JP3223109B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP3223109B2 JP3223109B2 JP10782796A JP10782796A JP3223109B2 JP 3223109 B2 JP3223109 B2 JP 3223109B2 JP 10782796 A JP10782796 A JP 10782796A JP 10782796 A JP10782796 A JP 10782796A JP 3223109 B2 JP3223109 B2 JP 3223109B2
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- Japan
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- semiconductor wafer
- edge
- semiconductor device
- film
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、特に多層配線構造の平坦化技術において、
半導体ウエハに無機層間膜としてのＳＯＧ膜形成用の塗
布液を塗布した後のウエハエッジ部で発生するＳＯＧ膜
の隆起を除去する、いわゆるエッジリンス処理工程の信
頼性の向上及び歩留りの向上を図る技術に関する。
方法に関し、特に多層配線構造の平坦化技術において、
半導体ウエハに無機層間膜としてのＳＯＧ膜形成用の塗
布液を塗布した後のウエハエッジ部で発生するＳＯＧ膜
の隆起を除去する、いわゆるエッジリンス処理工程の信
頼性の向上及び歩留りの向上を図る技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法におけるエ
ッジリンス処理工程について図４及び図５を基に説明す
る。図４において、１１は図示しない回転テーブル上に
固定載置された半導体ウエハで、該回転テーブルを毎分
およそ３０００rpm乃至５０００rpm(revolutions per m
inutes)の回転数で回転させながら、いわゆるスピンコ
ート法により無機層間膜としてのＳＯＧ膜形成用の塗布
液が塗布されることにより、半導体ウエハ表面にＳＯＧ
膜１２が形成されている。
ッジリンス処理工程について図４及び図５を基に説明す
る。図４において、１１は図示しない回転テーブル上に
固定載置された半導体ウエハで、該回転テーブルを毎分
およそ３０００rpm乃至５０００rpm(revolutions per m
inutes)の回転数で回転させながら、いわゆるスピンコ
ート法により無機層間膜としてのＳＯＧ膜形成用の塗布
液が塗布されることにより、半導体ウエハ表面にＳＯＧ
膜１２が形成されている。
【０００３】このとき、前述したように塗布液がスピン
コートされるため、遠心力により図４に示すように半導
体ウエハ１１のエッジ部にクラックや膜ハガレの原因と
なる隆起部１３（図４中の円Ｂで囲まれた部分）が発生
したり、塗布液の表面張力により半導体ウエハ１１の裏
面に塗布液が回り込んでしまい、半導体ウエハの裏面に
もＳＯＧ膜が付着してしまっていた。
コートされるため、遠心力により図４に示すように半導
体ウエハ１１のエッジ部にクラックや膜ハガレの原因と
なる隆起部１３（図４中の円Ｂで囲まれた部分）が発生
したり、塗布液の表面張力により半導体ウエハ１１の裏
面に塗布液が回り込んでしまい、半導体ウエハの裏面に
もＳＯＧ膜が付着してしまっていた。
【０００４】そのため、塗布工程終了後に、前述したエ
ッジ部での隆起部１３の除去及び半導体ウエハ裏面に付
着したＳＯＧ膜の除去を行う必要があった。そこで、図
５に示すように前述した隆起部１３を除去するために、
半導体ウエハ１１の上方に設置したノズル１４から前記
ＳＯＧ膜に対する溶解性の優れた薬液であるリンス剤を
吐出して、図５に示すようにエッジ部のＳＯＧ膜を除去
するエッジリンス処理を行っていた。
ッジ部での隆起部１３の除去及び半導体ウエハ裏面に付
着したＳＯＧ膜の除去を行う必要があった。そこで、図
５に示すように前述した隆起部１３を除去するために、
半導体ウエハ１１の上方に設置したノズル１４から前記
ＳＯＧ膜に対する溶解性の優れた薬液であるリンス剤を
吐出して、図５に示すようにエッジ部のＳＯＧ膜を除去
するエッジリンス処理を行っていた。
【０００５】また、同様に半導体ウエハ１１の下方に設
置した図示しないノズルからリンス剤を吐出して、半導
体ウエハ裏面に付着したＳＯＧ膜を除去するバックリン
ス処理も行っていた。
置した図示しないノズルからリンス剤を吐出して、半導
体ウエハ裏面に付着したＳＯＧ膜を除去するバックリン
ス処理も行っていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述したようにエッジ
リンス処理及びバックリンス処理を行うためには、専用
の各ノズルが必要であった。また、エッジリンス処理を
行う場合に、リンス剤を半導体ウエハの上方から吐出し
ているため、リンス剤の跳ね返りにより、製品となる半
導体ウエハ内部にリンス剤が付着することがあり、その
部分が溶解し、不良品となってしまうことがあった。
リンス処理及びバックリンス処理を行うためには、専用
の各ノズルが必要であった。また、エッジリンス処理を
行う場合に、リンス剤を半導体ウエハの上方から吐出し
ているため、リンス剤の跳ね返りにより、製品となる半
導体ウエハ内部にリンス剤が付着することがあり、その
部分が溶解し、不良品となってしまうことがあった。
【０００７】そこで、リンス剤の跳ね返りによる製品の
不良品化といったリスクのあるエッジリンス処理方法を
改善すると共に、半導体ウエハのエッジ部に発生するＳ
ＯＧ膜の隆起部を確実に除去することを目的とする。
不良品化といったリスクのあるエッジリンス処理方法を
改善すると共に、半導体ウエハのエッジ部に発生するＳ
ＯＧ膜の隆起部を確実に除去することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明の半導体
装置の製造方法は、少なくとも半導体ウエハ上にＳＯＧ
膜形成用の塗布液を塗布する工程を有する半導体装置の
製造方法において、回転テーブルをおよそ３０００rpm
乃至５０００rpmの回転数で回転させながら前記半導体
ウエハ上にＳＯＧ膜をスピンコートした後に、前記回転
テーブルをおよそ５００rpm乃至１０００rpmの回転数で
回転させながら半導体ウエハの裏面に設置されたバック
リンスノズルからバックリンス剤を吐出することによ
り、前記半導体ウエハの表面エッジ部にバックリンス剤
を回り込ませて、前記エッジ部のＳＯＧ膜を除去するも
のである。
装置の製造方法は、少なくとも半導体ウエハ上にＳＯＧ
膜形成用の塗布液を塗布する工程を有する半導体装置の
製造方法において、回転テーブルをおよそ３０００rpm
乃至５０００rpmの回転数で回転させながら前記半導体
ウエハ上にＳＯＧ膜をスピンコートした後に、前記回転
テーブルをおよそ５００rpm乃至１０００rpmの回転数で
回転させながら半導体ウエハの裏面に設置されたバック
リンスノズルからバックリンス剤を吐出することによ
り、前記半導体ウエハの表面エッジ部にバックリンス剤
を回り込ませて、前記エッジ部のＳＯＧ膜を除去するも
のである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置の製造
方法の一実施の形態について図１乃至図３を基に説明す
る。図１において、１は図示しない回転テーブル上に固
定載置された半導体ウエハで、該回転テーブルをおよそ
３０００rpm乃至５０００rpmの回転数で回転させなが
ら、いわゆるスピンコート法によりＳＯＧ膜形成用の塗
布液が塗布されることにより、半導体ウエハ表面にＳＯ
Ｇ膜２が形成される。
方法の一実施の形態について図１乃至図３を基に説明す
る。図１において、１は図示しない回転テーブル上に固
定載置された半導体ウエハで、該回転テーブルをおよそ
３０００rpm乃至５０００rpmの回転数で回転させなが
ら、いわゆるスピンコート法によりＳＯＧ膜形成用の塗
布液が塗布されることにより、半導体ウエハ表面にＳＯ
Ｇ膜２が形成される。
【００１０】このとき、前述したように塗布液がスピン
コートされるため、遠心力により図１に示すように半導
体ウエハ１のエッジ部にクラックや膜ハガレの原因とな
る隆起部３（図１中の円Ａで囲まれた部分）が発生した
り、塗布液の表面張力により半導体ウエハ１の裏面に塗
布液が回り込んでしまい、裏面にもＳＯＧ膜が付着す
る。
コートされるため、遠心力により図１に示すように半導
体ウエハ１のエッジ部にクラックや膜ハガレの原因とな
る隆起部３（図１中の円Ａで囲まれた部分）が発生した
り、塗布液の表面張力により半導体ウエハ１の裏面に塗
布液が回り込んでしまい、裏面にもＳＯＧ膜が付着す
る。
【００１１】以下、半導体ウエハ１のエッジ部に発生し
た隆起部３や半導体ウエハ１の裏面に付着したＳＯＧ膜
を除去するための、リンス処理工程について説明する。
先ず、前述したＳＯＧ膜形成用の塗布工程終了後に、前
記回転テーブルをおよそ５００rpm乃至１０００rpmの回
転数で回転させながら図２に示すように半導体ウエハ１
の下方に設置されたバックリンスノズル４からＳＯＧ膜
２に対する溶解性の優れた薬液（例えば、メタノール、
エタノール等）のバックリンス剤５を吐出することによ
り、前記半導体ウエハ１の裏面に付着したＳＯＧ膜を溶
解させ、更に前述したように回転テーブルをおよそ５０
０rpm乃至１０００rpmの回転数で回転させることによ
り、該バックリンス剤が表面エッジ部に回り込むこと
で、エッジ部に形成された前記隆起部３を除去すること
ができる。
た隆起部３や半導体ウエハ１の裏面に付着したＳＯＧ膜
を除去するための、リンス処理工程について説明する。
先ず、前述したＳＯＧ膜形成用の塗布工程終了後に、前
記回転テーブルをおよそ５００rpm乃至１０００rpmの回
転数で回転させながら図２に示すように半導体ウエハ１
の下方に設置されたバックリンスノズル４からＳＯＧ膜
２に対する溶解性の優れた薬液（例えば、メタノール、
エタノール等）のバックリンス剤５を吐出することによ
り、前記半導体ウエハ１の裏面に付着したＳＯＧ膜を溶
解させ、更に前述したように回転テーブルをおよそ５０
０rpm乃至１０００rpmの回転数で回転させることによ
り、該バックリンス剤が表面エッジ部に回り込むこと
で、エッジ部に形成された前記隆起部３を除去すること
ができる。
【００１２】図３は前述した塗布液の塗布工程と、該塗
布工程終了後に行われるバックリンス吐出工程の処理シ
ーケンスを示す図である。以上説明したように本発明で
は、バックリンス処理時の回転テーブルの回転数を最適
化することにより、バックリンス剤を半導体ウエハの表
面エッジ部に回り込ませて、エッジ部に形成されたＳＯ
Ｇ膜の隆起部を除去することができ、従来のようなエッ
ジリンス専用のノズルを設けることなく、クラックや膜
ハガレの原因となる隆起部の除去が可能となる。尚、本
実施の形態では、バックリンス剤の吐出工程時の回転テ
ーブルの回転数をおよそ５００rpm乃至１０００rpmとし
たが、これに限られるものではないが、これは発明者の
実験によりバックリンス剤が回転テーブルの回転時の遠
心力より表面張力の方が強く、当該バックリンス剤が半
導体ウエハの表面エッジ部に回り込み可能となる回転テ
ーブルの回転数である。
布工程終了後に行われるバックリンス吐出工程の処理シ
ーケンスを示す図である。以上説明したように本発明で
は、バックリンス処理時の回転テーブルの回転数を最適
化することにより、バックリンス剤を半導体ウエハの表
面エッジ部に回り込ませて、エッジ部に形成されたＳＯ
Ｇ膜の隆起部を除去することができ、従来のようなエッ
ジリンス専用のノズルを設けることなく、クラックや膜
ハガレの原因となる隆起部の除去が可能となる。尚、本
実施の形態では、バックリンス剤の吐出工程時の回転テ
ーブルの回転数をおよそ５００rpm乃至１０００rpmとし
たが、これに限られるものではないが、これは発明者の
実験によりバックリンス剤が回転テーブルの回転時の遠
心力より表面張力の方が強く、当該バックリンス剤が半
導体ウエハの表面エッジ部に回り込み可能となる回転テ
ーブルの回転数である。
【００１３】また、本発明の方法によれば、バックリン
ス剤を半導体ウエハの表面エッジ部に回り込ませて、エ
ッジ部に形成された隆起部を除去するようにしたため、
従来のエッジリンス処理時に、半導体ウエハの上方から
リンス剤を吐出させていたために発生する、リンス剤の
跳ね返りによる製品の不良品化といった問題が解消され
る。
ス剤を半導体ウエハの表面エッジ部に回り込ませて、エ
ッジ部に形成された隆起部を除去するようにしたため、
従来のエッジリンス処理時に、半導体ウエハの上方から
リンス剤を吐出させていたために発生する、リンス剤の
跳ね返りによる製品の不良品化といった問題が解消され
る。
【００１４】
【発明の効果】以上、本発明によればバックリンス処理
時の回転テーブルの回転数を最適化することにより、バ
ックリンス剤を半導体ウエハの表面エッジ部に回り込ま
せて、エッジ部に形成されたＳＯＧ膜の隆起部を除去す
ることができ、従って、従来のようなエッジリンス専用
のノズルを省略できる。
時の回転テーブルの回転数を最適化することにより、バ
ックリンス剤を半導体ウエハの表面エッジ部に回り込ま
せて、エッジ部に形成されたＳＯＧ膜の隆起部を除去す
ることができ、従って、従来のようなエッジリンス専用
のノズルを省略できる。
【００１５】また、バックリンス剤を半導体ウエハの表
面エッジ部に回り込ませて、エッジ部に形成された隆起
部を除去するようにしたため、従来のエッジリンス処理
時に発生していたリンス剤の跳ね返りによる製品の不良
品化といった問題が解消でき、信頼性の向上及び歩留り
の向上が図れる。
面エッジ部に回り込ませて、エッジ部に形成された隆起
部を除去するようにしたため、従来のエッジリンス処理
時に発生していたリンス剤の跳ね返りによる製品の不良
品化といった問題が解消でき、信頼性の向上及び歩留り
の向上が図れる。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法を示す断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法における塗布工
程及びバックリンス処理工程の処理シーケンスを示す図
である。
程及びバックリンス処理工程の処理シーケンスを示す図
である。
【図４】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。
る。
【図５】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７７ 21/31 21/306 Ｄ (56)参考文献 特開 平６−181263（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−253920（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−299332（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/312 - 21/316 H01L 21/027 H01L 21/31
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも半導体ウエハ上に膜形成用の
塗布液を塗布する工程を有する半導体装置の製造方法に
おいて、 回転テーブルを所望回転数で回転させながら前記半導体
ウエハ上に塗布液をスピンコートする工程と、 前記回転テーブルを少なくとも前記半導体ウエハの表面
エッジ部にバックリンス剤が周り込み可能な回転数で回
転させながら半導体ウエハの裏面に設置されたバックリ
ンスノズルからバックリンス剤を吐出して、半導体ウエ
ハの表面エッジ部を洗浄する工程とを有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記膜は、ＳＯＧ膜であることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記バックリンス剤の吐出時の回転テー
ブルの回転数は、およそ５００ｒｐｍ乃至１０００ｒｐ
ｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10782796A JP3223109B2 (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10782796A JP3223109B2 (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293715A JPH09293715A (ja) | 1997-11-11 |
| JP3223109B2 true JP3223109B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=14469052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10782796A Ceased JP3223109B2 (ja) | 1996-04-26 | 1996-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3223109B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6423642B1 (en) * | 1998-03-13 | 2002-07-23 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a semiconductor wafer |
| JP3395696B2 (ja) | 1999-03-15 | 2003-04-14 | 日本電気株式会社 | ウェハ処理装置およびウェハ処理方法 |
| JP2004006672A (ja) * | 2002-04-19 | 2004-01-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP6545539B2 (ja) * | 2015-06-18 | 2019-07-17 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| TWI622091B (zh) | 2015-06-18 | 2018-04-21 | 思可林集團股份有限公司 | 基板處理裝置 |
| JP2019067894A (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-25 | エイブリック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2019096669A (ja) * | 2017-11-20 | 2019-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び塗布モジュールのパラメータの調整方法並びに記憶媒体 |
| JP7071231B2 (ja) * | 2018-06-28 | 2022-05-18 | キヤノン株式会社 | 平坦化装置、平坦化方法、物品製造方法及び液滴配置パターンデータの作成方法 |
-
1996
- 1996-04-26 JP JP10782796A patent/JP3223109B2/ja not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09293715A (ja) | 1997-11-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RVOP | Cancellation by post-grant opposition |