JP7473407B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 Download PDF

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Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。
特許文献１には、円形の基板をその直交軸周りに回転させながら、当該基板の表面の塗布膜の周縁部に対して溶剤ノズルから溶剤を供給し、予め設定された幅寸法でリング状に塗布膜を除去する塗布膜除去工程と、基板の表面全体を撮像して塗布膜の状態を検査するための検査モジュールに当該基板を搬送する工程と、検査モジュールにより取得した画像データに基づいて塗布膜の除去領域を検出する工程と、検出結果に基づいて後続の基板の受け渡し位置を補正する工程と、を含む塗布膜除去方法が開示されている。
特開２０１４－９１１０５号公報
本開示は、基板に形成される被膜の除去幅の調整の迅速化に有効な基板処理装置を提供する。
本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板の表面に形成された被膜の周縁部分を除去する周縁除去部と、基板の周方向における位置と、基板において被膜が除去された部分の幅との関係を表す除去幅プロファイルを取得するプロファイル取得部と、除去幅プロファイルに基づいて、幅の誤差の要因を示す要因情報を出力する要因推定部と、を備える。
本開示によれば、基板に形成される被膜の除去幅の調整の迅速化に有効な基板処理装置を提供することができる。
基板処理システムの概略構成を例示する模式図である。 塗布ユニットの概略構成を例示する模式図である。 検査ユニットの概略構成を例示する模式図である。 制御部の機能的な構成を例示する模式図である。 制御部のハードウェア構成を例示する模式図である。 成膜制御手順を例示するフローチャートである。 除去プロファイルの取得手順を例示するフローチャートである。 要因情報の出力手順を例示するフローチャートである。
以下、実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
〔基板処理システム〕
基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板としては、半導体ウェハ、ガラス基板、マスク基板、又はＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。基板は、半導体ウェハ等の上に、前段の処理において被膜等が形成されたものも含む。
図１に示すように、基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。基板Ｗは、例えば円形であり、周方向における位置の基準となる位置指標（例えばノッチ）を周縁部に有する。具体的に、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、基板Ｗの表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
〔基板処理装置〕
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御部１００とを備える。
キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内への基板Ｗの導入及び塗布・現像装置２内からの基板Ｗの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、基板Ｗ用の複数のキャリアＣ（収容部）を支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚の基板Ｗを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリアＣから基板Ｗを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５から基板Ｗを受け取ってキャリアＣ内に戻す。
処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。処理モジュール１１は、複数の塗布ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットに基板Ｗを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。
処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により基板Ｗの表面上に下層膜を形成する。塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液を基板Ｗ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板により基板Ｗを加熱し、加熱後の基板Ｗを冷却板により冷却して熱処理を行う。
処理モジュール１２（成膜処理部）は、複数の塗布ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、複数の検査ユニットＵ３と、これらのユニットに基板Ｗを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布することで、基板Ｗの表面に被膜を形成する。以下、この被膜を「ベーク前レジスト膜」という。熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。これにより、ベーク前レジスト膜がレジスト膜となる。
塗布ユニットＵ１は、レジスト膜の少なくとも一部を除去するように構成されていてもよい。レジスト膜の少なくとも一部を除去することは、熱処理ユニットＵ２による熱処理に先立って、ベーク前レジスト膜の一部を除去することを含む。例えば、塗布ユニットＵ１は、基板Ｗの表面にベーク前レジスト膜を形成した後に、基板Ｗの周縁部に除去液を供給することで、ベーク前レジスト膜の周縁部分を除去する。
検査ユニットＵ３は、基板Ｗの表面Ｗａの状態を検査するための処理を行う。例えば、検査ユニットＵ３は、基板Ｗの表面Ｗａの状態を示す情報を取得する。表面Ｗａの状態を示す情報は、基板Ｗのうち、レジスト膜が除去された部分の幅（例えば基板Ｗの径方向における幅）の情報を含む。
処理モジュール１３は、複数の塗布ユニットＵ１と、複数の熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットに基板Ｗを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール１４は、複数の現像ユニットＵ４と、複数の熱処理ユニットＵ５と、これらのユニットに基板Ｗを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、現像ユニットＵ４及び熱処理ユニットＵ５により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。現像ユニットＵ４は、露光済みの基板Ｗの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ５は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）等が挙げられる。
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間で基板Ｗを昇降させる。
処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
インタフェースブロック６は、露光装置３との間で基板Ｗの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置された基板Ｗを露光装置３に渡し、露光装置３から基板Ｗを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
制御部１００は、塗布・現像装置２に含まれる各要素を制御する。以下、一枚の基板Ｗに対して制御部１００が実行する一連の制御手順を例示する。例えば制御部１００は、まずキャリアＣ内の基板Ｗを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、この基板Ｗを処理モジュール１１用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０の基板Ｗを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御部１００は、この基板Ｗの表面上に下層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、下層膜が形成された基板Ｗを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、この基板Ｗを処理モジュール１２用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０の基板Ｗを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。また、制御部１００は、この基板Ｗの下層膜上にレジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。例えば、制御部１００は、基板Ｗの下層膜上に上記ベーク前レジスト膜を形成し、ベーク前レジスト膜の周縁部分を除去するように塗布ユニットＵ１を制御し、ベーク前レジスト膜をレジスト膜とするための熱処理を基板Ｗに施すように熱処理ユニットＵ２を制御する。
更に、制御部１００は、基板Ｗを検査ユニットＵ３に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、当該基板Ｗの表面の状態を示す情報を検査ユニットＵ３から取得する。その後制御部１００は、基板Ｗを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、この基板Ｗを処理モジュール１３用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０の基板Ｗを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送アームＡ３を制御し、この基板Ｗのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、基板Ｗを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。
次に制御部１００は、棚ユニットＵ１１の基板Ｗを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後制御部１００は、露光処理が施された基板Ｗを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように受け渡しアームＡ８を制御する。
次に制御部１００は、棚ユニットＵ１１の基板Ｗを処理モジュール１４内の現像ユニットＵ４及び熱処理ユニットＵ５に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、この基板Ｗのレジスト膜に現像処理を施すように現像ユニットＵ４及び熱処理ユニットＵ５を制御する。その後制御部１００は、基板Ｗを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、この基板ＷをキャリアＣ内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で１枚の基板Ｗに対する一連の制御手順が完了する。
〔塗布ユニット〕
続いて、処理モジュール１２における塗布ユニットＵ１の構成の一例を詳細に説明する。上述したように、塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を基板Ｗの表面Ｗａに供給し、上記ベーク前レジスト膜を形成する。また、塗布ユニットＵ１（周縁除去部）は、基板Ｗの表面Ｗａにベーク前レジスト膜を形成した後に、基板Ｗの周縁部に除去液を供給することで、ベーク前レジスト膜の周縁部分を除去する。
図２に示すように、塗布ユニットＵ１は、回転保持部２０と、処理液供給部３０と、除去液供給部４０とを有する。回転保持部２０は、基板Ｗを保持して回転させる。例えば回転保持部２０は、保持部２１と回転駆動部２２とを有する。保持部２１は、表面Ｗａを上方に向けた状態で水平に配置された基板Ｗを支持し、当該基板Ｗを吸着（例えば真空吸着）により保持する。回転駆動部２２は、例えば電動モータを動力源として、鉛直な回転中心ＣＬまわりに保持部２１を回転させる。これにより基板Ｗが回転する。
処理液供給部３０は、基板Ｗの表面Ｗａにレジスト膜形成用の処理液を供給する。例えば処理液供給部３０は、ノズル３１と、液源３２と、送液部３３と、ノズル移動部３４と有する。ノズル３１は、基板Ｗの表面Ｗａに向けて処理液を吐出する。液源３２は、処理液を収容し、当該処理液をノズル３１に圧送する。送液部３３は、液源３２からノズル３１に処理液を導く。例えば送液部３３は、送液ラインＬ１とバルブＶ１とを有する。送液ラインＬ１は、液源３２とノズル３１とを接続する。バルブＶ１は、例えばエアオペレーションバルブであり、送液ラインＬ１内の流路を開閉する。ノズル移動部３４は、電動モータ等の動力源により、回転中心ＣＬと基板Ｗ外の領域との間でノズル３１を移動させる。
除去液供給部４０は、基板Ｗの表面Ｗａに、除去液を供給する。除去液は、処理液供給部３０から供給された処理液により形成されるベーク前レジスト膜を除去（溶解）できる溶剤である。除去液の具体例としては、シンナー等の有機溶剤が挙げられる。例えば除去液供給部４０は、ノズル４１と、液源４２と、送液部４３と、流量センサ４５と、ノズル移動部４４とを有する。
ノズル４１は、回転保持部２０が保持して回転させる基板Ｗの周縁部に向かって除去液を吐出する。ノズル４１は、回転保持部２０により回転している基板Ｗの表面Ｗａに向けて除去液を吐出する。液源４２は、除去液を収容し、当該除去液をノズル４１側に圧送する。送液部４３は、液源４２からノズル４１に除去液を導く。例えば送液部４３は、送液ラインＬ２とバルブＶ２とを有する。送液ラインＬ２は、液源４２とノズル４１とを接続する。バルブＶ２は、例えばエアオペレーションバルブであり、送液ラインＬ２内の流路を開閉する。流量センサ４５は、送液ラインＬ２における除去液の流量（単位時間当たりの流量）を検出する。ノズル移動部４４は、電動モータ等の動力源により、基板Ｗの周縁部上と、基板Ｗ外の領域との間でノズル４１を移動させる。
〔検査ユニット〕
続いて、検査ユニットＵ３の構成の一例について詳細に説明する。検査ユニットＵ３は、基板Ｗの表面Ｗａを撮像することによって、表面Ｗａの状態を示す表面情報として画像データを取得する。図３に示すように、検査ユニットＵ３は、保持部５１と、回転駆動部５２と、位置指標検出部５３と、撮像部５７とを有する。
保持部５１は、表面Ｗａを上方に向けた状態で水平に配置された基板Ｗを支持し、当該基板Ｗを吸着（例えば真空吸着）により保持する。回転駆動部５２は、例えば電動モータ等の動力源により、鉛直な回転中心まわりに保持部５１を回転させる。これにより基板Ｗが回転する。
位置指標検出部５３は、基板Ｗのノッチを検出する。例えば位置指標検出部５３は、投光部５５と、受光部５６とを有する。投光部５５は、回転している基板Ｗの周縁部に向けて光を出射する。例えば、投光部５５は、基板Ｗの周縁部の上方に配置されており、下方に向けて光を出射する。受光部５６は、投光部５５により出射された光を受ける。例えば、受光部５６は、投光部５５と対向するように基板Ｗの周縁部の下方に配置されている。
撮像部５７は、基板Ｗの表面Ｗａの少なくとも周縁部を撮像するカメラである。例えば、撮像部５７は、基板Ｗの表面Ｗａのうち、レジスト膜が形成されていない（ベーク前レジスト膜が除去された）周縁部を撮像する。例えば撮像部５７は、保持部５１に保持されている基板Ｗの周縁部の上方に配置されており、下方に向けられている。
〔制御部〕
上述した塗布ユニットＵ１及び検査ユニットＵ３は、制御部１００により制御される。制御部１００による塗布ユニットＵ１及び検査ユニットＵ３の制御手順は、基板Ｗの表面Ｗａに形成されたレジスト膜の周縁部分を塗布ユニットＵ１に除去させることと、基板Ｗの周方向における位置と、基板Ｗにおいてレジスト膜が除去された部分の幅（以下、「除去幅」という。）との関係を表す除去幅プロファイルを検査ユニットＵ３から取得することと、除去幅プロファイルに基づいて、除去幅の誤差の要因を示す要因情報を出力することと、を含む。誤差は、所定の目標値からの乖離を意味する。
除去幅には、様々な要因によって誤差が生じ得るが、誤差の評価結果に基づくのみでは、いずれの要因で誤差が生じたかの特定に時間を要する。これに対し、基板Ｗの周方向における位置と除去幅との関係を表す除去幅プロファイルには、誤差要因に応じて異なる特徴が表れる傾向がある。このため、除去幅プロファイルに基づくことで、的確な要因情報を出力することができる。
以下、図４を参照し、塗布ユニットＵ１及び検査ユニットＵ３を制御するための制御部１００の構成を具体的に例示する。図４に示すように、制御部１００は、機能上の構成要素（以下、「機能ブロック」という。）として、搬送制御部１１１と、成膜制御部１１２と、周縁除去制御部１１３と、プログラム記憶部１１４と、プロファイル取得部１１５と、特徴量算出部１１６と、要因候補記憶部１２３と、装置状態取得部１１７と、レコード生成部１１８と、データ蓄積部１１９とを有する。
搬送制御部１１１は、プログラム記憶部１１４が記憶する動作プログラムに基づいて、基板Ｗを搬送するように搬送アームＡ３を制御する。搬送アームＡ３の動作プログラムは、少なくとも一つの制御パラメータにより定義される時系列の命令を含む。少なくとも一つの制御パラメータの具体例としては、基板Ｗの搬送目標位置及び当該搬送目標位置への移動速度等が挙げられる。
成膜制御部１１２は、プログラム記憶部１１４が記憶する動作プログラムに基づいて、基板Ｗの表面にベーク前レジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１を制御する。周縁除去制御部１１３は、プログラム記憶部１１４が記憶する動作プログラムに基づいて、ベーク前レジスト膜の周縁部分を除去するように塗布ユニットＵ１を制御する。
塗布ユニットＵ１の動作プログラムは、少なくとも一つの制御パラメータにより定義される時系列の命令を含む。少なくとも一つの制御パラメータの具体例としては、レジスト膜を形成するための処理液のノズル３１からの吐出量（単位時間当たりの吐出量）、除去液を吐出する際のノズル４１の位置（例えば回転中心ＣＬからのノズル４１の中心までの距離）、除去液のノズル４１からの吐出量（単位時間当たりの吐出量）等が挙げられる。処理液のノズル３１からの吐出量に代えてバルブＶ１の開度が定められていてもよく、除去液のノズル４１からの吐出量に代えてバルブＶ２の開度が定められていてもよい。
プロファイル取得部１１５は、基板Ｗの周方向における位置と、基板Ｗにおいてレジスト膜が除去された部分の幅（上記除去幅）との関係を表す上記除去幅プロファイルを検査ユニットＵ３から取得する。基板Ｗの周方向における位置は、位置指標検出部５３により検出される位置指標を基準とする位置であり、例えば基板Ｗの中心まわりの角度で表される。レジスト膜が除去された部分の幅は、例えば基板Ｗの径方向における幅である。除去幅プロファイルは、基板Ｗの周方向における位置と、除去幅との関係を離散的に表す点列データであってもよいし、基板Ｗの周方向における位置と、除去幅との関係を連続的に表す関数データであってもよい。
特徴量算出部１１６は、少なくとも一つの誤差要因に対応付けられた複数種類の特徴量を除去幅プロファイルに基づいて算出する。複数種類の特徴量は、除去幅の評価値と、レジスト膜周縁の基板Ｗ周縁に対する偏心の評価値と、レジスト膜周縁の真円度の評価値と、レジスト膜周縁の粗さの評価値とを含む。除去幅の評価値は、例えば除去幅プロファイルの全体的な傾向を表す値である。このような評価値の具体例としては、平均値、中央値等が挙げられる。
特徴量算出部１１６は、基板Ｗの中心を原点とするレジスト膜の外形の近似関数を除去幅プロファイルに基づいて算出し、当該関数に基づいて上記偏心の評価値、真円度の評価値、及び粗さの評価値を算出する。
特徴量算出部１１６が算出する複数種類の特徴量のそれぞれは、要因候補記憶部１２３において少なくとも一つの誤差要因に対応付けられている。複数種類の特徴量は、複数種類の誤差要因に対応付けられた複合型特徴量を含んでいてもよい。
一例として、幅の評価値は、要因候補記憶部１２３において、少なくともノズル４１の位置ずれ及びノズル４１からの除去液の吐出量変化に対応付けられている。ここでの変化は、１つの基板Ｗに対する処理期間に比較して長い期間をかけて変化する長期的な変化を意味する。
偏心の評価値は、要因候補記憶部１２３において少なくとも回転保持部２０における基板Ｗの位置ずれに対応付けられ、真円度の評価値は、少なくとも基板Ｗの歪み及び回転保持部２０の歪みに対応付けられ、粗さの評価値は、少なくとも除去液の液跳ね及びノズル４１からの除去液の吐出量変動に対応付けられている。ここでの変動は、１つの基板Ｗに対する処理期間内における変動を意味する。少なくとも２つの誤差要因に対応付けられた幅の評価値、真円度の評価値、及び粗さの評価値は上記複合型特徴量に相当する。
装置状態取得部１１７は、搬送アームＡ３、塗布ユニットＵ１等、少なくともレジスト膜の形成に関与する装置の動作状態を示す情報を取得する。例えば装置状態取得部１１７は、搬送アームＡ３による塗布ユニットＵ１内への基板Ｗの配置位置（回転保持部２０における基板Ｗの位置）、ベーク前レジスト膜を除去する際のノズル４１の配置位置、ベーク前レジスト膜を除去する際のノズル４１からの除去液の吐出量（例えば流量センサ４５により検出される流量）等を取得する。
レコード生成部１１８は、１つの特徴量の算出結果と、当該特徴量に対応する塗布ユニットＵ１の状態とを含むレコードを生成し、データ蓄積部１１９に蓄積する。ここで、対応するとは、同一の基板Ｗに対応していることを意味する。当該特徴量に対応する塗布ユニットＵ１の状態とは、当該特徴量の算出対象の基板Ｗに対し、ベーク前レジスト液を除去する処理を実行している最中の塗布ユニットＵ１の状態を意味する。
塗布ユニットＵ１の状態は、少なくとも、回転保持部２０における基板Ｗの位置（保持部２１の回転中心ＣＬに対する基板Ｗの中心の位置）、除去液を吐出する際のノズル４１の位置、ノズル４１からの除去液の吐出量、及びノズル４１からの除去液の吐出量の変動幅を含む。ここでの変動幅は、１つの基板Ｗに対する処理期間内における変動幅を意味する。データ蓄積部１１９は、レコード生成部１１８が生成したレコードを蓄積する。
制御部１００は、評価部１２１と、寄与度評価部１２２と、要因推定部１２４とを更に有する。評価部１２１は、除去幅プロファイルに基づいて除去幅を評価する。評価部１２１による除去幅の評価結果は、複数種類の評価値を含んでいてもよい。例えば評価部１２１による除去幅の評価結果は、除去幅プロファイルにおける除去幅の最大値及び最小値を含んでいてもよいし、除去幅プロファイルにおける除去幅の最大値、平均値及び最小値を含んでいてもよい。
寄与度評価部１２２は、複数種類の特徴量の算出結果に基づいて、複数種類の特徴量の誤差への寄与度を評価する。寄与度とは、誤差への影響の程度を示す値である。寄与度は、公知の統計演算手法によって算出される。
要因推定部１２４は、除去幅プロファイルに基づいて、除去幅の誤差の要因を示す要因情報を出力する。出力は、後述の表示デバイス１９６への表示、他の装置への要因情報の送信等を含む。出力は、後述のパラメータ調節部１２５のように、要因情報に基づき更なる処理を実行する機能ブロックに要因情報を出力することも含む。
要因推定部１２４は、複数種類の特徴量の算出結果に基づいて要因情報を出力してもよい。要因推定部１２４は、複数種類の特徴量の誤差への寄与度に基づいて要因情報を出力してもよい。要因推定部１２４は、複数種類の誤差要因のうち、少なくとも最も寄与度が高い特徴量に対応付けられた少なくとも１つの誤差要因に基づいて要因情報を出力してもよい。例えば要因推定部１２４は、少なくとも最も寄与度が高い特徴量に対応付けられた誤差要因を示す要因情報を出力する。
要因推定部１２４は、複数種類の特徴量のそれぞれについて、寄与度と、対応する少なくとも一つの誤差要因とを示す要因情報を出力してもよい。この要因情報によれば、最も寄与度が高い特徴量に対応付けられた誤差要因を示すことができるのに加え、その誤差要因の寄与度が他の誤差要因の寄与度に比較してどの程度高いのかを示すことができる。
なお、要因推定部１２４は、複数種類の特徴量のうちいずれの寄与度が最も高いかを示す要因情報を出力してもよい。複数種類の特徴量のそれぞれが、いずれの誤差要因に対応付けられているかがユーザにとって既知であれば、複数種類の特徴量のうちいずれの寄与度が最も高いかを示すことによっても誤差要因が示されたこととなる。
要因推定部１２４は、複数種類の特徴量のそれぞれについて寄与度を示す要因情報を出力してもよい。この要因情報によれば、最も寄与度が高い特徴量を示すことができるのに加え、その特徴量の寄与度が他の特徴量の寄与度に比較してどの程度高いのかを示すことができる。
要因推定部１２４は、最も寄与度が高い特徴量が複合型特徴量である場合に、当該複合型特徴量に対応付けられた複数種類の誤差要因と、塗布ユニットＵ１の状態とに基づいて要因情報を出力してもよい。ここでの塗布ユニットＵ１の状態は、当該複合型特徴量に対応する塗布ユニットＵ１の状態である。対応するとは、同一の基板Ｗに対応していることを意味する。当該複合型特徴量に対応する塗布ユニットＵ１の状態とは、当該複合型特徴量の算出対象の基板Ｗに対し、ベーク前レジスト液を除去する処理を実行している最中の塗布ユニットＵ１の状態を意味する。
例えば要因推定部１２４は、最も寄与度が高い特徴量が複合型特徴量である場合に、データ蓄積部１１９が蓄積するレコードに基づいて、複数種類の誤差要因のそれぞれと複合型特徴量との相関レベルを評価し、相関レベルの評価結果に基づいて要因情報を出力してもよい。
要因推定部１２４は、データ蓄積部１１９が蓄積するレコードのうち、最新のレコードを含む所定数の一連のレコードに基づいて、複数種類の誤差要因のそれぞれと複合型特徴量との相関レベルを評価してもよい。例えば要因推定部１２４は、複合型特徴量に対し、比較的相関レベルの高い誤差要因を示す要因情報を出力する。
一例として、最も寄与度が高い特徴量が幅の評価値である場合、要因推定部１２４は、上記所定数の一連のレコードに基づいて、ノズル４１の位置と幅の評価値との相関レベル（以下、「第１相関レベル」という。）と、ノズル４１からの除去液の吐出量と評価値との相関レベル（以下、「第２相関レベル」という。）とを評価する。例えば第１相関レベルは、ノズル４１の位置ずれと幅の評価値との相関レベルを表す。例えば第２相関レベルは、ノズル４１からの除去液の吐出量変化と幅の評価値との相関レベルを表す。
第１相関レベルが第２相関レベルよりも高い場合、要因推定部１２４は、ノズル４１の位置ずれを最も可能性の高い誤差要因として示す要因情報を出力する。第２相関レベルが第１相関レベルよりも高い場合、要因推定部１２４は、ノズル４１からの除去液の吐出量変化を最も可能性の高い誤差要因として示す要因情報を出力する。
最も寄与度が高い特徴量が粗さの評価値である場合、要因推定部１２４は、上記所定数の一連のレコードに基づいて、ノズル４１からの除去液の吐出量の変動幅と粗さの評価値との相関レベル（以下、「第３相関レベル」という。）を評価する。第３相関レベルが所定レベルを超えている場合、要因推定部１２４は、除去液の吐出量の変動を最も可能性の高い誤差要因として示す要因情報を出力する。第３相関レベルが所定レベル未満である場合、要因推定部１２４は、除去液の液跳ねを最も可能性の高い誤差要因として示す要因情報を出力する。
要因推定部１２４は、評価部１２１による除去幅の評価結果が所定範囲外である場合に要因情報を出力し、評価部１２１による除去幅の評価結果が上記所定範囲内である場合には要因情報の出力を省略してもよい。例えば要因推定部１２４は、除去幅の最大値が所定範囲の上限を超えている場合、又は除去幅の最小値が所定範囲の下限を下回っている場合には要因情報を出力し、除去幅の最大値及び最小値の両方が所定範囲内である場合には要因情報の出力を省略してもよい。
これに対応し、寄与度評価部１２２は、評価部１２１による除去幅の評価結果が所定範囲外である場合に寄与度を算出し、評価部１２１による除去幅の評価結果が上記所定範囲内である場合には寄与度の算出を省略してもよい。例えば寄与度評価部１２２は、除去幅の最大値が所定範囲の上限を超えている場合、又は除去幅の最小値が所定範囲の下限を下回っている場合には寄与度を算出し、除去幅の最大値及び最小値の両方が所定範囲内である場合には寄与度の算出を省略してもよい。
制御部１００は、パラメータ調節部１２５を更に有してもよい。パラメータ調節部１２５は、プログラム記憶部１１４が記憶する動作プログラムにおける少なくとも一つの制御パラメータを、要因情報に基づいて調節する。例えばパラメータ調節部１２５は、要因情報が示す誤差要因を軽減するように、少なくとも一つの制御パラメータを変更する。
一例として、パラメータ調節部１２５は、最も可能性の高い誤差要因としてノズル４１の位置ずれが示されている場合に、除去液を吐出する際のノズル４１の位置を変更する。パラメータ調節部１２５は、最も可能性の高い誤差要因としてノズル４１からの除去液の吐出量変化が示されている場合に、ノズル４１からの除去液の吐出量を変更する。パラメータ調節部１２５は、最も可能性の高い誤差要因として回転保持部２０における基板Ｗの位置ずれが示されている場合、搬送アームＡ３による塗布ユニットＵ１内への基板Ｗの配置位置を変更する。
図５は、制御部１００のハードウェア構成を例示するブロック図である。制御部１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。図５に示すように、制御部１００は回路１９０を有する。回路１９０は、少なくとも一つのプロセッサ１９１と、メモリ１９２と、ストレージ１９３と、入出力ポート１９４と、入力デバイス１９５と、表示デバイス１９６とを含む。ストレージ１９３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。ストレージ１９３は、基板Ｗの表面Ｗａに形成されたレジスト膜の周縁部分を塗布ユニットＵ１に除去させることと、基板Ｗの周方向における位置と、除去幅との関係を表す除去幅プロファイルを検査ユニットＵ３から取得することと、除去幅プロファイルに基づいて、除去幅の誤差の要因を示す要因情報を出力することと、を制御部１００に実行させるためのプログラムを記憶している。例えばストレージ１９３は、上述した各機能ブロックを制御部１００に構成させるためのプログラムを記憶している。
メモリ１９２は、ストレージ１９３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１９１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１９１は、メモリ１９２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１９４は、プロセッサ１９１からの指令に応じて搬送アームＡ３、塗布ユニットＵ１及び検査ユニットＵ３との間で電気信号の入出力を行う。入力デバイス１９５及び表示デバイス１９６は、制御部１００のユーザインタフェースとして機能する。入力デバイス１９５は、例えばキーボード等であり、ユーザによる入力情報を取得する。表示デバイス１９６は、例えば液晶モニタ等を含み、ユーザに対する情報表示に用いられる。表示デバイス１９６は、例えば上記要因情報の表示に用いられる。入力デバイス１９５及び表示デバイス１９６は、所謂タッチパネルとして一体化されていてもよい。
〔制御手順〕
以下、基板処理方法の一例として制御部１００による塗布・現像装置２の制御手順を例示する。全体的な手順については、〔基板処理装置〕の節において説明したとおりである。制御部１００による塗布・現像装置２の制御手順は、上述した全体的な手順に加えて、成膜制御手順と、除去プロファイルの取得手順と、要因情報の出力手順とを含む。
成膜制御手順は、制御部１００が、ベーク前レジスト膜の形成と、ベーク前レジスト膜の周縁部の除去とを塗布ユニットＵ１に実行させる制御手順である。除去プロファイルの取得手順は、制御部１００が、基板Ｗの周方向における少なくとも２箇所以上の除去幅を検査ユニットＵ３に測定させることで、除去プロファイルを取得する手順である。要因情報の出力手順は、制御部１００が、除去プロファイルに基づいて、除去幅の誤差の要因を示す要因情報を出力する手順である。以下、成膜制御手順、除去プロファイルの取得手順、及び要因情報の出力手順のそれぞれを詳細に例示する。
（成膜制御手順）
図６に示すように、制御部１００は、ステップＳ０１，Ｓ０２，Ｓ０３，Ｓ０４，Ｓ０５，Ｓ０６，Ｓ０７を順に実行する。ステップＳ０１では、プログラム記憶部１１４が記憶する動作プログラムに基づいて、搬送制御部１１１が、基板Ｗを塗布ユニットＵ１内に配置するように搬送アームＡ３を制御する。この際に、装置状態取得部１１７は、搬送アームＡ３による基板Ｗの配置位置の情報を取得する。ステップＳ０２では、成膜制御部１１２が、搬送アームＡ３により塗布ユニットＵ１内に配置された基板Ｗを保持部２１に保持させる。ステップＳ０３では、成膜制御部１１２が、回転駆動部２２により保持部２１及び基板Ｗの回転を開始させる。
ステップＳ０４では、プログラム記憶部１１４が記憶する動作プログラムに基づいて、成膜制御部１１２が、基板Ｗの表面Ｗａ上にベーク前レジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１を制御する。例えば成膜制御部１１２は、ノズル３１を基板Ｗの回転中心ＣＬ上に配置するようにノズル移動部３４を制御し、ノズル３１から処理液を所定期間吐出させるように送液部３３を制御する。これにより、表面Ｗａに処理液の液膜が形成される。その後、成膜制御部１１２は、ノズル３１からの処理液の吐出を停止させるように送液部３３を制御し、ノズル移動部３４によりノズル３１を基板Ｗの上から退避させる。処理液の吐出が停止した後、成膜制御部１１２は、基板Ｗの回転を所定期間継続させるように回転駆動部２２を制御する。これにより、液膜の乾燥が進行し、ベーク前レジスト膜が形成される。
ステップＳ０５では、プログラム記憶部１１４が記憶する動作プログラムに基づいて、周縁除去制御部１１３が、ベーク前レジスト膜の周縁部分を除去するように塗布ユニットＵ１を制御する。例えば周縁除去制御部１１３は、ノズル４１を基板Ｗの周縁部上に配置するようにノズル移動部４４を制御し、ノズル４１から除去液の吐出を所定期間継続させるように送液部４３を制御する。これにより、ベーク前レジスト膜の周縁部分が除去される。
ベーク前レジスト膜が除去される際に、装置状態取得部１１７は、ノズル移動部４４によるノズル４１の配置位置の情報と、ノズル４１からの除去液の吐出量（例えば流量センサ４５による検出値）とを取得する。その後、周縁除去制御部１１３は、ノズル４１からの除去液の吐出を停止させるように送液部４３を制御し、ノズル移動部４４によりノズル４１を基板Ｗの上から退避させる。
ステップＳ０６では、周縁除去制御部１１３が、回転駆動部２２により保持部２１及び基板Ｗの回転を停止させる。ステップＳ０７では、周縁除去制御部１１３が保持部２１に基板Ｗを解放させ、搬送制御部１１１が塗布ユニットＵ１内から基板Ｗを搬出するように搬送アームＡ３を制御する。以上で成膜制御手順が完了する。
（除去プロファイルの取得手順）
図７に示すように、制御部１００は、まずステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１５，Ｓ１６，Ｓ１７を実行する。ステップＳ１１では、プログラム記憶部１１４が記憶する動作プログラムに基づいて、搬送制御部１１１が、基板Ｗを検査ユニットＵ３内に配置するように搬送アームＡ３を制御する。ステップＳ１２では、プロファイル取得部１１５が、搬送アームＡ３により検査ユニットＵ３内に配置された基板Ｗを保持部５１に保持させる。ステップＳ１３では、プロファイル取得部１１５が、回転駆動部５２により保持部５１及び基板Ｗの回転を開始させる。
ステップＳ１４では、プロファイル取得部１１５が、位置指標検出部５３による位置指標（例えばノッチ）の検出を待機する。ステップＳ１５では、ノッチ検出後の回転角度が所定の測定角度に達するのをプロファイル取得部１１５が待機する。ステップＳ１６では、プロファイル取得部１１５が、撮像部５７に基板Ｗの周縁部を撮像させ、撮像された画像に基づいて除去幅を算出し、現在の測定角度に対応付けて記憶する。ステップＳ１７では、プロファイル取得部１１５が、基板Ｗの全周に亘って除去幅の取得が完了したか否かを確認する。例えばプロファイル取得部１１５は、基板Ｗの周縁に沿って予め定められた全ての測定個所について除去幅の取得が完了したか否かを確認する。
ステップＳ１７において除去幅の取得が完了していない部分が基板Ｗの周縁部に残っていると判定した場合、制御部１００は、処理をステップＳ１５に戻す。以後、全周に亘って除去幅の取得が完了するまで、所定の測定角度に対応する除去幅を取得することが繰り返される。
ステップＳ１７において基板Ｗの全周に亘って除去幅の取得が完了したと判定した場合、制御部１００はステップＳ１８，Ｓ１９を実行する。ステップＳ１８では、プロファイル取得部１１５が、回転駆動部５２により保持部５１及び基板Ｗの回転を停止させる。ステップＳ１９では、プロファイル取得部１１５が保持部５１に基板Ｗを解放させ、搬送制御部１１１が検査ユニットＵ３内から基板Ｗを搬出するように搬送アームＡ３を制御する。以上で除去プロファイルの取得手順が完了する。
（要因情報の出力手順）
図８に示すように、制御部１００は、まずステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２３，Ｓ２４，Ｓ２５を実行する。ステップＳ２１では、特徴量算出部１１６が、プロファイル取得部１１５による除去プロファイルの取得が完了するのを待機する。ステップＳ２２では、特徴量算出部１１６が、上記複数種類の特徴量を除去幅プロファイルに基づいて算出する。ステップＳ２３では、レコード生成部１１８が、特徴量の算出結果と、当該特徴量に対応する塗布ユニットＵ１の状態とを含むレコードを生成し、データ蓄積部１１９に蓄積する。レコード生成部１１８は、特徴量に対応する塗布ユニットＵ１の状態を示す情報を装置状態取得部１１７から取得する。
ステップＳ２４では、評価部１２１が、除去幅プロファイルに基づいて除去幅を評価する。例えば評価部１２１は、除去幅プロファイルにおける除去幅の最大値及び最小値を評価する。ステップＳ２５では、評価部１２１による除去幅の評価結果が所定範囲外か否かを寄与度評価部１２２が確認する。例えば寄与度評価部１２２は、除去幅の最大値が所定範囲の上限を超えている場合には除去幅の評価結果が所定範囲外であると判定し、除去幅の最小値が所定範囲の下限を下回っている場合にも除去幅の評価結果が所定範囲外であると判定する。
ステップＳ２５において除去幅の評価結果が所定範囲外であると判定した場合、制御部１００はステップＳ２６，Ｓ２７，Ｓ２８を実行する。ステップＳ２６では、寄与度評価部１２２が、複数種類の特徴量の算出結果に基づいて、複数種類の特徴量の誤差への寄与度を評価する。ステップＳ２７では、要因推定部１２４が、最も寄与度が高い特徴量に対応付けられた誤差要因を要因候補記憶部１２３に基づいて導出する。ステップＳ２８では、最も寄与度が高い特徴量が上記複合型特徴量であるか否かを、要因推定部１２４が確認する。
ステップＳ２８において、最も寄与度が高い特徴量が複合型特徴量であると判定した場合、制御部１００はステップＳ３１，Ｓ３２，Ｓ３３を実行する。ステップＳ３１では、要因推定部１２４が、最も寄与度が高い特徴量が複合型特徴量である場合に、データ蓄積部１１９が蓄積するレコードに基づいて、複数種類の誤差要因のそれぞれと複合型特徴量との相関レベルを評価する。ステップＳ３２では、要因推定部１２４が、複合型特徴量に対応付けられた複数の誤差要因のうち、複合型特徴量との相関レベルが最も高い誤差要因を選択する。ステップＳ３３では、要因推定部１２４が、ステップＳ３２において選択された誤差要因を示す要因情報を出力する。
ステップＳ２８において、最も寄与度が高い特徴量が複合型特徴量ではないと判定した場合、制御部１００は、ステップＳ３１，Ｓ３２を実行することなくステップＳ３３を実行する。この場合、要因推定部１２４が、ステップＳ２７において導出した誤差要因を示す要因情報を出力する。
次に、制御部１００は、ステップＳ３４を実行する。ステップＳ３４では、プログラム記憶部１１４が記憶する動作プログラムにおける少なくとも一つの制御パラメータを、パラメータ調節部１２５が要因情報に基づいて調節する。
ステップＳ２５において除去幅の評価結果が所定範囲内であると判定した場合、寄与度評価部１２２は寄与度の算出を省略し、要因推定部１２４は要因情報の出力を省略し、パラメータ調節部１２５は制御パラメータの調節を省略する。以上で要因情報の出力手順が完了する。
〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、塗布・現像装置２（基板処理装置）は、基板Ｗの表面Ｗａに形成された被膜の周縁部分を除去する塗布ユニットＵ１（周縁除去部）と、基板Ｗの周方向における位置と、基板Ｗにおいて被膜が除去された部分の幅との関係を表す除去幅プロファイルを取得するプロファイル取得部１１５と、除去幅プロファイルに基づいて、幅の誤差の要因を示す要因情報を出力する要因推定部１２４と、を備える。
除去幅には、様々な要因によって誤差が生じ得るが、誤差の評価結果に基づくのみでは、いずれの要因で誤差が生じたかの特定に時間を要する。これに対し、基板Ｗの周方向における位置と除去幅との関係を表す除去幅プロファイルには、誤差要因に応じて異なる特徴が表れる傾向がある。このため、除去幅プロファイルに基づくことで、的確な要因情報を出力することができる。的確な要因情報に基づくことで、誤差の要因を速やかに特定し、調整することが可能となる。従って、塗布・現像装置２は、除去幅の調整の迅速化に有効である。
塗布・現像装置２は、除去幅プロファイルに基づいて幅を評価する評価部１２１を更に備え、要因推定部１２４は、幅の評価結果が所定範囲外である場合に要因情報を出力してもよい。この場合、誤差の評価結果が所定レベルを超えた場合に限定して要因情報の出力処理を行うことで、塗布・現像装置２における情報処理負荷を軽減することができる。
塗布・現像装置２は、少なくとも一つの誤差要因に対応付けられた複数種類の特徴量を除去幅プロファイルに基づいて算出する特徴量算出部１１６を更に備え、要因推定部１２４は、複数種類の特徴量の算出結果に基づいて要因情報を出力してもよい。この場合、要因情報を更に容易に出力することができる。
複数種類の特徴量は、幅の評価値と、被膜周縁の基板周縁に対する偏心の評価値と、被膜周縁の真円度の評価値と、被膜周縁の粗さの評価値とを含んでいてもよい。この場合、より有益な要因情報を出力することができる。
塗布ユニットＵ１は、基板Ｗを保持して回転させる回転保持部２０と、回転保持部２０が保持して回転させる基板Ｗの周縁部に向かって、被膜を除去するための除去液を吐出するノズル４１と、を有し、幅の評価値は、少なくともノズル４１の位置ずれ及びノズル４１からの除去液の吐出量変化に対応付けられ、偏心の評価値は、少なくとも回転保持部２０における基板Ｗの位置ずれに対応付けられ、真円度の評価値は、少なくとも基板Ｗの歪み及び回転保持部２０の歪みに対応付けられ、粗さの評価値は、少なくとも除去液の液跳ね及びノズル４１からの除去液の吐出量変動に対応付けられていてもよい。この場合、より有益な要因情報を出力することができる。
塗布・現像装置２は、複数種類の特徴量の算出結果に基づいて、複数種類の特徴量の誤差への寄与度を評価する寄与度評価部１２２を更に備え、要因推定部１２４は、複数種類の特徴量の誤差への寄与度に基づいて要因情報を出力してもよい。この場合、より的確な要因情報を容易に出力することができる。
要因推定部１２４は、複数種類の誤差要因のうち、少なくとも最も寄与度が高い特徴量に対応付けられた少なくとも１つの誤差要因に基づいて要因情報を出力してもよい。この場合、よりわかりやすい要因情報を出力することができる。
複数種類の特徴量は、複数種類の誤差要因に対応付けられた複合型特徴量を含み、要因推定部１２４は、最も寄与度が高い特徴量が複合型特徴量である場合に、当該複合型特徴量に対応付けられた複数種類の誤差要因と、塗布ユニットＵ１の状態とに基づいて要因情報を出力してもよい。この場合、より的確な要因情報を出力することができる。
以上、実施形態について説明したが、本開示は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
２…塗布・現像装置（基板処理装置）、２０…回転保持部、３１，４１…ノズル、１１５…プロファイル取得部、１１６…特徴量算出部、１２１…評価部、１２２…寄与度評価部、１２４…要因推定部、Ｕ１…塗布ユニット（周縁除去部）、Ｗ…基板、Ｗａ…表面。

Claims (30)

  1. 基板の表面に形成された被膜の周縁部分を除去する周縁除去部と、
    前記基板の周方向における位置と、前記基板において前記被膜が除去された部分の幅との関係を表す除去幅プロファイルを取得するプロファイル取得部と、
    少なくとも一つの前記幅の誤差の要因に対応付けられた複数種類の特徴量を前記除去幅プロファイルに基づいて算出する特徴量算出部と、
    前記複数種類の特徴量の算出結果に基づいて、前記誤差の要因を示す要因情報を出力する要因推定部と、を備え、
    前記複数種類の特徴量は、前記幅の評価値と、前記被膜の周縁の前記基板の周縁に対する偏心の評価値と、前記被膜の周縁の真円度の評価値と、前記被膜の周縁の粗さの評価値とを含む、基板処理装置。
  2. 前記要因推定部は、前記幅の評価値が所定範囲外である場合に前記要因情報を出力する、請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記周縁除去部は、
    前記基板を保持して回転させる回転保持部と、
    前記回転保持部が保持して回転させる前記基板の周縁部に向かって、前記被膜を除去するための除去液を吐出するノズルと、を有し、
    前記幅の評価値は、少なくとも前記ノズルの位置ずれ及び前記ノズルからの除去液の吐出量変化に対応付けられ、
    前記偏心の評価値は、少なくとも前記回転保持部における前記基板の位置ずれに対応付けられ、
    前記真円度の評価値は、少なくとも前記基板の歪み及び前記回転保持部の歪みに対応付けられ、
    前記粗さの評価値は、少なくとも前記除去液の液跳ね及び前記ノズルからの前記除去液の吐出量変動に対応付けられている、請求項１又は２記載の基板処理装置。
  4. 前記複数種類の特徴量の算出結果に基づいて、前記複数種類の特徴量の誤差への寄与度を評価する寄与度評価部を更に備え、
    前記要因推定部は、前記複数種類の特徴量の誤差への寄与度に基づいて前記要因情報を出力する、請求項１～３のいずれか一項記載の基板処理装置。
  5. 前記要因推定部は、複数種類の前記誤差の要因のうち、少なくとも最も寄与度が高い特徴量に対応付けられた少なくとも１つの前記誤差の要因に基づいて前記要因情報を出力する、請求項４記載の基板処理装置。
  6. 前記複数種類の特徴量は、複数種類の前記誤差の要因に対応付けられた複合型特徴量を含み、
    前記要因推定部は、最も寄与度が高い特徴量が前記複合型特徴量である場合に、当該複合型特徴量に対応付けられた複数種類の前記誤差の要因と、前記周縁除去部の状態とに基づいて前記要因情報を出力する、請求項１～５のいずれか一項記載の基板処理装置。
  7. 基板の表面に形成された被膜の周縁部分を周縁除去部により除去することと、
    前記基板の周方向における位置と、前記基板において前記被膜が除去された部分の幅との関係を表す除去幅プロファイルを取得することと、
    少なくとも一つの前記幅の誤差の要因に対応付けられた複数種類の特徴量を前記除去幅プロファイルに基づいて算出することと、
    前記複数種類の特徴量の算出結果に基づいて、前記誤差の要因を示す要因情報を出力することと、を含み、
    前記複数種類の特徴量は、前記幅の評価値と、前記被膜の周縁の前記基板の周縁に対する偏心の評価値と、前記被膜の周縁の真円度の評価値と、前記被膜の周縁の粗さの評価値とを含む、基板処理方法。
  8. 前記幅の評価値が所定範囲外である場合に前記要因情報を出力する、請求項７記載の基板処理方法。
  9. 前記周縁除去部は、
    前記基板を保持して回転させる回転保持部と、
    前記回転保持部が保持して回転させる前記基板の周縁部に向かって、前記被膜を除去するための除去液を吐出するノズルと、を有し、
    前記幅の評価値は、少なくとも前記ノズルの位置ずれ及び前記ノズルからの除去液の吐出量変化に対応付けられ、
    前記偏心の評価値は、少なくとも前記回転保持部における前記基板の位置ずれに対応付けられ、
    前記真円度の評価値は、少なくとも前記基板の歪み及び前記回転保持部の歪みに対応付けられ、
    前記粗さの評価値は、少なくとも前記除去液の液跳ね及び前記ノズルからの前記除去液の吐出量変動に対応付けられている、請求項７又は８記載の基板処理方法。
  10. 前記複数種類の特徴量の算出結果に基づいて、前記複数種類の特徴量の誤差への寄与度を評価することを更に含み、
    前記複数種類の特徴量の誤差への寄与度に基づいて前記要因情報を出力する、請求項７～９のいずれか一項記載の基板処理方法。
  11. 複数種類の前記誤差の要因のうち、少なくとも最も寄与度が高い特徴量に対応付けられた少なくとも１つの前記誤差の要因に基づいて前記要因情報を出力する、請求項１０記載の基板処理方法。
  12. 前記複数種類の特徴量は、複数種類の前記誤差の要因に対応付けられた複合型特徴量を含み、
    最も寄与度が高い特徴量が前記複合型特徴量である場合に、当該複合型特徴量に対応付けられた複数種類の前記誤差の要因と、前記被膜の周縁部分を除去する周縁除去部の状態とに基づいて前記要因情報を出力する、請求項７～１１のいずれか一項記載の基板処理方法。
  13. 請求項７～１２のいずれか一項記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
  14. 表面に被膜が形成され、周縁除去部により前記被膜の周縁部分が除去された基板の周方向における位置と、前記基板において前記被膜が除去された部分の幅との関係を表す除去幅プロファイルを取得するプロファイル取得部と、
    少なくとも一つの前記幅の誤差の要因に対応付けられた複数種類の特徴量を前記除去幅プロファイルに基づいて算出する特徴量算出部と、
    前記複数種類の特徴量の算出結果に基づいて、前記誤差の要因を示す要因情報を出力する要因推定部と、を備え、
    前記複数種類の特徴量は、前記幅の評価値と、前記被膜の周縁の前記基板の周縁に対する偏心の評価値と、前記被膜の周縁の真円度の評価値とを含む、要因推定装置。
  15. 前記周縁除去部は、
    前記基板を保持して回転させる回転保持部と、
    前記回転保持部が保持して回転させる前記基板の周縁部に向かって、前記被膜を除去するための除去液を吐出するノズルと、を有し、
    前記幅の評価値は、少なくとも前記ノズルの位置ずれ及び前記ノズルからの除去液の吐出量変化に対応付けられ、
    前記偏心の評価値は、少なくとも前記回転保持部における前記基板の位置ずれに対応付けられ、
    前記真円度の評価値は、少なくとも前記基板の歪み及び前記回転保持部の歪みに対応付けられている、請求項１４記載の要因推定装置。
  16. 表面に被膜が形成され、周縁除去部により前記被膜の周縁部分が除去された基板の周方向における位置と、前記基板において前記被膜が除去された部分の幅との関係を表す除去幅プロファイルを取得するプロファイル取得部と、
    少なくとも一つの前記幅の誤差の要因に対応付けられた複数種類の特徴量を前記除去幅プロファイルに基づいて算出する特徴量算出部と、
    前記複数種類の特徴量の算出結果に基づいて、前記誤差の要因を示す要因情報を出力する要因推定部と、を備え、
    前記複数種類の特徴量は、前記幅の評価値と、前記被膜の周縁の前記基板の周縁に対する偏心の評価値と、前記被膜の周縁の粗さの評価値とを含む、要因推定装置。
  17. 前記周縁除去部は、
    前記基板を保持して回転させる回転保持部と、
    前記回転保持部が保持して回転させる前記基板の周縁部に向かって、前記被膜を除去するための除去液を吐出するノズルと、を有し、
    前記幅の評価値は、少なくとも前記ノズルの位置ずれ及び前記ノズルからの除去液の吐出量変化に対応付けられ、
    前記偏心の評価値は、少なくとも前記回転保持部における前記基板の位置ずれに対応付けられ、
    前記粗さの評価値は、少なくとも前記除去液の液跳ね及び前記ノズルからの前記除去液の吐出量変動に対応付けられている、請求項１６記載の要因推定装置。
  18. 前記要因推定部は、前記幅の評価値が所定範囲外である場合に前記要因情報を出力する、請求項１４～１７のいずれか一項記載の要因推定装置。
  19. 前記複数種類の特徴量の算出結果に基づいて、前記複数種類の特徴量の誤差への寄与度を評価する寄与度評価部を更に備え、
    前記要因推定部は、前記複数種類の特徴量の誤差への寄与度に基づいて前記要因情報を出力する、請求項１４～１８のいずれか一項記載の要因推定装置。
  20. 前記要因推定部は、複数種類の前記誤差の要因のうち、少なくとも最も寄与度が高い特徴量に対応付けられた少なくとも１つの前記誤差の要因に基づいて前記要因情報を出力する、請求項１９記載の要因推定装置。
  21. 前記複数種類の特徴量は、複数種類の前記誤差の要因に対応付けられた複合型特徴量を含み、
    前記要因推定部は、最も寄与度が高い特徴量が前記複合型特徴量である場合に、当該複合型特徴量に対応付けられた複数種類の前記誤差の要因と、前記周縁除去部の状態とに基づいて前記要因情報を出力する、請求項１４～２０のいずれか一項記載の要因推定装置。
  22. 表面に被膜が形成され、周縁除去部により前記被膜の周縁部分が除去された基板の周方向における位置と、前記基板において前記被膜が除去された部分の幅との関係を表す除去幅プロファイルを取得することと、
    少なくとも一つの前記幅の誤差の要因に対応付けられた複数種類の特徴量を前記除去幅プロファイルに基づいて算出することと、
    前記複数種類の特徴量の算出結果に基づいて、前記誤差の要因を示す要因情報を出力することと、を含み、
    前記複数種類の特徴量は、前記幅の評価値と、前記被膜の周縁の前記基板の周縁に対する偏心の評価値と、前記被膜の周縁の真円度の評価値とを含む、要因推定方法。
  23. 前記周縁除去部は、
    前記基板を保持して回転させる回転保持部と、
    前記回転保持部が保持して回転させる前記基板の周縁部に向かって、前記被膜を除去するための除去液を吐出するノズルと、を有し、
    前記幅の評価値は、少なくとも前記ノズルの位置ずれ及び前記ノズルからの除去液の吐出量変化に対応付けられ、
    前記偏心の評価値は、少なくとも前記回転保持部における前記基板の位置ずれに対応付けられ、
    前記真円度の評価値は、少なくとも前記基板の歪み及び前記回転保持部の歪みに対応付けられている、請求項２２記載の要因推定方法。
  24. 表面に被膜が形成され、周縁除去部により前記被膜の周縁部分が除去された基板の周方向における位置と、前記基板において前記被膜が除去された部分の幅との関係を表す除去幅プロファイルを取得することと、
    少なくとも一つの前記幅の誤差の要因に対応付けられた複数種類の特徴量を前記除去幅プロファイルに基づいて算出することと、
    前記複数種類の特徴量の算出結果に基づいて、前記誤差の要因を示す要因情報を出力することと、を含み、
    前記複数種類の特徴量は、前記幅の評価値と、前記被膜の周縁の前記基板の周縁に対する偏心の評価値と、前記被膜の周縁の粗さの評価値とを含む、要因推定方法。
  25. 前記周縁除去部は、
    前記基板を保持して回転させる回転保持部と、
    前記回転保持部が保持して回転させる前記基板の周縁部に向かって、前記被膜を除去するための除去液を吐出するノズルと、を有し、
    前記幅の評価値は、少なくとも前記ノズルの位置ずれ及び前記ノズルからの除去液の吐出量変化に対応付けられ、
    前記偏心の評価値は、少なくとも前記回転保持部における前記基板の位置ずれに対応付けられ、
    前記粗さの評価値は、少なくとも前記除去液の液跳ね及び前記ノズルからの前記除去液の吐出量変動に対応付けられている、請求項２４記載の要因推定方法。
  26. 前記幅の評価値が所定範囲外である場合に前記要因情報を出力する、請求項２２～２５のいずれか一項記載の要因推定方法。
  27. 前記複数種類の特徴量の算出結果に基づいて、前記複数種類の特徴量の誤差への寄与度を評価することを更に含み、
    前記複数種類の特徴量の誤差への寄与度に基づいて前記要因情報を出力する、請求項２２～２６のいずれか一項記載の要因推定方法。
  28. 複数種類の前記誤差の要因のうち、少なくとも最も寄与度が高い特徴量に対応付けられた少なくとも１つの前記誤差の要因に基づいて前記要因情報を出力する、請求項２７記載の要因推定方法。
  29. 前記複数種類の特徴量は、複数種類の前記誤差の要因に対応付けられた複合型特徴量を含み、
    最も寄与度が高い特徴量が前記複合型特徴量である場合に、当該複合型特徴量に対応付けられた複数種類の前記誤差の要因と、前記周縁除去部の状態とに基づいて前記要因情報を出力する、請求項２２～２８のいずれか一項記載の要因推定方法。
  30. 請求項２２～２９のいずれか一項記載の要因推定方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008244328A (ja) 2007-03-28 2008-10-09 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体基板の処理方法
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008244328A (ja) 2007-03-28 2008-10-09 Mitsumi Electric Co Ltd 半導体基板の処理方法
WO2017061199A1 (ja) 2015-10-06 2017-04-13 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
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