KR20060050004A - 독립적으로 이동하는 기판 지지부 - Google Patents

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KR20060050004A
KR20060050004A KR1020050061813A KR20050061813A KR20060050004A KR 20060050004 A KR20060050004 A KR 20060050004A KR 1020050061813 A KR1020050061813 A KR 1020050061813A KR 20050061813 A KR20050061813 A KR 20050061813A KR 20060050004 A KR20060050004 A KR 20060050004A
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lift
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KR1020050061813A
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로빈 티너
신이치 쿠리타
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

기판을 기판 지지부로 전달하기 위한 방법 및 장치가 본 발명에서 제공된다. 일 실시예에 있어서, 기판을 전달하기 위한 방법은 상기 기판 지지부를 관통해 이동가능하게 배치되는 제 1 세트 및 제 2 세트의 리프트 핀 위에 기판 지지부의 상부면 위에 놓인 기판을 동시에 지지하는 단계를 포함한다. 상기 제 1 세트의 리프트 핀은 제 1 높이로 연장되며 상기 제 2 세트의 리프트 핀은 상기 제 1 높이 보다 낮은 제 2 높이로 연장된다. 상기 제 2 세트의 리프트 핀은 상기 제 1 세트의 리프트 핀 안쪽에 배치된다. 상기 제 1 세트 및 상기 제 2 세트의 리프트 핀과 상부면 사이의 상대적인 간격은 기판을 기판의 중앙 근처점에서 기판의 가장자리로 매끄럽고 실질적으로 연속적으로 상부 표면과 접촉하도록 감소된다.

Description

독립적으로 이동하는 기판 지지부 {INDEPENDENTLY MOVING SUBSTRATE SUPPORTS}
도 1은 기판 지지부를 구비한 프로세싱 챔버 일 실시예의 측단면도.
도 2 내지 도 5는 기판 지지부로 전달되는 기판을 도시하는 도 1의 기판 지지부의 일 실시예의 측단면도.
도 6은 기판 지지부를 구비한 프로세싱 챔버의 다른 실시예의 측단면도.
도 7은 기판 지지부를 구비한 프로세싱 챔버의 다른 실시예의 측단면도.
도 8은 기판 지지부를 구비한 프로세싱 챔버의 다른 실시예의 측단면도.
도 9는 기판을 기판 지지부로 이동하는 방법을 나타내는 흐름도.
※ 도면의 주요 부분에 대한 도면 부호의 설명 ※
108 : 바닥 134 : 지지면
138 : 열처리된 지지부 조립체 140 : 기판
150 : 리프트 핀 152 : 리프트 핀
164 : 제 2 단부 166 : 제 2 단부
170 : 엑츄에이터 172 : 충돌판
180 : 제 1 세트 182 : 제 2 세트
402 : 중앙 부분
본 발명은 일반적으로, 프로세싱 챔버 내의 기판 지지부 위에 대형 기판을 위치시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
액정 디스플레이(LCD)(liquid crystal display) 또는 평면 패널(flat panels)은 일반적으로, 컴퓨터 및 텔레비젼 모니터와 같은 액티브 메트릭스 디스플레이(active matrix display)용으로 이용된다. 일반적으로, 평면 패널은 사이에 끼어진 액정 재료의 층을 구비한 두개의 넓은 플레이트를 포함한다. 상기 플레이트중 하나 이상은 전원에 연결되는 플레이트 상에 배치되는 하나 이상의 전도성 필름을 포함한다. 전력 공급원으로부터 전도성 필름에 인가되는 전력은 상기 액정 재료의 방향을 변화시켜서 패턴화된 디스플레이를 생성시킨다.
이러한 디스플레이를 제조하기 위해서 유리 또는 폴리머 피가공재와 같은 대형 기판은 통상적으로, 기판 상에 소자, 전도체, 절연체를 생성시키도록 복수의 연속적인 프로세스를 거친다. 각각의 이러한 프로세스는 일반적으로, 단일 단계의 제조 프로세스를 수행하도록 구성되는 프로세스 챔버 내에서 수행된다. 모든 연속 프로세싱 단계를 효율적으로 완료하기 위해서, 다수의 프로세스 챔버는 통상적으로, 프로세스 챔버들 사이에 대형 기판의 전달을 용이하게 하는 로봇을 수용하고 있는 중앙 전달 챔버에 연결된다. 이러한 구성을 갖는 프로세싱 플랫폼은 일반적으로, 클러스터 툴로서 알려져 있으며, 이들의 예는 캘리포니아 산타 클라라에 소 재하고 있는 어플라이드 머티리얼즈 인코포레이티드(Applied Materials Inc)의 단독 투자 자회사인 에이케이티(AKT)로부터 이용가능하게 제조된 AKT PECVD 프로세싱 플랫폼 계열이다.
일반적으로, 클러스터 툴 내의, 전달 챔버 로봇은 상기 기판을 각각의 챔버 내부에 있는 엔드 이펙터 구조물 상에 전달한다. 각각의 챔버 내에는 기판 지지부가 있으며, 상기 기판 지지부 위에 로봇이 전달중인 기판을 위치시킨다. 일단 대형 기판이 기판 지지부 상에 위치되면, 상기 로봇은 챔버로부터 철수한다. 통상적으로, 기판 지지부는 수직으로 이동가능한 다수의 리프트 핀과 같은 이동 기구를 포함하며, 상기 리프트 핀은 로봇과 기판 지지부 사이에서 기판의 교환을 용이하게 하도록 대형 기판과 맞물리기 위해 상향으로 이동한다.
평면 패널의 수요가 증가함에 따라서, 보다 큰 대형 기판의 수요도 증가한다. 예를들어, 평면 패널 제조용으로 이용되는 대형 기판은 단지 몇년 안에 550 × 650 ㎜ 에서 1,500 ㎜ × 1,800 ㎜의 크기로 증가했으며, 가까운 시일내에 4 제곱미터가 넘을 것으로 예상된다. 이와 같은 대형 기판 크기의 성장은 처리 및 제조에 있어서 새로운 도전으로 다가오고 있다. 예를들어, 보다 큰 기판을 수용하기 위해서, 기판 지지부 내의 리프트 핀은 각각의 리프트 핀들 사이에 보다 큰 간격을 갖는다. 리프트 핀들 사이의 이러한 보다 큰 간격은 각각의 리프트 핀 주위에 있는 대형 기판의 지지되지 않은 영역에 대한 보다 큰 편향 및 늘어짐을 야기한다. 리프트 핀이 기판을 기판 지지부 상에 위치시키도록 철수될 때, 늘어진 영역은 리프트 핀 아래의 영역 보다 먼저 기판 지지부와 접촉하게 되어 기판과 기판 지지부 사이의 하나 이상의 위치에 가스가 포획되게 한다.
포획 가스는 차례로, 대형 기판이 기판 지지면 상에서 "부양" 또는 이동하게 할 수 있으며, 이는 기판의 오정렬을 발생시킨다. 오정렬된 기판은 값비싼 기판 손상 또는 열악한 프로세싱 결과를 야기할 수 있다. 게다가, 기판과 열처리된 기판 지지부 사이의 포획 가스 포켓은 불균일한 열 전달을 야기할 수 있으며, 대형 기판 상에 형성되는 구조물에 대한 불균일성과 잠재적 결함을 야기할 수도 있다.
따라서, 기판 지지부에 대형 기판을 전달하기 위한 개선된 방법 및 장치가 필요하다.
본 발명은 일반적으로, 기판 지지부 위로 대형 기판을 전달하기 위한 방법 및 장치의 실시예를 제공한다. 상기 방법 및 장치는 실질적으로 모든 가스를 기판과 기판 지지부 사이로부터 강제로 배출시키는 센터 투 에지(중심에서 밖으로; center-to-edge) 방식으로 대형 기판을 기판 지지부 위로 전달하기 위해 이용된다.
일 실시예에 있어서, 프로세싱 챔버 내의 기판을 지지하기 위한 지지부 조립체는 지지면 및 바닥면을 구비한 지지부 조립체를 포함한다. 제 1 세트의 리프트 핀은 지지부 조립체를 관통해 이동가능하게 배치되며 지지면에 근접하게 배치되는 기판을 지지하기 위한 제 1 단부 및 상기 바닥면을 넘어 연장하는 제 2 단부를 갖는다. 제 1 세트의 리프트 핀의 제 1 단부는 지지면을 넘어 제 1 간격만큼 연장될 수 있다. 제 2 세트의 리프트 핀은 제 1 세트의 리프트 핀 안쪽 위치에 지지부 조 립체를 관통해 이동가능하게 배치된다. 제 2 세트의 리프트 핀은 지지면에 근접하게 배치되는 기판을 지지하기 위한 제 1 단부 및 바닥면을 넘어서 연장하는 제 2 단부를 갖는다. 제 2 세트 리프트 핀의 제 1 단부가 제 1 세트 리프트 핀의 제 1 단부와는 독립적으로 지지면 위로 제 2 간격만큼 연장될 수 있다. 제 2 간격은 제 1 간격 보다 작다.
다른 실시예에 있어서, 프로세싱 챔버 내의 기판을 지지하기 위한 지지부 조립체는 상승 위치와 하강 위치 사이에서 이동 가능한 지지부 조립체를 포함하며 지지면 및 바닥면을 갖는다. 제 1 세트의 리프트 핀은 지지부 조립체를 관통해 이동가능하게 배치되며 상기 지지면에 근접하게 배치되는 기판을 지지하기 위한 제 1 단부 및 상기 바닥면을 넘어서 연장하는 제 2 단부를 갖는다. 제 1 세트의 리프트 핀은 수동적으로 작동된다. 제 1 세트 리프트 핀의 제 2 단부는 적어도 지지부 조립체가 하강 위치에 있을때 챔버의 바닥과 접촉한다. 제 2 세트의 리프트 핀은 지지부 조립체를 관통해 이동가능하게 배치되며 상기 지지면에 근접하게 배치되는 기판을 지지하기 위한 제 1 단부 및 상기 바닥면을 넘어 연장하는 제 2 단부를 갖는다. 엑츄에이터는 지지부 조립체 아래에 배치되며 제 1 세트의 리프트 핀에 대해 제 2 세트의 리프트 핀중 하나 이상을 독립적으로 위치시킨다.
다른 실시예에 있어서, 기판을 전달하기 위한 방법은 기판 지지부를 관통해 이동가능하게 배치되는 제 1 세트 및 제 2 세트의 리프트 핀 위에 기판 지지부 상부면 위에 놓인 기판을 동시에 지지하는 단계를 포함한다. 제 1 세트의 리프트 핀은 제 1 높이로 연장되며 제 2 세트의 리프트 핀은 제 1 높이 보다 낮은 제 2 높이 로 연장된다. 제 2 세트의 리프트 핀은 제 1 세트의 리프트 핀 안쪽에 배치된다. 제 1 세트 및 제 2 세트의 리프트 핀과 상부면 사이의 상대적인 간격은 기판을 실질적으로 연속적인 센터 투 에지 방식으로 상부면과 접촉하도록 감소한다.
본 발명의 전술된 특징들을 보다 잘 이해하기 위해서, 몇몇의 예가 첨부 도면에 도시되어 있는 실시예를 참조하여 간단하게 요약된 본 발명을 보다 구체적을 설명한다. 그러나, 첨부 도면은 본 발명의 전형적인 실시예만을 설명하며 따라서 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니며, 본 발명이 다른 동일한 효과의 실시예를 허용할 수 있다는 것을 주목해야 한다.
본 발명의 실시예는 일반적으로, 대형 기판을 기판 지지부 위에 위치시키는데 유리한 대형 기판을 전달하기 위한 방법 및 기판 지지부를 제공한다. 본 발명은 캘리포니아 산타클라라에 소재하고 있는 어플라이드 머티리얼즈 인코포레이티드의 자회사인 에이케이티(AKT)로부터 이용가능하게 제조된 플라즈마 개선 화학 기상 증(PECVD) 시스템과 같은 플라즈마 화학 기상 증착 시스템을 참조하여 아래에 예시적으로 기재하고 있다. 그러나, 물리 기상 증착 시스템, 이온 주입 시스템, 에칭 시스템, 화학 기상 증착 시스템 및 기판을 기판 지지부로 전달하는 것이 요구되는 다른 시스템들과 같은 다른 시스템의 구성에서도 유용성 있다는 것을 이해해야 한다.
도 1은 플라즈마 개선 화학 기상 증착(PECVD) 시스템(100) 일 실시예의 측단면도이다. 상기 시스템(100)은 일반적으로, 가스원(104)에 연결되는 챔버(102)를 포함한다. 상기 챔버(102)는 프로세스 영역(112)을 분명히 하는 벽(106), 바닥 (108) 및 리드 조립체(110)를 갖는다. 프로세스 영역(112)은 통상적으로, 챔버(102)의 내측 및 외측으로 기판(140)의 이동을 용이하게 하는 벽(106) 내의 (도시되지 않은)포트(port)를 통해 접근된다. 벽(106) 및 바닥(108)은 단일 블록의 알루미늄으로 제조될 수 있다. 리드 조립체(110)는 프로세스 영역(112)을, (도시되지 않은)여러가지 펌핑 부품을 포함하는 배기 포트에 연결하는 펌핑 플래넘(plenum)을 포함한다.
리드 조립체(110)는 벽(106)에 의해 지지되며 챔버(102)를 유용하게 하기 위해 이동될 수 있다. 리드 조립체(110)는 일반적으로, 알루미늄으로 구성되며 부가적으로, 열 전달 유체 흐름에 의해 리드 조립체(110)의 온도를 조절하기 위한 열 전달 유체 채널을 포함한다.
가스 분배 플레이트(118)는 리드 조립체(110)의 내측부(120)에 연결된다. 가스 분배 플레이트(118)는 통상적으로, 알루미늄으로 제조되며 가스 분배 플레이트(118)의 중앙 구역을 둘러싸고 있는 가요성 주변 지지부(190)를 포함할 수 있다. 가요성 주변 지지부(190)는 리드 조립체(110)의 내측 주변에 연결되며 가스 분배 플레이트(118)를 유연하게 지지함으로써, 프로세싱 조건에 노출될때 가스 분배 플레이트(118)의 팽창 및 수축을 허용한다. 중앙 구역은 다공 영역을 포함하며 가스원(104)으로부터 공급되는 다른 가스가 프로세스 영역(112)에 전달된다. 가스 분배 플레이트(118)의 다공 영역은 챔버(102) 내로 가스 분배 플레이트(118)를 통해 전해지는 균일한 분포의 가스를 제공하도록 구성된다.
지지부 조립체(138)는 챔버(102) 내의 중심에 배치된다. 지지부 조립체 (138)는 프로세싱 중에 대형 기판(140)을 지지한다. 일 실시예에 있어서, 대형 기판(140)은 4 제곱미터 또는 그 이상의 표면적을 갖는 유리 또는 폴리머 피가공재를 포함한다. 지지부 조립체(138)는 통상적으로, 직사각형이며 일반적으로, 알루미늄, 세라믹, 또는 알루미늄과 세라믹의 조합물로 제조된다. 지지부 조립체(138)는 통상적으로, 하나 이상의 내장형 발열체(132)를 포함한다. 진공 포트(도시되지 않음)는 기판(140)과 지지부 조립체(138) 사이의 진공을 위해 이용되며, 프로세싱 중에 기판(140)을 지지부 조립체(138)로부터 보호하는 것이 용이할 수 있다. 지지부 조립체(138)에 배치되는 전극 또는 저항 요소와 같은 발열체(132)는 전력원(130)에 연결되며 지지부 조립체 상에 위치되는 기판(140) 및 지지부 조립체(138)를 소정의 온도로 열처리한다. 일 실시예에 있어서, 발열체(132)는 기판(140)을 약 150 도 내지 400 도의 균일한 온도로 유지시킨다. 대안적으로, 발열 램프 또는 다른 열원이 기판을 열처리 하기 위해 이용될 수 있다.
일반적으로, 지지부 조립체(138)는 스템(142)에 연결된다. 스템(142)은 지지부 조립체(138)를 위한 수직의 지지부를 제공하며 지지부 조립체(138)와 시스템(100)의 다른 부품 사이에 전선, 진공 및 가스 공급 라인을 위한 도관을 제공할 수 있다. 스템(142)은 지지부 조립체(138)를 (도시된 바와 같이)상승 위치와 하강 위치 사이에서 이동시키는 리프트 시스템(도시되지 않음)에 지지부 조립체(138)를 연결한다. 벨로우(146)는 지지부 조립체(138)의 이동을 용이하게 하면서 챔버 영역(112)과 챔버(102) 외측의 대기 사이에 진공 시일(seal)을 제공한다.
지지부 조립체(138)가 일반적으로 접지되어 있어서, 전력원(122)에 의해 가 스 분배 플레이트(118)(또는 챔버의 리드 조립체 근처 또는 그 내측에 위치되는 전극)로 인가되는 RF 전력은 지지부 조립체(138)와 상기 분배 플레이트(118) 사이의 프로세스 영역(112) 내에 배치되는 가스를 방전시킨다. 몇몇(수) Hz 내지 13 ㎒ 사이의 주파수 또는 고주파수를 갖는 RF 전력은 일반적으로, 기판 표면적에 적합한 와트수로 제공된다. 일 실시예에 있어서, 전력원(122)은 약 2 ㎒(바람직하게는 약 200 내지 500 ㎑)미만의 저주파수 및 13 ㎒(바람직하게는 약 13.56 ㎑) 보다 큰 고주파수원을 제공하는 이중 주파수 원을 포함한다. 주파수는 고정적이거나 변경될 수 있다. 예시적으로, 550 ㎜ × 650 ㎜ 의 기판에 있어서, 고주파수원이 약 1 내지 5 ㎾인 반면에 저주파수원은 약 0.3 내지 약 2 ㎾ 이다. 일반적으로, 전력 요건은 기판 크기의 감소 또는 증가에 상응하여 감소 또는 증가될 수 있다.
지지부 조립체(138)는 부가적으로, 국한성 쉐도우 프레임(148)을 지지한다. 쉐도우 프레임(148)은 기판(140)의 가장자리를 덮도록 구성되며 통상적으로, 세라믹으로 구성되어있다. 일반적으로, 쉐도우 프레임(148)은 기판이 지지부 조립체(138)에 고착되지 않도록 기판(14) 및 지지부 조립체(138) 가장자리의 증착을 방해한다. 선택적으로, 퍼지 가스(purge gas)가 기판의 가장자리의 증착을 방지하도록 쉐도우 프레임(148)과 지지부 조립체(138) 사에에 공급된다.
지지부 조립체(138)는 제 1 세트(180)를 포함하는 복수의 리프트 핀(150) 및 제 2 세트(182)를 포함하는 하나 이상의 다른 리프트 핀(152)을 수용하도록 지지부 조립체를 통하여 배치되는 다수의 홀(128)을 갖는다. 제 2 세트(182)의 리프트 핀(152)은 제 1 세트(180)의 리프트 핀(150) 안쪽에 위치된다. 제 2 세트(182)의 리 프트 핀은 전달 중에 기판(140)의 중심 영역을 지지하도록 구성되는 반면에 제 1 세트(180)의 리프트 핀은 전달중에 기판의 주변부를 지지하도록 구성된다. 리프트 핀(150 및 152)은 통상적으로, 세라믹 또는 산화피막 알루미늄으로 구성되어있다. 일반적으로, 리프트 핀(150 및 152)이 지지부 조립체(138)에서 철회될때 지지부 조립체(138)의 지지면(134)으로부터 실질적으로, 동일 표면이거나 약간 리세스되는 각각의 제 1 단부(160 및 162)를 갖는다. 제 1 단부(160, 162)는 일반적으로, 리프트 핀(150, 152)이 상기 홀(128)을 통해 떨어지는 것을 방지하며 기판(140)의 지지를 용이하게 하도록 부가적인 표면적을 제공하는 나팔 모양으로 퍼진 형상을 갖는다. 부가적으로, 리프트 핀(150 및 152)은 지지부 조립체(138)의 하면(126)을 지나서 연장하는 각각의 제 2 단부(164 및 166)를 갖는다.
리프트 핀(150, 152)이 작동될때, 상기 핀이 지지면(134)으로부터 수직으로 돌출되는 위치로 이동한다. 작동되는 위치에서, 리프트 핀(150)은 리프트 핀(152) 보다 지지면(134)으로 부터 더 멀리 연장될 수 있다. 대안적으로, 리프트 핀(150 및 152)은 지지면(134)으로부터 동일한 간격만큼 연장할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제 1 세트의 리프트 핀(150)은 기판(140)의 주변 부분을 지지하기 위해서 구성되며 하나 이상의 리프트 핀(152)의 바깥쪽으로 위치되는 여덟개 이상의 리프트 핀을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제 1 세트(180)의 리프트 핀(150)은 여덟 개의 핀을 한쌍으로 포함하며, 상기 각각의 쌍은 사각형 기판의 각각의 측면에 근접하게 위치된다. 일 실시예에 있어서, 제 2 세트(182)의 리프트 핀(152)은 전달중에 기판(140)의 중앙 부분을 지지하도록 지지부 조립체(138)의 중앙 주변에 위치되는 네개의 리프트 핀을 포함한다. 임의의 수의 리프트 핀이 임의의 형상 또는 임의의 패턴으로 이용될 수 있다고 예상된다. 예를들어, 기판(140)은 기판위에 형성되는 많은 피쳐(feature)를 가질 수 있으며 보다 작은 유닛으로 이후에 분리될 예정이며, 각각의 보다 작은 유닛은 평면 패널 디스플레이를 포함하고 있다. 제 2 세트의 리프트 핀(152)은 기판 이동처리 중에 피쳐에 의도되지 않은 손상을 방지하도록 피쳐들 사이의 면적 내에 기판(140)과 접촉하도록 구성될 수 있다.
리프트 핀(150, 152)은 지지부 조립체(138)로 기판(140)의 전달을 용이하게 하기 위해서 지지부 조립체(138)의 지지면(134)에 적합하게 구성될 수 있다. 하나 이상의 엑츄에이터(170)는 지지부 조립체 아래에 배치되며 지지부 조립체(138)의 지지면(134)에 대해 하나 이상의 제 1 세트 또는 제 2 세트(180, 182)의 리프트 핀(150, 152)의 이동을 제어하게된다. 하나 이상의 엑츄에이터(170)는 기압 실린더, 수압 실린더, 리드 스크류(lead screw), 솔레노이드, 스텝퍼 모터, 또는 리프트 핀(150, 152)의 이동을 제어하기 위해 적합한 다른 장치일 수 있다. 제 1 세트 및 제 2 세트(180, 182)의 리프트 핀(150, 152)중 하나 이상의 이동 제어는 지지부 조립체(138)의 지지면(134)과 접촉됨에 따라서 리프트 핀(150, 152)에 의해 지지되는 기판(140) 프로파일(profile)의 제어를 가능하게 한다. 기판(140)의 프로파일을 제어함으로써, 기판(140)은 실질적으로 연속적인 센터 투 에지 방식으로 지지면(134)과 접촉될 수 있으며, 따라서 기판(140)과 지지면(134) 사이의 임의의 가스를 실질적으로 포획하지 않고 기판(140)의 전달을 가능하게 한다. 본 발명에서 이용된 바와 같이, 연속적인은 시간적 연속성이 아닌 물리적 연속성을 언급한다. 기판 (140)은 지지부 조립체(138)로부터 또는 지지부 조립체로 전달중에 다양한 모멘트로 들어올려지며, 하강하거나 정지상태로 유지될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 엑츄에이터(170)는 제 2 세트(182)의 리프트 핀(152)과 제 1 세트(180)의 리프트 핀(150)만을 이동시키도록 수동적으로 작동된다. 본 발명에서 이용된 바와 같이, 수동적 작동은 제 1 세트(180)의 리프트 핀(150)이 지지부 조립체(138)가 하강할때, 챔버(102)의 바닥(108)과 같은 정지 물체와의 접촉에 의해 지지부 조립체(138)에 대해서 이동된다. 대안적으로, 엑츄에이터(170)는 제 1 및 제 2 세트(180, 182)의 리프트 핀(150, 152) 모두를 이동시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 엑츄에이터(170)는 제 2 세트(182)의 리프트 핀(152)과 대체로 일렬로 챔버(102)의 바닥(108)에 연결될 수 있다. 챔버(102)의 바닥(108)에 형성되는 복수의 홀(108)은 각각의 엑츄에이터(170)가 충돌판(172)을 챔버(102)의 바닥에 대해서 위 아래로 이동하게 한다. 충돌판(172)은 통상적으로, 세라믹 또는 산화피막 알루미늄으로 구성되어 있다. 엑츄에이터(170)의 행정(stroke)은 리프트 핀(152)의 이동량을 제어하며, 일반적으로 지지부 조립체(138)의 구성에 의해 결정될 것이다. 예를들어, 일 실시예에 있어서, 리프트 핀(150, 152)은 동일한 길이이며 지지부 조립체(138) 다리(lower)로서 작동되며 리프트 핀(150, 152)의 제 2 단부(164, 166)는 챔버 바닥(108) 및 충돌판(172) 각각에 접촉된다. 엑츄에이터(170)는 이후에 보다 완전히 기재되는 바와 같이, 챔버 바닥(108)과 적어도 실질적으로 동일 평면상에서 챔버 바닥(108)보다 낮은 위치의 영역에 위치될 충돌판(172)이 기판(140)의 형상을 충분히 제어하도록할 수 있는 행정을 가질 수 있다.
대안적으로, 리프트 핀(150)이 리프트 핀(152) 보다 긴 다른 실시예에 있어서, 엑츄에이터(170)는 리프트 핀(152)을 바람직하게 작동하기 위해 긴 행정을 갖거나, 보다 높이 위치될 수 있다. 상대적인 길이를 갖는 세트(180, 182)의 리프트 핀(150, 152)의 임의의 조합은 엑츄에이터(170)의 행정 길이 및/또는 위치에 의해 보충될 수 있다고 기대된다. 게다가, 엑츄에이터(170)는 충돌판(172)을 이용하기 보다는 리프트 핀(152)에 직접적으로 연결될 수 있다. 선택적으로, (도시되지 않은)하나 이상의 엑츄에이터는 부가적으로, 지지부 조립체(138) 아래에 배치될 수 있으며 제 1 세트(180)의 리프트 핀을 작동시킬 수 있다.
도 2 내지 도 5는 종래 기술의 결함을 이롭게 극복하는 한 작동 모드를 설명하는 본 발명의 기판 지지부의 부분 측단면도를 도시한다. 구체적으로 말하면, 도 2는 프로세싱 챔버(102)의 내측 또는 외측으로 기판(140)을 이동시키기에 적합하게 올려진 위치에 있는 기판(140)을 지지하는 기판 지지부(138)의 부분 단면도이다. 기판(140)의 크기 때문에, 리프트 핀(150, 152)에 의해 지지되지 않은 면(204)이 늘어질 수 있다. 고온의 프로세싱 챔버(102)는 보다 많은 늘어짐을 야기시킴으로써 이러한 결과를 더욱 심하게할 수 있다. 제 1 및 제 2 세트(180, 182)의 리프트 핀(150, 152)이 지지부 조립체(138) 위에서 실질적으로 동일한 높이로 연장됨을 나타내며, 제 2 세트(182)의 리프트 핀(152)은 기판(140)이 리프트 핀(150, 152) 위에 처음 위치될때 제 1 세트(180)의 리프트 핀(150)과는 다른 높이일 수 있다고 예상된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 기판(140)의 프로파일이 보다 아치형으로 형성되 도록 제어될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 이는 엑츄에이터(170)에 의해 제 2 세트(182)의 리프트 핀(152)을 하강하게 함으로써 달성될 수 있다. 제 2 세트(182)의 리프트 핀(152)은 제 1 세트(180)의 리프트 핀(150)과는 독립적으로 이동한다. 도 4 에 도시된 바와 같이, 기판(140)의 중앙 부분(402)은 지지부 조립체(138)의 지지면(134)과 접촉하게 된다. 이는 기판(140)과 접촉하도록 지지부 조립체(138)가 상승됨으로써 달성될 수 있다. 대안적으로, 제 1 및 제 2 세트(180, 182)의 리프트 핀(150, 152), 또는 지지부 조립체(138)의 부품과 제 1 및 제 2 세트(180, 182)의 리프트 핀(150,152)의 몇몇 다른 조합체가 하강됨으로써, 기판(140)의 중앙 부분(402)이 지지면(134)과 접촉되게 한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 지지부 조립체(138)와 기판(140) 사이의 상대적 간격은 계속적으로 줄어들며 기판(140)은 매끄럽게, 완만한 접촉점(502)을 따라 지지부 조립체(138)와 접촉하게 된다. 완만한 접촉점(502)은 점진적으로, 기판(140)과 지지부 조립체(138)의 지지면(134) 사이의 가스를 강제로 밀어내도록 이동한다. 따라서, 지지부 조립체(138)로의 기판(140)의 전달이 완료될때, 기판(140)은 기판(140)과 지지부 조립체(138)의 지지면(134) 사이에 실질적으로 포획되는 어떠한 가스도 없이 지지부 조립체(138) 상에 균일하게 위치된다.
센터 투 에지 방식으로 기판(140)의 전달 방법을 나타내는 도면 및 설명에도 불구하고, 기판(140)이 한쪽에서 다른쪽으로, 예를들어, 왼쪽에서 오른쪽, 오른쪽에서 왼쪽, 등등으로 전달될 수 있다고도 예상된다. 구체적으로 말하면, 도 2 내지 도 5에 설명된 연속성 배치에 있어서 당업자는 전술된 바와 같이, 기판(140)과 지지부 조립체(138)의 지지면(134) 사이의 가스를 강제로 밀어내는 사이드 투 사이드(side to side) 방식으로 지지부 조립체 위로 기판(140)을 위치시키도록 리프트 핀(150, 152) 및 엑츄에이터(170)을 용이하게 제어 및 배열할 수 있었다.
도 6은 대형 기판을 프로세싱 하기에 적합한 지지부 조립체(638)를 구비한 PECVD 시스템(600)의 다른 실시예를 도시한다. 상기 시스템(600)은 실질적으로, 전술된 상세한 설명을 제외하고, 도 1에 대해 기재된 시스템(100)과 유사하다.
리프트 플레이트(612)는 지지부 조립체(638)의 하면(126)에 가장 근접하게 배치된다. 리프트 플레이트(612)는 제 2 세트(182) 리프트 핀(152)의 제 2 단부(166) 아래에 배치되어 리프트 플레이트(612)는 리프트 핀(512)과 접촉할 수 있으며 상기 리프트 핀을 지지부 조립체(638)의 지지면(634)으로부터 연장하게 한다. 리프트 플레이트(612)는 기압 실린더, 수압 실린더, 리드 스크류, 솔레노이드, 스텝퍼 모터, 또는 통상적으로, 프로세스 영역(112)의 외측에 위치되는 (도시되지 않은)다른 이동 장치와 같은 엑츄에이터에 연결된다. 리프트 플레이트(612)는 스템(142)의 일부분을 둘러싸고 있는 칼라(collar)에 의해 엑츄에이터에 연결된다. 도 1의 벨로우(146)와 유사한 벨로우(646)는 스템(142) 및 칼라(606)가 외부에서 챔버(102)까지 프로세스 영역(112)의 차단을 유지하면서 독립적으로 이동하게하는 상부(604) 및 하부(602)를 포함한다. 대안적으로, 리프트 플레이트(612) 및 지지부 조립체(638)의 이동은 리프트 플레이트(612)와 지지부 조립체(638) 사이의 상대적 이동을 제어하는 이동 정지부 및 스프링을 이용하는 단일의 엑츄에이터를 경유하여 제어될 수 있다.
일반적으로, 리프트 플레이트(612)는 리프트 핀(150) 및 지지부 조립체(638)의 지지면(634)에 대해 리프트 핀(152)의 위치를 제어하도록 작동된다. 지지면(634)으로부터 리프트 핀(150)의 연장량에 대해 지지면(634) 이상의 리프트 핀(152)의 연장량을 제어함으로써, 기판(140)의 형상이 전술된 바와 같이, 점진적인 센터 투 에지 방식으로 지지부 조립체(638) 위에 기판(140)의 적합한 배치를 확실하게 하도록 제어할 수 있다. 지지부 조립체(638)는 지지부 조립체(638), 리프트 플레이트(612), 또는 이들의 조합을 이동시킴으로써 리프트 플레이트(612)에 대해 이동할 수 있다.
도 7 및 도 8에 도시된 일 실시예에 있어서, 제 1 세트의 리프트 핀(150) 및 제 2 세트(182)의 리프트 핀(152)의 바람직한 상대적 위치는 기판(140)의 의도된 편향, 또는 늘어짐을 근거로하여 미리 결정된다. 의도된 편향은 일반적으로, 기판(140)의 물리적 특징 및 프로세싱 챔버(102) 내의 프로세싱 조건, 예를들어, 온도를 근거로한다.
도 7에 도시된 일 실시예에 있어서, 도시된 PECVD 시스템(700)은 챔버(102) 내에 배치되는 지지부 조립체(138)를 갖는다. 복수의 오프셋(offsets)(702)은 각각의 제 1 세트(180)의 리프트 핀(150) 아래쪽 챔버(102)의 바닥(108) 위에 배치된다. 각각의 오프셋(702)은 높이 D를 갖는다. 지지부 조립체(138)가 하강함으로써, 리프트 핀(152)의 제 2 단부(166)가 챔버(102)의 바닥(108)과 접촉하면서 리프트 핀(150)의 제 2 단부(164)가 오프셋(702)과 접촉한다. 오프셋(702) 및 바닥(108)과 리프트 핀(150, 152)의 접촉은 리프트 핀(150, 152)이 계속적으로 하강하 는 지지부 조립체(138)의 이동을 멈추게하며, 따라서, 리프트 핀(150, 152)의 제 1 단부(160, 162)는 지지부 조립체(138)의 지지면(134) 위로 연장하게 된다.
챔버 바닥(108) 위에 오프셋(702)의 존재 때문에, 제 1 세트(180)의 리프트 핀(150)은 오프셋(702)의 높이에 의해서 제 2 세트(182)의 리프트 핀(152) 보다 높게 위치될 것이다. 오프셋의 높이는 연장되는 리프트 핀(150, 152) 위에 위치되는 기판(140)의 바람직한 프로파일이 유지되도록 계산되어서 지지부 조립체(138)가 상승하자마자, 기판(140)은 기판(140)의 중앙에서 기판(140)의 바깥쪽 가장자리로 매끄럽고 연속적으로, 지지부 조립체(138)의 지지면(134)과 접촉하게 된다. 전술된 바와 같이, 이는 유리하게, 가스를 기판(140)과 지지부 조립체(138)의 지지면(134) 사이에서 강제로 밀어낸다. 대안적으로, 리프트 핀(150)은 챔버의 바닥(108)에 배치될 오프셋(702) 없이 계산된 높이로 리프트 핀(152) 보다 높게 위치될 것이다.
도 8에 도시된 일 실시예에 있어서, 도시된 PECVD 시스템(800)은 프로세싱 챔버(102) 내에 배치되는 지지부 조립체(838)를 갖는다. 상기 시스템(800)은 실질적으로, 다음의 상세한 설명을 제외하고는, 도 6에 대해 도시된 시스템과 유사하다.
리프트 플레이트(812)는 지지부 조립체(138)의 하면(126)과 근접하게 배치된다. 리프트 플레이트(812)는 위의 도 6을 참조하여 기재된 바와 같이 (도시되지 않은)엑츄에이터에 연결된다. 리프트 플레이트(812)는 지지부 조립체(138), 리프트 플레이트(812), 또는 이들의 조합을 이동시킴으로써 지지부 조립체(138)에 대해서 이동시킬 수 있다.
리프트 플레이트(812)는 리프트 핀(150, 152)의 제 2 단부(164, 166) 아래에 배치되어 리프트 플레이트(812)는 리프트 핀(150, 152)과 접촉할 수 있으며 지지부 조립체(138)의 지지면(134)으로부터 상기 리프트 핀을 지지부 조립체(138)의 지지면(134)으로부터 연장하게 한다. 리프트 플레이트(812)는 내부 표면(814) 및 상승된 외부 표면(816)을 갖는다. 외부 표면(816)은 내부 표면(814) 위로 높이 D의 위치에 배치된다.
일반적으로, 리프트 플레이트(812)는 지지부 조립체(138)의 지지면(134)에 대해 리프트 핀(150, 152)의 위치를 제어하도록 작동된다. 리프트 플레이트(812)의 내부 및 외부 표면(814, 816) 사이의 높이 D의 차이는 연장되는 리프트 핀(150, 152) 위에 위치되는 기판(140)의 바람직한 프로파일이 유지되도록 계산되어, 리프트 핀(150, 152)이 하강하자마자, 기판(140)은 기판(140)의 중앙에서 기판(140)의 바깥쪽 가장자리로 매끄럽고 연속적으로, 지지부 조립체(138)의 지지면(134)과 접촉하게 된다. 전술된 바와 같이, 이는 유리하게, 가스를 기판(140)과 지지부 조립체(138)의 지지면(134) 사이에서 강제로 밀어낸다. 대안적으로, 리프트 핀(150)은 리프트 플레이트(812)의 내부 표면(814)과 외부 표면(816) 사이에서 높이의 차이없이 계산된 높이 D에 의해 리프트 핀(152) 보다 길어질 수 있다.
도 9는 기판 지지부 위에 기판을 위치시키기 위한 방법의 흐름도를 도시한다. 상기 방법(900)은 기판(140)이 통상적으로, 도 2 에 도시된 바와 같이 지지부 조립체(138)보다 위에 로봇에 의해, 리프트 핀(150, 152)에 위치되는 단계(902)로 시작한다. 대안적으로, 제 2 세트의 리프트 핀(182)은 도 3에 도시된 바와 같이제 1 세트의 리프트 핀(180) 보다 이미 낮게 위치될 수 있다. 선택적인 단계(904)에서, 기판의 형상은 안쪽 및 바깥쪽 리프트 핀(150, 152)의 상대적인 연장을 조절함으로써 소정의 프로파일로 조정된다. 일 실시예에 있어서, 안쪽의 리프트 핀(152)은 도 3에 도시된 바와 같이, 실질적으로 아치형이될 기판(140)의 프로파일을 제어하도록 지지면(134)에 대해서 하강한다.
단계(906)에서, 지지부 조립체(138)는 지지부 조립체(138)의 지지면(134) 위의 위치에 기판(140)을 위치시키도록 상승한다. 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(140)의 중앙 부분(402)이 기판(140)의 임의의 다른 부분 보다 먼저 지지부 조립체(138)의 지지면(134)과 접촉하게 된다. 도 5에 도시된 바와 같이, 기판 지지부가 계속적으로 상승함으로써, 기판(140)은 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(140)이 지지부 조립체(138)의 지지면(134)위에 완전히 편평하게 위치될때까지 기판(140)과 지지부 조립체(138)의 지지면(134)으로부터 임의의 가스를 밀어내도록 완만한 접촉점(502)을 따라서 기판(140)이 지지부 조립체(138)의 지지면(134)과 접촉하게 된다. 대안적으로, 지지부 조립체(138)는 정지될 수 있으며, 제 1 및 제 2 세트(180, 182)의 리프트 핀이 기판(140)이 지지면(134) 또는 지지부 조립체(138) 위로 하강하도록 작동될 수 있으며, 제 1 및 제 2 세트의 리프트 핀 둘다를 이동시킬 수 있다.
전술된 내용이 본 발명의 실시예를 나타낸 반면에, 본 발명의 또 다른 실시예가 본 발명의 근본적인 범위 및 사상을 벗어나지 않고 고안될 수 있으며, 본 발명의 범위는 다음의 청구범위에 의해 결정된다.
기판과 기판 지지부 사이로부터 가스를 강제로 배출시키는 센터 투 에지 방식으로 대형 기판을 기판 지지부 위로 전달하여 기판 지지부 사이의 포획된 가스 포켓으로 인한, 기판 상의 구조물 손상 및 처리 공정상의 불균일성을 제거한다.

Claims (40)

  1. 프로세싱 챔버 내의 기판을 지지하기 위한 지지부 조립체로서,
    지지면 및 바닥면을 구비한 지지부 조립체;
    상기 지지부 조립체를 관통해 이동가능하게 배치되며, 상기 기판을 지지하기 위한 나팔 모양으로 퍼진 단부 및 상기 바닥면을 넘어서 연장하는 제 2 단부를 갖는 제 1 세트의 리프트 핀; 및
    상기 기판을 지지하기 위한 나팔 모양으로 퍼진 단부 및 상기 바닥면을 넘어서 연장하는 제 2 단부를 가지며, 상기 제 1 세트의 리프트 핀 안쪽 위치에 그리고 상기 제 1 세트의 리프트 핀에 대해 독립적으로 이동가능하게 상기 지지부 조립체를 관통해 이동가능하게 배치되는 제 2 세트의 리프트 핀을 포함하며;
    상기 제 1 세트의 리프트 핀의 상기 나팔 모양으로 퍼진 단부는 상기 지지면 보다 위의 제 1 간격에서 상기 기판을 지지하며, 상기 제 2 세트의 리프트 핀의 상기 나팔 모양으로 퍼진 단부는 상기 지지면 보다 위의 제 2 간격에서 상기 기판을 지지하며, 상기 제 2 간격은 상기 제 1 간격보다 적은,
    지지부 조립체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 세트의 리프트 핀이 4 개 이상의 리프트 핀을 포함하는,
    지지부 조립체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 세트의 리프트 핀이 상기 지지부 조립체 중앙 주변에 대략 90 도의 간격으로 이격되어있는 네 개의 리프트 핀을 포함하는,
    지지부 조립체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 세트의 리프트 핀이 여덟 개 이상의 리프트 핀을 포함하는,
    지지부 조립체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 세트의 리프트 핀이 사각형 기판의 각각의 측면에 근접하게 위치될 네 쌍의 리프트 핀을 포함하는,
    지지부 조립체.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 세트의 리프트 핀이 상기 제 2 세트의 리프트 핀의 제 2 길이 보다 긴 제 1 길이를 갖는,
    지지부 조립체.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지부 조립체 아래에 배치되는 엑츄에이터; 및
    상기 엑츄에이터에 연결되고 상기 엑츄에이터에 의해 상승될때 상기 제 2 세트의 리프트 핀을 변위시키도록 위치되는 리프트 플레이트를 더 포함하는,
    지지부 조립체.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지부 조립체 아래에 배치되며 상기 제 1 세트의 리프트 핀과 맞물림 없이 상기 제 2 세트의 리프트 핀중 하나 이상과 맞물리는 하나 이상의 엑츄에이터를 더 포함하는,
    지지부 조립체.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지부 조립체 아래에 배치되며 상기 제 2 세트 리프트 핀의 각각의 핀과 각각 맞물리는 복수의 엑츄에이터를 더 포함하는,
    지지부 조립체.
  10. 프로세싱 챔버 내의 기판을 지지하기 위한 지지부 조립체로서,
    상승 위치와 하강 위치 사이에서 이동가능하며 지지면 및 바닥면을 갖는 지지부 조립체;
    상기 지지부 조립체를 관통해 이동가능하게 배치되며 상기 지지면에 근접하게 배치되는 상기 기판을 지지하기 위한 제 1 단부 및 바닥면을 넘어서 연장하는 제 2 단부를 갖는 제 1 세트의 리프트 핀;
    상기 지지부 조립체를 관통해 이동가능하게 배치되며 상기 지지면에 근접하게 배치되는 상기 기판을 지지하기 위한 제 1 단부 및 바닥면을 넘어서 연장하는 제 2 단부를 갖는 제 2 세트의 리프트 핀; 및
    상기 제 1 세트의 리프트 핀에 대해 상기 제 2 세트의 리프트 핀중 하나 이상을 독립적으로 위치시키도록 상기 지지부 조립체 아래에 배치되는 엑츄에이터를 포함하며;
    상기 제 1 세트 리프트 핀의 제 2 단부가 상기 지지부 조립체가 하강 위치에 있을때 상기 챔버의 바닥과 접촉하는,
    지지부 조립체.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 세트의 리프트 핀이 상기 제 1 세트 리프트 핀의 안쪽에 위치되는,
    지지부 조립체.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 세트의 리프트 핀이 네 개의 리프트 핀을 포함하는,
    지지부 조립체.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 세트의 리프트 핀이 상기 지지부 조립체 중앙 주변에 실질적으로 같은 거리에 위치되는 네 개의 리프트 핀을 포함하는,
    지지부 조립체.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 세트의 리프트 핀이 여덟 개 이상의 리프트 핀을 포함하는,
    지지부 조립체.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 세트의 리프트 핀이 사각형 기판의 각각의 측면에 근접하게 위치될 네 쌍의 리프트 핀을 포함하는,
    지지부 조립체.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 엑츄에이터는 한 세트의 엑츄에이터를 더 포함하며,
    각각의 엑츄에이터가 상기 챔버의 상기 바닥에 형성되는 홀 내에 배치되는,
    지지부 조립체.
  17. 제 10 항에 있어서,
    상기 지지부 조립체 아래에 위치되며 상기 엑츄에이터에 연결되는 리프트 플레이트를 더 포함하며,
    상기 리프트 플레이트가 상기 제 2 세트의 리프트 핀의 제 2 단부와 접촉하는,
    지지부 조립체.
  18. 증착 챔버 내의 대형 기판을 지지하기 위한 지지부 조립체로서,
    상기 기판을 지지하는 지지면을 구비한 기판 지지부;
    상기 기판 지지부를 관통해 이동가능하게 배치되며 상기 지지면 위로 제 1 높이로 연장하는 제 1 단부를 갖는 제 1 복수의 리프트 핀; 및
    제 1 복수의 리프트 핀의 안쪽 위치에 기판 지지부를 관통해 이동가능하게 배치되며 상기 지지면 위로 제 2 높이로 연장하는 제 1 단부를 갖는 제 2 복수의 리프트 핀을 포함하며;
    상기 제 2 높이는 상기 제 1 높이와는 상이하며,
    상기 제 1 복수의 리프트 핀은 상기 제 2 복수의 리프트 핀과는 독립적으로 연장되며, 상기 제 1 복수의 리프트 핀은 상기 제 1 높이에서 상기 기판과 접촉하며, 상기 제 2 복수의 리프트 핀이 전달 과정중에 제 2 높이에서 기판과 동시에 접촉하는,
    지지부 조립체.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 기판 지지부가 바닥면을 더 포함하며,
    상기 제 1 제 2 복수의 리프트 핀이 바닥면 아래로 연장하는 길이를 갖는,
    지지부 조립체.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 바닥면 아래로 연장하는 상기 길이가 동일한,
    지지부 조립체.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 바닥면 아래로 연장하는 상기 길이가 상이한,
    지지부 조립체.
  22. 제 19 항에 있어서,
    상기 제 1 복수의 리프트 핀이 제 2 복수의 리프트 핀의 길이보다 긴 길이를 갖는,
    지지부 조립체.
  23. 제 18 항에 있어서,
    상기 지지부 조립체 아래에 배치되는 엑츄에이터; 및
    상기 엑츄에이터에 연결되어 상기 엑츄에이터에 의해 상승될때 상기 제 2 복수의 리프트 핀를 이동시키도록 위치되는 리프트 플레이트를 더 포함하는;
    지지부 조립체.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 리프트 플레이트가 상기 엑츄에이터에 의해 상승될때 제 1 복수의 리프트 핀을 또한 이동시키는,
    지지부 조립체.
  25. 제 18 항에 있어서,
    상기 기판 지지부 조립체가 증착 챔버 내에 있는,
    지지부 조립체.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 증착 챔버가 상기 제 1 복수의 리프트 핀의 하부와 접촉하는 상승된 부분을 구비한 바닥을 갖는,
    지지부 조립체.
  27. 제 25 항에 있어서,
    상기 증착 챔버가 상기 증착 챔버의 하부면 위에 배치되는 복수의 엑츄에이터를 더 포함하는,
    지지부 조립체.
  28. 제 27 항에 있어서,
    상기 복수의 엑츄에이터가 상기 제 2 복수의 리프트 핀을 이동시키는,
    지지부 조립체.
  29. 제 18 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 복수의 리프트 핀의 상기 제 1 단부가 나팔 모양으로 퍼진 형상을 갖는,
    지지부 조립체.
  30. 증착 챔버 내의 기판을 지지하기 위한 장치로서,
    기판의 주변부를 지지하는 제 1 복수의 리프트 핀; 및
    기판의 중앙 구역을 지지하는 제 2 복수의 리프트 핀을 포함하며;
    상기 제 1 복수의 리프트 핀 및 상기 제 2 복수의 리프트 핀이 상기 증착 챔버 내의 기판 지지부를 관통해 이동가능하게 배치되며,
    상기 각각의 리프트 핀은 상기 기판과 접촉하는 제 1 단부와 증착 챔버의 하 부면 위에 배치되는 이동 부재와 상호작용을 하도록 기판 지지부 아래로 연장하는 제 2 단부를 포함하며, 상기 이동 부재의 선택적인 맞물림에 의해, 상기 중앙 구역은 상기 기판이 상기 기판 지지부와 접촉하게 될때 주변부 보다 먼저 상기 기판의 상부면과 접촉하는,
    기판 지지 장치.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 이동 부재가 상기 기판 지지부 아래에 배치되는 엑츄에이터이며,
    상기 엑츄에이터는, 상기 엑츄에이터에 연결되고 상기 엑츄에이터에 의해 상승될때 상기 제 2 복수의 리프트 핀을 이동시키도록 위치되는 리프트 플레이트를 더 포함하는,
    기판 지지 장치.
  32. 제 30 항에 있어서,
    상기 이동 부재가 상기 기판 지지부 아래에 배치되는 하나 이상의 엑츄에이터이며 상기 제 1 복수의 리프트 핀과 접촉함이 없이 상기 제 2 복수의 리프트 핀중 하나와 선택적으로 접촉하는,
    기판 지지 장치.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 엑츄에이터가 한 세트의 엑츄에이터를 포함하며,
    각각의 엑츄에이터가 챔버의 하부에 형성되는 홀 내에 배치되는,
    기판 지지 장치.
  34. 제 30 항에 있어서,
    상기 이동 부재가 상기 기판 지지부 아래에 배치되는 복수의 엑츄에이터이며 각각 상기 제 2 복수의 리프트 핀 각각의 리프트 핀과 접촉하는,
    기판 지지 장치.
  35. 제 30 항에 있어서,
    상기 기판 지지부가 바닥을 갖는 프로세싱 챔버 내에 배치되며 이동부재가 상기 제 1 복수의 리프트 핀에 포함되는 각각의 상기 리프트 핀의 상기 제 2 단부와 접촉하는 바닥의 상승되는 부분인,
    기판 지지 장치.
  36. 피가공재를 지지하기 위한 장치로서,
    바닥을 구비한 챔버;
    지지면을 구비한 지지부 조립체;
    상기 지지부 조립체를 관통해 이동가능하게 배치되며 상기 피가공재 및 상기 바닥과 접촉할때 상기 지지면으로부터 제 1 간격만큼 연장하는 제 1 세트의 리프트 핀; 및
    상기 제 1 세트의 리프트 핀 안쪽에 방사상으로 위치되고 상기 지지부 조립체를 관통해 이동 가능하게 배치되며 상기 제 1 및 제 2 세트의 리프트 핀 모두가 상기 피가공재 및 상기 바닥과 접촉할때 상기 지지면으로부터 제 2 간격만큼 연장하는 제 2 세트의 리프트 핀를 포함하며;
    상기 제 1 간격이 상기 제 2 간격보다 큰,
    피가공재 지지 장치.
  37. 제 36 항에 있어서,
    상기 피가공재가 상기 지지면과 접촉할때 편평하며 상기 제 1 및 제 2 세트의 리프트 핀과 접촉할때 아치형인,
    피가공재 지지 장치.
  38. 제 36 항에 있어서,
    상기 피가공재가 피가공재 전달 프로세스 중에 상기 피가공재와 상기 지지면 사이에 완만한 접촉점을 갖는,
    피가공재 지지 장치.
  39. 제 38 항에 있어서,
    상기 완만한 접촉점이 상기 피가공재의 중앙에서 상기 피가공재의 가장자리 까지인,
    피가공재 지지 장치.
  40. 제 38 항에 있어서,
    상기 완만한 접촉점이 상기 피가공재의 가장자리에서 상기 피가공재의 중앙까지인,
    피가공재 지지 장치.
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