KR20240007064A

KR20240007064A - 감압 건조 장치

Info

Publication number: KR20240007064A
Application number: KR1020230072185A
Authority: KR
Inventors: 쇼야 기타무라
Original assignee: 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date: 2022-07-07
Filing date: 2023-06-05
Publication date: 2024-01-16
Also published as: CN117358548A; JP7536832B2; TW202413869A; JP2024008110A

Abstract

(과제) 도포막에 대한 건조 불균일의 발생을 억제하는 기술을 제공한다.
(해결 수단) 감압 건조 장치(1)는 챔버(10)와 복수의 지지 핀(22)과 배기부(30)를 구비한다. 챔버(10)는 기판(9)을 수용한다. 복수의 지지 핀(22)은 챔버(10) 내에 있어서 기판(9)을 하방으로부터 지지한다. 배기부(30)는 챔버(10) 내의 기체를 배출한다. 복수의 지지 핀(22)은, 1개 이상의 제1 지지 핀(22a)과, 제1 지지 핀(22a)보다 가는 1개 이상의 제2 지지 핀(22b)을 포함한다. 제1 지지 핀(22a) 중 적어도 하나는, 기판(9) 중 주연 영역을 하방으로부터 지지한다. 제2 지지 핀(22b) 중 적어도 하나는, 기판(9)의 주연 영역보다 내측의 내측 영역 중, 도포막이 형성된 영역을 하방으로부터 지지한다.

Description

감압 건조 장치{REDUCED PRESSURE DRYING APPARATUS}

본 개시는, 감압 건조 장치에 관한 것이다.

예를 들면, 각종 기판에 도포된 포토레지스트 등의 도포막을 감압 건조하는 감압 건조 장치가 알려져 있다. 각종 기판에는, 예를 들면, 각종 디바이스를 형성하기 위한 유리 기판, 세라믹 기판, 반도체 웨이퍼, 전자 디바이스 기판 또는 인쇄용 인쇄판 등의 여러 가지 기판이 적용된다. 각종 디바이스에는, 예를 들면, 반도체 장치, 표시 패널, 태양 전지 패널, 자기 디스크, 또는 광 디스크 등이 적용된다. 표시 패널에는, 예를 들면, 액정 표시 패널, 유기 일렉트로 루미네선스(EL) 표시 패널, 플라스마 표시 패널, 또는 전계 방출 디스플레이 등이 적용된다.

감압 건조 장치를 이용하여 도포막을 건조할 때에는, 예를 들면, 챔버 내에 있어서 복수의 핀이 기판을 지지하고 있는 상태에서, 챔버의 저부의 배기구를 통해 진공 펌프로 챔버 내로부터 배기를 행한다. 그리고, 예를 들면, 진공도가 소정값에 도달하면 챔버 내로부터의 배기를 정지하고, 챔버 내에 가스를 공급함으로써 챔버 내를 대기압으로 되돌린다. 가스에는, 예를 들면, 질소 가스 등의 불활성 가스 또는 공기 등이 적용된다.

그런데, 감압 건조 장치에서는, 예를 들면, 기판의 상면에 형성된 도포막에 있어서, 장소에 따라 건조 속도가 다르면, 그 건조 속도의 차이에 따른 건조의 불균일(건조 불균일이라고도 한다)이 발생할 수 있다. 건조 불균일은, 예를 들면, 건조 후의 도포막에 있어서의 두께의 편차 등을 일으키게 한다.

예를 들면, 기판에 있어서, 복수의 핀의 접촉에 의해, 복수의 핀에 의해 지지되어 있는 부분과 그 주변의 부분 사이에 온도차가 발생할 수 있다. 이로 인해, 예를 들면, 복수의 핀에 기인하는 온도차에 따라, 도포막의 건조 속도에 차이가 발생할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 도포막에 있어서 복수의 핀의 배치에 따른 건조 불균일이 발행할 수 있다. 여기에서는, 예를 들면, 도포막의 감압 건조 시에는, 도포막으로부터 용매 등이 기화할 때에 발생하는 기화열에 의해 기판의 온도가 저하되지만, 복수의 핀의 열용량이 큰 경우에도, 복수의 핀이 열용량이 큰 챔버 등에 연결되어 있는 경우에도, 복수의 핀의 온도가 변화되기 어렵다. 이 때문에, 예를 들면, 기판에 있어서 복수의 핀의 배치에 따른 온도차가 발생할 수 있다.

특허문헌 1에는, 기판을 지지하는 복수의 핀을, 내부 공간 내의 유체가 배출됨으로써 냉각되는 중공 핀, 혹은 내부 공간 내에 냉각수 등의 액체가 공급됨으로써 냉각되는 중공 핀으로 하는 것이 기재되어 있다.

일본국 특허 제6579773호 공보

그러나, 특허문헌 1에 따른 감압 건조 장치에서는, 장치 구성이 복잡해져 장치 가격이 비싸지는 것으로 이어진다. 또, 예를 들면, 중공 핀에 냉각수를 공급하는 구성에서는, 냉각수의 누수에 의해, 챔버 내의 진공 상태에 악영향을 미치는 경우도 생각할 수 있다.

본 개시는, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 도포막에 대한 건조 불균일의 발생을 억제하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.

제1 양태는, 기판의 상면에 형성된 도포막을 건조시키는 감압 건조 장치로서, 상기 기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버 내에 있어서 상기 기판을 하방으로부터 지지하는 복수의 지지 핀과, 상기 챔버 내의 기체를 배출하는 배기부를 구비하고, 상기 복수의 지지 핀은, 1개 이상의 제1 지지 핀과, 상기 제1 지지 핀보다 가는 1개 이상의 제2 지지 핀을 포함하고, 상기 제1 지지 핀 중 적어도 하나는, 상기 기판 중 주연 영역을 하방으로부터 지지하며, 상기 제2 지지 핀 중 적어도 하나는, 상기 기판의 상기 주연 영역보다 내측의 내측 영역 중, 상기 도포막이 형성된 영역을 하방으로부터 지지한다.

제2 양태는, 제1 양태에 따른 감압 건조 장치로서, 상기 기판의 상기 내측 영역은 상기 제2 지지 핀에 의해서만 지지된다.

제3 양태는, 제1 양태에 따른 감압 건조 장치로서, 상기 제1 지지 핀 중 적어도 다른 하나는, 상기 기판의 상기 내측 영역 중 상기 도포막이 형성된 상기 영역 이외의 영역을 지지한다.

제4 양태는, 제1 내지 제3 중 어느 하나의 양태에 따른 감압 건조 장치로서, 상기 제1 지지 핀과 상기 기판의 접촉 면적은, 상기 제2 지지 핀과 상기 기판의 접촉 면적보다 넓다.

제5 양태는, 제1 내지 제4 중 어느 하나의 양태에 따른 감압 건조 장치로서, 상기 제1 지지 핀의 피치는, 상기 제2 지지 핀의 피치보다 넓다.

제6 양태는, 제1 내지 제5 중 어느 하나의 양태에 따른 감압 건조 장치로서, 상기 제2 지지 핀의 열전도율은 0.12W/m·K 이하이다.

제7 양태는, 제1 내지 제6 중 어느 하나의 양태에 따른 감압 건조 장치로서, 상기 제2 지지 핀은 다공질 수지에 의해 형성되어 있다.

제1 양태에 의하면, 제2 지지 핀 중 적어도 하나는, 기판의 내측 영역 중, 도포막이 형성된 영역(이하, 제1 영역이라고 부른다)을 하방으로부터 지지한다. 제2 지지 핀은 가늘기 때문에, 챔버의 감압 하에서 제2 지지 핀 주위에서 발생하는 상승 기류의 발생량은 작다. 이 때문에, 당해 상승 기류에 의해 기체가 제2 지지 핀을 따라 상승하여 기판의 제1 영역의 하면에 국소적으로 공급되어도, 제1 영역에 있어서의 온도 분포의 편차를 초래하기 어렵다. 그 때문에, 제1 영역 상의 도포막에 대한 건조 불균일을 억제할 수 있다.

제2 양태에 의하면, 내측 영역에 있어서, 도포막이 형성되는 영역의 개수, 형상 및 위치가 변경되었다고 해도, 당해 영역을 제2 지지 핀에 의해 지지할 수 있다.

제3 양태에 의하면, 기판을 보다 강고하게 지지할 수 있다.

제4 양태에 의하면, 제1 지지 핀에 대한 기판의 수평 방향의 어긋남량을 억제할 수 있다. 한편, 제2 지지 핀과 기판 사이의 열의 이동량을 저감시킬 수 있어, 도포막에 대한 건조 불균일을 더욱 억제할 수 있다.

제5 양태에 의하면, 제1 지지 핀의 개수를 저감시킬 수 있다. 이 때문에, 감압 건조 장치의 제조 비용을 저감시킬 수 있다. 또, 지지 핀의 교환 작업의 수고를 저감시킬 수 있다.

제6 및 제7 양태에 의하면, 제2 지지 핀과 기판 사이의 열의 이동량을 저감시킬 수 있어, 도포막에 대한 건조 불균일을 더욱 억제할 수 있다.

도 1은, 일 실시 형태에 따른 감압 건조 장치의 종단면의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2는, 일 실시 형태에 따른 감압 건조 장치의 횡단면의 일례를 나타내는 도면이다.
도 3은, 일 실시 형태에 따른 감압 건조 장치의 종단면의 일례를 나타내는 도면이다.
도 4는, 기판의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 5는, 기판의 일부분의 종단면의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6은, 제1 지지 핀의 외관의 일례를 나타내는 정면도이다.
도 7은, 제2 지지 핀의 외관의 일례를 나타내는 정면도이다.
도 8은, 기판의 도포 영역과 제1 지지 핀 및 제2 지지 핀의 관계의 제1 예를 나타내는 도면이다.
도 9는, 감압 하에서의 챔버 내의 기류의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 10은, 제어부에 있어서 실현되는 기능을 개념적으로 나타낸 블록도이다.
도 11은, 일 실시 형태에 따른 감압 건조 처리의 흐름의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 12는, 기판의 도포 영역과 제1 지지 핀 및 제2 지지 핀의 관계의 제2 예를 나타내는 도면이다.
도 13은, 기판의 도포 영역과 제1 지지 핀 및 제2 지지 핀의 관계의 제3 예를 나타내는 도면이다.

이하, 본 개시의 일 실시 형태 및 각종 변형예에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다. 도면에 있어서는 동일한 구성 및 기능을 갖는 부분에 대해서는 같은 부호가 달려 있으며, 하기 설명에서는 중복 설명이 생략된다. 도면은 모식적으로 도시된 것이며, 각 도면에 있어서의 각종 구조의 사이즈 및 위치 관계 등은 정확하게 도시된 것은 아니다. 또, 본 명세서에 있어서, 하방향은, 중력 방향이며, 상방향은, 중력 방향과는 반대의 방향이다.

<1. 감압 건조 장치의 구성>

도 1은, 일 실시 형태에 따른 감압 건조 장치(1)의 종단면의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 2는, 일 실시 형태에 따른 감압 건조 장치(1)의 횡단면의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 3은, 일 실시 형태에 따른 감압 건조 장치(1)의 종단면의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 1의 종단면과 도 3의 종단면은, 약 90도 상이한 방향에서 각각 보았을 때의 감압 건조 장치(1)의 구성을 나타내고 있다. 도 3에서는, 도면의 번잡화를 피하기 위해, 후술하는 배기부(30), 급기부(60), 압력계(70) 및 제어부(80)에 관한 구성이 편의적으로 생략되어 있다. 감압 건조 장치(1)는, 기판(9)의 상면에 형성된 도포막(90)(도 5 참조)을 건조시키는 장치이다.

기판(9)에는, 예를 들면, 유리 기판, 반도체 웨이퍼, 또는 세라믹 기판 등이 적용된다. 기판(9)은, 예를 들면, 제1 주면으로서의 제1 면(F1)(도 4 및 도 5 참조)과, 이 제1 면(F1)과는 반대의 제2 주면으로서의 제2 면(F2)(도 5 참조)을 갖는 평판형 기판이다. 예를 들면, 감압 건조 장치(1)에서는, 기판(9)의 제1 면(F1)이 기판(9)의 상면이 되고, 기판(9)의 제2 면(F2)이 기판(9)의 하면이 된다. 여기에서는, 기판(9)에 직사각형의 유리 기판이 적용된 구체예를 적절히 들어 설명한다. 기판(9)의 제1 면(F1)에는, 예를 들면, 미리 유기 재료 및 용매를 포함하는 처리액이 도포됨으로써, 도포막(90)이 부분적으로 형성되어 있다. 처리액의 도포는, 예를 들면, 슬릿 코터 또는 잉크젯 장치 등으로 행해진다. 처리액에는, 예를 들면, 폴리이미드 전구체와 용매를 포함하는 액(PI액이라고도 한다) 또는 레지스트액 등의 도포액이 적용된다. 폴리이미드 전구체에는, 예를 들면, 폴리아미드산(폴리아믹산) 등이 적용된다. 용매에는, 예를 들면, NMP(N-메틸-2-피롤리돈：N-Methyl-2-Pyrrolidone)가 적용된다. 또, 예를 들면, 감압 건조 장치(1)가 유기 EL 디스플레이의 제조 공정에 적용되는 경우에는, 도포막(90)이, 감압 건조 장치(1)에서 건조됨으로써 유기 EL 디스플레이 패널의 정공 주입층, 정공 수송층, 또는 발광층이 되는 양태가 채용되어도 된다.

도 4는, 기판(9)의 일례를 나타내는 사시도이다. 도 5는, 기판(9)의 일부분의 종단면의 일례를 나타내는 도면이다. 도 4에서 나타나는 바와 같이, 기판(9)은, 예를 들면, 상면에서 보았을 때, 종횡의 길이가 상이한 장방형의 형태를 갖는다. 기판(9)에는, 디바이스 등이 형성되는 영역(피형성 영역이라고도 도포 영역이라고도 한다) A1이, 복수 배열되어 있다. 도 4의 예에서는, 상면에서 보았을 때, 기판(9)에는, 4개의 직사각형의 도포 영역 A1이, 2행 2열의 매트릭스 형상으로 배열되어 있다. 단, 도포 영역 A1의 형상, 수, 배치는, 이 예로 한정되는 것은 아니다. 도포막(90)은, 감압 건조 장치(1)에 의한 감압 건조 공정보다 앞의 도포 공정에 있어서, 슬릿 코터 또는 잉크젯 장치 등에 의해, 각 도포 영역 A1의 상면에, 원하는 패턴에 따라 형성된다. 원하는 패턴에는, 예를 들면, 회로의 패턴이 적용된다. 여기에서는, 예를 들면, 도 5에서 나타나는 바와 같이, 각 도포 영역 A1의 상면으로서의 제1 면(F1)은, 도포막(90)에 덮인 영역(피복 영역이라고도 한다) A3과, 도포막(90)에 덮이지 않은 노출된 영역(노출 영역이라고도 한다) A4를 갖는다. 또, 기판(9) 중 도포 영역 A1의 주위 및 이웃하는 도포 영역 A1 사이의 영역은, 상면으로서의 제1 면(F1)에 도포막(90)이 형성되지 않은 영역(비도포 영역이라고도 한다) A2로 되어 있다. 비도포 영역 A2는, 도포막(90)에 덮이지 않은 노출된 영역(노출 영역) A4이기도 하다.

도 4의 예에서는, 기판(9) 중 주연 영역 B1 및 내측 영역 B2도 나타나 있다. 기판(9)의 주연 영역 B1은, 기판(9)의 외주부(즉 측면)(9op)로부터 소정폭만큼 내측의 틀형상의 영역이다. 소정폭은 예를 들면 100mm 정도 이하이다. 여기에서는, 기판(9)의 주연 영역 B1은 비도포 영역 A2의 일부에 해당한다. 즉, 기판(9)의 주연 영역 B1의 상면에는, 디바이스가 형성되지 않고, 여기에서는 도포막(90)도 형성되어 있지 않다. 기판(9)의 내측 영역 B2는, 기판(9) 중 주연 영역 B1보다 내측의 영역이다. 기판(9)의 주연 영역 B1과 내측 영역 B2의 경계 B3은 예를 들면 직사각형의 형상을 갖고 있다. 여기에서는, 기판(9)의 내측 영역 B2는, 복수의 도포 영역 A1과, 복수의 도포 영역 A1 사이의 영역(도 4에서는, 십자형의 비도포 영역 A2)을 포함하고 있다. 내측 영역 B2는 예를 들면 상면에서 보았을 때 장방형을 갖는다.

<<감압 건조 장치의 구성의 개요>>

우선 감압 건조 장치(1)의 구성에 대해서 개략적으로 설명한다. 도 1 및 도 2에서 나타나는 바와 같이, 감압 건조 장치(1)는, 예를 들면, 챔버(10)와, 지지부(20)와, 배기부(30)를 구비하고 있다. 챔버(10)는, 기판(9)을 수용하기 위한 부분이다. 지지부(20)는 챔버(10) 내에 설치되어 있으며, 기판(9)을 수평 자세로 지지한다. 여기서 말하는 수평 자세란, 기판(9)의 두께 방향이 상하 방향을 따르는 자세이다. 배기부(30)는 챔버(10) 내의 기체를 외부에 배출하여, 챔버(10) 내의 기압을 저하시킨다. 이 기압의 저하에 의해, 도포막(90)의 용제가 증발하여 도포막(90)이 건조된다.

또, 도 1 및 도 2의 예에서는, 감압 건조 장치(1)는, 승강부(100)와, 급기부(60)와, 제어부(80)와, 저면 정류판(整流板)(40)과, 측면 정류판(50)과, 압력계(70)를 구비하고 있다. 승강부(100)는 지지부(20)를 승강시킨다. 이로 인해, 지지부(20)에 의해 지지된 기판(9)도 챔버(10) 내에 있어서 승강한다. 급기부(60)는 챔버(10) 내에 기체를 공급한다. 이로 인해, 챔버(10) 내의 기압을 대기압으로 되돌릴 수 있다. 저면 정류판(40) 및 측면 정류판(50)은 챔버(10) 내에 설치되어 있으며, 챔버(10) 내의 기류를 정류한다. 압력계(70)는 챔버(10) 내의 기압을 계측하고, 그 계측 결과를 나타내는 전기 신호를 제어부(80)에 출력한다. 제어부(80)는 상술한 감압 건조 장치(1)의 각종 구성을 제어한다. 예를 들면, 제어부(80)는, 압력계(70)에 의해 계측된 기압에 의거하여 배기부(30)를 제어하고, 챔버(10) 내의 기압을 목표 기압으로 조정한다.

다음에, 감압 건조 장치(1)의 각 구성의 상세한 일례에 대해서 서술한다.

<<챔버(10)>>

챔버(10)는, 기판(9)을 수용하기 위한 부분이다. 챔버(10)에는, 기판(9)을 수용하기 위한 내부 공간(10s)을 갖는 내압 용기가 적용된다. 챔버(10)는, 예를 들면, 도시를 생략한 장치 프레임 상에 고정되어 있다. 챔버(10)의 형상은, 예를 들면, 편평한 직방체 형상이다. 챔버(10)는, 예를 들면, 대략 정방형의 저판부(11)와, 4개의 측벽부(12)와, 대략 정방형의 천판부(13)를 갖는다. 4개의 측벽부(12)는, 예를 들면, 저판부(11)의 4개의 단변(端邊)과, 천판부(13)의 4개의 단변을, 상하 방향으로 접속하고 있다. 예를 들면, 4개의 측벽부(12) 중 하나의 측벽부(12)에는, 반입출구(14)와, 이 반입출구(14)를 개폐하는 게이트부(게이트 밸브라고도 한다)(15)가 설치되어 있다. 게이트부(15)는, 예를 들면, 개폐 구동부(16)에 연결 혹은 접속되어 있다. 도 3에서는, 도면의 번잡화를 피하기 위해, 개폐 구동부(16)가 개념적으로 나타나 있다. 개폐 구동부(16)에는, 예를 들면, 에어 실린더 등의 구동 기구가 적용된다. 여기에서는, 예를 들면, 개폐 구동부(16)의 동작에 의해, 게이트부(15)는, 반입출구(14)를 폐쇄하고 있는 위치(폐쇄 위치라고도 한다)와, 반입출구(14)를 개방하고 있는 위치(개방 위치라고도 한다) 사이에서 이동할 수 있다.

여기서, 예를 들면, 게이트부(15)가 폐쇄 위치에 위치하는 상태에서는, 챔버(10)의 내부 공간(10s)이 밀폐된다. 예를 들면, 게이트부(15)가 개방 위치에 위치하는 상태에서는, 반입출구(14)를 통해, 챔버(10)의 내부 공간(10s)으로의 기판(9)의 반입 및 챔버(10)의 내부 공간(10s)으로부터의 기판(9)의 반출을 행할 수 있다.

<<지지부(20)>>

지지부(20)는, 챔버(10) 내에 있어서 기판(9)을 하방으로부터 지지하는 부분이다. 예를 들면, 지지부(20)는, 챔버(10)의 내부 공간(10s)에 위치하고 있으며, 챔버(10)의 내부 공간(10s)에 수용된 기판(9)을 하방으로부터 지지할 수 있다. 지지부(20)는, 예를 들면, 복수의 지지 플레이트(21)와, 복수의 지지 핀(22)을 갖는다. 복수의 지지 플레이트(21)는, 예를 들면, 수평 방향으로 간격을 두고 배열되어 있다. 각 지지 플레이트(21)의 상면에는, 복수의 지지 핀(22)이 세워져 설치되어 있다. 복수의 지지 플레이트(21)는, 지지부(20)의 베이스가 되는 부분이다. 기판(9)은, 예를 들면, 복수의 지지 플레이트(21)의 상방에 배치되며, 복수의 지지 핀(22)의 상단부가 기판(9)의 하면으로서의 제2 면(F2)에 접촉함으로써, 기판(9)이 수평 자세로 지지된다.

복수의 지지 핀(22)은, 예를 들면, 1개 이상의 제1 지지 핀(22a) 및 1개 이상의 제2 지지 핀(22b)을 포함한다. 환언하면, 지지부(20)는, 기판(9)을 하방으로부터 각각 지지하는 제1 지지 핀(22a) 및 제2 지지 핀(22b)을 포함한다. 도 3에서 나타나는 바와 같이, 제1 지지 핀(22a) 및 제2 지지 핀(22b)은 상하 방향으로 긴 막대형의 형상을 갖고 있으며, 제1 지지 핀(22a)은 제2 지지 핀(22b)보다 굵다.

도 6은, 제1 지지 핀(22a)의 외관의 일례를 나타내는 정면도이며, 도 7은, 제2 지지 핀(22b)의 외관의 일례를 나타내는 정면도이다.

도 6의 예에서는, 제1 지지 핀(22a)은 제1 대좌부(臺座部)(26a)의 상면에 세워져 설치되어 있다. 즉, 제1 지지 핀(22a)은 제1 대좌부(26a)의 상면으로부터 상방을 향해 연장되어 있다. 제1 대좌부(26a)는 제1 지지 핀(22a)보다 폭넓게 형성된다. 도 6의 예에서는, 제1 대좌부(26a)의 하면에는 제1 수나사부(27a)가 설치되어 있다. 제1 수나사부(27a)는, 제1 대좌부(26a)의 하면으로부터 하방으로 연장된 기둥형의 형상을 갖고, 그 측면에 나사산이 형성되어 있다. 제1 지지 핀(22a)은, 제1 수나사부(27a)에 의한 나사 작용에 의해, 지지 플레이트(21)의 상면에 장착된다. 즉, 제1 수나사부(27a)가 지지 플레이트(21)의 상면에 형성된 암나사부(미도시)에 대해 나사 작용으로 결합함으로써, 제1 지지 핀(22a)이 지지 플레이트(21)의 상면에 장착된다.

제1 지지 핀(22a), 제1 대좌부(26a) 및 제1 수나사부(27a)로 이루어지는 핀 구조체는 동일 재료에 의해 일체로 형성되어도 되고, 혹은, 복수의 부재가 조합되어 형성되어도 된다. 또한, 핀 구조체 전체를 제1 지지 핀(22a)으로 파악하면, 제1 대좌부(26a)의 상면보다 상방의 부분을 제1 핀 본체부로 파악할 수 있다.

도 6의 예에서는, 제1 지지 핀(22a)은, 제1 맞닿음부(23a)와, 제1 기둥형상부(25a)를 포함하고 있다. 제1 기둥형상부(25a)는, 상하 방향으로 연장되는 기둥형 형상을 갖고 있으며, 제1 대좌부(26a)의 상면에 세워져 설치되어 있다. 즉, 제1 기둥형상부(25a)는 제1 대좌부(26a)의 상면으로부터 상방으로 연장되어 있다. 제1 기둥형상부(25a)는 예를 들면 원기둥형 형상을 갖는다. 이 경우, 상하 방향에 직교한 수평 단면에 있어서의 제1 기둥형상부(25a)의 형상은 원형이다. 예를 들면 제1 기둥형상부(25a)는 등폭으로 상하 방향을 따라 연장된다. 제1 기둥형상부(25a)의 폭(여기에서는 직경)은, 예를 들면, 1mm 이상으로 설정되며, 구체적인 일례로서 3mm 정도로 설정된다.

제1 맞닿음부(23a)는 제1 기둥형상부(25a)의 상단면에 설치되어 있다. 제1 맞닿음부(23a)는 예를 들면 뿔체형 형상을 갖고 있다. 구체적인 일례로서, 제1 맞닿음부(23a)는 원뿔형 형상을 갖고 있어도 된다. 혹은, 제1 맞닿음부(23a)는 반구형 혹은 반타원형 형상을 가져도 된다. 이 경우, 제1 맞닿음부(23a)의 수평 단면의 형상도 원형이다. 이러한 제1 맞닿음부(23a)의 폭(여기에서는 직경)도 상방을 향함에 따라 작아진다. 제1 맞닿음부(23a)의 하단의 폭(여기에서는 직경)은 예를 들면 제1 기둥형상부(25a)의 폭(여기에서는 직경)과 동일하고, 예를 들면 1mm 이상으로 설정되며, 보다 구체적인 일례로서 3mm 정도로 설정된다. 제1 맞닿음부(23a)의 상단(즉, 꼭짓점)은 기판(9)의 제2 면(F2)에 맞닿는다.

이상과 같이, 도 6의 예에서는, 제1 지지 핀(22a)은, 그 폭(여기에서는 직경)이 상방을 향함에 따라 단조(單調) 비증가로 감소한 막대형 형상을 갖고 있다. 도 6의 예에서는, 제1 지지 핀(22a)의 폭은, 제1 기둥형상부(25a)에 있어서 상하 방향에 상관없이 일정하며, 제1 맞닿음부(23a)에 있어서 상방을 향함에 따라 단조로 감소하고 있다.

제1 지지 핀(22a)의 재료에는, 예를 들면, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 혹은 폴리이미드(PI) 등의 수지 재료가 적용된다. 예를 들면, 수지 재료의 마찰력이 적절히 조정됨으로써, 제1 지지 핀(22a)은, 제1 지지 핀(22a)의 상단과 기판(9)의 제2 면(F2) 사이의 마찰력에 의해, 기판(9)이 수평 방향에 어긋나지 않게 하방으로부터 기판(9)을 지지할 수 있다. 제1 지지 핀(22a)은 예를 들면 속이 찬 재료이다.

다음에, 제1 맞닿음부(23a) 및 제1 기둥형상부(25a)의 상하 방향의 길이의 일례에 대해서 설명한다. 도 6의 예에서는, 제1 맞닿음부(23a)의 길이는, 제1 기둥형상부(25a)의 길이에 비해 매우 짧다. 즉, 제1 기둥형상부(25a)가 가장 길다. 바꾸어 말하면, 제1 지지 핀(22a)의 상하 방향 전체에 대해 제1 기둥형상부(25a)가 차지하는 비율이 가장 크다. 이 때문에, 제1 지지 핀(22a)의 굵기는 제1 기둥형상부(25a)의 굵기에 의해 대표될 수 있다. 즉, 주로, 제1 기둥형상부(25a)의 폭(여기에서는 직경)이 제1 지지 핀(22a)의 굵기를 나타내고 있다.

도 7의 예에서는, 제2 지지 핀(22b)은 제2 대좌부(26b)의 상면에 세워져 설치되어 있다. 즉, 제2 지지 핀(22b)은 제2 대좌부(26b)의 상면으로부터 상방을 향해 연장되어 있다. 제2 대좌부(26b)는 제2 지지 핀(22b)보다 폭넓게 형성된다. 도 7의 예에서는, 제2 대좌부(26b)의 하면에는 제2 수나사부(27b)가 설치되어 있다. 제2 수나사부(27b)는, 제2 대좌부(26b)의 하면으로부터 하방으로 연장된 기둥형 형상을 갖고, 그 측면에 나사산이 형성되어 있다. 제2 지지 핀(22b)은 제2 수나사부(27b)의 나사 작용에 의해 지지 플레이트(21)에 장착된다. 제2 지지 핀(22b), 제2 대좌부(26b) 및 제2 수나사부(27b)로 이루어지는 핀 구조체는 동일 재료에 의해 일체로 형성되어도 되고, 혹은, 복수의 부재가 조합되어 형성되어도 된다. 또한, 핀 구조체 전체를 제2 지지 핀(22b)으로 파악하면, 제2 대좌부(26b)의 상면보다 상방의 부분을 제2 핀 본체부로 파악할 수 있다.

도 7의 예에서는, 제2 지지 핀(22b)은, 제2 맞닿음부(23b)와, 제2 기둥형상부(25b)를 포함하고 있다. 제2 기둥형상부(25b)는, 상하 방향으로 연장되는 기둥형 형상을 갖고 있으며, 제2 대좌부(26b)의 상면에 세워져 설치되어 있다. 즉, 제2 기둥형상부(25b)는 제2 대좌부(26b)의 상면으로부터 상방으로 연장되어 있다. 제2 기둥형상부(25b)는 예를 들면 원기둥형 형상을 갖는다. 이 경우, 제2 기둥형상부(25b)의 수평 단면의 형상은 원형이다. 제2 기둥형상부(25b)는, 예를 들면, 등폭으로 상하 방향을 따라 연장된다. 제2 기둥형상부(25b)의 폭(여기에서는 직경)은, 예를 들면, 0.6mm 이상으로 설정되며, 보다 구체적인 일례로서 1mm 정도로 설정된다.

제2 맞닿음부(23b)는 제2 기둥형상부(25b)의 상단면에 설치되어 있다. 제2 맞닿음부(23b)는 예를 들면 뿔체형 형상을 갖고 있다. 구체적인 일례로서, 제2 맞닿음부(23b)는 원뿔형 형상을 갖고 있어도 된다. 혹은, 제2 맞닿음부(23b)는 반구형 혹은 반타원형 형상을 갖고 있다. 이 경우, 제2 맞닿음부(23b)의 수평 단면의 형상도 원형이다. 이러한 제2 맞닿음부(23b)의 폭(여기에서는 직경)도 상방을 향함에 따라 작아진다. 제2 맞닿음부(23b)의 하단의 폭(여기에서는 직경)은 예를 들면 제2 기둥형상부(25b)의 폭(여기에서는 직경)과 동일하고, 예를 들면 0.6mm 이상으로 설정되며, 보다 구체적인 일례로서 1mm 정도로 설정된다. 제2 맞닿음부(23b)의 상단(즉, 꼭짓점)은 기판(9)의 제2 면(F2)에 맞닿는다.

이상과 같이, 도 7의 예에서는, 제2 지지 핀(22b)은, 그 폭(여기에서는 직경)이 상방을 향함에 따라 단조 비증가로 감소한 막대형 형상을 갖고 있다. 도 7의 예에서는, 제2 지지 핀(22b)의 폭은, 제2 기둥형상부(25b)에 있어서 상하 방향에 상관없이 일정하고, 제2 맞닿음부(23b)에 있어서 상방을 향함에 따라 단조로 감소하고 있다.

제2 지지 핀(22b)의 재료에는, 예를 들면, 제1 지지 핀(22a)과 마찬가지로, 폴리에테르에테르케톤 혹은 폴리이미드 등의 수지 재료가 적용된다. 제2 지지 핀(22b)은 예를 들면 속이 찬 재료이다.

다음에, 제2 맞닿음부(23b) 및 제2 기둥형상부(25b)의 상하 방향의 길이에 대해서 설명한다. 도 7의 예에서는, 제2 맞닿음부(23b)의 길이는 제2 기둥형상부(25b)의 길이에 비해 매우 짧다. 즉, 제2 지지 핀(22b)의 상하 방향 전체에 대해 제2 기둥형상부(25b)가 차지하는 비율이 가장 크다. 이 때문에, 제2 지지 핀(22b)의 굵기는, 제2 기둥형상부(25b)의 굵기에 의해 대표될 수 있다. 즉, 주로, 제2 기둥형상부(25b)의 폭(여기에서는 직경)이 제2 지지 핀(22b)의 굵기를 나타내고 있다.

도 6 및 도 7의 비교로부터도 이해할 수 있듯이, 제1 지지 핀(22a)은 제2 지지 핀(22b)보다 굵다. 여기에서는, 제1 기둥형상부(25a)가 제2 기둥형상부(25b)보다 굵다. 제1 기둥형상부(25a)의 폭(여기에서는 직경)과, 제2 기둥형상부(25b)의 폭(여기에서는, 직경)의 차는, 예를 들면, 0.5mm 이상이어도 되고, 1mm 이상이어도 되며, 2mm 이상이어도 된다.

여기서, 동일한 수평 단면에 있어서의 제1 지지 핀(22a)의 폭과 제2 지지 핀(22b)의 폭의 비교에 대해서, 더 고찰한다. 도 6 및 도 7에서 나타나는 바와 같이, 제1 지지 핀(22a) 및 제2 지지 핀(22b)의 상하 방향 전체에 있어서, 임의의 수평 단면에 있어서의 제1 지지 핀(22a)의 폭이 제2 지지 핀(22b)의 폭 이상이어도 된다. 예를 들면, 제1 지지 핀(22a)의 제1 맞닿음부(23a)의 상부 및 제2 지지 핀(22b)의 제2 맞닿음부(23b)는 예를 들면 동일 형상을 갖고 있어도 된다. 이 형상에 의하면, 수평 단면에 있어서의 제1 맞닿음부(23a)의 상부의 폭과 제2 맞닿음부(23b)의 폭은 서로 동일하다. 한편, 제1 맞닿음부(23a)의 하부의 폭은 하방을 향함에 따라 더 커지므로, 동일한 수평 단면에 있어서, 제1 지지 핀(22a)의 제1 맞닿음부(23a)의 하부의 폭은 제2 지지 핀(22b)의 제2 기둥형상부(25b)의 폭보다 크다. 또, 제1 기둥형상부(25a)의 폭도 동일한 수평 단면에 있어서 제2 기둥형상부(25b)의 폭보다 크다. 이러한 형상에 의하면, 임의의 수평 단면에 있어서, 제1 지지 핀(22a)은 제2 지지 핀(22b)과 같은 굵기이거나, 혹은, 제2 지지 핀(22b)보다 굵다.

또한, 제1 지지 핀(22a)과 제2 지지 핀(22b)의 굵기의 비교는, 예를 들면 동일한 수평 단면에 있어서, 제1 지지 핀(22a)의 측면에 상당하는 윤곽의 제1 전체 둘레 길이와, 제2 지지 핀(22b)의 측면에 상당하는 윤곽의 제2 전체 둘레 길이의 비교에 의해, 규정되어도 된다. 상술한 예에서는, 제1 지지 핀(22a) 및 제2 지지 핀(22b)의 수평 단면의 형상은 원형이므로, 전체 둘레 길이는 원주의 길이에 상당한다.

여기서, 수평 단면을 상하 방향으로 이동시켰을 때에, 제1 전체 둘레 길이가 제2 전체 둘레 길이보다 긴 상하 방향의 범위가, 제1 지지 핀(22a) 및 제2 지지 핀(22b)의 상하 방향의 길이에 대해, 5할 이상을 차지하면 된다. 이 경우, 제1 지지 핀(22a)은 제2 지지 핀(22b)보다 굵다고 할 수 있다. 당해 비율은, 예를 들면 6할 이상이어도 되고, 7할 이상이어도 되며, 8할 이상이어도 된다.

도 8은, 기판(9)과 제1 지지 핀(22a) 및 제2 지지 핀(22b)의 위치 관계의 제1 예를 나타내는 도면이다. 도 8에서는, 기판(9)의 하면으로서의 제2 면(F2) 중, 제1 지지 핀(22a)에 의해 지지되는 위치가 하얀 동그라미로 나타나 있으며, 제2 지지 핀(22b)에 의해 지지되는 위치가 검은 동그라미로 나타나 있다. 또, 도 8에서는, 기판(9) 중 도포 영역 A1의 외연과, 기판(9) 중 주연 영역 B1 및 내측 영역 B2의 경계 B3이, 각각, 이점 쇄선으로 그려져 있다.

도 8에서 나타나는 바와 같이, 몇몇의 제1 지지 핀(22a)은, 기판(9)의 주연 영역 B1을 지지하고 있다. 즉, 이들 제1 지지 핀(22a)의 상단은 기판(9)의 주연 영역 B1의 하면에 접촉한다. 기판(9)의 주연 영역 B1은 평면에서 보았을 때 직사각형의 틀형상을 가지므로, 이들 제1 지지 핀(22a)도 직사각형의 틀을 따라 전체 둘레에 배열된다. 도 8의 예에서는, 기판(9)의 주연 영역 B1의 상면에는, 도포막(90)이 형성되어 있지 않다. 즉, 주연 영역 B1은 비도포 영역 A2에 상당한다. 또, 도 8의 예에서는, 나머지 몇몇의 제1 지지 핀(22a)은 기판(9)의 내측 영역 B2 중 도포 영역 A1 이외의 영역에 위치하고 있다. 즉, 나머지 제1 지지 핀(22a)은 기판(9)의 내측 영역 B2를 지지하고 있지만, 내측 영역 B2 중 비도포 영역 A2를 지지하고 있다. 바꾸어 말하면, 나머지 제1 지지 핀(22a)의 상단은 기판(9)의 내측 영역 B2 중 비도포 영역 A2의 하면에 접촉한다.

한편, 복수의 제2 지지 핀(22b)은, 기판(9)의 내측 영역 B2 중 도포 영역 A1을 지지하고 있다. 즉, 복수의 제2 지지 핀(22b)의 상단은 기판(9)의 도포 영역 A1의 하면에 접촉한다. 도포 영역 A1에 패턴형상의 도포막(90)이 형성되어 있는 경우에는, 몇몇의 제2 지지 핀(22b)은 도포 영역 A1 중 피복 영역 A3을 지지하고, 나머지 제2 지지 핀(22b)은 도포 영역 A1 중 노출 영역 A4를 지지할 수 있다. 도포 영역 A1 전체에 도포막(90)이 형성되어 있는 경우에는, 도포 영역 A1 전체가 피복 영역 A3에 상당하므로, 모든 제2 지지 핀(22b)이 피복 영역 A3을 지지한다.

이상과 같이, 도 8의 예에서는, 모든 제2 지지 핀(22b)은 기판(9) 중 도포 영역 A1의 하면에 맞닿고, 모든 제1 지지 핀(22a)은 기판(9) 중 비도포 영역 A2의 하면에 맞닿는다.

도 9는, 감압 하에서의 챔버(10) 내의 기류의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다. 배기부(30)가 챔버(10) 내의 기체를 배출하면, 챔버(10) 내의 기체의 온도가 단열 팽창에 의해 급격하게 저하된다. 챔버(10) 내의 기체의 온도는 예를 들면 섭씨 마이너스(-) 20도 정도까지 저하될 수 있다. 한편, 챔버(10) 내의 물체(고체)의 온도도 저하된다. 예를 들면, 기판(9)의 온도는, 도포막(90)의 용매의 증발에 따른 기화열의 흡수 및 기판(9)과 주위의 기체 사이의 열교환에 의해, 저하된다. 또, 예를 들면 지지 핀(22)의 온도는, 지지 핀(22)과 주위의 기체의 열교환에 의해 저하된다. 그러나, 이들 물체의 온도의 저하는, 단열 팽창에 의해 발생하는 기체의 온도의 저하에 비해 그렇게까지 크지 않고, 예를 들면, 지지 핀(22)의 온도의 저하량은 몇도 정도(예를 들면 2도 정도 이하)이다. 이 때문에, 지지 핀(22)의 온도는 예를 들면 섭씨 23도 정도가 된다.

이 지지 핀(22)과 기체의 열교환에 의해, 지지 핀(22)의 주위에서는 기체가 따뜻해지게 된다. 이 때문에, 제1 지지 핀(22a) 및 제2 지지 핀(22b)의 주위에서, 각각, 상승 기류 Ga 및 상승 기류 Gb가 발생한다. 상승 기류 Ga에 의해 기체는 제1 지지 핀(22a)을 따라 상승하고, 상승 기류 Gb에 의해 기체는 제2 지지 핀(22b)을 따라 상승한다. 이 때문에, 상승 기류 Ga 및 상승 기류 Gb에 의해 기체는 기판(9)의 제2 면(F2)에 국소적으로 공급될 수 있다. 따라서, 기판(9) 중 지지 핀(22)과의 접촉 개소의 주위(이하, 핀 근방 영역이라고 부른다)는, 당해 핀 근방 영역에서 떨어진 영역(이하, 핀 이격 영역이라고 부른다)에 비해, 상승 기류 Ga 및 상승 기류 Gb의 영향을 받기 쉽다. 그 결과, 기판(9) 중 핀 근방 영역의 온도와 핀 이격 영역의 온도의 차가 커져, 기판(9)의 온도 분포가 불균일해질 수 있다.

그런데, 본 실시 형태에서는, 제2 지지 핀(22b)은 제1 지지 핀(22a)보다 가늘다. 즉, 수평 단면에 있어서의 제2 지지 핀(22b)의 제2 전체 둘레 길이는, 당해 수평 단면에 있어서의 제1 지지 핀(22a)의 제1 전체 둘레 길이보다 짧다. 또한 바꾸어 말하면, 제2 지지 핀(22b)의 측면의 표면적은 제1 지지 핀(22a)의 측면의 표면적보다 작다. 이 때문에, 제1 지지 핀(22a)의 주위의 기체는 보다 큰 표면적으로 제1 지지 핀(22a)과 열교환하고, 제2 지지 핀(22b)의 주위의 기체는 보다 작은 표면적으로 제2 지지 핀(22b)과 열교환한다. 따라서, 상승 기류 Ga는 보다 넓은 범위(즉, 굵은 제1 지지 핀(22a)의 주위)에서 발생하고, 상승 기류 Gb는 보다 좁은 범위(즉, 가는 제2 지지 핀(22b)의 주위)에서 발생한다. 이 때문에, 상승 기류 Gb의 발생량(예를 들면 체적 유량)은 상승 기류 Ga의 발생량보다 작다. 도 9에서는, 상승 기류 Ga 및 상승 기류 Gb의 발생량을 화살표의 선의 굵기로 모식적으로 나타내고 있다.

제2 지지 핀(22b)은 기판(9)의 도포 영역 A1의 하면에 맞닿아 있다. 이 때문에, 제2 지지 핀(22b)의 주위의 상승 기류 Gb에 의해, 기체가 도포 영역 A1의 하면에 국소적으로 공급될 수 있다. 그러나, 상승 기류 Gb의 발생량은 작기 때문에, 도포 영역 A1에 있어서의 온도의 균일성을 그다지 저해하지 않는다. 이 때문에, 도포 영역 A1의 하면에 맞닿는 지지 핀(22)으로서 제1 지지 핀(22a)을 채용한 구조에 비해, 기판(9)의 도포 영역 A1에 있어서의 온도 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 도포막(90)을 보다 균일하게 건조시킬 수 있다. 바꾸어 말하면, 기판(9)의 상면에 형성된 도포막(90)에 있어서의 건조 불균일의 발생이 억제될 수 있다.

한편, 제1 지지 핀(22a)은 기판(9)의 비도포 영역 A2의 하면에 맞닿아 있다. 이 때문에, 상승 기류 Ga에 의해, 기체가 기판(9)의 비도포 영역 A2의 하면에 국소적으로 공급될 수 있다. 이 상승 기류 Ga의 발생량은 비교적으로 크기 때문에, 비도포 영역 A2에 있어서의 온도 분포는 도포 영역 A1에 비해 불균일해질 수 있다. 그러나, 상술한 예에서는, 비도포 영역 A2에서는 도포막(90)이 형성되어 있지 않기 때문에, 도포막(90)의 건조 불량을 거의 초래하지 않는다.

게다가, 제1 지지 핀(22a)은 제2 지지 핀(22b)보다 굵기 때문에, 제2 지지 핀(22b)의 강성보다 보다 높은 강성을 갖는다. 이 때문에, 제1 지지 핀(22a)은 기판(9)의 주연 영역 B1을 보다 강고하게 지지할 수 있다. 비교를 위해, 모든 지지 핀(22)에 가는 제2 지지 핀(22b)을 채용한 구조(이하, 비교 구조라고 부른다)에 대해서 고찰한다. 이 비교 구조에서는, 수평 방향에 있어서 기판(9)에 외력이 인가되었을 때에, 기판(9)이 수평 방향으로 변위할 수 있다. 왜냐하면, 지지 핀(22)이 가늘수록, 지지 핀(22)은 수평 방향의 외력에 약해지기 때문이다. 예를 들면, 지지 핀(22)은 대좌부를 고정단으로 하여 휠 수 있다. 기판(9)의 반입출 시 혹은 챔버(10) 내의 감압 시에는, 기판(9)에 대해 수평 방향 성분을 갖는 외력이 인가될 수 있으므로, 기판(9)이 수평 방향으로 변위할 수 있다. 이러한 기판(9)의 수평 방향의 변위는 바람직하지 않다.

이에 반해, 본 실시 형태에 있어서는, 기판(9)의 주연 영역 B1을 지지하는 제1 지지 핀(22a)은, 기판(9)의 내측 영역 B2 중 도포 영역 A1을 지지하는 제2 지지 핀(22b)보다 굵다. 그 때문에, 제1 지지 핀(22a)이 보다 높은 강성으로 기판(9)의 주연 영역 B1을 지지할 수 있다. 따라서, 수평 방향 성분을 갖는 외력이 기판(9)에 인가되었다고 해도, 굵은 제1 지지 핀(22a)이 기판(9)의 수평 방향의 변위를 효과적으로 억제할 수 있다. 게다가, 제1 지지 핀(22a)이 기판(9)의 주연 영역 B1의 둘레 방향을 따라 전체 둘레에 배열되어 있으면, 기판(9)의 주연 영역 B1을 보다 강고하게 지지할 수 있어, 보다 효과적으로 기판(9)의 수평 방향의 변위를 억제할 수 있다.

<<배기부(30)>>

도 1을 참조하여, 배기부(30)는, 챔버(10) 내의 기체를 배출하는 부분이다. 도 1 및 도 2에서 나타나는 바와 같이, 챔버(10)의 저판부(11) 중 기판(9)과 상하 방향에 있어서 겹치는 부분에는, 예를 들면, 4개의 배기구(16a, 16b, 16c, 16d)가 형성되어 있다. 배기부(30)는, 예를 들면, 배기 배관(31)과, 4개의 개별 밸브(Va, Vb, Vc, Vd)와, 주(主) 밸브(Ve)와, 진공 펌프(32)를 갖는다. 배기 배관(31)은, 예를 들면, 4개의 개별 배관(31a, 31b, 31c, 31d)과, 1개의 주 배관(31e)을 갖는다. 예를 들면, 개별 배관(31a)의 일단은, 배기구(16a)에 접속해 있고, 개별 배관(31b)의 일단은, 배기구(16b)에 접속해 있으며, 개별 배관(31c)의 일단은, 배기구(16c)에 접속해 있고, 개별 배관(31d)의 일단은, 배기구(16d)에 접속해 있다. 예를 들면, 4개의 개별 배관(31a, 31b, 31c, 31d) 각각의 타단은, 합류하여 주 배관(31e)의 일단에 접속되어 있다. 예를 들면, 주 배관(31e)의 타단은, 진공 펌프(32)에 접속해 있다. 예를 들면, 개별 밸브(Va)는, 개별 배관(31a)의 경로 상에 설치되어 있고, 개별 밸브(Vb)는, 개별 배관(31b)의 경로 상에 설치되어 있으며, 개별 밸브(Vc)는, 개별 배관(31c)의 경로 상에 설치되어 있고, 개별 밸브(Vd)는, 개별 배관(31d)의 경로 상에 설치되어 있다. 예를 들면, 주 밸브(Ve)는, 주 배관(31e)의 경로 상에 설치되어 있다.

여기서, 예를 들면, 게이트부(15)에 의해 반입출구(14)를 폐쇄한 상태에서, 4개의 개별 밸브(Va, Vb, Vc, Vd) 중 적어도 1개와, 1개의 주 밸브(Ve)를 개방하고, 진공 펌프(32)를 동작시키면, 챔버(10) 내의 기체가, 배기 배관(31)을 통해 챔버(10)의 외부로 배출된다. 이로 인해, 예를 들면, 챔버(10)의 내부 공간(10s)의 기압을 저하시킬 수 있다. 4개의 개별 밸브(Va, Vb, Vc, Vd)는, 예를 들면, 4개의 배기구(16a, 16b, 16c, 16d)로부터의 배기량을, 개별적으로 조절하기 위한 밸브이다. 4개의 개별 밸브(Va, Vb, Vc, Vd) 각각에는, 예를 들면, 제어부(80)로부터의 지령에 의거하여 개방 상태와 폐쇄 상태 사이에서 전환되는 밸브(개폐 밸브라고도 한다)가 적용된다. 주 밸브(Ve)는, 예를 들면, 4개의 배기구(16a, 16b, 16c, 16d)로부터의 합계 배기량을 조정하기 위한 밸브이다. 주 밸브(Ve)에는, 예를 들면, 제어부(80)로부터의 지령에 의거하여 개도가 조절될 수 있는 밸브(개도 제어 밸브라고도 한다)가 적용된다.

<<승강부(100)>>

승강부(100)는, 챔버(10) 내에 있어서 지지부(20)를 승강시키는 부분이다. 환언하면, 예를 들면, 승강부(100)는, 지지부(20)를 승강시킬 수 있는 기구(승강 기구라고도 한다)를 갖는다. 도 1에서는, 도면의 번잡화를 피하기 위해, 승강부(100)가 개념적으로 나타나 있다. 승강부(100)에는, 예를 들면, 직동형 모터 또는 에어 실린더 등의 구동 장치가 적용된다. 도 3에서 나타나는 바와 같이, 승강부(100)는, 예를 들면, 본체부(100a)와, 이동부(100b)를 갖는다. 본체부(100a)는, 예를 들면, 챔버(10)의 외부에 있어서, 도시를 생략한 장치 프레임에 고정되어 있다. 이동부(100b)는, 예를 들면, 본체부(100a)에 대해, 상하 방향으로 이동할 수 있다. 이동부(100b)에는, 예를 들면, 막대형 부재 등이 적용된다. 이동부(100b)는, 예를 들면, 챔버(10)의 저판부(11)의 관통 구멍(11h)에 삽입 통과된 상태로 위치하고 있다. 그리고, 예를 들면, 이동부(100b)의 상단부에, 지지부(20)가 고정되어 있다. 여기에서는, 예를 들면, 저판부(11)의 하면과 이동부(100b) 사이에 벨로즈 등이 설치되면, 저판부(11)와 이동부(100b)의 간극이 밀폐될 수 있다. 예를 들면, 지지부(20)가 복수의 지지 플레이트(21)를 갖는 경우에는, 이동부(100b)는, 지지 플레이트(21)마다 지지 플레이트(21)에 고정되어 있으며 또한 저판부(11)의 관통 구멍(11h)에 삽입 통과된 막대형 부분(막대형상부라고도 한다)과, 복수의 막대형상부를 연결하고 있는 부분(연결부라고도 한다)과, 연결부에 접속되어 있으며 또한 본체부(100a)에 슬라이드 가능하게 지지된 부분(슬라이드부라고도 한다)을 갖는다.

여기서, 예를 들면, 승강부(100)를 동작시키면, 지지부(20)는, 하강 위치 H1(도 1 및 도 3에서 일점 쇄선으로 나타낸 위치)과, 하강 위치 H1보다 높은 상승 위치 H2(도 1 및 도 3에서 이점 쇄선으로 나타낸 위치) 사이에서, 상하 방향으로 승강한다. 이 때, 예를 들면, 복수의 지지 플레이트(21)는, 일체적으로 승강할 수 있다.

<<저면 정류판(40)>>

저면 정류판(40)은, 배기부(30)에 의한 챔버(10) 내의 감압 시에, 내부 공간(10s)에 있어서의 기체의 흐름을 규제하기 위한 플레이트이다. 예를 들면, 저면 정류판(40)은, 지지부(20)에 지지되는 기판(9)과, 챔버(10)의 저판부(11) 사이에 위치하도록 배치되어 있다. 저면 정류판(40)은, 예를 들면, 챔버(10)의 저판부(11)에, 도시를 생략한 복수의 지주를 개재하여 고정되어 있다. 도 2에서 나타나는 바와 같이, 예를 들면, 저면 정류판(40)은, 상면에서 보았을 때 정방형 형상을 갖는다. 그리고, 예를 들면, 저면 정류판(40)을 상면에서 보았을 때의 각 변의 길이는, 장방형의 기판(9)의 장변 및 단변 어느 쪽보다도 길다. 이 때문에, 예를 들면, 지지부(20) 상에 배치되는 기판(9)의 방향에 관계없이, 상면에서 보았을 때, 저면 정류판(40)은, 기판(9)보다 크다. 또, 저면 정류판(40)은, 예를 들면, 승강부(100)의 이동부(100b)가 삽입 통과된 상태에 있는 관통 구멍(40h)을 갖고 있다. 관통 구멍(40h)에 있어서, 저면 정류판(40)과 이동부(100b)는, 극히 작은 간격을 두고 위치하고 있다.

<<측면 정류판(50)>>

측면 정류판(50)은, 저면 정류판(40)과 함께, 배기부(30)에 의한 챔버(10) 내의 감압 시에, 내부 공간(10s)에 있어서의 기체의 흐름을 규제하기 위한 플레이트이다. 예를 들면, 측면 정류판(50)은, 하강 위치 H1에 배치되어 있는 지지부(20)에 의해 지지되는 기판(9)과, 챔버(10)의 측벽부(12) 사이에 위치하도록 배치되어 있다. 여기에서는, 예를 들면, 지지부(20)에 지지되는 기판(9)의 주위를 둘러싸도록, 4개의 측면 정류판(50)이 배치되어 있다. 예를 들면, 4개의 측면 정류판(50)은, 전체적으로, 기판(9)을 포위하는 사각통형상의 정류판을 형성하고 있다. 또, 예를 들면, 저면 정류판(40) 및 4개의 측면 정류판(50)은, 전체적으로, 바닥이 있는 통형상의 상자형 정류판을 형성하고 있다.

여기서, 예를 들면, 배기부(30)에 의한 챔버(10) 내의 감압 시에는, 챔버(10)의 내부 공간(10s)의 기체는, 측면 정류판(50)과 측벽부(12) 사이의 공간, 저면 정류판(40)과 저판부(11) 사이의 공간, 및 배기구(16a, 16b, 16c, 16d)를 이 기재의 순으로 지나, 챔버(10)의 외부로 배출된다. 이와 같이, 예를 들면, 기체가 기판(9)으로부터 떨어진 공간을 흐름으로써, 기판(9)의 근방에 기류가 형성되기 어려워진다. 그리고, 기판(9)의 주연부에 있어서 집중적인 기류의 발생이 일어나기 어려워진다. 이로 인해, 예를 들면, 기판(9)의 상면에 형성된 도포막(90)의 건조 불균일의 발생이 억제될 수 있다.

또, 여기서, 예를 들면, 도 2에서 나타나는 바와 같이, 상면에서 보았을 때, 4개의 배기구(16a, 16b, 16c, 16d)가, 모두 정방형의 저면 정류판(40)의 대각선(41) 상에 위치하고 있는 구성이 채용된다. 이 경우에는, 예를 들면, 각 배기구(16a, 16b, 16c, 16d)에 의해, 저면 정류판(40)의 중앙(2개의 대각선(41)의 교점)에 대해 대칭인 기류가 형성될 수 있다. 이로 인해, 예를 들면, 챔버(10)의 내부 공간(10s)에 있어서, 보다 균일한 기류가 형성될 수 있다.

<<급기부(60)>>

급기부(60)는, 챔버(10) 내에 기체를 공급하는 동작(급기라고도 한다)을 행하는 부분이다. 도 1에서 나타나는 바와 같이, 챔버(10)의 저판부(11)에는, 예를 들면, 급기구(16f)가 형성되어 있다. 급기구(16f)는, 예를 들면, 저면 정류판(40)의 하방에 위치하고 있다. 급기부(60)는, 급기구(16f)에 접속된 급기 배관(61)과, 급기 밸브(Vf)와, 급기원(62)을 갖는다. 예를 들면, 급기 배관(61)의 일단은, 급기구(16f)에 접속해 있다. 예를 들면, 급기 배관(61)의 타단은, 급기원(62)에 접속해 있다. 예를 들면, 급기 밸브(Vf)는, 급기 배관(61)의 경로 상에 설치되어 있다.

여기서, 예를 들면, 급기 밸브(Vf)를 개방하면, 급기원(62)으로부터 급기 배관(61) 및 급기구(16f)를 통해, 챔버(10)의 내부 공간(10s)으로 기체가 공급된다. 이로 인해, 챔버(10) 내의 기압을 상승시킬 수 있다. 급기원(62)으로부터 공급되는 기체는, 예를 들면, 질소 가스 등의 불활성 가스여도 되고, 클린 드라이 에어여도 된다. 클린 드라이 에어는, 예를 들면, 일반적인 환경에 있어서의 공기에 대해 파티클 및 수분을 제거하는 청정화를 실시함으로써 준비될 수 있다.

<<압력계(70)>>

압력계(70)는, 챔버(10)의 내부 공간(10s)의 기압을 계측하는 센서이다. 도 1에서 나타나는 바와 같이, 예를 들면, 압력계(70)는, 챔버(10)의 일부분에 장착되어 있다. 압력계(70)는, 예를 들면, 챔버(10)의 내부 공간(10s)의 기압을 계측하고, 그 계측 결과를, 제어부(80)에 출력할 수 있다.

<<제어부(80)>>

제어부(80)는, 감압 건조 장치(1)의 각 부의 동작을 제어하기 위한 유닛이다. 예를 들면, 제어부(80)는, 배기부(30), 급기부(60) 및 승강부(100) 등을 제어할 수 있다. 제어부(80)는, 예를 들면, CPU(Central Processing Unit) 등의 프로세서(801), RAM(Random Access Memory) 등의 메모리(802), 및 하드 디스크 드라이브 등의 기억부(803)를 갖는 컴퓨터에 의해 구성되어 있다. 기억부(803)에는, 예를 들면, 감압 건조 장치(1)에 있어서 기판(9) 상의 도포막(90)을 감압에 의해 건조시키는 처리(감압 건조 처리라고도 한다)를 실행시키기 위한 컴퓨터 프로그램(프로그램이라고도 한다)(803p) 및 각종 데이터가 기억되어 있다. 기억부(803)는, 예를 들면, 프로그램(803p)을 기억하고, 컴퓨터로 판독 가능한 비일시적인 기억 매체로서의 역할을 갖는다. 제어부(80)는, 예를 들면, 기억부(803)로부터 메모리(802)에 프로그램(803p) 및 데이터를 읽어내고, 프로세서(801)에 있어서 프로그램(803p) 및 데이터에 따른 연산 처리를 행함으로써, 감압 건조 장치(1)의 각 부의 동작을 제어한다. 이 때문에, 예를 들면, 프로그램(803p)은, 감압 건조 장치(1)에 있어서 제어부(80)에 포함되는 프로세서(801)에 의해 실행됨으로써, 감압 건조 처리를 실행시킬 수 있다.

또, 제어부(80)에는, 예를 들면, 입력부(804), 출력부(805), 통신부(806) 및 드라이브(807)가 접속되어 있어도 된다. 입력부(804)는, 예를 들면, 유저의 동작 등에 응답하여 각종 신호를 제어부(80)에 입력하는 부분이다. 입력부(804)에는, 예를 들면, 유저의 조작에 따른 신호를 입력하는 조작부, 유저의 음성에 따른 신호를 입력하는 마이크, 및 유저의 움직임에 따른 신호를 입력하는 각종 센서 등이 포함될 수 있다. 출력부(805)는, 예를 들면, 각종 정보를 유저가 인식 가능한 양태로 출력하는 부분이다. 출력부(805)에는, 예를 들면, 표시부, 프로젝터, 및 스피커 등이 포함될 수 있다. 표시부는, 입력부(804)와 일체화된 터치 패널이어도 된다. 통신부(806)는, 예를 들면, 유선 혹은 무선의 통신 수단 등에 의해 서버 등의 외부의 장치와의 사이에서 각종 정보의 송수신을 행하는 부분이다. 예를 들면, 통신부(806)에 의해 외부의 장치로부터 수신한 프로그램(803p)이 기억부(803)에 기억되어도 된다. 드라이브(807)는, 예를 들면, 자기 디스크 또는 광 디스크 등의 가반성(可搬性)의 기억 매체(807m)의 착탈이 가능한 부분이다. 이 드라이브(807)는, 예를 들면, 기억 매체(807m)가 장착되어 있는 상태에서, 이 기억 매체(807m)와 제어부(80) 사이에 있어서의 데이터의 수수(授受)를 행한다. 예를 들면, 프로그램(803p)이 기억된 기억 매체(807m)가 드라이브(807)에 장착됨으로써, 기억 매체(807m)로부터 기억부(803) 내에 프로그램(803p)이 읽어들여져 기억되어도 된다. 여기에서는, 기억 매체(807m)는, 예를 들면, 프로그램(803p)을 기억하고, 컴퓨터로 판독 가능한 비일시적인 기억 매체로서의 역할을 갖는다.

도 10은, 제어부(80)에 있어서 실현되는 기능을 개념적으로 나타낸 블록도이다. 도 10에서 나타나는 바와 같이, 제어부(80)는, 예를 들면, 개폐 구동부(16), 승강부(100), 4개의 개별 밸브(Va, Vb, Vc, Vd), 주 밸브(Ve), 진공 펌프(32), 급기 밸브(Vf), 및 압력계(70)와, 각각 전기적으로 접속되어 있다. 제어부(80)는, 예를 들면, 압력계(70)로부터 출력되는 계측값을 참조하면서, 상기 각 부의 동작을 제어할 수 있다.

도 10에서 개념적으로 나타낸 바와 같이, 제어부(80)는, 실현되는 기능적인 구성으로서, 예를 들면, 개폐 제어부(81), 승강 제어부(82), 전환 제어부(83), 배기 제어부(84), 펌프 제어부(85), 및 급기 제어부(86)를 갖는다. 예를 들면, 개폐 제어부(81)는, 개폐 구동부(16)의 동작을 제어한다. 예를 들면, 승강 제어부(82)는, 승강부(100)의 동작을 제어한다. 예를 들면, 전환 제어부(83)는, 4개의 개별 밸브(Va, Vb, Vc, Vd)의 개폐 상태를 개별적으로 제어한다. 예를 들면, 배기 제어부(84)는, 주 밸브(Ve)의 개폐 상태 및 개도를 제어한다. 예를 들면, 펌프 제어부(85)는, 진공 펌프(32)의 동작을 제어한다. 예를 들면, 급기 제어부(86)는, 급기 밸브(Vf)의 개폐 상태를 제어한다. 제어부(80)에 있어서의 각 부의 기능은, 예를 들면, 상술한 프로그램(803p) 등에 따른 연산 처리를 프로세서(801)가 행함으로써 실현된다.

<2. 감압 건조 처리>

다음에, 감압 건조 장치(1)를 이용한 기판(9)의 감압 건조 처리에 대해서 설명한다. 도 11은, 일 실시 형태에 따른 감압 건조 처리의 흐름의 일례를 나타내는 흐름도이다. 이 감압 건조 처리의 플로는, 예를 들면, 제어부(80)에 포함되는 프로세서(801)에 있어서 프로그램(803p)이 실행됨으로써 실현된다. 여기에서는, 예를 들면, 도 11의 단계 S1 내지 단계 S4의 처리가 이 기재의 순으로 행해진다.

감압 건조 장치(1)를 이용하여 감압 건조 처리를 행할 때에는, 예를 들면, 우선, 기판(9)을 챔버(10) 내에 반입한다(단계 S1). 이 때, 기판(9)의 상면에는, 미건조의 도포막(90)이 형성되어 있는 상태에 있다. 단계 S1에서는, 예를 들면, 게이트부(15)가 제어부(80)의 제어 하에서 반입출구(14)를 개방하고, 도시를 생략한 반송 로봇이, 포크형 핸드에 기판(9)을 재치(載置)하면서, 챔버(10)의 반입출구(14)를 통해, 챔버(10)의 내부 공간(10s)으로 기판(9)을 반입한다. 이 시점에서는, 지지부(20)는, 예를 들면, 하강 위치 H1에 배치되어 있다. 반송 로봇은, 예를 들면, 지지부(20)의 복수의 지지 플레이트(21) 사이로 포크형 핸드를 삽입하면서, 지지부(20) 상에 기판(9)을 재치하고, 그 후, 챔버(10)의 외부로 포크를 퇴피시킨다. 그리고, 게이트부(15)는 제어부(80)의 제어 하에서 반입출구(14)를 폐쇄한다. 이상과 같이, 단계 S1에서는, 챔버(10) 내에 배치된 복수의 지지 핀(22)에 기판(9)을 재치하는 공정(재치 공정이라고도 한다)이 행해진다.

이 단계 S1에 있어서, 기판(9)은 복수의 지지 핀(22)에 의해 지지된다. 구체적으로는, 기판(9)의 주연 영역 B1이 제1 지지 핀(22a)에 의해 지지되고, 기판(9)의 내측 영역 B2 중 도포 영역 A1이 제2 지지 핀(22b)에 의해 지지된다. 또, 기판(9)의 내측 영역 B2 중 비도포 영역 A2가 제1 지지 핀(22a)에 의해 지지된다.

다음에, 감압 건조 장치(1)는 챔버(10) 내의 기체를 배출한다(단계 S2). 구체적으로는, 제어부(80)가, 배기부(30)에 챔버(10) 내의 기체를 배출시킴으로써, 챔버(10) 내를 감압시킨다. 환언하면, 단계 S2에서는, 챔버(10) 내를 감압시키는 공정(배기 공정이라고도 한다)이 행해진다. 이 배기 공정에 의해, 챔버(10) 내의 기압이 목표 기압까지 저하된다.

단계 S2에서는, 예를 들면, 제어부(80)가, 지지부(20)를 적절히 승강시켜도 되고, 복수의 개별 밸브(Va, Vb, Vc, Vd) 각각의 개폐 상태를 개별적으로 적절히 제어해도 되고, 주 밸브(Ve)의 개도를 적절히 제어해도 된다. 예를 들면, 감압 건조 장치(1)는, 배기 공정의 초기에 있어서, 지지부(20)를 상승 위치 H2로 이동시킨 상태에서, 챔버(10) 내의 기체를 천천히 배출하고(제1 처리), 그 후, 지지부(20)를 하강 위치 H1로 이동시킨 다음, 배기부(30)가 챔버(10) 내의 기체를 급격하게 배출해도 된다(제2 처리). 이로 인해, 챔버(10) 내의 기판(9)의 주위에 강한 기류가 발생하는 것을 억제하면서, 챔버(10) 내를 감압할 수 있다.

그 후, 배기부(30)는 챔버(10) 내의 기압이 목표 기압으로 대략 일정해지도록 챔버(10) 내의 기체를 배출한다(제3 처리). 기압이 목표 기압에 도달하면, 도포막(90)의 용제가 비등하여 도포막(90)의 건조가 보다 높은 속도로 진행된다. 도포막(90)의 비등이 종료되면, 배기부(30)는 챔버(10) 내를 더 감압해도 된다(제4 처리). 이로 인해, 도포막(90)을 보다 확실히 건조시킬 수 있다.

또, 챔버(10) 내의 기체의 배출에 의해, 챔버(10) 내의 기체의 온도는 급격하게 저하됨과 더불어, 챔버(10) 내의 각 물체의 온도도 어느 정도 저하된다. 그 때문에, 상술한 바와 같이, 챔버(10) 내의 제1 지지 핀(22a)의 주위 및 제2 지지 핀(22b)의 주위에 있어서, 각각 상승 기류 Ga 및 상승 기류 Gb가 발생한다. 단, 상승 기류 Gb의 발생량은 상승 기류 Ga보다 작기 때문에, 상승 기류 Gb에 기인하여 발생하는 기판(9)의 도포 영역 A1의 온도 분포의 편차는 작다. 이 때문에, 기판(9)의 온도 분포의 편차에 기인한 건조 불균일의 발생은 억제된다.

또한, 이 배기 공정에 있어서, 제어부(80)는, 기판(9)의 상면과 천판부(13) 사이의 기류에 의해, 도포막(90)의 건조 불균일이 발생할 수 있다. 이 건조 불균일의 발생을 억제시키기 위해, 제1 처리 내지 제3 처리 각각에 있어서, 4개의 개별 밸브(Va, Vb, Vc, Vd)의 개폐 상태를, 순차적으로 전환해도 된다. 예를 들면, 전환 제어부(83)는, 4개의 개별 밸브(Va, Vb, Vc, Vd) 중 1개의 개별 밸브를 폐쇄함과 더불어, 다른 개별 밸브를 개방한다. 그리고, 전환 제어부(83)는, 폐쇄하는 1개의 개별 밸브를 순차적으로 변경한다. 구체적으로는, 1개의 개별 밸브(Va)를 폐쇄하고 다른 3개의 개별 밸브(Vb, Vc, Vd)를 개방하는 제1 상태와, 1개의 개별 밸브(Vb)를 폐쇄하고 다른 3개의 개별 밸브(Va, Vc, Vd)를 개방하는 제2 상태와, 1개의 개별 밸브(Vc)를 폐쇄하고 다른 3개의 개별 밸브(Va, Vb, Vd)를 개방하는 제3 상태와, 1개의 개별 밸브(Vd)를 폐쇄하고 다른 3개의 개별 밸브(Va, Vb, Vc)를 개방하는 제4 상태를 순차적으로 전환한다. 이와 같이 하면, 배기 공정에 있어서, 기판(9)의 상면과 천판부(13) 사이의 공간에 형성되는 기류의 방향이, 개별 밸브(Va, Vb, Vc, Vd)의 전환에 따라 변화한다. 따라서, 기판(9)의 상면의 도포막(90)을, 보다 균일하게 건조시킬 수 있다. 한편, 제4 처리에 있어서는, 용제의 증발은 활발하지 않기 때문에, 4개의 개별 밸브(Va, Vb, Vc, Vd) 전부를 개방해도 된다.

다음에, 제어부(80)가, 급기 밸브(Vf)를 개방한다. 이로 인해, 급기원(62)으로부터 급기 배관(61) 및 급기구(16f)를 지나 챔버(10)의 내부 공간(10s)으로 기체가 공급된다(단계 S3). 이로 인해, 챔버(10) 내의 기압이, 다시 대기압까지 상승한다.

그리고, 예를 들면, 마지막으로, 기판(9)을 챔버(10) 내로부터 반출한다(단계 S4). 단계 S4에서는, 예를 들면, 우선, 게이트부(15)가 제어부(80)의 제어 하에서 반입출구(14)를 개방하고, 도시를 생략한 반송 로봇이, 지지부(20)에 재치된 건조가 완료된 기판(9)을, 챔버(10)의 반입출구(14)를 통해, 챔버(10)의 외부로 반출한다. 이로 인해, 1장의 기판(9)에 대한 감압 건조 처리가 종료될 수 있다.

이와 같이, 감압 건조 장치(1)를 이용하여 기판(9)의 상면으로서의 제1 면(F1)에 형성된 도포막(90)을 건조시키는 방법(감압 건조 방법이라고도 한다)은, 예를 들면, 재치 공정과, 배기 공정을 갖는다.

이상과 같이, 일 실시 형태에 따른 감압 건조 장치(1)에서는, 단계 S1에 있어서, 제1 지지 핀(22a) 및 제2 지지 핀(22b) 상에 기판(9)을 재치한다. 제1 지지 핀(22a)은 제2 지지 핀(22b)보다 굵고, 도 8의 예에서는, 몇몇의 제1 지지 핀(22a)은 기판(9)의 주연 영역 B1을 지지하고 있으며, 제2 지지 핀(22b)은 기판(9)의 내측 영역 B2 중 도포 영역 A1을 지지하고 있다. 굵은 제1 지지 핀(22a)은 기판(9)의 주연 영역 B1을 지지하므로, 예를 들면 배기 공정에 있어서, 기류에 의해 수평 방향 성분의 외력이 기판(9)에 인가되었다고 해도, 기판(9)의 수평 방향의 변위를 보다 확실히 억제할 수 있다.

한편, 배기 공정에 있어서 발생하는 제1 지지 핀(22a)의 주위의 상승 기류 Ga의 발생량은 비교적 크다. 이 때문에, 주연 영역 B1의 온도 분포의 균일성을 저하시킬 수 있다. 그러나, 주연 영역 B1에는 도포막(90)이 형성되어 있지 않기 때문에, 건조 불균일의 발생을 거의 초래하지 않는다.

기판(9)의 도포 영역 A1을 지지하는 제2 지지 핀(22b)은 가늘기 때문에, 배기 공정에 있어서 발생하는 제2 지지 핀(22b)의 주위의 상승 기류 Gb의 발생량을 저감시킬 수 있다. 이 때문에, 상승 기류 Gb에 의한 기판(9)의 도포 영역 A1의 하면으로의 기체의 공급을 억제할 수 있다. 따라서, 도포 영역 A1에 있어서의 온도 분포의 편차량을 저감시킬 수 있어, 도포막(90)에 대한 건조 불균일의 발생을 억제할 수 있다.

이상과 같이, 일 실시 형태에 따른 감압 건조 장치(1)에 의하면, 기판(9)의 수평 방향의 변위의 억제와 도포 영역 A1에 있어서의 온도 분포의 편차의 억제를 양립시킬 수 있다.

또, 도 8의 예에서는, 기판(9)의 내측 영역 B2 중 비도포 영역 A2는 굵은 제1 지지 핀(22a)에 의해 지지되어 있다. 이에 의하면, 기판(9)을 보다 강고하게 지지할 수 있다.

<<지지 핀의 개수>>

상술한 바와 같이, 굵은 제1 지지 핀(22a)에 의해 기판(9)의 수평 방향의 변위를 억제할 수 있다. 이 때문에, 제2 지지 핀(22b)에 대해서는, 좌굴 방향의 강도만을 고려하여, 제2 지지 핀(22b)의 개수를 결정할 수 있다. 예를 들면, 지지 핀(22)의 좌굴 하중 Pcr은 이하의 식으로 표시된다.

여기서, E는 영 계수를 나타내고, Imin은 단면 이차 모멘트의 최소값을 나타내며, L은 지지 핀(22)의 길이를 나타낸다.

예를 들면, 직경이 0.5mm, 영 계수가 4300Mpa, 지지 핀(22)의 길이가 30mm인 경우, 좌굴 하중 Pcr은 약 0.29N이다. 제2 지지 핀(22b)의 1개당 인가되는 기판(9)의 중량이, 좌굴 하중 Pcr 이하가 되면 되므로, 두께가 0.5mm이며, 비중이 3g/cm³인 기판(9)을 지지하려면, 130mm마다 1개의 제2 지지 핀(22b)이 필요해진다.

<<지지 핀의 배열예>>

도 8의 예에서는, 제1 지지 핀(22a)은 기판(9)의 비도포 영역 A2의 하면에 맞닿고, 제2 지지 핀(22b)은 기판(9)의 도포 영역 A1의 하면에 맞닿아 있었다. 도포 영역 A1은 디바이스가 형성되는 디바이스 영역이라고도 할 수 있으므로, 제1 지지 핀(22a)은 기판(9)의 비(非) 디바이스 영역의 하면에 맞닿고, 제2 지지 핀(22b)은 기판(9)의 디바이스 영역에 맞닿아 있다고도 할 수 있다. 그러나, 꼭 이것으로 한정되지 않는다.

도 12는, 기판(9)과 제1 지지 핀(22a) 및 제2 지지 핀(22b)의 위치 관계의 제2 예를 나타내는 도면이다. 도 12의 예에서는, 모든 제1 지지 핀(22a)이 기판(9)의 주연 영역 B1의 하면에 맞닿아 있으며, 모든 제2 지지 핀(22b)이 기판(9)의 내측 영역 B2의 하면에 맞닿아 있다. 반대로 말하면, 모든 제1 지지 핀(22a)은 기판(9)의 내측 영역 B2의 하면에는 맞닿아 있지 않고, 기판(9)의 내측 영역 B2를 피해서 설치되어 있다. 마찬가지로, 모든 제2 지지 핀(22b)은 기판(9)의 주연 영역 B1의 하면에는 맞닿아 있지 않고, 기판(9)의 주연 영역 B1을 피해서 설치되어 있다.

이에 의하면, 기판(9)의 내측 영역 B2의 바로 밑에는, 굵은 제1 지지 핀(22a)이 위치하고 있지 않다. 이 때문에, 기판(9)의 내측 영역 B2 중에서 도포 영역 A1의 개수, 위치 및 형상이 변경되었다고 해도, 기판(9)의 도포 영역 A1은 가는 제2 지지 핀(22b)에 의해서만 지지된다. 이 때문에, 기판(9) 중 도포막(90)이 형성되는 영역은 제2 지지 핀(22b)에 의해서만 지지된다. 따라서, 도포 영역 A1의 개수, 위치 및 형상이 변경되었다고 해도, 도포막(90)에 대한 건조 불균일의 발생을 억제할 수 있다.

<<지지 핀(22)과 기판(9)의 접촉 면적>>

제1 지지 핀(22a)의 상단과 기판(9)의 하면으로서의 제2 면(F2)의 제1 접촉 면적과, 제2 지지 핀(22b)의 상단과 기판(9)의 제2 면(F2)의 제2 접촉 면적의 대소 관계는 특별히 한정되지 않는다. 그런데, 기판(9)의 주연 영역 B1을 지지하는 제1 지지 핀(22a)에 대한 제1 접촉 면적이, 제2 접촉 면적보다 커도 된다.

이에 의하면, 제1 지지 핀(22a)과 기판(9)의 주연 영역 B1 사이의 마찰력을, 제2 지지 핀(22b)과 기판(9) 사이의 마찰력보다 크게 할 수 있다. 이 때문에, 보다 굵은 제1 지지 핀(22a)이 기판(9)의 수평 방향의 어긋남량을 저감시킬 수 있다. 한편, 제1 접촉 면적이 크면, 제1 지지 핀(22a)과 기판(9) 사이에서 이동하는 열의 양은 비교적 커진다. 그러나, 이들 제1 지지 핀(22a)은 기판(9)의 주연 영역 B1(즉 비도포 영역 A2)을 지지하므로, 기판(9)의 도포 영역 A1에 있어서의 온도 분포의 편차를 초래하기 어렵다.

제2 지지 핀(22b)과 기판(9)의 제2 접촉 면적은, 제1 지지 핀(22a)과 기판(9)의 제2 접촉 면적보다 작기 때문에, 제2 지지 핀(22b)과 기판(9) 사이에서 이동하는 열의 양을 저감시킬 수 있다. 제2 지지 핀(22b)은 기판(9)의 도포 영역 A1을 지지하고 있지만, 제2 지지 핀(22b)과 기판(9) 사이의 열의 이동량은 작기 때문에, 도포 영역 A1에 있어서의 온도 분포의 편차를 억제할 수 있다. 따라서, 도포막(90)에 대한 건조 불균일의 발생을 억제할 수 있다.

<<지지 핀(22)의 피치>>

다음에, 제1 지지 핀(22a)들의 피치 및 제2 지지 핀(22b)들의 피치에 대해서 설명한다. 도 13은, 기판(9)과 제1 지지 핀(22a) 및 제2 지지 핀(22b)의 위치 관계의 제3 예를 나타내는 도면이다. 도 13의 예에서는, 제1 지지 핀(22a)들의 피치는 제2 지지 핀(22b)들의 피치보다 넓다.

제1 지지 핀(22a)은 제2 지지 핀(22b)보다 굵기 때문에, 제1 지지 핀(22a)들의 피치를 제2 지지 핀(22b)들의 피치보다 넓게 설정해도, 기판(9)을 적절하게 지지할 수 있다. 반대로 말하면, 기판(9)의 수평 방향의 변위를 억제하면서 기판(9)을 적절하게 지지할 수 있는 정도의 범위에서, 제1 지지 핀(22a)의 피치를 제2 지지 핀(22b)의 피치보다 넓게 설정할 수 있다.

이에 의하면, 제1 지지 핀(22a)의 개수를 저감시킬 수 있어, 감압 건조 장치(1)의 제조 비용을 저감시킬 수 있다. 또, 지지 핀(22)의 상단은 기판(9)과의 접촉에 의해 마모될 수 있다. 즉, 지지 핀(22)은 소모품이므로, 지지 핀(22)의 교환이 필요해지는데, 지지 핀(22)의 개수가 적을수록 지지 핀(22)의 교환 작업의 수고를 저감시킬 수 있다.

<<지지 핀(22)의 재질>>

제2 지지 핀(22b)은 예를 들면 다공질 수지에 의해 형성되어도 된다. 여기서 말하는 다공질 수지란, 수지 내부에 다수의 세공(細孔)이 포함된 구조를 말한다. 이러한 다공질 수지는, 예를 들면, 초임계 발포 성형 등의 발포 성형에 의해 제조될 수 있다. 수지에는, 예를 들면, 폴리프로필렌이 적용될 수 있다. 수지 내부에 형성되는 세공의 직경의 평균값은, 예를 들면, 수 nm 이상이어도 되고, 수십 μm 이하여도 된다.

이러한 제2 지지 핀(22b)의 열전도율은 비교적 낮다. 왜냐하면, 세공 내의 기체는 수지에 비해 열을 전달하기 어렵기 때문에, 제2 지지 핀(22b) 내의 열의 이동이 다수의 세공에 의해 방해되기 때문이다. 제2 지지 핀(22b)의 열전도율은 예를 들면 0.12W/m·K 이하여도 된다.

제2 지지 핀(22b)의 열전도율이 작으면, 제2 지지 핀(22b)과 기판(9)의 내측 영역 B2의 접촉 개소를 통해 제2 지지 핀(22b)과 기판(9) 사이에서 이동하는 열의 양을 저감시킬 수 있다. 이 때문에, 기판(9)의 온도의 균일성을 더 향상시킬 수 있다. 따라서, 기판(9)의 도포 영역 A1에 형성된 도포막(90)의 건조 불균일을 더욱 억제할 수 있다.

또한, 제2 지지 핀(22b) 전체가 다공질 수지에 의해 형성될 필요는 없고, 예를 들면 제2 지지 핀(22b) 중 적어도 제2 맞닿음부(23b)가 다공질 수지에 의해 형성되어 있으면 된다. 예를 들면, 제2 맞닿음부(23b)가 다공질 수지에 의해 형성되고, 제2 기둥형상부(25b)가 비(非) 다공질 수지에 의해 형성되어도 된다. 이로 인해, 제2 지지 핀(22b)과 기판(9) 사이에서 이동하는 열의 양을 저감시킬 수 있다. 물론, 제2 지지 핀(22b) 전체가 다공질 수지에 의해 형성되면, 더욱 열의 이동을 저감시킬 수 있다.

제1 지지 핀(22a)도 제2 지지 핀(22b)과 마찬가지로 다공질 수지에 의해 형성되어도 된다. 이에 의하면, 제1 지지 핀(22a)과 기판(9)의 주연 영역 B1의 접촉 개소를 통해 제1 지지 핀(22a)과 기판(9) 사이에서 이동하는 열의 양을 저감시킬 수 있다. 따라서, 기판(9)의 주연 영역 B1의 온도 분포의 편차량을 저감시킬 수 있다. 나아가서는, 기판(9)의 주연 영역 B1과 내측 영역 B2 사이의 온도차를 저감시킬 수 있어, 주연 영역 B1과 내측 영역 B2 사이의 열의 이동을 저감시킬 수 있다. 이 때문에, 내측 영역 B2 중 단부에 있어서의 온도 분포의 편차의 증대를 억제 또는 회피할 수 있다.

<3. 변형예>

본 개시는, 상술한 일 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 개시의 요지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 여러 가지 변경 및 개량 등이 가능하다.

상기 일 실시 형태에서는, 기판(9)의 주연 영역 B1을 지지하는 2개 이상의 지지 핀(22) 중 적어도 1개가 제1 지지 핀(22a)이면 된다. 바꾸어 말하면, 기판(9)의 주연 영역 B1을 지지하는 2개 이상의 지지 핀(22) 중 몇몇이 제2 지지 핀(22b)이어도 된다. 요컨데, 기판(9)의 주연 영역 B1을 지지하는 2개 이상의 지지 핀(22)이 제1 지지 핀(22a) 및 제2 지지 핀(22b) 양쪽 모두를 포함하고 있어도 된다. 1개 이상의 굵은 제1 지지 핀(22a)이 기판(9)의 주연 영역 B1을 지지하면, 기판(9)의 수평 방향의 변위를 억제할 수 있다. 또한, 주연 영역 B1을 지지하는 지지 핀(22) 중, 적어도 반수 이상이 제1 지지 핀(22a)인 것이 바람직하다.

또, 기판(9)의 도포 영역 A1을 지지하는 2개 이상의 지지 핀(22) 중 적어도 1개가 제2 지지 핀(22b)이면 된다. 바꾸어 말하면, 기판(9)의 도포 영역 A1을 지지하는 2개 이상의 지지 핀(22) 중 몇몇이 제1 지지 핀(22a)이어도 된다. 1개 이상의 가는 제2 지지 핀(22b)이 기판(9)의 도포 영역 A1을 지지하면, 도포 영역 A1을 제1 지지 핀(22a)만이 지지하는 구조와 비교하여, 도포 영역 A1의 온도 분포의 편차량을 저감시킬 수 있다. 또한, 주연 영역 B1을 지지하는 지지 핀(22) 중, 적어도 절반 이상이 제2 지지 핀(22b)인 것이 바람직하다.

또, 도포막(90)이 기판(9) 중 주연 영역 B1을 제외한 전면에 형성되어도 된다.

상기 일 실시 형태에서는, 지지부(20)를 승강시키는 승강부(100)가 존재하고 있지 않아도 된다. 이 경우에는, 복수의 지지 핀(22)은, 저면 정류판(40)의 상면 등의 챔버(10) 내의 부분 혹은 저판부(11)의 상면 등의 챔버(10)에 대해 고정되어 있어도 된다.

상기 일 실시 형태에서는, 예를 들면, 챔버(10)가, 4개의 배기구(16a, 16b, 16c, 16d)를 갖고 있었는데, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 챔버(10)가 갖는 배기구의 수는, 1개 내지 3개 및 5개 이상 중 어느 쪽이어도 된다. 또, 예를 들면, 개별 밸브(Va, Vb, Vc, Vd)는, 없어도 된다.

상기 일 실시 형태에서는, 감압 건조 장치(1)는, 기판(9) 상의 도포막(90)을, 감압에 의해 건조시키는 것이었는데, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 감압 건조 장치(1)는, 감압 및 가열에 의해, 기판(9) 상의 도포막(90)을 건조시키는 것이어도 된다.

상기 일 실시 형태에서는, 챔버(10)의 측벽부(12)에, 기판(9)의 반입출구(14)가 형성되어 있었는데, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 챔버(10)의 4개의 측벽부(12) 및 천판부(13)가 일체의 덮개부를 구성하고 있으며, 이 덮개부가 저판부(11)로부터 분리되어 상방으로 퇴피할 수 있는 구조가 채용되어도 된다. 이 경우에는, 예를 들면, 덮개부가 개폐 구동부(16) 등에 의해 상하로 이동되어도 된다. 그리고, 챔버(10)는, 덮개부가 O링 등의 시일재를 개재하여 저판부(11)에 접촉하여 내부 공간(10s)을 밀폐하고 있는 상태(밀폐 상태)와, 덮개부가 저판부(11)로부터 상방으로 분리되어 내부 공간(10s)을 개방하고 있는 상태(개방 상태)로 선택적으로 설정될 수 있다. 여기서, 챔버(10)가 개방 상태에 있으면, 챔버(10)의 내부 공간(10s)으로의 기판(9)의 반입 및 챔버(10)의 내부 공간(10s)으로부터의 기판(9)의 반출을 행할 수 있다. 챔버(10)가 폐쇄 상태에 있으면, 내부 공간(10s)으로부터의 배기 및 내부 공간(10s)으로의 급기에 의해, 기판(9) 상의 도포막(90)을 감압에 의해 건조시킬 수 있다.

상기 일 실시 형태에서는, 예를 들면, 지지부(20)는 여러 가지 형태를 갖고 있어도 된다. 예를 들면, 복수의 지지 플레이트(21)는, 일체적인 1개의 지지 플레이트(21)여도 된다.

상기 일 실시 형태에서는, 예를 들면, 저면 정류판(40)이 없어도 되고, 측면 정류판(50)이 없어도 된다.

상기 일 실시 형태에서는, 예를 들면, 감압 건조 장치(1)에 있어서의 각종 동작은, 예를 들면, 입력부(804)에 대한 유저의 동작 혹은 통신부(806)에 대해 외부의 장치로부터 입력된 신호 등에 응답하여, 개시 혹은 종료되어도 된다.

상기 일 실시 형태에서는, 예를 들면, 제어부(80)에 있어서, 실현되는 기능적인 구성의 적어도 일부가, 전용의 전자 회로 등의 하드웨어로 구성되어 있어도 된다.

또한, 상기 일 실시 형태 및 각종 변형예를 각각 구성하는 전부 또는 일부를, 적절히, 모순되지 않는 범위에서 조합 가능한 것은, 말할 필요도 없다.

1: 감압 건조 장치 10: 챔버
20: 지지부 22: 지지 핀
22a: 제1 지지 핀 22b: 제2 지지 핀
9: 기판 90: 도포막
30: 배기부 B1: 주연 영역
B2: 내측 영역

Claims

기판의 상면에 형성된 도포막을 건조시키는 감압 건조 장치로서,
상기 기판을 수용하는 챔버와,
상기 챔버 내에 있어서 상기 기판을 하방으로부터 지지하는 복수의 지지 핀과,
상기 챔버 내의 기체를 배출하는 배기부
를 구비하고,
상기 복수의 지지 핀은, 1개 이상의 제1 지지 핀과, 상기 제1 지지 핀보다 가는 1개 이상의 제2 지지 핀을 포함하고,
상기 제1 지지 핀 중 적어도 하나는, 상기 기판 중 주연 영역을 하방으로부터 지지하며,
상기 제2 지지 핀 중 적어도 하나는, 상기 기판의 상기 주연 영역보다 내측의 내측 영역 중, 상기 도포막이 형성된 영역을 하방으로부터 지지하는, 감압 건조 장치.
청구항 1에 있어서,
상기 기판의 상기 내측 영역은 상기 제2 지지 핀에 의해서만 지지되는, 감압 건조 장치.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 지지 핀 중 적어도 다른 하나는, 상기 기판의 상기 내측 영역 중 상기 도포막이 형성된 상기 영역 이외의 영역을 지지하는, 감압 건조 장치.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 지지 핀과 상기 기판의 접촉 면적은, 상기 제2 지지 핀과 상기 기판의 접촉 면적보다 넓은, 감압 건조 장치.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 지지 핀의 피치는, 상기 제2 지지 핀의 피치보다 넓은, 감압 건조 장치.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 지지 핀의 열전도율은 0.12W/m·K 이하인, 감압 건조 장치.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2 지지 핀은 다공질 수지에 의해 형성되어 있는, 감압 건조 장치.