CN117678052A - 基片处理装置、信息处理方法和存储介质 - Google Patents

基片处理装置、信息处理方法和存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN117678052A
CN117678052A CN202280050790.7A CN202280050790A CN117678052A CN 117678052 A CN117678052 A CN 117678052A CN 202280050790 A CN202280050790 A CN 202280050790A CN 117678052 A CN117678052 A CN 117678052A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
abnormality
liquid
unit
cause
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280050790.7A
Other languages
English (en)
Inventor
下青木刚
中野响
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN117678052A publication Critical patent/CN117678052A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
    • G01R29/12—Measuring electrostatic fields or voltage-potential
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

涂敷/显影装置包括：用于对基片的周缘部释放除去液的除去液喷嘴；流路，其为用于使除去液在除去液的供给源与除去液喷嘴之间流通的处理液供给路径；检查单元的拍摄部，其用于对基片的周缘部进行拍摄；设置在流路中的作为观测部的各种传感器，其用于对流路中的除去液的流通状态进行观测；和分析部，其用于基于检查单元的拍摄部的拍摄图像和各种传感器的观测结果，来确定与除去液向基片(W)的供给相关的异常原因。

Description

基片处理装置、信息处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及基片处理装置、信息处理方法和存储介质。
背景技术
专利文献1中公开了将调整用的半导体晶片在涂敷模块中利用处理液进行处理之后，输送到拍摄模块，对半导体晶片的外端面和背面进行拍摄。另外，专利文献1中公开了基于拍摄结果来判断涂敷膜的外缘相对于斜面部的内缘的高度尺寸是否为容许值，在不是容许值的情况下对涂敷模块的转速进行调整。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-96669号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供能够详细并且准确地确定与处理液的供给相关的异常原因的基片处理装置。
用于解决技术问题的手段
本发明的一个方面的基片处理装置包括：用于对基片的周缘部释放处理液的喷嘴；用于使处理液在处理液的供给源与喷嘴之间流通的处理液供给路径；用于对基片的周缘部进行拍摄的拍摄部；设置在处理液供给路径中的观测部，其用于对处理液供给路径中的处理液的流通状态进行观测；和分析部，其用于基于拍摄部的拍摄图像和观测部的观测结果，来确定与处理液向基片的供给相关的异常原因。
发明效果
采用本发明，能够提供能够详细并且准确地确定与处理液的供给相关的异常原因的基片处理装置。
附图说明
图1是例示基片处理系统的概略结构的示意图。
图2是例示涂敷单元的概略结构的示意图。
图3是对处理液供给路径中的监视结构进行说明的图。
图4是例示检查单元的概略结构的示意图。
图5是例示控制部的功能结构的示意图。
图6是对作为缺陷模式的具体方式的飞溅和粗糙进行说明的图。
图7是对缺陷模式的划分进行说明的图。
图8是对使用流量计的监视进行说明的图。
图9是对使用液压传感器的监视进行说明的图。
图10是对使用表面电位计的监视进行说明的图。
图11是例示控制部的硬件结构的示意图。
图12是表示由从杯形部弹回引起的飞溅发生时的缺陷解决处理流程的流程图。
图13是表示由释放异常引起的飞溅发生时的缺陷解决处理流程的流程图。
图14是表示粗糙产生时的缺陷解决处理流程的流程图。
具体实施方式
下面，参照附图对实施方式进行详细说明。在说明中，对相同要素或具有相同功能的要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
[基片处理系统]
基片处理系统1是对基片实施感光性覆膜的形成、该感光性覆膜的曝光和该感光性覆膜的显影的系统。作为处理对象的基片，可举出半导体晶片、玻璃基片、掩模基片或FPD(Flat Panel Display：平板显示器)等。基片也包括在半导体晶片等上在前段的处理中形成覆膜等而得到的基片。
如图1所示，基片处理系统1包括涂敷/显影装置2和曝光装置3。曝光装置3用于进行形成在基片W上的抗蚀剂膜(感光性覆膜)的曝光处理。基片W例如为圆形，在周缘部具有作为周向上的位置的基准的位置指标(例如凹口)。具体而言，曝光装置3能够利用液浸曝光等方法对抗蚀剂膜的曝光对象部分照射能量射线。涂敷/显影装置2用于在由曝光装置3进行的曝光处理之前，进行在基片W的表面形成抗蚀剂膜的处理，在曝光处理后进行抗蚀剂膜的显影处理。
[基片处理装置]
下面，作为基片处理装置的一个例子，对涂敷/显影装置2的结构进行说明。涂敷/显影装置2包括承载器块4、处理块5、接口块6和控制部100。
承载器块4用于进行基片W向涂敷/显影装置2内的导入和基片W从涂敷/显影装置2内的导出。例如承载器块4能够支承基片W用的多个承载器C(收纳部)，内置有交接臂A1。承载器C例如能够收纳圆形的多块基片W。交接臂A1能够从承载器C取出基片W以将其交接至处理块5，并从处理块5接收基片W以将其返回到承载器C内。
处理块5具有多个处理模块11、12、13、14。处理模块11内置有多个涂敷单元U1、多个热处理单元U2和用于向这些单元输送基片W的输送臂A3。
处理模块11能够利用涂敷单元U1和热处理单元U2在基片W的表面上形成下层膜。涂敷单元U1能够在基片W上涂敷下层膜形成用的处理液。热处理单元U2能够进行与下层膜的形成相伴的各种热处理。热处理单元U2例如内置有热板和冷却板，能够利用热板对基片W进行加热、并利用冷却板对加热后的基片W进行冷却来进行热处理。
处理模块12(成膜处理部)内置有多个涂敷单元U1、多个热处理单元U2、多个检查单元U3、和用于向这些单元输送基片W的输送臂A3。处理模块12能够利用涂敷单元U1和热处理单元U2在下层膜上形成抗蚀剂膜。涂敷单元U1能够通过在下层膜上涂敷抗蚀剂膜形成用的处理液，在基片W的表面形成覆膜。下面，将该覆膜称为“烘烤前抗蚀剂膜”。热处理单元U2能够进行与抗蚀剂膜的形成相伴的各种热处理。由此，烘烤前抗蚀剂膜成为抗蚀剂膜。
涂敷单元U1能够将抗蚀剂膜的至少一部分(详细而言，为基片W的周缘部)除去。将抗蚀剂膜的至少一部分除去，包括在由热处理单元U2进行的热处理之前，将烘烤前抗蚀剂膜的一部分除去。例如，涂敷单元U1通过在基片W的表面形成烘烤前抗蚀剂膜之后，向基片W的周缘部供给除去液，来将烘烤前抗蚀剂膜的周缘部除去。
检查单元U3能够进行用于检查基片W的表面Wa(参照图2)的状态的处理。例如，检查单元U3获取表示基片W的表面Wa的状态的信息。表示表面Wa的状态的信息，包括基片W中的抗蚀剂膜被除去了的部分(基片W的周缘部)的信息。
处理模块13内置有多个涂敷单元U1、多个热处理单元U2、和用于向这些单元输送基片W的输送臂A3。处理模块13能够利用涂敷单元U1和热处理单元U2在抗蚀剂膜上形成上层膜。处理模块13的涂敷单元U1能够在抗蚀剂膜上涂敷上层膜形成用的液体。处理模块13的热处理单元U2能够进行与上层膜的形成相伴的各种热处理。
处理模块14内置有多个显影单元U4、多个热处理单元U5、和用于向这些单元输送基片W的输送臂A3。处理模块14能够利用显影单元U4和热处理单元U5进行曝光后的抗蚀剂膜的显影处理。显影单元U4通过在已曝光的基片W的表面上涂敷显影液之后，利用冲洗液对其进行冲洗，来进行抗蚀剂膜的显影处理。热处理单元U5能够进行与显影处理相伴的各种热处理。作为热处理的具体例，可以列举显影处理前的加热处理(PEB：Post ExposureBake)、显影处理后的加热处理(PB：Post Bake)等。
在处理块5内的承载器块4侧设置有搁板单元U10。搁板单元U10被划分为在上下方向上排列的多个单元格(cell)。在搁板单元U10的附近设置有升降臂A7。升降臂A7能够使基片W在搁板单元U10的单元格彼此之间升降。
在处理块5内的接口块6侧设置有搁板单元U11。搁板单元U11被划分为在上下方向上排列的多个单元格。
接口块6能够在其与曝光装置3之间进行基片W的交接。例如接口块6内置有交接臂A8，且与曝光装置3连接。交接臂A8能够将配置在搁板单元U11的基片W交接至曝光装置3，从曝光装置3接收基片W并使其返回到搁板单元U11。
控制部100能够控制涂敷/显影装置2中包含的各要素。下面，例示控制部100对一块基片W执行的一系列的控制流程。例如控制部100首先控制交接臂A1以使得将承载器C内的基片W输送到搁板单元U10，并控制升降臂A7以使得将该基片W配置在处理模块11用的单元格。
接着，控制部100控制输送臂A3以使得将搁板单元U10的基片W输送到处理模块11内的涂敷单元U1和热处理单元U2。另外，控制部100控制涂敷单元U1和热处理单元U2以使得在该基片W的表面上形成下层膜。之后，控制部100控制输送臂A3以使得形成有下层膜的基片W返回到搁板单元U10，并控制升降臂A7以使得将该基片W配置在处理模块12用的单元格。
接着，控制部100控制输送臂A3以使得将搁板单元U10的基片W输送到处理模块12内的涂敷单元U1和热处理单元U2。另外，控制部100控制涂敷单元U1和热处理单元U2以使得在该基片W的下层膜上形成抗蚀剂膜。进而，控制部100控制涂敷单元U1以使得在基片W的下层膜上形成上述烘烤前抗蚀剂膜，并将烘烤前抗蚀剂膜的周缘部除去，控制热处理单元U2以使得对基片W实施用于使烘烤前抗蚀剂膜成为抗蚀剂膜的热处理。
进而，控制部100控制输送臂A3以使得将基片W输送到检查单元U3，从检查单元U3获取表示该基片W的表面的状态的信息。之后，控制部100控制输送臂A3以使得将基片W返回到搁板单元U10，并控制升降臂A7以使得将该基片W配置在处理模块13用的单元格。
接着，控制部100控制输送臂A3以使得将搁板单元U10的基片W输送到处理模块13内的各单元，并控制涂敷单元U1和热处理单元U2以使得在该基片W的抗蚀剂膜上形成上层膜。之后，控制部100控制输送臂A3以使得将基片W输送到搁板单元U11。
接着，控制部100控制交接臂A8以使得将搁板单元U11的基片W送出到曝光装置3。之后，控制部100控制交接臂A8以使得从曝光装置3接收被实施了曝光处理的基片W，并将其配置在搁板单元U11中的处理模块14用的单元格。
接着，控制部100控制输送臂A3以使得将搁板单元U11的基片W输送到处理模块14内的显影单元U4和热处理单元U5，并控制显影单元U4和热处理单元U5以使得对该基片W的抗蚀剂膜实施显影处理。之后，控制部100控制输送臂A3以使得将基片W返回到搁板单元U10，并控制升降臂A7和交接臂A1以使得将该基片W返回到承载器C内。通过上述操作，对1块基片W的一系列的控制流程完成。
[涂敷单元]
接着，对处理模块12中的涂敷单元U1的结构的一个例子进行详细说明。如上所述，涂敷单元U1能够向基片W的表面Wa供给抗蚀剂膜形成用的处理液，形成上述烘烤前抗蚀剂膜。另外，涂敷单元U1能够通过在基片W的表面Wa形成烘烤前抗蚀剂膜之后，向基片W的周缘部供给除去液，来将烘烤前抗蚀剂膜的周缘部除去。
如图2所示，涂敷单元U1具有旋转保持部20。旋转保持部20能够保持基片W并使其旋转。例如，旋转保持部20具有保持部21和旋转驱动部22。保持部21是能够支承以表面朝向上方的状态水平地配置的基片W并通过吸附(例如真空吸附)来保持该基片W的旋转卡盘。旋转驱动部22例如以电动马达作为动力源，使保持部21绕铅垂的旋转中心旋转。由此，基片W旋转。
在被保持在保持部21的基片W的周围设置有杯形部220，杯形部220的下方侧能够经由排气管221进行排气，并且与排液管222连接。另外，在保持部21的下方侧以包围轴的方式设置有圆形板213，在该圆形板213的周围形成有截面形状为山型的环状的山型部214。在该山型部214的顶部设置有用于抑制在杯形部220内流动的雾向基片W的背面侧流入的突片部215。
涂敷单元U1具有：用于释放涂敷液的涂敷液喷嘴24；和用于释放作为涂敷液的溶剂的溶剂喷嘴25。涂敷液喷嘴24经由具有开闭阀V1的流路241与涂敷液供给机构242连接。溶剂喷嘴25是在向基片W释放涂敷液之前进行的前处理中使用的喷嘴，经由具有开闭阀V2的流路251与溶剂供给机构252连接。这些涂敷液喷嘴24和溶剂喷嘴25能够由未图示的移动机构在基片W的中心部上与杯形部220的外侧的退避位置之间移动。
而且，涂敷单元U1具有：作为基片W的周缘部的膜除去用的喷嘴的除去液喷嘴26、斜面部的膜除去用的斜面清洗喷嘴27、和背面清洗喷嘴28。除去液喷嘴26是用于对基片W的周缘部释放除去液(处理液)的EBR(Edge Bead Removal)喷嘴。除去液喷嘴26以除去液向基片W的旋转方向的下游侧去的方式，向被保持在保持部21的基片W的比斜面部靠内侧位置的表面释放除去液。除去液喷嘴26例如形成为直管状，其前端作为除去液的释放口而开口。该除去液喷嘴26能够由未图示的移动机构在例如向基片W的周缘部释放除去液的处理位置与杯形部220的外侧的退避位置之间移动。
斜面清洗喷嘴27能够从被保持在保持部21的基片W的背面侧向斜面部释放除去液。该斜面清洗喷嘴27能够沿着基座271移动，基座271例如设置在形成于山型部214的未图示的缺口部。
背面清洗喷嘴28能够向被保持在保持部21的基片W的比斜面部靠内侧位置的背面释放清洗液。背面清洗喷嘴28构成为例如在向基片W释放清洗液时，该清洗液在基片W上的着落点与距基片W的外缘例如70mm的位置相比位于内侧。斜面清洗喷嘴27和背面清洗喷嘴28例如在涂敷单元U1中各设置有2个。
该例中的除去液和清洗液均为涂敷膜的溶剂，除去液喷嘴26经由具有开闭阀V3的流路261与溶剂供给机构252连接。这样，流路261是作为处理液的除去液的供给路径(处理液供给路径)，能够使除去液在作为除去液的供给源的溶剂供给机构252与除去液喷嘴26之间流通。另外，斜面清洗喷嘴27经由具有开闭阀V4的流路275与溶剂供给机构252连接。另外，背面清洗喷嘴28经由具有开闭阀V5的流路281与溶剂供给机构252连接。
(处理液供给路径)
参照图3，对作为处理液供给路径的流路261中的监视结构进行说明。在流路261中，例如从上游侧向下游侧去配置有用于对来自供给源的除去液(处理液)进行压送的泵71、过滤器72和阀73。即，由泵71压送的除去液，通过过滤器72，并通过打开状态的阀73而到达除去液喷嘴26(参照图2)。
如上所述，除去液喷嘴26能够对基片W的周缘部释放除去液。另外，过滤器72经由阀74与排液部相连。也可以在该排液部设置有导电性的接地部件75。另外，流路261中的阀73的下游且除去液喷嘴26的上游的部分经由阀76与排液部相连。也可以在该排液部设置有导电性的接地部件77。
涂敷单元U1包括设置在作为处理液供给路径的流路261中的、用于对流路261中的除去液(处理液)的流通状态进行观测的各种传感器81、82、83、84、85、86、90(观测部)。传感器81、82是用于对设置在流路261中的泵71的前后的除去液的流通状态进行观测的传感器。传感器83、84是用于对设置在流路261中的过滤器72的前后的除去液的流通状态进行观测的传感器。传感器85、86是用于对设置在流路261中的阀73的前后的除去液的流通状态进行观测的传感器。
传感器81、82、83、84、85、86例如可以是用于测量除去液的流量的流量计、用于测量除去液的液压的液压传感器、和用于测量除去液的表面电位的表面电位计中的任一者。传感器81、82、83、84、85、86将观测结果发送至控制部100。传感器90是用于对经过流路261从除去液喷嘴26释放的除去液的释放(流通)状态进行观测的传感器，例如为小型高速摄像机。传感器90在为小型高速摄像机的情况下，能够对除去液喷嘴26的释放状态进行拍摄，并将拍摄结果发送至控制部100。
[检查单元]
接着，对检查单元U3的结构的一个例子进行详细说明。检查单元U3能够通过对基片W的表面Wa进行拍摄来获取图像数据作为表示表面Wa的状态的表面信息。如图4所示，检查单元U3具有保持部51、旋转驱动部52、位置指标检测部53和拍摄部57。
保持部51能够支承以表面Wa朝向上方的状态水平地配置的基片W，并通过吸附(例如真空吸附)来保持该基片W。旋转驱动部52例如能够通过电动马达等动力源使保持部51绕铅垂的旋转中心旋转。由此，基片W旋转。
位置指标检测部53能够检测基片W的凹口。例如，位置指标检测部53具有投光部55和受光部56。投光部55能够向旋转的基片W的周缘部射出光。例如，投光部55配置在基片W的周缘部的上方，向下方射出光。受光部56接收由投光部55射出的光。例如，受光部56以与投光部55相对的方式配置在基片W的周缘部的下方。
拍摄部57是能够对基片W的表面Wa的至少周缘部进行拍摄的摄像机。例如，拍摄部57能够对基片W的表面Wa中的没有形成抗蚀剂膜(烘烤前抗蚀剂膜被除去了)的周缘部进行拍摄。例如拍摄部57配置在被保持在保持部51的基片W的周缘部的上方，朝向下方。拍摄部57将拍摄结果发送至控制部100。
[控制部]
上述的涂敷单元U1和检查单元U3由控制部100控制。控制部100对涂敷单元U1和检查单元U3的控制流程，包括使涂敷单元U1将在基片W的表面Wa形成的抗蚀剂膜的周缘部除去的步骤。而且，控制部100的控制流程包括从检查单元U3获取被供给除去液后的基片W的周缘部的拍摄图像的步骤。而且，控制部100的控制流程包括从涂敷单元U1获取作为除去液(处理液)供给路径的流路261中的除去液的流通状态的观测结果的步骤。而且，控制部100的控制流程包括基于拍摄图像和观测结果来确定与除去液向基片W的供给相关的异常原因的步骤。
确定与除去液的供给相关的异常原因是指，在除去液的供给发生了异常的情况下，关于该异常的发生，确定哪个部位出了什么问题。
下面，参照图5，具体地例示用于控制涂敷单元U1和检查单元U3的控制部100的结构。如图5所示，控制部100，作为功能上的构成要素(下面，称为“功能块”)，具有输送控制部111、成膜控制部112、周缘除去部113、存储部114和分析部115。
输送控制部111能够基于存储部114存储的动作程序来控制输送臂A3以使得输送基片W。输送臂A3的动作程序包含由至少一个控制参数定义的时间序列的命令。作为至少一个控制参数的具体例，可以列举基片W的输送目标位置和向该输送目标位置的移动速度等。
成膜控制部112能够基于存储部114存储的动作程序，控制涂敷单元U1以使得在基片W的表面形成烘烤前抗蚀剂膜。周缘除去部113能够基于存储部114存储的动作程序，控制涂敷单元U1以使得将烘烤前抗蚀剂膜的周缘部除去。
分析部115能够基于拍摄部57的拍摄结果(被供给除去液之后的周缘部的拍摄图像)和涂敷单元U1的各种传感器81、82、83、84、85、86、90的观测结果，来确定与除去液向基片W的供给相关的异常原因。
分析部115首先例如可以基于拍摄部57的拍摄图像中的、比烘烤前抗蚀剂膜被除去了的周缘部的区域靠基片W的内周侧的区域的各像素值来确定缺陷模式。此处的内周侧的区域是比周缘部的区域靠内侧的、设想烘烤前抗蚀剂膜没有被除去的区域。
图6是对作为缺陷模式的具体方式的飞溅(图6的(a))和粗糙(图6的(b))进行说明的图。如图6的(a)、(b)所示，在周缘部的烘烤前抗蚀剂膜被除去液除去了的状态下，从基片W的外周侧向内周侧去，依次形成有斜面部BE、烘烤前抗蚀剂膜被除去了的周缘部PE、抗蚀剂部RE。
在此，在图6的(a)所示的方式中，由于某些异常，除去液的飞溅SP飞散到了抗蚀剂部RE的一部分。这样的飞溅异常是缺陷模式的一种。作为飞溅异常的产生原因，例如可以考虑与杯形部220碰撞了1次的除去液的反弹飞散到抗蚀剂部RE、流路261中的除去液的流通状态(进而，从除去液喷嘴26的释放状态)产生了异常等。
另外，在图6的(b)所示的方式中，在周缘部PE的与抗蚀剂部RE的边界面产生了表面粗糙地形成为凸凹的粗糙部RO。这样的粗糙异常是缺陷模式的一种。作为粗糙异常的产生原因，例如可以考虑流路261中的除去液的流通状态(进而，从除去液喷嘴26的释放状态)产生了异常等。
图7是对分析部115实施的缺陷模式的划分进行说明的图。分析部115首先基于拍摄部57的拍摄图像中的、比烘烤前抗蚀剂膜被除去了的周缘部的区域靠基片W的内周侧的区域的各像素值来进行缺陷模式的划分。分析部115将缺陷模式划分为飞溅异常、粗糙异常或其它异常中的任一者。分析部115在拍摄图像中，比周缘部的区域靠基片W的内周侧的区域(在图6的(a)的例子中是抗蚀剂部RE)的各像素值为离散值的情况下，确定为缺陷模式是飞溅异常(第一缺陷模式)。
分析部115在拍摄图像中，比周缘部的区域靠基片W的内周侧的区域(在图6的(b)的例子中是抗蚀剂部RE)的各像素值为连续值的情况下，确定为缺陷模式是粗糙异常(第二缺陷模式)。如上所述，作为飞溅异常的产生原因，可以考虑除去液从杯形部220弹回、或者流路261中的除去液的流通状态(进而，从除去液喷嘴26的释放状态)。另外，作为粗糙异常的产生原因，可以考虑流路261中的除去液的流通状态(进而，从除去液喷嘴26的释放状态)。分析部115在无法划分为飞溅异常和粗糙异常的情况下，确定为缺陷模式是其它异常。
分析部115在基于拍摄部57的拍摄图像确定为缺陷模式是飞溅异常的情况下，在怀疑产生原因是除去液从杯形部220弹回的情况下，实施下述的第一缺陷解决处理。在第一缺陷解决处理中，分析部115判断是否没有进行与周缘部的除去相关的方案改变。另外，在第一缺陷解决处理中，分析部115判断是否没有进行杯形部220的种类改变、是否没有进行溶剂的改变、在与周缘部的除去相关的处理单元(模块单元)中是否没有飞溅异常的发生趋势等。
分析部115在进行了方案改变的情况下对方案的差异进行详细调查。另外，分析部115在进行了杯形部220的种类改变的情况下对杯形部220的依赖性进行调查，在进行了溶剂的改变的情况下对每种溶剂的方案最优化进行研究，在有每个模块的发生趋势的情况下对杯形部220的个体差异进行调查。分析部115在均不符合上述任一者的情况下，将可以被认为是另一个产生原因的、流路261中的除去液的流通状态(进而，从除去液喷嘴26的释放状态)确定为产生原因。此外，关于第一缺陷解决处理，也可以不是由分析部115实施，而是全部由用户(涂敷/显影装置2的使用者)实施。
分析部115在基于拍摄部57的拍摄图像确定缺陷模式为飞溅异常、并怀疑产生原因是流路261中的除去液的流通状态(进而，从除去液喷嘴26的释放状态)的情况下，实施下述的第二缺陷解决处理。同样地，分析部115在缺陷模式为粗糙异常的情况下，实施下述的第二缺陷解决处理。在第二缺陷解决处理中，分析部115基于所确定的缺陷模式的类别和涂敷单元U1的各种传感器81、82、83、84、85、86、90的观测结果，来确定异常原因(哪个部位出了什么问题)。
在该情况下，分析部115可以从传感器81、82获取泵71的前后的流通状态，从传感器83、84获取过滤器72的前后的流通状态，从传感器85、86获取阀73的前后的流通状态。分析部115可以在从传感器81、82获取的流通状态异常的情况下，确定与泵71相关的异常原因。另外，分析部115可以在从传感器83、84获取的流通状态异常的情况下，确定与过滤器72相关的异常原因。另外，分析部115可以在从传感器85、86获取的流通状态异常的情况下，确定与阀73相关的异常原因。
分析部115例如可以在各种传感器81、82、83、84、85、86中包含流量计的情况下，基于由流量计测量的除去液的流量是否在规定的范围内，来确定异常原因。在由流量计测量的除去液的流量在规定的范围外的情况下，分析部115判断为与该流量计对应的结构(部件)的流通状态差。
图8是对使用流量计的监视进行说明的图。在图8的(a)～图8的(c)中，横轴表示时间，纵轴表示流量计所示的流量，被两条线夹着的流量的范围表示流量的正常范围。图8的(a)表示流量计中的通常波形(流量正常的波形)。在图8的(a)所示的通常波形中，流量计所示的流量处于正常范围内。
而在图8的(b)中，在流量一次成为正常的范围之后，流量立即下降，之后流量持续处于正常范围外。在这样的情况下，可认为在流量计所对应的结构(部件)中产生了释放量变动。
另外，在图8的(c)中，流量暂时下降而成为正常范围外。这样的暂时的流量的减少，例如可以考虑在流量计所对应的结构(部件)中产生了气泡混入。在混入了气泡的情况下，来自除去液喷嘴26的液中断会变差，并且液体会积存在除去液喷嘴26的前端而容易在处理中落下。另外，混入了气泡的除去液有时在处理中容易产生紊乱而进入比预定位置靠内侧的位置。
在流量计的流量处于正常范围外的情况下，分析部115对与该流量处于正常范围外的流量计对应的结构(部件)实施用于缺陷解决的规定的对策处理。现在，例如，在用于测量过滤器72的前后的流量的传感器83、84的流量计的测量结果在正常范围外的情况下，分析部115确定过滤器72周边的流通状态差。在该情况下，分析部115在与过滤器72相连的排液部和除去液喷嘴26中，以特定的时间实施吹扫。
分析部115在与基片W相关的处理前，反复实施吹扫，直到流量计的流量成为正常范围内为止。分析部115在即使反复实施吹扫也没看到流量计的流量的变化的情况下，判断为硬件的不良情况的可能性高。在该情况下，停止基片W的输送处理等。
分析部115例如在各种传感器81、82、83、84、85、86中包含液压传感器的情况下，可以基于由用于测量各结构(部件)的前后的液压的一对液压传感器测量的液压的差来确定异常原因。具体而言，分析部115可以基于由一对液压传感器测量的液压的差是否在规定的范围内，来确定异常原因。在由一对液压传感器测量的液压的差在规定的范围外的情况下，分析部115判断为与该一对液压传感器对应的结构(部件)的流通状态差。
图9是对使用液压传感器的监视进行说明的图。在图9中，横轴表示时间，纵轴表示由一对液压传感器测量的液压的差，虚线表示液压的差的阈值。如图9所示，在由一对液压传感器测量的液压的差在正常范围外(阈值以上)的情况下，分析部115对与该一对液压传感器对应的结构(部件)实施用于缺陷解决的规定的对策处理。
现在，例如在由用于测量过滤器72的前后的液压的传感器83、84的液压传感器(一对液压传感器)测量的液压的差为阈值以上的情况下，分析部115确定为过滤器72周边的流通状态差。然后，分析部115在与过滤器72相连的排液部和除去液喷嘴26中，以特定的时间实施吹扫。分析部115在与基片W相关的处理前，反复实施吹扫，直到由一对液压传感器测量的液压的差成为正常范围内。分析部115在即使反复实施吹扫由一对液压传感器测量的液压的差也不成为阈值以下的情况下，判断为硬件的不良情况的可能性高。在该情况下，停止基片W的输送处理等。
分析部115例如在各种传感器81、82、83、84、85、86中包含表面电位计的情况下，可以基于由用于测量各结构(部件)的前后的除去液的表面电位的一对表面电位计测量的除去液的表面电位来确定异常原因。具体而言，分析部115可以基于由一对表面电位计测量的除去液的表面电位的差是否在规定的范围内，来确定异常原因。分析部115在由一对表面电位计测量的表面电位的差在规定的范围外的情况下，判断为与该一对表面电位计对应的结构(部件)的流通状态差。
图10是对使用表面电位计的监视进行说明的图。在图10中，横轴表示时间，纵轴表示由一对表面电位计测量的表面电位的差(电位差)，虚线表示电位差的阈值。在如图10所示的那样，由一对表面电位计测量的电位差为正常范围外(阈值以上)的情况下，分析部115对与该一对表面电位计对应的结构(部件)实施用于缺陷解决的规定的对策处理。
现在，例如考虑由用于测量阀73的前后的表面电位的传感器85、86的表面电位计(一对表面电位计)测量的电位差为阈值以上的情况。在该情况下，分析部115确定为阀73周边的流通状态差，在与阀73相连的排液部的接地部件77中实施除电，在一定的时间内监视除电状态。分析部115在与基片W相关的处理前，反复实施除电，直至电位差成为正常范围内。分析部115在即使反复实施除电，电位差也不成为阈值以下的情况下，判断为硬件的不良情况的可能性高。在该情况下，停止基片W的输送处理等。
分析部115例如也可以基于由作为小型高速摄像机的传感器90拍摄到的、从除去液喷嘴26释放的除去液的释放(流通)状态来确定异常原因。分析部115例如在除去液喷嘴26的释放开始时或液断开时，传感器90的拍摄图像显示出了除去液的液体积存等的情况下，判断为除去液喷嘴26的流通状态差。在该情况下，分析部115通过调整与除去液喷嘴26相关的速度控制器(速度控制阀)的开度(调整释放状态)，来消除上述液体积存等。
此外，分析部115可以将所确定的异常原因(哪个部位出了什么问题)通知用户(涂敷/显影装置2的使用者)。在该情况下，分析部115例如可以通过使显示器等显示装置(未图示)显示所确定的异常原因，来将异常原因通知用户。
另外，分析部115可以获取涂敷单元U1的各种传感器81、82、83、84、85、86、90的观测结果的工艺日志(process log)，并基于该工艺日志，通过批处理来实施多个时间段各自的异常原因的确定。
图11是例示控制部100的硬件结构的框图。控制部100由一个或多个控制用计算机构成。如图11所示，控制部100具有电路190。电路190包括至少一个处理器191、存储器(memory)192、存储装置(storage)193、输入输出端口194、输入设备195和显示设备196。
存储装置193例如具有硬盘等计算机可读取的存储介质。存储装置193存储有用于使控制部100执行基片处理装置的信息处理方法的程序。例如，存储装置193存储有用于使控制部100构成上述的各功能块的程序。
存储器192暂时存储从储存装置193的存储介质加载的程序和处理器191的运算结果。处理器191通过与存储器192协作执行上述程序来构成上述的各功能模块。输入输出端口194根据来自处理器191的指令在与输送臂A3、涂敷单元U1和检查单元U3之间进行电信号的输入输出。
输入设备195和显示设备196作为控制单元100的用户接口发挥作用。输入设备195例如是键盘等，能够获取用户的输入信息。显示设备196例如包括液晶监视器等，能够用于对用户的信息显示。显示设备196例如能够用于上述原因信息的显示。输入设备195和显示设备196可以一体化为所谓的触摸面板。
[缺陷解决处理流程]
下面，作为基片处理装置的信息处理方法的一个例子，例示控制部100对涂敷/显影装置2的控制流程(缺陷解决处理流程)。下面，首先，对缺陷模式被确定为飞溅异常且怀疑产生原因是除去液从杯形部220弹回的情况下的缺陷解决处理流程(参照图12)进行说明。接着，对缺陷模式被确定为飞溅异常且怀疑产生原因是流路261中的除去液的流通状态(进而，从除去液喷嘴26的释放状态)的情况下的缺陷解决处理流程(参照图13)进行说明。最后，对缺陷模式为粗糙异常的情况下的缺陷解决处理流程(参照图14)进行说明。此外，图12所示的各处理的一部分或全部可以由用户实施。
在图12所示的缺陷解决处理流程中，当发生了飞溅异常时，首先，由控制部100判断是否没有进行与周缘部的除去相关的方案改变(步骤S1)。在进行了方案改变的情况下，由控制部100实施关于改变前后的方案的差异的调查(步骤S2)。
另一方面，在没有进行方案改变的情况下，由控制部100判断是否没有进行杯形部220的种类改变(步骤S3)。在进行了杯形部220的种类改变的情况下，由控制部100实施关于与飞溅异常相关的杯形部220的依赖性的调查(步骤S4)。
另一方面，在没有进行杯形部220的种类改变的情况下，由控制部100判断是否没有进行溶剂的改变(步骤S5)。在进行了溶剂的改变的情况下，由控制部100实施每种溶剂的方案最优化。
另一方面，在没有进行溶剂的改变的情况下，由控制部100，关于飞溅异常的发生，对每个模块判断是否没有发生趋势(步骤S7)。在每个模块有发生趋势的情况下，由控制部100实施关于杯形部220的个体差异的调查(步骤S8)。
另一方面，在每个模块没有发生趋势的情况下，由控制部100判断为需要进行流路261中的除去液的流通状态(进而，从除去液喷嘴26的释放状态)的异常原因调查(步骤S9)。在该情况下，实施图13所示的处理。
在图13所示的缺陷解决处理流程中，当发生了飞溅异常时，首先，由控制部100判断使除去液喷嘴26的释放位置向外侧变化规定量，行为是否变化(飞溅异常是否减少)(步骤S11)。在行为不变化的情况下，由控制部100实施杯形部220的调查(步骤S12)。
另一方面，在因除去液喷嘴26的释放位置改变而行为变化的情况下，由控制部100判断流量计或液压传感器的值是否没有变化(是否为正常范围外的值)(步骤S13)。在流量计或液压传感器的值处于正常范围外的情况下，由控制部100实施用于排出气泡的排液部和/或除去液喷嘴26的前端处的吹扫处理(步骤S14)。
另一方面，在流量计或液压传感器的值不在正常范围外的情况下，由控制部100判断表面电位计的值是否没有变化(是否没有成为正常范围外的值)(步骤S15)。在表面电位计的值在正常范围外的情况下，由控制部100实施设置在排液部侧的结构(部件)中的除电处理(步骤S16)。在该情况下，控制部100可以等待经过一定时间来监视除电状态。
另一方面，在表面电位计的值不在正常范围外的情况下，由控制部100判断由作为小型高速摄像机的传感器90拍摄到的除去液喷嘴26的液断开时的图像是否没有显示出异常(步骤S17)。在显示出异常的情况下，由控制部100实施与除去液喷嘴26相关的速度控制器(速度控制阀)的开度的自动调整(步骤S18)。
另一方面，在除去液喷嘴26的液断开时的图像没有显示出异常的情况下，由控制部100对其它的异常原因(例如与基片W相关的异常等)进行调查(步骤S19)。
图14所示的缺陷处理流程(缺陷模式为粗糙异常的情况下的缺陷解决处理流程)与图13所示的缺陷处理流程大致相同。详细而言，图14的步骤S21～S27与图13的步骤S13～S19相同。即，在图14所示的缺陷解决处理流程中，当发生粗糙异常时，首先，由控制部100判断流量计或液压传感器的值是否没有变化(是否没有成为正常范围外的值)(步骤S21)。在流量计或液压传感器的值在正常范围外的情况下，由控制部100实施用于排出气泡的排液部和/或除去液喷嘴26的前端处的吹扫处理(步骤S22)。
另一方面，在流量计或液压传感器的值不在正常范围外的情况下，由控制部100判断表面电位计的值是否没有变化(是否没有成为正常范围外的值)(步骤S23)。在表面电位计的值在正常范围外的情况下，由控制部100实施设置在排液部侧的结构(部件)中的除电处理(步骤S24)。在该情况下，控制部100可以等待经过一定时间来监视除电状态。
另一方面，在表面电位计的值不在正常范围外的情况下，由控制部100判断由作为小型高速摄像机的传感器90拍摄到的除去液喷嘴26的液断开时的图像是否没有显示出异常(步骤S25)。在显示出异常的情况下，由控制部100实施与除去液喷嘴26相关的速度控制器(速度控制阀)的开度的自动调整(步骤S26)。
另一方面，在除去液喷嘴26的液断开时的图像没有显示出异常的情况下，由控制部100对其它的异常原因(例如与基片W相关的异常等)进行调查(步骤S27)。
[本实施方式的效果]
如上面说明的那样，涂敷/显影装置2(基片处理装置)包括：用于对基片W的周缘部释放除去液的除去液喷嘴26；和作为用于使除去液在除去液的供给源与除去液喷嘴26之间流通的处理液供给路径的流路261。另外，涂敷/显影装置2包括：检查单元U3的拍摄部57，其用于对基片W的周缘部进行拍摄；和设置在流路261中的作为观测部的各种传感器81、82、83、84、85、86、90，其用于对流路261中的除去液的流通状态进行观测。另外，涂敷/显影装置2包括分析部115，该分析部115用于基于检查单元U3的拍摄部57的拍摄图像和各种传感器81、82、83、84、85、86、90的观测结果，来确定与除去液向基片W的供给相关的异常原因。
在本实施方式的涂敷/显影装置2中，基于被供给除去液的基片W的周缘部的拍摄图像和表示流路261中的除去液的流通状态的观测结果，来确定与除去液向基片W的供给相关的异常原因。根据这样的涂敷/显影装置2，例如，能够利用拍摄图像来检测除去液向基片W的周缘部的供给状态的异常从而进行异常原因的研究。而且，根据涂敷/显影装置2，通过考虑实际设置在流路261中对除去液的流通状态进行观测的观测部的观测结果，能够恰当地确定流路261中的哪个部位发生了处理液的供给状态的异常。如上所述，根据本实施方式的涂敷/显影装置2，能够详细并且准确地(高精度地)确定与除去液的供给相关的异常原因。
可以是，拍摄部57拍摄由除去液除去了膜的周缘部的图像，分析部115基于图像中的比膜被除去了的区域靠基片W的内周侧的区域的各像素值来确定缺陷模式，并基于所确定的缺陷模式和上述观测结果来确定异常原因。通过利用除去液考虑基片W的内周侧的区域的各像素值，例如能够恰当地检测除去液的飞散的状态(飞溅的产生)、由除去液对膜的除去的不均匀引起的凸凹(粗糙的产生)等缺陷模式。通过考虑这样的缺陷模式来确定异常原因，能够更高精度地确定异常原因。
可以是，缺陷模式的类别包括：各像素值为离散值的第一缺陷模式；和各像素值为连续值的第二缺陷模式。可以是，分析部115能够确定缺陷模式的类别，并且基于所确定的缺陷模式的类别与泵71、过滤器72和阀73中的至少一个结构(部件)的前后的流通状态，来确定上述各结构(部件)的异常原因。在基于拍摄图像来检测缺陷(异常)的情况下，在各像素值取离散值的情况下，可设想发生了所谓的飞溅(第一缺陷模式)。另外，在各像素值取连续值的情况下，可设想产生了所谓的粗糙(第二缺陷模式)。除了这样的信息以外，还获取流路261的各结构(部件)的前后的流通状态的观测结果，由此，能够一边缩小缺陷模式的详细情况一边详细地确定发生了异常的部位，能够更高精度地确定异常原因。
可以是，分析部115能够实施对所确定的每个异常原因决定的规定的对策处理。由此，能够实施与异常原因相应的恰当的对策处理，恰当地消除与除去液的供给相关的异常。
可以是，分析部115能够将所确定的异常原因通知用户(涂敷/显影装置2的使用者)。由此，能够将在哪个部位发生了异常等通知装置的使用者，能够促使该使用者采取朝向消除异常的行动。
可以是，分析部115能够获取各种传感器81、82、83、84、85、86、90的观测结果的工艺日志，并基于工艺日志，通过批处理来实施多个时间段各自的异常原因的确定。由此，能够通过批处理高效率地实施异常原因的确定。
可以是，各种传感器81、82、83、84、85、86中包括用于测量除去液的流量的流量计，分析部115能够基于由流量计测量的除去液的流量是否在规定的范围内，来确定异常原因。由此，能够恰当地检测除去液的流量降低等，并基于检测出的信息高精度地确定异常原因。
可以是，各种传感器81、82、83、84、85、86中包括一对液压传感器，分析部115能够基于由一对液压传感器测量的除去液的液压的差是否在规定的范围内，来确定异常原因。由此，能够基于各种结构(部件)的前后的液压的差，来高精度地确定异常原因。
可以是，各种传感器81、82、83、84、85、86中包括一对表面电位计，分析部115能够基于由一对表面电位计测量的除去液的表面电位的差是否在规定的范围内，来确定异常原因。由此，能够基于各种结构(部件)的前后的表面电位的差，来高精度地确定异常原因。
附图标记说明
2…涂敷/显影装置(基片处理装置)，26…除去液喷嘴(喷嘴)，57…拍摄部，81、82、83、84、85、86、90…传感器(观测部)，115…分析部，261…流路(处理液供给路径)，W…基片。

Claims (19)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
用于对基片的周缘部释放处理液的喷嘴；
用于使所述处理液在所述处理液的供给源与所述喷嘴之间流通的处理液供给路径；
用于对所述基片的周缘部进行拍摄的拍摄部；
设置在所述处理液供给路径中的观测部，其用于对所述处理液供给路径中的所述处理液的流通状态进行观测；和
分析部，其用于基于所述拍摄部的拍摄图像和所述观测部的观测结果，来确定与所述处理液向所述基片的供给相关的异常原因。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述拍摄部能够拍摄由所述处理液除去了膜的所述周缘部的图像，
所述分析部能够基于所述图像中的比所述膜被除去了的区域靠所述基片的内周侧的区域的各像素值来确定缺陷模式，并基于所确定的缺陷模式和所述观测结果来确定所述异常原因。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述缺陷模式的类别包括：所述各像素值为离散值的第一缺陷模式；和所述各像素值为连续值的第二缺陷模式，
所述观测部能够对设置在所述处理液供给路径中的阀、过滤器和泵中的至少一个部件的前后的所述流通状态进行观测，
所述分析部能够确定所述缺陷模式的类别，并且基于所确定的所述缺陷模式的类别和所述至少一个部件的前后的流通状态，来确定与所述部件相关的所述异常原因。
4.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述分析部能够实施对所确定的每个所述异常原因决定的规定的对策处理。
5.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述分析部能够将所确定的所述异常原因通知所述基片处理装置的使用者。
6.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述分析部能够获取所述观测部的所述观测结果的工艺日志，并基于所述工艺日志，通过批处理来实施多个时间段各自的所述异常原因的确定。
7.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述观测部包括用于测量所述处理液的流量的流量计，
所述分析部能够基于由所述流量计测量的所述处理液的流量是否在规定的范围内，来确定所述异常原因。
8.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述观测部包括用于对设置在所述处理液供给路径中的阀、过滤器和泵中的至少一个部件的前后的所述处理液的液压进行测量的第一液压传感器和第二液压传感器，
所述分析部能够基于由所述第一液压传感器和所述第二液压传感器测量的所述处理液的液压的差是否在规定的范围内，来确定所述异常原因。
9.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述观测部包括用于对设置在所述处理液供给路径中的阀、过滤器和泵中的至少一个部件的前后的所述处理液的表面电位进行测量的第一表面电位计和第二表面电位计，
所述分析部能够基于由所述第一表面电位计和所述第二表面电位计测量的所述处理液的表面电位的差是否在规定的范围内，来确定所述异常原因。
10.一种信息处理方法，其为对基片处理装置的信息进行处理的信息处理方法，
所述基片处理装置包括：用于对基片的周缘部释放处理液的喷嘴；和用于使所述处理液在所述处理液的供给源与所述喷嘴之间流通的处理液供给路径，
所述信息处理方法的特征在于，包括：
获取被供给所述处理液后的所述基片的周缘部的拍摄图像的拍摄步骤；
获取所述处理液供给路径中的所述处理液的流通状态的观测结果的观测步骤；和
基于所述拍摄图像和所述观测结果，来确定与所述处理液向所述基片的供给相关的异常原因的分析步骤。
11.如权利要求10所述的信息处理方法，其特征在于：
在所述拍摄步骤中，拍摄由所述处理液除去了膜的所述周缘部的图像，
在所述分析步骤中，基于所述图像中的比所述膜被除去了的区域靠所述基片的内周侧的区域的各像素值来确定缺陷模式，并基于所确定的缺陷模式和所述观测结果来确定所述异常原因。
12.如权利要求11所述的信息处理方法，其特征在于：
所述缺陷模式的类别包括：所述各像素值为离散值的第一缺陷模式；和所述各像素值为连续值的第二缺陷模式，
在所述观测步骤中，对设置在所述处理液供给路径中的阀、过滤器和泵中的至少一个部件的前后的所述流通状态进行观测，
在所述分析步骤中，确定所述缺陷模式的类别，并且基于所确定的所述缺陷模式的类别和所述至少一个部件的前后的流通状态，来确定与所述部件相关的所述异常原因。
13.如权利要求10所述的信息处理方法，其特征在于：
在所述分析步骤中，实施对所确定的每个所述异常原因决定的规定的对策处理。
14.如权利要求10所述的信息处理方法，其特征在于：
在所述分析步骤中，将所确定的所述异常原因通知所述基片处理装置的使用者。
15.如权利要求10所述的信息处理方法，其特征在于：
在所述分析步骤中，获取所述观测步骤中的所述观测结果的工艺日志，并基于所述工艺日志，通过批处理来实施多个时间段各自的所述异常原因的确定。
16.如权利要求10所述的信息处理方法，其特征在于：
在所述分析步骤中，基于由用于测量所述处理液的流量的流量计测量的所述处理液的流量是否在规定的范围内，来确定所述异常原因。
17.如权利要求10所述的信息处理方法，其特征在于：
在所述分析步骤中，基于由第一液压传感器和第二液压传感器测量的所述处理液的液压的差是否在规定的范围内，来确定所述异常原因，其中，所述第一液压传感器和所述第二液压传感器用于对设置在所述处理液供给路径中的阀、过滤器和泵中的至少一个部件的前后的所述处理液的液压进行测量。
18.如权利要求10所述的信息处理方法，其特征在于：
在所述分析步骤中，基于由第一表面电位计和第二表面电位计测量的所述处理液的表面电位的差是否在规定的范围内，来确定所述异常原因，其中，所述第一表面电位计和所述第二表面电位计用于对设置在所述处理液供给路径中的阀、过滤器和泵中的至少一个部件的前后的所述处理液的表面电位进行测量。
19.一种存储介质，其为存储有用于使装置执行信息处理方法的程序的计算机可读取的存储介质，其特征在于：
所述信息处理方法是对基片处理装置的信息进行处理的信息处理方法，
所述基片处理装置包括：用于对基片的周缘部释放处理液的喷嘴；和用于使所述处理液在所述处理液的供给源与所述喷嘴之间流通的处理液供给路径，
所述信息处理方法包括：
获取被供给所述处理液后的所述基片的周缘部的拍摄图像的拍摄步骤；
获取所述处理液供给路径中的所述处理液的流通状态的观测结果的观测步骤；和
基于所述拍摄图像和所述观测结果，来确定与所述处理液向所述基片的供给相关的异常原因的分析步骤。
CN202280050790.7A 2021-07-26 2022-07-06 基片处理装置、信息处理方法和存储介质 Pending CN117678052A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021121648 2021-07-26
JP2021-121648 2021-07-26
PCT/JP2022/026855 WO2023008124A1 (ja) 2021-07-26 2022-07-06 基板処理装置、情報処理方法及び記憶媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117678052A true CN117678052A (zh) 2024-03-08

Family

ID=85086750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280050790.7A Pending CN117678052A (zh) 2021-07-26 2022-07-06 基片处理装置、信息处理方法和存储介质

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2023008124A1 (zh)
KR (1) KR20240040762A (zh)
CN (1) CN117678052A (zh)
TW (1) TW202309997A (zh)
WO (1) WO2023008124A1 (zh)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004179211A (ja) * 2002-11-25 2004-06-24 Nec Kansai Ltd レジスト塗布装置のエッジリンス機構
JP5459279B2 (ja) * 2011-09-02 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6332095B2 (ja) * 2015-03-20 2018-05-30 東京エレクトロン株式会社 薬液供給装置の調整方法、記憶媒体及び薬液供給装置
JP6754247B2 (ja) * 2016-08-25 2020-09-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 周縁部処理装置および周縁部処理方法
JP2019096669A (ja) 2017-11-20 2019-06-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び塗布モジュールのパラメータの調整方法並びに記憶媒体
WO2020250306A1 (ja) * 2019-06-11 2020-12-17 株式会社安川電機 制御システム、監視装置、監視方法、及びプログラム

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2023008124A1 (zh) 2023-02-02
TW202309997A (zh) 2023-03-01
WO2023008124A1 (ja) 2023-02-02
KR20240040762A (ko) 2024-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9508573B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
EP0898300B1 (en) Method for processing a semiconductor wafer on a robotic track having access to in situ wafer backside particle detection
US11676844B2 (en) Coating film forming apparatus and adjustment method therefor
US11433420B2 (en) Solution supply apparatus and solution supply method
JP2005203440A (ja) 位置調整方法及び基板処理システム
CN111630637A (zh) 基板处理装置
KR20210054558A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20100137363A (ko) 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
WO2019202962A1 (ja) 薬液の異常検出装置、液処理装置、基板処理装置、薬液の異常検出方法、液処理方法及び基板処理方法
JP5459279B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
TWI638400B (zh) Substrate processing device, substrate processing method, and memory medium
JP2024074986A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5018388B2 (ja) 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
CN117678052A (zh) 基片处理装置、信息处理方法和存储介质
CN110809814A (zh) 基板处理装置及基板处理装置的部件检查方法
JP2016207838A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN114269481B (zh) 基片处理装置、喷嘴检查方法和存储介质
JP6752081B2 (ja) 接液ノズルの洗浄方法及び洗浄装置
JP5283714B2 (ja) 塗布膜除去方法及びその装置
JP6828329B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
WO2023243438A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20230143072A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI693104B (zh) 基板處理裝置及基板處理裝置之零件檢查方法
JP5407900B2 (ja) 流量測定装置及び流量測定方法
JPWO2020175194A1 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination