TWI547678B - 減壓乾燥裝置以及減壓乾燥方法 - Google Patents

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Description

減壓乾燥裝置以及減壓乾燥方法
本發明是有關於一種減壓乾燥裝置以及減壓乾燥方法，對形成於被處理基板上的塗布液在減壓狀態下實施乾燥處理。
先前，在基板處理裝置(例如，液晶面板製造裝置等)中，已知有減壓乾燥裝置，所述減壓乾燥裝置對在基板表面塗布有塗布液的基板實施減壓乾燥處理。例如，在光微影(photolithography)步驟中使用減壓乾燥裝置，以使塗布於玻璃基板等被處理基板上的抗蝕液的塗布膜在預烘乾(prebaking)之前適度地乾燥。
現有的具有代表性的減壓乾燥裝置例如，如專利文獻1所記載，將基板水平地載置於基板支撐構件上之後，關閉腔室而進行減壓乾燥處理，所述基板支撐構件配設於可開閉的腔室內的適當高度。
在這種減壓乾燥處理中，首先，通過設置於腔室內的排氣口，藉由外部的真空泵來進行腔室內的真空排氣。藉由所述真 空排氣，腔室內的壓力從在此之前的大氣壓狀態變為減壓狀態，在所述減壓狀態下溶劑成分從基板上的蝕刻塗布膜蒸發。接著，在腔室內的壓力被減低至固定壓力為止的時點，結束腔室內的減壓。然後，從設置於腔室內的供給口噴出或擴散釋放出惰性氣體(例如氮氣)或者空氣，使腔室內的壓力恢復至大氣壓(使壓力恢復)。當腔室內壓力恢復後，提起上部腔室而打開腔室，搬出基板。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-64400號公報
在這種減壓乾燥處理中，存在如下情況：在所述壓力恢復的步驟中，伴隨著腔室內的壓力急劇上升，懸浮於腔室內的溶劑成分變為液滴。並且，如果變為液滴的溶劑成分附著於基板的表面上，那麼對所述基板來說會因殘渣而引起缺陷，從而導致良率下降。
作為用於防止溶劑成分變為液滴的構成，通常在這種減壓乾燥裝置中設置測量腔室內的壓力的壓力感測器(sensor)。並且，以腔室內的壓力被減低至固定壓力(溶劑成分得以充分乾燥的壓力)為止之後開始進行壓力恢復步驟的方式而進行順序控制(sequence control)，由此可以降低溶劑成分變為液滴的可能性。但是，由於近年來的基板的大型化、以及伴隨於此的腔室的大型 化，即使在腔室內，在各個部分所產生的壓力的差也增大，從而難以藉由所述壓力感測器來充分掌握腔室內整體的壓力狀態(溶劑成分是否已乾燥)。
而且，根據減壓乾燥裝置的使用形態，還存在如下情況：在減壓步驟中不使壓力減低至所述固定壓力為止便開始進行壓力恢復步驟。在所述情況下，即使可以藉由壓力感測器來完全掌握腔室內的壓力狀態，在減壓步驟中未能完全去除腔室內的溶劑成分的狀態下執行壓力恢復步驟，溶劑成分也有可能變為液滴。
作為用於解決這種「由溶劑成分的液滴化所引起的殘渣缺陷」的問題的方法，已知有如下方法：藉由在壓力恢復步驟中以微弱的供氣壓緩慢地使腔室內壓力恢復，來防止腔室內的壓力急劇上升。但是，在所述情況下，會產生「減壓乾燥處理的處理時間增大」的新問題。
本發明是為了解決所述問題而開發的，目的在於提供一種減壓乾燥裝置，降低由溶劑成分的液滴化所引起的基板的殘渣缺陷的可能性，並且不增大減壓乾燥處理的處理時間。
為了解決所述問題，技術方案1所述的發明是一種減壓乾燥裝置，對基板進行減壓乾燥處理，所述基板包括第1主面及第2主面，並且在所述第1主面上上塗布有包含溶劑的塗布液，所述減壓乾燥裝置的特徵在於：包括腔室，收納所述基板；支撐部，在所述腔室內以水平姿勢支撐所述基板；排氣部，通過向所述腔室內開口的排氣口而對所述腔室內進行排氣；供氣部，通過 向所述腔室內開口的供氣口而對所述腔室內供氣；以及控制部，控制所述排氣部的所述排氣以及所述供氣部的所述供氣，並且在所述供氣口中，包含至少一個一側供氣口，所述至少一個一側供氣口沿規定的水平方向，從被所述支撐部支撐的所述基板的中心觀察時向一側的第1空間區域內開口，在所述腔室內進行基板的減壓乾燥後，所述控制部控制所述供氣部而使所述腔室內壓力恢復時，使用所述一側供氣口對所述腔室內供氣，由此至少在所述基板的所述第1主面上形成單向氣流，所述單向氣流沿所述水平方向，從所述第1空間區域越過所述中心而流向另一側的第2空間區域內。
技術方案2所述的發明根據技術方案1所述的減壓乾燥裝置，其特徵在於：當關於所述腔室的內部空間，以規定為所述壓力恢復時的所述基板的高度的虛擬水平面為邊界，定義出所述第1主面側的第1部分空間與所述第2主面側的第2部分空間時，所述一側供氣口設置於所述第2部分空間，並且向所述第1部分空間開口。
技術方案3所述的發明根據技術方案2所述的減壓乾燥裝置，其特徵在於：所述排氣口設置於第2部分空間，所述一側供氣口在水平面觀察時在較所述排氣口更靠所述腔室的側壁側開口，並且在結束所述減壓乾燥而轉入至所述壓力恢復時，所述控制部控制所述供氣部以及所述排氣部的動作順序，以成為如下時序關係：在所述排氣口位置的排氣壓消失之前，在所述一側供氣 口的位置的供氣壓上升。
技術方案4所述的發明根據技術方案2或技術方案3所述的減壓乾燥裝置，其特徵在於：所述一側供氣口在水平面觀察時，在較所述壓力恢復時的所述基板的存在位置更靠所述腔室的側壁側開口，並且朝向從垂直軸往所述基板側傾斜的方向開口。
技術方案5所述的發明根據技術方案1至技術方案4中任一項所述的減壓乾燥裝置，其特徵在於：所述一側供氣口形成為沿與所述水平方向正交的方向排列的多個點狀的開口。
技術方案6所述的發明根據技術方案1至技術方案4中任一項所述的減壓乾燥裝置，其特徵在於：所述一側供氣口形成為沿與所述水平方向正交的方向延伸的狹縫狀的開口。
技術方案7所述的發明是一種減壓乾燥方法，對基板進行減壓乾燥處理，所述基板包括第1主面及第2主面，並且在所述第1主面上塗布有包含溶劑的塗布液，所述減壓乾燥方法的特徵在於：包括減壓步驟，對以水平姿勢收納有所述基板的腔室內進行減壓；以及壓力恢復步驟，在所述減壓步驟之後，使所述腔室內壓力恢復，並且在所述壓力恢復步驟中，至少在所述基板的所述第1主面上形成單向氣流，所述單向氣流在所述腔室內，沿規定的水平方向，從所述基板的中心觀察時從一側的第1空間區域越過所述中心而流向另一側的第2空間區域內。
根據技術方案1至技術方案7所述的發明，在減壓乾燥 後的腔室內的壓力恢復時，沿水平方向從基板的一側供給的氣流成為單向氣流，越過塗布有塗布液的基板的第1主面的中心而流向另一側。因此，經蒸發的溶劑成分在第1主面上被有效率地向另一側沖走，從而難以在基板的第1主面上變為液滴。因此，可以降低由溶劑成分的液滴化所引起的基板的殘渣缺陷的可能性。並且，不需要延長壓力恢復步驟所需的時間，因此不會增大減壓乾燥處理的處理時間。
特別是在技術方案2所述的發明中，在壓力恢復步驟中的供氣時，形成為不會直接向基板的第1主面側吹附氣體的供氣方向。因此，不會在基板的第1主面上產生由壓力恢復時的氣流的影響所造成的流動不均。
並且，供氣口(一側供氣口)向基板的第1主面側的第1部分空間開口，因此在基板的第1主面側流動的所述單向氣流相對快於在基板的第2主面側流動的氣流。其結果為，可以進一步降低壓力集中區域(在基板的兩主面上分別流動的兩個氣流成分的碰撞部位)產生於基板的第1主面側的可能性，從而殘渣缺陷的風險進一步下降。
特別是在技術方案3所述的發明中，以從減壓步驟轉入至壓力恢復步驟時，能夠從排氣口有效率地排出懸浮於一側供氣口附近的溶劑的蒸氣的方式，來規定排氣口與一側供氣口的相對的位置關係、以及供氣及排氣的相對的時序關係。因此，能夠進一步降低由溶劑成分的液滴化所引起的基板的殘渣缺陷的可能 性。
特別是在技術方案4所述的發明中，藉由預先使供氣口(一側供氣口)的開口方向傾斜，可以有效率地向基板的第1主面上供氣，其結果為，將塗布液的溶劑蒸氣從基板的第1主面上沖走的作用強大，殘渣缺陷的風險進一步下降。
1、1A‧‧‧減壓乾燥裝置
8‧‧‧控制部
9‧‧‧塗布裝置
10‧‧‧腔室
10S‧‧‧側壁
11‧‧‧下部腔室
12‧‧‧上部腔室
13‧‧‧升降機構
14‧‧‧O形圈
20‧‧‧支撐部
21‧‧‧支撐銷
22‧‧‧支撐板
23‧‧‧升降構件
24‧‧‧升降機構
30‧‧‧排氣部
31、31a、31b、31c、31d‧‧‧排氣口
32、32a、32b、32c、32d‧‧‧排氣管
33、33a、33b、33c、33d‧‧‧開閉閥
34‧‧‧壓力控制閥
35‧‧‧真空泵
40、40A‧‧‧供氣部
41、41a、41b、41c、41d‧‧‧供氣口(一側供氣口)
42、42a、42b、42c、42d‧‧‧供氣管
43、43a、43b、43c、43d‧‧‧開閉閥
44、44a、44b、44c、44d‧‧‧流量調整閥
45‧‧‧氣體供給源
46、46B‧‧‧供氣構件
47‧‧‧開口部
48‧‧‧圓形開口
50‧‧‧壓力感測器
81‧‧‧CPU
82‧‧‧ROM
83‧‧‧RAM
84‧‧‧硬碟
86‧‧‧顯示裝置
87‧‧‧輸入裝置
88‧‧‧讀取裝置
89‧‧‧匯流排
90‧‧‧平臺
91‧‧‧狹縫噴嘴
92‧‧‧噴嘴支撐體
93‧‧‧導軌
94‧‧‧水平移動機構
AF1、AF2‧‧‧氣流
AF10‧‧‧抽吸氣流
AF20‧‧‧噴出氣流
FG‧‧‧手指部
G‧‧‧基板
IF‧‧‧虛擬邊界面
IP‧‧‧虛擬水平面
L‧‧‧處理空間
L1‧‧‧+Y空間區域
L2‧‧‧-Y空間區域
L11‧‧‧上部空間
L12‧‧‧下部空間
PD‧‧‧壓力集中區域
PO‧‧‧中心位置
PR‧‧‧程式
RM‧‧‧記錄介質
S1‧‧‧第1主面
S2‧‧‧第2主面
ST1~ST12‧‧‧步驟
TR‧‧‧搬送機械手
T1~T5‧‧‧時刻
X、Y、Z‧‧‧方向
θ‧‧‧傾斜角度
圖1是表示第1實施方式的減壓乾燥裝置1與塗布裝置9的位置關係的配置圖。
圖2是表示第1實施方式的塗布裝置9的構成的立體圖。
圖3是表示第1實施方式的減壓乾燥裝置1的構成的縱截面圖。
圖4是表示第1實施方式的減壓乾燥裝置1的構成的俯視圖。
圖5是表示第1實施方式的減壓乾燥裝置1的構成，特別是排氣部30的構成的俯視圖。
圖6是表示第1實施方式的減壓乾燥裝置1的構成，特別是供氣部40的構成的俯視圖。
圖7是表示第1實施方式的減壓乾燥裝置1的構成，特別是處理空間L的構成的概念圖。
圖8是表示第1實施方式的控制部8的電氣構成的框圖。
圖9是表示第1實施方式的減壓乾燥裝置1的處理動作的一例的動作流程圖。
圖10是表示第1實施方式的減壓步驟與壓力恢復步驟中的排氣部30與供氣部40的動作時序的時序圖。
圖11是概念性地表示第1實施方式的減壓乾燥裝置1中，因排氣的影響而產生於腔室10內的氣流AF1的側視圖。
圖12是概念性地表示第1實施方式的減壓乾燥裝置1中，因排氣的影響而產生於腔室10內的氣流AF1的俯視圖。
圖13是概念性地表示第1實施方式的減壓乾燥裝置1中，因供氣的影響而產生於腔室10內的氣流AF2的側視圖。
圖14是概念性地表示第1實施方式的減壓乾燥裝置1中，因供氣的影響而產生於腔室10內的氣流AF2的俯視圖。
圖15是表示第2實施方式的減壓乾燥裝置1A的構成的縱截面圖。
圖16(a)及圖16(b)是表示第2實施方式的減壓乾燥裝置1A的構成，特別是供氣構件46的構成的示意圖。
圖17是概念性地表示第2實施方式的減壓乾燥裝置1A中，因供氣的影響而產生於腔室10內的氣流AF2的側視圖。
圖18是概念性地表示第2實施方式的減壓乾燥裝置1A中，因供氣的影響而產生於腔室10內的氣流AF2的俯視圖。
圖19是表示第2實施方式的變形例的供氣構件46B的構成的示意圖。
<1.第1實施方式>
<1.1 減壓乾燥裝置1以及周邊裝置的構成>
以下，參照附圖說明本發明的第1實施方式。
本發明是可以應用於各種基板處理流程中的減壓乾燥裝置(減壓乾燥方法)，但是在以下說明中，是說明用於實施了蝕刻塗布處理的液晶顯示裝置用的玻璃基板(以下，稱為「基板G」)的減壓乾燥裝置(減壓乾燥方法)。
圖1是表示本發明的第1實施方式中的減壓乾燥裝置1與塗布裝置9的位置關係的一例的配置圖。在圖1以後的各圖中，將X方向以及Y方向規定為規定水平面的正交兩個方向，此外將Z方向規定為與所述X方向及Y方向正交的垂直方向。
圖2是表示第1實施方式中的塗布裝置9的構成的立體圖。並且，在以下說明中，將基板G的表面側(塗布抗蝕液之側)的主面稱為「第1主面S1」，將基板G的背面側(不塗布抗蝕液之側)的主面稱為「第2主面S2」。
塗布裝置9是在基板G的第1主面S1上塗布抗蝕液的裝置，包括：平臺(stage)90，包括能夠以水平姿勢吸附保持基板G的保持面；長條型的狹縫噴嘴(slit nozzle)91，沿X方向延伸；橋樑式構造的噴嘴支撐體92，沿X方向橫貫平臺90的上面而支撐狹縫噴嘴91；以及水平移動機構94(例如，電動直線電動機(linear motor))，使狹縫噴嘴91(噴嘴支撐體92)沿在Y方向上延伸的一對導軌(guide rail)93水平移動。
進行塗布處理時，在以第1主面S1向上的方式將基板 G水平地保持於平臺90上的狀態下，由抗蝕液供給部(未圖示)以規定的流量將抗蝕液供送至狹縫噴嘴91，並且利用水平移動機構94以固定速度沿Y方向移動狹縫噴嘴91(噴嘴支撐體92)。由此，從所述狹縫噴嘴91的噴出口將抗蝕液供給至基板G上，在基板G的第1主面S1上以固定的膜厚形成抗蝕液的塗布膜。
搬送機械手(robot)TR是如下機械手：將利用塗布裝置9在其第1主面S1上塗布有抗蝕液的基板G搬送至減壓乾燥裝置1，並且將利用減壓乾燥裝置1完成了減壓乾燥處理的基板G搬送至下一個步驟的預烘乾單元(未圖示)。
搬送機械手TR是如下機械手：包括沿水平方向延伸的四根棒狀構件即手指部FG，並且包括以垂直方向為中心進行旋轉的旋轉驅動機構、升降機構、水平移動機構(均未圖示)。搬送機械手TR藉由使所述機構能動化，而可以在各裝置間交接基板G。
圖3是表示本發明的第1實施方式的減壓乾燥裝置1的構成的縱截面圖。
減壓乾燥裝置1包括腔室10，所述腔室10包括：下部腔室11，固定於所述裝置；以及可動的上部腔室12，作為能夠相對於下部腔室11開閉的上蓋而發揮作用。上部腔室12與內置有驅動源的升降機構13相連結，並被所述升降機構13上下驅動。由於形成為這種構成，所以能夠使上部腔室12與下部腔室11密接(密閉腔室)或分離(打開腔室)。並且，在密接狀態下，在腔室10的內部形成基板G的處理空間L。另一方面，在分離狀態下， 可以在腔室10的內部與搬送機械手TR之間進行基板G的交接。
當搬送機械手TR將基板G搬入至減壓乾燥裝置1時，減壓乾燥裝置1提起上部腔室12而使腔室打開。接著，搬送機械手TR將基板G載置於多個支撐板22上，其中多個支撐板22設置於腔室10內，當搬送機械手TR退避至腔室10外部時，放下上部腔室12而使腔室10為密閉狀態。在所述密閉狀態下，對腔室10內的基板G按時間順序執行減壓處理以及壓力恢復處理，由此對形成於基板G上的蝕刻塗布膜實施減壓乾燥處理，在所述基板G的第1主面S1上均勻地獲得所需的蝕刻膜質特性。
並且，當在減壓乾燥裝置1中一次(一塊基板)的減壓乾燥處理結束時，升降機構13提起上部腔室12而形成為腔室打開狀態。搬送機械手TR進入至所述腔室內，從支撐板22接收並搬出處理完畢的基板G，並將基板G搬送至下一個步驟進行預烘乾的預烘乾單元(未圖示)。
<1.2 減壓乾燥裝置1的各部分的構成>
圖4是表示本發明的第1實施方式的減壓乾燥裝置1的構成的俯視圖。再者，在圖4中，表示了已去除減壓乾燥裝置l的構成中的圖3所示的上部腔室12以及升降機構13的構成。
如上所述，減壓乾燥裝置1是用於對經蝕刻塗布後的基板G進行減壓乾燥處理，使所述抗蝕液乾燥而形成抗蝕膜的裝置。減壓乾燥裝置1大致包括：腔室10，收納基板；支撐部20，在腔室10內以水平姿勢支撐基板；排氣部30，通過向腔室10內 開口的排氣口31而進行腔室10內的排氣；供氣部40，通過向腔室10內開口的供氣口41而對腔室10內供氣；以及壓力感測器50，檢測腔室10內的壓力(參照圖3、圖4)。並且，減壓乾燥裝置1包括控制部8，作為用於控制所述各部分的動作的構成。
腔室10是內部包含用於對基板進行減壓乾燥處理的處理空間L的耐壓容器。如上所述，腔室10包括可以彼此分離的下部腔室11及上部腔室12，下部腔室11固定於所述裝置，在上部腔室12上連接有內置驅動源的升降機構13。作為所述升降機構13，例如可以採用包括氣缸(air cylinder)或電動直線電動機的升降機構。
在下部腔室11的上表面的周緣部，設置有由矽膠等所構成的O形圈14。因此，當上部腔室12藉由升降機構13而下降時，下部腔室11的上表面與上部腔室12的下表面之間藉由O形圈14而密閉，從而形成於腔室10內部的處理空間L成為氣密狀態。
支撐部20是用於在腔室10的內部以水平姿勢支撐基板G的機構，包括：多個支撐板22，在其上表面包含多個支撐銷(support pin)21；多個升降構件23，分別抵接於所述多個支撐板22而設置；以及升降機構24，對多個升降構件23一體地上下驅動。
如圖3所示，多個(本實施方式中為三個)支撐板22分別設置成達到相同的高度位置。因此，藉由使各支撐銷21的頭 部抵接於基板G的第2主面S2，而以水平姿勢支撐基板G。
多個升降構件23與配置於腔室10的外部的一個升降機構24相連結，分別貫通下部腔室11的底部而向腔室10的內部突出。並且，多個升降構件23與下部腔室11的底部藉由未圖示的密封構件而真空密封，從而防止腔室10內外的氣體從所述貫通部分連通。
並且，藉由使升降機構24進行動作，而對多個升降構件23以及多個支撐板22一體地上下驅動，從而可以調節在腔室10內基板G被支撐的高度。作為所述升降機構24，與升降機構13相同，可以採用包括氣缸或電動直線電動機的升降機構。
多個支撐板22(本實施方式中為三個支撐板22)是沿X方向延伸的長條型的板狀構件，沿Y方向隔開固定間隔而平行地設置。並且，如圖1所示，搬送機械手TR從-X方向側進入至減壓乾燥裝置1而將基板G搬入或搬出減壓乾燥裝置1。因此，在進入至減壓乾燥裝置1的時序，搬送機械手TR的手指部FG(四根棒狀構件)及多個支撐板22是分別沿Y方向隔開固定間隔而平行地設置。並且，手指部FG的相鄰的棒狀構件彼此的Y方向間隔形成為大於一個支撐板22的Y方向寬度。由於形成為這種構成，所以即使在搬送機械手TR進入至腔室10內的情況下，在俯視觀察時在手指部FG的四股空隙部分配置有多個支撐板22，從而支撐板22與搬送機械手TR也不會發生碰撞。
因此，藉由使保持著基板G的手指部FG移動至支撐板 22的正上方，利用升降機構24使支撐板22上升至手指部FG的上方為止，可以將基板G從搬送機械手TR傳送至減壓乾燥裝置1。並且，藉由使手指部FG移動至載置有基板G的支撐板22的正下方，利用升降機構24使支撐板22下降至手指部FG的下方為止，可以將基板G從腔室10傳送至搬送機械手TR。
圖5是概念性地表示本實施方式的減壓乾燥裝置1的排氣的構成的俯視圖。再者，在圖5中，用虛線表示在減壓步驟時基板G所存在的位置，將此時的基板G的中心表示為中心位置PO。在本實施方式的情況下，基板G為矩形，因此其中心位置PO定義為所述矩形的兩條對角線的交點。當基板如半導體晶片為大致圓形時，將在基板支撐於腔室內的狀態下的所述圓的中心點定義為中心位置。
排氣部30是用於抽吸排出腔室10內的氣體而使腔室10內為減壓狀態的配管系統，包括向腔室10內開口的排氣口31、排氣管32、開閉閥(on-off valve)33、壓力控制閥34以及真空泵35。再者，在以下說明中，關於排氣口31、排氣管32、開閉閥33的各個，在對其構成要素進行命名時，有時使用「排氣口31a、排氣口31b、排氣口31c、排氣口31d」，「排氣管32a、排氣管32b、排氣管32c、排氣管32d」，「開閉閥33a、開閉閥33b、開閉閥33c、開閉閥33d」的表達。
排氣口31a、排氣口31b、排氣口31c、排氣口31d向腔室10內開口，並且分別通過排氣管32a、排氣管32b、排氣管32c、 排氣管32d而與壓力控制閥34以及真空泵35相連接。並且，在排氣管32a、排氣管32b、排氣管32c、排氣管32d上，分別設置有開閉閥33a、開閉閥33b、開閉閥33c、開閉閥33d。此外，真空泵35與排氣管線相連接。
開閉閥33、壓力控制閥34以及真空泵35與控制部8電性連接。因此，控制部8在使真空泵35進行動作的狀態下，打開開閉閥33及壓力控制閥34，由此將腔室10內的氣體抽吸至排氣口31，並經由排氣管32向排氣管線排氣。另一方面，藉由控制部8關閉開閉閥33而使腔室10內的排氣停止。如上所述，在本實施方式的減壓乾燥裝置1中，在真空泵35進行動作的狀態下，藉由開閉閥33的開閉而進行腔室10內的排氣的接通(on)或斷開(off)控制。因此，與藉由真空泵35的接通或斷開來進行腔室10內的排氣的接通或斷開控制的情況不同，本實施方式在排氣開始時也可以實現充分的排氣力。
並且，藉由利用控制部8調節壓力控制閥34的開度，可以調節排氣部30的排氣力。藉由如上所述調節排氣力，可以對使腔室10內緩慢減壓的狀態(副排氣)與使腔室10內急劇減壓的狀態(主排氣)進行切換。在下述減壓步驟中，採用了進行副排氣並經過固定時間後切換為主排氣的動作順序。如此一來，防止了伴隨著腔室10內的急劇減壓，塗布於基板G上的抗蝕液中所含的溶劑成分發生暴沸。
圖6是示意性地表示本實施方式的減壓乾燥裝置1的供 氣的構成的俯視圖。再者，在圖6中，用虛線表示壓力恢復步驟時基板G所存在的位置，並將此時的基板的中心表示為中心位置PO。
供氣部40是用於向腔室10內供給氣體，使藉由排氣部30而成為減壓狀態的腔室10內的壓力恢復至大氣壓為止的配管系統，包括供氣口41、供氣管42、開閉閥43、流量調整閥44及氣體供給源45。再者，在以下說明中，關於供氣口41、供氣管42、開閉閥43、流量調整閥44的各個，在對其構成要素進行命名時，有時使用「供氣口41a、供氣口41b、供氣口41c、供氣口41d」，「供氣管42a、供氣管42b、供氣管42c、供氣管42d」，「開閉閥43a、開閉閥43b、開閉閥43c、開閉閥43d」，「流量調整閥44a、流量調整閥44b、流量調整閥44c、流量調整閥44d」的表達。
作為利用供氣部40供給至腔室10內的氣體，例如可以採用氮氣或壓縮空氣等，但是在以下說明中，說明供給氮氣的情況。
供氣口41a、供氣口41b、供氣口41c、供氣口41d向腔室10內開口，並分別通過供氣管42a、供氣管42b、供氣管42c、供氣管42d而與氣體供給源45相連接。並且，在供氣管42a、供氣管42b、供氣管42c、供氣管42d上，分別設置有開閉閥43a、開閉閥43b、開閉閥43c、開閉閥43d以及流量調整閥44a、流量調整閥44b、流量調整閥44c、流量調整閥44d。
開閉閥43、流量調整閥44以及氣體供給源45與控制部 8電性連接。因此，控制部8將開閉閥43及流量調整閥44打開並且從氣體供給源45供給氮氣，由此所述氮氣經由供氣管42，從供氣口41供給至腔室10內。其結果為，腔室10內的壓力恢復至大氣壓為止。另一方面，控制部8停止從氣體供給源45供給氮氣，由此停止腔室10內的壓力恢復。
並且，可以通過調節流量調整閥44的開度來調節供氣部40的供氣力。藉由如上所述調節供氣力，可以對使腔室10內緩慢地恢復壓力的狀態(緩慢吹除(slow purge))與使腔室10內急劇地恢復壓力的狀態(主吹除(main purge))進行切換。
因此，藉由利用緩慢吹除進行壓力恢復步驟，可以防止腔室10內的壓力急劇增加，從而降低在腔室10內可能以氣體狀態存在的抗蝕液的溶劑成分變為液滴的可能性。所述液滴附著於基板G的第1主面S1上會導致基板G的殘渣缺陷，因此緩慢吹除具有降低殘渣缺陷的風險的優點。另一方面，如果利用主吹除進行壓力恢復步驟，則具有縮短壓力恢復步驟的處理時間，實現生產節拍提高(takt up)的優點。
圖7是將形成於密閉狀態的腔室10內的處理空間L概念性地加以分割而表示的側視圖。再者，圖7是表示腔室10、排氣口31及供氣口41的構成的圖，剩餘的構成(支撐部20等)已省略。而且，圖7中的基板G的位置表示了在減壓步驟以及壓力恢復步驟時被支撐部20支撐的情況下所存在的基板G的位置。
在以下說明中，從被支撐部20支撐的基板G的中心位 置PO觀察，將水平方向的一側(在本實施方式中為+Y側)的處理空間L稱為「+Y空間區域L1」，將另一側(在本實施方式中為-Y側)的處理空間L稱為「-Y空間區域L2」。而且，關於處理空間L，以規定為減壓步驟以及壓力恢復步驟時的基板G的高度的虛擬水平面IP為邊界，將第1主面S1側(在本實施方式中為+Z側)稱為「上部空間L11」，將第2主面S2側(在本實施方式中為-Z側)稱為「下部空間L12」。
再者，「+Y空間區域L1」、「-Y空間區域L2」、「上部空間L11」以及「下部空間L12」分別相當於本發明中的「第1空間區域」、「第2空間區域」、「第1部分空間」以及「第2部分空間」。
利用關於這種處理空間L的概念性的分割，說明本實施方式的減壓乾燥裝置1中的排氣口31a、排氣口31b、排氣口31c、排氣口31d以及供氣口41a、供氣口41b、供氣口41c、供氣口41d的配置關係。
對應於矩形狀的下部腔室11底面的四角，各設置有一個排氣口31a、排氣口31b、排氣口31c、排氣口31d。更具體而言，配置於-Y空間區域L2的排氣口31a、排氣口31c與配置於+Y空間區域L1的排氣口31d、排氣口31b在水平面觀察時，相對於基板G的中心位置PO成為點對稱的配置(參照圖5)。
因此，當藉由下述減壓步驟而抽吸排出腔室10內的氣體時，在基板G的第1主面S1側(+Z側)，產生從中心位置PO向排氣口31a、排氣口31b、排氣口31c、排氣口31d均勻地擴散 的四個方向的氣流AF1(參照圖12)。
另一方面，供氣口41a、供氣口41b、供氣口41c、供氣口41d從基板G的中心位置PO觀察時，均設置於一側(+Y方向側)的下部腔室11的底面(參照圖6)。如上所述，供氣口41a、供氣口41b、供氣口41c、供氣口41d作為從基板的中心位置PO觀察時向一側的+Y空間區域L1(「第1空間區域」)內開口的「一側供氣口」而發揮作用。
因此，在下述壓力恢復步驟中向腔室10內供給氮氣之後緊接著的時序中，在供氣口41a、供氣口41b、供氣口41c、供氣口41d所處的+Y空間區域L1內，形成與-Y空間區域L2相比為正壓的環境。其結果為，在基板G的第1主面S1側(+Z側)，產生從+Y空間區域L1越過中心位置PO而流向-Y空間區域L2的單向氣流AF2(參照圖14)。但是，這裏的所謂「越過中心位置PO」，不是指「通過中心位置PO的正上方」，而是指越過作為+Y空間區域L1與-Y空間區域L2的邊界線而通過中心位置PO的虛擬邊界面IF(參照圖14)。
並且，在本實施方式的減壓乾燥裝置1中，排氣口31以及供氣口41均配置於基板G的第2主面S2側(-Z側)即下部空間L12。因此，減壓步驟中所產生的氣流AF1中產生於排氣口31附近的強大氣流即抽吸氣流AF10、壓力恢復步驟中所產生的氣流AF2中產生於供氣口41附近的強大氣流即噴出氣流AF20不會直接影響到基板G的第1主面S1(塗布有抗蝕液之側的主面)(參 照圖11、圖13)。因此，在基板G的第1主面S1上，不易產生由所述氣流的影響所引起的抗蝕液的液體不均。
並且，如圖4所示，供氣口41在水平面觀察時，在較排氣口31更靠腔室10的側壁10S側開口。關於形成為這種配置關係的理由，將在後文描述。
壓力感測器50是用於測定腔室10內的壓力的裝置(參照圖3)。在本實施方式的減壓乾燥處理中，在藉由壓力感測器50而測定的腔室10內的壓力達到規定值的時序，結束排氣部30的抽吸排氣(減壓步驟)，開始藉由供氣部40向腔室10內供給氮氣(壓力恢復步驟)。作為這種壓力感測器50，例如可以採用真空計(vacuum gauge)。
圖8所示的控制部8控制設置於減壓乾燥裝置1中的所述各種動作機構。作為控制部8的硬體的構成與一般的電腦相同。即，控制部8是將中央處理單元(central processing unit，CPU)81、唯讀記憶體(read only memory，ROM)82、隨機存取記憶體(random access memory，RAM)83及硬碟84連接於匯流排(bus line)89而構成，CPU81進行各種運算處理，ROM82是儲存基本程式的讀取專用的記憶體，RAM83是儲存各種資訊的讀寫自如的記憶體，硬碟84中預先儲存處理程式PR或資料等。
在匯流排89上，連接有升降機構13、升降機構24、排氣部30、供氣部40以及壓力感測器50。控制部8的CPU81藉由執行硬碟84中所存儲的處理程式PR，而控制減壓乾燥裝置1的 各動作機構，進行對基板G的減壓乾燥處理。
並且，在匯流排89上，電性連接有顯示裝置86以及輸入裝置87。顯示裝置86例如使用液晶顯示器等而構成，顯示處理結果或訊息(message)等各種資訊。輸入裝置87例如使用鍵盤或滑鼠等而構成，接受命令(command)或參數(parameter)等的輸入。裝置的操作員可以一邊確認顯示於顯示裝置86的內容，一邊利用輸入裝置87進行命令或參數等的輸入。再者，也可以設為將顯示裝置86與輸入裝置87加以一體化而構成為觸控面板(touch panel)。
此外，在匯流排89上，連接有從數位化通用磁片(digital versatile disc，DVD)或光碟唯讀記憶體(compact disc read-only memory，CD-ROM)等記錄介質RM讀取記錄內容的讀取裝置88。處理程式PR也可以設為被讀取裝置88從記錄介質RM讀取並存儲於硬碟84。而且，處理程式PR也可以設為經由網路從外部的資訊處理裝置下載。
<1.3 減壓乾燥裝置1的動作>
圖9是表示本實施方式中的減壓乾燥裝置1的處理動作的一例的動作流程圖。以下，按照圖9所示的動作流程，說明減壓乾燥裝置1的動作。
在減壓乾燥裝置1中處理基板G時，首先，藉由升降機構13使上部腔室12上升，將腔室10打開(步驟ST1)。
然後，當藉由搬送機械手TR將基板G搬入至腔室10 的內部時，藉由升降機構24使多個支撐板22上升，將基板G傳送至多個支撐銷21上。然後，搬送機械手TR退避至腔室10的外部，支撐於多個支撐板22上的基板G藉由升降機構24下降至執行減壓乾燥處理的高度為止(步驟ST2)。
當如上所述將基板G搬入至腔室10內並進行其高度調節後，藉由升降機構13使上部腔室12下降，從而使腔室10為密閉狀態(步驟ST3)。再者，藉由升降機構24所進行的支撐板22的升降也可以與藉由升降機構13所進行的上部腔室12的升降同步地進行。
圖10是表示減壓步驟(步驟ST4~步驟ST7A)與壓力恢復步驟(步驟ST7B~步驟ST9)的排氣部30(真空泵35)與供氣部40(氣體供給源45)的動作時序的時序圖。
並且，圖11、圖12是概念性地表示在減壓步驟(包括副排氣及主排氣)中，因排氣部30的排氣的影響而產生於腔室10內的氣流AF1的側視圖以及俯視圖。再者，圖12是以去除了上部腔室12及升降機構13的構成的俯視圖來描繪。
在步驟ST3中在基板G支撐於腔室10內的狀態下使腔室10密閉後，開始腔室10內的副排氣(步驟ST4)。具體而言，減壓乾燥裝置1預先使真空泵35進行動作，在開始副排氣的時序(圖10：T1)打開排氣部30的開閉閥33以及壓力控制閥34。其結果為，腔室10內部的氣體通過排氣口31而抽吸排出至排氣管線，使腔室10的內部比較緩慢地減壓(圖10：時刻T1~時刻T2)。
然後，當開始副排氣並經過固定時間後，從副排氣切換為主排氣(步驟ST5)。如上所述，在主排氣時，藉由控制部8進行控制，以使得壓力調節閥34的開度大於副排氣時的壓力調節閥34的開度。其結果為，腔室10內被更急劇地減壓(圖10：時刻T2~時刻T3)。
如上所述，對應於藉由減壓步驟(步驟ST4、步驟ST5)而使腔室10的內部減壓，塗布於基板G的表面上的抗蝕液中所含的溶劑成分進行氣化，從而塗布於基板G上的抗蝕液得以乾燥。然後，經氣化的溶劑成分也隨著氣流AF1從排氣口31抽吸排出至排氣管線(圖11、圖12)。
並且，藉由分成副排氣與主排氣兩個階段來進行減壓，可以防止腔室10內的壓力急劇變化，從而可以避免基板G上的抗蝕液中所含的溶劑成分發生暴沸。
並且，當藉由壓力感測器50而測定的腔室10內的壓力達到設定值時(步驟ST6中分支為是(Yes))，關閉開閉閥33而停止排氣動作(步驟ST7A)。與此同時，開始藉由供氣部40向腔室10內供給氮氣(步驟ST7B)。再者，所述設定值是根據基板處理的方案(recipe)而確定的參數，是在減壓乾燥處理之前存儲於控制部8的RAM83內的值。
圖13、圖14是概念性地表示在壓力恢復步驟中，因供氣部40的供氣的影響而產生於腔室10內的氣流AF2的側視圖以及俯視圖。再者，圖14是以去除了上部腔室12以及升降機構13 的構成的俯視圖來描繪。
本實施方式中所執行的壓力恢復步驟(圖10：時刻T3~時刻T5)只執行主吹除，所述主吹除是在流量調整閥44的開度大的狀態下打開開閉閥43，並且從氣體供給源45供給氮氣。因此，與執行緩慢吹除的情況相比，壓力恢復步驟的處理時間得以縮短，從而使生產節拍提高。
並且，在圖10中的時刻T3~時刻T4，開閉閥33的關閉動作與氣體供給源45的動作起始在順序控制上是在同一時序進行，但是事實上，當結束減壓而轉入至壓力恢復時，在排氣口31附近的抽吸氣流AF10(排氣壓)消失之前，在供氣口41的位置的噴出氣流AF20(供氣壓)上升。因此，在壓力恢復步驟開始後不久(圖10：時刻T3~時刻T4)，由供氣部40供氣而產生的氣流AF2中，在下部空間L12流動的氣流的一部分被抽吸至排氣口31，但作為整體，產生從+Y空間區域L1向-Y空間區域L2的氣流(參照圖13)。
然後，當腔室10內的壓力上升，藉由壓力感測器50而測量的腔室10內的壓力達到大氣壓時，在步驟ST8中分支為是(Yes)，結束藉由供氣部40所進行的腔室10內的壓力恢復(步驟ST9)。
當壓力恢復結束時，藉由升降機構13而使上部腔室12上升，打開腔室10(步驟ST10)。此時，藉由升降機構24，支撐板22也在保持著基板G的狀態下上升。
然後，從腔室10搬出已完成減壓乾燥處理的基板G(步驟S11)。具體而言，藉由使搬送機械手TR進行動作而將手指部FG插入至載置於多個支撐銷21上的基板G的下方，並且使多個支撐板22下降而將基板G傳送至手指部FG。搬送機械手TR在將基板G接收至手指部FG上後，在保持著所述基板G的狀態下向腔室10的外部移動。藉由以上所述，對一塊基板G的減壓乾燥處理結束。
再者，當對後續的基板G也連續地實施減壓乾燥處理時，在步驟ST12中分支為是(Yes)而轉入至步驟ST2，由此對所述後續的基板G也可以實施減壓乾燥處理。
<1.4 減壓乾燥裝置1的效果>
以下，說明本發明的第1實施方式的減壓乾燥裝置1的效果。
(1)在本實施方式的減壓乾燥裝置1中，供氣口41是作為從基板G的中心位置PO觀察時向水平方向一側(+Y側)的+Y空間區域L1內開口的「一側供氣口」而發揮作用，在腔室10內進行基板G的減壓乾燥後的壓力恢復步驟中，利用所述一側供氣口(供氣口41)向腔室10內供氣。因此，在從供氣口41向腔室10內供給氮氣後緊接著的時序中，在供氣口41所處的+Y空間區域L1內，形成與-Y空間區域L2相比為正壓的環境。其結果為，如圖13、圖14所示，在藉由供氣而產生於腔室10內的氣流AF2中，在支撐於支撐板22上的基板G的第1主面S1側流動的氣流成為從+Y空間區域L1越過中心位置PO而流向-Y空間區域L2 的單向氣流。
由於如上所述在基板G的第1主面S1側形成單向氣流，因此可以降低「壓力集中區域PD」產生於基板G的第1主面S1側的可能性，所述「壓力集中區域PD」是在壓力恢復步驟中產生於腔室10內的氣流AF2彼此相碰撞而壓力瞬間升高的部位。
在所述壓力集中區域PD內，伴隨著其壓力的上升，懸浮於所述壓力集中區域PD內的抗蝕液的溶劑成分有可能變為液滴。因此，藉由如上所述降低壓力集中區域PD產生於基板G的第1主面S1側的可能性(在基板G的側方或第2主面S2側產生壓力集中區域PD)，可以降低變為液滴的抗蝕液的溶劑成分附著於基板G的第1主面S1側的殘渣缺陷的風險。
(2)而且，由於供氣口41設置於下部空間L12(基板G的第2主面S2側)，因此不會將噴出氣流AF20直接吹附至基板G的第1主面S1側(塗布有抗蝕液之側)，所述噴出氣流AF20是在壓力恢復步驟時產生於腔室10內的氣流AF2中，在供氣口41的附近產生並且壓力特別強的氣流。因此，不會在基板G的第1主面S1上產生由壓力恢復時的噴出氣流AF20的影響所造成的流動不均。
(3)而且，供氣口41向上部空間L11(基板G的第1主面S1側)開口，因此在壓力恢復步驟時產生於腔室10內的氣流AF2中，在基板G的第1主面S1側流動的單向氣流相對地快於在基板G的第2主面S2側流動的氣流。其結果為，可以進一步 降低壓力集中區域PD(氣流的碰撞部位)產生於基板G的第1主面S1側的可能性，從而殘渣缺陷的風險下降。
(4)而且，在本實施方式的減壓乾燥裝置1中，(4-1)將供氣口41及排氣口31設置於下部空間L12，(4-2)供氣口41在水平面觀察時在較排氣口31更靠腔室10的側壁10S側開口，(4-3)在結束減壓步驟(基板G的減壓乾燥)而轉入至壓力恢復步驟時，控制部8控制供氣部40以及排氣部30的動作順序，以成為如下時序關係，即，在排氣口31位置的抽吸氣流AF10(排氣壓)消失之前，在供氣口41位置的噴出氣流AF20(供氣壓)上升(參照圖13)。
由於形成為如上所述的構成，因此藉由供給至下部空間L12的氮氣而產生的氣流AF2中，在水平面觀察時朝向外側(沿側壁10S)的氣流不易受到抽吸氣流AF10的影響，另一方面在水平面觀察時朝向內側的氣流則容易因抽吸氣流AF10的影響而被抽吸至排氣口31(參照圖13)。因此，在從減壓步驟轉入至壓力恢復步驟之後不久，氣流AF2中，在水平面觀察時朝向外側的氣流比朝向內側的氣流相對更快地流動。
而且，將供氣口41及排氣口31設置於下部空間L12，因此如圖13及圖14所示，氣流AF2中，在水平面觀察時朝向內側的氣流在下部空間L12(基板G的第2主面S2側)流動，在水平面觀察時朝向外側的氣流向上部空間L11(基板G的第1主面 S1側)流動。
總而言之，在壓力恢復步驟中所產生的氣流AF2中，在上部空間L11(基板G的第1主面S1側)流動的氣流快於在下部空間L12(基板G的第2主面S2側)流動的氣流。由於形成為這種構成，所以可以進一步降低壓力集中區域PD產生於基板G的正上方的可能性，從而殘渣缺陷的風險下降。並且，供氣口41在較排氣口31更靠腔室10的側壁10S側開口，因此可以防止在從減壓步驟轉入至壓力恢復步驟之後不久，藉由減壓步驟而流動至排氣口31附近的抗蝕液的溶劑成分在供氣步驟中被推回至基板G的第1主面S1側，從而殘渣缺陷的風險下降。
再者，優選的是如圖13所示，不僅在基板G的第1主面S1的面上產生單向氣流，而且在基板G的第2主面S2的大部分面上均形成為單向氣流的狀態。由於在第2主面S2自身上沒有形成液晶顯示晶胞(cell)等電子元件(device)，所以即使在第2主面S2上產生殘渣缺陷，也不會直接影響到基板G的良率。但是，在減壓乾燥處理的其後步驟等中，附著於第2主面S2上的殘渣飛揚而附著於第1主面S1側的可能性並非為零，因此優選的是盡可能防止殘渣的產生，從而優選的是使壓力集中區域PD產生於盡可能遠離供氣口41及基板G的中心的區域(具體而言，在遠離供氣口41之側的基板G的端部或較其更靠外側)。
如以上說明，在本實施方式的減壓乾燥裝置1中，藉由以排氣口31及供氣口41的配置、以及排氣及供氣的動作時序為 特徵，可以降低壓力集中區域PD產生於基板的第1主面S1側(產生基板G的殘渣缺陷)的可能性。
因此，即使不利用先前在減壓乾燥處理中所進行的技術，即，不利用藉由在主吹除之前執行固定時間的緩慢吹除來防止腔室10內的壓力急劇增加的技術，也可以降低基板G中的殘渣缺陷的可能性。即，可以只利用主吹除(供氣壓強的急劇性的壓力恢復)來執行壓力恢復步驟，從而可以使減壓乾燥處理的生產節拍提高。
<2.第2實施方式>
<2.1 第2實施方式中的減壓乾燥裝置1A的構成>
其次，說明本發明的第2實施方式。圖15是表示第2實施方式的減壓乾燥裝置1A的主要部分構成的概略的側視圖。而且，圖16(a)及圖16(b)是表示第2實施方式的供氣部40A(特別是供氣構件46)的外觀的示意圖，圖16(b)表示圖16(a)的A-A截面。再者，在圖15以後的各圖中，對與第1實施方式相同的要素標注相同的符號。
第2實施方式的減壓乾燥裝置1A形成為如下構成：在第1實施方式的減壓乾燥裝置1的構成中，將供氣部40取代為供氣部40A。更具體而言，在第2實施方式中，將包含狹縫狀的開口部47的供氣構件46設置於腔室10內，來代替在第1實施方式中設置於腔室10的底壁並且向腔室10內開口的供氣口41。第2實施方式的減壓乾燥裝置1的剩餘構成與第1實施方式相同，因 此省略所述構成的說明。
第2實施方式的供氣部40A是用於使藉由排氣部30而成為減壓狀態的腔室10內的壓力恢復至大氣壓為止的配管系統，包括：供氣構件46，包含狹縫狀的開口部47；供氣管42，將由氣體供給源45供給的氮氣輸送至供氣構件46；開閉閥43，設置於供氣管42；流量調整閥44；以及氣體供給源45。
如圖15及圖16(a)及圖16(b)所示，供氣構件46是沿X方向延伸設置於腔室10內的筒狀的構件，包括沿X方向延伸而設置的狹縫狀的開口部47。並且，供氣構件46設置於+Y空間區域L1並且設置於下部空間L12，其開口部47在水平面觀察時，在較壓力恢復步驟時基板G所存在的位置更靠腔室10的側壁10S側，且朝向從垂直軸(Z方向)向基板G側僅傾斜角度θ(0度<θ<90度)的方向開口(參照圖16(a)、圖16(b))。
由於形成為如上所述的構成，因此在第2實施方式的減壓乾燥裝置1中，開口部47從中心位置PO觀察時向水平方向一側(+Y側)的下部空間L12開口，並且作為沿與所述水平方向正交的方向延伸的狹縫狀的「一側供氣口」而發揮作用。
<2.2 第2實施方式中的減壓乾燥裝置1A的效果>
以下，說明本發明的第2實施方式的減壓乾燥裝置1A的效果。
圖17、圖18是概念性地表示在壓力恢復步驟中因供氣部40A的供氣的影響而產生於腔室10內的氣流AF2的側視圖以及俯視圖。再者，圖18是以去除了上部腔室12以及升降機構13 的構成的俯視圖來描繪。
如上所述，第2實施方式的開口部47(一側供氣口)在水平面觀察時，在較壓力恢復步驟時基板G所存在的位置更靠腔室10的側壁10S側，朝向從垂直軸向基板G側傾斜的方向開口。因此，從開口部47噴出的噴出氣流AF20更多地在基板G的第1主面S1側流動，在所述基板G的第1主面S1側流動的氣流AF2相對快於在基板G的第2主面S2側流動的氣流AF2(參照圖17、圖18)。其結果為，可以進一步降低壓力集中區域PD(氣流的碰撞部位)產生於基板G的第1主面S1側的可能性，從而殘渣缺陷的風險下降。
再者，在第2實施方式的減壓乾燥裝置1A中，關於形成為與第1實施方式的減壓乾燥裝置1相同的構成的專案，當然可獲得與第1實施方式的減壓乾燥裝置1相同的效果。
<3 變形例>
以下，說明本發明的變形例。
本發明的減壓乾燥裝置1、減壓乾燥裝置1A(減壓乾燥方法)只要是對在第1主面S1上塗布有包含溶劑的塗布液的基板G進行減壓乾燥處理的裝置，即可以應用，並不限定於本實施方式的構成。
因此，被處理基板並不限於液晶用的玻璃基板，也可以為其他的平板顯示器用基板、半導體晶片、光碟(compact disc，CD)基板、光罩、印刷基板等。作為減壓乾燥處理物件的塗布液 也不限於抗蝕液，例如還可以為層間絕緣材料、介電體材料、配線材料等的處理液。而且，塗布裝置9與減壓乾燥裝置1、減壓乾燥裝置1A的配置關係也不限於如圖1所示的構成，例如既可以為減壓乾燥裝置1堆疊成多級的構成，也可以為包含多個搬送機械手TR的構成。
腔室10的構造或形狀毋庸置言，腔室10內外的各部分，特別是排氣部30、供氣部40的構造，一側供氣口的個數、配置位置等也不限於上述實施方式的內容，而可以進行各種變形。即，一側供氣口既可以為一個，也可以為多個。而且，在本實施方式中，為了進行排氣的接通或斷開控制以及排氣力的控制，使用了開閉閥33及壓力控制閥34，但是也可以取而代之，採用可以從關閉狀態調整至全開狀態為止的一個閥。關於開閉閥43及流量調整閥44，也是相同。
圖19是表示所述第2實施方式的變形例的供氣構件46B的外觀的示意圖。如圖19所示，供氣構件46B是單向延伸的筒狀的構件，包含沿所述單向等間隔地排列的多個圓形開口48作為一側供氣口。而且，所述圓形開口48的開口軸優選的也是從垂直軸Z僅傾斜與圖16(b)的情況相同的角度θ。所述圓形開口48的排列成為多個點狀開口的排列的典型例。所述變形例還可以採用如下構成：將所述供氣構件46B沿X方向延伸設置於+Y空間區域L1並且延伸設置於下部空間L12來代替第2實施方式的供氣構件46。
並且，在上述實施方式中，已說明不進行緩慢吹除的壓力恢復步驟，但是並不限於此。即，也可以在主吹除之前執行固定時間的緩慢吹除。在這種情況下，藉由本發明的應用以及使用緩慢吹除的壓力恢復(不伴隨急劇的壓力變化的壓力恢復)，可以大幅度降低殘渣缺陷的可能性。
並且，在上述實施方式中，揭示了以基板G的第1主面S1側成為上方的方式而載置於支撐部20的構成，但是當基板G的第1主面S1側為下方時，即，當使塗布有處理液的主面朝向下側而保持基板進行減壓乾燥時，也可以應用本發明的減壓乾燥裝置1。在這種情況下，使上部空間L11對應於「第2部分空間」，使下部空間L12對應於「第1部分空間」，由此可獲得與本實施方式相同的效果。
此外，在上述實施方式中，已舉出從基板G的中心位置PO觀察時一側供氣口向水平方向一側的「第1空間區域內」開口的構成的示例進行說明，但是藉由將所述第1空間區域規定為「腔室10內的在水平面觀察時的區域中，從基板G的中心位置PO觀察時從水平方向一側的端部算起的四分之一的區域」，可以更好地實施本發明。即，藉由將一側供氣口配置於在水平面觀察時從腔室10的端部側算起四分之一的區域內，而形成在壓力恢復步驟時在基板G的第1主面S1上從第1空間區域向第2空間區域的更強的單向氣流，從而壓力集中區域PD不易產生於基板的上方，因此殘渣缺陷的防止效果變得特別好。
而且，在本發明的減壓乾燥裝置1、減壓乾燥裝置1A中，是藉由通過向第1空間區域內開口的至少一個一側供氣口進行供氣，來進行腔室10內的壓力恢復。即，在本發明的減壓乾燥裝置1中，只要壓力恢復步驟中所使用的一側供氣口配置於第1空間區域內即可，關於其他步驟中所使用的供氣口，則可以配置於第2空間區域或中心部分。
10‧‧‧腔室
11‧‧‧下部腔室
12‧‧‧上部腔室
13‧‧‧升降機構
24‧‧‧升降機構
30‧‧‧排氣部
31‧‧‧排氣口
32‧‧‧排氣管
34‧‧‧壓力控制閥
35‧‧‧真空泵
40‧‧‧供氣部
42‧‧‧供氣管
45‧‧‧氣體供給源
AF2‧‧‧氣流
AF10‧‧‧抽吸氣流
AF20‧‧‧噴出氣流
G‧‧‧基板
PD‧‧‧壓力集中區域
S1‧‧‧第1主面
S2‧‧‧第2主面

Claims (7)

  1. 一種減壓乾燥裝置，對基板進行減壓乾燥處理，所述基板包括第1主面及第2主面，並且在所述第1主面上塗布有包含溶劑的塗布液，所述減壓乾燥裝置的特徵在於包括：腔室，收納所述基板；支撐部，在所述腔室內以水平姿勢支撐所述基板；排氣部，通過向所述腔室內開口的排氣口而對所述腔室內進行排氣；供氣部，通過向所述腔室內開口的供氣口而對所述腔室內供氣；以及控制部，控制所述排氣部的所述排氣以及所述供氣部的所述供氣，並且在所述供氣口中，包含至少一個一側供氣口，所述至少一個一側供氣口沿規定的水平方向，從被所述支撐部支撐的所述基板的中心觀察時向一側的第1空間區域內開口，在所述腔室內進行所述基板的減壓乾燥之後，所述控制部控制所述供氣部而使所述腔室內壓力恢復時，使用所述一側供氣口對所述腔室內供氣，由此至少在所述基板的所述第1主面上形成單向氣流，所述單向氣流沿所述水平方向，從所述第1空間區域越過所述中心而流向另一側的第2空間區域內。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的減壓乾燥裝置，其中關於所述腔室的內部空間，當以規定為所述壓力恢復時的所 述基板的高度的虛擬水平面為邊界，定義出所述第1主面側的第1部分空間與所述第2主面側的第2部分空間時，所述一側供氣口設置於所述第2部分空間，並且向所述第1部分空間開口。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的減壓乾燥裝置，其中所述排氣口設置於所述第2部分空間，所述一側供氣口在水平面觀察時，在較所述排氣口更靠所述腔室的側壁側開口，在結束所述減壓乾燥而轉入至所述壓力恢復時，所述控制部控制所述供氣部以及所述排氣部的動作順序，以成為如下時序關係：在所述排氣口位置的排氣壓消失之前，在所述一側供氣口的位置的供氣壓上升。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的減壓乾燥裝置，其中所述一側供氣口在水平面觀察時，在較所述壓力恢復時的所述基板的存在位置更靠所述腔室的側壁側開口，並且朝向從垂直軸往所述基板側傾斜的方向開口。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的減壓乾燥裝置，其中所述一側供氣口形成為沿與所述水平方向正交的方向排列的多個點狀的開口。
  6. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的減壓乾燥裝置，其中 所述一側供氣口形成為沿與所述水平方向正交的方向延伸的狹縫狀的開口。
  7. 一種減壓乾燥方法，對基板進行減壓乾燥處理，所述基板包括第1主面及第2主面，並且在所述第1主面上塗布有包含溶劑的塗布液，所述減壓乾燥方法的特徵在於包括：減壓步驟，對以水平姿勢收納有所述基板的腔室內進行減壓；以及壓力恢復步驟，在所述減壓步驟之後，使所述腔室內壓力恢復，並且在所述壓力恢復步驟中，至少在所述基板的所述第1主面上形成單向氣流，所述單向氣流在所述腔室內，沿規定的水平方向，從所述基板的中心觀察時從一側的第1空間區域越過所述中心而流向另一側的第2空間區域內。
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