CN1721933A - 可单独移动的基材支撑件 - Google Patents

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Abstract

本发明有关一种用来输送一基板至一基板支撑件的方法及设备。在一实施例中,一种输送基板的方法包含在一第一组及第二组举升销上同时支撑一基板于一基板支撑件上表面的上方,该第一及第二组举升销以可移动地方式设置穿过该基板支撑件。该第一组举升销可延伸至一第一高度且该第二组举升销可延伸至一比该第一高度低的第二高度。该第二组举升销被设置在该第一组举升销的径向内围处。缩小介于该第一组及第二组举升销与该上表面之间的相对距离,使得该基板可从靠近该基板中心的一个点到该基板的边缘平顺地且持续地接触该上表面。

Description

可单独移动的基材支撑件
技术领域
本发明一般有关用来放置一大面积基板于一处理室内的基板支撑件上的方法及设备。
背景技术
液晶显示器或液晶面板经常被用作为主动矩阵显示器上,如电脑及电视监视器。通常,液晶面板包含两片大面积的基板,在两片基板之间夹了一层液晶物质。至少一片基板包括了至少一导电膜设置于其上,且该导电膜被耦合至一电源。从该电源供应至该导电膜的电力改变了液晶物质的方向产生一显示图样。
为了要制造这些显示器,典型地,一诸如玻璃或聚合物工件之类的大面积基板,需接受多道连续处理以于该基板上创造出元件、导体及绝缘体。这些处理中的每一处理通常是在一被设计来实施该制程的一单一步骤的处理室中进行。为了要有效率地完成整个制程步骤,数个处理室典型地被耦合至一中央传送室,其具有一机械臂以于各处理室之间传送该大面积基板。一具有此架构的处理平台通常被称为一丛集工具,例如由设在美国加州的Santa Clara市的Applied Materials公司所拥有的子公司AKT所制造的AKT PECVD处理平台系列产品。
通常,在该丛集工具内,该传送室机械臂将基板放在一端施作器(end effector)结构传送至每一室。在每一室内都设有基板支撑件,机械臂在传送期间将基板放在基板支撑件上。当大面积基板被放在基板支撑件上之后,该机械臂就会从该室撤出。典型地,该基板支撑件包括一传送机构,如复数个可垂直移动的举升销,它们可向上移动用以与该大面积基板接触,方便在该机械臂与该基板支撑件之间进行基板交换。
随着对于液晶面板需求的增加,对于大尺寸基板的需求亦跟着提高。例如,用来制造液晶面板的大面积基板的面积在几年之内已从550mm乘650mm增加到超过1500mm乘1800mm的尺度,且可预见地在不久的将来将会超过4平方公尺。大面积基板在尺寸上的成长已对搬运及制造产生了新的挑战。例如,为了要容纳大型基板,在基板支撑件上的举升销在各个举升销之间的间距将变大。举升销之间的间距变大的产生该大面积基板的未受支撑的区域有较大的挠曲或下垂而包围在各别举升销周围的结果。当举升销缩回用以将基板放置到基板支撑件上时,下除区域会在处于该等支撑销下方的区域之前接触到该基板支撑件,造成气体被包陷在基板与该基板支撑件之间的多处位置的结果。
这些被包陷的气体会造成该大面积基板″浮″在该基板支撑件的表面上或移动于基板支撑件的表面上,导致基板没有对准。此未对准的基板会造成昂贵的基板损害或不的处理效能。此外,介于基板与一被热的基板支撑件之间的该等被包陷的气体袋会造成热传递不均的结果,进一步倒致处理的不一致以及有缺陷的结构被形成在该大面积基板上。
因此,对于一种用来将大面积基板传送至基板支撑件的改良的方法与设备存在着需求。
发明内容
本发明大体上提供一种用来将大面积基板传送至一基板支撑件上的方法与设备的实施例。该方法及设备被用来以一种中心-至-边缘的方式(center-to-edge manner)将一基板传送至一基板支撑件上,其可将所有的气体从该基板与该基板支撑件之间逼出来。
在一实施例中,一用以支撑一基板于一处理室的支撑组件包括一有一支撑表面及一底面的支撑组件。一第一组举升销被可移动地设置穿过该支撑组件并具有用来支撑邻近该支撑表面的该基板的多个第一端,及延伸超过该底面的多个第二端。第一组举升销的多个第一端可伸展至一高于该支撑表面上方的第一距离。一第二组举升销在该第一组举升销的径向内围处被设置成可移动地穿过该支撑组件。该第二组举升销具有可用来支撑邻近该支撑表面的该基板的多个第一端,及延伸超过该底面的多个第二端。第二组举升销的多个第一端可以独立于第一组举升销的多个第一端之外的方式伸展至一高于该支撑表面上方的一第二距离。该第二距离小于该第一距离。
在另一实施例中,一用以支撑一基板于一处理室的支撑组件,其包括一可移动于一升高的位置与一降低的位置之间且具有一支撑表面与一底面的支撑组件。一第一组举升销被可移动地设置穿过该的支撑组件并具有用来支撑邻近该支撑表面的该基板的多个第一端,及延伸超过该底面的多个第二端。该第一组举升销是被动地被致动。该第一组举升销的多个第二端至少在该支撑组件位在该降低的位置时是与该室的底部相接触的。一第二组举升销被可移动地设置穿过该支撑组件并具有可用来支撑邻近该支撑表面的该基板的多个第一端,及延伸超过该底面的多个第二端。一致动器被设置在该支撑组件的下方且适以相对于该第一组举升销来独立地置放该第二组举升销中的至少一根。
在另一实施例中,一种用来传送一基板的方法包含以下步骤:同时在一第一组及一第二组举升销上支撑一基材于一基板支撑件上表面的上方,该第一及第二组举升销是可移动地设置穿过该基板支撑件。该第一组举升销可延伸至一第一高度且该第二组举升销可延伸至一比该第一高度为低的第二高度。该第二组举升销被设置在第一组举升销的径向内围处。缩小介于第一组及第二组举升销与该上表面之间的相对距离,以让基板能以一种中心-到-边缘的方式实质连续地接触该上表面。
附图说明
本发明的一更为特定的描述可借由参照显示于附图中的实施例而被作成,使得本发明的上述特征,优点及目的可被详细地了解。然而,应注意的是,附图中所示的为本发明的典型的实施例,因此不应被认为是本发明范围的限制,因为本发明可以有其它等效的实施例。
图1为具有一基板支撑件的处理室的实施例的一剖面侧视图;
图2-5为图1的基板支撑件的实施例的剖面侧视图,其显示一基板被传送至其上;
图6为具有一基板支撑件的处理室的另一实施例的一剖面侧视图;
图7为具有一基板支撑件的处理室的另一实施例的一剖面侧视图;
图8为具有一基板支撑件的处理室的另一实施例的一剖面侧视图;及
图9为一流程图,其显示将一基板传送至一基板支撑件的方法。
具体实施方式
本发明的实施例大体上提供一种有利于将一大面积基板放到一基板支撑件上的基板支撑件及用来传送一大面积基板的方法。本发明以等离子体强化的化学气相沉积系统为例,如由设在美国加州的Santa Clara市的AppliedMaterials公司所拥有的子公司AKT所制造的等离子体强化的化学气相沉积(PECVD)系统,而被示范性地说明于下文中。然而,应被了解的是,本发明亦可以应用到其它的系统结构上,如物理气相沉积系统,离子布植系统,蚀刻系统,化学气相沉积系统及其它需要将一基板传送至一基板支撑件上的系统。
图1为一等离子体强化的化学气相沉积(PECVD)系统100的剖面侧视图。系统100大体上包括一室102其耦合至一气体源104。该室102具有壁106,一底部108及一盖子组件110,它们界定出一处理空间112。处理空间112典型地经由一设在壁106上的端口(未示出)来进出,该端口可促进基板140进/出该室102的运动。壁106及底部108可用单块的铝来制造。该盖子组件110包含一抽泵通风室(plenum)114其将该处理空间112耦合至一排气端口,该排气端口包括各式的抽泵构件(未示出)。
该盖子组件110被壁106所支撑且可被取下用以维修该室102。该盖子组件110大体上是由铝所构成且可额外地包含热传递流体通道,用来借由让热传递流体流经通道来调节该盖子组件110的温度。
一气体分布板118被耦合至该盖子组件110的一内侧120。该气体分布板118典型地是用铝所制成且可包括一挠性的周边支撑件190,其包围该气体分布板118的一中心区域。该挠性周边支撑件190耦合至该盖子组件110的一内部周边且被设计来挠性地支撑该气体分布板118,让该气体分布板118曝露在处理条件下时可以膨胀及收缩。该中心区域包括一穿孔区,气体源所供应的处理气体及其它气体通过该穿孔区被输送至该处理空间112。该气体分布板118的穿孔区被建构成可透过该气体分布板118提供均一的气体分布至该处理室102内。
一支撑组件138被设置在该处理室102的中央。该支撑组件138在处理期间支撑着一大面积基板140。在一实施例中,该大面积基板140包含一玻璃或聚合物工件,其具有4平方公尺或更大的表面积。该支撑组件138典型地是矩形且是用铝,陶瓷,或铝与陶瓷的组合来制成。该支撑组件138典型地包括至少一嵌埋的加热元件132。一真空端口(未示出)被用来施加一真空于该基板140与支撑组件138之间,且可在处理期间帮助将基板140固定在该支撑组件138上。加热元件132,如设在该支撑组件138内的一电极或电阻式元件,被耦合至一电源130,用来将该支撑组件138及位在其上的基板140热至一预定的温度。在一实施例中,该加热元件132将基板140保持在约150至400度的均一温度下。或者,加热灯或其它的热源亦可被用来加热该基板。
大体上,该支撑组件138被耦合至一杆142上。该杆142提供该支撑组件138垂直的支持且可被设计来提供一供电子导线,真空及气体供应管路用的通道于该支撑组件138与该系统100的其它构件之间。杆142将该支撑组件138耦合至一升降系统(未示出),其将该支撑组件138移动于一升高的位置(如图所示)与一降低的位置之间。伸缩软管146可在该支撑组件138移动的同时提供介于该处理空间112与在该室102外面的环境之间的一真空密封。
该支撑组件138大体上被接地,使得由一电源122提供至该气体分布板118(或位在该处理空间112内或靠近该室的盖组件处的其它的电极)的RF功率可激励存在该处理空间112中介于该支撑组件138与该气体分布板118之间的气体。该RF功率,通常具有一介于数Hz至13MHz或更高频率之间的频率,是在一适合该基板表面积的瓦特数下被提供的。在一实施例中,该电源122包含一双频电源,其可提供低于约2MHz(最好是约200至500kHz)的低频功率及一大13MHz(最好是约13.56kHz)的高频功率。该等频率可以是固定的也可以是变动的。举例而言,对于一550mm乘650mm的基板而言,该低频功率约为0.3至2kW,而该高频功率则约为1至5kW。大体上,功率的需求可随着基板尺寸的声加或减小而相应的加大或降低。
该支撑组件138额外地支撑一周界阴影框148。该周界阴影框148被建构来覆盖基板140的边缘且典型地包含陶瓷。大体上,该阴影框148可防止在该基板140及该支撑组件138的边缘处的沉积,使得基板不会黏在支撑组件138上。非必要地,一清洗气体被供应至该阴影框148与该支撑组件138之间来帮助防止基板边缘处的沉积发生。
支撑组件138具有复数个孔128穿过它用以接受复数根举升销150其包含第一组举升销180在内,及一或多根举升销152其包含第二组举升销182在内。举升销152的第二组举升销182被设置在举升销150的第一组举升销182的径向内围处。第一组举升销180被构来在传送期间支撑一基板的周边区域,而第二组举升销182则被建构来在传送期间支撑基板的中央区域。举升销150及152典型地是由陶瓷或铝所制成。大体上,当举升销150及152相对于该支撑组件138被缩回时,举升销150及152各自具有第一端160及162,它们与该支撑组件138的一支撑表面134大致齐平或稍低于该支撑表面134。第一端160及162大体上呈喇叭口状用以防止举升销150及152落入到孔128内及用以提供额外的表面积来支撑基板140。此外,举升销150及152各自具有第二端164及166,它们伸展超越该支撑组件138的一底侧126。
举升销150及152当被致动时会移动至该等销垂直地从该支撑表面134突伸出的一个位置。在此被致动的位置时,举升销150可伸展的比举升销152离该支撑表面134更远的距离。或者,举升销150及举升销152可伸展至离该支撑表面134相同的距离处。在一实施例中,举升销150的第一组举升销180被建构来支撑基板140的周边部分且可至少包括8根被设置在该一根或多根举升销152的外圈处。在一实施例中,举升销150的第一组举升销180包括8根被配成4对的举升销,其中靠近一四边形的基板的每一边处设置一对举升销。在一实施例中,举升销152的第二组举升销包括4根设在该支撑组件138的中心处的举升销,用来在传送期间支撑该基板140的中央部分。应被了解的是,任何数目的举升销可以安排成任何形状或随机的图样被使用。例如,基板140其上可形成有许多特征结构用来在随后被分割为较小的单元,每一较小的单元都包含一平板显示器。举升销152的该第二组举升销182可被安排成在介于特征结构之间的位置接触该基板140,用以防止在基板搬运期间意外地伤及该等特征结构。
举升销150,152可相对于该支撑组件138的支撑表面134被位移,用以帮助基板140传送至该支撑组件138。一或多个致动件170被设置在该支撑组件138下方且被设计来控制举升销150,152的第一举升销150或第二组举升销182中的至少一者相对于该支撑组件138的支撑表面134的位移量。该一个或多个致动器170可以是一气压缸,一液压缸,导螺杆,螺线管,步进马达,或适合用来控制举升销150,152的位移量的其它装置。控制举升销150,152的第一举升销150或第二组举升销182中的至少一根的位移量可以在基板140被带到与该支撑组件138相接触时控制被举升销150,152所支撑的基板140的轮廓,借由控制基板140的轮廓,基板140可以一种连续的,中心-到-边缘的方式来与该支撑表面134接触,借以让基板140的传送不会将空气包陷在基板140与支撑表面134之间。在本文中所用的″连续″一词是指物理上的连续,而不是时间的连续性。基板140可在被传送来/回于支撑组件138上期间于不同的时点被升高,降低,或保持不动。
在一实施例中,致动器170被设计成可只移动举升销152的第二组举升销182且举升销150的第一组举升销180是被动地致动。本文中所用的″被动致动″一词是指举升销150的第一组举升销180是于该支撑组件138被降低时,借由与一固定不动的物件,如室102的底部108,相接触而相对于支撑组件138被移动。或者,置动器170可将举升销150,152的第一组及第二组举升销180,182两者都致动。
在一实施例中,致动器170可被耦合至室102的底部108且与举升销152的第二组举升销182大致对准。形成在室102的底部108上的复数的孔116可让每一致动器170将一打击板172相对于室102的底部108上下移动。打击板172典型地是由陶瓷或阳极化铝所制成。置动器170的行程控制着举升销152的位移量且与支撑组件138的结构有关。例如,在一实施例中,举升销150,152是等长且是在支撑组件138下降及举升销150,152的第二端164,166分别接触到室底部108与打击板172时被致动的。置动器170可具有一行程,其可让该打击板172被放置在一个范围内,该范围是从至少大致与该室底部108共平面到一低于该室底部180且足以控制基板140的形状的位置之间,至将于下文中更完整地说明。
或者,在另一实施例中,举升销150比举升销152长,致动器170具有一较长的行程,或被设置在较高的位置,用以如所需地致动举升销152。举升销150,152的第一组及第二组举升销180,182的相对长度的任何组合可由致动器170的位置及/或行程长度来补偿。又,致动器170可直接耦合至举升销150而非利用打击板172来耦合。非必要地,一或多个致动器(未示出)可额外地被设置在支撑组件138的下方且被用来致动第一组举升销180。
图2-5为本发明的基板支撑件的部分剖面侧视图,其显示一种可克服现有技术的缺点的操作模式。具体说,图2为基板支撑件138支撑着一基板140于其上,位在一用来将基板140传送进/出该处理室102的升高的位置上的剖面侧视图。由于基板140的大小的关系,没有被举升销150,152支撑到的区域204会下垂。处理室102的高温会加剧此效果而造成更大的下垂。虽然升降消150,152的第一组及第二组举升销180,182升高到离支撑组件138之上一大致相同的高度,但应被了解的是,当基板140首次被放到举升销150,152上时,举升销152的第二组举升销182可位在不同于举升销150的第一组举升销180的高度。
如图3所示,基板140的轮廓可被控至用以形成一更为拱形的形状。在一实施例中,这可借由用致动器170将举升销152的第二组举升销182降低来达成。举升销152的第二组举升销182独立于举升销150的第一组举升销180之外而移动。如图4所示,基板140的一中央部分402被带来与支撑组件138的支撑表面134接触。这可借由将支撑组件138升高至基板140接触的高度来达成。或者,升降消150,152的第一组及第二组举升销180,182可被降低,或该支撑组件138与升降消150,152的第一组及第二组举升销180,182的某些运动组合来将基板140的中央部分402带到与支撑表面134接触的位置。
如图5所示,介于该支撑组件138与基板140之间的距离持续减小且基板140平顺地沿着一滚动的接触点502与支撑组件138接触。该滚动的接触点502逐渐地朝外移动用以将气体从基板140与支撑组件138的支撑表面134之间逼出。因此,当基板140传送至支撑组件138完成时,基板140即被均一地放置在支撑组件138上且没有气体被包陷在基板140与支撑组件138的支撑表面134之间。
虽然以上的说明及附图揭示了一种以中心-到-边缘的方式传送基板140的方法,但应被了解的是,基板140亦可用从一侧到另一侧的方式,如由右到左,或由左到右,的方式被传送。具体说,熟悉本技术的人员在看到图2-5的放置顺序之后,可以很容易地安排及控制致动器170及举升销150,152来以一种从一侧到另一侧的方式将基板140放置到支撑组件138上,借以将气体如上所述地从基板140与支撑组件138的支撑表面134之间逼出来。
图6显示一PECVD系统600的另一实施例,其具有适合处理大面积基板的支撑组件638。该系统600大体上与上述参照图1说明的系统100相类似,不同处的细节被说明于下文中。
一举升板612被设置在靠近支撑组件638的底侧126。举升板612被设置在举升销152的第二组举升销182的第二端166下方,使得举升板612可举升将销152接触并造成它们从支撑组件638的支撑表面634突伸出。举升板612被耦合至一致动器可以是一气压缸,一液压缸,导螺杆,螺线管,步进马达,或其它运动装置(未示出),其典型地时被放在处理空间112的外面。举升板612通过一将该杆142的一部分圈围起来的轴环606而被连接到致动器。一伸缩软管646,其与图1中的伸缩软管146类似,包括一上部604及一下部602,它们可让杆142及轴环606单独移动,同时保持处理空间112与室102外部的环境隔离开。或者,举升板612与支撑组件638的运动可通过一使用一弹簧及一运动挡止件的单一致动器来控制,其可控制举升板612与支撑组件638之间的相对运动。
大体上,举升板612被致动用以控制举升销152相对于支撑组件638的支撑表面634及举升销150的位置。借由控制举升销152相对于举升销150在该支撑表面634上方的伸展量的突伸至该支撑表面634上方的量,基板140的形状可被控制,用以确保基板140用上文所述的渐近的从中央至边缘的方式被适当地放置在支撑组件638上。支撑组件638可借由移动支撑组件638,或借由移动举升板612或两者的组合的方式来相对于举升板612移动。
在图7及8所示的实施例中,举升销150的第一组举升销180及举升销152的第二组举升销182的所想要的相对位置是根据该基板140的经过计算的下垂而被预先决定。该经过计算的下垂大体上是根据基板140的物理特性及在处理室102内的处理条件,如温度,来决定的。
在图7所示的实射例中,一PECVD系统700被示出,其具有一被设置在处理室102内的支撑组件138。复数个偏置件702设置在处理室102的底部108上,在举升销150的第一组举升销180的每一举升销下方。每一偏置件702都具有一高度D。当支撑组件138被降低时,举升销150的第二端164会与偏置件702接触,而举升销152的第二端166会与示102的底部108接触。举升销150,152的与偏置件702及室底部108的分别接触会造成举升销150,152在支撑组件138持续下降时停止移动,借以让举升销150,152的第一端160,162突伸到支撑组件138的支撑表面134上方。
因为在室底部108上有偏置件702的存在,所以举升销150的第一组举升销180会比举升销152的第二组举升销12高出偏置件702的高度D。偏置件702的高度是经过计算的,用以将放置在突伸出的举升销150,152上的基板104保持在所想要的轮廓,使得当支撑件138升高起来时,基板140会从基板140的中央往基板104的边缘平顺地且连续地与支撑组件138的支撑表面134接触。如上文中已说明的,这可将气体从基板140与支撑组件138的支撑表面134之间逼出来。或者,举升销150可以比举升销152多出该经过计算的高度,如此即可无需在该室102的底部108上设置偏置件702。
在图8所示的实施例中,一PECVD系统800被示出,其具有一被设置在处理室102内的支撑组件838。该系统800大体上与上述参照图6说明的系统600相类似,不同处的细节被说明于下文中。
一举升板812被设置在靠近支撑组件138的底侧126。举升板812被耦合至一如上文中参照图6所示的致动器相同的致动器。举升板812可借由移动支撑组件138,移动举升板812,或它们的组合来相对于支撑组件138移动。
举升板812被设置在举升销150,152的第二端164,166下方,使得举升板812可接触举升销150,152并造成它们从支撑组件138的支撑表面134突伸出。举升板812具有一内表面及一高起来的外表816。外表面816被设置在该内表面814的上一高度D的位置处。
大体上,举升板812被致动用以控制举升销152相对于支撑组件138的支撑表面134及举升销150的位置。在举升板812的内表面与外表面814,816之间的高度差D是经过计算用以将放置在突伸出的举升销150,152上的基板104保持在所想要的轮廓,使得当举升销150,152降低时,基板140会从基板140的中央往基板104的边缘平顺地且连续地与支撑组件138的支撑表面134接触。如上文中已说明的,这可将气体从基板140与支撑组件138的支撑表面134之间逼出来。或者,举升销150可以比举升销152多出该经过计算的高度D,如此即可无需在举升板812的内表面814与外表面816在高度上有差异。
图9为一用来将一基板放置到一基板支撑件上的方法900的流程图。方法900开始于步骤902,一基板140于该步骤中被一机械臂放到位在该支撑组件138上方的举升销150,152之上。或者,第二组举升销182可以是已低于第一组举升销180,如图3所示。在非必要的步骤904中,基板的形状可借由调整内、外举升销150,152的相对伸长量来将其操控成所想要的轮廓。在一实施例中,内举升销152相对于支撑表面134被降低,用以将基板140的轮廓控制成如图3所示的大致拱形的形状。
在步骤906,该支撑组件138被升高用以将基板140放在支撑组件138的支撑表面134上。如第4及5图所示,基板140的一中央部分402先于基板140的其它部分之前即沿着滚动接触点502与支撑组件138的支撑表面134相接触,这会将介于该基板140与支撑组件138的支撑表面134之间的气体逼出来,让基板140完全平躺在支撑组件138的支撑表面134上,如图1所示。或者,支撑组件可以是固定不动且第一及第二组举升销180,182可被致动用以将基板140降低至支撑表面134上,或支撑组件138和第一及第二组举升销180,182都移动。
虽然以上所述是有关于本发明的实施例,但本发明的其它及进一步的实施例可在没有偏离本发明的基本范围下被完成,而本发明的范围是由下面的本申请权利要求范围来界定的。

Claims (50)

1.一种用以在一处理室中支撑一基板的支撑组件,其至少包含:
一支撑组件,其具有一支撑表面及一底面;
一第一组举升销,其是以可移动地方式设置穿过该支撑组件并具有一喇叭状的端部用来支撑该基板,及一第二端,其延伸超过该底面;及
一第二组举升销,其是以可移动地方式设置穿过该支撑组件,该第二组举升销位在该第一组举升销的径向内围处且可以独立于该第一组举升销之外的方式移动并具有一喇叭状端部用来支撑该基板,及一第二端,其延伸超过该底面,其中该第一组举升销的喇叭状端部被设计来将该基板支撑在离该支撑表面上方的一第一距离处且该第二组举升销的喇叭状端部被设计来将该基板支撑在离该支撑表面上方的一第二距离处,该第二距离小于该第一距离。
2.如权利要求1所述的支撑组件,其特征在于该第二组举升销包含至少四根举升销。
3.如权利要求1所述的支撑组件,其特征在于该第二组举升销包含四根举升销,其是以90度的间隔围绕该支撑组件的一中心设置。
4.如权利要求1所述的支撑组件,其特征在于该第一组举升销包含至少八根举升销。
5.如权利要求1所述的支撑组件,其特征在于该第一组举升销包含四对举升销,其被设置在靠近一四边形基板的每一边上。
6.如权利要求1所述的支撑组件,其特征在于该第一组举升销具有一第一长度,其比该第二组举升销的一第二长度长。
7.如权利要求1所述的支撑组件,其特征在于还包含:
一致动器,其被设置在支撑组件下方;及
一举升板,其耦合至该致动器且被放置成在被该致动器所致动而升高时,能置换该第二组举升销。
8.如权利要求1所述的支撑组件,其特征在于还包含:
至少一致动器,其被设置在该支撑组件下方且可在不与该第一举升销啮合下与至少一第二举升销啮合。
9.如权利要求1所述的支撑组件,其特征在于还包含:
复数个致动器,其被设置在支撑组件下方且能分别与该第二组举升销的各个举升销啮合。
10.一种用以在一处理室中支撑一基板的支撑组件,其至少包含:
一支撑组件,其具有一支撑表面及一底面;
一第一组举升销,其是以可移动地方式设置穿过该支撑组件且具有一用来支撑邻近该支撑表面的该基板的第一端,及一延伸超过该底面的第二端,其中当该支撑组件是位在该降低的位置时,该第一组举升销的该第二端可接触该室的一底部;
一第二组举升销,其是以可移动地方式设置穿过该支撑组件且具有一可用来支撑邻近该支撑表面的该基板的第一端,及一可延伸超过该底面的第二端;及
一致动器,其被设置在该支撑组件下方且适以相对于该第一组举升销来独立地置放该第二组举升销的至少一根。
11.如权利要求10所述的支撑组件,其特征在于该第二组举升销被设置在该第一组举升销的径向内围处。
12.如权利要求10所述的支撑组件,其特征在于该第二组举升销包含四根举升销。
13.如权利要求10所述的支撑组件,其特征在于该第二组举升销包含四根举升销,其以等间距方式围绕该支撑组件的一中心设置。
14.如权利要求10所述的支撑组件,其特征在于该第一组举升销包含至少八根举升销。
15.如权利要求10所述的支撑组件,其特征在于该第一组举升销包含四对举升销,其适以设置在邻近一四边形基板的每一边上。
16.如权利要求10所述的支撑组件,其特征在于该致动器还包含:
一组致动器,每一致动器都被设置在一形成在该室底部上的一孔内。
17.如权利要求10所述的支撑组件,其特征在于还包含:
一举升板,其被设置在该支撑组件下方且耦合至该致动器,该举升板是适以接触该第二组举升销的该第二端。
18.一种用以在一沉积室中支撑一大型基板的支撑组件,其至少包含:
一基板支撑件,其具有一适以支撑该基板的支撑表面;
一第一复数根举升销,其是以可移动地方式设置穿过该基板支撑件且具有一第一端,该第一端是适以延伸至高于该支撑表面上方一第一高度处;及
一第二复数根举升销,其位在该第一复数根举升销的外围处且以可移动地方式设置穿过该基板支撑件且具有一第一端,该第一端是适以延伸至高于该支撑表面上方一第二高度处,该第二高度不同于该第一高度,其中第一复数根举升销是以可独立于该第二复数根举升销之外的方式延伸,且在一传送期间,该第一复数根举升销是于该第一高度与该基板接触且同时地该第二复数根举升销是于该第二高度与该基板接触。
19.如权利要求18所述的支撑组件,其特征在于该基板支撑件还包含:
一底面,其中该第一及第二复数根举升销具有一可延伸至该底面下方的长度。
20.如权利要求19所述的支撑组件,其特征在于该可延伸至该底面下方的长度是相等的。
21.如权利要求19所述的支撑组件,其特征在于该可延伸至该底面下方的长度是不同的。
22.如权利要求19所述的支撑组件,其特征在于该第一复数根举升销的长度比该第二复数根举升销的长度来得长。
23.如权利要求18所述的支撑组件,其特征在于还包含:
一致动器,其被设置在该支撑组件的下方;及
一举升板,其耦合至该致动器且被设置成当被该致动器所致动而升高时,能置换该第二复数根举升销。
24.如权利要求23所述的支撑组件,其特征在于当该举升板被该致动器所致动而升高时,能进一步置换该第一复数根举升销。
25.如权利要求18所述的支撑组件,其特征在于该基板支撑组件是位在一沉积室中。
26.如权利要求25所述的支撑组件,其特征在于该沉积室具有一带有高起部分的底部,该高起部分是适以接触该第一复数根举升销的一底部。
27.如权利要求25所述的支撑组件,其特征在于该沉积室还包含:
复数个致动器,其被设置在该沉积室的一下表面上。
28.如权利要求27所述的支撑组件,其特征在于该等复数个致动器是适以置换该第二复数根举升销。
29.如权利要求18所述的支撑组件,其特征在于该第一及第二复数根举升销的第一端是被作成喇叭状。
30.一种用以在一沉积室中支撑一基板的设备,其至少包含:
一第一复数根举升销,用来支撑该基板的周边部分;及
一第二复数根举升销,用来支撑该基板的中央部分,其中该第一复数根举升销及第二复数根举升销都是以可移动地方式设置穿过位在该沉积室内的一基板支撑件,且每一举升销还包含:
一第一端,其适以接触该基板;及
一第二端,其可延伸到该基板支撑件的下方适以与一位在该沉积室一下表面上的一置换件互动,其中借由与该置换件选择性地啮合,当该基板被带至与该基板支撑件接触时,该中央部分会在该周边部分之前与该基板支撑件接触。
31.如权利要求30所述的设备,其特征在于该置换件为一设置在该基板支撑件下方的致动器,该致动器还包含:
一举升板,其耦合至该致动器且被设置成当被该致动器致动而升高时,可置换该第二复数根举升销。
32.如权利要求30所述的设备,其特征在于该置换件为至少一设置在该基板支撑件下方的致动器,且其可在不接触该第一复数根举升销下选择性地接触该第二复数根举升销。
33.如权利要求32所述的设备,其特征在于该至少一致动器还包含:
一组致动器,每一致动器都被设置在形成于该室一底部上的一孔内。
34.如权利要求30所述的设备,其特征在于该置换件为复数个设置在该基板支撑件下方的致动器,且可分别接触第二复数根举升销中的各举升销。
35.如权利要求30所述的设备,其特征在于该基板支撑件被设置在一具有一底部的处理室中且该置换件为该底部上的一高起部分,其适以与该第一复数根举升销中的每一举升销的第二端接触。
36.一种用来支撑一工件的设备,其至少包含:
一室,其具有一底部;
一支撑组件,其具有一支撑表面;
一第一组举升销,其是以可移动地方式设置穿过该支撑组件,该第一组举升销在与该工件及该底部接触时会从该支撑表面突伸出一段离该支撑表面第一距离的长度;及
一第二组举升销,其被设置在该第一组举升销的径向内围处且是以可移动地方式设置穿过该支撑组件,该第二组举升销在该第一组举升销及第二组举升销两者都与该工件及该底部接触时,会从该支撑表面突伸出一段离该支撑表面第二距离的长度。
37.如权利要求36所述的设备,其特征在于该工件在与该支撑表面接触时是平坦的,且在与该第一组及第二组举升销接触时是拱形的。
38.如权利要求36所述的设备,其特征在于在一工件传送处理期间,该工件具有一滚动接触点介于该工件与该支撑表面之间。
39.如权利要求38所述的设备,其特征在于该滚动接触点是从该工件的中心到该工件的一边缘。
40.如权利要求38所述的设备,其特征在于该工件接触点是从该工件的一边缘到该工件的中心。
41.一种用以传送一基板至一基板支撑件的方法,其至少包含:
在设置穿过该基板支撑件的一第一组及第二组举升销上,将一具有下垂的中央部分的基板支撑在一基板支撑件的上表面上方,其被该第一及第二组举升销分别延伸至该上表面上方一第一距离及一第二距离,该第二组举升销被设置在该第一组举升销的径向内围处;
相对于该基板支撑件缩回至少该第二组举升销,用以造成该基板的下垂的中央部分会在该基板的外围部分之前先与该上表面接触;及
相对于该基板支撑件缩回至少该第一组举升销,用以造成该基板以一中央-至-边缘的方式实质且连续地接触该上表面。
42.如权利要求41所述的方法,其特征在于该相对于该基材支撑件缩回该第二组举升销的步骤还包含降低一设在该基材支撑件下方的举升板,及支撑该第二组举升销的一底部。
43.如权利要求42所述的方法,其特征在于该举升板还可支撑第一组举升销的一底部,且其中该相对于该基材支撑件缩回该第一组举升销的步骤还包含降低该举升板。
44.如权利要求41所述的方法,其特征在于该降低基板中心的步骤还包含:
相对于该基材支撑件以一第一速率缩回该第一组举升销,该第一速率是比缩回该第二组举升销的一第二速率为小。
45.如权利要求41所述的方法,其特征在于该接触基材支撑件上表面的步骤还包含:
相对于该基材支撑件以一第一速率缩回该第一组举升销,该第一速率是比缩回该第二组举升销的一第二速率为小。
46.如权利要求41所述的方法,其特征在于该接触基材支撑件上表面的步骤还包含:
相对于该基材支撑件以一第一速率缩回该第一组举升销,该第一速率是比缩回该第二组举升销的一第二速率为小。
47.如权利要求41所述的方法,其特征在于该接触基材支撑件上表面的步骤还包含:
迫使气体以一种从中心往边缘前进的方式从该基材与该基材支撑件之间离开。
48.一种用以传送一基板至一基板支撑件的方法,其至少包含:
将一基板支撑于一基板支撑件之上,其中该基板具有至少两个区域下垂到该基板周围区域之下;及
以一种从中央往边缘前进的方式来传送该基板至该基板支撑件,使得气体可从该基板支撑件与该基板之间被驱赶出来。
49.如权利要求48所述的方法,其特征在于该传送的步骤还包含:
让该基板以一种由中央-至-边缘的方式连续地接触该基板支撑件。
50.如权利要求48所述的方法,其特征在于该传送的步骤可防止气体被包陷在介于该基板与该基板支撑件之间的气穴内。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101897015B (zh) * 2007-12-12 2012-09-12 应用材料公司 衬底处理所用的举升销
CN101481796B (zh) * 2007-12-31 2013-03-27 周星工程股份有限公司 气体注入器和具有气体注入器的膜沉积设备
CN103730389A (zh) * 2012-10-16 2014-04-16 全球标准技术有限公司 一种基板接合装置及基板接合方法
CN103792707A (zh) * 2014-02-13 2014-05-14 北京京东方显示技术有限公司 支撑机台
CN102077339B (zh) * 2008-06-24 2014-06-04 应用材料公司 大脚举升销
CN102282665B (zh) * 2009-01-16 2014-10-29 应用材料公司 具有气体导引开口的基板支撑件
CN104570419A (zh) * 2014-12-26 2015-04-29 深圳市华星光电技术有限公司 吸附式载台及其吸附方法
CN105006443A (zh) * 2014-04-17 2015-10-28 朗姆研究公司 具有来自侧壁的特征的处理室
CN107365972A (zh) * 2017-09-07 2017-11-21 京东方科技集团股份有限公司 基底支持组件、成膜设备和方法
WO2018205635A1 (zh) * 2017-05-08 2018-11-15 苏州精濑光电有限公司 柔性基板的承载装置及承载方法
CN108962794A (zh) * 2018-07-20 2018-12-07 北京北方华创微电子装备有限公司 一种升针方法及应用其的顶针升降装置
CN109390270A (zh) * 2014-06-02 2019-02-26 应用材料公司 升降销组件
CN112534343A (zh) * 2018-09-28 2021-03-19 应用材料公司 用以在平面面板工具中快速装载基板的方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100966430B1 (ko) * 2004-08-31 2010-06-28 엘지디스플레이 주식회사 기판지지핀을 구비하는 소프트 베이크 장치 및 이를이용한 소프트 베이킹 방법
US20100212832A1 (en) * 2005-12-28 2010-08-26 Sharp Kabushiki Kaisha Stage device and plasma treatment apparatus
KR100994470B1 (ko) * 2006-04-13 2010-11-16 엘아이지에이디피 주식회사 기판 처리장치
KR100779027B1 (ko) * 2006-05-25 2007-11-23 세크론 주식회사 반도체 칩 승강장치
JP4795899B2 (ja) * 2006-08-31 2011-10-19 東京エレクトロン株式会社 基板載置機構および基板受け渡し方法
WO2011136075A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 株式会社アルバック 真空処理装置並びに基板とアラインメントマスクの移動方法及び位置合わせ方法並びに成膜方法
JP5907681B2 (ja) * 2011-08-02 2016-04-26 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し方法
US8777685B2 (en) * 2011-08-15 2014-07-15 Shenzhen China Optoelectronics Technology Co., Ltd. Apparatus and method for assembling backlight module
US20150114297A1 (en) * 2012-06-08 2015-04-30 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition device
JP6396409B2 (ja) * 2013-03-15 2018-09-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Epiプロセスのための均一性調整レンズを有するサセプタ支持シャフト
KR101407421B1 (ko) * 2013-05-01 2014-06-17 주식회사 에스에프에이 기판 증착 시스템
US9809491B2 (en) * 2013-09-09 2017-11-07 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Device and method for baking substrate
CN103693438B (zh) * 2013-12-18 2016-06-01 京东方科技集团股份有限公司 用于基板的支撑装置及其运送基板的方法
JP6320812B2 (ja) * 2014-03-19 2018-05-09 株式会社東芝 圧力センサの製造方法、成膜装置及び熱処理装置
KR102195649B1 (ko) * 2014-08-13 2020-12-28 에스케이실트론 주식회사 에피택셜 웨이퍼 성장 장치
US9428833B1 (en) * 2015-05-29 2016-08-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for backside deposition reduction by control of wafer support to achieve edge seal
US9978618B2 (en) * 2016-10-07 2018-05-22 Tokyo Electron Limited Hot plate with programmable array of lift devices for multi-bake process optimization
JP6869111B2 (ja) * 2017-06-06 2021-05-12 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し方法及び基板処理装置
JP6965861B2 (ja) 2018-09-28 2021-11-10 信越半導体株式会社 気相成長装置
JP7311916B2 (ja) * 2019-07-25 2023-07-20 エピクルー株式会社 エピタキシャル成長装置のプロセスチャンバ
US11450552B2 (en) * 2019-08-01 2022-09-20 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for adjusting surface topography of a substrate support apparatus
JP7438018B2 (ja) 2020-05-11 2024-02-26 東京エレクトロン株式会社 基板載置方法及び基板載置機構
JP7361080B2 (ja) 2021-08-31 2023-10-13 キヤノントッキ株式会社 基板昇降装置及び成膜装置
KR20230161753A (ko) * 2022-05-19 2023-11-28 피에스케이홀딩스 (주) 와피지 제어 가능한 진공 흡착핀을 구비하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3817402A (en) * 1970-10-08 1974-06-18 California Injection Molding C Molding articles containing inserts
US5374147A (en) * 1982-07-29 1994-12-20 Tokyo Electron Limited Transfer device for transferring a substrate
US4556362A (en) * 1983-12-21 1985-12-03 At&T Technologies, Inc. Methods of and apparatus for handling semiconductor devices
JPS60169148A (ja) * 1984-02-13 1985-09-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の搬送方法及びその装置
US4776745A (en) * 1987-01-27 1988-10-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Substrate handling system
JP2508540B2 (ja) * 1987-11-02 1996-06-19 三菱マテリアル株式会社 ウェ―ハの位置検出装置
KR0155545B1 (ko) * 1988-06-27 1998-12-01 고다까 토시오 기판의 열처리 장치
AU634838B2 (en) * 1989-12-08 1993-03-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Pickup method and the pickup apparatus for chip-type part
US5197089A (en) * 1990-05-21 1993-03-23 Hampshire Instruments, Inc. Pin chuck for lithography system
JP3238432B2 (ja) * 1991-08-27 2001-12-17 東芝機械株式会社 マルチチャンバ型枚葉処理装置
US5345639A (en) * 1992-05-28 1994-09-13 Tokyo Electron Limited Device and method for scrubbing and cleaning substrate
JP2662365B2 (ja) * 1993-01-28 1997-10-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 改良された排出システムを有する単一基板式の真空処理装置
US5352294A (en) * 1993-01-28 1994-10-04 White John M Alignment of a shadow frame and large flat substrates on a support
US5421893A (en) * 1993-02-26 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Susceptor drive and wafer displacement mechanism
US5380566A (en) * 1993-06-21 1995-01-10 Applied Materials, Inc. Method of limiting sticking of body to susceptor in a deposition treatment
JPH0799162A (ja) * 1993-06-21 1995-04-11 Hitachi Ltd Cvdリアクタ装置
US5518693A (en) * 1994-06-27 1996-05-21 Johnson & Johnson Clinical Diagnostics, Inc. Transfer mechanism for automatic loading and unloading of reagent modules
GB2285759B (en) * 1994-01-05 1998-01-07 Murata Manufacturing Co Apparatus for pushing chip components into holding plate
US5518593A (en) * 1994-04-29 1996-05-21 Applied Komatsu Technology, Inc. Shield configuration for vacuum chamber
JP3940823B2 (ja) * 1994-12-26 2007-07-04 株式会社ニコン ステージ装置及びその制御方法
JP3151118B2 (ja) * 1995-03-01 2001-04-03 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3350278B2 (ja) * 1995-03-06 2002-11-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6193506B1 (en) * 1995-05-24 2001-02-27 Brooks Automation, Inc. Apparatus and method for batch thermal conditioning of substrates
US6113702A (en) * 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
US5605574A (en) * 1995-09-20 1997-02-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor wafer support apparatus and method
JP3477953B2 (ja) * 1995-10-18 2003-12-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3005461B2 (ja) * 1995-11-24 2000-01-31 日本電気株式会社 静電チャック
US6140256A (en) * 1995-11-28 2000-10-31 Tokyo Electron Limited Method and device for treating semiconductor with treating gas while substrate is heated
US5850071A (en) * 1996-02-16 1998-12-15 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate heating equipment for use in a semiconductor fabricating apparatus
US5879128A (en) * 1996-07-24 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Lift pin and support pin apparatus for a processing chamber
JP3881062B2 (ja) * 1996-08-14 2007-02-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持機構および基板処理装置
US5788778A (en) * 1996-09-16 1998-08-04 Applied Komatsu Technology, Inc. Deposition chamber cleaning technique using a high power remote excitation source
US5983906A (en) * 1997-01-24 1999-11-16 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for a cleaning process in a high temperature, corrosive, plasma environment
US5984391A (en) * 1997-02-03 1999-11-16 Novellus Systems, Inc. Microfeature wafer handling apparatus and methods
US5955858A (en) * 1997-02-14 1999-09-21 Applied Materials, Inc. Mechanically clamping robot wrist
KR100284567B1 (ko) * 1997-04-15 2001-04-02 후지이 아키히로 수직 웨이퍼 보트
US6177023B1 (en) * 1997-07-11 2001-01-23 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for electrostatically maintaining substrate flatness
US6002840A (en) * 1997-09-30 1999-12-14 Brooks Automation Inc. Substrate transport apparatus
US6257827B1 (en) * 1997-12-01 2001-07-10 Brooks Automation Inc. Apparatus and method for transporting substrates
US6077026A (en) * 1998-03-30 2000-06-20 Progressive System Technologies, Inc. Programmable substrate support for a substrate positioning system
US6213704B1 (en) * 1998-05-20 2001-04-10 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for substrate transfer and processing
US6146504A (en) * 1998-05-21 2000-11-14 Applied Materials, Inc. Substrate support and lift apparatus and method
US6109677A (en) * 1998-05-28 2000-08-29 Sez North America, Inc. Apparatus for handling and transporting plate like substrates
US6183189B1 (en) * 1998-11-27 2001-02-06 Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. Self aligning wafer chuck design for wafer processing tools
US6256555B1 (en) * 1998-12-02 2001-07-03 Newport Corporation Robot arm with specimen edge gripping end effector
JP2000237983A (ja) * 1999-02-22 2000-09-05 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 基板チャック装置
JP2000277587A (ja) * 1999-03-29 2000-10-06 Kokusai Electric Co Ltd 基板搬送システム
US6305677B1 (en) * 1999-03-30 2001-10-23 Lam Research Corporation Perimeter wafer lifting
US6187134B1 (en) * 1999-07-09 2001-02-13 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Reusable wafer support for semiconductor processing
US6313441B1 (en) * 1999-08-18 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Control system and method for providing variable ramp rate operation of a thermal cycling system
US6432255B1 (en) * 2000-01-31 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing chamber cleaning
US6644964B2 (en) * 2000-06-20 2003-11-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
EP1174910A3 (en) * 2000-07-20 2010-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for dechucking a substrate
JP2002064132A (ja) * 2000-08-22 2002-02-28 Tokyo Electron Ltd 被処理体の受け渡し方法、被処理体の載置機構及びプローブ装置
JP2002246450A (ja) * 2001-02-20 2002-08-30 Nikon Corp 基板保持装置及び基板搬送方法
US20040096836A1 (en) * 2002-11-19 2004-05-20 Isis Pharmaceuticals Inc. Modulation of mitogen-activated protein kinase 13 expression
US6887317B2 (en) * 2002-09-10 2005-05-03 Applied Materials, Inc. Reduced friction lift pin
US7083702B2 (en) * 2003-06-12 2006-08-01 Applied Materials, Inc. RF current return path for a large area substrate plasma reactor

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101897015B (zh) * 2007-12-12 2012-09-12 应用材料公司 衬底处理所用的举升销
CN101481796B (zh) * 2007-12-31 2013-03-27 周星工程股份有限公司 气体注入器和具有气体注入器的膜沉积设备
CN102077339B (zh) * 2008-06-24 2014-06-04 应用材料公司 大脚举升销
CN102282665B (zh) * 2009-01-16 2014-10-29 应用材料公司 具有气体导引开口的基板支撑件
CN103730389A (zh) * 2012-10-16 2014-04-16 全球标准技术有限公司 一种基板接合装置及基板接合方法
CN103792707A (zh) * 2014-02-13 2014-05-14 北京京东方显示技术有限公司 支撑机台
CN103792707B (zh) * 2014-02-13 2016-04-13 北京京东方显示技术有限公司 支撑机台
US9411233B2 (en) 2014-02-13 2016-08-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Support stage
CN105006443B (zh) * 2014-04-17 2018-03-23 朗姆研究公司 具有来自侧壁的特征的处理室
CN105006443A (zh) * 2014-04-17 2015-10-28 朗姆研究公司 具有来自侧壁的特征的处理室
CN109390270A (zh) * 2014-06-02 2019-02-26 应用材料公司 升降销组件
CN109390270B (zh) * 2014-06-02 2023-04-11 应用材料公司 升降销组件
CN104570419B (zh) * 2014-12-26 2018-01-30 深圳市华星光电技术有限公司 吸附式载台及其吸附方法
CN104570419A (zh) * 2014-12-26 2015-04-29 深圳市华星光电技术有限公司 吸附式载台及其吸附方法
WO2018205635A1 (zh) * 2017-05-08 2018-11-15 苏州精濑光电有限公司 柔性基板的承载装置及承载方法
CN107365972A (zh) * 2017-09-07 2017-11-21 京东方科技集团股份有限公司 基底支持组件、成膜设备和方法
WO2019047856A1 (zh) * 2017-09-07 2019-03-14 京东方科技集团股份有限公司 基底支持组件、成膜设备和方法
CN107365972B (zh) * 2017-09-07 2022-06-28 京东方科技集团股份有限公司 基底支持组件、成膜设备和方法
CN108962794A (zh) * 2018-07-20 2018-12-07 北京北方华创微电子装备有限公司 一种升针方法及应用其的顶针升降装置
CN112534343A (zh) * 2018-09-28 2021-03-19 应用材料公司 用以在平面面板工具中快速装载基板的方法
CN112534343B (zh) * 2018-09-28 2024-02-23 应用材料公司 用以在平面面板工具中快速装载基板的方法

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Publication number Publication date
KR20060050004A (ko) 2006-05-19
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