CN100416759C - 处理腔、平板显示器制造设备、以及利用所述设备的等离子处理方法 - Google Patents

处理腔、平板显示器制造设备、以及利用所述设备的等离子处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100416759C
CN100416759C CNB2006101042204A CN200610104220A CN100416759C CN 100416759 C CN100416759 C CN 100416759C CN B2006101042204 A CNB2006101042204 A CN B2006101042204A CN 200610104220 A CN200610104220 A CN 200610104220A CN 100416759 C CN100416759 C CN 100416759C
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
process chamber
chamber
bottom electrode
equipment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2006101042204A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1909186A (zh
Inventor
李荣钟
崔浚泳
姜赞镐
李祯彬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ADP Engineering Co Ltd
Original Assignee
ADP Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ADP Engineering Co Ltd filed Critical ADP Engineering Co Ltd
Publication of CN1909186A publication Critical patent/CN1909186A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100416759C publication Critical patent/CN100416759C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • H01J37/32761—Continuous moving
    • H01J37/32779—Continuous moving of batches of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本文公开了一种平板显示器制造设备的处理腔，用于在其内部产生等离子而对至少一个基片进行预定的处理。如此地构造所述处理腔，使得单个大面积的基片在该处理腔内进行处理，而且此外多个小面积的基片在该处理腔内同时地进行处理。依据本发明，能够对单个大面积的基片进行处理，而且此外可以对多个小面积的基片同时地进行处理，而无需特别地改变所述设备的结构。因此，本发明的效果在于：可容易地与各种处理条件相适应、使得平板显示器的生产效率最大化、并且主动地适应市场上所需要的规格。此外，可以一次对多个基片进行处理。因此，本发明的效果在于：极大地减少了处理基片所需要的时间。

Description

处理腔、平板显示器制造设备、以及利用所述设备的等离子处理方法
技术领域
本发明涉及一种平板显示器制造设备，该平板显示器制造设备用于在真空状态下产生等离子，从而对基片进行预定的处理。
背景技术
通常地，用于制造平板显示器——例如液晶显示器(LCD)和等离子显示面板(PDP)——的平板显示器制造设备包括一个载荷锁定腔、一个传送腔、以及处理腔。
载荷锁定腔、传送腔、以及处理腔如图1所示地彼此连接。闸式阀G安装在各个腔之间而独立地保持住各个腔之间的真空环境。
载荷锁定腔10与外部连接，以用于从外部导入一个待处理的新基片、以及将在平板显示器制造设备中处理后的基片卸到外部。载荷锁定腔10的内部与外部连通，同时被反复地保持在真空状态和大气压状态下。用于装载基片的缓冲设备12安装在载荷锁定腔10内。一个基片可以装载于缓冲设备12上，或者多个基片可以彼此叠置地装载于缓冲设备12上。载荷锁定腔10设置有起模针18，用于将基片S装载到缓冲设备12上。起模针18用于通过一个装卸器将从载荷锁定腔10外部导入的基片S举到预定的高度、并且降下基片S而使得基片S装载在缓冲设备12上。
缓冲设备12的外侧安装有对齐设备16，所述对齐设备16用于校正装载在缓冲设备12上的基片S，如图1所示。对齐设备16沿对角方向推动装载在缓冲设备12上的基片S的边缘，从而校正基片S的位置。载荷锁定腔10还设置有一个排其单元(未示)以及一个供气单元(未示)，以用于将载荷锁定腔10的内部转换到真空环境和环境气压。
传送腔20与载荷锁定腔10及处理腔30相连。一个传送机器人22安装在传送腔20内，用于在载荷锁定腔10与相应的处理腔30之间传送基片。因此，在基片的传送过程中，传送腔20起到了中间通道的作用。传送腔20的内部总是保持在真空环境下，从而使得在从相应处理腔30卸出基片或者将基片导入相应处理腔30内时，相应处理腔30内的真空环境不会被释放掉而是被保持住。传送腔20还设置有一个排气单元，用于保持住该腔内的真空环境。
在每个处理腔30内都安装有一个用于装载基片和处理单元(未示)的装载台32，从而对基片进行预定的处理。例如，在每个处理腔内，基片于真空环境下时刻。处理单元可包括有一个用于将射频(RF)功率供应到装载台的功率供应部分、一个用于将处理气体导入到相应处理腔30内的处理气体供应部分、一个与装载台相对地设置的上电极——所述装载台用作下电极、以及用来帮助传送基片的起模针。
平板显示器制造设备进一步包括有一个装卸器40，用于将基片导入到载荷锁定腔10内、以及把基片从载荷锁定腔10卸出到外部。装卸器40邻近于载荷锁定腔10地安装。装卸器20.用于从一个盒C——多个基片装载在该盒内——接收基片、并将接收到的基片导入到载荷锁定腔10内。同时，装卸器40用于从载荷锁定腔10接收处理过的基片并将给处理过的基片装载到盒C内。如图1所示，装卸器40设置在载荷锁定腔10与盒C之间。装卸器40构造成使得装卸器40的一个机械臂可以转动以及线性地移动，用于导入和卸下基片。
最近，在平板显示器制造设备中处理的基片的尺寸持续地增加，以增加通过平板显示器制造设备所制造的平板显示器的产出率。基片尺寸增加的原因是同时地制造多个平板显示器，从而提高产出率。此外，为了有效地制造大面积的平板显示器——该要求持续地增长，不可避免地需要增加基片的尺寸。
然而，随着基片尺寸的增加，在大面积基片的整个表面上实现均匀的处理变得困难。尤其地，一次地处理大面积基片以提高产出率；然而，当没有均匀地对大面积基片进行处理时，次品率增加，从而，产出率减少。在另一方面，对多个尺寸合适的小面积基片进行处理、而不是对单个大面积基片进行处理是有利的，这是一种增加产出率的方法。
因此，需要一种新颖的平板显示器制造设备，该设备可对单个大面积的基片进行处理、并且此外还可对多个小面积的基片同时地进行处理而无需特别地改变设备的结构，从而增加产出率并减少次品率。
发明内容
因此，考虑到上述的问题而作出了本发明，且本发明的目的在于提供一种平板显示器制造设备，该设备可对单个大面积的基片进行处理，并且此外还可对多个小面积的基片同时地进行处理。
依据本发明的一个方面，可以通过提供一种平板显示器制造设备来实现上述以及其它的目的，该平板显示器制造设备用于在其内部产生等离子而对至少一个基片进行预定的处理，其中处理腔构造成使得在该处理腔内对单个大面积的基片进行处理、并且此外还可在该处理腔内对多个小面积的基片同时地进行处理。
优选地，处理腔的下部设置有一个下电极，多个分开的电极部分形成在该下电极上。因此，可以对单个大面积的基片进行处理，并且此外可以同时地对多个小面积的基片进行处理。
优选地，如此地构造所述分开的电极部分的结构：在分开电极部分之间形成电间断。因此，本发明可容易地应用于各种处理模式。
优选地，所述下电极设置有多个起模针，所述起模针通过各分开电极部分的边缘而升高和降低。
优选地，如此地构造所述起模针，使得设置在下电极中央的起模针和设置在下电极边缘的起模针被独立地驱动。因此，本发明可容易地应用于各种处理模式。
依据本发明的另一个方面，提供了一种平板显示器制造设备，该设备包括：至少一个处理腔、一个传送腔、以及一个载荷锁定腔，用于对至少一个基片进行预定的处理，其中构造所述至少一个处理腔、传送腔、以及载荷锁定腔，从而可以同时地执行单处理模式和多处理模式，所述单处理模式用于处理单个的大面积基片，而所述多处理模式用于处理多个小面积的基片。在此，所述单处理模式用于均匀地处理单个基片，而所述多处理模式用于同时地对多个基片均匀地进行处理。
依据本发明的平板显示器制造设备可应用到一个蚀刻设备以及一个化学气相沉积(CVD)设备中，该蚀刻设备通过等离子而将一个位于基片上的薄膜蚀刻成特定的图案，所述化学气相沉积设备通过CVD方法而在基片上形成特定的薄膜。蚀刻设备可以是多类别的蚀刻设备——其将射频(RF)功率同时地施加到上电极和下电极上、双RF类别的蚀刻设备——其将两种不同频率的RF功率施加到上电极或下电极上、活性离子腐蚀(RIE)类别的蚀刻设备——其将RF功率施加到下电极上、或者是等离子加强(PE)类别的蚀刻设备——其将RF功率施加到上电极上。
附图说明
通过下文的详细描述，同时结合附图，本发明的上述和其它的目的、特征以及优点将变得更为清楚，其中：
图1是一个概念性的示图，示出了一个传统平板显示器制造设备的构造；
图2是一个概念性的示图，示出了一个依据本发明优选实施方式平板显示器制造设备的构造；
图3是一个立体图，示出了依据本发明一个优选实施方式的下电极的结构；
图4A和4B是立体图，示出了依据本发明优选实施方式的下电极的应用；
图5是一个俯视图，示出了依据本发明一个优选实施方式的传送机器人；
图6是一个俯视图，示出了依据本发明优选实施方式的传送机器人的应用；
图7是一个侧视图，示出了依据本发明优选实施方式的传送机器人；
图8是一个剖视图，示出了依据本发明一个优选实施方式的载荷锁定腔的结构；
图9是一个示图，示出了依据本发明优选实施方式的载荷锁定腔的应用；
图10A和10B的示图示出了依据本发明优选实施方式的载荷锁定腔的另一种应用；
图11的示图示出了依据本发明一个优选实施方式的装卸器的结构；
图12的示图示出了依据本发明优选实施方式的装卸器的结构；
图13是一个概念性的示图，示出了依据本发明另一个优选实施方式的平板显示器制造设备的构造；
图14是一个流程图，示出了依据本发明另一个优选实施方式的等离子处理方法。
具体实施方式
现在，将通过参照附图来详细地描述本发明的优选实施方式。
图2是一个概念性的示图，示出了依据本发明一个优选实施方式的平板显示器制造设备100的构造。如图2所示，平板显示器制造设备100包括有处理腔110、一个传送腔120、一个载荷锁定腔130、以及一个装卸器140。
每个处理腔110都是一个产生等离子的部件，同时，与上述的传统处理腔30相同，所述腔的内部保持在真空环境中而在基片上进行预定的处理。然而，依据本发明的处理腔110与传统处理腔30的不同之处在于：可在处理腔110内对单个大面积的基片进行处理，并且此外还可在处理腔110内对多个小面积的基片同时地进行处理。
如图3所示，处理腔110设置有一个下电极112，该下电极具有多个形成于其上的分开的电极部分112a。分开的电极部分是在与多个基片相对应的位置处分开地设置在下电极112上的电极，从而使得基片可以分开地放置在相应的电极上。在这个实施方式中，四个分开的电极部分112a形成在下电极112上，从而使得可以同时地处理四个基片。射频(RF)功率独立地施加到各个分开的电极部分112a上，从而使得分开的电极部分112a可以被独立地驱动。而且，依据本发明的处理腔110对单个大面积的基片进行处理，从而，整个下电极必须如同一个电极地起作用。因此，分开的电极部分112a构造成这样的一个结构：在分开的电极部分112a之间形成电间断(electrical intermittence)。当将要对多个小面积的基片进行处理时，分开的电极部分112a彼此电绝缘而对基片独立地进行处理。而在另一个方面，当将要对单个大面积的基片进行处理时，分开的电极部分112a彼此导电地连接而对基片均匀地进行处理。
当在每个分开的电极部分112a上都放置有一个基片时，每个分开的电极部分112a都设置有用于接收相应基片的起模针114。特别地，如图3所示，起模针114安装在每个分开的电极部分112a上，使得起模针114可以通过各分开电极部分112a的边缘而升高或者降低。起模针114支撑放置在各分开电极部分112a上的基片的边缘，以帮助基片的附接和拆开。
当将要通过依据本实施方式的处理腔来对如图4A所示的多个小面积的基片进行处理时，安装在各分开电极部分112a边缘内的起模针114被升起而接收相应的基片，其然后降低而将所接收的基片首于相应的分开电极部分112a上。
当将要通过依据本实施方式的处理腔来对如图4B所示的单个大面积的基片进行处理时，安装在下电极112中央的起模针114没有被驱动，相反的，只有安装在下电极112边缘中的起模针114被升起而接收所述的单个大面积基片，其然后降低而将所接收的基片置于下电极112上。优选地，安装在下电极112边缘中的起模针114耦接到一个针板，从而使得起模针114可竖直地驱动，而安装在下电极112中央的起模针114耦接到另一个针板，从而使得起模针114可竖直地驱动。因此，在每个依据本发明的处理腔110中都以可操作方式设置两个不同的针板是有利的。
当需要处理一个这样的单个大面积基片时，可以如图4A所示地升起所述的起模针114以接收基片。在这种情形下，起模针114必须如此地构造，使得基片与下电极紧密地接触，从而，基片不会受到不利的影响。
优选地，依据此实施方式的平板显示器制造设备100构造成为一个群集结构，其中安装有一个传送腔120，并且多个处理腔110连接到所述传送腔120的外侧，如图2所示。在所述群集结构中，多个处理腔利用单个传送腔而进行操作，从而提高了基片的处理效率。
传送腔120起到了通道的作用，用于在相应的处理腔110和载荷锁定腔120之间传送基片，这与传统的传送腔20类似。然而，依据此实施方式的传送腔120构造成这样的一个结构：其中传送腔120可以传送单个的大面积基片、并且此外传送腔120还可以同时地传送多个小面积的基片。在依据此实施方式的传送腔120中安装有一个传送机器人122，该传送机器人122具有一个机械臂122a，其构造成同时地传送多个基片。特别地，如图5所示，机械臂122a具有四个呈长直线形状地延伸的机械手122b。四个机械手122b彼此平行地设置。因此，可以同时地传送四个基片。当将要通过此实施方式的机械臂122a来传送单个大面积的基片时，四个机械手122b传送基片、同时支撑该基片的下部，如图6所示。
在另一个方面，机械臂122a可构造成一个如图7所示的双臂结构，从而实现已经在相应处理腔110中被处理过的基片以及待处理基片之间的平稳交换。特别地，机械手122b设置成彼此之间沿竖直方向隔开一个预定的距离，从而使得机械手122b在高处和低处装载基片。因此，待处理的基片被导入到相应的处理腔110内，而上机械手122b暂时地装载处理过的基片，从而容易地实现基片的交换(未加解释的标记112c指示用于防止基片滑动的衬垫)。
载荷锁定腔130是一个与处于大气压状态下的外部连通的部件，从而将基片从外部导入到平板显示器制造设备内、并且将已经在平板显示器制造设备中处理过的基片卸出到外部。依据此实施方式的载荷锁定腔130与上述的传统载荷锁定腔10的不同之处在于：载荷锁定腔130可以导入和卸下单个大面积的基片、并且此外载荷锁定腔130还可以同时地导入多个小面积的基片以及同时地卸下多个小面积的基片。因此，缓冲设备132安装在依据此实施方式的载荷锁定腔130中，如图8所示，从而使得两个基片可成一直线地放置在缓冲设备132上。缓冲设备132彼此平行地设置。特别地，缓冲设备132沿基片移动的方向彼此平行地设置。因此，导入到载荷锁定腔130中的基片可由缓冲设备132所接收而不会偏离基片的导入方向。与上述传统的载荷锁定腔10类似，在依据此实施方式的载荷锁定腔130中也安装有起模针134和对齐设备136。然而，在依据此实施方式的载荷锁定腔130中，设置有两组的起模针134以升高和降低多个基片，如图8所示，因为多个基片导入到载荷锁定腔130中及从载荷锁定腔130卸出。特别地，两个设置在一侧上的相邻缓冲设备是成组的，而两个设置在另一侧上的相邻缓冲设备是成组的。在每个缓冲设备中都安装有独立驱动的起模针。因此，可通过相应的缓冲设备组而独立地接收基片。
在另一个方面，当将通过依据此实施方式的载荷锁定腔130来对单个的大面积基片进行处理时，如图9所示，起模针134和对齐设备136降低，且大面积的基片如此地放置于缓冲设备132上：使得基片与所有的缓冲设备132接触。当需要对齐基片时，仅仅升高位于大面积基片的对角处的对齐设备136，从而可以通过升起的对齐设备136来进行对齐操作。
而且，还在预定的位置处另外地安装有对齐设备136，其中各基片如此地设置：四个基片能同时地对齐。对齐设备136独立地驱动而校正设置在缓冲设备132上的基片的位置。此外，安装在依据此实施方式的载荷锁定腔中的对齐设备136沿竖直方向独立地驱动。因此，在基片放置在缓冲设备132上的情形下，当基片S水平地移动时，对齐设备136降低。因而，对齐设备136不会打断基片的移动。在基片S结束移动之后，对齐设备136升起而对基片进行对齐。
优选地，依据此实施方式的载荷锁定腔130还设置有一个基片移动单元(未图示)，用于水平地移动放置在缓冲设备132上的基片。该基片移动单元用于在缓冲设备132上水平地移动基片S。特别地，如图10A和10B所示，该基片移动单元将一个置于缓冲设备132一个侧端的基片移动到缓冲设备132的另一个侧端。因此，当基片导入到载荷锁定腔130中时，基片可以首先放置到缓冲设备132的一个侧端、然后移动到缓冲设备的另一个位置。通过这样的一个结构——其中缓冲设备132上的基片可以在载荷锁定腔内容易地移动，可以多样化地修改装卸机140的构造，该装卸机用于将基片导入到载荷锁定腔130内以及从载荷锁定腔130卸出。
在另一个方面，在这个实施方式中，可采用一种叠置型的载荷锁定腔来提高基片导入到平板显示器制造设备100内和从平板显示器制造设备100中卸出的效率。叠置型的载荷锁定腔的结构如此地构造：其中结构相同的载荷锁定腔彼此地叠置，并且所述的载荷锁定腔与传送腔相连接。在采用了这样的一个叠置型载荷锁定腔时，一个载荷锁定腔用来导入基片，而另一个载荷锁定腔用来卸出基片。因此，叠置型载荷锁定腔可以更加有效地导入和卸出基片。
依据此实施方式的平板显示器制造设备100还包括有一个安装在载荷锁定腔130外部的装卸器140，其用于将基片导入到载荷锁定腔130内以及将基片从载荷锁定腔130中卸出。依据此实施方式的装卸器140可以装载单个的大面积基片、以及此外还可以装载多个小面积的基片。因此，如图11所示，有利地，装卸器140包括有一个机器人，该机器人具有四个彼此平行地设置的机械手142。可以在机械手142上装载单个大面积的基片或者多个小面积的基片。
当然，其中叠置基片的盒的结构必须与上述的传统盒的结构不同，从而通过具有上述结构的装卸器140来同时地装载多个小面积的基片。特别地，盒的结构必须构造成：其中在每个层上都可呈矩形地设置四个基片。在这种情形下，装卸器140可同时地接收叠置正在一个层上的四个基片并且将所接收到的四个基片导入到载荷锁定腔内。而且，装卸器140可同时地从载荷锁定腔卸出四个基片并将所卸出的四个基片叠置到盒的一个层上。
在另一个方面，在将要对多个小面积基片进行处理时的装卸器的结构可能与将要对单个大面积基片进行处理时的装卸器的结构不同。为了使用传统的盒而不对所述的盒进行修改，在将要对小面积基片进行处理时，两个适于装载小面积基片的装卸器彼此平行地设置而进行装载和卸出的操作，而在将要对单个大面积基片进行处理时，设置另一个适于装载大面积基片的装卸器而进行装载和卸出的操作。
参照图12，装卸器140的结构还可以构造成：其中可以移动多个基片，同时基片放置在一个装卸器上。在此情形下，机械手——其上设置有基片——的长度延长，使得两个基片可以设置在一个机械手上。当两个基片如上所述地设置在一个机械手上时，载荷锁定腔不必要设置基片移动单元。然而，在此情形下，必须修改盒的结构，使得在一个层上两个基片沿一个直线对齐。
在下文中，将参照图14来描述依据本发明另一优选实施方式的平板显示器制造设备。参照图13，平板显示器制造设备包括有处理腔210、一个传送腔220、一个载荷锁定腔230、以及一个装卸器240。此实施方式与上述实施方式的不同之处在于：可以在相应的腔中同时地处理两个基片。
每个处理腔210都设置有一个下电极212，所述下电极具有两个形成于其上的分开的电极部分212a。传送腔220设置有一个传送机器人222，该传送机器人具有一个用于同时地传送两个基片的机械手。载荷锁定腔230设置有两个缓冲设备232，用于同时地导入和卸出两个基片。在此实施方式中，设置有两个装卸器240以导入和卸出基片。然而，也可以通过一个装卸器240以导入和卸出基片。
现在，将参照图14来详细地描述依据本发明的等离子处理方法。
首先，进行这样的一个步骤：将多个基片导入到处于真空状态的处理腔内(S110)。为了将基片导入到处于真空状态的处理腔内，需要在不释放处理腔内真空环境的状态下将基片导入到处理腔中。为此，传送腔和载荷锁定腔大致上设置在处理腔的附近。基片通过载荷锁定腔导入到传送腔内，且传送腔内部的压力减少至真空状态。此后，基片导入到处理腔内。因此，基片可通过载荷锁定腔导入到传送腔内，同时在处理腔内对其它基片进行处理。依据此实施方式，多个基片导入到处理腔内。在此情形中，多个基片可以常规的次序导入到处理腔内，或者多个基片可以同时地导入到处理腔内。当然，将多个基片可以同时地导入到处理腔内是有利的，因为这样可以减少处理基片所需要的总时间。特别地，可通过传送机器人的一次操作来将多个基片导入到处理腔内，从而，与通过几次操作而导入基片相比，处理基片所需要的时间减少了。
然后，进行这样的步骤：将导入到处理腔中的基片放置在设于处理腔下部的下电极上(S120)。在这个步骤中，基片通过起模针放置在下电极上，所述的起模针可以通过下电极边缘升高以及降低。在此实施方式中，通过安装在下电极上而用于接收多个基片的起模针——因为多个基片放置在下电极上，以常规的次序或者同时地放置多个基片。
随后，进行这样的步骤：使用静电来将放置在下电极上的基片夹紧在下电极上(S130)。在基片尺寸较大的情形下，基片和下电极之间形成有间隙，从而，不能均匀地对基片进行处理。为此，进行这个步骤以在将基片牢固地夹紧在下电极上的同时均匀和精确地对基片进行处理。特别地，在此实施方式中，相应基片的位置状态必须相同，从而可以均匀地处理基片，因为多个基片是同时地处理的。因此，必须使用与相应基片对应的静电卡盘来将相应的基片夹紧在相同的状态中。
随后，进行这样的步骤：在处理腔内产生等离子而对基片进行预定的处理(S140)。在这个步骤中，处理气体被注入到处理腔内，且RF功率施加到处理腔的上电极或下电极以将所注入的处理气体转变成等离子。通过此等离子来处理基片。在此实施方式中，RF功率施加到设于下电极上的分开的电极部分中，所述分开的电极部分设置在相应基片的下方，从而使得相应的基片可通过相应的电场进行处理，因为多个基片是同时地进行处理的。
随后，进行这样的步骤：通过移除静电而将基片从下电极脱离(S150)。在此步骤中，移除施加到设在上电极上的静电卡盘中的直流电源，以使得电荷的排列变得无序。因此，静电被移除掉。
随后，进行这样的步骤：通过起模针来升高基片并且将基片移到处理腔的外部(S160)。在此步骤中，通过起模针来升高处理过的基片——所述起模针支撑设置在下电极上的相应基片的边缘，并且基片被移到处理腔的外部。依据此实施方式，多个基片在这个步骤中被同时地移到处理腔的外部，从而减少处理时间。当然，多个基片可以通过几个操作而移出到处理腔的外部。
其后，新的基片被导入到处理腔内，并且重复上述的步骤。
从上述的描述明显可以看出，依据本发明的平板显示器制造设备可对单个的大面积基片进行处理、并且此外可同时对多个小面积的基片进行处理而不用特别地改变其结构。因此，本发明的效果在于：可容易地与各种处理状态相适应、使得平板显示器的生产效率最大化、并且主动地适应市场上所需要的规格。
特别地，可一次地处理多个基片。因此，本发明的效果在于：极大地减少了处理基片所需要的时间。
此外，在一个处理腔内于相同的条件下对多个基片进行处理。因此，本发明的效果在于：对多个基片进行均匀的处理、因此增加了平板显示器的产出率。
虽然已经为了说明的目的而公开了本发明的优选实施方式，本领域内的技术人员可以理解可以进行各种修改、添加和替换，而不会偏离在所附权利要求中所公开的范畴和精神。

Claims (37)

1. 一种平板显示器制造设备的处理腔，该处理腔用于在其内部产生等离子而对至少一个基片进行预定的处理，其中
如此地构造所述处理腔，使得单个大面积的基片在该处理腔内进行处理，而且此外多个小面积的基片在该处理腔内同时地进行处理，所述处理腔的下部设置有一个下电极，多个分开的电极部分形成在该下电极上。
2. 如权利要求1所述的腔，其中如此地构造所述分开的电极部分的结构：在所述分开电极部分之间形成电间断。
3. 如权利要求1所述的腔，其中所述下电极设置有多个起模针，所述起模针通过各分开电极部分的边缘而升高和降低。
4. 如权利要求3所述的腔，其中如此地构造所述起模针，使得设置在下电极中央的起模针和设置在下电极边缘的起模针独立地驱动。
5. 如权利要求1所述的腔，其中通过等离子对两个小面积的基片进行处理，同时，所述两个小面积的基片彼此平行地设置。
6. 如权利要求1所述的腔，其中通过等离子对四个小面积的基片进行处理，同时，所述四个小面积的基片呈矩形地设置。
7. 如权利要求1所述的腔，其中所述处理腔是蚀刻设备的处理腔。
8. 如权利要求1所述的腔，其中所述处理腔是化学气相沉积设备的处理腔。
9. 如权利要求7所述的腔，其中所述蚀刻设备是多类别的蚀刻设备，其将射频功率同时地施加到上电极和下电极上。
10. 如权利要求7所述的腔，其中所述蚀刻设备是双射频类别的蚀刻设备，其将两种不同频率的射频功率施加到上电极和下电极上。
11. 如权利要求7所述的腔，其中所述蚀刻设备是活性离子腐蚀类别的蚀刻设备，其将射频功率施加到下电极上。
12. 如权利要求7所述的腔，其中所述蚀刻设备是等离子加强类别的蚀刻设备，其将射频功率施加到上电极上。
13. 一种平板显示器制造设备，包括：至少一个处理腔、一个传送腔、以及一个载荷锁定腔，用于对至少一个基片进行预定的处理，其中
构造所述至少一个处理腔、传送腔、以及载荷锁定腔，以同时地执行单处理模式和多处理模式，所述单处理模式用于处理单个的大面积基片，而所述多处理模式用于处理多个小面积的基片。
14. 如权利要求13所述的设备，其中至少一个处理腔的下部设置有一个下电极，多个分开的电极部分形成在该下电极上。
15. 如权利要求14所述的设备，其中如此地构造所述分开的电极部分的结构：在所述分开电极部分之间形成电间断。
16. 如权利要求14所述的设备，其中所述下电极设置有多个起模针，所述起模针通过各分开电极部分的边缘而升高和降低，从而使得小面积的基片能独立地设置在相应的分开电极部分上并与相应的分开电极部分分离。
17. 如权利要求16所述的设备，其中如此地构造所述起模针，使得设置在下电极中央的起模针和设置在下电极边缘的起模针独立地驱动。
18. 如权利要求13所述的设备，其中所述传送腔具有一个传送机器人，用于传送单个的大面积基片、以及此外同时地传送多个小面积的基片。
19. 如权利要求18所述的设备，其中所述传送机器入具有双臂类型的机械臂，用于在高位和低位处装载基片。
20. 如权利要求13所述的设备，其中所述传送腔具有两个安装在其内的缓冲设备，所述缓冲设备沿基片的移动方向彼此平行地设置。
21. 如权利要求20所述的设备，其中所述缓冲设备的长度如此地延伸，使得多个小面积的基片成直线地设置。
22. 如权利要求21所述的设备，其中所述载荷锁定腔进一步包括一个基片移动单元，用于水平地移动放置在所述缓冲设备上的基片。
23. 如权利要求13所述的设备，其中所述载荷锁定腔是叠置型的载荷锁定腔，其中两个腔彼此叠置并独立地驱动。
24. 如权利要求13所述的设备，其中所述平板显示器制造设备构成为一群集的结构，其中多个处理腔都连接到传送腔外部。
25. 如权利要求13所述的设备，进一步包括：
至少一个邻近于所述载荷锁定腔安装的装卸器，用于将至少一个基片导入到载荷锁定腔内以及将至少一个基片卸出到载荷锁定腔外。
26. 如权利要求25所述的设备，其中所述的至少一个装卸器包括有两个彼此平行地设置的装卸器，用于独立地导入和卸出基片。
27. 如权利要求26所述的设备，其中所述装卸器构造成将基片移到载荷锁定腔内的不同位置。
28. 如权利要求25所述的设备，其中所述的至少一个装卸器构造成同时地移动多个小面积的基片。
29. 如权利要求13所述的设备，其中所述的各个腔构造成：能够在相应的腔内对两个小面积基片同时地进行处理。
30. 如权利要求13所述的设备，其中所述的各个腔构造成：能够在相应的腔内对四个小面积基片同时地进行处理。
31. 一种等离子处理方法，用于在真空状态的处理腔内产生等离子而对至少一个基片进行预定处理，其中该等离子处理方法包括以下步骤：
(1)将多个基片导入到处理腔中、以及将基片放置在下电极上；
(2)在处理腔内产生等离子而同时地对基片进行处理；以及
(3)将处理过的基片卸出到处理腔的外部，其中，在所述步骤(1)中，基片同时地导入到处理腔内、然后被放置在下电极上。
32. 如权利要求31所述的方法，其中所述步骤(1)包括：
(a)将基片同时地导入到处理腔内；
(b)通过起模针来支撑导入到处理腔内的基片，从而将基片放置在下电极上。
33. 如权利要求31所述的方法，进一步包括：
在步骤(1)和步骤(2)之间，通过静电来将放置在下电极上的基片强力地吸到下电极中，从而将基片夹紧在下电极上。
34. 如权利要求31所述的方法，其中在步骤(2)中，通过独立地施加到相应基片的射频功率来产生电场。
35. 如权利要求31所述的方法，其中在步骤(3)中，所述基片被同时地升起、然后被卸出到处理腔的外部。
36. 如权利要求35所述的方法，其中所述步骤(3)包括：
(c)通过位于相应基片下方的起模针同时地升起基片；以及
(d)将升起的基片同时地卸出到处理腔的外部。
37. 如权利要求33所述的方法，进一步包括：
在所述步骤(2)和步骤(3)之间，释放静电而使得基片与下电极脱离。
CNB2006101042204A 2005-08-01 2006-08-01 处理腔、平板显示器制造设备、以及利用所述设备的等离子处理方法 Expired - Fee Related CN100416759C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050070312A KR100898975B1 (ko) 2005-08-01 2005-08-01 플라즈마 처리방법
KR1020050070314 2005-08-01
KR1020050070317 2005-08-01
KR1020050070312 2005-08-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1909186A CN1909186A (zh) 2007-02-07
CN100416759C true CN100416759C (zh) 2008-09-03

Family

ID=37700239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006101042204A Expired - Fee Related CN100416759C (zh) 2005-08-01 2006-08-01 处理腔、平板显示器制造设备、以及利用所述设备的等离子处理方法

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100898975B1 (zh)
CN (1) CN100416759C (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100903626B1 (ko) * 2007-12-17 2009-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 건식 식각 장치
CN111471965A (zh) * 2020-04-30 2020-07-31 苏州迈正科技有限公司 传送载板、真空镀膜设备及真空镀膜方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277489A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Sharp Corp プラズマ処理装置
JP2001007117A (ja) * 1999-06-24 2001-01-12 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
CN1619767A (zh) * 2003-08-15 2005-05-25 应用材料有限公司 具有多个射频源频率的等离子体腔体
KR20050054606A (ko) * 2003-12-05 2005-06-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 상압 플라즈마 처리 장치

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2701775B2 (ja) * 1995-03-17 1998-01-21 日本電気株式会社 プラズマ処理装置
JP2000353690A (ja) * 1999-06-11 2000-12-19 Sharp Corp プラズマリアクタ装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277489A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Sharp Corp プラズマ処理装置
JP2001007117A (ja) * 1999-06-24 2001-01-12 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
CN1619767A (zh) * 2003-08-15 2005-05-25 应用材料有限公司 具有多个射频源频率的等离子体腔体
KR20050054606A (ko) * 2003-12-05 2005-06-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 상압 플라즈마 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN1909186A (zh) 2007-02-07
KR100898975B1 (ko) 2009-05-25
KR20070015757A (ko) 2007-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106164331B (zh) 具有一体式静电夹盘的基板载体
CN100549775C (zh) 可单独移动的基材支撑件
CN101465283B (zh) 等离子体处理装置以及等离子体处理方法
CN104603928A (zh) 用于薄基板的便携式静电夹盘载体
JP2015524614A (ja) 太陽電池グリッパの静電除去
CN101461051A (zh) 基板传输设备及使用该设备的高速基板处理系统
CN101770932B (zh) 等离子体处理设备
CN100416759C (zh) 处理腔、平板显示器制造设备、以及利用所述设备的等离子处理方法
CN103866282B (zh) Pecvd设备
CN114078731A (zh) 运送装置、运送系统和末端执行器
KR100959680B1 (ko) 기판 이송 시스템
CN108305846B (zh) 一种硅片上料/下料传输系统及其工作方法
KR20070015759A (ko) 평판표시소자 제조장치
JP4010068B2 (ja) 真空処理装置及びマルチチャンバ型真空処理装置
US11652231B2 (en) Secondary battery cell supply apparatus for process of folding secondary battery cell
CN102064095A (zh) 半导体基板加工设备
KR100905394B1 (ko) 평판표시소자 제조장치
KR100920420B1 (ko) 평판표시소자 제조장치
CN104835767B (zh) 湿法刻蚀机及采用该刻蚀机进行刻蚀的方法
KR100965511B1 (ko) 기판 이송 시스템
KR101068769B1 (ko) 컨베이어를 이용하여 기판을 교환하는 대면적 엘씨디제조장치 및 이를 이용한 기판의 운송방법
KR20050087059A (ko) 적층형 공정챔버를 가지는 진공처리장치
KR100934769B1 (ko) 기판 이송 시스템
KR100940303B1 (ko) 평판표시소자 제조장치
KR100920419B1 (ko) 평판표시소자 제조장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080903

Termination date: 20150801

EXPY Termination of patent right or utility model