KR100903626B1 - 건식 식각 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 공정 중에 발생되는 파티클에 의하여 피식각체가 다시 오염되는 것을 방지하는 건식 식각 장치에 관한 것이다.
본 발명의 건식 식각 장치는, 건식 식각 분위기를 형성하는 공정 챔버, 상기 공정 챔버의 내측 상부에 구비되는 스테이지 및 제1 전극, 상기 제1 전극에 마주하여 플라즈마를 발생시키도록 상기 공정 챔버의 내측 하부에 구비되는 제2 전극, 상기 공정 챔버의 일측에 형성되는 투입구를 통하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 피식각체를 투입하여 상기 피식각체의 하면을 건식 식각하고, 공정 후, 상기 피식각체를 인출하는 핸들러, 및 상기 핸들러에 놓인 상기 피식각체를 상승시켜 상기 스테이지에 밀착시키고, 공정 후, 상기 스테이지에 장착된 상기 피식각체를 상기 핸들러에 내려 놓는 리프트 부재를 포함한다.
플라즈마, 건식, 식각, 핸들러. 리프트 부재

Description

건식 식각 장치 {DRY ECHING APPARATUS}
본 발명은 건식 식각 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정 중에 발생되는 파티클(particles)에 의하여 피식각체가 다시 오염되는 것을 방지하는 건식 식각 장치에 관한 것이다.
디스플레이 장치는 파티클에 대하여 민감하게 반응하므로 디스플레이 장치를 제조하는 공정 장비의 청정 관리 및 파티클의 관리가 엄격히 요구된다.
예를 들어 설명하면, 디스플레이 장치는 2개의 글라스 기판과, 양 기판 사이에서 영상을 구현하는 구성들을 포함한다.
양 기판 사이에 구비되는 구성들 중, 일부는 한쪽 글라스 기판에 형성되고, 다른 일부는 다른 쪽 글라스 기판에 형성된다. 그리고 2개의 글라스 기판을 서로 부착함으로써, 양 기판 사이에 영상 구현 구성들이 배치된다.
영상 구현 구성들 중 일부는 건식 식각 공정으로 형성될 수 있다. 건식 식각 공정을 경유한 글라스 기판은 이후 공정에 노출된다.
디스플레이 장치의 특성 저하 및 불량을 방지하기 위하여, 글라스 기판은 건식 식각 공정에서 발생되어 낙하되는 파티클에 의한 오염으로부터 보호되어야 한 다.
낙하 파티클에 의하여 피식각체가 재오염되는 것을 방지하기 위한 일례로서, 공정 챔버 내에서 피식각체를 상부에 배치하고, 피식각체의 하부에서 피식각체의 하면을 식각하여, 식각된 파티클들을 중력으로 낙하시키는 방법이 있다.
피식각체를 상부의 스테이지에 고정하는 장치의 예들에는, 진공척, 정전척, 클램프 및 베르누이 척 등이 있다. 스테이지가 상부에 구비되는 경우, 피식각체를 스테이지까지 이송하고, 건식 식각 공정 후, 피식각체를 스테이지로부터 받아서 공정 챔버 밖으로 안전하게 인출할 수 있는 장치가 필요하다.
본 발명은 공정 중에 발생되는 파티클에 의하여 피식각체가 다시 오염되는 것을 방지하는 건식 식각 장치에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 공정 챔버 밖에서 공정 챔버 내의 스테이지에 피식각체를 이송하고, 스테이지에서 공정 챔버 밖으로 피식각체를 안전하게 인출하는 건식 식각 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 건식 식각 장치는, 건식 식각 분위기를 형성하는 공정 챔버, 상기 공정 챔버의 내측 상부에 구비되는 스테이지 및 제1 전극, 상기 제1 전극에 마주하여 플라즈마를 발생시키도록 상기 공정 챔버의 내측 하부에 구비되는 제2 전극, 상기 공정 챔버의 일측에 형성되는 투입구를 통하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 피식각체를 투입하여 상기 피식각체의 하면을 건식 식각하고, 공정 후, 상기 피식각체를 인출하는 핸들러, 및 상기 핸들러에 놓인 상기 피식각체를 상승시켜 상기 스테이지에 밀착시키고, 공정 후, 상기 스테이지에 장착된 상기 피식각체를 상기 핸들러에 내려 놓는 리프트 부재를 포함할 수 있다.
상기 핸들러는, 상기 피식각체의 외곽에 대응하여 형성되는 링부, 상기 링부에서 중심부로 돌출되어 상기 피식각체를 지지하는 지지부를 포함할 수 있다.
상기 지지부는 상기 링부의 상면보다 낮은 상면을 가질 수 있다.
상기 지지부는 상기 링부의 전체 둘레 중 일부에 대응하여 형성될 수 있다.
상기 리프트 부재는 상기 지지부들 중 서로 이웃하는 상기 지지부들 사이에 대응하여 배치될 수 있다.
상기 피식각체는 중앙 부분의 식각 대상부와 상기 식각 대상부를 둘러싸는 비식각 대상부로 구획되며, 상기 리프트 부재는 상기 비식각 대상부에 대응하여 배치되는 복수로 형성될 수 있다.
상기 지지부 상에서 상기 링부의 내면은 상기 피식각체의 외곽 둘레와의 사이에 간격을 유지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 건식 식각 장치는 핸들러로 피식각체를 투입하고, 리프트 부재로 피식각체를 상부의 스테이지에 장착한 후, 제1 전극과 제2 전극 사이에서 플라즈마를 발생시켜, 피식각체의 하면을 건식 식각하므로 공정 중에 발생되는 파티클을 중력 방향으로 낙하시키므로 식각된 파티클에 의하여 피식각체가 다시 오염되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 건식 식각 장치는 핸들러와 리프트 부재를 구비하므로 공정 챔버 밖에서 공정 챔버 내의 스테이지에 피식각체를 이송하고, 스테이지에서 공정 챔버 밖으로 피식각체를 안전하게 인출할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 붙였다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 건식 식각 장치의 단면도로서, 핸들러로 피식각체를 공정 챔버 내에 투입한 작동 상태도이다.
도1을 참조하면, 본 실시예의 건식 식각 장치는, 공정 챔버(10), 스테이지(20), 제1 전극(30), 제2 전극(40), 핸들러(50) 및 리프트 부재(60)를 포함한다.
공정 챔버(10)는 피식각체(70)를 건식 식각할 수 있는 분위기, 예를 들면, 진공 상태에서 불활성 가스를 포함하는 분위기를 형성한다. 피식각체(70)의 투입 및 배출이 가능하도록 공정 챔버(10)는 일측에 투입구(11)를 형성한다.
또한, 공정 챔버(10)는 진공을 형성하고, 불활성 가스를 공급하며, 투입구(11)를 개폐하는 구성들을 포함하며, 이와 같은 구성들은 공지의 기술을 적용할 수 있으므로 여기서 이들에 대한 구체적인 설명을 생략한다.
스테이지(20)는 공정 챔버(10)의 내부 상측에 구비되어, 그 하면에 피식각체(70)를 장착할 수 있도록 구성된다. 스테이지(20)는 피식각체(70)를 장착할 수 있도록 정전척(Electronic Static Chuck)(21)을 구비한다.
즉, 정전척(21)의 작동에 의하여, 피식각체(70)는 스테이지(20)에 장착된 상태를 유지하게 된다. 이때 피식각체(70)에서 식각 대상면은 하방을 향한다.
제1 전극(30)은 스테이지(20)의 상측에 연결되어, 스테이지(20)를 통하여 고주파 전압을 인가하거나 접지된다.
제2 전극(40)은 공정 챔버(10)의 내측 하부에 구비되어, 고주파 전압을 인가하거나 접지되며, 제1 전극(30)과 마주한다. 따라서 제2 전극(40)은 제1 전극(30)과의 사이에서 플라즈마를 발생시킨다.
핸들러(50)는 공정 챔버(10) 내부의 제1 전극(30)과 제2 전극(40) 사이에 피식각체(70)를 투입하고, 투입된 피식각체(70)를 건식 식각 공정 후 인출할 수 있도록 구성되며, 투입구(11)를 통하여 피식각체(70)를 투입 및 인출한다.
핸들러(50)는 피식각체(70)를 투입하고, 건식 식각 공정시 공정 챔버(10) 밖으로 나와서 대기하며, 건식 식각 공정 후, 공정 완료된 피식각체(70)를 공정 챔버(10) 밖으로 인출한다.
핸들러(50)는 피식각체(70)의 하면을 식각하도록 피식각체(70)를 반전시켜 투입하거나, 반전된 상태의 피식각체(70)를 투입한다. 편의상, 본 실시예에서는 반전된 상태로 피식각체(70)를 투입하는 핸들러(50)를 예시한다.
리프트 부재(60)는 핸들러(50)와 스테이지(20) 사이에서, 건식 식각 공정 전후에 피식각체(70)를 상승 또는 하강시키도록 구성된다.
즉 리프트 부재(60)는 핸들러(50)에 놓인 피식각체(70)를 상승시켜 스테이지(20)의 하면에 밀착시키고, 공정 후, 스테이지(20) 하면에 장착되어 있는 피식각체(70)를 하강시켜 핸들러(50)에 내려 놓을 수 있도록 구성된다.
도2는 피식각체에 대응하는 핸들러와 리프트 부재의 사시도이다.
도2를 참조하여, 핸들러(50)와 리프트 부재(60)에 대하여 보다 상세히 설명한다. 핸들러(50)는 링부(51)와 지지부(52)를 포함하여 형성된다.
핸들러(50)에서, 링부(51)는 핸들러(50)의 형상을 한정하며, 피식각체(70)의 외곽에 대응하여 형성된다. 즉 링부(51)는 피식각체(70)의 외곽 둘레에 대응하고 가운데 부분을 개방하는 구조로 형성된다.
지지부(52)는 링부(51)에서 개방된 중심부를 향하여 돌출 형성된다. 피식각체(70)는 지지부(52)에 놓여진다. 실질적으로, 중력 방향에 대하여, 지지부(52)가 피식각체(70)를 지지하게 된다.
지지부(52)는 링부(51)의 상면(51a)보다 낮은 상면(52a)을 가지고 형성되어, 링부(51)의 내측에서 피식각체(70)를 안정된 상태로 지지하는 구조를 형성한다.
지지부(52)는 하중 방향에 대하여 피식각체(70)를 지지하는 부분으로써, 링부(51) 둘레 전체에 대하여 형성될 수도 있으나, 리프트 부재(60)의 승강 작동을 위하여, 링부(51)의 전체 둘레 중 일부에 대응하여 형성된다.
리프트 부재(60)는 핸들러(50)의 지지부(52)에 놓인 피식각체(70)를 상승시 켜 스테이지(20)에 밀착시키고, 반대로, 스테이지(20)에 장착된 피식각체(70)를 하강시켜 핸들러(50)의 지지부(52)에 다시 내려 놓는다.
리프트 부재(60)는 링부(51)의 전체 둘레 중 일부에 대응하여 형성되는 지지부들(52) 중 서로 이웃하는 지지부들(52) 사이에 대응하여 핸들러(50)의 지지부(52) 하측에 배치된다.
피식각체(70)는 다양한 예들로 이루어질 수 있으며, 여기서는 디스플레이를 형성하는 글라스 기판을 피식각체(70)로 예시한다. 따라서 피식각체(70)는 영상을 구현하도록 이루어지는 중앙 부분의 식각 대상부(71)와, 식각 대상부(71)를 둘러싸는 비식각 대상부(72)로 구획될 수 있다.
식각 대상부(71)는 제1 전극(30)과 제2 전극(40) 사이에서 발생시킨 플라즈마에 의한 건식 식각 공정의 대상이 된다. 비식각 대상부(72)는 건식 식각 공정의 대상에서 제외된다.
따라서 리프트 부재(60)는 비식각 대상부(72)에 대응하여 배치되며, 또한 복수로 형성 및 배치되어 피식각체(70)를 안정된 상태로 상승 및 하강시킨다.
리프트 부재(60)는 복수의 에어 실린더로 각각 형성될 수 있다. 또한 리프트 부재(60)는 하나의 에어 챔버를 이용하여 동시에 승강 작동하도록 구성될 수도 있다(미도시).
지지부(52) 상에서 링부(51)의 내면(51b)은 피식각체(70)의 외곽 둘레와의 사이에 간격(C)을 유지한다. 간격(C)은 핸들러(50)와 피식각체(70) 사이의 체결력 발생을 방지하여, 핸들러(50)의 하방에 배치되는 리프트 부재(60)의 작동만으로 피 식각체(70)를 상승 및 하강시킬 수 있게 한다.
도1, 도2 내지 도5를 참조하여, 이하에서 피식각체(70)의 투입 및 인출 공정에 대하여 구체적으로 설명한다.
도1을 참조하면, 핸들러(50)의 작동으로 피식각체(70)는 핸들러(50)의 지지부(52)에 놓인 상태로 공정 챔버(10) 내부로 투입된다.
도3은 리프트 부재 신장 작동으로 피식각체를 스테이지에 밀착시킨 상태의 단면도이다.
도3을 참조하면, 리프트 부재(60)의 신장 작동에 의하여, 피식각체(70)는 핸들러(50)로부터 분리 상승되어 스테이지(20)에 밀착된다. 정전척(21)의 작동으로 피식각체(70)는 스테이지(20)에 장착된다.
도4는 피식각체를 스테이지에 고정한 후 리프트 부재를 수축한 상태의 단면도이다.
도4를 참조하면, 리프트 부재(60)의 수축 작동으로 리프트 부재(60)는 핸들러(50) 아래에 놓이게 된다. 이때, 피식각체(70)는 정전척(21)의 작동에 의하여, 스테이지(20)에 장착된 상태를 유지한다.
도5는 피식각체를 플라즈마로 건식 식각하는 상태의 단면도이다.
도5를 참조하면, 제1 전극(30) 및 제2 전극(40)에 인가되는 고주파 전압에 의하여, 제2 전극(40)과 피식각체(70) 사이에서 플라즈마가 발생된다.
플라즈마에 의하여 피식각체(70)의 하면은 건식 식각되며, 피식각체(70)로부터 건식 식각된 파티클들은 중력에 의하여 공정 챔버(10)의 하방으로 낙하되어 별 도로 구비되는 진공 장치(미도시)에 의하여 공정 챔버(10) 밖으로 배출된다.
즉, 건식 식각으로 발생되는 파티클들은 자중에 의하여 하강하므로 피식각체(70)의 하면을 다시 오염시키지 않게 된다.
건식 식각 공정 완료 후, 핸들러(50)는 공정 챔버(10) 내부로 투입되고, 리프트 부재(60)는 신축되어 핸들러(50)를 관통하여 피식각체(70)의 하면에 위치한다.
정전척(21)의 작동 해제에 의하여, 피식각체(70)는 스테이지(20)로부터 떨어져 리프트 부재(60) 상에 놓이게 된다.
리프트 부재(60)는 수축하면서 피식각체(70)를 하강시킨다. 따라서 피식각체(70)는 하면 건식 공정을 마친 후, 핸들러(50)의 지지부(52) 상에 놓이게 된다.
핸들러(50)의 작동으로 피식각체(70)는 공정 챔버(10) 밖으로 인출될 수 있다. 피식각체(70)는 건식 식각 공정되고, 이 공정에서 발생된 파티클로부터 다시 오염되지 않은 상태를 유지하게 된다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 건식 식각 장치의 단면도로서, 핸들러로 피식각체를 공정 챔버 내에 투입한 작동 상태도이다.
도2는 피식각체에 대응하는 핸들러와 리프트 부재의 사시도이다.
도3은 리프트 부재 신장 작동으로 피식각체를 스테이지에 밀착시킨 상태의 단면도이다.
도4는 피식각체를 스테이지에 고정한 후 리프트 부재를 수축한 상태의 단면도이다.
도5는 피식각체를 플라즈마로 건식 식각하는 상태의 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 공정 챔버 20 : 스테이지
30 : 제1 전극 40 : 제2 전극
50 : 핸들러 60 : 리프트 부재
70 : 피식각체 11 : 투입구
21 : 정전척 51 : 링부
52 : 지지부 51a, 52a : 상면
71 : 식각 대상부 72 : 비식각 대상부
51b : 내면 C : 간격

Claims (7)

  1. 건식 식각 분위기를 형성하는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버의 내측 상부에 구비되는 스테이지 및 제1 전극;
    상기 제1 전극에 마주하여 플라즈마를 발생시키도록 상기 공정 챔버의 내측 하부에 구비되는 제2 전극;
    상기 공정 챔버의 일측에 형성되는 투입구를 통하여 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 피식각체를 투입하여 상기 피식각체의 하면을 건식 식각하고, 공정 후, 상기 피식각체를 인출하는 핸들러; 및
    상기 핸들러에 놓인 상기 피식각체를 상승시켜 상기 스테이지에 밀착시키고, 공정 후, 상기 스테이지에 장착된 상기 피식각체를 상기 핸들러에 내려 놓는 리프트 부재를 포함하고,
    상기 핸들러는,
    상기 피식각체의 외곽에 대응하여 형성되는 링부, 및
    상기 링부에서 중심부로 돌출되어 상기 피식각체를 지지하는 지지부를 포함하는 건식 식각 장치.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 지지부는,
    상기 링부의 상면보다 낮은 상면을 가지는 건식 식각 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 지지부는,
    상기 링부의 전체 둘레 중 일부에 대응하여 형성되는 건식 식각 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 리프트 부재는,
    상기 지지부들 중 서로 이웃하는 상기 지지부들 사이에 대응하여 배치되는 건식 식각 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 피식각체는 중앙 부분의 식각 대상부와 상기 식각 대상부를 둘러싸는 비식각 대상부로 구획되며,
    상기 리프트 부재는,
    상기 비식각 대상부에 대응하여 배치되는 복수로 형성되는 건식 식각 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 지지부 상에서 상기 링부의 내면은 상기 피식각체의 외곽 둘레와의 사이에 간격을 유지하는 건식 식각 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20060098046A (ko) * 2005-03-08 2006-09-18 삼성전자주식회사 플라즈마 식각 장비
KR20070015757A (ko) * 2005-08-01 2007-02-06 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리방법
KR20070066390A (ko) * 2005-12-22 2007-06-27 주식회사 래디언테크 플라즈마 처리 장치 및 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060098046A (ko) * 2005-03-08 2006-09-18 삼성전자주식회사 플라즈마 식각 장비
KR20070015757A (ko) * 2005-08-01 2007-02-06 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리방법
KR20070066390A (ko) * 2005-12-22 2007-06-27 주식회사 래디언테크 플라즈마 처리 장치 및 방법

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