JP2002141260A - 液供給装置及び液供給方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ノズルから供給される供給圧力にばらつきが
発生することのない液供給装置及び液供給方法を提供す
ること。 【解決手段】 基板Ｇにレジスト液を吐出するノズル４
６と、レジスト液を液供給源５７から一旦供給・貯留し
てノズル４６に液を供給する供給タンク５３と、を一体
的に第２のスライダ４３により基板Ｇ上を走査しながら
液を吐出させることによって、従来のような供給配管が
屈曲して配管内の圧力が変動するという不具合は生じ
ず、常に所望の圧力でレジスト液を供給することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）等に使用されるガ
ラス基板上にレジスト液を供給する液供給装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】ＬＣＤの製造工程においては、被処理体
であるＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin O
xide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体
デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグ
ラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術で
は、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光
し、さらに現像する。

【０００３】レジスト供給工程においては、ガラス基板
上中心にレジストを供給した後基板を回転させ、その遠
心力によりレジストを基板上で伸展させて塗布する方
法、あるいはレジストを吐出するノズルをガラス基板の
縦横方向に設けられた搬送レールに沿って長辺及び短辺
にそれぞれ平行（縦横方向）に走査させてレジストを基
板全面に塗布する方法（スキャン塗布）がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところでレジストを吐
出させるノズルには液供給源からレジスト液を供給する
ために配管が接続されているが、上記スキャン塗布の場
合にあっては、レジスト液吐出の際には、ノズルはガラ
ス基板の縦横方向に移動するため、ノズルに接続された
配管はノズルとともに縦横方向に振られ屈曲する。この
屈曲により配管内のレジスト液の圧力が変動し、これに
よってノズルから吐出される際の吐出圧力にばらつきが
発生してしまう。従ってこのような場合には、基板上の
走査位置によって供給量が異なり、すなわち供給ムラが
発生するため基板全面に均一な量のレジスト液の供給を
行うことはできない。

【０００５】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、ノズルから供給される供給圧力にばらつきが発生す
ることのない液供給装置及び液供給方法を提供すること
を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、基板上に液を吐出するノズルと、前記ノ
ズルに液を供給する供給タンクと、前記ノズルと前記供
給タンクとを一体的に基板上を走査させる駆動部と、を
具備する。

【０００７】本発明は、液供給源と基板上に液を吐出す
るノズルとの間に設けられた供給タンクに前記液供給源
からの液を一時的に貯留する工程と、前記供給タンクか
ら前記ノズルへ前記貯留した液を供給する工程と、前記
供給タンクと前記ノズルとを一体的に基板上を走査させ
ながら前記ノズルから液を吐出させる工程と、を具備す
る。

【０００８】このような構成によれば、ノズルが基板上
を走査しながら液の供給を行う際、ノズルと供給タンク
を一体的に走査させることにより、供給タンクからノズ
ルへの液の供給配管が屈曲することはなく、液の供給圧
力の変動を防止でき、供給ムラを発生させることなく所
定の供給量で液を供給することができる。

【０００９】本発明の更なる特徴と利点は、添付した図
面及び発明の実施の形態の説明を参酌することによりよ
り一層明らかになる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。

【００１１】図１は、本発明の液供給装置及び液供給方
法が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システム１
００を示す平面図である。

【００１２】この塗布・現像処理システム１００は、複
数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットス
テーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含
む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた
処理部２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受
け渡しを行うためのインターフェイス部３とを備えてお
り、処理部２の両端にそれぞれカセットステーション１
およびインターフェイス部３が配置されている。

【００１３】カセットステーション１は、カセットＣと
処理部２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機
構１０を備えている。そして、カセットステーション１
においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機
構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路
１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送
アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇ
の搬送が行われる。

【００１４】処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後
段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１
２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユ
ニットが配設されている。そして、これらの間には中継
部１５、１６が設けられている。

【００１５】前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には、２つの洗浄装置（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが配置
されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射装置
（ＵＶ）および冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられて
なる紫外線照射／冷却ユニット２５、２つの加熱処理装
置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット２
６、および２つの冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられ
てなる冷却ユニット２７が配置されている。

【００１６】また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側には、本発明に係る液供給装置としてレジスト塗
布装置（ＣＴ）２２、減圧乾燥装置（ＶＤ）４０および
基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ
（ＥＲ）２３が一体的に設けられて配置され、塗布系処
理ユニット群５０を構成している。この塗布系処理ユニ
ット群５０では、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２で基板
Ｇにレジストが塗布された後、基板Ｇが減圧乾燥装置
（ＶＤ）４０に搬送されて乾燥処理され、その後、エッ
ジリムーバ（ＥＲ）２３により周縁部レジスト除去処理
が行われるようになっている。搬送路１３の他方側に
は、２つの加熱装置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加
熱処理ユニット２８、加熱処理装置（ＨＰ）と冷却処理
装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる加熱処理／冷却
ユニット２９、及び基板表面の疎水化処理を行うアドヒ
ージョン処理装置（ＡＤ）と冷却装置（ＣＯＬ）とが上
下に積層されてなるアドヒージョン処理／冷却ユニット
３０が配置されている。

【００１７】さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿っ
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には、３つの現像処理装置（ＤＥＶ）２４ａ、
２４ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側
には２つの加熱処理装置（ＨＰ）が上下に重ねられてな
る加熱処理ユニット３１、および加熱処理装置（ＨＰ）
と冷却装置（ＣＯＬ）が上下に積層されてなる２つの加
熱処理／冷却ユニット３２、３３が配置されている。

【００１８】上記主搬送装置１７，１８，１９は、それ
ぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、
および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ
軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞ
れ基板Ｇを支持するアーム１７ａ，１８ａ，１９ａを有
している。

【００１９】なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の
側に、洗浄装置（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂ、レジスト塗
布装置（ＣＴ）２２、及び現像処理装置２４ａ、２４
ｂ、２４ｃのような液供給系ユニットを配置しており、
他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱
系処理ユニットのみを配置する構造となっている。

【００２０】また、中継部１５、１６の液供給系配置側
の部分には、薬液供給部３４が配置されており、さらに
メンテナンスが可能なスペース３５が設けられている。

【００２１】インターフェイス部３は、処理部２との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファカセットを配置する２つのバッファステージ３７
と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬
入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８
はエクステンション３６及びバッファステージ３７の配
列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な
搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理
部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。

【００２２】図２および図３は、塗布系処理ユニット群
５０を示す概略平面図および概略側面図である。これら
レジスト塗布装置（ＣＴ）２２、減圧乾燥装置（ＶＤ）
４０、およびエッジリムーバ（ＥＲ）２３は、図示する
ように同一のステージに一体的に並列されている。

【００２３】減圧乾燥装置（ＶＤ）４０は、下部チャン
バ６１と、その上を覆うように設けられ、その内部の処
理空間を気密に維持する上部チャンバ６２とを有してい
る。下部チャンバ６１には、基板Ｇを載置するためのス
テージ６３が設けられ、下部チャンバ６１の各コーナー
部には、４個の排気口６４が設けられ、この排気口６４
に連通された排気管６５がターボ分子排気ポンプ等の排
気ポンプ（図示略）に接続されている。そして、下部チ
ャンバ６１と上部チャンバ６２とが密着した状態でその
中の処理空間を排気することにより、所定の真空度に減
圧されるように構成されている。

【００２４】またエッジリムーバ（ＥＲ）２３は、ガラ
ス基板Ｇを載置させるためのステージ９１が設けられ、
ガラス基板Ｇの四辺には、それぞれ、ガラス基板Ｇの四
辺のエッジから余分なレジストを除去するための四個の
リムーバヘッド９３が設けられている。各リムーバヘッ
ド９３は、内部からシンナを吐出するように断面略Ｕ字
状を有し、基板Ｇの四辺に沿って挟み込むかたちで移動
機構（図示略）によって移動されるようになっている。
これにより、各リムーバヘッド９３は、基板Ｇの各辺に
沿って移動してシンナを吐出しながら、基板Ｇの四辺の
エッジに付着した余分なレジストを取り除くことができ
る。

【００２５】次に本発明に係るレジスト塗布装置（Ｃ
Ｔ）２２について説明する。図４はレジスト塗布装置
（ＣＴ）２２の概略構成を示す一部断面図、図５はその
平面図である。

【００２６】これらの図に示すように、レジスト塗布装
置（ＣＴ）２２のほぼ中央には、有底円筒状のカップ７
１ａが配置され、カップ７１ａ内にはガラス基板Ｇを固
定保持するための保持部材である基板吸着テーブル５８
が配置されている。カップ７１ａの上部には、ガラス基
板Ｇを出し入れするための開口部７１ｃが設けられてい
る。開口部７１ｃには、上蓋７９が被せられるようにな
っている。上蓋７９は開閉機構（図示を省略）によって
移動可能に支持されている。

【００２７】また、基板吸着テーブル５８の外周側下面
には、シール部材７７が取り付けられており、基板吸着
テーブル５８を下降させて、シール部材７７をカップ７
１ａの底部に当接させると、気密な処理スペース７８が
形成されるようになっている。

【００２８】基板吸着テーブル５８には、ガラス基板Ｇ
を真空吸着保持するための真空吸着装置７２が接続され
ている。また、この基板吸着テーブル５８は、ロッド７
５を介して昇降シリンダ７３によって上下方向に昇降可
能になっている。なお、この昇降シリンダ７３は、制御
部７４によって、その動作が制御される。具体的には、
ロッド７５の下部側が図示しない筒体内に配設されてお
り、この筒体内においてロッド７５はバキュームシール
部７６を介して昇降シリンダ７３の駆動によって上下方
向に移動し得るようになっている。

【００２９】カップ７１ａの両側には、搬送レール６
６、６６が配置されており、搬送レール６６、６６間に
は、スキャン機構が設けられている。このスキャン機構
は、搬送レール６６、６６間に掛け渡され、この搬送レ
ール６６、６６に沿ってＹ方向に移動する第１のスライ
ダ６７と、この第１のスライダ６７に付設され、第１の
スライダ６７の長手方向に沿ってＸ方向に移動可能な第
２のスライダ４３とを有して構成される。搬送レール６
６の一方の走行端付近には、制御部７４の指令により、
該搬送レール６６に沿って第１のスライダ６７を移動さ
せると共に、第２のスライダ４３を第１のスライダ６７
に沿って移動させる駆動部４８が設けられている。

【００３０】図６は上記第２のスライダ４３の部分の拡
大斜視図、図７は本発明に係るレジスト液の供給機構の
構成図である。

【００３１】図６において第２のスライダ４３には、レ
ジスト液を吐出するノズル４６が取付部材５５によって
取り付けられており、図７に示すレジスト供給源５７か
らレジストを一時的に貯留し、ノズル４６へレジストを
供給する供給タンク５３が固設されている。この供給タ
ンク５３とレジスト供給源５７との間、及び供給タンク
５３とノズル４６との間にはそれぞれレジスト液の供給
管５６ａ及び５６ｂが設けられており、供給管５６ｂに
は供給タンク５３からノズルへのレジスト液の連通と遮
断を切り換える第１のバルブ５２が接続され、また、供
給管５６ａにはレジスト供給源５７から供給タンク５３
へのレジスト液の連通と遮断を切り換える第２のバルブ
５４が接続されている。なお、レジスト供給源５７は図
１に示す薬液供給部３４に配備されている。

【００３２】供給タンク５３内部には、リニアアクチュ
エータ５１により作動量が制御されるベローズポンプ５
９が設けられており、このベローズポンプ５９の作動に
よりノズル４６へレジスト液が供給されるようになって
いる。リニアアクチュエータ５１は例えばソレノイド機
構を使用したものであり、このリニアアクチュエータ５
１の作動は制御部６０によって制御される。またこの制
御部６０は上記各バルブ５４及び５２の液連通をも制御
する。

【００３３】次に、以上説明した塗布・現像システム１
００の一連の処理工程を説明する。

【００３４】図１を参照して、カセットＣ内の基板Ｇが
処理部２に搬送され、処理部２では、まず、前段部２ａ
の紫外線照射／冷却ユニット２５の紫外線照射装置（Ｕ
Ｖ）で表面改質・洗浄処理が行われ、その後そのユニッ
トの冷却装置（ＣＯＬ）で冷却された後、洗浄ユニット
（ＳＣＲ）２１ａ，２１ｂでスクラバー洗浄が施され、
前段部２ａに配置された加熱処理装置（ＨＰ）の一つで
加熱乾燥された後、冷却ユニット２７のいずれかの冷却
装置（ＣＯＬ）で冷却される。

【００３５】続いてガラス基板Ｇは中段部２ｂに搬送さ
れ、レジストの定着性を高めるために、ユニット３０の
上段のアドヒージョン処理装置（ＡＤ）にて疎水化処理
（ＨＭＤＳ処理）され、下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷
却後、塗布系処理ユニット群５０に搬入される。

【００３６】そしてこの塗布系処理ユニット群５０で
は、まず、レジスト塗布装置（ＣＴ）２２において、基
板吸着テーブル５８がカップ７１ａの開口部７１ｃより
上方に上昇している状態で、主搬送装置１８によりこの
基板吸着テーブル５８上にガラス基板Ｇが移載され、真
空吸着保持される。次に、昇降シリンダ７３の駆動によ
り基板吸着テーブル５８が下降され、ガラス基板Ｇが開
口部７１ｃを通過してカップ７１ａ内に搬入される。

【００３７】ガラス基板Ｇがカップ７１ａ内に搬入され
ている間に、図７に示す制御部６０の命令によって第２
のバルブ５４が開いて第１のバルブ５２が閉じ、続いて
リニアアクチュエータ５１が駆動してレジスト供給源５
７から所定量のレジスト液が供給タンク５３に供給さ
れ、一時的にこの供給タンク５３にレジスト液が貯留さ
れる状態となる。ここで所定量のレジスト液とは、例え
ばガラス基板１枚分の供給量、すなわち後述するように
スキャン塗布におけるワンショット分の供給量である。

【００３８】続いて図８(ａ)に示すようにスキャン機構
によりノズル４６がガラス基板Ｇ角の外側の所定位置に
移動する。この間に第２のバルブ５４を閉じ第１のバル
ブ５２を開いて、ノズル４６は、例えば基板Ｇの一長辺
Ｇ２に沿ってレジスト液を吐出しながら辺Ｇ３に向かっ
て移動する。辺Ｇ３の外側まで達するとノズル４６は辺
Ｇ４に向かって僅かにＹ方向に移動してすぐに向きを変
え辺Ｇ１に向かってＸ方向に移動しながら図８(ｂ)に示
すようにレジスト液を吐出していく。このような動作を
繰り返す塗布方法（スキャン塗布）によりレジスト液を
ガラス基板Ｇ上全面に供給する。

【００３９】このようなスキャン塗布の際、ノズル４６
はＸＹ方向に移動し揺さ振られるわけであるが、レジス
ト液が供給タンク５３に一旦貯留され、この貯留された
供給タンク５３とノズル４６が第２のスライダ４３によ
り一体的に移動するため、従来のような供給配管が屈曲
して配管内の圧力が変動するという不具合は生じず、常
に所望の圧力でレジスト液を供給することができる。従
って、基板上の位置によって供給量がばらつくことはな
く供給ムラを防止することができる。

【００４０】また、上述したように供給タンク５３に一
時的に貯留されるレジスト液の供給量はワンショット分
とすることで、供給タンク５３の許容量を少なくして、
その重量を軽減させることにより、第２のスライダ４３
の動作、すなわちノズル４６の移動動作のレスポンスを
向上させることができる。

【００４１】このレジスト塗布装置（ＣＴ）２２による
レジスト塗布が終了すると、基板Ｇは、減圧乾燥装置
（ＶＤ）４０により基板上のレジストを乾燥し、次いで
エッジリムーバ（ＥＲ）２３において基板Ｇの四辺のエ
ッジに付着した余分なレジストを取り除く。

【００４２】その後、中段部２ｂに配置された加熱処理
装置（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、ユニット２
９または３０の下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷却され、
中継部１６から主搬送装置１９によりインターフェイス
部３を介して図示しない露光装置に搬送されてそこで所
定のパターンが露光される。そして、基板Ｇは再びイン
ターフェイス部３を介して搬入され、必要に応じて後段
部２ｃのいずれかの加熱処理装置（ＨＰ）でポストエク
スポージャベーク処理を行った後、現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかで現像処
理される。

【００４３】現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４
ｂ，２４ｃのいずれかで現像処理が行われた後、処理さ
れた基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置
（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、冷却装置
（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１９，１８，１７
及び搬送機構１０によってカセットステーション１上の
所定のカセットに収容される。

【００４４】図９は本発明の他の実施形態によるレジス
ト液供給装置の構成図である。なお、本実施形態におい
て、上記第１の実施形態と同一の構成要素については同
一の符号を付すものとし、その説明を省略する。

【００４５】本実施形態では、供給タンク８０には平地
面に対して図示のように斜めに配設されたベローズポン
プ５９が設けられており、このベローズポンプ５９には
真空吸引により、ポンプ内のエアを除去するエア除去装
置８１が接続されている。このようにベローズポンプ５
９を斜めに配設することによりエアの収集を容易にして
いる。またこのようなエア除去装置８１によって基板に
対するレジスト液供給時以外の時に、ベローズポンプ５
９内に発生したエアを適宜除去し、ポンプ５９による基
盤に対するレジスト液の供給効率を向上させている。

【００４６】また、本実施形態ではノズル８３はレジス
ト液を吐出する吐出孔が複数、例えば１列に２０個形成
された複数孔ノズルを使用している。このノズル８３は
第２のスライダ４３に固定されている。更にこのノズル
８３のすぐ上流側には、供給管５６ｂ内のレジスト液
圧、すなわちノズル８３から供給されるレジスト液の供
給圧力を計測するセンサ８２が設けられており、制御部
６０は、このセンサ８２による計測結果に基づいてベロ
ーズポンプ５９に接続されたリニアアクチュエータ５１
の駆動量をフィードバック方式で制御するようになって
いる。このようなセンサ８２を用いた制御により供給圧
力を所定の圧力にでき、更に高精度な圧力管理が行え
る。

【００４７】次に本実施形態によるレジスト供給装置の
作用について説明する。

【００４８】本実施形態では、上記第１の実施形態と同
様に図５に示すカップ７１ａ内にガラス基板Ｇが搬入さ
れている間に、図７に示す制御部６０の命令によって第
２のバルブ５４が開いて第１のバルブ５２が閉じ、続い
てリニアアクチュエータ５１が駆動してレジスト供給源
５７から所定量のレジスト液が供給タンク５３に供給さ
れ、一時的にこの供給タンク８０にレジスト液が貯留さ
れる状態となる。ここで所定量のレジスト液とは、例え
ばガラス基板１枚分の供給量、すなわちスキャン塗布に
おけるワンショット分の供給量である。

【００４９】続いて図１０(ａ)に示すようにスキャン機
構によりノズル８３がガラス基板Ｇ角の外側の所定位置
に移動する。この間に第２のバルブ５４を閉じ第１のバ
ルブ５２を開いて、ノズル８３は、例えば基板Ｇの一長
辺Ｇ２に沿って、複数の吐出孔からレジスト液を吐出し
ながら辺Ｇ３に向かって移動する。辺Ｇ３の外側まで達
するとノズル４６は辺Ｇ４に向かって僅かにＹ方向に移
動してすぐに向きを変え、辺Ｇ１に向かってＸ方向に移
動しながら図１０(ｂ)に示すようにレジスト液を吐出し
ていく。このようなスキャン塗布により基板全面にレジ
スト液を供給する。このような複数孔のノズル８３を使
用したスキャン塗布による基板１枚分の塗布時間は、上
記第１の実施形態における基板１枚分の塗布時間よりも
短く、従ってタクトを短縮することができる。

【００５０】また、ノズル８３と供給タンク８０とが一
体的に移動するので、常に所望の圧力でレジスト液を供
給することができ、従って、基板上の位置によって供給
量がばらつくことはなく供給ムラを防止することができ
る。

【００５１】なお、本発明は以上説明した実施形態には
限定されない。

【００５２】上記各実施形態では、基板Ｇ上全面に所定
の一定の圧力でレジスト液を供給したが、例えば表面張
力によるガラス基板周縁におけるレジスト膜の盛り上が
りを防止するために、基板上の領域に応じてノズルから
の供給圧力を変化させて、例えば基板周縁におけるレジ
ストの供給量を他の領域に比べて少なくなるように制御
してもよい。

【００５３】また、上記各実施形態における供給タンク
５３又は８０に貯留されるレジスト液の容量をワンショ
ット分としたが、これに代えて、ツーショットあるいは
それ以上、すなわちガラス基板２枚分以上の容量として
もよい。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ノズルから供給される液の供給圧力が変動することな
く、所定の圧力で液を供給でき、供給ムラを防止するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処
理システムを示す平面図である。

【図２】図１に示すレジスト塗布装置（ＣＴ）、減圧乾
燥装置（ＶＤ）、及びエッジリムーバ（ＥＲ）からなる
塗布系処理ユニット群の概略平面図である。

【図３】図２に示す塗布系処理ユニット群の側面図であ
る。

【図４】図３に示す本発明の一実施形態であるレジスト
塗布装置（ＣＴ）の構成を示す一部断面図である。

【図５】図４に示すレジスト塗布装置（ＣＴ）の平面図
である。

【図６】図５における第２のスライダの部分を示す拡大
斜視図である。

【図７】本発明の一実施形態であるレジスト液の供給機
構を示す図である。

【図８】本発明の一実施形態による基板に対するレジス
ト液の供給工程を示す平面図である。

【図９】本発明の他の実施形態によるレジスト液の供給
機構を示す図である。

【図１０】本発明の他の実施形態による基板に対するレ
ジスト液の供給工程を示す平面図である。

【符号の説明】

Ｇ…ガラス基板 ２２…レジスト塗布装置（ＣＴ） ４３…第２のスライダ ４６…ノズル ４８…駆動部 ５１…リニアアクチュエータ ５２…第１のバルブ ５３…供給タンク ５４…第２のバルブ ５６ａ…供給管 ５６ｂ…供給管 ５７…レジスト供給源 ５９…ベローズポンプ ６０…制御部 ６６…搬送レール ６７…第１のスライダ ７４…制御部 ８０…供給タンク ８１…エア除去装置 ８２…センサ ８３…ノズル １００…塗布・現像処理システム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０５Ｄ 1/26 Ｂ０５Ｄ 3/00 Ｂ ４Ｆ０４２ 3/00 Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０２ ５Ｆ０４６ Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０２ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｚ (72)発明者 三浦 雄一郎 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４ 東京エレクトロン九州株式会社 大津事業所内 (72)発明者 岩崎 吉彦 熊本県菊池郡大津町大字高尾野字平成272 番地の４ 東京エレクトロン九州株式会社 大津事業所内 Ｆターム(参考） 2H025 AB20 EA05 4D075 AC08 AC09 AC73 AC84 AC88 AC95 CA47 DA06 DB13 DC24 EA45 4F033 AA01 BA03 CA04 DA05 EA01 GA00 4F035 AA04 CA01 CA05 CC01 CD05 CD11 CD16 CD18 CD19 4F041 AA05 AB02 BA04 BA13 BA22 BA32 BA35 4F042 AA02 AA10 BA06 BA12 CA01 CA07 CA09 CB03 CB08 CB10 CB11 5F046 JA03 JA27

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に液を吐出するノズルと、 前記ノズルに液を供給する供給タンクと、 前記ノズルと前記供給タンクとを一体的に基板上を走査
   させる駆動部と、 を具備することを特徴とする液供給装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の液供給装置において、 前記供給タンクは前記ノズルへの供給圧力を制御するこ
   とを特徴とする液供給装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の液供給装
   置において、 前記ノズル及び前記供給タンクと一体的に設けられ、前
   記ノズルへの液の連通／遮断を切換える第１の切換え手
   段を更に具備することを特徴とする液供給装置。
4. 【請求項４】 請求項１から請求項３のうちいずれか１
   項に記載の液供給装置において、 前記駆動部は前記ノズルを基板の縦横方向に走査させる
   ことを特徴とする液供給装置。
5. 【請求項５】 請求項１から請求項４のうちいずれか１
   項に記載の液供給装置において、 前記供給タンクに液を供給する液供給源を更に具備する
   ことを特徴とする液供給装置。
6. 【請求項６】 請求項５に記載の液供給装置において、 前記供給タンクと前記液供給源との間に設けられ、前記
   供給タンクへの液の連通／遮断を切換える第２の切換え
   手段を更に具備し、前記の第１の切換え手段が遮断した
   ときに、前記第２の切換え手段を連通させ、前記第１の
   切換え手段が連通したときに、前記第２の切換え手段を
   遮断させることを特徴とする液供給装置。
7. 【請求項７】 請求項２から請求項６のうちいずれか１
   項に記載の液供給装置において、 前記ノズルと前記供給タンクとの間に設けられ、前記ノ
   ズルへの供給圧力を計測するセンサを更に具備すること
   を特徴とする液供給装置。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の液供給装置において、 前記センサによる計測結果に基づいて前記供給タンクの
   供給圧力を制御する制御部を更に具備することを特徴と
   する液供給装置。
9. 【請求項９】 請求項７又は請求項８に記載の液供給装
   置において、 前記供給タンクはソレノイドを使用したリニアアクチュ
   エータの駆動により供給圧力を制御することを特徴とす
   る液供給装置。
10. 【請求項１０】 請求項１から請求項９のうちいずれか
    １項に記載の液供給装置において、 前記供給タンクに収容される液量は、基板１枚分に供給
    される量であることを特徴とする液供給装置。
11. 【請求項１１】 請求項１から請求項１０のうちいずれ
    か１項に記載の液供給装置において、 前記供給タンク内のエアを除去する手段を更に具備する
    ことを特徴とする液供給装置。
12. 【請求項１２】 請求項１１に記載の液供給装置におい
    て、 前記供給タンクを斜めに配設し、前記エアの除去を容易
    に行えるようにしたことを特徴とする液供給装置。
13. 【請求項１３】 請求項２から請求項１２のうちいずれ
    か１項に記載の液供給装置において、 基板表面の領域に応じて前記供給圧力を制御する手段を
    更に具備することを特徴とする液供給装置。
14. 【請求項１４】 液供給源と基板上に液を吐出するノズ
    ルとの間に設けられた供給タンクに前記液供給源からの
    液を一時的に貯留する工程と、 前記供給タンクから前記ノズルへ前記貯留した液を供給
    する工程と、 前記供給タンクと前記ノズルとを一体的に基板上を走査
    させながら前記ノズルから液を吐出させる工程と、 を具備することを特徴とする液供給方法。
15. 【請求項１５】 請求項１４に記載の液供給方法におい
    て、 前記タンクから前記ノズルへ液を供給する工程は、 前記ノズルと前記供給タンクとの間に設けられた液の圧
    力を計測するセンサの計測結果に基づいて、前記供給圧
    力を制御する工程を含むことを特徴とする液供給方法。