塊 (TCT層B3)，以當作塗佈膜形成用之單位區塊，故即使在 光阻膜上下形成反射防止膜之時，亦可以使處以區塊S2 之佔有面積與僅形成光阻膜之時相同，可以謀求省空間化 並且，因如先前所述將COT層B4、BCT層B5 ' TCT 層B3以個別單位區塊予以構成，來作爲塗佈膜形成用之 單位區塊，故藉由選擇DEV層Bl、B2(再者DEV層B1、 B2中之任一者）、BCT層B5' COT層B4、TCT層B3中使 用之單位區塊，可以對應於形成反射防止膜之時，或不形 成反射防止膜之時。再者，此時所使用之單位區塊之晶圓 W之搬運路徑因相同，故即使於以1台塗佈、顯像裝置形 成每批貨不同有不同塗佈膜之時，亦可以抑制搬運程式之 繁雜化，使成爲簡易搬運程式，以謀求軟體之簡易化。
此時，使用哪一個單位區塊B1-B5執行處理是如先前 所述，因應目的之塗佈膜而從被儲存於控制部6之晶圓W -28- 1326805 之搬運目的地之單位區塊，和每單位區塊之晶圓W之般 流程配方，依據選擇搬運晶圓之單位區塊和搬運流程配方 而決定。 即是例如不形成反射防止膜之處理，是僅選擇DEV 層B1'B2和COT層B4，於此時例如以載體2 0—轉交臂 C—棚單元U5之第1交接台TRS-F—第1交接臂D1—第 1交接台TRS4 — COT層B4之主臂A4—疏水化處理單元 φ (ADH)—冷卻單元（COL4)->塗佈單元31—加熱單元（CHP4) —棚單元U6之第2交接台TRS9—介面臂B—曝光裝置S4 —介面臂B—第2交接台TRS6(TRS7)—DEV層B1(B2)之 路徑被搬運。 再者，於僅在光阻膜之下部形成反射防止膜之時，僅 選擇DEV層B1(B2)和BCT層B5和COT層B4，於此時例 如以載體20—轉交臂C—棚單元U5之第1交接台TRS-F —第1交接臂D1—第1交接台TRS5— BCT層B5之主臂 φ A5—冷卻單元（COL5)—第1反射防止膜形成單元34—加 熱單元（CHP5)—第2交接台TRS10—第2交接臂D2—第2 交接台TRS9—COT層B4之主臂 A4—疏水化處理單元 (ADH卜冷卻單元（COL4卜塗佈單元31—加熱單元（CHP4) —棚單元U6之第2交接台TRS9—介面臂B—曝光裝置S4 —介面臂B—第2交接台TRS6(TRS7)— DEV層B1(B2)之 路徑被搬運。 並且，於僅在光阻膜形成反射防止膜之時，僅選擇 DEV層B1(B2)和COT層B4和TCT層B3，此時例如以載 -29- 1326805 體20—轉交臂C—棚單元U5之第1交接台TRS-F—第1 交接臂D1 ->第1交接台TRS4— COT層B4之主臂A4之 順序被搬運COT層B4內之晶圓W之搬運路徑及COT層 B4之後的晶圓W之搬運路徑與上述之例相同。 因如此所選擇之各塗佈膜形成用之單位區塊（COT層 B4、BCT層B5、TCT層B3)內之晶圓W之搬送路徑爲相 同，故即使於形成不同塗佈膜之時，選擇所使用之單位區 塊，僅將晶圓 W搬運至該單位區塊即可，搬運程式爲簡 單。 並且，於上述實施形態中，因將用以對5層之單位區 塊B1-B5執行晶圓W之交接之交接臂和交接台，設置在 鄰接於處理區塊S2之載體區塊S1之區域，和鄰接於介面 區塊S3之區域之雙方，故即使使用第1及第2交接臂D1 、D2中之任一臂，將在各塗佈膜形成用之單位區塊 B3〜B5所處理之晶圓W交接至下一層亦可，晶圓W之搬 運路徑之自由度大。 即是’若在上述光阻膜之上下形成反射防止膜之時， 在BCT層B5形成反射防止膜之後，即使經由棚單元U5 之第1交接台TRS5藉由第1交接臂D1將晶圓W交接至 COT層B4亦可，即使經由棚單元U6之第2交接台 TRS10而藉由第2交接臂D2將晶圓w交接至COT層B4 亦可。 再者，由於搬運路徑之自由度高，故各單位區塊 B1〜B5之主臂A1〜A5或第1及第2之交接臂di、D2之搬 1326805 運程式之作成爲容易。並且，如此一來由於即使使用第1 及第2交接臂Dl、D2中之任一臂，將在各塗佈形成用之 單位區塊B3〜B5中所處理之晶圓W交接至下一層亦可， 故分擔1根交接臂Dl、D2之負擔，並且可以謀求產量之 提昇。 並且’因在各單位區塊間設置有用以執行晶圓W之 交接之第1及第2交接台TRS1〜TRS10，和用以存取於該 φ 交接台之專用交接臂D1、D2，故各單位區塊間之晶圓W 之搬運系統之構成爲簡單，由該點可以謀求搬運程式之簡 易化。 , 在此，上述塗佈膜形成用之單位區塊因液處理單元之 藥液種類互相不同，故可以使塗佈液等之藥液之配管，或 者排液路或排氣路等之配管靠近聚集，再者也可以使電氣 系統之電纜等靠近聚集，使上述配管或電纜等之拉線單純 化，容易執行安裝作業。因此謀求短縮製造所需之時間， φ 並且可以因製造產量提高，故可以降低製造成本。 再者，如先前所述般藉由相同單位區塊，構成BCT 層B5、COT層B4、TCT層B3，即是若構成使液處理單元 、加熱單元、冷卻單元、主臂之配置佈局，在單位區塊彼 此之間成爲相同’僅改變液處理單元之藥液種類之時，因 製造相同單位區塊即可，故比起製造構成爲不同之單位區 塊之時’容易執行製造作業，不會減少製造錯誤。因此， 可以提高製造產量’降低製造成本。再者，因可以使用共 同構件，故由此點可以對降低製造成本有貢獻。並且，若 -31 - 1326805
藉由相同單位區塊構成上述BCT層B5、COT層B4、TCT 層B3時，因如先前所述減少製造錯誤，故可以提高精度 ，容易調整。因此，也有短縮調整所需之時間之優點。 並且，於塗佈膜形成用之單位區塊中之任一者發生異 常無法使用之時，亦可以不使用單位區塊使用兩個塗佈膜 形成用之單位區塊，而執行塗佈膜之形成。 接著，針對本發明之2實施形態根據第1 0圖予以說 明。該例是使用在晶圓W表面形成液層而執行液浸曝光 之裝置，以當作曝光裝置S4，並且在處理區塊S2和介面 區塊S3之間設置輔助區塊S5，並作爲塗佈膜形成用之單 位區塊，是在例如COT層B4之上層側或TCT層B3之上 層側，又疊層設置具有用以在第2反射防止膜之上方形成 撥水性之保護膜之單元的單位區塊（無圖示）之例。用以形 成上述撥水性保護膜之單元，是於液浸曝光對應時所求取 之液處理單元，爲塗佈用以防止液浸曝光時之液體浸濕光 阻之保護膜的撥水性保護膜塗佈單元，再者即使在該單位 區塊設置用以將曝光後之保護膜除去或曝光前後附著於晶 圓W之顆粒，或對曝光造成障礙之成份的予以除去洗淨 之洗淨單元亦可。 在上述輔助區塊S5，具備有用以執行例如於塗佈膜 形成後曝光處理前所執行之檢查，或執行曝光處理後顯像 處理前之檢查的檢查單元71、用以執行液浸曝光後之例如 洗淨處理之洗淨單元72、多段設置用以在介面區塊S3之 介面臂B之間執行晶圓W之交接之交接台TRS之棚單元 1326805 U7、處理區塊S2之棚單元U6之例如接收台TRS6〜TRS8 、檢查單元71、洗淨單元72'棚單元，和用以對棚單元 U7之各部執行晶圓W之交接的第3交接臂E。即使多段 構成該些檢查單元71或洗淨單元72亦可，即使在交接臂 E之兩側，僅設置洗淨單元72或檢查單元71亦可，自由 自在配置。 上述第3交接臂E是被成進退自如、升降自如、在垂 φ 直軸旋轉自如，於上述塗佈膜形成後曝光處理前所執行之 檢査，則有塗佈膜之膜厚檢查或異物檢查等，於曝光處理 後顯像處理前所執行之檢查，有曝光重疊檢查等。再者， 並不限定於此，即使設置有檢測基板上之對準標記之單元 、藉由雷射處理除去一部份之單元亦可。 然後，作爲被設置在上述輔助區塊之單元，設置有用 以檢査晶圓表面之狀態，例如用以檢查被形成晶圓 W之 塗佈膜之膜厚之膜厚檢查單元、用以檢查光阻液之塗佈部 φ 均之塗佈不均檢測裝置、用以洗淨曝光前及/或曝光後之 基板之洗淨單元、用以檢測出在曝光裝置所產生之圖案位 置之位置偏差之失焦檢查裝置、用以檢測出顯像處理不良 之顯像不良檢測裝置、用以檢測出附著於晶圓之顆粒數之 顆粒數檢測裝置、用以檢測出因光阻液中之氣泡或異物發 生在光阻塗佈厚之晶圓W表面之彗星條痕的彗星條痕檢 測裝置；檢測從晶圓W表面飛出之光阻液之溶劑在附著 於晶圓W之回濺（Splashback)的回濺檢測裝置、用以檢測 出殘存於顯像處理後之晶圓W之光阻殘渣之浮渣檢測裝 -33- 1326805 置、用以檢測出不執行光阻塗佈處理及/或顯像處理之不 良狀態之NO RESIST、NO DEVELOP檢查裝置（不良狀態 檢測裝置）、用以測量被形成在晶圓W之光阻膜之線寬之 線寬測量裝置、用以將檢查以曝光裝置所曝光之晶圓 W 和光罩之重疊精度與規格値予以比較之重疊檢查裝置之至 少一種。 上述失焦檢查是藉由與事先所登錄之正確形式予以比 較，檢測出曝光裝置之焦點模糊，線寬測量裝置是例如與 藉由事先所登錄之正確形式比較而檢測出曝光裝置中之曝 光量或曝光時間是否適當，重疊檢查裝置是藉由將以可以 與例如下層之模式比較之方式所形成之特定部分之形式， 與事先所登錄之正確形式比較，檢測出曝光裝置中之曝光 裝置之位置偏差》 於如此之構成中，於對晶圓W執行曝光後執行洗淨 處理之時，例如與上述第1實施形態相同，晶圓W是以 在載體區塊si— BCT層B5—COT層B4— TCT層B3—用 以形成撥水性之保護膜之單位區塊之順序被搬運，接著以 棚單元U6之第2交接台—第2交接臂D2->例如第2交接 台TRS8—輔助區塊S5之第3交接臂E—棚單元U7之交 接台—介面區塊S3之介面臂B—曝光裝置S4之路徑被搬 運’曝光後之晶圓W是以介面區塊S3之介面臂B—輔助 區塊S5之棚單元U7之交接台—第3交接臂E—洗淨單元 72->第3交接臂E—棚單元U6之交接台TRS6(TRS7)—主 臂Al、A2— DEV層B1(B2)之路徑被搬運。 1326805 再者’於執行各種檢查之時，對以一定數量取出之晶 圓w執行特定之檢查。例如，於塗佈膜形成後之檢查時 ，於被搬運至曝光裝置S4之前以輔助區塊S5執行檢查， 於曝光後之檢查時，對自曝光裝置S4返回至輔助區塊S5 之晶圓W執行檢查，於顯像處理後之檢查時，以處理區 塊S2執行顯像處理後’再次將晶圓w搬運至輔助區塊S5 執行檢查。 φ 在此’形成上述第2反射防止膜上所形成之撥水性保 護膜，是爲了藉由該保護膜彈開液浸曝光時之液體，使上 述液體難以殘留在晶圓W之表面，例如被形成在晶圓W _ 之表面及邊緣部背面側。再者，液浸曝光後之洗淨處理是 爲了抑制上述保護膜自晶圓W剝離而成爲顆粒發生原因 ，爲了除去該保護膜而所執行，例如對晶圓W之表面及 背面側邊緣部供給用以除去上述保護膜之藥液而除去上述 保護膜，接著藉由用以供給洗淨上述藥劑之洗淨液而所執 • 行。 在該實施形態中，因在處理區塊S2和介面區塊S3之 間，設置具備有檢査單元或洗淨單元之輔助區塊S5，故 例如於上述塗佈膜形成後曝光處理前執行檢查或洗淨之時 ，及/或於曝光處理後顯像處理前執行檢查或洗淨之時， 在處理區塊S2和介面區塊S3之間之晶圓W通過路徑， 可以執行上述檢查或洗淨。因此，可以抑制晶圓W之搬 運路徑之複雜化，並且執行塗佈膜形成後或曝光處理後之 適當時序或檢查或洗淨，即使爲執行如此之檢查或洗淨之 -35- 1326805 時，亦可以抑制搬運程式之複雜化。 即使在該實施形態中，於不形成反射防止膜之時，即 使在光阻膜上形成保護膜亦可，洗淨處理即使在曝光處理 前後中之任一者，或是在曝光處理之前後雙方執行亦可。 再者，不具有保護膜之時，上述洗淨單元72單是爲了除 去晶圓W之污垢而使用。 於以上中，本發明即使將晶圓W搬運至顯像處理用 之單位區塊B 1、B2而執行處理亦可。再者，即使將顯像 處理用之單位區塊設爲1層亦可，如上述實施形態般，當 將塗佈膜形成用之單位區塊從下方側朝向上方側，以成爲 TCT層、COT層、BCT層之方式予以配列時，因執行曝光 處理前之最後塗佈處理之TCT層或COT層，和執行曝光 處理後之處理之DEV層接近，故雖然有介面臂B之存取 區域變窄之優點，但是即使以從下方側朝向上方側依序成 爲BCT層、COT層、TCT層之方式予以配列塗佈膜形成 之單位區塊亦可。 並且，本發明中，以轉交臂C可以存取之棚單元U5 之交接台並不限定於DEV層Bl、DEV層B2，若爲在轉交 臂C和所疊層之單位區塊之1個以上之單位區塊之間，執 行晶圓W之交接者亦可。又，即使針對棚單元U6，在介 面臂B之間設置用以執行晶圓W之交接之專用第2交接 台TRS，經由該第2交接台TRS和第2交接臂D2，在各 單位區塊B 1 ~B 5和介面區塊S 3之間執行晶圓W之交接亦 可。另外，針對DEV層Bl、B2內之模組即使使用共同之 1326805 主臂A執行晶圓W之搬運亦可。 再者，被設置在各單位區塊之棚單元U5、U6之交接 台TRS若爲1個以上即可，即使具備冷卻功能亦可。並且 即使在載體區塊S1和介面區塊S3之間執行晶圓W之交 接的單位區塊，於轉交臂C和介面臂B之間，或是棚單元 U5和棚單元U6之間，設置與執行晶圓W之搬運之主臂A 另外的專用搬運手段亦可。並且，即使在棚單元U5、U6 φ ，設置交接台以外之模組，例如冷卻單元等亦可，即使設 置因應目的之檢查單元，以f作被疊層於處理區塊S2之 單位區塊B1〜B5之處理單元亦可。例如，取代被設置在 COT層B4及TCT層B3之邊緣曝光裝置（WEE)，以設置 膜厚測定器亦可，即使在DEV層Bl、B2設置圖案重疊檢 ' 查或顯像處理後之顯像缺陷檢査單元亦可。再者，即使在 單位區塊設置檢查單元亦可，此時即使在主臂A之搬運路 徑之兩側設置檢查單元亦可，即使設置檢查單元專用之單 φ 位區塊亦可。 並且，針對DEV層Bl、B2內之模組，僅以主臂A共 用而執行晶圓 W之搬運亦可，再者，本發明不僅半導體 晶圓，亦可以適用於處理如液晶顯示器用之玻璃基板（LCD 基板）等之基板的塗佈、顯像裝置。 再者，本發明之光阻圖案形成裝置即使如下述般予以 構成亦可。針對該實施形態當使用第Π圖〜第1 6圖予以 說明時，該例是在輔助區塊S5內，設置塗佈用以防止液 浸曝光時之液體浸濕光阻之保護膜的撥水性保護膜塗佈單 -37- 1326805 元（ITC)(以下稱爲「保護膜塗佈單元（ITC)」，和用以除去 該撥水性保護膜之撥水性保護膜除去單元（ITR)(以下稱爲 「保護膜除去單元（ITR)」，並且在介面區塊S3設置液浸 曝光之前後洗淨晶圓W之洗淨單元（RD)。 在此，針對液浸曝光予以簡單說明時，該液浸曝光是 藉由在基板表面形成使光予以透過之液層之狀態下執行曝 光，依此其目的是提昇曝光之解像度，例如利用如在水中 光波長較短，193nm之ArF之波長在水中實質成爲134nm 之特徵，執行曝光。 但是，因在光阻表面形成液層，故光阻溶出至液相側 ，其溶出成份殘留在晶圓W上，於曝光處理完成後，將 形成在晶圓W表面之液層自晶圓W排出時，則有液滴例 如微小水滴殘留在晶圓表面之可能性。如此一來，當光阻 之溶出部分或是液滴殘存於晶圓W之時，上述溶出部分 附著於晶圓W，成爲缺陷原因之顆粒發生主要原因，於曝 光處理後之加熱處理時自溶出部分所發生之顆粒引起固定 附著或溶解附著，則存在有下述問題，對圖案之線寬產生 影響，液滴存在使得於曝光處理後之加熱處理時發生溫度 差，熱處理之面內均勻性惡化，液滴與空氣反應而成爲晶 圓W表面之水印的發生原因。 因此，在液浸曝光處理中，於執行將光阻液塗佈於晶 圓W之後液浸曝光之前，抑制光阻之溶出，並且爲了使 液浸曝光時之液體難以殘留在晶圓W表面，將撥水性之 保護膜塗佈在晶圓W表面，以保護膜塗佈單元（ITC)執行 1326805 該處理。再者，當在塗佈有該保護膜之狀態下執行顯像處 理時，因光阻難以藉由顯像液溶解，故於顯像處理之前， 必須除去該保護膜，該處理是以保護膜除去單元（ITR)所 進行。並且，爲了更確實除去附著於晶圓 W之光阻液之 溶出成份，或液浸曝光時之液體水滴，於執行液滴曝光處 理之後洗淨晶圓W之表面，以洗淨單元（RD)執行該洗淨 〇 φ 接著，當針對該實施形態之佈局予以具體說明時，針 對載體區塊S1及處理區S2除單位區塊B1〜B5之疊層順 序不同之外，其他幾乎與先前所述之第1圖所示之光阻圖 案形成裝置幾乎相同。 在此，當針對與上述第1圖所示之光阻形成裝置不同 ' 之點予以說明時，處理區塊S2是如第12圖所示般，由下 方側依照兩個DEV層Bl、B2、BCT層B5、COT層B4、 TCT層B3之順序被疊層，自載體區塊S1之晶圓W是經 φ 由BCT層B5之交接台TRS5而直接被交接至BCT層B5 ，來自處理區塊S2之晶圓W是經由COT層B4之交接台 TRS9或BCT層B5之交接台TRS10而被交接至輔助區塊 S5。並且，於第12圖中，在棚單元U5、U6，爲了便於圖 示每各單位區塊B1~B5，僅描劃第1交接台TRS1〜TRS5、 第2交接台TRS6~TRS 1 0 〇 然後，鄰接於該處理區塊S2而所設置之輔助區塊S5 ，在中央設置第4交接臂F，在該交接臂F之周圍，在例 如自載體區塊1觀看於深側和右側和左側，各設置有棚單 -39- 1326805 元U7、U8、U9。在上述棚單元U7，多段疊層用以在介面 區塊S3之介面臂B之間，執行晶圓W之交接之交接台 TRS1 1、TRS12，於棚單元U8是被多段疊層例如保護膜塗 佈單元（ITC)、保護膜除去單元（ITR)，在棚單元U9是被 多段疊層設置有先前所述之檢查單元71、先前所述之冷卻 單元（COL)、加熱單元（CHP)等之加熱、冷卻系統之單元等 〇 在此，針對被設置在棚單元U7〜U9各部的位置關係 ，使用第12圖、第13圖予以說明。例如，在該例中，棚 單元U8係以在兩個保護膜除去單元（ITR)之上方疊層兩 個保護膜塗佈單元（ITC) 401之方式多段被疊層，下方 側之兩個保護膜除去單元（ITR ) 402係被設置在對應於 處理區塊S2之兩個DEV層Bl、B2之位置，上方側之兩 個保護膜塗佈單元（ITC)係被設置在對應於處理區塊S2 之BCT層B5和COT層B4之位置。 再者，棚單元U7之交收台TRS1 1、TRS12是以例如 —方之交接台TRS 12對應於保護膜塗佈單元40 1中之任一 者，另一方之交接台TRS11是對應於保護膜除去單元4 02 中之任一者的方式，在該例中被設置於對應於棚單元U8 之中段保護膜塗佈單元401和保護膜除去單元40 2之位置 上，一方側例如交接台TRS 12是從輔助區塊S5至介面區 塊S3交接晶圓W之時所使用，另一側例如交接台TRS 1 1 從介面區塊S3至輔助區塊S5交接晶圓W時被使用。 然後，上述第4交接臂F是例如第13圖所示般，於 -40- 1326805 上下設置2段，上方側之交接臂F1是在處理區塊S2 BCT層B5和C〇T層B4之間執行晶圓W之交接，並且 成對該輔助區塊S5之棚單元U7~U9之各部執行晶圓w 交接’例如構成對處理區塊S2之棚單元U6之交接 TRS9、TRS10、棚單元U8之保護膜塗佈單元（ITC)、棚 元U7之交接台TRSi2和棚單元U9之對應各部執行晶 W之交接。 φ 再者，下方交接臂F2是在處理區塊S2之DEV層 、B2之間執行晶圓W之交接，並且構成對該輔助區塊 之棚單元U7〜U9之各部執行晶圓W之交接，例如構成 該處理區塊S2之棚單元U6之交接台TRS6、TRS7、棚 元 U8之保護膜塗佈單元（ITR)、棚單元U7之交接 TRS1 1和棚單元U9之對應各部執行晶圓W之交接。 該交接臂F1、F2是與例如主臂A1〜A5同樣被構成 沿著面對支撐棚單元U9之無圖示台部之臂FI、F2之搬 φ 區域的面而被安裝之Y軸導軌107，構成例如在圖中Y 向移動自如、進退自如、升降自如、繞著垂直軸旋轉自 。再者，在介面區塊S3中，於介面臂B可以存取之位 ，設置有疊層於液浸曝光後洗淨晶圓W之例如兩個洗 單元（RD)403。 並且，在載體區塊S1之轉交臂C之搬運區域之上 側，設置過濾單元（FFU)4〇4，藉由自該過濾單元404供 特定流量之被調整過溫度和溼度之清淨氣體’構成在上 搬運區域內形成清淨氣體之向下流。並且，在介面區 之 構 之 台 口口 早 圓 B 1 S5 對 單 台 > 送 方 如 置 淨 方 給 述 塊 -41 - 1326805 S3之上方側，設置有ULPA過濾器405，藉由該ULPA過 濾器405，除去塵埃等之清淨空氣，是被供給至介面區塊 S3內。並且，即使在先前已述之實施形態中，即使將各 個過濾單元4〇4或ULPA過濾器405設置在載體區塊S1、 介面區塊S 3亦可。 接著，針對上述保護膜塗佈單元401、保護膜除去單 元402、洗淨單元403之構造予以簡單說明，因該些幾乎 爲相同構造，故首先使用第14圖以保護膜除去單元402 爲例予以說明。圖中410爲構成基板保持部之旋轉夾具’ 構成藉由真空吸著將晶圓W保持水平。該旋轉夾具410 是藉由驅動部411而可繞著垂直軸旋轉，並且成爲可以升 降。再者，在旋轉夾具410之周圍，設置從晶圓W包圍 跨過旋轉夾具410之側方部分的罩杯412，在該罩杯412 之底面，設置有包含排氣管413或洩漏管414之排液部。 再者，圖中420爲用以將剝離保護膜用之剝離液供給 至晶圓 W之大略旋轉中心的藥液噴嘴，該藥液噴嘴420 是被構成藉由移動機構421，沿著依處理容器430之長度 方向（Y方向）而所設置之導引導軌422，在被設置於罩杯 4 1 2之一端側之外方側上的待機區域42 3，和將藥液供給 至晶圓W之幾乎旋轉中心之位置之間移動自如並且升降 自如。 並且，圖中424爲用以供給洗淨液至晶圓W之大略 旋轉中心之洗淨噴嘴，該噴嘴424是被構成藉由移動機構 425，沿著上述導引導軌422而在被設置於罩杯412之另 1326805 一端側之外方側之待機區域426，和將洗淨液供給至晶圓 W之大略旋轉中心之間移動自如，並且升降自如。並且， 431爲被形成在面對處理容器430之交接臂F2之搬送區 域之面的晶圓W之搬入搬出口，設置有開閉快門432。 然後，該保護膜除去單元402中，晶圓W是藉由交 接臂F2，經由搬入搬出口 43 1被搬入至處理容器430內 ，並被交接至旋轉夾具410»然後，自藥液噴嘴420供給 φ 保護膜去用之剝離液至該晶圓W之大略旋轉中心，並且 使旋轉夾具410予以旋轉，藉由離心力使上述剝離液擴展 至晶圓 W之徑方向，如此一來，將上述剝離液供給至被 形成在晶圓W表面之保護膜之上全體，依此自晶圓W表 面使保護膜予以剝離。 ' 之後，使藥液噴嘴420移動至待機區域423，另外使 洗淨噴嘴424移動至將洗淨液供給至晶圓 W之大略旋轉 中心之位置，而供給洗淨液至晶圓 W之大略旋轉中心， φ 並且使旋轉夾具410予以旋轉410。如此一來，藉由離心 力使上述洗淨液朝向晶圓W之徑方向擴展，依此藉由洗 淨液沖洗除去自自晶圓 W表面所剝離之保護膜》接著， 以高速使晶圓W予以旋轉，乾燥晶圓W表面之洗淨液之 後，經由搬入般出口 43 1藉由第4交接臂F2使晶圓W搬 出至保護膜除去單元4 02之外部。 再者，在保護膜塗佈單元401中，除自藥液噴嘴42 0 供給保護膜形成用之液藥至晶圓W表面，並且不設置有 洗淨噴嘴424之點外，其他與保護膜除去單元402相同被 -43- 1326805 構成。然後，自藥液噴嘴420供給保護膜形成用之藥液至 該晶圓W之大略旋轉中心，並且使旋轉夾具410予以旋 轉，藉由離心力使上述藥液向晶圓W之徑方向擴展，在 晶圓W表面形成藥液之液膜，而形成保護膜。 接著，當針對洗淨單元403予以說明時，該洗淨單元 403是自洗淨噴嘴424供給洗淨液例如純水至晶圓W表面 ，並且除不設置有藥液噴嘴420之點外，其他構成與保護 膜除去單元4 02相同。再者，上述洗淨噴嘴424是被構成 於沿著導引導軌422移動之時，洗淨液自該洗淨噴嘴424 被供給至在通過晶圓W之大略旋轉中心之直線L上。 該洗淨單元403是如第15圖（a)所示般，在旋轉夾具 410之狀態下，首先自洗淨噴嘴424將洗淨液供給至該晶 圓W之大略旋轉中心，接著如第15圖（b)所示般一面將該 洗淨噴嘴424朝向晶圓W之外緣漸漸移動，一面將洗淨 液供給至晶圓W之上述直線L上。 如此一來，洗淨液是藉由離心力擴展至晶圓W之徑 方向，當將洗淨液供給至晶圓W之大略旋轉中心時，則 如第1 6圖（a)所示般，朝向以上述旋轉中心〇爲中心之同 心圓狀擴展。再者，當來自洗淨噴嘴424之洗淨液之供給 點P朝向晶圓W之外緣移動時，由於晶圓W旋轉，故洗 淨液則被供給至連結該供給點P之圓（第1 6圖（b)以虛線所 示之圓）上，洗淨液是擴散至連結該供給點P之圓之外側 。如此一來，洗淨液從晶圓W之中心0朝向外緣而供給 至上述晶圓W之上述直線L上，依此藉由洗淨液而被濕 -44- 1326805 潤之區域，由晶圓w之中心〇逐漸移動至外側時，其結 果洗淨晶圓W全體表面。 此時，藉由洗淨液被濕潤之區域，因從晶圓W之中 心0逐漸朝向外側移動，故則從晶圓W之中心朝向外側 依序被洗淨。再者，因藉由離心力使洗淨液擴展，故在洗 淨液之供給點Ρ之內側洗淨液無擴展，晶圓W從中心順 序乾燥時，該區域之液滴殘存則被控制。依此，因可以確 Φ 實除去附著於晶圓W之光阻液之溶出成份，或液浸曝光 時之液體，故可以抑制光阻之溶出成份附著所導致之顆粒 發生，或對圖案之線寬的不良影響，防止殘存晶圓W之 液滴而導致之熱處理之面內均勻性之惡化，或水印之發生 〇 如此構成之光阻圖案形成裝置中，執行液浸曝光處理 ’接著於該曝光處理後執行洗淨處理之時，例如與上述第 1實施形態相同，晶圓W是以載體區塊si — BCT層Β5 — • C0T層B4— TCT層Β3之順序被搬運，接著以棚單元U6 之第2交接台TRS8—第2交接臂D2—第2交接台TRS9( 或是交接台TRS10)—輔助區塊S5之第4交接臂F1—棚單 兀U 8之保護膜塗佈單元4 0 1棚單元U 7之交接台T R S 1 2 —曝光裝置S4之路徑被搬運，曝光後之晶圓w是以介面 區塊S3之介面臂洗淨單元403 —介面臂B—輔助區塊 S5之棚單元U7之交接台TRS1 1—第4交接臂F2-棚單元 U8之保護膜除去單元402—第4交接臂F2 —處理區塊S2 之棚單兀U6之交接台TRS6(或是交接台TRS7)—主臂A1 -45- 1326805 ' A2— DEV層B1(B2)之路徑被搬運。 於該實施形態中，因在被設置於處理區塊S2和介面 區塊S3之間之輔助區塊S5，設置有執行液浸曝光時所需 之單元之保護膜塗佈單元40 1或保護膜除去單元4 02，故 藉由安裝該輔助區塊S5，不用變更處理區塊S2之佈局， 可以對應執行液浸曝光之時和不執行液浸曝光之時。此時 不執行液浸曝光之時，若以經過輔助區塊S5內而不停之 方式搬運晶圓W即可。 再者，當在此設置執行上述塗佈膜形成後曝光處理前 之處理的保護膜塗佈單元40 1或是曝光處理後顯像處理前 之保護膜除去單元402時，可以利用處理區塊S2和介面 區塊S3之間的晶圓W通道，執行上述處理。並且，在此 所指之塗佈膜，爲光阻膜或是反射防止膜。因此，可以一 面抑制晶圓W之搬運路徑之複雜化，一面執行塗佈膜形 成後或曝光處理後之適當時序，即使於執行如此之處理時 ，亦可以抑制搬運程式之複雜化》 並且，藉由在介面區塊S3設置洗淨單元403，可以 將介面區塊S3之空閒空間當作洗淨單元403之設置空間 予以有效利用。因此，即使設置洗淨單元403，亦不需要 將洗淨單元403在安裝被設置在處理區塊S2或介面區塊 S3之棚單元上，被設置在該些棚單元之單元之種類或數 量，可以不用變更佈局，再者因即使不個別設置其他設置 空間亦可，故可以抑制裝置之大型化。 並且，藉由在介面區塊S3設置洗淨單元403，因從 1326805 液浸曝光裝置S4至洗淨單元403爲止之晶圓W之搬運距 離爲短，可以於液浸曝光後馬上洗淨，故假設在晶圓W 附著光阻之溶出部分或液滴，亦可以更確實洗淨。即是， 當於液浸曝光後光阻之溶出部分或液滴附著之狀態下長距 離搬運時，晶圓W與空氣接觸變長，則有上述溶出部分 或液滴反應與空氣反應而變化成無法容易洗淨水印等之可 能性，但是如該例所示般，當在液浸曝光裝置S4之附近 φ 設置洗淨單元403時，減少上述溶出部分或液滴因空氣接 觸而變化之可能性，可以藉由洗淨液之洗淨容易自晶圓W 表面除去上述溶出部分等。 並且，於該實施形態中，於不形成反射防止膜之時， 即使在光阻膜上形成上述保護膜亦可，洗淨處理即使在曝 光處理之前後中之任一者或是曝光處理之前後雙方執行亦 可。再者，於不具有保護膜之時，即使單爲了除去晶圓W 之污垢使用上述洗淨單元40 3亦可，該洗淨單元4 03即使 φ 被安裝於輔助區塊S5內亦可。 並且，本發明是如第17圖〜第19圖所示般，在如同 第1圖所示之光阻圖案形成裝置般不設置輔助區塊S5之 構成中，設置保護膜塗佈用之單位區塊（ITC層）B6以作爲 單位區塊之一個，即使在DEV層Bl、B2設置保護膜除去 單元402亦可。例如，在光阻之上層側不形成反射防止膜 ，對應於形成保護膜之時的佈局，處理區塊S2是如第18 圖所示般，自下方側依照兩個DEV層Bl、B2、BCT層B5 、COT層B4、ITC層B6之順序被疊層，上述ITC層B6 -47- 1326805 除設置上述保護膜塗佈單元401以當作液處理單元之外， 其他構成與TCT層B3相同。 再者’ DEV層Bl、B2是如第17圖所示般，設置有 例如兩個顯像單元和1個保護膜除去單元402以當作液處 理單元，介面區塊S3設置有洗淨單元403。然後，來自 載體區塊S1之晶圓W是經由BCT層B5之交接台TRS5 而被直接交接至BCT層B5，來自處理區塊S2之晶圓W 是成爲經由例如BCT層B5之交接台TRS10而被交接至介 面區塊S3。再者’兩個DEV層B1、B2是被構成晶圓W 藉由共同主臂A2搬送至各部，第1及第2交接台TRS、 TRS7、棚單元Ul、U2、U3是被構成僅設置在DEV層B2 。並且，第18圖中，爲了便於圖示棚單元U5、U6是在 DEV 層 B2、BCT 層 B5、COT 層 B4、ITC 層 B6，僅各描 劃1個第1交接台TRS2、TRS5、TRS4、TRS13、第2交 接台 TRS7、TRS1 0、TRS9、TRS14。 再者，在載體區塊S1之轉交臂C之搬運區域之上方 側，設置先前已述之過濾單元（FFU)404，在介面區塊S3 之上方側，設置ULPA過濾器405之點，是與上述第1 1 圖所示之裝置相同。 在如此構成之光阻圖案形成裝置中，執行液浸曝光處 理’接著於該曝光處理後執行洗淨處理之時，例如與上述 第1實施形態相同，晶圓W是以載體區塊SI— BCT層B5 — COT層B4—ICT層B6之順序被搬運，接著以棚單元 U6之第2交接台TRS14—第2交接臂D2->第2交接台 1326805 TRS10—介面區塊S3之介面臂B—曝光裝置S4之路徑被 搬運，曝光後之晶圓W是以介面區塊S3之介面臂B—洗 淨單元403 -介面臂B—處理區塊S2之棚單元U6之交接 台TRS7—主臂A2— DEV層B1(B2)之保護膜除去單元402 —主臂A2— DEV層B1(B2)之路徑被搬運。 即使在該實施形態中，因在處理區塊S2疊層用以塗 佈保護膜之單位區塊（ITC層）B6，並且在介面區塊S3設置 φ 曝光處理後之洗淨單元403，並在DEV層Bl、B2設置保 護膜除去單元402，故在處理區塊S2和曝光裝置S4之間 之晶圓W通道，可以不用逆行晶圓W之搬運路徑，執行 _ 液浸曝光前之保護膜形成、曝光處理後之洗淨處理、該洗 淨處理後顯像處理前之保護膜之除去處理。因此可以一面 抑制晶圓W之搬運路徑之複雜化，一面以塗佈膜形成後 或曝光處理後之適當時序執行特定處理，即使在執行如此 處理之時，亦可以抑制搬運程式之複雜化。並且，藉由在 φ 介面區塊S3設置洗淨單元403，可以有效利用介面區S3 之空閒空間，亦可取得晶圓W從液浸曝光裝置S4至洗淨 單元403之搬送距離爲短之效果。 並且，於該實施形態中，即使在光阻膜上形成反射防 止膜，又在該上方形成保護膜亦可，於此時構成從例如處 理區塊S之下方側依照兩個DEV層B1、B2、BCT層B5 ' COT層B4、TCT層B3、ITC層B6之順序予以疊層。 並且，本發明即使爲將被設置在上述棚單元U5之第 1交接台，和被設置於棚單元U6之第2交接台之至少一 -49- 1326805 個，兼用用以執行晶圓W之溫度調整的調溫單元（C PL)之 構成亦可。該調溫單元（CP L) 500是載置形成塗佈膜之前之 晶圓W，爲調整成執行對該晶圓W塗佈用以塗佈膜形成 之藥液之處理之時的溫度，例如，如第20圖所示般，具 備有載置以加熱單元所加熱之晶圓W而粗調整至第1溫 度之第1調溫板510，和又精密將晶圓W溫度調整成執行 塗佈用以塗佈膜形成之藥液之處理時的溫度之第2調溫板 520，該是互相疊層被設置在共同處理容器501內。在此 ，作爲塗佈上述塗佈膜形成用之藥液之處理，舉出有對晶 圓W執行光阻液之塗佈處理之處理、在晶圓W形成反射 防止膜之處理、對晶圓W形成液浸曝光之時之撥水性保 護膜之時的處理。 該例是在處理容器501內部，在上方側設置有第1調 溫板510、在其下方側設置有第2調溫板520。在處理容 器501內，設置有將該容器501內區劃成上下方向之基座 板502。該基座板502是以由處理容器501之底壁503延 伸於垂直之第1支持部5 04所支撐。在該基座板5 02之上 方，由銅或鋁等之傳熱率良好之構件所構成，例如藉由圓 柱狀之載置部5 1 1，在支撐背面側之中心部的狀態下，設 置第1調溫板5 1 0。 於該例中，第1調溫板5 1 0是藉由例如鋁所構成，例 如形成具有15mm左右厚度之略圓形板狀，具有與晶圓W 大略相同大小之直徑。再者，在該表面，設置有用以在從 調溫板510浮起〇.imm〜〇.3mm左右之狀態支撐晶圓w之 -50- 1326805 突起512»再者，在該調溫板510之邊緣部之例如4處， 如第2 1圖所示般，朝向該調溫板5 1 0之中心部形成有缺 □部 5 1 3。 並且，在調溫板510上設置有第1加熱管514，該加 熱管514是被設置成埋入例如被形成在調溫板510之背面 側之無圖示之溝部，該加熱管514之一部分是被連接於載 置部511。在此，加熱管514是被設置成圍著調溫板510 φ 之背面側全體上。 再者，在基座板502上，以與載置部511下面接觸之 方式，埋設有第2加熱管515，該第2加熱管515是被埋 成沿著基座板502而朝向基座板502之一端側延伸，另一 端側是自基座板502延伸而彎曲至上方側，該另一端之一 部份是被連接於例如銅或鋁所構成之傳熱構件516之表面 〇 在此，當針對加熱管5 1 4、5 1 5予以說明時，該加熱 φ 管是執行利用吸收、放出蒸發、凝縮所產生之潛熱的熱傳 送的傳熱元件，例如，將多孔質貼設在例如由鋁或鋼、銅 等所構成之金屬製之管體之內壁而所構成。上述多孔質是 用以取得後述毛細管現象，例如藉由將金屬細線予以編織 作製的金網或金屬毯等所構成。該管體是兩端被塞住，內 部被排氣而設定成例如真空狀態，於其中，少量封入例如 藉由鈉或奈等所形成之發揮性液體（作用流體）。 如此之加熱管，當一端（蒸發部）被加熱時，作用流體 則蒸發（吸收由於蒸發潛熱所產生之熱），成爲蒸氣流以些 -51 - 1326805 許壓力差使管體內部高速移動製另一端側之凝縮部（低溫 部）’在此上述蒸氣流是接觸於管體壁面而被冷卻凝縮。 此時，因藉由凝縮熱放出熱，故熱被傳送至凝縮部。然後 ，凝縮液通過多孔質而藉由毛細管現象，回流於蒸發部， 再次重複蒸發—移動—凝縮之循環，因熱被連續性輸送， 故當冷卻另一端時，加熱管之表面全體則均勻被冷卻。並 且，在此稱爲加熱管不一定僅限於一般觀念之管路，即使 爲在具備有寬廣空洞部之扁平板內封入作用液者即可。 再者，上述第2調溫板520是由例如鋁所構成，例如 形成持有15mm左右之厚度的略圓形板狀，具有比晶圓W 大之直徑。再者，內部具備有用以流動被調成特定溫度之 調溫液的調溫液流路521»該第2調溫板520是由處理容 器501之底壁5 03藉由在第支撐部5 04內側垂直延伸之第 2支撐部505支撐背面側之邊緣區域附近，在其表面設置 有用以由調溫板520浮起0.1mm~0.3mm左右之狀態下支 撐晶圓W之突起5 22。 再者，上述調溫板520設置有在與外部搬運機構之間 執行晶圓W之交接，其前端部從冷卻板520之表面突出 自如被設置之支撐插銷506，在上述第1支撐部5 04之內 部設置有上述支撐插銷506之升降機構507。 圖中530是循環被溫度調整之調溫液的調溫液循環路 ，例如藉由鋁等之熱傳導性良好之構件所形成之流通管路 ，被設置成使處理容器501貫通於上下方向。再者’該調 溫液循環路5 3 0是被設置成貫通上述傳熱構件5 16之略中 -52- 1326805 心，並且在調溫液循環路530，於第2調溫板520之調溫 液流路521，連接有用以供給上述調溫液之調溫液供給路 530、用以第2調溫板520之調溫液流路521排出調溫液 之調溫液排出路5 32。圖中534爲被設置在處理容器501 之外部之調溫液之調溫機構。 如此一來，當使調溫液循環路53 0循環被調整成特定 溫度例如23 °C之調溫液之時，第1加熱管514因經由載置 部511、第2加熱管515、傳熱構件516而與調溫液循環 路530之外面熱性接觸，故調溫液循環路530之外面之熱 則以傳熱構件5 1 6—第2加熱管5 1 5 —載置部5 1 1 —第1加 熱管514之路徑被傳熱，如此一來，第1加熱管514是被 調整成調溫液循環路530之外面溫度。依此，第1調溫板 510之表面是略精密被溫度調整成23 °C。再者，調溫液因 循環被供給至第2調溫板520之調溫液流路，故藉此第2 調溫板520之表面溫度是經常被正確溫度調整成23 °C。 接著，當針對第1調溫板510、第2調溫板520交接 晶圓W之晶圓W之搬運機構5 3 0予以說明時，作爲該搬 運機構530是於在棚單元U5設置有調溫單元500之時， 使用例如被設置在載體區塊S1之轉交臂C，或被設置在 處理區塊S2之第1交接臂D1，被各置在各單位區塊之主 臂A，於在棚單元U6設置有調溫單元5 00之時，使用被 設置在處理區塊S2之第2交接臂D2、各單位區塊之主臂 A，或被設置在介面區塊S3之介面臂B，被設置在輔助區 塊S5之第3或第4交接臂E、FI、F2。 -53- 1326805 然後，該搬運機構530是具有如第21圖之水平馬蹄 形狀之搬運臂531，該搬運臂531之內周大小是被形成比 第1調溫板510之直徑稍微大，在該內周之下部’設置有 朝向內方之4個突片533，如圖所示般，在該些突片533 上被保持晶圓W。 搬運臂531是被構成藉由例如無圖示之驅動機構’經 由搬運基體532，升降自如並且進退自如，於將晶圓1交 接至第1調溫板510之時，保持晶圓W之搬運臂531 ’是 經由處理容器501之搬運□(無圖示）而進入至處理容器 501內。在此，調溫板510之外圍之缺口部513由於各被 設置在與搬運臂531之突片533對應之位置，故搬運臂 53 1下降成從上方側調溫板510覆蓋，依此搬運臂53 1通 過調溫板5 1 0之下方側，並且搬運臂5 3 1上之晶圓W被 交接至溫度板510。交接晶圓W之搬運臂531是前方缺口 部534通過載置部511之外側，後退至前側而自處理容器 501內退去。因此，載置部511之直徑是被設定比形成在 上述搬運臂531之缺口部534小。 再者，與第2調溫板520之間，藉由使支撐插銷506 突出於第2調溫板520之上方側，搬運臂531下降成自上 方側對支撐插銷5 06覆蓋，依此搬運臂531上之晶圓W 是被交接至支撐插銷5 06上。交接晶圓W之搬運臂531 是以前方缺口部534通過支撐插銷506之外側之方式，後 退至前側而自處理容器5〇1內退去，接著藉由支撐插銷 506下降’使得晶圓W自支撐插銷5 06被交接至第2調溫 1326805 板520。因此，以被形成於上述搬運臂531之缺口部534 可以通過支撐插銷5〇6外側之方式，設定支撐插銷506。 如此之調溫單元5 00雖然對上述任一光阻圖案形成裝 置也可以安裝，但是以安裝於例如第17圖〜第19圖所示 之時的例予以說明。於該例中，例如第22圖所示般，調 溫單元（CPL)是在棚單元U5之BCT層B5、COT層B4、 ITC層B6上各設置調溫單元CPL5、CPL4、CPL6，並於 φ 棚單元U6之BCT層B5' COT層B4、ITC層B6各設置調 溫單元CPL7、CPL8、CPL9，在棚單元U6之DEV層B2 ，設置有兩個調溫單元CPL1 ' CPL2，一方之調溫單元 CPL2是於將晶圓W從處理區塊S2交接至介面區塊S3之 時被使用，另一方之調溫單元CPL1是於將晶圓W從介面 區塊S3交接至處理區塊S2之時被使用。 並且，第22圖爲了便於圖示，交接台TRS雖然僅描 劃DEV層B2之棚單元U5，但是實際上即使在各單位區 φ 塊棚U5、U6共同設置調溫單元亦可，即使構成具備有僅 設置交接台TRS之單位區塊亦可。再者，適當選擇設置在 棚單元U之調溫單元或交接台之數量。 然後，當針對裝置之晶圓W之流程予以說明時，載 體區塊S1之晶圓W是藉由轉交臂C經由BCT層B5之調 溫單元（CPL5)被交接至BCT層B5，藉由以特定時間被載 置於該調溫單元（CPL5)之第2調溫板520上，晶圓W是 被溫度調整成（23 + 0.2)°C。然後，由主臂A5—第1反射防 止膜形成單元3 4—加熱單元（CHP 5)—棚單元U6之調溫單 -55- 1326805 元（CPL7)之第1調溫板510之順序被搬運。在此，加熱單 元（C HP 5 )中，晶圓W是如先前所述般，以加熱板5 3被加 熱後，因藉由冷卻板54被粗去熱成50 °C左右，藉由將晶 圓W載置於調溫單元（CPL)之第1調溫板510上12秒左 右，晶圓W是從5 0 °C被粗冷卻至（2 3 + 1) °C。 接著，調溫單元（CPL7)之晶圓W是藉由第2交接臂 D2，爲了交接至COT層B4而被搬運至調溫單元（CPL8)之 第2調溫板520，藉由在該調溫板5 20上例如以12秒間載 置，晶圓W是從（23 + 1 ) °C冷卻至（23 + 0.2) °C。然後’由 主臂A4依照疏水化處理單元（ADH)—冷卻單元（COL4) — 塗佈單元31—加熱單元（CHP4)—棚單元U5之調溫單元 (CPL4)之第1調溫板510之順序被搬運，在加熱單元 (CHP)之冷卻板54，被粗去熱成大約50 °C之晶圓W，是 藉由以12秒左右載置於該第1調溫板510上，晶圓W是 粗冷卻至（23 + 1) °C。 接著，調溫單元（CPL4)之晶圓W是藉由第1交接臂 D1，爲了交接至ITC層B6而被搬運至調溫單元（CPL6)之 第2調溫板520，藉由以12秒載置在該調溫板520之上， 晶圓W是由（23 + 1) °C冷卻至（23 + 0.2) °C。然後，由主臂 A6依照保護膜塗佈單元401—加熱單元（CHP6)—棚單元 U6之調溫單元（CPL9)之第1調溫板510之順序被搬運’ 在加熱單元（CHP6)之冷卻板54，被粗去熱成約50°C之晶 圓W，是藉由以12秒左右載置於該調溫單元（CPL9)之第 1調溫板5 1 0上，被粗冷卻至（2 3 + 1) °C。 1326805 接著，調溫單元（CPL9)之晶圓W是藉由第2交接臂 D2’被搬運至調溫單元（CPL7)或是調溫單元（CPL2)之第2 調溫板520，藉由以12秒載置在該調溫板520之上，晶圓 W是由（23 + 1) °C冷卻至（23+0.2) °C。接著，該調溫單元 (CPL7)或是調溫單元（CPL2)晶圓W是藉由介面臂B被取 出而被搬運至曝光裝置S4，在此執行特定之液浸曝光處 理。曝光處理後之晶圓W是以介面臂B—洗淨處理單元 φ 403—介面臂B—調溫單元（CPL1)之第2調溫板520被搬 運，在此冷卻至（23 + 0.2) t。 之後，DEV層B1(DEV層B2)是由主臂A2，以保護膜 除去單元 402 —加熱單元（PEB1(PEB2))—冷卻單元 (COLl(COL2)—顯像單元 32—加熱單元（POSTl(POST2))之 順序被搬運，執行特定顯像處理。如此一來，執行顯像處 理之晶圓W，是經由第1交接台TRS2，藉由轉交臂C， 返回至載體區塊S1之原本的載體20。 φ 如此一來，當在設置棚單元U5、棚單元U6兼用交接 台之調溫單元500時，則可以各單位區塊間或是在體區塊 S1和處理區塊S2之間，或處理區塊S2和介面區塊S3之 間，或處理區塊S 2和輔助區S 5之間的晶圓W之交接待 機時間，執行晶圓W之溫度調整，故可以短縮全部之處 理時間，可以謀求產量之提昇。 此時，於在各塗佈膜形成用之單位區塊B4、B5、B6 之間執行晶圓W之搬運時，首先將晶圓W交接至形成有 1個塗佈膜之單位區塊之調溫單元500之第1調溫板510 -57- 1326805 ，將晶圓W溫度粗調溫至（23 + 1 )°C後，搬運晶圓W至用 以形成下一個塗佈膜之單位區塊之調溫單元5〇〇之第2調 溫板520，在此因將晶圓W溫度精密調整至（23 + 0.2)°C， 故可以階段性執行溫度調整（冷卻）’可以短縮所有之調整 時間（冷卻時間）。 再者，上述調溫單元500是針對將晶圓 W調整至 (23 + 1) °C之第1調溫板510，使用加熱管514、515執行 調溫板510之溫度調整，針對將晶圓W調整至（23 + 0.2) °C之第2調溫板5 2 0，循環供給調溫液而執行調溫板5 2 〇 之溫度調整。因此，於第1調溫板510之溫度調整時，因 對調溫液循環路無調溫液之出入，故不會發生調溫液循環 路之調溫液之流量壓損，可以執行該調溫板5 1 0之溫度調 整，依此第2調溫板520因循環供給該板520內之調溫液 之流量無變化，故可以精度佳執行該板520之溫度調整。 再者，上述調溫單元500之第1調溫板510、第2調 溫板520因發揮與上述第1圖之例所示之冷卻單元（COL) 之冷卻板相同功能，故即使在各單位區塊不設置冷卻單元 ，取代該冷卻單元以調溫單元500之第1調溫板510或是 第2調溫板520冷卻晶圓W亦可。 如此藉由減少設置於各單位區塊之冷卻單元之數量， 或是不設置冷卻單元，單位區塊可以在至今設置有冷卻單 元之空間，安裝其他單元。在此，爲了提昇產量’雖然需 要在各單位區塊設置4列加熱單元（CHP)，但是因可以對 應如此之要請，故可以更提昇總產量。 -58- 1326805 又，該調溫單元5 00即使疊層兩片第1調溫板510亦 可。在此第1調溫板510因構成外部搬運機構530將晶圓 W自該調溫板5 1 0之上方側通過下方側交接至調溫板5 1 0 ，因比起使支撐插銷升降執行晶圓W之交接之時不需要 升降機構，故可以縮小設置調溫板510之區域上下方向之 面積，即使上下方向之空間沒有某程度大，亦可以容易對 應於疊層構造。 φ 另外，針對2調溫板520，由於使支撐插銷506予以 升降而執行晶圓W之交接，故可以將調溫板520形成比 晶圓W大，即使在晶圓W之周邊區域亦可以充分執行溫 度調整。依此，配合該調溫板520之溫度精度佳地被溫度 調整，可以提高晶圓W溫度之面內均勻性，故在之後的 ' 形成塗佈膜之工程中，可以形面內均勻性高之塗佈膜。 並且，針對第1調溫板510，雖然爲與晶圓W相同大 小，但是在此確認出藉由1 2秒間載置加熱處理後被溫度 φ 調整成50°C之晶圓W，則可以將晶圓W溫度在面內充分 溫度調整成（23 + l)°C。 以上，本發明中執行液浸曝光之時所使用之保護膜塗 佈單元401，除設置在輔助區塊S5或專用之單位區塊 (ITC)B6之外，其他即使安裝在其他塗佈膜形成用之單位 區塊5中之任一者亦可。再者，即使針對執行液浸曝 光時所使用之保護膜除去單元402，除設置在輔助區塊S5 或DEV層Bl、B2之外，即使安裝在其他塗佈膜形成用之 單位區塊B3〜B 5亦可。並且，針對執行液浸曝光時所使用 -59- 1326805 之洗淨單元4 03，除設置於介面區塊S3或輔助區塊S5之 外，即使安裝於構成處理區塊S2之單位區塊B1~B 6中之 任一者亦可。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示本發明所涉及之塗佈、顯像裝置之實施 形態的平面圖。 第2圖是表示上述塗佈、顯像裝置之斜視圖。 第3圖是表示上述塗佈、顯像裝置之側部剖面圖。 第4圖是表示上述塗佈、顯像裝置中之塗佈單元和棚 單元和搬運手段。 第5圖是上述塗佈、顯像裝置中由搬運區域側觀看棚 單元之正面圖。 第ό圖是表示上述塗佈' 顯像裝置中之介面區塊的側 部剖面圖。 第7圖是表示上述塗佈、顯像裝置中之各單位區塊之 側部剖面圖。 第8圖是表示上述塗佈、顯像裝置中之介面臂之一例 的斜視圖。 第9圖是表示上述塗佈' 顯像裝置中之塗佈單元之平 面圖和縱斷剖面圖。 第10圖是表示上述塗佈、顯像裝置之其他實施形態 之一例的平面圖。 第11圖是表示上述塗佈、顯像裝置之又一實施形態 -60- 1326805 之一例的平面圖。 第12圖是表示上述塗佈、顯像裝置之側部剖面圖。 第13圖是上述塗佈、顯像裝置中由介面區塊側觀看 上述輔助區塊之剖面圖。 第14圖是表示上述塗佈、顯像裝置中之保護膜除去 單元之一例的縱斷剖面圖和平面圖。 第15圖是表示上述塗佈、顯像装置中之洗淨單元所 φ 執行之洗淨方法之一例的工程圖。 第16圖是表示上述塗佈、顯像裝置中之洗淨單元所 執行之洗淨方法之一例的工程圖。 第1 7圖是表示上述塗佈、顯像裝置之又一實施形態 之一例之平面圖。 第1 8圖是表示上述塗佈、顯像裝置之側部剖面圖。 第19圖是表示上述塗佈、顯像裝置中由介面區塊側 觀看處理區塊之剖面圖。 φ 第20圖是表示上述塗佈、顯像裝置中之調溫單元之 一例的縱斷剖面圖。 第21圖是表示上述塗佈、顯像裝置中之調溫單元之 一例的平面圖和斜視圖。 第22圖是表示在上述塗佈、顯像裝置設置上述調溫 單元之時的佈局之一例的側部剖面圖。 第23圖是表示以往之塗佈 '顯像裝置之平面圖。 【主要元件符號說明】 ~ 61 - 1326805 w :半導體晶圓 20 :載體 51 :載體區塊 52 :處理區塊 5 3 :介面區塊 54 :曝光裝置
55 :輔助區塊 A1~A5 :主臂 B :介面臂 C :轉交臂 D1 :第1交接臂 D2 :第2交接臂 E :第3交接臂 FI、F2 :第4交接臂 3 1 :塗佈單元
3 2 :塗佈單元 3 3 :第1反射防止膜形成單元 3 4 :第2反射防止膜形成單元 6 :控制部 7 1 :檢查單元 72 :洗淨單元 401 :保護膜塗佈單元 402 :保護膜膜除去單元 403 :洗淨單元 -62- 1326805 5 Ο 0 :調溫單元 5 1 0 :第1調溫板 5 2 0 :第2調溫板