JP3673724B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばレジストが塗布された直後の半導体ウエハを加熱処理する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造におけるフォトレジスト処理工程においては、例えば半導体ウエハ(以下、「ウエハ」という。)等の基板に対してレジストを塗布し、所定のパターンを露光した後に、このウエハに対して現像液を供給して現像処理している。
【0003】
これらの処理は、例えば露光装置に対してレジスト塗布と現像処理を行う塗布現像処理装置を接続したシステムによって行われている。かかる塗布現像処理装置には、ウエハの塗布現像処理に必要な一連の処理、例えばレジストの定着性を向上させるための疎水化処理(アドヒージョン処理)、レジストを塗布するレジスト塗布処理、レジスト塗布後のウエハを加熱してレジストを乾燥硬化させる加熱処理、露光後のウエハを所定の温度で加熱するための加熱処理、露光後のウエハに対して現像処理を施す現像処理等の各処理を個別に行う処理ユニットが備えられ、ウエハ搬送装置によってこれら処理ユニット間でのウエハの受け渡しが行われるようになっている。
【0004】
ところで、上述したウエハ上に塗布された直後の例えば化学増幅型レジストには、溶剤である例えばシンナーや光化学反応により触媒作用のある酸発生剤、溶解阻止剤であるクエンチャー、ポリマー鎖保護基等が含まれており、レジスト塗布後の加熱処理工程においては、これらのうち特にシンナーを揮発させてレジストを硬化する必要がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、通常の加熱処理工程では、高温でウエハを処理するために、ポリマー鎖保護基が破壊されたり、酸発生剤がレジスト内に均一に分散されなかったり、更にクエンチャーがレジストの表面に均一に形成されない場合がある。
【0006】
一方、最近の回路パターンの微細化に伴い露光の光源として例えばF2レーザー光源程度の非常に短波長の例えば157nmのものが使われる傾向にある。このような短波長の光源では、露光の際に空気中にO2やO3、有機物、H2O等が含まれていると、光がこれらの物質によって吸収され、光源からレジストに届く光量が異常に低下する。ところが、上述した加熱処理後においては、レジストの表面にO2やO3等が付着する傾向が強く、そのため露光工程でこれらの物質によって露光不良を生じるおそれがある。
【0007】
上記事情に鑑みて、本発明は、ポリマー鎖保護基が破壊されることなく、酸発生剤がレジスト内に均一に分散され、或いは溶解阻止剤がレジストの表面に均一に形成されるように基板を熱処理することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【0008】
本発明の別の目的は、加熱処理後にレジストの表面にO2やO3等が付着することがない基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を達成するため、本発明の第1の観点に係る基板処理装置は、少なくとも酸発生剤、溶解阻止剤及びポリマー鎖保護基のうち1つの物質並びに溶剤を含有するレジストが塗布された基板を加熱処理する基板処理装置において、密閉することが可能な空間を有する処理室と、前記空間内に配置され、前記レジストが塗布された基板が載置されるプレートと、前記密閉された空間内を減圧する減圧部と、前記レジストに含有する溶剤が揮発し、且つ、前記物質がレジスト内に実質的に残存する程度の圧力となるように、前記減圧部を制御する制御部と、前記空間内に配置され、前記基板を冷却処理する冷却部とを具備する。
【0011】
本発明の第2の観点に係る基板処理方法は、少なくとも酸発生剤、溶解阻止剤及びポリマー鎖保護基のうち1つの物質並びに溶剤を含有するレジストが塗布された基板を加熱処理する方法において、(a)前記レジストに含有する溶剤が揮発し、且つ、前記物質がレジスト内に実質的に残存する程度の減圧下及び温度で、前記基板を処理する工程と、(b)基板を処理する空間を第1の不活性ガスでパージする工程と、(c)前記処理された基板を冷却処理する工程とを具備する。
【0012】
本発明では、例えば基板の加熱処理を、レジストに含有する溶剤が揮発し、且つ、酸発生剤や溶解阻止剤、ポリマー鎖保護基がレジスト内に実質的に残存する程度の減圧下及び温度で行っているので、酸発生剤がレジスト内に均一に分散され、或いは溶解阻止剤がレジストの表面に均一に形成されるように基板を熱処理することができる。
【0013】
本発明のこれらの目的とそれ以外の目的と利益とは、以下の説明と添付図面とによって容易に確認することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【0015】
図1〜図3は本発明の実施形態に係る半導体ウエハ(以下、「ウエハ」という)の塗布現像処理システム1の全体構成の図であって、図1は平面、図2は正面、図3は背面を夫々示している。
【0016】
この塗布現像処理システム1は、ウエハWをウエハカセットCRで複数枚、例えば25枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、ウエハカセットCRに対してウエハWを搬入・搬出したりするためのカセットステーション10と、塗布現像工程の中で1枚ずつウエハWに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション11と、この処理ステーション11に隣接して設けられる露光装置(図示せず)との間でウエハWを受け渡しするためのインターフェース部12とを一体に接続した構成を有している。
【0017】
前記カセットステーション10では、図1に示すように、カセット載置台20上の位置決め突起20aの位置に、複数個例えば4個までのウエハカセットCRが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション11側に向けてX方向(図1中の上下方向)一列に載置され、このカセット配列方向(X方向)及びウエハカセッ卜CR内に収納されたウエハのウエハ配列方向(Z方向;垂直方向)に移動可能なウエハ搬送体21が各ウエハカセットCRに選択的にアクセスするようになっている。
【0018】
さらにこのウエハ搬送体21は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するように処理ステーション11側の第3の処理ユニット群G3 の多段ユニット部に属するアライメントユニット(ALIM)およびイクステンションユニット(EXT)にもアクセスできるようになっている。
【0019】
前記処理ステーション11には、図1に示すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエハ搬送機構22が設けられ、その周りに全ての処理ユニットが1組または複数の組に亙って多段に配置されている。
【0020】
主ウエハ搬送機構22は、図3に示すように、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持体49はモータ(図示せず)の回転軸に接続されており、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬送装置46と一体に回転し、それによりこのウエハ搬送装置46は、θ方向に回転自在となっている。なお筒状支持体49は前記モータによって回転される別の回転軸(図示せず)に接続するように構成してもよい。
【0021】
ウエハ搬送装置46は、搬送基台47の前後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これらの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハWの受け渡しを実現している。
【0022】
また、この例では、5つの処理ユニット群G1 、G2 、G3 、G4 、G5 が配置可能な構成であり、第1および第2の処理ユニット群G1 、G2 の多段ユニットは、システム正面(図1において手前)側に配置され、第3の処理ユニット群G3 の多段ユニットはカセットステーション10に隣接して配置され、第4の処理ユニット群G4 の多段ユニットはインターフェース部12に隣接して配置され、第5の処理ユニット群G5 の多段ユニットは背面側に配置されることが可能である。
【0023】
図2に示すように、第1の処理ユニット群G1 では、カップCP内でウエハWをスピンチャックに載せて所定の処理を行う2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。第2の処理ユニット群G2 でも、2台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。これらレジスト塗布ユニット(COT)は、レジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、このように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に配置することももちろん可能である。
【0024】
図3に示すように、第3の処理ユニット群G3 では、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行うクーリングユニット(COL)、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒージョンユニット(AD)、位置合わせを行うアライメントユニット(ALIM)、イクステンションユニット(EXT)、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニット(PREBAKE)および露光処理後の加熱処理を行うポストベーキングユニット(POBAKE)が、下から順に例えば8段に重ねられている。第4の処理ユニット群G4 でも、オーブン型の処理ユニット、例えばクーリングユニット(COL)、イクステンション・クーリングユニット(EXTCOL)、イクステンションユニット(EXT)、クーリングユニッ卜(COL)、プリベーキングユニット(PREBAKE)およびポストベーキングユニット(POBAKE)が下から順に、例えば8段に重ねられている。
【0025】
このように処理温度の低いクーリングユニット(COL)、イクステンション・クーリングユニット(EXTCOL)を下段に配置し、それらよりも処理温度の高いベーキングユニット(PREBAKE)、ポストベーキングユニット(POBAKE)およびアドヒージョンユニット(AD)を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ランダムな多段配置としてもよい。
【0026】
前記インターフェース部12は、奥行方向(X方向)については、前記処理ステーション11と同じ寸法を有するが、幅方向についてはより小さなサイズに設定されている。そしてこのインターフェース部12の正面部には、可搬性のピックアップカセットCRと、定置型のバッファカセットBRが2段に配置され、他方背面部には周辺露光装置23が配設され、さらにまた中央部にはウエハ搬送体24が設けられている。このウエハ搬送体24は、X方向、Z方向に移動して両カセットCR、BRおよび周辺露光装置23にアクセスするようになつている。前記ウエハ搬送体24は、θ方向にも回転自在となるように構成されており、前記処理ステーション11側の第4の処理ユニット群G4 の多段ユニットに属するイクステンションユニット(EXT)や、さらには隣接する露光装置側のウエハ受渡し台(図示せず)にもアクセスできるようになっている。
【0027】
また前記塗布現像処理システム1では、既述の如く主ウエハ搬送機構22の背面側にも破線で示した第5の処理ユニット群G5 の多段ユニットが配置できるようになっているが、この第5の処理ユニット群G5 の多段ユニットは、案内レール25に沿って主ウエハ搬送機構22からみて、側方へシフトできるように構成されている。従って、この第5の処理ユニット群G5 の多段ユニットを図示の如く設けた場合でも、前記案内レール25に沿ってスライドすることにより、空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構22に対して背後からメンテナンス作業が容易に行えるようになっている。なお第5の処理ユニット群G5 の多段ユニッ卜は、そのように案内レール25に沿った直線状のスライドシフトに限らず、図1中の一点鎖線の往復回動矢印で示したように、システム外方へと回動シフトさせるように構成しても、主ウエハ搬送機構22に対するメンテナンス作業のスペース確保が容易である。
【0028】
次に、本実施形態におけるプリベーキングユニット(PREBAKE)について説明する。図4は、プリベーキングユニット(PREBAKE)の全体構成を示す略断面図である。
【0029】
本体51は、加熱処理部52と冷却処理部53とに2分されている。本体51上には、昇降機構54によって昇降駆動される蓋体55が配置され、蓋体55が下降して本体51上を蓋体55が覆うことでウエハWを処理するための密閉空間56が形成される。次に、処理室内を減圧できるようになっている。このように加熱処理部52と冷却処理部53とを同一の密閉空間56に設けることによって加熱処理から冷却処理を減圧下において連続的に行うことができ、加熱処理後にレジストの表面にO2やO3等が付着することがなくなる。
【0030】
加熱処理部52では、本体51上に熱板57が配置されている。熱板57には例えばヒータ58が埋め込まれている。また、熱板57の表面から出没可能に例えば3本の支持ピン59が設けられている。更に、熱板57の表面には加熱処理の際にウエハWを所定量浮かせて保持/支持するプロキシミティーピン60が配置されている。また、熱板57の表面には、例えばヘリウムガスタンク62に接続され、ヘリウムガスを噴出するための噴出孔61が設けられており、これら噴出孔61から熱板57とウエハWとの隙間にヘリウムガスが噴出されるようになっている。
このようにヘリウムガスを噴出することで減圧下においても熱伝導性がよくなり、熱処理を効率良く行うことが可能となる。
【0031】
また、冷却処理部53には、ペルチェ素子等の冷却素子等が埋め込まれた冷却板63が配置されている。この冷却板63は移送機構64によって加熱処理部52まで移動可能になっており、この冷却板63自体が加熱処理部52の支持ピン59により支持されたウエハWの受け渡しを行えるようになっている。なお、冷却板63にも上述した熱板57と同様のヘリウムガス噴出用の噴出孔を設けてもよい。
【0032】
また蓋体55には排気口65が設けられ、この排気口65には圧力調整用のバルブ66を介して真空ポンプ67が接続されている。このように圧力調整用のバルブ66を介在させることによって減圧を徐々に、例えば10Torr/秒〜300Torr/秒、更に好ましくは90Torr/秒〜110Torr/秒程度で行うことが可能となる。即ち、直接真空ポンプで減圧すると圧力が急激に低下し、レジストが突沸してその表面が粗くなるからである。また、蓋体55には、パージ用の不活性ガスである例えば窒素ガスを噴出するための噴出孔68が設けられている。この噴出孔68には、バルブ69を介して窒素ガスタンク70に接続されている。そして、加熱処理の後に窒素ガスでパージすることによってその後の冷却の際にレジストの表面にO2やO3等が付着することがなくなる。
【0033】
制御部71は、真空度計72及び温度計73による計測結果等に基づき、ヒータ58や冷却素子のオン・オフ、バルブ66、69の開閉、その他各部の駆動等を制御する。制御部71は、例えば加熱処理時にはウエハWに塗布されたレジストに含有するシンナーが揮発し、且つ、酸発生剤、クエンチャー及びポリマー鎖保護基がレジスト内に実質的に残存する程度の圧力及び温度となるように、熱板57の温度及び密閉空間56内の真空度を制御する。具体的は、例えば熱板57の温度が40℃〜50℃程度、密閉空間56内の真空度が5Torr程度となるように、熱板57の温度及び密閉空間56内の真空度を制御する。このように温度及び圧力を制御することによって、レジスト内に含有するポリマー鎖保護基が破壊されることなく、酸発生剤がレジスト内に均一に分散され、或いはクエンチャーがレジストの表面に均一に形成されるようにウエハWを加熱処理することができる。
【0034】
次に、このように構成されたプリベーキングユニット(PREBAKE)の動作を説明する。
【0035】
図5(a)に示すように、蓋体55が上昇し、支持ピン59が熱板57から突出した状態で、主ウエハ搬送機構22よりレジストが塗布された直後のウエハWが支持ピン59上に受け渡される。
【0036】
次に、図5(b)に示すように、蓋体55が下降して密閉空間56を形成し、真空ポンプ67によって密閉空間56内が徐々に減圧される。
【0037】
次に、図5(c)に示すように、支持ピン59が下降して熱板57上にウエハWが載置され、加熱処理が開始される。
【0038】
加熱処理が終了すると、噴出孔68から窒素ガスを噴出して密閉空間56内を窒素ガスでパージすると共に、支持ピン59を上昇する。
【0039】
次に、図5(d)に示すように、冷却板63が支持ピン59よりウエハWを受け取り、冷却処理が行われる。冷却処理は例えば25℃以下の温度で行われる。
【0040】
冷却処理が完了すると、ウエハWは冷却板63から支持ピン59を介して主ウエハ搬送機構22に受け渡され、その後露光装置に搬送されて露光処理が行われ、更にその後現像処理が行われる。
【0041】
次に、本発明の他の実施形態に係る基板処理装置について説明する。
【0042】
図6に示すように、本体81は、冷却処理部82だけを有する。本体81上には、昇降機構84によって昇降駆動される蓋体85が配置され、蓋体85が下降して本体81上を蓋体85が覆うことでウエハWを処理するための密閉空間86が形成されるようになっている。
【0043】
本体81上に例えばペルチェ素子等の冷却素子等が埋め込まれた冷却板87が配置されている。また、冷却板87の表面から出没可能に例えば3本の支持ピン88が設けられている。支持ピン88は図示を省略した昇降機構により昇降されるようになっている。
【0044】
また蓋体85には排気口89が設けられ、この排気口89には圧力調整用のバルブ90を介して真空ポンプ91が接続されている。
【0045】
制御部92は、冷却素子のオン・オフやバルブ90の開閉、その他各部の駆動等を制御する。制御部92は、例えば処理時にはウエハWに塗布されたレジストに含有するシンナーが揮発し、且つ、酸発生剤、クエンチャー及びポリマー鎖保護基がレジスト内に実質的に残存する程度の圧力及び温度となるように、冷却板87の温度及び密閉空間86内の真空度を制御する。具体的は、例えば冷却板87の温度が23℃程度、密閉空間86内の真空度が2Torr程度となるように、或いは冷却板87の温度が15℃程度、密閉空間86内の真空度が1Torr程度となるように、冷却板87の温度及び密閉空間86内の真空度を制御する。このように温度及び圧力を制御することによって、加熱処理をすることなく、レジストを硬化させることができる。よって、レジスト内に含有するポリマー鎖保護基が破壊されることなく、酸発生剤がレジスト内に均一に分散され、或いはクエンチャーがレジストの表面に均一に形成されるようにウエハWを処理することができる。また、本実施形態では、特に、その後の冷却処理は不要となる。
【0046】
次に、本発明の更に別の実施形態に係る基板処理装置について説明する。
【0047】
図7に示すように、この基板処理装置は、図6の示した基板処理装置に対面部材93を更に設けたものである。この対面部材93は、熱伝導率の低い材料、例えば高密度ポリエチレンやクリスタル等からなり、冷却板87に載置されたウエハWと対面するように配置されている。また、蓋体85には、対面部材93を支持ピン88の昇降と同期して昇降させる昇降機構94が設けられている。そして、支持ピン88の下降と共に対面部材93も下降し、対面部材93は冷却板87に載置されたウエハWと例えば1mm程度に近接するようになっている。
【0048】
このように処理時に熱伝送率の低い材料からなる対面部材93をウエハWに近接させることによって、処理時のウエハWの温度分布を均一化することができ、酸発生剤がレジスト内に均一に分散され、或いはクエンチャーがレジストの表面に均一に形成されるようにウエハWを処理することができる。
【0049】
次に、本発明のまた別の実施形態に係る基板処理装置について説明する。
【0050】
図8に示すように、本体101上には、昇降機構102によって昇降駆動される蓋体103が配置され、蓋体103が下降して本体101上を蓋体103が覆うことでウエハWを処理するための密閉空間104が形成されるようになっている。
【0051】
本体101上には、温調が行われないプレート105が配置されている。また、プレート105の表面から出没可能に例えば3本の支持ピン106が設けられている。支持ピン106は図示を省略した昇降機構により昇降されるようになっている。
【0052】
また蓋体103の上部には排気口107が設けられ、この排気口107には圧力調整用のバルブ108を介して真空ポンプ109が接続されている。また、蓋体103の側部には、ガス導入孔110が設けられ、このガス導入孔110には、温調機構111及びガス導入量調整用のバルブ112を介してヘリウムガスボンベ113が接続されている。
【0053】
制御部114は、バルブ108、112の開閉や温調機構111の温度管理、その他各部の駆動等を制御する。そして、制御部114は、例えば処理時にはウエハWに塗布されたレジストに含有するシンナーが揮発し、且つ、酸発生剤、クエンチャー及びポリマー鎖保護基がレジスト内に実質的に残存する程度の圧力及び温度となるように、ガス導入孔110から導入されるヘリウムガスの温度や量、更に及び密閉空間104内の真空度を制御するものである。
【0054】
なお、上記実施形態では、本発明をレジストが塗布された半導体ウエハを熱処理する装置に適用したものについて説明したが、半導体ウエハ以外の基板、例えばLCD基板を熱処理する装置にも本発明は適用できる。
【0055】
以上説明した実施形態は、あくまでも本発明の技術的内容を明らかにする意図のものにおいて、本発明はそうした具体例にのみ限定して狭義に解釈されるものではなく、本発明の精神とクレームに述べる範囲で、いろいろと変更して実施することができるものである。
【0056】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ポリマー鎖保護基が破壊されることなく、酸発生剤がレジスト内に均一に分散され、或いは溶解阻止剤がレジストの表面に均一に形成されるように基板を熱処理することができる。また、加熱処理後にレジストの表面にO2やO3等が付着することはなくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。
【図2】図1に示した塗布現像処理システムの正面図である。
【図3】図1に示した塗布現像処理システムの背面図である。
【図4】一実施形態に係るプリベーキングユニットの全体構成を示す略断面図である。
【図5】図4に示したプリベーキングユニットの動作を説明するための図である。
【図6】他の実施形態に係るプリベーキングユニットの全体構成を示す略断面図である。
【図7】更に別の実施形態に係るプリベーキングユニットの全体構成を示す略断面図である。
【図8】また別の実施形態に係るプリベーキングユニットの全体構成を示す略断面図である。
【符号の説明】
PREBAKE…プリベーキングユニット
W…ウェハ
51、81、101…本体
52…加熱処理部
53、82…冷却処理部
55、85、103…蓋体
56、86、104…密閉空間
57…熱板
61…ヘリウムガスの噴出孔
63、87…冷却板
65、89、107…排気口
66、90、108…圧力調整用のバルブ
67、91、109…真空ポンプ
68…窒素ガスの噴出孔
71、92、114…制御部
93…対面部材
94、102…昇降機構
105…プレート
110…ガス導入孔
111…温調機構
112…ガス導入量調整用のバルブ
113…ヘリウムガスシリンダ
Claims (10)
- 少なくとも酸発生剤、溶解阻止剤及びポリマー鎖保護基のうち1つの物質並びに溶剤を含有するレジストが塗布された基板を加熱処理する基板処理装置において、
密閉することが可能な空間を有する処理室と、
前記空間内に配置され、前記レジストが塗布された基板が載置されるプレートと、
前記密閉された空間内を減圧する減圧部と、
前記レジストに含有する溶剤が揮発し、且つ、前記物質がレジスト内に実質的に残存する程度の圧力となるように、前記減圧部を制御する制御部と、
前記空間内に配置され、前記基板を冷却処理する冷却部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記プレートを加熱するヒータを更に有し、
前記制御部は、前記レジストに含有する溶剤が揮発し、且つ、前記物質がレジスト内に実質的に残存する程度の温度及び圧力となるように、前記減圧部及び前記ヒータを制御する、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 少なくとも酸発生剤、溶解阻止剤及びポリマー鎖保護基のうち1つの物質並びに溶剤を含有するレジストが塗布された基板を加熱処理する基板処理装置において、
密閉することが可能な空間を有する処理室と、
前記空間内に配置され、前記レジストが塗布された基板が載置されるプレートと、
前記密閉された空間内を減圧する減圧部と、
前記レジストに含有する溶剤が揮発し、且つ、前記物質がレジスト内に実質的に残存する程度の圧力となるように、前記減圧部を制御する制御部と、
前記密閉された空間を第1の不活性ガスでパージするパージ部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記第1の不活性ガスが、窒素ガスであることを特徴とする基板処理装置。 - 少なくとも酸発生剤、溶解阻止剤及びポリマー鎖保護基のうち1つの物質並びに溶剤を含有するレジストが塗布された基板を加熱処理する基板処理装置において、
密閉することが可能な空間を有する処理室と、
前記空間内に配置され、前記レジストが塗布された基板が載置されるプレートと、
前記密閉された空間内を減圧する減圧部と、
前記プレートを加熱するヒータと、
前記レジストに含有する溶剤が揮発し、且つ、前記物質がレジスト内に実質的に残存する程度の温度及び圧力となるように、前記減圧部及び前記ヒータを制御する制御部と、
前記密閉された空間に熱伝導用の第2の不活性ガスを流すガス流入機構と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項5に記載の基板処理装置であって、
前記第2の不活性ガスが、ヘリウムガスであることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項5に記載の基板処理装置であって、
前記プレート上で基板を浮かして保持/支持する部材を有し、
前記ガス流入機構は、前記第2の不活性ガスを前記熱板と基板との隙間に流すものである
ことを特徴とする基板処理装置。 - 少なくとも酸発生剤、溶解阻止剤及びポリマー鎖保護基のうち1つの物質並びに溶剤を含有するレジストが塗布された基板を加熱処理する基板処理装置において、
密閉することが可能な空間を有する処理室と、
前記空間内に配置され、前記レジストが塗布された基板が載置されるプレートと、
前記密閉された空間内を減圧する減圧部と、
前記密閉された空間に温調された第3の不活性ガスを流す温調ガス流入機構と、
前記レジストに含有する溶剤が揮発し、且つ、前記物質がレジスト内に実質的に残存する程度の温度及び圧力となるように、前記減圧部及び前記第3の不活性ガスの温度を制御する制御部と
を具備することを特徴とする基板処理装置。 - 少なくとも酸発生剤、溶解阻止剤及びポリマー鎖保護基のうち1つの物質並びに溶剤を含有するレジストが塗布された基板を加熱処理する方法において、
(a)前記レジストに含有する溶剤が揮発し、且つ、前記物質がレジスト内に実質的に残存する程度の減圧下及び温度で、前記基板を処理する工程と、
(b)基板を処理する空間を第1の不活性ガスでパージする工程と、
(c)前記処理された基板を冷却処理する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。 - 少なくとも酸発生剤、溶解阻止剤及びポリマー鎖保護基のうち1つの物質並びに溶剤を含有するレジストが塗布された基板を加熱処理する方法において、
(a)前記レジストに含有する溶剤が揮発し、且つ、前記物質がレジスト内に実質的に残存する程度の減圧下及び温度で、前記基板を処理する工程と、
(b)前記処理された基板を冷却処理する工程とを具備し、
前記工程(a)から前記工程(b)までの間、基板を処理する空間に熱伝導用の第2の不活性ガスを流すものであることを特徴とする基板処理方法。
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