TW201929129A - 基板處理裝置、塗布模組的參數之調整方法及記錄媒體 - Google Patents
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Abstract
本發明之目的在於提供一種藉由自動調整塗布模組的參數,以令參數的調整作業更容易的技術。為了達成上述目的,本發明在以塗布模組處理調整用的半導體晶圓之後,利用半導體晶圓搬運機構將該半導體晶圓搬運到拍攝模組,並拍攝該半導體晶圓的外端面以及背面。然後,根據該拍攝結果,求出塗布膜的外緣相對於半導體晶圓的斜角部的內緣的高度尺寸(切高),並判定其是否為容許值,若並非容許值,便根據所求出的切高以及預先作成之表示切高與半導體晶圓轉速的關係的參考資料,將該轉速再設定之。由於像這樣自動調整塗布模組的參數(亦即轉速),故可令參數的調整更容易實行。
Description
本發明係關於一種「在塗布模組中,於半導體晶圓形成塗布膜,接著將半導體晶圓的斜角部的塗布膜或周緣部的塗布膜利用除去液除去,並調整塗布模組的參數」的技術。
於晶圓表面形成塗布膜的處理,係在對基板(亦即半導體晶圓,以下記載為晶圓)形成塗布膜圖案的微影步驟中所實行的處理之一。在實行該處理的塗布模組中,例如對載置於旋轉夾頭並旋轉的晶圓的中央部位,供給塗布液以形成塗布膜。在像這樣於晶圓表面形成塗布膜之後,有時會在塗布模組中,實行將塗布膜周緣部的不要的膜層以環狀方式除去的塗布膜端部的除去,或晶圓的背面的洗淨。塗布膜端部的除去,係對由旋轉夾頭所旋轉之晶圓的周緣部,局部地從噴嘴噴吐塗布膜的溶劑而實行之,背面洗淨,係對由旋轉夾頭所旋轉之晶圓的背面側從洗淨噴嘴噴吐洗淨液而實行之。
在該等塗布模組中,當使用新穎的塗布液或洗淨液時,在實際對作為產品的半導體晶圓實行處理之前,會針對對於塗布膜端部的除去或背面洗淨造成影響的參數,預先實行調整作業。以往,在塗布模組中對調整用的晶圓實行了既定的處理之後,會將該晶圓例如搬運到顯微鏡等的檢査裝置,在該檢査裝置觀察晶圓表面或背面,掌握塗布膜端部的切止狀態或洗淨狀態,並根據該狀態變更參數的值。然後,用變更後的參數再次在塗布模組實行既定的處理,之後在檢査裝置檢査並實行參數調整,以此方式嘗試錯誤地實行調整。因此,參數的調整會花費很多時間與工夫,也很需要操作者的經驗,故係很繁雜的作業。
於專利文獻1,記載了「對膜厚分布以表示基板的位置與膜厚的關係的1次以及2次函數近似之,並根據該等函數,變更用來調整塗布膜的膜厚的參數,藉此,將參數設定在適當的範圍內」的技術。然而,該技術並未考慮到對塗布膜端部的切止狀態或晶圓背面的洗淨狀態造成影響的參數,故無法解決本發明所欲解決的問題。
於專利文獻2,記載了「在塗布膜形成後對塗布膜的周緣部供給溶劑以將不要的膜層除去,並拍攝基板的端面以取得形狀資料,藉此掌握基板的翹曲量,然後根據該翹曲量決定溶劑的供給位置」的技術。然而,該技術並非掌握塗布膜端部的切止狀態或晶圓背面的洗淨狀態並調整參數者,故無法解決本發明所欲解決的問題。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2016-147246號公報
[專利文獻2] 日本特開2017-150849號公報
[專利文獻2] 日本特開2017-150849號公報
[發明所欲解決的問題]
有鑑於該等問題,本發明之目的在於提供一種「在塗布模組中,於半導體晶圓形成塗布膜,接著將半導體晶圓的斜角部的塗布膜或周緣部的塗布膜除去,並自動調整塗布模組的參數,藉此令參數的調整更容易實行」的技術。
[解決問題的手段]
[解決問題的手段]
本發明之基板處理裝置,於半導體晶圓形成塗布膜,其特徵為包含:搬入搬出區塊,搬運複數枚半導體晶圓的搬運容器可被搬入或搬出該搬入搬出區塊;塗布模組,其對從搬運到該搬入搬出區塊的搬運容器所取出的半導體晶圓塗布塗布液,接著一邊令半導體晶圓旋轉,一邊從用來除去斜角部的塗布膜之噴嘴對半導體晶圓的斜角部噴吐除去液以將斜角部的塗布膜除去;拍攝模組,其具備用來拍攝半導體晶圓的拍攝部;半導體晶圓搬運機構,其在該塗布模組與拍攝模組之間搬運半導體晶圓;以及控制部,其拍攝在該塗布模組所處理的調整用的半導體晶圓的外端面以及背面,根據拍攝結果求出塗布膜的外緣相對於半導體晶圓的斜角部的內緣的高度尺寸,判定所求出的高度尺寸是否為容許值,若並非容許值,便根據所求出的高度尺寸以及預先作成之表示該高度尺寸與半導體晶圓的轉速的關係的參考資料,將半導體晶圓的轉速再設定之,再度在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布以及斜角部的塗布膜的除去,之後同樣判定該高度尺寸是否為容許值,若為容許值,便將再設定之半導體晶圓的轉速記憶於記憶部作為半導體晶圓產品的處理時的參數。
本發明之另一基板處理裝置,於半導體晶圓形成塗布膜,其特徵為包含:搬入搬出區塊,搬運複數枚半導體晶圓的搬運容器可被搬入或搬出該搬入搬出區塊;塗布模組,其對從搬運到該搬入搬出區塊的搬運容器所取出的半導體晶圓塗布塗布液,接著一邊令半導體晶圓旋轉,一邊從用來除去周緣部的塗布膜之噴嘴,對比半導體晶圓的斜角部更靠內側的位置的表面噴吐除去液以將該周緣部的塗布膜除去;拍攝模組,其具備用來拍攝半導體晶圓的拍攝部;半導體晶圓搬運機構,其在該塗布模組與拍攝模組之間搬運半導體晶圓;以及控制部,其拍攝在該塗布模組所處理的調整用的半導體晶圓的表面,根據拍攝結果,求出從塗布膜的外緣到半導體晶圓的斜角部的內緣的切面的紊亂程度,判定所求出的切面的紊亂程度是否為容許值,若並非容許值,便根據所求出的切面的紊亂程度以及預先作成之表示該切面的紊亂程度與在將周緣部的塗布膜除去之前為了令塗布膜乾燥所經過的塗布膜的乾燥時間的關係的參考資料,將令塗布膜乾燥的乾燥時間再設定之,再度在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布以及周緣部的塗布膜的除去,之後同樣判定該切面的紊亂程度是否為容許值,若為容許值,便將再設定之該乾燥時間記憶於記憶部作為半導體晶圓產品的處理時的參數。
本發明之塗布模組的參數的調整方法,係調整用以於半導體晶圓形成塗布膜的基板處理裝置中的該塗布模組實行處理時的參數的方法,該基板處理裝置包含:搬入搬出區塊,搬運複數枚半導體晶圓的搬運容器可被搬入或搬出該搬入搬出區塊;塗布模組,其對從搬運到該搬入搬出區塊的搬運容器所取出的半導體晶圓塗布塗布液,接著一邊令半導體晶圓旋轉,一邊從用來除去斜角部的塗布膜之噴嘴對半導體晶圓的斜角部噴吐除去液以將斜角部的塗布膜除去;拍攝模組,其具備用來拍攝半導體晶圓的拍攝部;以及半導體晶圓搬運機構,其在該塗布模組與拍攝模組之間搬運半導體晶圓;該塗布模組的參數的調整方法包含:拍攝在該塗布模組所處理的調整用的半導體晶圓的外端面以及背面的步驟;根據拍攝結果求出塗布膜的外緣相對於半導體晶圓的斜角部的內緣的高度尺寸,判定所求出的高度尺寸是否為容許值,若並非容許值,便根據所求出的高度尺寸以及預先作成之表示該高度尺寸與半導體晶圓的轉速的關係的參考資料,將半導體晶圓的轉速再設定的步驟;以及再度在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布以及斜角部的塗布膜的除去,之後同樣判定該高度尺寸是否為容許值,若為容許值,便將再設定之半導體晶圓的轉速記憶於記憶部作為半導體晶圓產品的處理時的參數的步驟。
另外,本發明之另一塗布模組的參數的調整方法,係調整用以於半導體晶圓形成塗布膜的基板處理裝置中的該塗布模組實行處理時的參數的方法,該基板處理裝置包含:搬入搬出區塊,搬運複數枚半導體晶圓的搬運容器可被搬入或搬出該搬入搬出區塊;塗布模組,其對從搬運到該搬入搬出區塊的搬運容器所取出的半導體晶圓塗布塗布液,接著一邊令半導體晶圓旋轉,一邊從用來除去周緣部的塗布膜之噴嘴,對比半導體晶圓的斜角部更靠內側的位置的表面噴吐除去液以將該周緣部的塗布膜除去;拍攝模組,其具備用來拍攝半導體晶圓的拍攝部;以及半導體晶圓搬運機構,其在該塗布模組與拍攝模組之間搬運半導體晶圓;該塗布模組的參數的調整方法包含:拍攝在該塗布模組所處理的調整用的半導體晶圓的表面的步驟;根據拍攝結果,求出從塗布膜的外緣到半導體晶圓的斜角部的內緣的切面的紊亂程度,判定所求出的切面的紊亂程度是否為容許值,若並非容許值,便根據所求出的切面的紊亂程度以及預先作成之表示該切面的紊亂程度與在將周緣部的塗布膜除去之前為了令塗布膜乾燥所經過的塗布膜的乾燥時間的關係的參考資料,將令塗布膜乾燥的乾燥時間再設定的步驟;以及再度在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布以及周緣部的塗布膜的除去,之後同樣判定該切面的紊亂程度是否為容許值,若為容許值,便將再設定之該乾燥時間記憶於記憶部作為半導體晶圓產品的處理時的參數的步驟。
再者,本發明之記錄媒體,係記憶了用以於半導體晶圓形成塗布膜的基板處理裝置所使用的電腦程式的記錄媒體,該基板處理裝置包含:搬入搬出區塊,搬運複數枚半導體晶圓的搬運容器可被搬入或搬出該搬入搬出區塊;塗布模組,其對從搬運到該搬入搬出區塊的搬運容器所取出的半導體晶圓塗布塗布液;拍攝模組,其具備用來拍攝半導體晶圓的拍攝部;以及半導體晶圓搬運機構,其在該塗布模組與拍攝模組之間搬運半導體晶圓;該電腦程式,包含用來實行調整該塗布模組實行處理時的參數的方法的步驟群。
[發明的功效]
[發明的功效]
本發明,於基板處理裝置設置塗布模組以及拍攝模組,在塗布模組處理過調整用的半導體晶圓之後,利用半導體晶圓搬運機構將該半導體晶圓搬運到拍攝模組,並拍攝該半導體晶圓的外端面以及背面。然後,根據該拍攝結果,求出塗布膜的外緣相對於半導體晶圓的斜角部的內緣的高度尺寸,判定是否為容許值,若並非容許值,便根據所求出的高度尺寸以及預先作成之表示高度尺寸與半導體晶圓的轉速的關係的參考資料,將該轉速再設定之。由於像這樣自動調整塗布模組的參數(亦即轉速),故可令參數的調整更容易實行。
另外,本發明之另一發明,利用半導體晶圓搬運機構將在塗布模組所處理的調整用的半導體晶圓搬運到拍攝模組,根據該調整用的半導體晶圓的表面的拍攝結果,求出從塗布膜的外緣到半導體晶圓的斜角部的內緣的切面的紊亂程度。然後,判定所求出的紊亂程度是否為容許值,若並非容許值,便根據所求出的紊亂程度以及預先作成之表示紊亂程度與為了將周緣部的塗布膜除去而令塗布膜乾燥時的乾燥時間的關係的參考資料,將該乾燥時間再設定之。由於像這樣自動調整塗布模組實行處理時的參數(亦即該乾燥時間),故可令參數的調整更容易實行。
(第1實施態樣)
圖1,顯示出構成本發明之基板處理裝置的塗布、顯影裝置1的概略構造。塗布、顯影裝置1,具備:用來收納並搬運複數枚晶圓W的搬運容器C可搬入或搬出的搬入搬出區塊S1,以及處理區塊S2。於處理區塊S2的內部,設置了:對晶圓W塗布塗布液的塗布模組2,以及拍攝晶圓W的拍攝模組3。利用作為半導體晶圓搬運機構的搬運機構11,在搬運容器C、塗布模組2以及拍攝模組3之間實行晶圓的搬運。
圖1,顯示出構成本發明之基板處理裝置的塗布、顯影裝置1的概略構造。塗布、顯影裝置1,具備:用來收納並搬運複數枚晶圓W的搬運容器C可搬入或搬出的搬入搬出區塊S1,以及處理區塊S2。於處理區塊S2的內部,設置了:對晶圓W塗布塗布液的塗布模組2,以及拍攝晶圓W的拍攝模組3。利用作為半導體晶圓搬運機構的搬運機構11,在搬運容器C、塗布模組2以及拍攝模組3之間實行晶圓的搬運。
參數調整用的晶圓W,從搬運容器C被取出並被搬運到塗布模組2,在此實行塗布液的塗布、斜角部的塗布膜的除去以及背面洗淨。接著,晶圓W被搬運到拍攝模組3,拍攝其外端面以及背面。然後,根據該拍攝結果,在控制部100,自動調整塗布模組2的參數,亦即斜角部的塗布膜除去時的轉速(清洗轉速),以及背面洗淨時的洗淨時間。之後,將斜角部的塗布膜的除去處理說明為斜角洗淨處理。
接著,針對塗布模組2的一實施態樣,一邊參照圖2以及圖3一邊進行説明。圖中符號21係作為保持晶圓W並令其旋轉的基板保持部的旋轉夾頭。旋轉夾頭21,係以「吸附晶圓W的背面中央部位並將晶圓W保持水平,同時透過軸部212並利用驅動機構211沿著垂直軸例如繞俯視順時鐘隨意旋轉以及隨意升降」的方式構成。
於被保持於旋轉夾頭21的晶圓W的周圍設置了杯狀部22,杯狀部22的下方側,透過排氣管221排氣,同時與排液管222連接。另外,於旋轉夾頭21的下方側以包圍軸部212的方式設置了圓形板213,於該圓形板213的周圍形成了剖面形狀為山型的環狀的山型部214。於該山型部214的頂部,設置了用來抑制流入杯狀部22內的液體水霧流入到的晶圓背面側的突片部215。
塗布模組2,具備:噴吐塗布液的塗布液噴嘴24,以及噴吐塗布液的溶媒(亦即溶劑)的溶劑噴嘴25。塗布液噴嘴24,透過具備開閉閥V1的流通管路241與塗布液供給機構242連接。溶劑噴嘴25,係用於在對晶圓W噴吐塗布液之前所實行的前處理的噴嘴,其透過具備開閉閥V2的流通管路251與溶劑供給機構252連接。該等塗布液噴嘴24以及溶劑噴嘴25,係以「利用圖中未顯示的移動機構在晶圓W的中心部位上與杯狀部22的外側的退避位置之間隨意移動」的方式構成。
再者,塗布模組2,具備:用來除去周緣部的膜層的噴嘴,亦即除去液噴嘴26;用來除去斜角部的塗布膜的斜角洗淨噴嘴27;以及背面洗淨噴嘴28。除去液噴嘴26,係對比被保持於旋轉夾頭21的晶圓W的斜角部更靠內側的位置的表面,以除去液流向晶圓W的旋轉方向的下游側的方式,噴吐除去液的構件。除去液噴嘴26,例如形成直管狀,其前端形成開口,作為除去液的噴吐口。該除去液噴嘴26,係以「利用圖中未顯示的移動機構,例如在對晶圓周緣部噴吐除去液的處理位置與杯狀部22的外側的退避位置之間隨意移動」的方式構成。
另外,斜角洗淨噴嘴27,係從被保持於旋轉夾頭21的晶圓W的背面側向斜角部噴吐除去液的構件。該斜角洗淨噴嘴27,係以沿著基台271隨意移動的方式構成,基台271,例如設置於形成在山型部214的圖中未顯示的缺口部。另外,如圖3所示的,具備傾斜面部272,傾斜面部272延伸而出,其前端側形成為突片部273。像這樣,以「斜角洗淨噴嘴27作為山型部214的一部分而發揮功能,突片部273作為山型部214的突片部215的一部分而發揮功能」的方式構成。
於斜角洗淨噴嘴27的內部,形成了除去液的供給管路270,並以從其前端的噴吐口274向斜上方側供給除去液的方式構成。例如,當向晶圓W噴吐除去液時,係設定成除去液會到達斜角部W0,具體而言係設定成除去液在晶圓W上的接觸點為從晶圓W的外緣算起往內側例如0mm~4.5mm之處。
背面洗淨噴嘴28,係對比被保持於旋轉夾頭11的晶圓W的斜角部W0更靠內側的位置的背面噴吐洗淨液的構件。例如,當向晶圓W噴吐洗淨液時,係以「該洗淨液在晶圓W上的接觸點為從晶圓W的外緣算起例如比70mm更內側之處」的方式構成。斜角洗淨噴嘴27以及背面洗淨噴嘴28,例如於塗布模組2設置了各2個,例如分別設置於在圓形板213中在直徑方向上互相對向的位置(參照圖5、圖6)。
在該例中的除去液以及洗淨液均為塗布膜的溶劑,除去液噴嘴26,透過具備開閉閥V3的流通管路261與例如溶劑供給機構252連接,斜角洗淨噴嘴27,透過具備開閉閥V4的流通管路275與例如溶劑供給機構252連接。再者,背面洗淨噴嘴28,透過具備開閉閥V5的流通管路281與例如溶劑供給機構252連接。
針對在該塗布模組2中所實施之處理的一例,參照圖4~圖7進行説明。首先,利用搬運機構11搬運晶圓W,將其載置在旋轉夾頭21上,並從溶劑噴嘴25將溶劑噴吐到晶圓W的中心部位上,另一方面,令晶圓W旋轉,利用離心力將溶劑塗布到晶圓W的整個表面。接著,在令晶圓W旋轉的狀態下從塗布液噴嘴24將塗布液(例如光阻液)噴吐到晶圓W的中心部位上,並利用離心力將塗布液塗布到晶圓W的整個表面。之後,令晶圓W旋轉既定時間,令液膜乾燥,以形成塗布膜10(圖4)。
接著,實行斜角洗淨以及背面洗淨。在該例中,如圖5、圖6如所示的,在令晶圓W旋轉的狀態下,例如從斜角洗淨噴嘴27以及背面洗淨噴嘴28同時向晶圓W噴吐除去液以及洗淨液。藉此,從斜角洗淨噴嘴27所噴吐的除去液(溶劑),利用晶圓W的離心力流向晶圓W的外側,通過斜角部W0,繞到晶圓表面側。在被供給了除去液的區域中,塗布膜被除去液軟化而溶解,並因為離心力被推向晶圓W的外側而被除去。此時,晶圓W的轉速(清洗轉速)越大,除去液越難繞到晶圓表面側。若除去液繞到表面側的程度太過,則塗布膜會被除去到比吾人所期望的區域更往內側之處,若除去液的繞流量太少,則於斜角部W0會殘留塗布膜。
在該實施態樣中,如後所述的,係藉由求出切高以實行清洗轉速的調整。所謂切高H,如後述的圖12所示的,係指塗布膜的外緣相對於晶圓W的斜角部W0的內緣的高度尺寸。如圖12所示的,當晶圓的外緣(斜角部W0的外緣)與塗布膜的外緣的橫方向的距離為切寬Wi時,清洗轉速越大,除去液越不易繞到晶圓表面側,故晶圓的端部的塗布膜的切寬Wi會變小,切高H會變大。像這樣,切高與切寬存在相關關係。
回到圖6繼續説明,利用從背面洗淨噴嘴28所噴吐的洗淨液(溶劑),可除去附著於晶圓W的背面側的由塗布液所造成的髒污,同時可抑制溶解的塗布膜繞到背面側附著。在該背面洗淨中,洗淨時間越長,晶圓背面的由塗布液所造成的髒污程度(以下稱為「髒污程度」),亦即膜層殘渣,越少。像這樣,在實行過斜角洗淨以及背面洗淨之後,如圖7所示的,將來自斜角洗淨噴嘴27的除去液的噴吐以及來自背面洗淨噴嘴28的洗淨液的噴吐分別停止。接著,令晶圓W旋轉,將晶圓W上的除去液以及洗淨液甩乾,結束塗布模組2中的處理。
接著,針對拍攝模組3,參照圖8~圖10進行説明。圖8係表示拍攝模組3的主要部位的概略立體圖,圖9以及圖10,係為了說明拍攝模組3的作用而將主要部位以示意方式表示者。拍攝模組3,係拍攝晶圓W的外端面以及背面的構件,其具備將晶圓W保持水平,同時設置成利用旋轉機構311繞垂直軸隨意旋轉的保持台31。旋轉機構311,例如具備用來檢出保持台31的旋轉位置的編碼器,並以可令後述的周緣拍攝部4以及背面拍攝部5對晶圓W的各面的拍攝位置與旋轉位置互相對應的方式構成。
周緣拍攝部4,例如係同時拍攝晶圓表面的周緣區域Wa以及晶圓W的外端面Wb(斜角部W0)的構件。周緣拍攝部4,如圖8以及圖9所示的,具備:拍攝機構,亦即相機41;照明部42;以及鏡子構件43,相機41與照明部42以互相對向的方式設置。相機41,具備:透鏡411;以及例如由CCD影像感測器所構成的拍攝元件412。
照明部42,具備:配置在被保持於保持台31的晶圓W的上方的光源421;半鏡422;以及焦點調節透鏡423。半鏡422,例如構成矩形形狀,在水平方向上,配置成大約傾斜45度的態勢。焦點調節透鏡423,係具備令其與透鏡411的合成焦點距離變化的功能的構件。
周緣拍攝部4具備鏡子構件43,該鏡子構件43,配置在半鏡422的下方,並以與被保持於保持台31的晶圓W的外端面Wb以及晶圓背面的周緣區域互相對向的方式設置。鏡子構件43中的與晶圓W的外端面Wb等互相對向的部位,構成向遠離被保持於保持台31的晶圓W的外端面Wb的該側凹入的彎曲面,當該彎曲面例如構成實施過鏡面加工的反射面431。
在照明部42中,從光源421所射出的光,通過半鏡422向下方照射,通過該半鏡422的擴散光,被鏡子構件43的反射面431反射。擴散光被反射面431反射的反射光,主要照射到晶圓W的外端面Wb與晶圓表面的周緣區域Wa。從晶圓表面的周緣區域Wa反射的反射光,如圖9中的一點鏈線所示的,被半鏡422再度反射,並未通過焦點調整透鏡423,而通過相機41的透鏡411,射入拍攝元件412。另一方面,從晶圓W的外端面Wb反射的反射光,如圖9中的虛線所示的,依序被鏡子構件43的反射面431與半鏡422反射,並依序通過焦點調節透鏡423與透鏡411,射入拍攝元件412。
如是,由於來自晶圓表面的周緣區域Wa的光與來自晶圓W的外端面Wb的光二者輸入相機41的拍攝元件412,故相機41可拍攝晶圓表面的周緣區域Wa與晶圓W的外端面Wb二者。相機41,將所拍攝到的拍攝影像資料,例如發送到控制部100。
背面拍攝部5,如圖8以及圖10所示的,具備:相機51,其係具備透鏡511以及例如由CCD影像感測器所構成的拍攝元件512的拍攝機構;以及照明部52;相機51與照明部52,以互相對向的方式設置。照明部52,配置在被保持於保持台31的晶圓W的下方,具備光源521與半鏡522。半鏡522,例如構成矩形形狀,在水平方向上,配置成大約傾斜45度的態勢。從位於半鏡522的下方的光源521所射出的光,全部通過半鏡522,向上方照射。通過半鏡522的光,在被晶圓W的背面反射之後,被半鏡522再度反射,通過相機51的透鏡511,射入拍攝元件512。像這樣,所拍攝到的晶圓W的背面的拍攝影像資料,例如被發送到控制部100。
在該拍攝模組3中,根據控制部100的控制信號,載置了晶圓W的保持台31被旋轉機構311旋轉,在該狀態下,在周緣拍攝部4以及背面拍攝部5中,分別令光源421、521導通(ON),同時由相機41、51進行拍攝。像這樣,遍及晶圓W的整個周緣,拍攝晶圓表面的周緣區域Wa、晶圓W的外端面Wb,以及晶圓W的背面Wc。在晶圓W旋轉1周且由相機41、51所進行的拍攝完成之後,相機41、51所拍攝到的拍攝影像資料會被發送到後述的控制部100。
塗布、顯影裝置1具備控制部100。該控制部100,例如,如圖11所示的,具有:CPU101;記憶部102;由電腦所構成的程式儲存部103;影像解析部104;輸入部105;以及顯示部106。於該程式儲存部103,儲存了以可實行後述的塗布膜的形成處理以及參數調整的方式組合了命令(步驟群)的程式。然後,根據該程式,從控制部100對塗布、顯影裝置1的各部位輸出控制信號,藉此,塗布、顯影裝置1的各部位的動作受到控制。該程式,例如在儲存於硬碟、光碟、磁光碟或記憶卡等的記錄媒體的狀態下,儲存於程式儲存部。
於記憶部102,儲存了關於在塗布、顯影裝置1所實施的處理的各種配方,關於參數調整,例如儲存了在拍攝模組3所拍攝到的拍攝結果、在塗布模組2所實施的配方、後述的參考資料或實際資料等。影像解析部104,具備「根據在拍攝模組3所拍攝到的拍攝結果(影像資料),求出切高以及晶圓背面的髒污程度」的功能。關於根據拍攝結果求出切高的方法後述之。輸入部105,例如具備在調整參數時輸入切高的目標值等、當具備複數個塗布模組2時選擇所調整的塗布模組2、選擇在塗布模組2所實施的配方等的功能。顯示部106,例如具備顯示出參數調整結果等的功能。
儲存於程式儲存部103的各種程式,亦包含參數調整用程式在內。參數調整用程式,具備「判定根據晶圓W的拍攝結果所求出的切高是否為容許值,若非容許值,便根據所求出的切高以及切高的參考資料將斜角洗淨的轉速(清洗轉速)再設定之」的功能。所謂切高的參考資料,係指預先作成之表示切高與清洗轉速的關係的資料,例如係用與本次處理的光阻相異的光阻,或者用與本次使用的洗淨液相異的洗淨液而在過去所取得的資料。
另外,具備「用再設定之清洗轉速,再度在塗布模組2對調整用晶圓實行塗布液的塗布以及斜角洗淨,之後同樣,判定根據拍攝結果所求出的切高是否為容許值,若為容許值,便將再設定之清洗轉速記憶於記憶部102作為半導體晶圓產品(以下稱為「晶圓產品」)的處理時的參數(以下稱為「處理用參數」)」的功能。
再者,該例之參數調整程式,除了切高的判定動作之外,更具備「判定根據晶圓W的拍攝結果所求出的髒污程度是否為容許值,若非容許值,便根據所求出的髒污程度以及髒污程度的參考資料將洗淨時間再設定之」的功能。所謂髒污程度的參考資料,係指預先作成之表示髒污程度與晶圓背面的洗淨時間(以下稱為「洗淨時間」)的關係的資料,例如係用與本次處理的光阻相異的光阻,或者用與本次使用的洗淨液相異的洗淨液而在過去所取得的資料。
另外,具備「以再設定之洗淨時間在塗布模組2對調整用的晶圓W實行塗布液的塗布、斜角洗淨以及背面洗淨,之後同樣,判定根據拍攝結果所求出的髒污程度是否為容許值,若為容許值,便將再設定之洗淨時間記憶於記憶部102作為處理用參數」的功能。
再者,參數調整程式,以「在第1次的一連串的動作、第2次的一連串的動作結束且更實行第3次的一連串的動作時,清洗轉速的再設定,取代參考資料,而使用實際資料」的方式構成。在此,所謂一連串的動作,係指「在塗布模組2對調整用的晶圓W實行塗布液的塗布、斜角洗淨,然後求出切高,並判定該切高是否為容許值」的動作。另外,所謂實際資料,係指「表示根據第1次的一連串的動作時的切高以及清洗轉速,還有第2次的一連串的動作時的切高以及清洗轉速,所求出的切高與清洗轉速的關係」的資料。
再者,參數調整程式,以「在洗淨時間的再設定中,當第1次的一連串的動作、第2次的一連串的動作結束並實行第3次的一連串的動作時,洗淨時間的再設定,取代參考資料,而使用實際資料」的方式構成。所謂實際資料,係指「表示根據第1次的一連串的動作時的髒污程度以及洗淨時間,還有第2次的一連串的動作時的髒污程度以及洗淨時間,所求出的髒污程度與洗淨時間的關係」的資料。另外,所謂一連串的動作,係指「在塗布模組2對調整用的晶圓W實行塗布液的塗布、背面洗淨,求出髒污程度,並判定該髒污程度是否為容許值」的動作。
再者,參數調整程式,以「當第n(預先設定之3以上的自然數)次的一連串的動作結束,且根據拍攝結果所求出的值(切高以及髒污程度)在容許值以外時,將之後的作業停止」的方式構成。
針對在影像解析部104,根據拍攝結果求出切高的方法的一例,以圖12以及圖13為例進行説明。圖12,係晶圓W的斜角部W0的縱斷側視圖,圖13,係將在拍攝模組3的周緣拍攝部4所拍攝到的晶圓表面的周緣區域Wa的影像資料以示意方式表示者。在圖12中,H1為斜角部W0的內緣的高度位置,H2為斜角部W0的外緣的高度位置。另外,H3為塗布膜10的外緣的高度位置(形成了塗布膜10的區域與斜角部W0的界線的高度位置)。
在圖13中,例如區域Z1係表示形成了塗布膜的區域,區域Z2係表示並未形成塗布膜的區域(晶圓的表面),區域Z3係表示晶圓的缺口部等檢査對象並未存在的區域,該等區域Z1~Z3顯示為彼此對比相異的區域。在圖12以及圖13中,W1為斜角部與晶圓表面的界線位置,W2為切止位置,W3為晶圓外端位置。根據對比的差異,從影像資料檢出該等位置W1、W2。切高H,如上所述的,係塗布膜的外緣相對於斜角部W0的內緣的高度尺寸,與(W1-W2)的絕對值存在相關關係,故可從該(W1-W2)算出。在影像解析部104中,例如根據影像資料,取得晶圓W的周圍方向的360個位置的切高H的資料,並求出其平均值作為切高H。
再者,在影像解析部104中,係在拍攝模組3的周緣拍攝部4以及背面拍攝部5所拍攝到的晶圓的外端面以及背面的影像資料中,例如根據對比的差異,掌握附著了膜層殘渣的區域,並據此求出晶圓W的背面的由塗布液所造成的髒污程度。另外,圖13所示之例係為了理解發明所舉的例子,塗布膜繞到晶圓W的背面側的狀態可根據背面的影像資料掌握之。因此,實際上,係根據在拍攝模組3的周緣拍攝部4以及背面拍攝部5所拍攝到的晶圓的外端面以及背面的拍攝結果,求出切高H以及髒污程度。因此,晶圓的背面的髒污程度,亦包含晶圓的背面以及斜角部的髒污程度(缺陷數)。
接著,針對在塗布、顯影裝置1所實行之塗布模組2的參數的自動調整進行説明。該參數的自動調整,係在塗布、顯影裝置1的啟動時或保養時,當在塗布模組2中變更塗布液或溶劑的種類並使用新的塗布液、溶劑或洗淨液等情況下實施。在此,係以使用新的塗布液的情況為例,參照圖14~圖17進行説明。
首先,在輸入部105中,輸入實行調整的塗布模組2、切高的目標值,並選擇儲存於記憶部102的基準配方。作為基準配方,例如可準備實行自動參數調整時所使用的標準配方,亦可為使用了類似塗布液的配方。於基準配方,例如,如圖15所示的,儲存了表示斜角洗淨中的切高與清洗轉速的關係的參考資料R1,當切高的目標值例如設定為120μm時,基準配方中的清洗轉速例如設定為800rpm。另外,例如,如圖16所示的,於基準配方,儲存了表示晶圓背面的由塗布液所造成的髒污程度與背面的洗淨時間的關係的參考資料R2,並設定了髒污程度為容許值L1的洗淨時間T1。
然後,從收納了參數調整用的晶圓W的搬運容器C將晶圓W取出,搬運到塗布模組2,如上所述的形成塗布膜,並以所設定的清洗轉速800rpm與洗淨時間T1,實施斜角洗淨以及背面洗淨。接著,將晶圓W搬運到拍攝模組3,如上所述的,取得晶圓W的外端面以及背面的影像資料(步驟S1)。經過拍攝之後的晶圓W,被搬運機構11例如搬回原來的搬運容器C。
接著,在控制部100中,根據影像資料,求出切高以及髒污程度(步驟2),並判定切高是否為容許值(步驟S3)。所謂容許值,係指相對於作為目標的切高例如在±10%以內。另外,該數值係為了理解發明而舉的例子,並非表示實際裝置中之一例。在該例中,如圖17(a)所示的,根據影像資料所求出的切高為60μm。因此,前進到步驟S4,將清洗轉速再設定之。該再設定,係根據參考資料R1實行,由於在此吾人欲令切高增大,故根據參考資料R1,將清洗轉速再設定為例如900rpm。另一方面,假如判定切高為容許值,便前進到步驟S5、步驟S13,在步驟S13中,將此時的清洗轉速記憶於記憶部102作為產品晶圓W的處理時的參數,並結束清洗轉速的參數調整作業。
在步驟S5中,判定髒污程度是否為容許值,若為容許值,便前進到步驟S13,將此時的洗淨時間記憶於記憶部102作為處理用參數,並結束洗淨時間的參數調整作業。另一方面,若髒污程度超過容許值,便前進到步驟S6,將洗淨時間再設定之,並前進到步驟S7。該再設定,係根據參考資料R2實行,以延長洗淨時間的方式再設定之,令髒污程度為容許值。在此,係以「髒污程度超過容許值,而將洗淨時間再設定之」為例進行説明。
在步驟S7中,再度將參數調整用的另一晶圓W搬運到塗布模組2,以塗布膜的形成、清洗轉速以及洗淨時間被再設定的配方,實行斜角洗淨以及背面洗淨。接著,在拍攝模組3取得上述的影像資料,並求出切高以及髒污程度。經過拍攝之後的晶圓W,被搬運機構11例如搬回原來的搬運容器10。
然後,前進到步驟S8,判定切高是否為容許值。在該例中,如圖17(b)所示的,所求出的切高H為90μm。因此,前進到步驟S9,判定斜角洗淨次數是否超過設定次數,亦即判定一連串的動作是否超過設定次數(亦即n次)。若超過設定次數,亦即當第n次的一連串的動作結束而切高在容許值以外時,便前進到步驟S14,認定為無法調整參數,將該意旨顯示於例如顯示部106,並結束調整作業。之後,例如操作者便以手動實行參數調整。
在步驟S9中,若並未超過設定次數,便前進到步驟S10,將清洗轉速再設定之。該再設定,係根據圖15所示的實際資料A1進行。圖15中的D1,係第1次的一連串的動作時的切高(60μm)以及清洗轉速(800rpm)的資料,D2係第2次的一連串的動作時的切高(90μm)以及清洗轉速(900rpm)的資料。根據該等D1、D2,求出表示切高與清洗轉速的關係的實際資料A1,在實行第3次的一連串的動作時,根據該實際資料A1,再設定成切高為120μm的轉速(在該例中為1000rpm),並前進到步驟S11。另一方面,假如在步驟S8判定在第2次的一連串的動作時所求出的切高為容許值,便前進到步驟S11、步驟S13。在步驟S13中,將此時的清洗轉速記憶作為處理用參數,並結束清洗轉速的參數調整作業。
在步驟S11中,判定髒污程度是否為容許值,若為容許值,便前進到步驟S13,將此時的清洗時間記憶作為處理用參數,並結束洗淨時間的參數調整作業。另一方面,若髒污程度超過容許值,便在步驟S12中,將洗淨時間再設定之。該再設定,係基於「根據從第1次的一連串的動作時的髒污程度以及洗淨時間,還有第2次的一連串的動作時的髒污程度以及洗淨時間,所求出的表示髒污程度與洗淨時間的關係的實際資料A2(參照圖16)」而實行之。
接著,再度將參數調整用的另一晶圓W搬運到塗布模組2,實行塗布膜的形成,並以清洗轉速以及洗淨時間被再設定的配方,實行斜角洗淨以及背面洗淨。接著,根據晶圓W的拍攝結果求出切高以及髒污程度(步驟S7)。像這樣根據拍攝結果所求出的值,成為第3次的一連串的動作時的切高以及髒污程度的資料。
然後,前進到步驟S8,判定切高是否為容許值。在該例中,如圖17(c)所示的,所求出的切高為120μm。如是,由於為容許值,故前進到步驟S11以及步驟S13,在步驟S13,將再設定之清洗轉速記憶作為處理用參數,並結束清洗轉速的參數調整作業。假如切高超過容許值,便前進到步驟S9,判定斜角洗淨次數是否超過設定次數,若並未超過設定次數,便在步驟S10中將清洗轉速再設定之。該再設定,係根據在第1次的一連串的動作時所取得的資料(切高以及清洗轉速)、在第2次的一連串的動作時所取得的資料、在第3次的一連串的動作時所取得的資料,求出表示切高與清洗轉速的關係的實際資料,並根據該資料實行之。像這樣,變更清洗轉速,並前進到步驟S11。
在步驟S11中,判定髒污程度是否為容許值,若為容許值,便前進到步驟S13,並結束關於髒污程度的參數(亦即背面洗淨時間)的參數調整。另一方面,若髒污程度超過容許值,便在步驟S12中,將洗淨時間再設定之。該再設定,係根據在第1次的一連串的動作時所取得的資料(髒污程度以及洗淨時間)、在第2次的一連串的動作時所取得的資料、在第3次的一連串的動作時所取得的資料,求出表示髒污程度與洗淨時間的關係的實際資料,並根據該資料實行之。在以上內容中,實際資料可為圖15、圖16所示的近似曲線,亦可為近似關係式。
像這樣,在斜角洗淨次數並未超過設定次數的期間,若切高超過容許值,便將清洗轉速再設定之,並重複「再度實行塗布膜的形成、斜角洗淨後,求出切高,並判定是否為容許值」的作業。另外,在斜角洗淨次數並未超過設定次數的期間,若髒污程度超過容許值,便將洗淨時間再設定之,並重複「再度實行塗布膜的形成、洗淨處理之後,求出髒污程度,並判定是否為容許值」的作業。
像這樣,在結束參數調整作業之後,例如在該塗布模組2中,使用作為處理時的參數記憶於記憶部102的參數針對複數枚晶圓W實行連續處理。然後,亦可拍攝處理後的晶圓W,求出切高以及髒污程度,並判定是否為容許值,以確認參數的正當性。當此時的切高以及髒污程度發生不當情況時,可再次實行參數的自動調整,亦可手動實行參數的微調整。
根據上述的實施態樣,係對調整用的晶圓在塗布模組2實行塗布液的塗布,接著實行斜角洗淨,接著,拍攝晶圓的外端面以及背面,若根據該拍攝結果所求出的切高並非容許值,便根據參考資料將清洗轉速再設定之。然後,再度在塗布模組2中,對調整用的晶圓W實行塗布液的塗布、斜角洗淨,並判定拍攝晶圓所求出的切高是否為容許值,若為容許值,便將再設定之清洗轉速記憶於記憶部102作為產品晶圓W的處理時的參數。藉此,由於可自動實行決定切高的清洗轉速的設定,因此,相較於操作者以手動實行清洗轉速的調整的態樣而言,參數調整所需要的工夫以及時間大幅減少,參數調整作業變得更容易。
另外,除了切高的判定動作之外,若根據晶圓的外端面以及背面的拍攝結果所求出的髒污程度並非容許值,便根據參考資料將洗淨時間再設定之。然後,再次在塗布模組2中,對調整用的晶圓W實行塗布液的塗布、斜角洗淨,並判定拍攝晶圓所求出的髒污程度是否為容許值,若為容許值,便將再設定之洗淨時間記憶於記憶部102作為產品晶圓W的處理時的參數。藉此,由於可自動實行決定髒污程度的洗淨時間的設定,因此,相較於操作者以手動實行調整的態樣而言,參數調整作業變得更容易。
另外,當第1次的一連串的動作、第2次的一連串的動作結束且更實行第3次的一連串的動作時,由於清洗轉速或洗淨時間的再設定,係取代參考資料而使用實際資料實行之,故再設定之參數的精度會提高。因此,參數調整所需要的時間縮短,參數調整作業變得更容易。
像這樣,利用搬運機構11自動實行從搬運容器C到塗布模組2的晶圓W的搬運以及從塗布模組2到拍攝模組3的晶圓W的搬運,並根據參考資料或實際資料自動實行參數的再設定,故可有效率地實行參數的調整作業。另外,由於可不經由操作者而實行調整作業,不會受到操作者的經驗的影響,故調整作業的精度會提高。再者,由於在拍攝模組3中,係在周緣拍攝部4以及背面拍攝部5同時拍攝晶圓W的外端面以及背面,故藉此亦可縮短調整作業所需要的時間。再者,係預先設定斜角處理的重複次數,並在超過該重複次數且切高或髒污程度在容許值以外時,結束調整作業。藉此,在自動調整較困難的情況下,調整作業會自動結束,故可在適當的時序採取之後的對應措施。
在以上內容中,當於塗布、顯影裝置1設置了複數個塗布模組時,在一塗布模組實行參數調整時所使用的參考資料,針對與在該一塗布模組所塗布的塗布膜相同種類的塗布膜,亦可使用已在另一塗布模組所得到的實際資料。當在塗布、顯影裝置1中,設置了複數個塗布模組時,藉由參數的自動調整,即使於塗布模組存在個別差異,仍可統一處理狀態,故有其功效所在。
(第1實施態樣的變化實施例)
在本實施態樣中,亦可僅實行伴隨著斜角部的塗布膜的除去的關於切高的參數的調整。亦即,亦可依照「針對在塗布模組經過處理的調整用的晶圓,在拍攝模組拍攝晶圓的外端面以及背面,根據拍攝結果求出切高,並判定所求出的切高是否為容許值,若並非容許值,便根據參考資料將清洗轉速再設定之。然後,再度在塗布模組實行塗布液的塗布,並以再設定之清洗轉速實行斜角洗淨,之後同樣判定切高是否為容許值,若為容許值,便將再設定之清洗轉速記憶於記憶部102作為晶圓產品的處理時的參數」的方式構成控制部100。
在本實施態樣中,亦可僅實行伴隨著斜角部的塗布膜的除去的關於切高的參數的調整。亦即,亦可依照「針對在塗布模組經過處理的調整用的晶圓,在拍攝模組拍攝晶圓的外端面以及背面,根據拍攝結果求出切高,並判定所求出的切高是否為容許值,若並非容許值,便根據參考資料將清洗轉速再設定之。然後,再度在塗布模組實行塗布液的塗布,並以再設定之清洗轉速實行斜角洗淨,之後同樣判定切高是否為容許值,若為容許值,便將再設定之清洗轉速記憶於記憶部102作為晶圓產品的處理時的參數」的方式構成控制部100。
例如,亦可在預先輸入部105中,以可選擇「清洗轉速以及洗淨時間」、「清洗轉速」其中一方作為實行調整的參數的方式構成,並針對所選擇的參數實行上述的調整作業。另外,當僅調整「清洗轉速」時,在塗布模組中,亦可對調整用的晶圓W,僅實行塗布液的塗布與斜角洗淨。在上述的實施態樣中,係同時實行斜角洗淨以及背面洗淨,惟亦可在從斜角洗淨噴嘴27噴吐除去液以實行斜角洗淨之後,停止從斜角洗淨噴嘴27噴吐除去液,接著,從洗淨噴嘴28噴吐洗淨液以實行背面洗淨。在該情況下,亦拍攝晶圓W的外端面以及背面以求出切高與髒污程度,並根據切高調整清洗轉速、根據髒污程度調整洗淨時間。
(第2實施態樣)
本實施態樣,係實行用除去液噴嘴26將周緣部的塗布膜除去的EBR(edge bead removal,晶邊去除)處理的實施例。針對該實施態樣的在塗布模組2所實行的處理,參照圖18~圖21簡單説明之。對載置在旋轉夾頭21上的晶圓W塗布塗布液,之後,令晶圓W旋轉既定時間,令液膜乾燥,以形成塗布膜,到此為止與第1實施態樣相同(圖18)。
本實施態樣,係實行用除去液噴嘴26將周緣部的塗布膜除去的EBR(edge bead removal,晶邊去除)處理的實施例。針對該實施態樣的在塗布模組2所實行的處理,參照圖18~圖21簡單説明之。對載置在旋轉夾頭21上的晶圓W塗布塗布液,之後,令晶圓W旋轉既定時間,令液膜乾燥,以形成塗布膜,到此為止與第1實施態樣相同(圖18)。
接著,如圖19所示的,一邊令晶圓W旋轉,一邊從除去液噴嘴26,對比晶圓W的斜角部W0更靠內側的位置的表面噴吐除去液,實行EBR處理。從除去液噴嘴26,以流向晶圓W的旋轉方向的下游側的方式且以除去液的噴吐軌跡的延長線朝向塗布膜的周緣部的外側的方式,噴吐除去液。利用晶圓W的旋轉的離心力,除去液的液流以被推向晶圓W的外側的方式快速地流動。藉此,在除去液的供給區域,塗布膜被除去液軟化而溶解,含有所溶解之塗布膜成分的除去液,被離心力推向晶圓W的外側而被除去。此時,根據從除去液噴嘴26噴吐到晶圓W的除去液噴吐位置的不同,晶圓的端部的塗布膜的切寬會發生變化。另外,根據實行EBR處理之前的乾燥時間,切面的紊亂程度會發生變化。
所謂切面的紊亂程度,係指從塗布膜的外緣到斜角部的內緣的切面的紊亂程度。例如,在晶圓的周圍方向的360處,檢出從塗布膜的外緣到斜角部的內緣的距離,根據該檢出值求出3標準差,用該3標準差的值,評定切面的紊亂程度。該切面的紊亂程度,例如係在拍攝模組3的周緣拍攝部4,拍攝晶圓表面的周緣區域Wa,並根據該拍攝結果求出,例如從塗布膜的外緣到斜角部的內緣的距離則被取得作為切高H。切面的紊亂程度,相依於實行EBR處理之前的塗布膜的乾燥處理的乾燥時間,若將乾燥時間拉長,則塗布膜較乾燥,不易溶於溶劑,切面的紊亂程度便較平緩。
接著,如圖20所示的,在令晶圓W旋轉的狀態下,從背面洗淨噴嘴28向晶圓W的背面噴吐洗淨液,實行晶圓背面的洗淨。在該背面洗淨中,與第1實施態樣同樣,洗淨時間越長,髒污程度越小。像這樣,在實行過EBR處理與背面洗淨之後,如圖21所示的,停止從背面洗淨噴嘴28噴吐洗淨液,接著,令晶圓W旋轉,將晶圓W上的除去液以及洗淨液甩乾。
該實施態樣的控制部100,以「在影像解析部104中,根據晶圓表面的拍攝結果求出切面的紊亂程度,且如上所述的根據晶圓外端面以及背面的拍攝結果求出髒污程度」的方式構成。再者,該實施例的參數調整用程式,取代在第1實施態樣中根據切高調整清洗轉速的功能,而係具備根據切面的紊亂程度調整EBR處理之前的乾燥時間的功能。除了切面的紊亂程度的判定動作以外,關於根據晶圓W的拍攝結果求出髒污程度,並據此調整洗淨時間的功能等其他的功能,與第1實施態樣相同,故省略説明。
關於乾燥時間的調整,控制部100的參數調整程式,具備「判定根據晶圓W的拍攝結果所求出的切面的紊亂程度是否為容許值,若並非容許值,便根據所求出的紊亂程度以及切面的紊亂程度的參考資料,將EBR處理之前的乾燥時間再設定之」的功能。所謂參考資料,係指預先作成之表示切面的紊亂程度與乾燥時間的關係的資料。另外,具備「用再設定之乾燥時間在塗布模組2,對調整用的晶圓W實行塗布液的塗布、乾燥以及EBR處理,之後同樣判定根據拍攝結果所求出的切面的紊亂程度是否為容許值」的功能。然後,具備「若為容許值,便將再設定之乾燥時間記憶於記憶部102作為晶圓產品的處理時的參數」的功能。
另外,參數調整程式,以「在第1次的一連串的動作、第2次的一連串的動作結束並實行第3次的一連串的動作時,乾燥時間的再設定,取代參考資料,而使用實際資料」的方式構成。所謂實際資料,係指根據第1次的一連串的動作時的切面的紊亂程度以及乾燥時間、第2次的一連串的動作時的切面的紊亂程度以及乾燥時間,所求出的表示切面的紊亂程度與乾燥時間的關係的資料。
針對該實施態樣的參數的自動調整,以與第1實施態樣相異的點為中心,參照圖22以及圖23簡單説明之。首先,在輸入部105中,選擇實行調整的塗布模組2、儲存於記憶部102的基準配方。於基準配方,例如儲存了圖23所示的表示切面的紊亂程度與乾燥時間的關係的參考資料R3,以及表示髒污程度與背面的洗淨時間的關係的參考資料R2(參照圖16)。藉由基準配方的選擇,例如設定切面的紊亂程度的容許值L2與乾燥時間T2、髒污程度的容許值L1與洗淨時間T1。
然後,在塗布模組2,對參數調整用的晶圓W,如上所述的,實施塗布液的塗布、所設定之乾燥時間T2的乾燥、EBR處理以及所設定之洗淨時間的背面洗淨。接著,晶圓W,在拍攝模組3被拍攝,取得晶圓W的周緣區域Wa、斜角部W0以及背面區域Wb的影像資料(步驟S21)。
接著,根據影像資料,求出切寬、切面的紊亂程度以及髒污程度(步驟S22),根據切寬,調整除去液噴嘴26的除去液的噴吐位置(在塗布膜上的除去液的接觸位置)(步驟S23)。然後,判定切面的紊亂程度是否為容許值(步驟S24)。若為容許值,便前進到步驟S26、步驟S34,在步驟S34中,將此時的乾燥時間T2記憶於記憶部102作為晶圓產品的處理時的參數,並結束乾燥時間的參數調整作業。
若超過容許值,便前進到步驟S25,根據參考資料R3以乾燥時間拉長的方式再設定之,並前進到步驟S26。在步驟S26中,判定髒污程度是否為容許值,若為容許值,便前進到步驟S34,將此時的洗淨時間T1記憶於記憶部102作為晶圓產品的處理時的參數,並結束洗淨時間的參數調整作業。另一方面,若髒污程度超過容許值,便根據參考資料R2以洗淨時間拉長的方式再設定之(步驟S27)。
接著,例如對參數調整用的另一晶圓W,在塗布模組2實行塗布液的塗布、再設定之乾燥時間的乾燥處理、EBR處理、再設定之洗淨時間的背面洗淨,並在拍攝模組3拍攝晶圓W,取得影像資料,求出切面的紊亂程度以及髒污程度(步驟S28)。
然後,在步驟S29,判定切面的紊亂程度是否為容許值,若為容許值,便前進到步驟S32、步驟S34,在步驟S34中,將此時的乾燥時間記憶作為處理用參數,並結束乾燥時間的調整作業。若切面的紊亂程度超過容許值,便前進到步驟S30,判定EBR處理次數是否超過設定次數。若超過設定次數,便前進到步驟S35,認定為無法調整參數,例如將該意旨顯示於顯示部106,並結束調整作業。
在步驟S30中,若並未超過設定次數,便前進到步驟S31,將乾燥時間再設定之,並前進到步驟S32。該再設定,係基於「根據第1次的一連串的動作時的切面的紊亂程度以及乾燥時間,還有第2次的一連串的動作時的切面的紊亂程度以及乾燥時間,所求出的表示切面的紊亂程度與乾燥時間的關係的實際資料A3」而實行之。
在步驟S32中,判定髒污程度是否為容許值,若為容許值,便前進到步驟S34,將此時的洗淨時間記憶作為處理用的參數,並結束洗淨時間的調整作業。另一方面,若髒污程度超過容許值,便在步驟S33中,將洗淨時間再設定之。該再設定,係基於「根據第1次的一連串的動作時的髒污程度以及洗淨時間,還有第2次的一連串的動作時的髒污程度以及洗淨時間,所求出的表示髒污程度與洗淨時間的關係的實際資料」而實行之。
接著,例如對參數調整用的另一晶圓W,在塗布模組2實行塗布液的塗布、再設定之乾燥時間的乾燥處理、EBR處理、再設定之洗淨時間的背面洗淨,取得影像資料,並求出切面的紊亂程度以及髒污程度(步驟S28)。像這樣,在EBR處理次數並未超過設定次數的期間,若切面的紊亂程度超過容許值,便重複「將乾燥時間再設定之,再度實行塗布液的形成、乾燥、EBR處理,之後,求出切面的紊亂程度,並判定是否為容許值」的作業。另外,在EBR處理次數並未超過設定次數的期間,若髒污程度超過容許值,便重複「將洗淨時間再設定之,再度實行塗布膜的形成、洗淨處理,之後,求出髒污程度,並判定是否為容許值」的作業。
根據該實施態樣,利用搬運機構11將在塗布模組2所處理的調整用晶圓搬運到拍攝模組3,並判定根據該調整用晶圓的表面的拍攝結果所求出的切面的紊亂程度是否為容許值。然後,若並非容許值,便根據所求出的切面的紊亂程度以及預先作成之表示切面的紊亂程度與乾燥時間的關係的參考資料,將乾燥時間再設定之,並再度在塗布模組2實行處理。之後同樣判定切面的紊亂程度是否為容許值,若為容許值,便將再設定之乾燥時間記憶於記憶部102作為處理時的參數,故可自動調整乾燥時間,進而令參數調整更容易實行。
再者,當第1次的一連串的動作、第2次的一連串的動作結束且更實行第3次的一連串的動作時,由於切面的紊亂程度的再設定係取代參考資料而使用實際資料實行,故再設定之參數的精度提高。因此,參數調整所需要的時間縮短,參數調整作業變得更容易。
另外,由於係判定根據調整用晶圓的表面的拍攝結果所求出的髒污程度是否為容許值,若並非容許值,便根據所求出的髒污程度以及預先作成之表示髒污程度與洗淨時間的關係的參考資料,將洗淨時間再設定之,故可自動調整洗淨時間,進而令參數調整更容易實行。其他的功效,與第1實施態樣的功效相同。
在以上內容中,該實施態樣,亦可僅實行關於切面的紊亂程度的參數的調整。亦即,亦可依照「針對在塗布模組所處理的調整用的晶圓,在拍攝模組拍攝晶圓的表面,根據拍攝結果求出切面的紊亂程度,判定所求出的切面的紊亂程度是否為容許值,若並非容許值,便根據參考資料將乾燥時間再設定之。然後,再度在塗布模組實行塗布液的塗布、再設定之乾燥時間的乾燥、EBR處理,之後同樣判定切面的紊亂程度是否為容許值,若為容許值,便將再設定之乾燥時間記憶於記憶部102作為晶圓產品的處理時的參數」的方式構成控制部100。
在第1實施態樣以及第2實施態樣中,係在控制部100中實行影像資料的解析,惟亦可設置控制塗布、顯影裝置1的主控制部以及控制拍攝模組3的專用控制器,並由控制器實行影像資料的解析。此時,係利用主控制部與控制器,構成本發明的控制部。另外,在上述的實施態樣中,係準備了複數枚參數調整用的晶圓W,惟當將參數再設定之,且再度在塗布模組2實行處理時,亦可先將在塗布模組2所處理的參數調整用的晶圓W的塗布膜除去,然後再度在塗布模組2實行處理。在以上內容中,拍攝模組不限於上述的例子,亦可構成將拍攝晶圓表面的拍攝部個別地設置的構造。
接著,針對塗布、顯影裝置1的整體構造,一邊參照圖24的俯視圖以及圖25的縱斷側視圖一邊進行説明。塗布、顯影裝置1,構成將作為搬入搬出區塊的載置區塊S1、處理區塊S2以及介面區塊S3在橫方向上連接成直線狀的構造。圖中的S4為曝光裝置。載置於載置區塊S1的載置台81的搬運容器C內的晶圓W,利用搬運機構83,經由開閉部82,在載置區塊S1與處理區塊S2之間傳遞。
處理區塊S2,構成從下方開始依序堆疊對晶圓W實行液體處理的單位區塊E1~E6的構造,在該等單位區塊E1~E6,晶圓W的搬運以及處理彼此平行地實行。單位區塊E1、E2彼此構成同樣的構造,單位區塊E3、E4彼此構成同樣的構造,單位區塊E5、E6彼此構成同樣的構造。
上述的塗布模組2以及拍攝模組3,設置於單位區塊E3、E4。圖24,係單位區塊E3、E4的俯視圖,塗布模組14設置於搬運機構F3的搬運路徑12的一側,於設置在搬運路徑12的另一側的棚台單元71,設置了上述的塗布模組2、拍攝模組3、加熱模組13。
單位區塊E1、E2、E5、E6,除了對晶圓W所供給的處理液有所不同以外,構成與單位區塊E3、E4同樣的構造。單位區塊E1、E2,取代塗布模組2,而具備了對晶圓W供給反射防止膜形成用處理液的反射防止膜形成模組。單位區塊E5、E6,取代塗布模組2,而具備對晶圓W供給顯影液作為處理液以令光阻膜顯影的顯影模組。在圖25中,將各單位區塊E1~E6的搬運機構顯示為F1~F6。
於處理區塊S2的載置區塊S1側,設置了跨各單位區塊E1~E6上下延伸的處理塔72,以及用來對處理塔72實行晶圓W的傳遞而隨意升降的搬運機構84。處理塔72係由互相堆疊的複數個模組所構成,並具備了可載置晶圓W的傳遞模組TRS。
介面區塊S3,具備跨單位區塊E1~E6上下延伸的處理塔73、74、75,並設置了用來對處理塔73與處理塔74實行晶圓W的傳遞且隨意升降的搬運機構85、用來對處理塔73與處理塔75實行晶圓W的傳遞且隨意升降的搬運機構86,以及用來在處理塔73與曝光裝置S4之間實行晶圓W的傳遞的搬運機構87。
處理塔73,係由傳遞模組TRS、儲存並停留曝光處理前的複數枚晶圓W的緩衝模組、儲存曝光處理後的複數枚晶圓W的緩衝模組,以及實行晶圓W的溫度調整的溫度調整模組SCPL等互相堆疊所構成,惟在此,緩衝模組以及溫度調整模組的圖式省略。在圖1中,描繪出半導體晶圓搬運機構11作為兼具搬運機構83以及搬運機構F3、F4之功能的搬運機構,並省略傳遞模組等。
在由該塗布、顯影裝置1以及曝光裝置S4所構成的系統中,針對產品用途的晶圓W的搬運路徑簡單進行説明。晶圓W,從搬運容器C被搬運機構83搬運到處理區塊S2的處理塔72的傳遞模組TRS0,從這裡開始晶圓W被搬運並分配到單位區塊E1、E2。
所分配的晶圓W,依照傳遞模組TRS1(TRS2)→反射防止膜形成模組→加熱模組→傳遞模組TRS1(TRS2)的順序搬運,接著,被搬運機構84分配到對應單位區塊E3的傳遞模組TRS3,以及對應單位區塊E4的傳遞模組TRS4。
像這樣被分配到傳遞模組TRS3、TRS4的晶圓W,從傳遞模組TRS3(TRS4)開始在單位區塊E3(E4)內被塗布模組2以及加熱模組13依序處理,之後,被搬運到處理塔73的傳遞模組TRS31(TRS41)。之後,晶圓W,被搬運機構85、87經由處理塔74搬入到曝光裝置S4,光阻膜受到曝光。
曝光後的晶圓W,在處理塔73、75之間被搬運機構86、87搬運,並分別被搬運到對應單位區塊E5、E6的處理塔73的傳遞模組TRS51、TRS61。然後,晶圓W被搬運到加熱模組實行所謂的曝後烤(PEB)。接著,晶圓W,被搬運到顯影模組,被供給顯影液,形成了光阻圖案。之後,晶圓W在被搬運到處理塔72的傳遞模組TRS5、TRS6之後,經由搬運機構83回到搬運容器C。
1‧‧‧塗布、顯影裝置
10‧‧‧塗布膜
100‧‧‧控制部
101‧‧‧CPU
102‧‧‧記憶部
103‧‧‧程式儲存部
104‧‧‧影像解析部
105‧‧‧輸入部
106‧‧‧顯示部
11‧‧‧搬運機構
12‧‧‧搬運路徑
13‧‧‧加熱模組
14‧‧‧塗布模組
2‧‧‧塗布模組
21‧‧‧旋轉夾頭
211‧‧‧驅動機構
212‧‧‧軸部
213‧‧‧圓形板
214‧‧‧山型部
215‧‧‧突片部
22‧‧‧杯狀部
221‧‧‧排氣管
222‧‧‧排液管
24‧‧‧塗布液噴嘴
241、251、261、275、281‧‧‧流通管路
242‧‧‧塗布液供給機構
25‧‧‧溶劑噴嘴
252‧‧‧溶劑供給機構
26‧‧‧除去液噴嘴
27‧‧‧斜角洗淨噴嘴
270‧‧‧供給管路
271‧‧‧基台
272‧‧‧傾斜面部
273‧‧‧突片部
274‧‧‧噴吐口
28‧‧‧背面洗淨噴嘴
3‧‧‧拍攝模組
31‧‧‧保持台
311‧‧‧旋轉機構
4‧‧‧周緣拍攝部
41‧‧‧相機
411‧‧‧透鏡
412‧‧‧拍攝元件
42‧‧‧照明部
421‧‧‧光源
422‧‧‧半鏡
423‧‧‧焦點調節透鏡
43‧‧‧鏡子構件
431‧‧‧反射面
5‧‧‧背面拍攝部
51‧‧‧相機
511‧‧‧透鏡
512‧‧‧拍攝元件
52‧‧‧照明部
521‧‧‧光源
522‧‧‧半鏡
71‧‧‧棚台單元
72~75‧‧‧處理塔
81‧‧‧載置台
82‧‧‧開閉部
83~87‧‧‧搬運機構
A1~A3‧‧‧實際資料
C‧‧‧搬運容器
D1、D2‧‧‧資料
E1~E6‧‧‧單位區塊
F1~F6‧‧‧搬運機構
H‧‧‧切高
H1‧‧‧斜角部W0的內緣的高度位置
H2‧‧‧斜角部W0的外緣的高度位置
H3‧‧‧塗布膜10的外緣的高度位置
L1、L2‧‧‧容許值
N‧‧‧缺口部
R1~R3‧‧‧參考資料
S1‧‧‧搬入搬出區塊(載置區塊)
S1~S14、S21~S35‧‧‧步驟
Z1~Z3‧‧‧區域
S2‧‧‧處理區塊
S3‧‧‧介面區塊
S4‧‧‧曝光裝置
T1‧‧‧洗淨時間
T2‧‧‧乾燥時間
TRS、TRS0~TRS6、TRS31、TRS41、TRS51、TRS61‧‧‧傳遞模組
V1~V5‧‧‧開閉閥
Wi‧‧‧切寬
W‧‧‧晶圓
W0‧‧‧斜角部
W1‧‧‧斜角部與晶圓表面的界線位置
W2‧‧‧切止位置
W3‧‧‧晶圓外端位置
Wa‧‧‧周緣區域
Wb‧‧‧外端面
Wc‧‧‧背面
[圖1] 係表示本發明之基板處理裝置的一實施態樣的主要部位的構造圖。
[圖2] 係表示塗布模組的縱斷側視圖。
[圖3] 係表示斜角洗淨噴嘴的部分縱斷側視圖。
[圖4] 係説明第1實施態樣之塗布模組的作用的程序圖。
[圖5] 係説明第1實施態樣之塗布模組的作用的程序圖。
[圖6] 係説明第1實施態樣之塗布模組的作用的程序圖。
[圖7] 係説明第1實施態樣之塗布模組的作用的程序圖。
[圖8] 係表示拍攝模組的概略立體圖。
[圖9] 係將拍攝模組的作用以示意方式表示的構造圖。
[圖10] 係將拍攝模組的作用以示意方式表示的構造圖。
[圖11] 係表示基板處理裝置的控制部的構造圖。
[圖12] 係表示晶圓的斜角部的部分縱斷側視圖。
[圖13] 係將拍攝結果以示意方式表示的俯視圖。
[圖14] 係説明第1實施態樣之塗布模組的作用的流程圖。
[圖15] 係表示切高與轉速之關係的參考資料以及實際資料的特性圖。
[圖16] 係表示髒污程度與洗淨時間之關係的參考資料以及實際資料的特性圖。
[圖17] (a)、(b)、(c)係表示用來說明切高之晶圓的斜角部的部分縱斷側視圖。
[圖18] 係説明第2實施態樣之塗布模組的作用的程序圖。
[圖19] 係説明第2實施態樣之塗布模組的作用的程序圖。
[圖20] 係説明第2實施態樣之塗布模組的作用的程序圖。
[圖21] 係説明第2實施態樣之塗布模組的作用的程序圖。
[圖22] 係説明第2實施態樣之塗布模組的作用的流程圖。
[圖23] 係表示切面紊亂程度與乾燥時間之關係的參考資料以及實際資料的特性圖。
[圖24] 係表示作為基板處理裝置的塗布、顯影裝置的俯視圖。
[圖25] 係表示塗布、顯影裝置的縱斷側視圖。
Claims (18)
- 一種基板處理裝置,其於半導體晶圓形成塗布膜,包含: 搬入搬出區塊,搬運複數枚半導體晶圓的搬運容器可被搬入或搬出該搬入搬出區塊; 塗布模組,其對從搬運到該搬入搬出區塊的搬運容器所取出的半導體晶圓塗布塗布液,接著一邊令半導體晶圓旋轉,一邊從用來除去斜角部的塗布膜之噴嘴對半導體晶圓的斜角部噴吐除去液以將斜角部的塗布膜除去; 拍攝模組,其具備用來拍攝半導體晶圓的拍攝部; 半導體晶圓搬運機構,其在該塗布模組與拍攝模組之間搬運半導體晶圓;以及 控制部,其拍攝在該塗布模組所處理的調整用的半導體晶圓的外端面以及背面,根據拍攝結果求出塗布膜的外緣相對於半導體晶圓的斜角部的內緣的高度尺寸,判定所求出的高度尺寸是否為容許值,若並非容許值,便根據所求出的高度尺寸以及預先作成之表示該高度尺寸與半導體晶圓的轉速的關係的參考資料,將半導體晶圓的轉速再設定之,再度在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布以及斜角部的塗布膜的除去,之後同樣判定該高度尺寸是否為容許值,若為容許值,便將再設定之半導體晶圓的轉速記憶於記憶部作為半導體晶圓產品的處理時的參數。
- 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中, 若將在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布以及斜角部的塗布膜的除去,然後判定該高度尺寸是否為容許值的動作稱為一連串的動作,則在第1次的一連串的動作、第2次的一連串的動作結束且更實行第3次的一連串的動作時,該半導體晶圓的轉速的再設定,係以使用實際資料來取代使用該參考資料; 該實際資料,係根據第1次的一連串的動作時的半導體晶圓的轉速以及該高度尺寸,還有第2次的一連串的動作時的半導體晶圓的轉速以及該高度尺寸,所求出的表示該高度尺寸與半導體晶圓的轉速之關係的資料。
- 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置,其中, 該塗布模組,以在對半導體晶圓實行塗布液的塗布之後更從背面洗淨噴嘴噴吐洗淨液,而一邊令半導體晶圓旋轉一邊將背面洗淨的方式構成; 該控制部以如下方式構成:根據該拍攝結果,除了該高度尺寸的判定動作以外,更求出半導體晶圓的背面的塗布液所造成的髒污程度,判定所求出的髒污程度是否為容許值,若並非容許值,便根據所求出的髒污程度以及預先作成之表示該髒污程度與半導體晶圓的背面的洗淨時間的關係的參考資料,將半導體晶圓的背面的洗淨時間再設定之,再度在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布、斜角部的塗布膜的除去以及背面的洗淨,之後同樣判定該髒污程度是否為容許值,若為容許值,便將再設定之半導體晶圓的背面的洗淨時間記憶於記憶部作為半導體晶圓產品的處理時的參數。
- 一種基板處理裝置,其於半導體晶圓形成塗布膜,包含: 搬入搬出區塊,搬運複數枚半導體晶圓的搬運容器可被搬入或搬出該搬入搬出區塊; 塗布模組,其對從搬運到該搬入搬出區塊的搬運容器所取出的半導體晶圓塗布塗布液,接著一邊令半導體晶圓旋轉,一邊從用來除去周緣部的塗布膜之噴嘴,對比半導體晶圓的斜角部更靠內側的位置的表面噴吐除去液以將該周緣部的塗布膜除去; 拍攝模組,其具備用來拍攝半導體晶圓的拍攝部; 半導體晶圓搬運機構,其在該塗布模組與拍攝模組之間搬運半導體晶圓;以及 控制部,其拍攝在該塗布模組所處理的調整用的半導體晶圓的表面,根據拍攝結果,求出從塗布膜的外緣到半導體晶圓的斜角部的內緣的切面之紊亂程度,判定所求出的切面的紊亂程度是否為容許值,若並非容許值,便根據所求出的切面的紊亂程度以及預先作成之表示該切面的紊亂程度與在將周緣部的塗布膜除去之前為了令塗布膜乾燥所經過的塗布膜的乾燥時間之關係的參考資料,將令塗布膜乾燥的乾燥時間再設定之,再度在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布以及周緣部的塗布膜的除去,之後同樣判定該切面的紊亂程度是否為容許值,若為容許值,便將再設定之該乾燥時間記憶於記憶部作為半導體晶圓產品的處理時的參數。
- 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置,其中, 若將在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布,然後判定該切面的紊亂程度是否為容許值的動作稱為一連串的動作,則在第1次的一連串的動作、第2次的一連串的動作結束且更實行第3次的一連串的動作時,令該塗布膜乾燥的乾燥時間的再設定,係使用實際資料以取代使用該參考資料; 該實際資料,係根據第1次的一連串的動作時的該乾燥時間以及該切面的紊亂程度,還有第2次的一連串的動作時的該乾燥時間以及該切面的紊亂程度,所求出的表示該切面的紊亂程度與該乾燥時間的關係的資料。
- 如申請專利範圍第4或5項之基板處理裝置,其中, 該塗布模組,以在對半導體晶圓實行塗布液的塗布之後更從背面洗淨噴嘴噴吐洗淨液,而一邊令半導體晶圓旋轉一邊將背面洗淨的方式構成; 該控制部,以如下方式構成:拍攝在該塗布模組所處理的調整用的半導體晶圓的外端面以及背面,根據該拍攝結果,除了該切面的紊亂程度的判定動作以外,更求出半導體晶圓的背面的塗布液所造成的髒污程度,判定所求出的髒污程度是否為容許值,若並非容許值,便根據所求出的髒污程度以及預先作成之表示該髒污程度與半導體晶圓的背面的洗淨時間的關係的參考資料,將半導體晶圓的背面的洗淨時間再設定之,再度在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布、該周緣部的塗布膜的除去以及背面的洗淨,之後同樣判定該髒污程度是否為容許值,若為容許值,便將再設定之半導體晶圓的背面的洗淨時間記憶於記憶部作為半導體晶圓產品的處理時的參數。
- 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置,其中, 若將在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布,然後判定該髒污程度是否為容許值的動作稱為一連串的動作,則在第1次的一連串的動作、第2次的一連串的動作結束且更實行第3次的一連串的動作時,該洗淨時間的再設定,係使用實際資料,以取代使用該參考資料; 該實際資料,係根據第1次的一連串的動作時的該洗淨時間以及該髒污程度,還有第2次的一連串的動作時的該洗淨時間以及該髒污程度,所求出的表示該洗淨時間與該髒污程度的關係的資料。
- 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置,其中, 該控制部,在第n(預先設定之3以上的自然數)次的一連串的動作結束,且根據該拍攝結果所求出的值在容許值以外時,將之後的作業停止。
- 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置,其中, 在一塗布模組所使用的該參考資料,係使用針對與在該一塗布模組所塗布之塗布膜相同種類的塗布膜已在另一塗布模組所取得的實際資料。
- 一種塗布模組的參數的調整方法,其調整用以於半導體晶圓形成塗布膜的基板處理裝置中的該塗布模組實行處理時的參數,該基板處理裝置包含: 搬入搬出區塊,搬運複數枚半導體晶圓的搬運容器可被搬入或搬出該搬入搬出區塊; 塗布模組,其對從搬運到該搬入搬出區塊的搬運容器所取出的半導體晶圓塗布塗布液,接著一邊令半導體晶圓旋轉,一邊從用來除去斜角部的塗布膜之噴嘴對半導體晶圓的斜角部噴吐除去液以將斜角部的塗布膜除去; 拍攝模組,其具備用來拍攝半導體晶圓的拍攝部;以及 半導體晶圓搬運機構,其在該塗布模組與拍攝模組之間搬運半導體晶圓; 該塗布模組的參數的調整方法包含; 拍攝在該塗布模組所處理的調整用的半導體晶圓的外端面以及背面之步驟; 根據拍攝結果求出塗布膜的外緣相對於半導體晶圓的斜角部的內緣的高度尺寸,判定所求出的高度尺寸是否為容許值,若並非容許值,便根據所求出的高度尺寸以及預先作成之表示該高度尺寸與半導體晶圓的轉速的關係的參考資料,將半導體晶圓的轉速再設定之步驟;以及 再度在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布以及斜角部的塗布膜的除去,之後同樣判定該高度尺寸是否為容許值,若為容許值,便將再設定之半導體晶圓的轉速記憶於記憶部作為半導體晶圓產品的處理時的參數之步驟。
- 如申請專利範圍第10項之塗布模組的參數的調整方法,其中, 若將在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布以及斜角部的塗布膜的除去,然後判定該高度尺寸是否為容許值的動作稱為一連串的動作,則在第1次的一連串的動作、第2次的一連串的動作結束且更實行第3次的一連串的動作時,該半導體晶圓的轉速的再設定,係使用實際資料,以取代使用該參考資料; 該實際資料,係根據第1次的一連串的動作時的半導體晶圓的轉速以及該高度尺寸,還有第2次的一連串的動作時的半導體晶圓的轉速以及該高度尺寸,所求出的表示該高度尺寸與半導體晶圓的轉速的關係的資料。
- 如申請專利範圍第10或11項之塗布模組的參數的調整方法,其中, 該塗布模組,以在對半導體晶圓實行塗布液的塗布之後更從背面洗淨噴嘴噴吐洗淨液,而一邊令半導體晶圓旋轉一邊將背面洗淨的方式構成; 且更包含: 根據該拍攝結果,除了該高度尺寸的判定動作以外,更求出半導體晶圓的背面的塗布液所造成的髒污程度,判定所求出的髒污程度是否為容許值,若並非容許值,便根據所求出的髒污程度以及預先作成之表示該髒污程度與半導體晶圓的背面的洗淨時間的關係的參考資料,將半導體晶圓的背面的洗淨時間再設定的步驟;以及 再度在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布、斜角部的塗布膜的除去以及背面的洗淨,之後同樣判定該髒污程度是否為容許值,若為容許值,便將再設定之半導體晶圓的背面的洗淨時間記憶於記憶部作為半導體晶圓產品的處理時的參數的步驟。
- 一種塗布模組的參數的調整方法,其調整用以於半導體晶圓形成塗布膜的基板處理裝置中的該塗布模組實行處理時的參數,該基板處理裝置包含: 搬入搬出區塊,搬運複數枚半導體晶圓的搬運容器可被搬入或搬出該搬入搬出區塊; 塗布模組,其對從搬運到該搬入搬出區塊的搬運容器所取出的半導體晶圓塗布塗布液,接著一邊令半導體晶圓旋轉,一邊從用來除去周緣部的塗布膜之噴嘴,對比半導體晶圓的斜角部更靠內側的位置的表面噴吐除去液以將該周緣部的塗布膜除去; 拍攝模組,其具備用來拍攝半導體晶圓的拍攝部;以及 半導體晶圓搬運機構,其在該塗布模組與拍攝模組之間搬運半導體晶圓; 該塗布模組的參數的調整方法的特徵為包含: 拍攝在該塗布模組所處理的調整用的半導體晶圓的表面的步驟; 根據拍攝結果,求出從塗布膜的外緣到半導體晶圓的斜角部的內緣的切面的紊亂程度,判定所求出的切面的紊亂程度是否為容許值,若並非容許值,便根據所求出的切面的紊亂程度以及預先作成之表示該切面的紊亂程度與在將周緣部的塗布膜除去之前為了令塗布膜乾燥所經過的塗布膜的乾燥時間的關係的參考資料,將令塗布膜乾燥的乾燥時間再設定的步驟;以及 再度在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布以及周緣部的塗布膜的除去,之後同樣判定該切面的紊亂程度是否為容許值,若為容許值,便將再設定之該乾燥時間記憶於記憶部作為半導體晶圓產品的處理時的參數的步驟。
- 如申請專利範圍第13項之塗布模組的參數的調整方法,其中, 若將在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布,然後判定該切面的紊亂程度是否為容許值的動作稱為一連串的動作,則在第1次的一連串的動作、第2次的一連串的動作結束且更實行第3次的一連串的動作時,令該塗布膜乾燥的乾燥時間的再設定,係使用實際資料,以取代使用該參考資料; 該實際資料,係根據第1次的一連串的動作時的該乾燥時間以及該切面的紊亂程度,還有第2次的一連串的動作時的該乾燥時間以及該切面的紊亂程度,所求出的表示該切面的紊亂程度與該乾燥時間的關係的資料。
- 如申請專利範圍第13或14項之塗布模組的參數的調整方法,其中, 該塗布模組,以在對半導體晶圓實行塗布液的塗布之後更從背面洗淨噴嘴噴吐洗淨液,而一邊令半導體晶圓旋轉一邊將背面洗淨的方式構成; 且更包含: 根據在該塗布模組所處理的調整用的半導體晶圓的外端面以及背面的拍攝結果,除了該切面的紊亂程度的判定動作以外,更求出半導體晶圓的背面的塗布液所造成的髒污程度,判定所求出的髒污程度是否為容許值,若並非容許值,便根據所求出的髒污程度以及預先作成之表示該髒污程度與半導體晶圓的背面的洗淨時間的關係的參考資料,將半導體晶圓的背面的洗淨時間再設定的步驟;以及 再度在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布、該周緣部的塗布膜的除去以及背面的洗淨,之後同樣判定該髒污程度是否為容許值,若為容許值,便將再設定之半導體晶圓的背面的洗淨時間記憶於記憶部作為半導體晶圓產品的處理時的參數的步驟。
- 如申請專利範圍第15項之塗布模組的參數的調整方法,其中, 若將在塗布模組對調整用的半導體晶圓實行塗布液的塗布,然後判定該髒污程度是否為容許值的動作稱為一連串的動作,則在第1次的一連串的動作、第2次的一連串的動作結束且更實行第3次的一連串的動作時,該洗淨時間的再設定,係使用實際資料,以取代使用該參考資料; 該實際資料,係根據第1次的一連串的動作時的該洗淨時間以及該髒污程度,還有第2次的一連串的動作時的該洗淨時間以及該髒污程度,所求出的表示該洗淨時間與該髒污程度的關係的資料。
- 如申請專利範圍第16項之塗布模組的參數的調整方法,其中, 在一塗布模組所使用的該參考資料,係使用針對與在該一塗布模組所塗布之塗布膜相同種類的塗布膜已在另一塗布模組所取得的實際資料。
- 一種記錄媒體,其記憶了用以於半導體晶圓形成塗布膜的基板處理裝置所使用的電腦程式,該基板處理裝置包含: 搬入搬出區塊,搬運複數枚半導體晶圓的搬運容器可被搬入或搬出該搬入搬出區塊; 塗布模組,其對從搬運到該搬入搬出區塊的搬運容器所取出的半導體晶圓塗布塗布液; 拍攝模組,其具備用來拍攝半導體晶圓的拍攝部;以及 半導體晶圓搬運機構,其在該塗布模組與拍攝模組之間搬運半導體晶圓; 該記錄媒體的特徵為: 該電腦程式,包含如申請專利範圍第10至17項中任一項所記載的用來實行調整該塗布模組實行處理時的參數的方法的步驟群。
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