TW202309997A - 基板處理裝置、資訊處理方法及記憶媒體 - Google Patents

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下青木剛
Hibiki Nakano
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明的課題是可詳細且正確地特定涉及處理液的供給的異常主要原因。 其解決手段，塗佈・顯像裝置(2)(基板處理裝置)具備： 對於基板(W)的周緣部噴出除去液的除去液噴嘴(26)； 使除去液流通於除去液的供給源與除去液噴嘴(26)之間的處理液供給路的流路(261)； 將基板(W)的周緣部攝像之檢查單元(U3)的攝像部(57)； 被設在流路(261)，作為觀測流路(261)的除去液的流通狀態的觀測部之各種感測器(81)，(82)，(83)，(84)，(85)，(86)，(90)；及 根據檢查單元(U3)的攝像部(57)的攝像畫像和各種感測器(81)，(82)，(83)，(84)，(85)，(86)，(90)的觀測結果，特定涉及除去液對於基板(W)的供給的異常主要原因之分析部(115)。

Description

基板處理裝置、資訊處理方法及記憶媒體
本案是有關基板處理裝置，資訊處理方法及記憶媒體。
在專利文獻1記載：在塗佈模組以處理液來處理調整用的半導體晶圓之後，搬送至攝像模組，將半導體晶圓的外端面及背面攝像。並且，在專利文獻1揭示：根據攝像結果，判定塗佈膜的外緣對於斜角部的內緣的外緣的高度尺寸是否為容許值，不是容許值時，調整塗佈模組的旋轉數。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2019-96669號公報
(發明所欲解決的課題)
本案是在於提供一種可詳細且正確地特定涉及處理液的供給的異常主要原因之基板處理裝置。 (用以解決課題的手段)
本案之一形態的基板處理裝置是具備： 對於基板的周緣部噴出處理液之噴嘴； 使處理液流通於處理液的供給源與噴嘴之間的處理液供給路； 將基板的周緣部攝像之攝像部； 被設在處理液供給路，觀測處理液供給路的處理液的流通狀態之觀測部；及 根據攝像部的攝像畫像及觀測部的觀測結果，特定涉及處理液對於基板的供給的異常主要原因之分析部。 [發明的效果]
若根據本案，則可提供一種可詳細且正確地特定涉及處理液的供給的異常主要原因之基板處理裝置。
以下，邊參照圖面，邊詳細說明有關實施形態。在說明中，對於同一要素或具有同一機能的要素附上同一符號，省略重複的說明。
[基板處理系統] 基板處理系統1是對於基板實施感光性被膜的形成、該感光性被膜的曝光及該感光性被膜的顯像之系統。可舉半導體晶圓、玻璃基板、遮罩基板或FPD(Flat Panel Display)等，作為處理對象的基板。基板是包含在半導體晶圓等上，在前段的處理中被形成被膜等者。
如圖1所示般，基板處理系統1是具備塗佈・顯像裝置2及曝光裝置3。曝光裝置3是進行被形成於基板W上的抗蝕膜(感光性被膜)的曝光處理。基板W是例如圓形，在周緣部具有成為周方向的位置的基準之位置指標(例如缺口(notch))。具體而言，曝光裝置3是藉由液浸曝光等的方法來對抗蝕膜的曝光對象部分照射能量線。塗佈・顯像裝置2是在曝光裝置3的曝光處理之前進行在基板W的表面形成抗蝕膜的處理，在曝光處理後進行抗蝕膜的顯像處理。
[基板處理裝置] 以下，說明塗佈・顯像裝置2的構成，作為基板處理裝置的一例。塗佈・顯像裝置2是具備載體區塊4、處理區塊5、介面區塊6及控制部100。
載體區塊4是進行往塗佈・顯像裝置2內之基板W的導入及來自塗佈・顯像裝置2內的基板W的導出。例如載體區塊4是可支撐基板W用的複數的載體C(收容部)，內藏交接臂A1。載體C是例如收容圓形的複數片的基板W。交接臂A1是從載體C取出基板W而交給處理區塊5，從處理區塊5接受基板W而返回至載體C內。
處理區塊5是具有複數的處理模組11，12，13，14。處理模組11是內藏複數的塗佈單元U1、複數的熱處理單元U2及將基板W搬送至該等的單元的搬送臂A3。
處理模組11是藉由塗佈單元U1及熱處理單元U2在基板W的表面上形成下層膜。塗佈單元U1是將下層膜形成用的處理液塗佈於基板W上。熱處理單元U2是進行伴隨下層膜的形成之各種熱處理。熱處理單元U2是例如內藏熱板及冷卻板，藉由熱板來加熱基板W，藉由冷卻板來冷卻加熱後的基板W而進行熱處理。
處理模組12(成膜處理部)是內藏複數的塗佈單元U1、複數的熱處理單元U2、複數的檢查單元U3及將基板W搬送至該等的單元的搬送臂A3。處理模組12是藉由塗佈單元U1及熱處理單元U2，在下層膜上形成抗蝕膜。塗佈單元U1是藉由將抗蝕膜形成用的處理液塗佈於下層膜上，在基板W的表面形成被膜。以下，將此被膜稱為「烘烤前抗蝕膜」。熱處理單元U2是進行伴隨抗蝕膜的形成之各種熱處理。藉此，烘烤前抗蝕膜會成為抗蝕膜。
塗佈單元U1是被構成為除去抗蝕膜的至少一部分(詳細是基板W的周緣部)。除去抗蝕膜的至少一部分的情形是包括在熱處理單元U2的熱處理之前，除去烘烤前抗蝕膜的一部分。例如，塗佈單元U1是在基板W的表面形成烘烤前抗蝕膜之後，藉由對基板W的周緣部供給除去液，除去烘烤前抗蝕膜的周緣部。
檢查單元U3是進行用以檢查基板W的表面Wa(參照圖2)的狀態的處理。例如，檢查單元U3是取得表示基板W的表面Wa的狀態的資訊。表示表面Wa的狀態的資訊是包含基板W之中被除去抗蝕膜的部分(基板W的周緣部)的資訊。
處理模組13是內藏複數的塗佈單元U1、複數的熱處理單元U2及將基板W搬送至該等的單元的搬送臂A3。處理模組13是藉由塗佈單元U1及熱處理單元U2，在抗蝕膜上形成上層膜。處理模組13的塗佈單元U1是在抗蝕膜上塗佈上層膜形成用的液體。處理模組13的熱處理單元U2是進行伴隨上層膜的形成之各種熱處理。
處理模組14是內藏複數的顯像單元U4、複數的熱處理單元U5及將基板W搬送至該等的單元的搬送臂A3。處理模組14是藉由顯像單元U4及熱處理單元U5來進行曝光後的抗蝕膜的顯像處理。顯像單元U4是在曝光完了的基板W的表面上塗佈顯像液之後，藉由洗滌液來予以沖洗，藉此進行抗蝕膜的顯像處理。熱處理單元U5是進行伴隨顯像處理之各種熱處理。作為熱處理的具體例，可舉顯像處理前的加熱處理(PEB：Post Exposure Bake)、顯像處理後的加熱處理(PB：Post Bake)等。
在處理區塊5內的載體區塊4側是設有棚架單元U10。棚架單元U10是被區劃成排列於上下方向的複數的格子(cell)。在棚架單元U10的附近是設有昇降臂A7。昇降臂A7是使基板W昇降於棚架單元U10的格子彼此之間。
在處理區塊5內的介面區塊6側是設有棚架單元U11。棚架單元U11是被區劃成排列於上下方向的複數的格子。
介面區塊6是在與曝光裝置3之間進行基板W的交接。例如介面區塊6是內藏交接臂A8，被連接至曝光裝置3。交接臂A8是將被配置於棚架單元U11的基板W交給曝光裝置3，從曝光裝置3接受基板W而返回至棚架單元U11。
控制部100是控制塗佈・顯像裝置2中所含的各要素。以下，舉例表示對於一片的基板W實行控制部100的一連串的控制程序。例如控制部100是首先以能載體C內的基板W搬送至棚架單元U10之方式控制交接臂A1，以能將此基板W配置於處理模組11用的格子之方式控制昇降臂A7。
其次，控制部100是以能將棚架單元U10的基板W搬送至處理模組11內的塗佈單元U1及熱處理單元U2之方式控制搬送臂A3。又，控制部100是以能在此基板W的表面上形成下層膜之方式控制塗佈單元U1及熱處理單元U2。然後，控制部100是以能使被形成下層膜的基板W返回至棚架單元U10之方式控制搬送臂A3，以能將此基板W配置於處理模組12用的格子之方式控制昇降臂A7。
其次，控制部100是以能將棚架單元U10的基板W搬送至處理模組12內的塗佈單元U1及熱處理單元U2之方式控制搬送臂A3。又，控制部100是以能在此基板W的下層膜上形成抗蝕膜之方式控制塗佈單元U1及熱處理單元U2。進一步，控制部100是以能在基板W的下層膜上形成上述烘烤前抗蝕膜，除去烘烤前抗蝕膜的周緣部之方式控制塗佈單元U1，以能對基板W實施用以將烘烤前抗蝕膜設為抗蝕膜的熱處理之方式控制熱處理單元U2。
進一步，控制部100是以能將基板W搬送至檢查單元U3的方式控制搬送臂A3，從檢查單元U3取得顯示該基板W的表面的狀態的資訊。然後控制部100是以能使基板W返回至棚架單元U10的方式控制搬送臂A3，以能將此基板W配置於處理模組13用的格子之方式控制昇降臂A7。
其次，控制部100是以能將棚架單元U10的基板W搬送至處理模組13內的各單元之方式控制搬送臂A3，以能在此基板W的抗蝕膜上形成上層膜之方式控制塗佈單元U1及熱處理單元U2。之後，控制部100是以能將基板W搬送至棚架單元U11的方式控制搬送臂A3。
其次，控制部100是以能將棚架單元U11的基板W送出至曝光裝置3之方式控制交接臂A8。然後，控制部100是以能從曝光裝置3接受被實施曝光處理的基板W，而配置於棚架單元U11的處理模組14用的格子之方式控制交接臂A8。
其次，控制部100是以能將棚架單元U11的基板W搬送至處理模組14內的顯像單元U4及熱處理單元U5之方式控制搬送臂A3，以能對此基板W的抗蝕膜實施顯像處理之方式控制顯像單元U4及熱處理單元U5。然後，控制部100是以能使基板W返回至棚架單元U10的方式控制搬送臂A3，以能使此基板W返回至載體C內的方式控制昇降臂A7及交接臂A1。藉由以上完成對於1片的基板W之一連串的控制程序。
[塗佈單元] 接著，詳細說明處理模組12的塗佈單元U1的構成之一例。如上述般，塗佈單元U1是將抗蝕膜形成用的處理液供給至基板W的表面Wa，形成上述烘烤前抗蝕膜。又，塗佈單元U1是在基板W的表面Wa形成烘烤前抗蝕膜之後，藉由對基板W的周緣部供給除去液，除去烘烤前抗蝕膜的周緣部。
如圖2所示般，塗佈單元U1是具有旋轉保持部20。旋轉保持部20是保持基板W而使旋轉。例如旋轉保持部20是具有保持部21及旋轉驅動部22。保持部21是在使表面朝向上方的狀態下支撐被水平配置的基板W，藉由吸附(例如真空吸附)該基板W而保持的旋轉盤(spin chuck)。旋轉驅動部22是例如以電動馬達作為動力源，繞著鉛直的旋轉中心使保持部21旋轉。藉此，基板W旋轉。
在被保持於保持部21的基板W的周圍是設有罩杯220，罩杯220的下方側是經由排氣管221來排氣的同時連接排液管222。並且，在保持部21的下方側是以能包圍傳動軸(shaft)的方式設有圓形板213，在此圓形板213的周圍是形成有剖面形狀為山型的環狀的山型部214。在此山型部214的頂部是設有用以抑止流動於罩杯220內的霧(mist)往基板W的背面側流入的突片部215。
塗佈單元U1是具有：噴出塗佈液的塗佈液噴嘴24，及噴出塗佈液的溶媒也就是溶劑的溶劑噴嘴25。塗佈液噴嘴24是經由具備開閉閥V1的流路241來連接至塗佈液供給機構242。溶劑噴嘴25是被使用在往基板W噴出塗佈液之前進行的前處理的噴嘴，經由具備開閉閥V2的流路251來連接至溶劑供給機構252。該等塗佈液噴嘴24及溶劑噴嘴25是藉由未圖示的移動機構來構成在基板W的中心部上與罩杯220的外側的退避位置之間移動自如。
進一步，塗佈單元U1是具有：基板W的周緣部的膜除去用的噴嘴之除去液噴嘴26、斜角部的膜除去用的斜角洗淨噴嘴27及背面洗淨噴嘴28。除去液噴嘴26是對於基板W的周緣部噴出除去液(處理液)之EBR(Edge Bead Removal)噴嘴。除去液噴嘴26是以除去液會在比被保持於保持部21的基板W的斜角部更內側位置的表面朝向基板W的旋轉方向的下游側之方式噴出除去液者。除去液噴嘴26是例如被形成直管狀，其前端會開口作為除去液的噴出口。此除去液噴嘴26是藉由未圖示的移動機構來構成在例如對基板W的周緣部噴出除去液的處理位置與罩杯220的外側的退避位置之間移動自如。
斜角洗淨噴嘴27是從被保持於保持部21的基板W的背面側朝向斜角部來噴出除去液者。此斜角洗淨噴嘴27是被構成沿著基台271移動自如，基台271是被設在例如被形成於山型部214的未圖示的缺口部。
背面洗淨噴嘴28是對比被保持於保持部21的基板W的斜角部更內側位置的背面噴出洗淨液者。背面洗淨噴嘴28是被構成為例如在朝向基板W噴出洗淨液時，該洗淨液的基板W上的著落點會形成離基板W的外緣例如70mm更內側。斜角洗淨噴嘴27及背面洗淨噴嘴28是例如在塗佈單元U1各設2個。
此例的除去液及洗淨液皆是塗佈膜的溶劑，除去液噴嘴26是經由具備開閉閥V3的流路261來連接至溶劑供給機構252。如此，流路261是處理液的除去液的供給路(處理液供給路)，使除去液流通於除去液的供給源的溶劑供給機構252與除去液噴嘴26之間。又，斜角洗淨噴嘴27是經由具備開閉閥V4的流路275來連接至溶劑供給機構252。又，背面洗淨噴嘴28是經由具備開閉閥V5的流路281來連接至溶劑供給機構252。
(處理液供給路) 參照圖3說明有關處理液供給路的流路261的監視構成。在流路261是例如壓送來自供給源的除去液(處理液)的泵71、過濾器72及閥73會從上游側朝向下游側配置。亦即，藉由泵71壓送的除去液是通過過濾器72，通過開狀態的閥73，而到達除去液噴嘴26(參照圖2)。
除去液噴嘴26是如上述般，對於基板W的周緣部噴出除去液。又，過濾器72是經由閥74來連接至排水管。在該排水管是亦可設有導電性的接地零件75。又，流路261的閥73的下游且除去液噴嘴26的上游的部分是經由閥76來連接至排水管。在該排水管是亦可設有導電性的接地零件77。
塗佈單元U1是被設在處理液供給路的流路261，具備觀測流路261的除去液(處理液)的流通狀態之各種感測器81，82，83，84，85，86，90(觀測部)。感測器81，82是觀測被設在流路261的泵71的前後的除去液的流通狀態之感測器。感測器83，84是觀測被設在流路261的過濾器72的前後的除去液的流通狀態之感測器。感測器85，86是觀測被設在流路261的閥73的前後的除去液的流通狀態之感測器。
感測器81，82，83，84，85，86是亦可為例如計測除去液的流量的流量計(流量計)、計測除去液的液壓的液壓感測器及計測除去液的表面電位的表面電位計的任一者。感測器81，82，83，84，85，86是將觀測結果發送至控制部100。感測器90是觀測經由流路261來從除去液噴嘴26噴出的除去液的噴出(流通)狀態之感測器，例如小型高速攝影機。感測器90為小型高速攝影機時，是將除去液噴嘴26的噴出狀態攝像，且將攝像結果發送至控制部100。
[檢查單元] 接著，詳細說明有關檢查單元U3的構成之一例。檢查單元U3是藉由將基板W的表面Wa攝像，取得畫像資料，作為顯示表面Wa的狀態的表面資訊。如圖4所示般，檢查單元U3是具有保持部51、旋轉驅動部52、位置指標檢測部53及攝像部57。
保持部51是在使表面Wa朝向上方的狀態下支撐被水平配置的基板W，藉由吸附(例如真空吸附)該基板W而保持。旋轉驅動部52是例如藉由電動馬達等的動力源，繞著鉛直的旋轉中心使保持部51旋轉。藉此，基板W旋轉。
位置指標檢測部53是檢測出基板W的缺口。例如位置指標檢測部53是具有投光部55及受光部56。投光部55是朝向旋轉的基板W的周緣部射出光。例如，投光部55是被配置在基板W的周緣部的上方，朝向下方射出光。受光部56是接受藉由投光部55所射出的光。例如，受光部56是以能和投光部55對向的方式被配置於基板W的周緣部的下方。
攝像部57是將基板W的表面Wa的至少周緣部攝像的攝影機。例如，攝像部57是將基板W的表面Wa之中未被形成抗蝕膜(被除去烘烤前抗蝕膜)的周緣部攝像。例如攝像部57是被配置在被保持於保持部51的基板W的周緣部的上方，朝向下方。攝像部57是將攝像結果發送至控制部100。
[控制部] 上述的塗佈單元U1及檢查單元U3是藉由控制部100來控制。控制部100之塗佈單元U1及檢查單元U3的控制程序是包含使被形成於基板W的表面Wa的抗蝕膜的周緣部在塗佈單元U1被除去。進一步，控制部100的控制程序是包含從檢查單元U3取得被供給除去液之後的基板W的周緣部的攝像畫像。進一步，控制部100的控制程序是包含從塗佈單元U1取得除去液(處理液)供給路的流路261的除去液的流通狀態的觀測結果。進一步，控制部100的控制程序是包含根據攝像畫像及觀測結果來特定涉及除去液對於基板W的供給的異常主要原因。
所謂特定涉及除去液的供給的異常主要原因是意指有關除去液的供給發生異常時，關於該異常的發生，特定哪個的部位怎麼樣不好。
以下，參照圖5具體舉例表示用以控制塗佈單元U1及檢查單元U3的控制部100的構成。如圖5所示般，控制部100是具有搬送控制部111、成膜控制部112、周緣除去部113、記憶部114及分析部115，作為機能上的構成要素(以下成為「機能區塊」)。
搬送控制部111是根據記憶部114所記憶的動作程式，以能搬送基板W的方式控制搬送臂A3。搬送臂A3的動作程式是包含藉由至少一個的控制參數來定義的時間序列的命令。作為至少一個的控制參數的具體例，可舉基板W的搬送目標位置及往該搬送目標位置的移動速度等。
成膜控制部112是根據記憶部114所記憶的動作程式，以能在基板W的表面形成烘烤前抗蝕膜之方式控制塗佈單元U1。周緣除去部113是根據記憶部114所記憶的動作程式，以能除去烘烤前抗蝕膜的周緣部之方式控制塗佈單元U1。
分析部115是根據攝像部57的攝像結果(被供給除去液之後的周緣部的攝像畫像)及塗佈單元U1的各種感測器81，82，83，84，85，86，90的觀測結果，特定涉及除去液對於基板W的供給的異常主要原因。
分析部115是最初例如亦可根據攝像部57的攝像畫像之比被除去烘烤前抗蝕膜的周緣部的區域更靠基板W的內周側的區域的各像素值，特定缺陷模式。在此的所謂內周側的區域是比周緣部的區域更內側，假想烘烤前抗蝕膜未被除去的區域。
圖6是說明缺陷模式的具體的形態的濺起(splash)(圖6(a))及粗糙(roughness)(圖6(b))的圖。如圖6(a)(b)所示般，在藉由除去液來除去周緣部的烘烤前抗蝕膜之狀態中，從基板W的外周側朝向內周側，依序形成斜角部BE、被除去烘烤前抗蝕膜的周緣部PE、抗蝕部RE。
在此，就圖6(a)所示的形態而言，是因為某些的異常，除去液的濺起SP飛濺至抗蝕部RE的一部分。如此的濺起異常是缺陷模式的1種。作為濺起異常的發生主要原因，例如可思考1度碰撞於罩杯220的除去液的彈回飛濺至抗蝕部RE，或在流路261的除去液的流通狀態(進一步是來自除去液噴嘴26的噴出狀態)發生異常等。
又，就圖6(b)所示的形態而言，是在周緣部PE之與抗蝕部RE的境界面中產生表面被形成粗凹凸的粗糙部RO。如此的粗糙異常是缺陷模式的1種。作為粗糙異常的發生主要原因，例如可思考在流路261的除去液的流通狀態(進一步是來自除去液噴嘴26的噴出狀態)發生異常等。
圖7是說明分析部115所實施的缺陷模式的區分的圖。分析部115是最初根據攝像部57的攝像畫像之比被除去烘烤前抗蝕膜的周緣部的區域更靠基板W的內周側的區域的各像素值，進行缺陷模式的區分。分析部115是對濺起異常、粗糙異常或其他的異常的任一個進行區分，作為缺陷模式。分析部115是在攝像畫像中，當比周緣部的區域更靠基板W的內周側的區域(圖6(a)的例子是抗蝕部RE)的各像素值成為離散性的值時，特定缺陷模式為濺起異常(第1缺陷模式)。
分析部115是在攝像畫像中，比周緣部的區域更靠基板W的內周側的區域(圖6(b)的例子是抗蝕部RE)的各像素值成為連續性的值時，特定缺陷模式為粗糙異常(第2缺陷模式)。如上述般，作為濺起異常的發生主要原因是可思考來自罩杯220的除去液的彈回或流路261的除去液的流通狀態(進一步是來自除去液噴嘴26的噴出狀態)。又，作為粗糙異常的發生主要原因是可思考流路261的除去液的流通狀態(進一步是來自除去液噴嘴26的噴出狀態)。分析部115是在濺起異常及粗糙異常皆無法區分時，特定缺陷模式為其他的異常。
分析部115是在根據攝像部57的攝像畫像，缺陷模式特定為濺起異常時，作為發生主要原因，懷疑來自罩杯220的除去液的彈回時，實施以下的第1缺陷解決處理。在第1缺陷解決處理中，分析部115是判定是否未進行涉及周緣部的除去的處方變更。並且，在第1缺陷解決處理中，分析部115是判定是否未進行罩杯220的類別變更，是否未進行溶劑的變更，是否在涉及周緣部的除去的處理單位(模組單位)無濺起異常的發生傾向等。
分析部115是在被進行處方變更時詳細調查處方的差異。又，分析部115是在被進行罩杯220的類別變更時，調查罩杯220的依賴關係，在被進行溶劑的變更時，檢討每個溶劑種類的處方最適化，有每個模組的發生傾向時，調查罩杯220的個體差。分析部115是在皆不符合時，可當作另1個的發生主要原因思考，特定流路261的除去液的流通狀態(進一步是來自除去液噴嘴26的噴出狀態)作為發生主要原因。另外，有關第1缺陷解決處理，亦可不是分析部115，全部藉由使用者(塗佈・顯像裝置2的使用者)來實施。
分析部115是在根據攝像部57的攝像畫像，缺陷模式為濺起異常，作為發生主要原因，懷疑流路261的除去液的流通狀態(進一步是來自除去液噴嘴26的噴出狀態)時，實施以下的第2缺陷解決處理。同樣，分析部115是在缺陷模式為粗糙異常時，實施以下的第2缺陷解決處理。在第2缺陷解決處理中，分析部115是根據特定後的缺陷模式的類別及塗佈單元U1的各種感測器81，82，83，84，85，86，90的觀測結果，特定異常主要原因(哪個的部位怎麼樣不好)。
此情況，分析部115是亦可從感測器81，82取得泵71的前後的流通狀態，從感測器83，84取得過濾器72的前後的流通狀態，從感測器85，86取得閥73的前後的流通狀態。分析部115是亦可在從感測器81，82取得的流通狀態為異常時，特定涉及泵71的異常主要原因。又，分析部115是亦可在從感測器83，84取得的流通狀態為異常時，特定涉及過濾器72的異常主要原因。又，分析部115是亦可在從感測器85，86取得的流通狀態為異常時特定涉及閥73的異常主要原因。
分析部115是例如亦可在各種感測器81，82，83，84，85，86含有流量計時，根據藉由流量計所計測的除去液的流量是否為預定的範圍內來特定異常主要原因。分析部115是當藉由流量計所計測的除去液的流量為預定的範圍外時，判定成對應於該流量計的構成的流通狀態差。
圖8是說明使用流量計的監視的圖。在圖8(a)~圖8(c)中，橫軸是時間，縱軸是表示流量計所示的流量，被二條的線所夾的流量的範圍是表示流量的正常的範圍。圖8(a)是表示流量計的通常波形(流量為正常的波形)。在圖8(a)所示的通常波形，是流量計所示的流量位於正常範圍內。
相對於此，在圖8(b)中，一度流量成為正常的範圍之後，馬上流量下降，之後流量繼續成為正常範圍外。如此的情況，可思考在流量計所對應的構成中發生噴出量變動。
又，在圖8(c)中，一時性地流量下降成為正常範圍外。如此的一時性的流量的減少是可思考例如在流量計所對應的構成中發生氣泡混入。當氣泡混入時，來自除去液噴嘴26的斷液會變差的同時液體會停滯於除去液噴嘴26的前端而容易在處理中落下。又，氣泡混入的除去液是在處理中容易產生混亂而有比預定更進入至內側的情形。
分析部115是在流量計的流量成為正常範圍外時，對於對應於該流量成為正常範圍外的流量計的構成，實施缺陷解決用的預定的對策處理。此時，例如，計測過濾器72的前後的流量的感測器83，84的流量計的計測結果成為正常範圍外時，分析部115是特定為過濾器72周邊的流通狀態差。此情況，分析部115是在連接至過濾器72的排水管(drain)及除去液噴嘴26中，僅特定的時間使實施淨化(purge)。
分析部115是在涉及基板W的處理前，至流量計的流量成為正常範圍內為止，使重複實施淨化。分析部115是當即使重複實施淨化也未見流量計的流量的變化時，判定成硬體的狀態不佳的可能性高。此情況，基板W的搬送處理等會被停止。
分析部115是例如在各種感測器81，82，83，84，85，86含有液壓感測器時，亦可根據藉由計測各構成的前後的液壓之一對的液壓感測器所計測的液壓的差分來特定異常主要原因。具體而言，分析部115是亦可根據藉由一對的液壓感測器所計測的液壓的差分是否為預定的範圍內來特定異常主要原因。分析部115是當藉由一對的液壓感測器所計測的液壓的差分為預定的範圍外時，判定成對應於該一對的液壓感測器的構成的流通狀態差。
圖9是說明使用液壓感測器的監視的圖。在圖9中，橫軸是時間，縱軸是表示藉由一對的液壓感測器所計測的液壓的差分，虛線是表示液壓的差分的臨界值。分析部115是如圖9所示般，當藉由一對的液壓感測器所計測的液壓的差分成為正常範圍外(臨界值以上)時，對於對應於該一對的液壓感測器的構成，實施為了解決缺陷的預定的對策處理。
此時，例如藉由計測過濾器72的前後的液壓的感測器83，84的液壓感測器(一對的液壓感測器)所計測的液壓的差分成為臨界值以上時，分析部115是特定為過濾器72周邊的流通狀態差。然後，分析部115是在連接至過濾器72的排水管及除去液噴嘴26中，僅特定的時間使實施淨化。分析部115是在涉及基板W的處理前，至藉由一對的液壓感測器所計測的液壓的差分成為正常範圍內為止，使重複實施淨化。分析部115是即使重複實施淨化，藉由一對的液壓感測器所計測的液壓的差分也不會成為臨界值以下時，判定成硬體的狀態不佳的可能性高。此情況，基板W的搬送處理等會被停止。
分析部115是例如在各種感測器81，82，83，84，85，86含有表面電位計時，亦可根據藉由計測各構成的前後的除去液的表面電位之一對的表面電位計所計測的除去液的表面電位來特定異常主要原因。具體而言，分析部115是根據藉由一對的表面電位計所計測的除去液的表面電位的差分是否為預定的範圍內來特定異常主要原因。分析部115是當藉由一對的表面電位計所計測的表面電位的差分為預定的範圍外時，判定成對應於該一對的表面電位計的構成的流通狀態差。
圖10是說明使用表面電位計的監視的圖。在圖10中，橫軸是時間，縱軸是表示藉由一對的表面電位計所計測的表面電位的差分(電位差)，虛線是表示電位差的臨界值。分析部115是如圖10所示般，當藉由一對的表面電位計所計測的電位差成為正常範圍外(臨界值以上)時，對於對應於該一對的表面電位計的構成，實施為了解決缺陷的預定的對策處理。
此時，例如可思考藉由計測閥73的前後的表面電位的感測器85，86的表面電位計(一對的表面電位計)所計測的電位差成為臨界值以上的情況。此情況，分析部115是特定為閥73周邊的流通狀態差，在連接至閥73的排水管的接地零件77使實施除電，僅一定的時間監視除電狀態。分析部115是在涉及基板W的處理前，至電位差成為正常範圍內為止，使重複實施除電。分析部115是當即使重複實施除電，電位差也不成為臨界值以下時，判定成硬體的狀態不佳的可能性高。此情況，基板W的搬送處理等會被停止。
分析部115是亦可例如藉由小型高速攝影機的感測器90來攝像，根據從除去液噴嘴26噴出的除去液的噴出(流通)狀態來特定異常主要原因。分析部115是例如在除去液噴嘴26的噴出開始時或斷液時，當感測器90的攝像畫像顯示除去液的液體聚集等時，判定為除去液噴嘴26的流通狀態差。此情況，分析部115是藉由調整涉及除去液噴嘴26的速度控制器(速度控制閥)的開度(調整噴出狀態)來解消上述液體聚集等。
另外，分析部115是亦可對使用者(塗佈・顯像裝置2的使用者)通知有關特定後的異常主要原因(哪個的部位怎麼樣不好)。此情況，分析部115是亦可使特定後的異常主要原因顯示於例如顯示器等的顯示裝置(未圖示)，藉此將異常主要原因通知使用者。
又，分析部115是亦可取得塗佈單元U1的各種感測器81，82，83，84，85，86，90之觀測結果的製程記錄表，根據該製程記錄表，藉由分批處理來實施複數的時間帶的異常主要原因各者的特定。
圖11是舉例表示控制部100的硬體構成的區塊圖。控制部100是藉由一個或複數的控制用電腦所構成。如圖11所示般，控制部100是具有電路190。電路190是包含至少一個的處理器191、記憶體192、儲存器(storage)193、輸出入埠194、輸入裝置195及顯示裝置196。
儲存器193是具有例如硬碟等可藉由電腦讀取的記憶媒體。儲存器193是記憶為了使基板處理裝置的資訊處理方法實行於控制部100的程式。例如儲存器193是記憶為了使上述的各機能區塊構成於控制部100的程式。
記憶體192是暫時性地記憶從儲存器193的記憶媒體下載的程式及處理器191的演算結果。處理器191是與記憶體192合作實行上述程式，藉此構成上述的各機能模組。輸出入埠194是按照來自處理器191的指令，在搬送臂A3、塗佈單元U1及檢查單元U3之間進行電氣訊號的輸出入。
輸入裝置195及顯示裝置196是作為控制部100的使用者介面機能。輸入裝置195是例如鍵盤等，取得使用者的輸入資訊。顯示裝置196是例如包含液晶監視器等，被使用在對於使用者的資訊顯示。顯示裝置196是例如被使用在上述主要原因資訊的顯示。輸入裝置195及顯示裝置196是亦可作為所謂觸控面板被一體化。
[缺陷解決處理程序] 以下，舉例表示控制部100之塗佈・顯像裝置2的控制程序(缺陷解決處理程序)，作為基板處理裝置的資訊處理方法之一例。以下，最初說明缺陷模式被特定為濺起異常且發生主要原因，懷疑來自罩杯220的除去液的彈回時的缺陷解決處理程序(參照圖12)。接著，說明缺陷模式被特定為濺起異常且發生主要原因，懷疑流路261的除去液的流通狀態(進一步是來自除去液噴嘴26的噴出狀態)時的缺陷解決處理程序(參照圖13)。最後，說明缺陷模式為粗糙異常時的缺陷解決處理程序(參照圖14)。另外，有關圖12所示的各處理是亦可其一部分或全部藉由使用者來實施。
在圖12所示的缺陷解決處理程序中，若發生濺起異常，則首先藉由控制部100來判定是否未進行涉及周緣部的除去的處方變更(步驟S1)。當被進行處方變更時，藉由控制部100來實施關於變更前後的處方的差異的調查(步驟S2)。
另一方面，當未進行處方變更時，藉由控制部100來判定是否未進行罩杯220的類別變更(步驟S3)。當被進行罩杯220的類別變更時，藉由控制部100來實施關於涉及濺起異常的罩杯220的依賴關係的調查(步驟S4)。
另一方面，當未被進行罩杯220的類別變更時，藉由控制部100來判定是否未進行溶劑的變更(步驟S5)。當被進行溶劑的變更時，藉由控制部100來實施每個溶劑類別的處方最適化。
另一方面，當未被進行溶劑的變更時，藉由控制部100來判定關於濺起異常的發生是否每個模組無發生傾向(步驟S7)。每個模組有發生傾向時，藉由控制部100來實施關於罩杯220的個體差的調查(步驟S8)。
另一方面，每個模組無發生傾向時，藉由控制部100來判定為需要流路261的除去液的流通狀態(進一步是來自除去液噴嘴26的噴出狀態)的異常主要原因調查(步驟S9)。此情況，實施圖13所示的處理。
在圖13所示的缺陷解決處理程序中，若發生濺起異常，則首先藉由控制部100來判定是否除去液噴嘴26的噴出位置僅預定量變化至外側，舉動變化(濺起異常是否減少)(步驟S11)。當舉動不變化時，藉由控制部100來實施罩杯220的調查(步驟S12)。
另一方面，當藉由除去液噴嘴26的噴出位置變更而舉動變化時，藉由控制部100來判定是否在流量計或液壓感測器的值無變化(是否未成為正常範圍外的值)(步驟S13)。當流量計或液壓感測器的值成為正常範圍外時，藉由控制部100來實施在用以排出氣泡的排水管部或除去液噴嘴26的前端的淨化處理(步驟S14)。
另一方面，當流量計或液壓感測器的值未成為正常範圍外時，藉由控制部100來判定在表面電位計的值是否無變化(是否未成為正常範圍外的值)(步驟S15)。當表面電位計的值成為正常範圍外時，藉由控制部100來實施設置在排水管側的構成的除電處理(步驟S16)。此情況，控制部100是亦可等待一定時間的經過來檢視除電狀態。
另一方面，當表面電位計的值未成為正常範圍外時，藉由控制部100來判定藉由小型高速攝影機的感測器90所攝像的除去液噴嘴26的斷液時的畫像是否未顯示異常(步驟S17)。顯示異常時，藉由控制部100來實施涉及除去液噴嘴26的速度控制器(速度控制閥)的開度的自動調整(步驟S18)。
另一方面，當除去液噴嘴26的斷液時的畫像未顯示異常時，藉由控制部100來調查其他的異常主要原因(例如涉及基板W的異常等)(步驟S19)。
圖14所示的缺陷處理程序(缺陷模式為粗糙異常時的缺陷解決處理程序)是與圖13所示的缺陷處理程序大概同樣。詳細，圖14的步驟S21~S27是與圖13的步驟S13~S19同樣。亦即，就圖14所示的缺陷解決處理程序而言，若發生粗糙異常，則首先藉由控制部100來判定是否在流量計或液壓感測器的值無變化(是否未成為正常範圍外的值)(步驟S21)。當流量計或液壓感測器的值成為正常範圍外時，藉由控制部100來實施在用以排出氣泡的排水管部或除去液噴嘴26的前端的淨化處理(步驟S22)。
另一方面，當流量計或液壓感測器的值未成為正常範圍外時，藉由控制部100來判定在表面電位計的值是否無變化(是否未成為正常範圍外的值)(步驟S23)。當表面電位計的值成為正常範圍外時，藉由控制部100來實行設置在排水管側的構成的除電處理(步驟S24)。此情況，控制部100是亦可等待一定時間的經過來監視除電狀態。
另一方面，當表面電位計的值未成為正常範圍外時，藉由控制部100來判定藉由小型高速攝影機的感測器90所攝像的除去液噴嘴26的斷液時的畫像是否顯示異常(步驟S25)。當顯示異常時，藉由控制部100來實施涉及除去液噴嘴26的速度控制器(速度控制閥)的開度的自動調整(步驟S26)。
另一方面，當除去液噴嘴26的斷液時的畫像未顯示異常時，藉由控制部100來調查其他的異常主要原因(例如涉及基板W的異常等)(步驟S27)。
[本實施形態的效果] 如以上說明般，塗佈・顯像裝置2(基板處理裝置)是具備： 對於基板W的周緣部噴出除去液的除去液噴嘴26；及 使除去液流通於除去液的供給源與除去液噴嘴26之間的處理液供給路的流路261。 又，塗佈・顯像裝置2是具備： 將基板W的周緣部攝像之檢查單元U3的攝像部57；及 被設在流路261，作為觀測流路261的除去液的流通狀態的觀測部之各種感測器81，82，83，84，85，86，90。 又，塗佈・顯像裝置2是具備：根據檢查單元U3的攝像部57的攝像畫像及各種感測器81，82，83，84，85，86，90的觀測結果，特定涉及除去液對於基板W的供給的異常主要原因之分析部115。
就本實施形態的塗佈・顯像裝置2而言，是根據被供給除去液的基板W的周緣部的攝像畫像及顯示流路261的除去液的流通狀態的觀測結果來特定涉及除去液對於基板W的供給的異常主要原因。若根據如此的塗佈・顯像裝置2，則例如可藉由攝像畫像來檢測除去液對於基板W的周緣部的供給狀態的異常而檢討異常主要原因。而且，若根據塗佈・顯像裝置2，則藉由實際考慮被設在流路261而觀測除去液的流通狀態之觀測部的觀測結果，可適切地特定流路261的哪個部位使發生處理液的供給狀態的異常。若如以上般根據本實施形態的塗佈・顯像裝置2，則可詳細且正確地(高精度地)特定涉及除去液的供給的異常主要原因。
攝像部57是攝取藉由除去液來除去膜的周緣部的畫像，分析部115是亦可根據畫像之比被除去膜的區域更靠基板W的內周側的區域的各像素值，特定缺陷模式，根據特定後的缺陷模式及上述觀測結果，特定異常主要原因。藉由依據除去液來考慮基板W的內周側的區域的各像素值，可適切地檢測出例如除去液的飛濺的狀態(濺起的發生)或除去液的膜的除去的不均所引起的凹凸(粗糙的發生)等的缺陷模式。藉由考慮如此的缺陷模式來特定異常主要原因，可更高精度地特定異常主要原因。
缺陷模式是亦可包含各像素值成為離散性的值的第1缺陷模式及各像素值成為連續性的值的第2缺陷模式，作為其類別。分析部115是亦可特定缺陷模式的類別的同時，根據特定後的缺陷模式的類別和泵71、過濾器72及閥73的至少一個的構成的前後的流通狀態，特定涉及上述各構成的異常主要原因。在根據攝像畫像檢測到缺陷(異常)時，各像素值取得離散性的值時是假想發生所謂的濺起(第1缺陷模式)。又，各像素值取得連續性的值時是假想發生所謂的粗糙(第2缺陷模式)。藉由加上如此的資訊，取得流路261的各構成的前後的流通狀態的觀測結果，可邊鎖定缺陷模式的詳細內容，邊詳細特定發生異常的部位，可更高精度地特定異常主要原因。
分析部115是亦可實施按每個特定後的異常主要原因而定的預定的對策處理。藉此，實施對應於異常主要原因的適當的對策處理，可合適地解消涉及除去液的供給的異常。
分析部115是亦可將特定後的異常主要原因通知使用者(塗佈・顯像裝置2的使用者)。藉此，可將在哪個部位發生異常等告知裝置的使用者，可催促該使用者朝異常的解消動作。
分析部115是亦可取得各種感測器81，82，83，84，85，86，90之觀測結果的製程記錄表，根據製程記錄表，藉由分批處理來實施複數的時間帶的異常主要原因各者的特定。藉此，可藉由分批處理來有效率地實施異常主要原因的特定。
在各種感測器81，82，83，84，85，86是含有計測除去液的流量的流量計，分析部115是亦可根據藉由流量計所計測的除去液的流量是否為預定的範圍內來特定異常主要原因。藉此，可適切地檢測出除去液的流量降低等，根據檢測出的資訊來高精度地特定異常主要原因。
在各種感測器81，82，83，84，85，86是含有一對的液壓感測器，分析部115是亦可根據藉由一對的液壓感測器所計測的除去液的液壓的差分是否為預定的範圍內來特定異常主要原因。藉此，可根據各種構成的前後的液壓的差分來高精度地特定異常主要原因。
在各種感測器81，82，83，84，85，86是含有一對的表面電位計，分析部115是亦可根據藉由一對的表面電位計所計測的除去液的表面電位的差分是否為預定的範圍內來特定異常主要原因。藉此，可根據各種構成的前後的表面電位的差分來高精度地特定異常主要原因。
2:塗佈・顯像裝置(基板處理裝置) 26:除去液噴嘴(噴嘴) 57:攝像部 81,82,83,84,85,86,90:感測器(觀測部) 115:分析部 261:流路(處理液供給路) W:基板
[圖1]是舉例表示基板處理系統的概略構成的模式圖。 [圖2]是舉例表示塗佈單元的概略構成的模式圖。 [圖3]是說明處理液供給路的監視構成的圖。 [圖4]是舉例表示檢查單元的概略構成的模式圖。 [圖5]是舉例表示控制部的機能性的構成的模式圖。 [圖6]是說明缺陷模式的具體的形態的濺起及粗糙的圖。 [圖7]是說明缺陷模式的區分的圖。 [圖8]是說明使用流量計的監視的圖。 [圖9]是說明使用液壓感測器的監視的圖。 [圖10]是說明使用表面電位計的監視的圖。 [圖11]是舉例表示控制部的硬體構成的模式圖。 [圖12]是表示起因於來自罩杯的彈回之濺起發生時的缺陷解決處理程序的流程圖。 [圖13]是表示起因於噴出異常之濺起發生時的缺陷解決處理程序的流程圖。 [圖14]是表示粗糙發生時的缺陷解決處理程序的流程圖。
26:除去液噴嘴(噴嘴)
81,82,83,84,85,86,90:感測器(觀測部)
72:過濾器
73,74,76:閥
75,77:接地零件

Claims (19)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵是具備： 對於基板的周緣部噴出處理液之噴嘴； 使前述處理液流通於前述處理液的供給源與前述噴嘴之間的處理液供給路； 將前述基板的周緣部攝像之攝像部； 被設在前述處理液供給路，觀測前述處理液供給路的前述處理液的流通狀態之觀測部；及 根據前述攝像部的攝像畫像與前述觀測部的觀測結果，特定涉及前述處理液對於前述基板的供給的異常主要原因之分析部。
  2. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中， 前述攝像部是攝取藉由前述處理液來除去膜的前述周緣部的畫像， 前述分析部是根據前述畫像之比被除去前述膜的區域更靠前述基板的內周側的區域的各像素值，特定缺陷模式，根據特定後的缺陷模式及前述觀測結果，特定前述異常主要原因。
  3. 如請求項2記載的基板處理裝置，其中， 前述缺陷模式是包含前述各像素值成為離散性的值的第1缺陷模式及前述各像素值成為連續性的值的第2缺陷模式，作為其類別， 前述觀測部是觀測被設在前述處理液供給路的閥、過濾器及泵的至少一個的構成的前後的前述流通狀態， 前述分析部是特定前述缺陷模式的類別的同時，根據特定後的前述缺陷模式的類別及前述至少一個的構成的前後的流通狀態，特定涉及前述構成的前述異常主要原因。
  4. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述分析部是實施按特定後的每個前述異常主要原因而定的預定的對策處理。
  5. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述分析部是將特定後的前述異常主要原因通知前述基板處理裝置的使用者。
  6. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述分析部是取得前述觀測部的前述觀測結果的製程記錄表，根據前述製程記錄表，藉由分批處理來實施涉及複數的時間帶的前述異常主要原因各者的特定。
  7. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述觀測部是包含計測前述處理液的流量的流量計， 前述分析部是根據藉由前述流量計所計測的前述處理液的流量是否為預定的範圍內來特定前述異常主要原因。
  8. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述觀測部是包含：計測被設在前述處理液供給路的閥、過濾器及泵的至少一個的構成的前後的前述處理液的液壓之第1及第2液壓感測器， 前述分析部是根據藉由前述第1及第2液壓感測器所計測的前述處理液的液壓的差分是否為預定的範圍內來特定前述異常主要原因。
  9. 如請求項1記載的基板處理裝置，其中，前述觀測部是包含：計測被設在前述處理液供給路的閥、過濾器及泵的至少一個的構成的前後的前述處理液的表面電位之第1及第2表面電位計， 前述分析部是根據藉由前述第1及第2表面電位計所計測的前述處理液的表面電位的差分是否為預定的範圍內來特定前述異常主要原因。
  10. 一種資訊處理方法，為處理基板處理裝置的資訊之資訊處理方法，該基板處理裝置是具備：對於基板的周緣部噴出處理液的噴嘴，及使前述處理液流通於前述處理液的供給源與前述噴嘴之間的處理液供給路， 其特徵是包含： 取得被供給前述處理液之後的前述基板的周緣部的攝像畫像之攝像步驟； 取得前述處理液供給路的前述處理液的流通狀態的觀測結果之觀測步驟；及 根據前述攝像畫像及前述觀測結果，特定涉及前述處理液對於前述基板的供給的異常主要原因之分析步驟。
  11. 如請求項10記載的資訊處理方法，其中， 在前述攝像步驟中，攝取藉由前述處理液來除去膜的前述周緣部的畫像， 在前述分析步驟中，根據前述畫像之比被除去前述膜的區域更靠前述基板的內周側的區域的各像素值，特定缺陷模式，根據特定後的缺陷模式及前述觀測結果，特定前述異常主要原因。
  12. 如請求項11記載的資訊處理方法，其中，前述缺陷模式是包含前述各像素值成為離散性的值的第1缺陷模式及前述各像素值成為連續性的值的第2缺陷模式，作為其類別， 在前述觀測步驟中，觀測被設在前述處理液供給路的閥、過濾器及泵的至少一個的構成的前後的前述流通狀態， 在前述分析步驟中，特定前述缺陷模式的類別的同時，根據特定後的前述缺陷模式的類別及前述至少一個的構成的前後的流通狀態，特定涉及前述構成的前述異常主要原因。
  13. 如請求項10記載的資訊處理方法，其中，在前述分析步驟中，實施按特定後的每個前述異常主要原因而定的預定的對策處理。
  14. 如請求項10記載的資訊處理方法，其中，在前述分析步驟中，將特定後的前述異常主要原因通知前述基板處理裝置的使用者。
  15. 如請求項10記載的資訊處理方法，其中，在前述分析步驟中，取得前述觀測步驟的前述觀測結果的製程記錄表，根據前述製程記錄表，藉由分批處理來實施涉及複數的時間帶的前述異常主要原因各者的特定。
  16. 如請求項10記載的資訊處理方法，其中，在前述分析步驟中，根據藉由計測前述處理液的流量的流量計所計測的前述處理液的流量是否為預定的範圍內來特定前述異常主要原因。
  17. 如請求項10記載的資訊處理方法，其中，在前述分析步驟中，根據藉由計測被設在前述處理液供給路的閥、過濾器及泵的至少一個的構成的前後的前述處理液的液壓之第1及第2液壓感測器所計測的前述處理液的液壓的差分是否為預定的範圍內來特定前述異常主要原因。
  18. 如請求項10記載的資訊處理方法，其中，在前述分析步驟中，根據藉由計測被設在前述處理液供給路的閥、過濾器及泵的至少一個的構成的前後的前述處理液的表面電位之第1及第2表面電位計所計測的前述處理液的表面電位的差分是否為預定的範圍內來特定前述異常主要原因。
  19. 一種記憶媒體，是記憶用以使資訊處理方法實行於裝置的程式之電腦可讀取的記憶媒體，其特徵為： 前述資訊處理方法是處理基板處理裝置的資訊之資訊處理方法，該基板處理裝置是具備：對於基板的周緣部噴出處理液的噴嘴，及使前述處理液流通於前述處理液的供給源與前述噴嘴之間的處理液供給路， 包含： 取得被供給前述處理液之後的前述基板的周緣部的攝像畫像之攝像步驟； 取得前述處理液供給路的前述處理液的流通狀態的觀測結果之觀測步驟；及 根據前述攝像畫像及前述觀測結果，特定涉及前述處理液對於前述基板的供給的異常主要原因之分析步驟。
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JP2004179211A (ja) * 2002-11-25 2004-06-24 Nec Kansai Ltd レジスト塗布装置のエッジリンス機構
JP5459279B2 (ja) * 2011-09-02 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6332095B2 (ja) * 2015-03-20 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 薬液供給装置の調整方法、記憶媒体及び薬液供給装置
JP6754247B2 (ja) * 2016-08-25 2020-09-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 周縁部処理装置および周縁部処理方法
JP2019096669A (ja) 2017-11-20 2019-06-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び塗布モジュールのパラメータの調整方法並びに記憶媒体
JP6733830B1 (ja) * 2019-06-11 2020-08-05 株式会社安川電機 制御システム、監視装置、監視方法、及びプログラム

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