TWI589361B - 加熱機台 - Google Patents

加熱機台 Download PDF

Info

Publication number
TWI589361B
TWI589361B TW104133727A TW104133727A TWI589361B TW I589361 B TWI589361 B TW I589361B TW 104133727 A TW104133727 A TW 104133727A TW 104133727 A TW104133727 A TW 104133727A TW I589361 B TWI589361 B TW I589361B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
heating
heating machine
upper cover
machine
Prior art date
Application number
TW104133727A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201713415A (zh
Inventor
陳姵伃
王興祥
江志濱
Original Assignee
友達光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 友達光電股份有限公司 filed Critical 友達光電股份有限公司
Priority to TW104133727A priority Critical patent/TWI589361B/zh
Priority to CN201511003102.XA priority patent/CN105590883B/zh
Publication of TW201713415A publication Critical patent/TW201713415A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI589361B publication Critical patent/TWI589361B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment

Description

加熱機台
本發明是關於一種製備顯示裝置的治具，特別是有關於一種加熱機台。
在顯示器的基板製作過程中，往往需要塗佈或者貼附多種層體/膜於基板表面，並經由加熱烘烤等方式而使這些層體定型。舉例而言，在光刻微影製程中，可以在基板表面塗佈光阻液體，並烘烤而形成光阻層，以進行後續的光刻微影製程。
然而，在加熱烘烤基板的過程中，容易因為基板的材料、基板上的層體圖案的佈設、基板內離子的分布、基板之相對表面溫度差異等其他原因，導致基板受熱翹曲。此基板暫時性翹曲容易使得基板上待烘烤定型的液體受熱不均，而有部份區域沒有完全定型而附著力欠佳，造成容易剝離或無法作用。
根據本發明之一態樣提供一種用於加熱基板的加熱機台，基板包含操作區與環繞操作區的非操作區。加熱機 台包含殼體、加熱板以及加壓機構。殼體具有容置腔以容置基板，其中殼體包含上蓋。加熱板安裝於容置腔，用以承載並加熱基板。加壓機構固定於上蓋上，用以在加熱基板時施加壓力於基板之非操作區之至少相對兩側。
於本發明之一或多個實施方式中，加壓機構包含至少一對升降裝置以及多個接觸頭。升降裝置設置於上蓋，每一升降裝置包含推桿。接觸頭分別設置於推桿之一端，用以接觸基板。
於本發明之一或多個實施方式中，接觸頭的直徑實質上為1毫米。
於本發明之一或多個實施方式中，接觸頭之材料為聚醚醚酮(polyetheretherketone；PEEK)。
於本發明之一或多個實施方式中，上蓋包含多個上蓋孔洞，推桿經由通過上蓋孔洞而使接觸頭接觸於基板。
於本發明之一或多個實施方式中，至少一對升降裝置的數量為二對，且該二對升降裝置對稱地設置。
於本發明之一或多個實施方式中，加熱機台更包含固定板以及多個支撐銷。固定板水平安裝於殼體內且設置於加熱板的下方。支撐銷固定於固定板上，其中加熱板包含多個加熱板通孔，支撐銷分別穿過加熱板通孔，用以沿垂直於加熱板的方向移動基板。
於本發明之一或多個實施方式中，加壓機構包含多個接觸頭，用以接觸基板，每一支撐銷之頂面積小於每一接觸頭之頂面積。
於本發明之一或多個實施方式中，加熱機台更包含移動機構，移動機構連接至加壓機構，用以調整加壓機構的位置。
於本發明之一或多個實施方式中，基板用以作為與顯示器之主動元件陣列基板相對的對向基板。
於本發明之多個實施方式中，設計加熱機台包含加壓機構，其中加壓機構能夠在基板受熱時提供壓力，以抵制基板的暫時性翹曲，進而確保基板受熱均勻與層體定型。
100‧‧‧加熱機台
110‧‧‧殼體
112‧‧‧容置腔
114‧‧‧上蓋
114a‧‧‧上蓋孔洞
120‧‧‧加熱板
122‧‧‧加熱板通孔
130‧‧‧加壓機構
132‧‧‧升降裝置
132a‧‧‧推桿
134‧‧‧接觸頭
140‧‧‧固定板
150‧‧‧支撐銷
152‧‧‧頂端
160‧‧‧感測元件
170‧‧‧計時元件
180‧‧‧移動機構
200‧‧‧基板
202‧‧‧邊緣
NA‧‧‧非操作區
OA‧‧‧操作區
DA‧‧‧預定區域
DI‧‧‧方向
第1A圖為根據本發明之一實施方式之加熱機台於一操作階段之立體示意圖。
第1B圖為第1A圖之加熱機台於另一操作階段之立體示意圖。
第2圖為第1A圖之基板之立體示意圖。
第3A圖與第3B圖為根據本發明之一實施方式之加熱機台與基板之側視圖。
第4圖為根據本發明之另一實施方式之加熱機台於加壓階段之立體示意圖。
以下將以圖式揭露本發明之多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說 明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式為之。
第1A圖為根據本發明之一實施方式之加熱機 台100於一操作階段之立體示意圖。加熱機台100用於加熱基板200，基板200包含操作區OA與環繞操作區OA的非操作區NA。加熱機台100包含殼體110、加熱板120以及加壓機構130。殼體110具有容置腔112以容置基板200，其中殼體110包含上蓋114。加熱板120安裝於容置腔112，用以承載並加熱基板200。加壓機構130固定於上蓋114上，用以在加熱基板200時施加壓力於基板200之非操作區NA之至少相對兩側。
於本發明之一或多個實施方式中，加壓機構130 包含至少一對升降裝置132以及多個接觸頭134。升降裝置132設置於上蓋114，升降裝置132分別對應於基板200之非操作區NA之兩側設置，以在不碰觸到操作區OA的狀況下，確保基板200受力均勻。於此，升降裝置132的數量為二對，且該二對升降裝置132對稱地設置。當然，本發明不以此為限，亦可以配置多對升降裝置132，對應於基板200之非操作區NA設置。
於本發明之多個實施方式中，每一升降裝置132 包含推桿132a。接觸頭134分別設置於推桿132a之一端，用以接觸基板200。升降裝置132可以是氣缸，並透過調整氣缸內部氣體壓力來移動推桿132a。上蓋114包含多個上蓋孔洞114a，參照第1B圖，推桿132a經由通過上蓋孔洞114a而使接 觸頭134接觸於基板200。
第2圖為第1A圖之基板200之立體示意圖。於本 發明之多個實施方式中，操作區OA位於基板的中央，操作區OA可包含多個預定區域DA，使基板200可以於後續製程中切割為多個子基板，每一子基板具有一個預定區域DA，而作為顯示器的基板使用。於此，預定區域DA指基板200預計作為顯示器的基板的區域，其上可佈設有電極、油墨、光阻或其他元件，預定區域DA可以視實際設計的顯示器尺寸而調整大小。
於本實施方式中，非操作區NA指基板200由邊緣 202至操作區OA之間的區域，用以確保操作區OA離基板200的邊緣202具有一定的距離，以使操作區OA受熱均勻。且非操作區NA還提供加壓機構130(參照第1A圖)一定的加壓區域。舉例而言，針對長寬為880毫米與680毫米的基板200，非操作區NA可以包含基板200從邊緣202往內3至15毫米的區域，例如5毫米、10毫米、15毫米，加壓機構130(參照第1A圖)可以施壓於此部份非操作區NA。
於部分實施方式中，基板200可以是鹼玻璃，例 如鈉鈣玻璃(soda lime glass)，鈉鈣玻璃未經退火純化，相較於經退火純化後的玻璃，鹼玻璃具有與熱膨脹係數較大的特性，且鹼玻璃可因離子交換強化而具有抗摔的特性。
於部份實施方式中，觸控感測裝置可以以此未經 回火的鹼玻璃作為其載板。於其他實施方式中，顯示器可以以無鹼玻璃(例如無鹼矽酸鋁玻璃(aluminosilicate glass))作為主動元件陣列基板，並以此未經回火的鹼玻璃作為相對主動元 件陣列基板的對向基板，而於後續製程中安置彩色濾光元件、透明導電層或其他元件於其上。於部分實施方式中，相較於主動元件陣列基板，對向基板(鹼玻璃)所經歷的工序較少且負載的元件較少，以免因鹼玻璃熱膨脹係數較大而於製程中毀損其上的元件。當然不應以此限制本發明之範圍，於其他實施方式中，基板200亦可以是任何在加熱過程中翹曲的基板，例如無鹼玻璃。
如此一來，透過加壓於基板200的非操作區NA， 可以抑制基板200的翹曲，進而確保基板200上的層體(例如光阻)受熱均勻而烘烤定型。
第1B圖為第1A圖之加熱機台100於另一操作階 段之立體示意圖。同時參照第1A圖與第1B圖，於本發明之一或多個實施方式中，加熱機台100更包含固定板140以及多個支撐銷150。固定板140水平安裝於殼體110內且設置於加熱板120的下方。支撐銷150固定於固定板140上，其中加熱板120包含多個加熱板通孔122，支撐銷150分別穿過加熱板通孔122，用以沿垂直於加熱板120的方向DI移動基板200。支撐銷150的數量可以是3個以上，例如5個，以均勻地支撐基板200。
於此，固定板140也可以連接至另一升降裝置(未 繪示)，以垂直地(沿方向D1)移動固定板140與支撐銷150。於部份實施方式中，升降裝置可以藉由馬達與皮帶的組合移動固定板140，其中可以在移動過程中隨時調整馬達以停止固定板140。相較之下，升降裝置132可以透過氣缸推動推桿132a而 需事先設計好抵達的位置。
詳細而言，於部分實施方式中，可以馬達(未繪 示)移動升起固定板140以接收基板200，接著使固定板140垂直地往下移動，以使基板200與加熱板120之表面接觸。接著，操縱加壓機構130下壓，而使基板200之非操作區NA受到外力鉗制，並同時加熱基板200板。然後，烘烤完基板200後，再使固定板140垂直地往上移動，以抬升基板200，讓操作者或機械手臂可以從殼體110取出基板200。
於此，上述之移動固定板140與支撐銷150的升降 裝置以及推動推桿132a的升降裝置132並不限於馬達或氣缸，亦可以該領域常見的各種配置(例如油壓系統)作為升降裝置。
於本發明之一或多個實施方式中，每一支撐銷 150之頂面積可以小於每一接觸頭134之頂面積，舉例而言，於本發明之一或多個實施方式中，接觸頭134的直徑實質上為1毫米，支撐銷150之頂端152的頂面積的直徑實質上為0.5毫米。設計接觸頭134的直徑較大，以免因加壓機構130壓力過於集中而在基板200上產生刮痕或裂痕。
於此，接觸頭134之材料可以是耐熱塑膠。舉例 而言，接觸頭134之材料可為聚醚醚酮(polyetheretherketone；PEEK)。支撐銷150之頂端152之材料可以是耐熱塑膠。接觸頭134與支撐銷150之頂端152的材料可以是相同或不同的。
於本發明之一或多個實施方式中，加熱機台100 更包含感測元件160與計時元件170，感測元件160連接至固定板140或支撐銷150上，用以偵測基板200是否接觸加熱板120。計時元件170連接至升降裝置132，用以控制加壓的時間點與時間長度。於部份實施方式中，雖然在此並未詳細繪示，計時元件170可電性連接感測元件160，以控制加熱機台100的運作。舉例而言，可以配置當感測元件160感測到基板200接觸加熱板120時，啟動計時元件170，以升降裝置132推動推桿132a使接觸頭134接觸基板200，並加壓一段時間。
於部分實施方式中，加熱機台100可以包含多個 加壓機構130，分別對應多個基板200設置。實際應用上，不應以此數量上的配置而限制本發明之範圍。
於部分實施方式中，加熱機台100可包含排氣管 (未繪示)或溫度維持裝置(未繪示)。排氣管用以維持容置腔112內的氣體，可將由前述塗佈於基板200上的液體(例如光阻溶液)中的部份成份蒸發後的氣體排出容置腔112。溫度維持裝置用以維持容置腔112內的溫度。於部份實施方式中，溫度維持裝置(未繪示)與加熱板120可維持加熱機台100內的溫度在100至120攝氏溫度左右。
第3A圖與第3B圖為根據本發明之一實施方式 之加熱機台100與基板200之側視圖。第3A圖繪示基板200在未受到加壓時，加熱翹曲的狀況。以長寬為880毫米與680毫米的鹼玻璃為例，鹼玻璃的邊緣最高翹起大约10毫米，即鹼玻璃翹起大约3~4度左右。
第3B圖繪示基板200在受到加壓時，加熱翹曲 的狀況。於此，在加熱的同時，加壓機構130可以下壓基板200的邊緣，使前述之鹼玻璃的邊緣僅翹起大约2至大約3毫米，以抑制基板200的翹曲，即鹼玻璃翹起大约1度左右。如此一來，基板200上的層體(例如光阻)可以均勻地受熱，而不易於後續製程中脫落。
第4圖為根據本發明之另一實施方式之加熱機 台100於一操作階段之立體示意圖。本實施方式與前述實施方式相似，差別在於：本實施方式之加熱機台100更包含移動機構180，移動機構180連接至加壓機構130，用以移動加壓機構130。
於此，上蓋孔洞114a可以是對應於基板200之非 操作區NA之長型的開口。移動機構180可以調整加壓機構130的位置，而使推桿132a可以在上蓋孔洞114a內移動位置，且施加壓力於非操作區NA。舉例而言，上蓋孔洞114a的長度可以大約為5公分，使加壓機構130可以有5公分的移動範圍，即基板200的受壓位置可以有5公分的移動範圍。本實施方式的其他細節大致上如前所述，在此不在贅述。
於本發明之多個實施方式中，設計加熱機台包含加壓機構，其中加壓機構能夠在基板受熱時提供壓力，以抵制基板的暫時性翹曲，進而確保基板受熱均勻與層體定型。
雖然本發明已以多種實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧加熱機台
110‧‧‧殼體
112‧‧‧容置腔
114‧‧‧上蓋
114a‧‧‧上蓋孔洞
120‧‧‧加熱板
122‧‧‧加熱板通孔
130‧‧‧加壓機構
132‧‧‧升降裝置
132a‧‧‧推桿
134‧‧‧接觸頭
140‧‧‧固定板
150‧‧‧支撐銷
152‧‧‧頂端
160‧‧‧感測元件
170‧‧‧計時元件
200‧‧‧基板
NA‧‧‧非操作區
OA‧‧‧操作區
DI‧‧‧方向

Claims (10)

  1. 一種用於加熱一基板的加熱機台，該基板包含一操作區與環繞該操作區的一非操作區，該加熱機台包含：一殼體，具有一容置腔以容置該基板，其中該殼體包含一上蓋；一加熱板，安裝於該容置腔，用以承載並加熱該基板；以及一加壓機構，固定於該上蓋上，用以在加熱該基板時施加壓力於該基板之該非操作區之至少相對兩側。
  2. 如請求項1所述之加熱機台，其中該加壓機構包含：至少一對升降裝置，設置於該上蓋，每一該些升降裝置包含一推桿；以及複數個接觸頭，分別設置於該些推桿之一端，用以接觸該基板。
  3. 如請求項2所述之加熱機台，其中該些接觸頭的直徑實質上為1毫米。
  4. 如請求項2所述之加熱機台，其中該些接觸頭之材料為聚醚醚酮(polyetheretherketone；PEEK)。
  5. 如請求項2所述之加熱機台，其中該上蓋包 含複數個上蓋孔洞，該些推桿經由通過該些上蓋孔洞而使該些接觸頭接觸於該基板。
  6. 如請求項2所述之加熱機台，其中該至少一對升降裝置的數量為二對，且該二對升降裝置對稱地設置。
  7. 如請求項1所述之加熱機台，更包含：一固定板，水平安裝於該殼體內且設置於該加熱板的下方；以及複數個支撐銷，固定於該固定板上，其中該加熱板包含複數個加熱板通孔，該些支撐銷分別穿過該些加熱板通孔，用以沿垂直於該加熱板的一方向移動該基板。
  8. 如請求項7所述之加熱機台，其中該加壓機構包含複數個接觸頭，用以接觸該基板，每一該些支撐銷之頂面積小於每一該些接觸頭之頂面積。
  9. 如請求項1所述之加熱機台，更包含：一移動機構，連接至該加壓機構，用以調整該加壓機構的位置。
  10. 如請求項1所述之加熱機台，其中該基板用以作為與一顯示器之一主動元件陣列基板相對的一對向基板。
TW104133727A 2015-10-14 2015-10-14 加熱機台 TWI589361B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104133727A TWI589361B (zh) 2015-10-14 2015-10-14 加熱機台
CN201511003102.XA CN105590883B (zh) 2015-10-14 2015-12-28 加热机台

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104133727A TWI589361B (zh) 2015-10-14 2015-10-14 加熱機台

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201713415A TW201713415A (zh) 2017-04-16
TWI589361B true TWI589361B (zh) 2017-07-01

Family

ID=55930356

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104133727A TWI589361B (zh) 2015-10-14 2015-10-14 加熱機台

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN105590883B (zh)
TW (1) TWI589361B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110085774B (zh) * 2018-04-28 2021-07-23 广东聚华印刷显示技术有限公司 玻璃基板的烘烤方法和烘烤设备

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2919303Y (zh) * 2006-06-02 2007-07-04 广辉电子股份有限公司 曝光机的基板支撑结构

Also Published As

Publication number Publication date
CN105590883B (zh) 2018-01-12
CN105590883A (zh) 2016-05-18
TW201713415A (zh) 2017-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4485374B2 (ja) 冷却処理装置
JP5506921B2 (ja) 真空処理装置並びに基板とアラインメントマスクの移動方法及び位置合わせ方法並びに成膜方法
KR20060050004A (ko) 독립적으로 이동하는 기판 지지부
TW201802869A (zh) 基板貼合裝置及基板貼合方法
TW201347078A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
WO2012030703A2 (en) Apparatus and method for heat treating a glass substrate
KR100601988B1 (ko) 웨이퍼 가열 장비
KR20140118732A (ko) 박리 장치
TWI589361B (zh) 加熱機台
JP2006173344A (ja) 基板保持装置及び基板保持方法並びに基板加熱装置
KR101784090B1 (ko) 전사 장치 및 전사 방법
KR101479302B1 (ko) 기판 소성 장치
TWI646060B (zh) 脆性材料基板之端材分離方法及端材分離裝置
JPH09148417A (ja) 基板熱処理装置
JP2002313700A (ja) 加熱装置及び冷却装置
KR101489055B1 (ko) 패턴 형성 장치
KR20190037731A (ko) 다중 곡면 열전사장치
KR20090008114A (ko) 검사 장치 및 기판 처리 시스템
KR20090093541A (ko) 기판지지장치 및 기판지지방법
JP2010034208A (ja) 熱処理装置
JP6535828B1 (ja) 基板処理装置
TWI442505B (zh) A pallet type substrate transport system, a film forming method, and a manufacturing method of an electronic device
KR101496444B1 (ko) 유리 기판 이송 방법 및 이를 이용하는 열처리 장치
KR101205245B1 (ko) 플렉시블 기판 적재 방법
KR101636119B1 (ko) 패턴 형성 장치 및 패턴 형성 방법