CN108511366B - 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法 - Google Patents

处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108511366B
CN108511366B CN201810095001.7A CN201810095001A CN108511366B CN 108511366 B CN108511366 B CN 108511366B CN 201810095001 A CN201810095001 A CN 201810095001A CN 108511366 B CN108511366 B CN 108511366B
Authority
CN
China
Prior art keywords
processing
circulation
pipe
processing liquid
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810095001.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108511366A (zh
Inventor
谷泽成规
新庄淳一
山本哲也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of CN108511366A publication Critical patent/CN108511366A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108511366B publication Critical patent/CN108511366B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明涉及一种处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法。处理液供给装置向多个处理部供给处理液。处理液供给装置包括：处理液供给源，供给进行了加热或者冷却的处理液；多个循环配管，多个所述循环配管分别与多个所述处理部对应地设置，分别使所述处理液供给源所供给的处理液循环；供给配管，与各所述循环配管分支连接，向对应的所述处理部供给处理液；流量调整阀，安装于各所述循环配管，调整该循环配管内的处理液的流量；以及，温度检测单元，安装于各所述循环配管，检测在该循环配管内流动的处理液的温度。

Description

处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法
技术领域
本发明涉及一种用于向处理基板的处理单元供给处理液的处理液供给装置、具有该处理液供给装置的基板处理装置以及处理液供给方法。作为成为处理对象的基板，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、有机EL(Electroluminescence，电致发光)显示装置等FPD(Flat Panel Display，平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等基板。
背景技术
在美国专利申请公开第2011/023909号说明书记载的液体处理装置，设置有多个处理单元，该处理单元利用液体供给机构所供给的处理液来处理基板。液体供给机构具有：液体供给源，供给进行了温度调整的处理液；循环流路，使液体供给源所供给的进行了温度调整的处理液循环。
发明内容
在美国专利申请公开第2011/023909号说明书的液体供给装置中，在循环流路内流动的处理液经由循环流路向外部散热。因此，随着从液体供给源朝向处理单元，在循环流路内流动的处理液的温度会降低。因散热而产生的处理液的温度下降的程度取决于循环流路内的处理液的流量。
在设置有多个处理单元的液体供给装置中，设置有多个循环流路。将层叠有多个处理单元的整体称为处理部(处理塔)。在这样的液体供给装置中，在各处理部对应地设置有循环流路。在这样的液体供给装置中，优选不在各循环流路设置一个液体供给源，而在共用的液体供给源连接多个循环流路。在共用的液体供给源连接有多个循环流路的结构中，以相同的压力从液体供给源向各循环配管送出处理液。
由于循环流路的长度、设置于循环流路的部件不同，因此在循环流路内流动的处理液受到的阻力也不同。因此，即使以相同的压力向循环流路送出处理液，各循环流路中的处理液的流量也并不一定在循环流路之间恒定。这样，各循环流路中的处理液的温度降低的程度也不恒定，存在供给至处理单元的处理液的温度根据循环流路而不同的担忧。因此，存在如下担忧：因根据在哪个处理部处理基板，而基板的状态(处理的程度)不同。
因此，本发明的一个目的在于，提供一种处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法，能够在处理液供给源所供给的处理液在多个循环配管循环的结构中，减小循环配管之间的处理液的温度差。
本发明的一实施方式的处理液供给装置，用于向多个处理部供给处理液，其中，包括：处理液供给源，供给进行了加热或者冷却的处理液；多个循环配管，多个所述循环配管分别与多个所述处理部对应地设置，分别使所述处理液供给源所供给的处理液循环；供给配管，与各所述循环配管分支连接，向对应的所述处理部供给处理液；流量调整阀，安装于各所述循环配管，调整该循环配管内的处理液的流量；以及，温度检测单元，安装于各所述循环配管，检测在该循环配管内流动的处理液的温度。
基于该结构，处理液供给源供给进行了加热或者冷却的(调整了温度)处理液，处理液供给源所供给的处理液在多个循环配管循环。在各循环配管循环的处理液，经由与各循环配管分支连接的供给配管供给至对应的处理部。
通过调整流量调整阀的开度，调整循环配管内的处理液的流量。由于因与循环配管的周边进行热交换(散热或者吸热)而产生的处理液的温度变化的程度，取决于循环流路内的处理液的流量，因此在使循环配管内的处理液的流量发生变化时，伴随与此，温度检测单元所检测的温度发生变动。因此，能够调整各流量调整阀的开度，以使循环配管之间的处理液的温度之差变小。此时，循环配管之间的温度差减小的处理液，从各循环配管经由供给配管供给至处理部。由此，能够减小处理液在处理部之间的温度差。
在本发明的一实施方式中，所述处理液供给装置还包括开度调整单元，所述开度调整单元以使各所述温度检测单元所检测的检测温度在所述循环配管之间的差减小的方式，调整所述流量调整阀的开度。
基于该结构，通过开度调整单元，以使检测温度之差减小的方式，调整压力调整阀的开度。因此，能够可靠地减小循环配管之间的处理液的温度差。
在本发明的一实施方式中，所述处理液供给装置还包括目标温度设定单元，所述目标温度设定单元对所有所述循环配管设定目标温度；所述开度调整单元以使各所述温度检测单元所检测的检测温度与所述目标温度一致的方式，调整所述流量调整阀的开度。
基于该结构，利用目标温度设定单元，对所有循环配管设定目标温度。开度调整单元以使各检测温度与目标温度一致的方式，调整流量调整阀的开度。因此，能够进一步减小循环配管之间的处理液的温度之差。
在本发明的一实施方式中，所述温度检测单元在对应的所述循环配管上的比所述供给配管的分支位置更靠下游侧的位置，安装于该循环配管。因此，温度检测单元能够检测在从处理液供给源朝向分支位置流动的期间进行了散热或者吸热之后的处理液的温度。因此，温度检测单元能够可靠地检测供给至处理部的处理液的温度在循环配管之间的差。因此，能够进一步减小循环配管间之间的温度差。
在本发明的一实施方式中，所述流量调整阀在对应的所述循环配管上的比所述供给配管的分支位置更靠下游侧的位置，安装于该循环配管。
在循环配管中，就安装有流量调整阀的部分而言，处理液从上游侧流入该部分。因此，与流量调整阀的下游侧的循环配管内的流量相比，流量调整阀能够通过调整开度来使流量调整阀的上游侧的循环配管内的流量稳定地发生变动。
因此，若在对应的循环配管中的供给配管的分支位置的下游侧，将流量调整阀安装于循环配管，则能够使从循环配管向供给配管流动的处理液的流量变得稳定。
在本发明的一实施方式中，还包括压力检测单元，所述压力检测单元安装于各所述循环配管，检测该循环配管内的压力。循环配管内的压力与循环配管内的处理液的流量具有相关关系。因此，若一边确认对应的压力检测单元所检测到的各循环配管的压力，一边调整流量调整阀的开度，则容易将循环配管内的处理液的流量调整为恰当的范围。
在本发明的一实施方式中，所述压力检测单元在对应的所述循环配管上的比所述供给配管的分支位置更靠上游侧的位置，安装于该循环配管。
就循环配管内的处理液的流量而言，与分支位置的上游侧相比，分支位置的下游侧更容易根据向供给配管供给处理液的供给状态的变化发生变动。
因此，若将压力检测单元在循环配管中的供给配管的分支位置的上游侧安装于循环配管，则能够减小向供给配管供给处理液的供给状态的变化对循环配管内的处理液的压力的检测带来的影响。即，压力检测单元能够稳定地检测循环配管内的处理液的压力。因此，容易确认各循环配管内的处理液的压力，更容易将循环配管内的处理液的流量调整为恰当的范围。
在本发明的一实施方式中，所述处理部具有用于处理基板的多个处理单元；所述供给配管具有多个分支配管，所述多个分支配管分别从对应的所述循环配管分支，用于向各所述处理单元供给处理液。
基于该结构，供给配管具有多个分支配管，所述多个分支配管从对应的循环配管分支，向对应的处理部的各处理单元供给处理液。因此，与在各处理单元分别设置一个循环配管的结构相比，能够减小循环配管的数量。
在本发明的一实施方式中，提供一种基板处理装置，其中，包括：所述处理液供给装置；以及，多个所述处理部，处理基板。基于该结构，能够获得与上面同样的效果。
在本发明的一实施方式中，提供一种处理液供给方法，向多个处理部供给处理液的处理液，其中，该处理液供给方法包括：循环工序，利用分别与多个所述处理部对应地设置的多个循环配管，分别使处理液供给源所供给的进行了加热或者冷却的处理液循环；温度检测工序，检测在所述循环工序中在各所述循环配管流动的处理液的温度；以及，开度调整工序，以使在所述温度检测工序中检测到的检测温度在所述循环配管之间的差减小的方式，调整安装于各所述循环配管的流量调整阀的开度。
根据该方法，在循环工序中，进行了加热或者冷却的(调整了温度)处理液，从处理液供给源供给至多个循环配管，并在多个循环配管循环。
在开度调整工序中，以使循环配管之间的处理液的检测温度之差减小的方式，调整对应的流量调整阀的开度，从而能够可靠地减小循环配管之间的处理液的流量之差。由此，能够减小循环配管间的处理液的温度之差。
在本发明的一实施方式中，所述处理液供给方法还包括目标温度设定工序，在所述目标温度设定工序中，对所有所述循环配管设定目标温度。所述开度调整工序包括以使与各所述循环配管对应的所述检测温度与所述目标温度一致的方式，调整安装于各所述循环配管的流量调整阀的开度的工序。
根据该方法，在目标温度设定工序中，在所有循环配管设定目标温度。在开度调整工序中，以使各检测温度与目标温度一致的方式，调整流量调整阀的开度。因此，能够进一步减小循环配管之间的处理液的温度之差。
在本发明的一实施方式中，多个所述循环配管的配管长度彼此不同；所述开度调整工序包括依次调整工序，在所述依次调整工序中，从与所述配管长度长的所述循环配管对应的所述流量调整阀开始依次调整开度。
在循环配管，配管长度越长，在循环配管内的流量变化时，处理液的温度变化的比率也越大。因此，在使与配管长度比较长的循环配管内的处理液的温度成为恰当的温度的流量相同的流量的处理液，在配管长度比较短的循环配管循环的情况下，配管长度比较短的循环配管内的处理液的温度容易成为恰当的温度。
在依次调整工序中，从循环配管的配管长度长的循环配管开始依次调整流量。因此，能够容易发现所有循环配管内的处理液的温度成为恰当的温度的流量。因此，能够在短时间内减小循环配管之间的处理液的温度差。
参照附图说明下面的实施方式，来明确本发明的上述的或者其它目的、特征以及效果。
附图说明
图1是用于说明本发明第一实施方式的基板处理装置的内部的布局的示意性的俯视图。
图2是所述基板处理装置的示意性的侧视图。
图3是示出所述基板处理装置所具有的处理液供给装置的结构的示意图。
图4是示出处理部和对应的循环配管的周边的结构的示意图。
图5是用于说明所述基板处理装置的主要部分的电结构的框图。
图6是用于说明所述处理液供给装置供给处理液的一例的流程图。
图7是示出处理液的温度的变化与流量的变化的比率在处理部之间的差的曲线图。
图8是示出第二实施方式的基板处理装置的处理部和对应的循环配管的周边的结构的示意图。
图9是用于说明第二实施方式的处理液供给装置供给处理液的一例的流程图。
图10是用于说明第二实施方式的处理液供给装置供给处理液的反馈控制(图9的S14)的详细情况的流程图。
具体实施方式
＜第一实施方式＞
图1是用于说明本发明第一实施方式的基板处理装置1的内部的布局的图解性的俯视图。图2是基板处理装置1的示意性的纵向剖视图。
基板处理装置1是用于逐张地处理硅晶片等基板W的单张式的装置。在本实施方式中，基板W为圆板状的基板。基板处理装置1包括用于利用药液、冲洗液等处理液处理基板W的多个(在本实施方式中为4个)处理塔2A～2D(处理部)。在对多个处理塔2A～2D进行总称时，称为处理塔2。基板处理装置1还包括：处理液供给装置3，向多个处理塔2A～2D供给处理液；流体单元4A～4D，与各处理塔2A～2D对应地设置，容纳用于向处理塔2A～2D供给处理液的配管。
各处理塔2A～2D包括上下层叠的多个(例如三个)处理单元20(参照图2)。处理单元20为逐张地处理基板W的单张式的处理单元。多个处理单元20例如具有相同的结构。
基板处理装置1还包括：装载埠LP，载置有用于容纳处理单元20所处理的多张基板W的容纳架；搬运机械手IR和CR，在装载埠LP与处理单元20之间搬运基板W；控制装置7，控制基板处理装置1。
基板处理装置1还包括沿着水平方向延伸的搬运路5。搬运路5从搬运机械手IR朝向搬运机械手CR以直线状延伸。搬运机械手IR在容纳架C与搬运机械手CR之间搬运基板W。搬运机械手CR在搬运机械手IR与处理单元20之间搬运基板W。
多个处理塔2隔着搬运路5对称地配置。在搬运路5的两侧，分别沿着搬运路5延伸的方向(延长方向X)排列有多个处理塔2。在本实施方式中，在搬运路5的两侧分别配置有两个处理塔2。
将多个处理塔2A～2D中的接近搬运机械手IR侧的两个处理塔2，分别称为第一处理塔2A和第二处理塔2B。第一处理塔2A和第二处理塔2B隔着搬运路5相向。将多个处理塔2A～2D中的远离搬运机械手IR侧的两个处理塔2，分别称为第三处理塔2C和第四处理塔2D。第三处理塔2C和第四处理塔2D隔着搬运路5相向。第一处理塔2A和第三处理塔2C沿着延长方向X排列配置。第二处理塔2B和第四处理塔2D沿着延长方向X排列配置。各处理塔2A～2D与对应的流体单元4A～4D在延长方向X上相邻。
处理液供给装置3包括处理液供给源R。基板处理装置1包括柜(cabinet)6，该柜6在延长方向X上配置于与搬运机械手IR一侧相反的一侧，容纳处理液供给源R。处理液供给源R在柜6内配置于与处理塔2C相比更接近处理塔2D的位置，其中，所述处理塔2C为隔着搬运路5配置于两侧的处理塔2C、2D中的一侧的处理塔，所述处理塔2D为隔着搬运路5配置于两侧的处理塔2C、2D中的另一侧的处理塔。
图3是示出基板处理装置1所具有的处理液供给装置3的结构的示意图。
参照图3，处理液供给装置3还包括：多个循环配管22A～22D，分别使处理液罐21内的处理液循环；供给配管23A～23D，与各循环配管22A～22D分支连接，向对应的处理塔2A～2D供给处理液。处理液供给源R包括：处理液罐21，贮存处理液；共用配管24，连接处理液罐21与多个循环配管22A～22D的上游端。多个循环配管22A～22D从共用配管24的下游端分支。将循环配管22A～22D总称为循环配管22。将供给配管23A～23D总称为供给配管23。
循环配管22A～22D分别与多个处理塔2A～2D对应地设置。将循环配管22A～22D中的分支连接有供给配管23A～23D的部分，称为分支位置26A～26D。将分支位置26A～26D总称为分支位置26。
处理液供给装置3包括：压力计27A～27D，安装于各循环配管22A～22D，检测该循环配管22A～22D内的压力；压力调整阀28A～28D，安装于各循环配管22A～22D，调整该循环配管22A～22D内的处理液的压力。处理液供给装置3还包括温度计29A～29D，该温度计29A～29D安装于各循环配管22A～22D，检测该循环配管22A～22D内的处理液的温度。将压力计27A～27D总称为压力计27。将压力调整阀28A～28D总称为压力调整阀28。将温度计29A～29D总称为温度计29。
压力调整阀28A～28D例如为马达针形阀，但是并不限定于此，也可以是溢流阀等阀。
压力计27A～27D为用于检测循环配管22A～22D内的处理液的压力的压力检测单元的一例。温度计29A～29D为用于检测循环配管22A～22D内的处理液的流量的温度检测单元的一例。
压力与流量具有相关的关系，因此能够通过调整某一循环配管22A～22D内的压力，来调整该循环配管22A～22D内的处理液的流量。即，压力调整阀28A～28D为用于调整循环配管22A～22D内的处理液的流量的流量调整阀的一例。
各压力计27A～27D在循环配管22A～22D中的供给配管23A～23D的分支位置26A～26D的上游侧，安装于对应的循环配管22A～22D。各压力调整阀28A～28D在对应的分支位置26A～26D的下游侧，安装于对应的循环配管22A～22D。各温度计29A～29D在对应的分支位置26A～26D的下游侧，安装于对应的循环配管22A～22D。
在共用配管24从上游侧依次安装有泵30、过滤器31以及加热单元32。泵30将共用配管24内的处理液向下游侧送出。过滤器31对在共用配管24流动的处理液进行过滤。加热单元32为用于对共用配管24内的处理液进行加热的加热器等。
泵30将共用配管24内的处理液向下游侧送出，由此使处理液罐21内的处理液在各循环配管22A～22D循环。此时，处理液罐21内的处理液经由共用配管24供给至各循环配管22A～22D。因此，利用安装于共用配管24的加热单元32，对原来存在于处理液罐21内的处理液进行加热。因此，处理液供给源R将进行了加热(调整温度)的处理液供给至循环配管22A～22D。加热单元32发挥用于调整从处理液供给源R供给至多个循环配管22A～22D的处理液的温度的温度调整单元的功能。
与各处理塔2A～2D有关的处理液供给装置3的构件，在所有处理塔2A～2D具有大致相同的结构。因此，下面，在处理液供给装置3中，以与第一处理塔2A对应的构件为中心进行说明。图4是示出第一处理塔2A和对应的循环配管22A的周边的结构的示意图。
参照图4，第一处理塔2A的各处理单元20包括：旋转夹具40，一边将一张基板W保持为水平的姿势，一边使基板W以穿过基板W的中央部的铅垂的旋转轴线A1为中心旋转；罩(Cup)41，包围旋转夹具40；第一喷嘴42和第二喷嘴43，向基板W供给处理液；处理腔室44，容纳旋转夹具40、罩41、第一喷嘴42以及第二喷嘴43。
在处理腔室44形成有出入口(未图示)，利用该出入口向处理腔室44内搬入基板W，或者从处理腔室44内搬出基板W。处理腔室44具有用于对该出入口进行开闭的闸门单元(未图示)。
旋转夹具40包括多个夹具销45、旋转基座46、旋转轴47以及电动马达48。旋转轴47沿着旋转轴线A1在铅垂方向上延伸。旋转轴47的上端与旋转基座46的下表面中央结合。
旋转基座46具有沿着水平方向延伸的圆板形状。在旋转基座46的上表面的周缘部，沿着周向隔开间隔配置多个夹具销45。旋转基座46和夹具销45发挥用于将基板W保持为水平的基板保持单元的功能。电动马达48向旋转轴47提供旋转力。通过利用电动马达48使旋转轴47旋转，使基板W以旋转轴线A1为中心旋转。电动马达48发挥用于使基板W以旋转轴线A1为中心旋转的基板旋转单元的功能。
在本实施方式中，第一喷嘴42和第二喷嘴43分别为固定喷嘴，以朝向基板W的上表面的旋转中心喷出处理液的方式配置。贮存于处理液供给源R的处理液罐21的药液等处理液，经由循环配管22A和供给配管23A供给至第一喷嘴42。从与处理液供给源R不同的其它供给源50经由配管51，向第二喷嘴43供给冲洗液等处理液。在配管51安装有用于对是否向第二喷嘴43供给处理液进行切换的阀52。
药液例如为氢氟酸(氟化氢水溶液：HF)。药液并不限定于氢氟酸、可以是含有硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、缓冲氢氟酸(BHF)、稀氢氟酸(DHF)、氨水、过氧化氢、有机酸(例如，柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如，TMAH：四甲基氢氧化铵等)、表面活性剂、防腐蚀剂中的至少一种的液体。作为将这些混合而成的药液的例子，可例举SPM(硫酸过氧化氢混合液)、SC1(氨过氧化氢混合液)、SC2(盐酸过氧化氢混合液)等。
作为冲洗液，例如为去离子水(Deionized Water：DIW)。冲洗液并不限定于DIW，也可以是碳酸水、电解离子水、臭氧水、稀释浓度(例如，10～100ppm左右)的盐酸水、氨水、还原水(含氢水)。冲洗液含有水。
作为处理液，除了药液和冲洗液之外，还可例举与水相比表面张力更低的低表面张力液体等。低表面张力液体用于在向基板W上供给冲洗液之后，置换基板W上的冲洗液。在将基板W上的冲洗液置换为低表面张力液体之后，从基板W上除去低表面张力液体，从而能够使基板W的上表面良好地干燥。在利用低表面张力液体使基板W的上表面干燥的情况下，与不使用低表面张力液体而通过从基板W的上表面除去冲洗液来使基板W干燥的情况相比，能够降低作用于在基板W上形成的图案的表面张力。
作为低表面张力液体，能够利用不与基板W的上表面以及形成于基板W的图案发生化学反应的(缺乏反应性)、除了IPA之外的有机溶剂。更具体地说，能够将含有IPA、HFE(氢氟醚)、甲醇、乙醇、丙酮以及反式-1,2-二氯乙烯中的至少一种的液体，用作低表面张力液体。另外，低表面张力液体不必仅由单一成分形成，也可以是与其它成分混合而成的液体。例如，可以是IPA液与纯水的混合液，也可以是IPA液与HFE液的混合液。
供给配管23A从循环配管22A分支。供给配管23A具有用于向处理塔2A的各处理单元20供给处理液的多个分支配管33～35。各分支配管33～35的上游端在对应的分支位置33a～35a与循环配管22A连接。各分支配管33～35的下游端与对应的处理单元20的第一喷嘴42连接。
循环配管22A中的供给配管23A的分支位置26A包括各分支配管33～35的分支位置33a～35a。因此，在循环配管中最靠上游侧的分支配管33的分支位置33a的上游侧，压力计27A安装于循环配管22A。在循环配管中最靠下游侧的分支配管35的分支位置35a的下游侧，压力调整阀28A和温度计29A安装于循环配管22A。
在多个分支配管33～35分别从上游侧依次安装有供给流量计36、供给流量调整阀37以及供给阀38。各供给流量计36检测在与供给配管23A对应的分支配管33～35内流动的处理液的流量。各供给流量调整阀37调整与供给配管23A对应的分支配管33～35内的处理液的流量。各供给阀38对是否向与供给配管23A对应的分支配管33～35供给处理液进行切换。供给流量调整阀37例如为马达针形阀。供给阀38例如为溢流阀。
循环配管22A包括上游侧第一配管60、下游侧第一配管61、第二配管62。上游侧第一配管60具有循环配管22A的上游端，容纳于柜6内。下游侧第一配管61具有循环配管22A的下游端，容纳于柜6内。第二配管62容纳于流体单元4A。压力调整阀28A和温度计29A安装于第二配管62，配置于流体单元4A内。
循环配管22A还包括上游侧第三配管63、下游侧第三配管64。上游侧第三配管63与上游侧第一配管60、第二配管62连接，横跨柜6与流体单元4A之间。下游侧第三配管64与下游侧第一配管61、第二配管62连接，横跨柜6与流体单元4A之间。上游侧第三配管63还称为上游侧转接配管。下游侧第三配管64还称为下游侧转接配管。
将上游侧第一配管60、第二配管62、上游侧第三配管63、下游侧第三配管64以及下游侧第一配管61的长度的合计，称为循环配管22A的配管长度。
参照图1，随着该处理塔2与处理液罐21之间的相对位置不同，各循环配管22A～22D的配管长度也彼此不同。具体地说，处理液供给源R与对应的处理塔2A～2D之间的距离越长，各循环配管22A～22D的配管长度越长。更具体地说，循环配管22A的配管长度最长，该循环配管22A与多个处理塔2A～2D中的最远离处理液供给源R的处理塔2A对应。其次，与处理塔2B对应的循环配管22B长，接下来与处理塔2C对应的循环配管22C长。并且，循环配管22D的配管长度最短，该循环配管22D与最接近处理液供给源R的处理塔2D对应。
图5是用于说明基板处理装置1的主要部分的电结构的框图。参照图5，控制装置7具有微型计算机，按照规定的程序，控制基板处理装置1所具有的控制对象。更具体地说，控制装置7包括处理器(CPU)7A和存储有程序的存储器7B，通过处理器7A执行程序，来执行用于基板处理的各种控制。尤其，控制装置7控制搬运机械手IR、CR、电动马达48、压力计27A～27D、温度计29A～29D、流量计36以及阀类37、38、52等的动作。
图6是用于说明利用处理液供给装置3供给处理液的一例的流程图。
在供给处理液时，首先，设定在各循环配管22内流动的处理液的温度的目标值(目标温度T)(目标温度设定工序：步骤S1)。此时，对所有循环配管22设定共用的目标温度T。
然后，控制装置7使安装于共用配管24的加热单元32和泵30启功。由此，进行了加热的处理液从处理液供给源R供给至各循环配管22，并开始在各循环配管22内循环(循环工序：步骤S2)。
然后，控制装置7控制各温度计29，检测对应的循环配管22的温度(温度检测工序：步骤S3)。将利用温度计29检测到的处理液的温度称为检测温度。在开始循环工序之后，执行温度检测工序。
与温度检测工序并行地，利用各压力计27检测对应的循环配管22内的压力。由此，能够恰当地确认各循环配管22内的压力。
控制装置7也可以基于各压力计27A～27D所检测的检测压力，计算循环配管22内的处理液的流量。由此，间接地检测循环配管22内的处理液的流量。将基于压力计27A～27D所检测到的检测压力计算出的流量，称为检测流量。
并且，执行开度调整工序，在该开度调整工序中，以使循环配管22之间的检测温度之差变小的方式，调整安装于各循环配管22的压力调整阀28的开度。
具体地说，首先，由基板处理装置1的操作者(以下，仅称为操作者)，判断所有循环配管22中的检测温度是否为包括目标温度T的规定的范围(后述)内的温度(温度判断工序：步骤S4)。在某一个循环配管22的检测温度为规定的范围外的温度的情况(在步骤S4中为“否”)下，操作者变更对应的压力调整阀28的开度，以使检测温度接近目标温度T(开度变更工序：步骤S5)。由此，减小循环配管22之间的流量之差，减小循环配管22之间的处理液的温度之差。
就压力调整阀28的开度的变更而言，具体地说，操作者可以通过操作控制装置7的操作面板(未图示)来变更压力调整阀28的开度，操作者也可以直接操作压力调整阀28来变更压力调整阀28的开度。
然后，在所有循环配管22中的检测温度为规定的范围内的温度的情况(在步骤S4中为“是”)下，不变更压力调整阀28的开度，控制装置7使供给阀38打开。由此，开始从分支配管33～35向基板W供给处理液(步骤S6)。即使在某一个循环配管22中的检测温度为目标温度T的规定的范围外的温度的情况(在步骤S4为“否”)下，也在变更压力调整阀28的开度之后，控制装置7使供给阀38打开。由此，开始从分支配管33～35向基板W供给处理液(步骤S6)。
图7是示出处理液的温度的变化与处理液的流量的变化的比率在处理塔2之间的差的曲线图。在图7中，横轴表示根据循环配管22内的检测压力计算出的处理液的流量，纵轴表示该循环配管22中的检测温度。在图7中示出了各循环配管22A～22D中的处理液的温度的变化与处理液的流量的比率。
为了恰当地进行基板W的处理，需要使循环配管22A～22D内的处理液的温度t为规定的范围内的温度。规定的范围例如指，第一温度t1与第二温度t2之间的范围(t2≦t≦t1)，其中，所述第一温度t1为，比目标温度T大规定量Δt的温度，所述第二温度t2为，比目标温度T小规定量Δt的温度。
如图7所示，就检测温度的变化与处理液的流量q的变化的比率而言，在循环配管22A中最大，其次是在循环配管22B中大，再其次是在循环配管22C中大，在循环配管22D中最小。即，循环配管22A～22D的配管长度越长(还参照图1)，检测温度的变化与处理液的流量q的变化的比率越大。
因此，在使与配管长度比较长的循环配管22(例如循环配管22A)内的处理液的温度达到规定的范围内的温度时的流量q相同的流量q的处理液，在配管长度比较短的循环配管22(例如循环配管22B)循环的情况下，比较短的该循环配管22(循环配管22B)内的处理液的温度容易达到恰当的温度。
详细而言，若循环配管22A内处理液的流量q为第一流量q1以下且第二流量q2以上(q2≦q≦q1)，则循环配管22A内的处理液的温度成为规定的范围内的温度(t2≦t≦t1)。在循环配管22B中，若流量q为第一流量q1以下且第二流量q2以上，则处理液的温度也成为规定的范围内的温度。在循环配管22C和循环配管22D中，与循环配管22B同样地，若流量q为第一流量q1以下且第二流量q2以上，则处理液的温度也成为规定的范围内的温度。
因此，优选在开度调整工序中，操作者从与配管长度长的循环配管22对应的压力调整阀28开始依次调整开度(依次调整工序)。
利用处理液供给装置3供给处理液，另一方面，利用基板处理装置1处理基板。在基板处理中，利用搬运机械手IR、CR将未处理的基板W从容纳架C搬入处理单元20，并交至旋转夹具40。然后，在利用搬运机械手CR搬出基板W为止的期间，将基板W从旋转基座46的上表面向上方隔开间隔来水平地保持(基板保持工序)。电动马达48使旋转基座46旋转。由此，水平地保持于夹具销45的基板W旋转(基板旋转工序)。
接着，在搬运机械手CR向处理单元20外退避之后，执行药液处理。具体地说，通过打开供给阀38，执行从处理液供给装置3向第一喷嘴42供给例如药液的供给工序(图6的步骤S6)。如上所述，在从第一喷嘴42向基板W供给药液之前，执行开度调整工序(图6的步骤S4和步骤S5)。
然后，从第一喷嘴42朝向旋转状态的基板W的上表面喷出(供给)药液。供给的药液借助离心力遍及基板W的整个上表面。由此，利用药液对基板W的上表面进行处理。
在执行恒定时间的药液处理之后，执行DIW冲洗处理，在该DIW冲洗处理中，通过将基板W上的药液置换为DIW，从基板W上排除药液。具体地说，关闭供给阀38，打开阀52。由此，从第二喷嘴43朝向基板W的上表面供给(喷出)例如冲洗液。供给至基板W上的DIW借助离心力遍及基板W的整个上表面。利用该DIW冲洗基板W上的药液。
在执行恒定时间的冲洗处理之后，执行干燥处理。具体地说，电动马达48使基板W以比药液处理和冲洗液处理中的基板W的旋转速度更快的高旋转速度(例如3000rpm)旋转。由此，大的离心力作用于基板W的上表面的冲洗液，向基板W的周围甩出基板W的上表面的冲洗液。这样，从基板W除去冲洗液，使基板W干燥。然后，在开始进行基板W的高速旋转起经过恒定时间时，电动马达48使利用旋转基座46进行的基板W的旋转停止。
然后，搬运机械手CR进入处理单元20，从旋转夹具40提起已处理的基板W，并向处理单元20外搬出。该基板W从搬运机械手CR交至搬运机械手IR，并利用搬运机械手IR容纳于容纳架C。在各处理塔2A～2D执行这样的基板处理。
根据第一实施方式，处理液供给源R所供给的调整了温度的处理液在多个循环配管22循环。在各循环配管22循环的处理液，经由与各循环配管22分支连接的供给配管23供给至对应的处理塔2。
通过由操作者调整压力调整阀28的开度，调整循环配管22内的处理液的流量。因与循环配管22的周边进行热交换(散热或者吸热)而产生的处理液的温度变化的程度，取决于循环配管22内的处理液的流量。因此，在使循环配管22内的处理液的流量发生变化时，伴随与此，温度计29检测的温度发生变动。因此，操作者能够调整各压力调整阀28的开度，来使循环配管22之间的处理液的温度之差变小。此时，循环配管22之间的温度差变小的处理液，从各循环配管22经由供给配管23供给至处理塔2。由此，能够减小处理液在处理塔2之间的温度差。由此，循环配管22之间的温度差变小的处理液，从各循环配管22经由供给配管23供给至处理塔2。因此，能够减小处理液在处理塔2之间的温度差。
另外，即使不在每个循环配管22设置加热器等来加热处理液，只要将进行了加热的处理液从处理液供给源R供给至各循环配管22，就能够减小循环配管22之间的处理液的温度之差。因此，不必在每个循环配管22设置加热器，因此能够减少部件数量。
另外，根据第一实施方式，通过从配管长度长的循环配管22开始依次调整流量，能够容易发现所有循环配管22内的处理液的温度t成为恰当的温度(t2≦t≦t1)的流量q。因此，能够在短时间内减小循环配管22之间的处理液的温度差。
另外，根据第一实施方式，温度计29在循环配管22中的供给配管23的分支位置26的下游侧，安装于循环配管22。因此，温度计29能够检测在从处理液供给源R朝向分支位置26流动的期间进行了散热或者吸热之后的处理液的温度。因此，温度计29能够可靠地检测供给至处理塔2的处理液的温度在循环配管22之间的差。因此，能够进一步减小循环配管22之间的温度差。
在循环配管22中，就安装有压力调整阀28的部分而言，上游侧的处理液流入该部分。因此，与压力调整阀28的下游侧的循环配管22内的流量相比，压力调整阀28能够通过调整开度来使压力调整阀28的上游侧的循环配管22内的流量稳定地发生变动。
因此，若如第一实施方式那样，压力调整阀28在对应的循环配管22中的供给配管23的分支位置26的下游侧安装于循环配管22，则能够使从循环配管22向供给配管23流动的处理液的流量稳定。
另外，根据第一实施方式，在各循环配管22设置有用于检测该循环配管22内的压力的压力计27。如上所述，循环配管22内的压力与循环配管22内的处理液的流量具有相关关系。因此，若一边确认压力计27检测到的各循环配管22的压力一边调整压力调整阀28的开度，则能够将循环配管22内的处理液的流量容易调整为恰当的范围。在使循环配管22内的处理液的流量变化时，伴随与此，温度计29检测的温度发生变动，因此，若能够将循环配管22内的处理液的流量调整为恰当的范围，就能够将循环配管22内的处理液的温度调整为恰当的范围(规定的范围：t2≦t≦t1)。
另外，压力计27和温度计29大多比一般的流量计更小且廉价。因此，与在循环配管22设置流量计的结构相比，能够节省处理液供给装置3的空间和降低成本。
就循环配管22内的处理液的压力而言，与分支位置26的上游侧相比，分支位置26的下游侧更容易根据向供给配管23供给处理液的供给状态的变化而发生变动。
若压力计27在循环配管22中的供给配管23的分支位置26的上游侧安装于循环配管22，则能够减小向供给配管23供给处理液的供给状态的变化对循环配管22内的处理液的压力的检测带来的影响。即，压力计27能够稳定地检测循环配管22内的处理液的压力。因此，容易确认各循环配管22内的处理液的压力，更容易将循环配管22内的处理液的流量调整为恰当的范围。
另外，根据第一实施方式，供给配管23具有多个分支配管33～35，该多个分支配管33～35从对应的循环配管22分支，且向对应的处理塔2的各处理单元20供给处理液。因此，与在各处理单元20分别设置一个循环配管22的结构相比，能够减少循环配管22的数量。
也可以与第一实施方式不同地，将能够检测流量的流量计在对应的循环配管22中的供给配管23的分支位置26，安装于该循环配管22，来代替压力计27。
也可以与第一实施方式不同地，在目标温度设定工序S1设定目标温度T时，设定与目标温度T对应的目标压力。此时，在开度调整工序中，能够通过以使各检测压力接近目标压力的方式，变更压力调整阀28的开度，从而以使检测温度接近目标温度T的方式，调整各循环配管22内的处理液的温度。因此，能够容易地调整各循环配管22内的处理液的温度。
＜第二实施方式＞
图8是示出第二实施方式的基板处理装置1P中的处理塔2A以及对应的循环配管22A的周边的结构的示意图。在图8中，对于与上面说明的构件相同的构件，标注相同的附图标记，省略其说明。第二实施方式的基板处理装置1P与第一实施方式的基板处理装置1(参照图4)的不同点在于，处理液供给装置3P不具有压力计27A～27D这一点，以及控制装置7控制压力调整阀28A～28D这一点(参照图5)。
图9是用于说明利用处理液供给装置3P供给处理液的一例的流程图。
在利用处理液供给装置3P供给处理液时，首先，控制装置7设定在各循环配管22内流动的处理液的温度的目标值(目标温度T)(目标温度设定工序：步骤S11)。此时，对于所有循环配管22设定共用的目标温度T。这样，控制装置7发挥目标温度设定单元的功能。
并且，利用控制装置7使安装于共用配管24的泵30启动。由此，将进行了加热的处理液从处理液供给源R供给至各循环配管22，使该处理液开始在各循环配管22内循环(循环工序：步骤S12)。
然后，控制装置7控制各温度计29，检测对应的循环配管22的温度(温度检测工序：步骤S13)。在开始执行循环工序之后执行温度检测工序。然后，控制装置7基于检测温度，执行反馈控制(步骤S14)。在利用循环配管22使处理液罐21内的处理液循环的期间，持续执行反馈控制。
图10是用于利用说明处理液供给装置3P供给处理液的反馈控制(图9的S14)的详细情况的过程图。
在反馈控制中，首先，利用控制装置7，判断各循环配管22中的检测温度是否与目标温度T一致(温度判断工序：步骤T1)。
在检测温度与目标温度T不同的情况(在步骤T1中为“否”)下，利用控制装置7变更各压力调整阀28的开度(开度变更工序：步骤T2)。在开度变更工序中，控制装置7以使检测温度接近目标温度T的方式，变更压力调整阀28的开度。由此，减小循环配管22之间的处理液的温度之差。然后，利用控制装置7，再次判断各循环配管22中的检测温度是否与目标温度T(目标值)一致(步骤T1)。
在检测温度与目标温度T一致的情况(在步骤T1中为“是”)下，不执行开度变更工序。然后，利用控制装置7，再次判断各循环配管22中的检测温度是否与目标温度T(目标值)一致(步骤T1)。
在再次的温度判断工序中检测温度与目标温度T一致的情况(在步骤T1中为“是”)，再次执行温度判断工序。在再次的温度判断工序中检测温度与目标温度T不同的情况(在步骤T1中为“否”)下，执行开度变更工序，然后执行温度判断工序。
这样，控制装置7反复进行温度判断工序和开度变更工序，来调整压力调整阀28的开度(开度调整工序)。这样，控制装置7发挥开度调整单元的功能，以使循环配管22之间的检测温度之差变小的方式，调整对应的压力调整阀28的开度。
在利用处理液供给装置3P供给处理液的开度调整工序中，优选与第一实施方式的利用处理液供给装置3供给处理液的开度调整工序同样地，从与配管长度长的循环配管22对应的压力调整阀28开始依次调整开度(依次调整工序)。
在利用处理液供给装置3P供给处理液时，在从第一喷嘴42供给药液之前，开始执行反馈控制(图9的步骤S14)。
在第二实施方式中，获得与第一实施方式同样的效果。
另外，在第二实施方式中，通过控制装置7调整压力调整阀28的开度，来调整循环配管22内的处理液的流量。因散热或者吸热而产生的处理液的温度变化的程度，取决于循环配管22内的处理液的流量，因此若使循环配管22内的处理液的流量发生变化，则伴随与此温度计29检测的温度发生变动。因此，控制装置7能够通过调整各压力调整阀28的开度，来可靠地减小循环配管22之间的处理液的温度之差。此时，循环配管22之间的温度差减小的处理液从各循环配管22经由供给配管23供给至处理塔2。由此，能够减小处理液在处理塔2之间的温度差。
另外，在第二实施方式中，利用控制装置7(目标温度设定单元)，对所有循环配管22设定目标温度T。控制装置7(开度调整单元)以使各检测温度与目标温度T一致的方式，调整压力调整阀28的开度。由此，能够进一步减小循环配管22之间的处理液的温度差。
控制装置7以使各检测温度与目标温度T一致的方式，持续调整压力调整阀28的开度，从而能够维持循环配管22之间的处理液的温度差减小的状态。
在此，在向供给配管23供给处理液的供给状态发生变化时，循环配管22内的处理液的流量发生变化，循环配管22内的处理液的温度发生变化。因此，即使在利用开度调整工序使检测温度与目标温度T一致的情况下，根据向供给配管23供给处理液的供给状态的变化等，在供给处理液的途中，可能存在检测温度与目标温度T不一致的情况。即使在这样的情况下，控制装置7也以与目标温度T一致的方式，持续调整压力调整阀28的开度，从而减小循环配管22之间的处理液的温度差。
本发明并不限定于上面说明的实施方式，能够以更多的其它方式实施。
例如，也可以与上述的实施方式不同地，设置用于加热处理液罐21内的处理液的加热器来作为温度调整单元。利用该加热器加热处理液罐21内的处理液。因此，将进行了加热的处理液从处理液供给源R供给至多个循环配管22。
另外，也可以与上述的实施方式不同地，在共用配管24安装用于冷却处理液的冷却器。另外，也可以与上述的实施方式不同地，设置用于冷却处理液罐21内的处理液的冷却器。在这些情况下，冷却器发挥温度调整单元的功能，将进行了冷却的处理液从处理液供给源R供给至多个循环配管22。
另外，也可以将利用加热器和冷却器调整了温度的处理液从处理液供给源R供给至多个循环配管22。另外，作为温度调整单元，也可以设置具有加热器和冷却器这两种功能的单一的单元。
另外，在上述实施方式中，各压力计27在对应的循环配管22中的供给配管23的分支位置26的上游侧，安装于该循环配管22。但是，也可以与上述的实施方式不同地，也可以采用将压力计27在循环配管22中的供给配管23的分支位置26的下游侧，安装于该循环配管22的方式。也可以采用将压力计27在分支位置33a与分支位置35a之间安装于该循环配管22的方式。
另外，在上述实施方式中，各压力调整阀28和各温度计29在对应的循环配管22中的供给配管23的分支位置26的下游侧，安装于该循环配管22。但是，也可以与上述的实施方式不同地，采用将压力调整阀28在循环配管22中的供给配管23的分支位置26的上游侧，安装于该循环配管22的方式。另外，也可以采用将温度计29在循环配管22中的供给配管23的分支位置26的上游侧，安装于该循环配管22的方式。也可以采用将压力调整阀28或温度计29在分支位置33a与分支位置35a之间安装于该循环配管22的方式。
另外，能够在用于向第二喷嘴43供给处理液的处理液供给装置，适用与本实施方式的处理液供给装置3同样的结构。
另外，在上述实施方式中，处理单元20具有第一喷嘴42和第二喷嘴43。但是，喷嘴的数量并不限定于两个，也可以设置三个以上。此时，也可以在用于向各喷嘴供给处理液的处理液供给装置，适用与本实施方式的处理液供给装置3同样的结构。
在喷嘴的数量为三个的情况下，能够从第一喷嘴42向基板W供给氢氟酸等药液，从第二喷嘴43向基板W供给DIW等冲洗液，而且，从其它喷嘴向基板W供给IPA等有机溶剂(低表面张力液体)。由此，在上述的基板处理中，能够在DIW冲洗处理和干燥处理之间，执行用于用IPA置换DIW的有机溶剂处理。
对本发明实施方式进行了详细说明，但是这仅仅是用于明确本发明的技术内容的具体例，本发明并不限定于这些具体例来解释，本发明的范围仅由权利要求书限定。
该申请与2017年2月24日向日本专利厅提出的特愿2017－003608号对应，将该申请的全部公开内容通过引用编入于此。

Claims (12)

1.一种处理液供给装置，用于向多个处理部供给处理液，其中，
包括：
处理液供给源，供给进行了加热或者冷却的处理液；
多个循环配管，多个所述循环配管分别与多个所述处理部对应地设置，分别使所述处理液供给源所供给的处理液循环；
供给配管，与各所述循环配管分支连接，向对应的所述处理部供给处理液；
流量调整阀，安装于各所述循环配管，调整该循环配管内的处理液的流量；以及，
温度检测单元，安装于各所述循环配管，检测在该循环配管内流动的处理液的温度，
所述循环配管与向对应的所述供给配管供给的处理液的供给状态无关地使从所述处理液供给源供给的处理液循环。
2.根据权利要求1所述的处理液供给装置，其中，
所述处理液供给源为单一的供给源，
所述处理液供给装置还包括开度调整单元，所述开度调整单元以使各所述温度检测单元所检测的检测温度在所述循环配管之间的差减小的方式，调整所述流量调整阀的开度，
所述开度调整单元从与处理液的温度的变化相对于处理液的流量的变化的比率大的所述循环配管对应的所述流量调整阀开始依次调整开度。
3.根据权利要求2所述的处理液供给装置，其中，
还包括目标温度设定单元，所述目标温度设定单元对所有所述循环配管设定目标温度，
所述开度调整单元以使各所述温度检测单元所检测的检测温度与所述目标温度一致的方式，调整所述流量调整阀的开度。
4.根据权利要求1或2所述的处理液供给装置，其中，
所述温度检测单元在对应的所述循环配管上的比所述供给配管的分支位置更靠下游侧的位置，安装于该循环配管。
5.根据权利要求1或2所述的处理液供给装置，其中，
所述流量调整阀在对应的所述循环配管上的比所述供给配管的分支位置更靠下游侧的位置，安装于该循环配管。
6.根据权利要求1或2所述的处理液供给装置，其中，
还包括压力检测单元，所述压力检测单元安装于各所述循环配管，检测该循环配管内的压力。
7.根据权利要求6所述的处理液供给装置，其中，
所述压力检测单元在对应的所述循环配管上的比所述供给配管的分支位置更靠上游侧的位置，安装于该循环配管。
8.根据权利要求1或2所述的处理液供给装置，其中，
所述处理部具有用于容纳基板的多个处理单元，
所述供给配管具有多个分支配管，所述多个分支配管分别从对应的所述循环配管分支，用于向各所述处理单元供给处理液。
9.一种基板处理装置，其中，
包括：
权利要求1或2所述的处理液供给装置；以及，
多个所述处理部，处理基板。
10.一种处理液供给方法，向多个处理部供给处理液，其中，该处理液供给方法包括：
循环工序，利用分别与多个所述处理部对应地设置的多个循环配管，分别使处理液供给源所供给的进行了加热或者冷却的处理液循环；
温度检测工序，检测在所述循环工序中在各所述循环配管流动的处理液的温度；以及，
开度调整工序，以使在所述温度检测工序中检测到的检测温度在所述循环配管之间的差减小的方式，调整安装于各所述循环配管的流量调整阀的开度，
所述循环配管与向对应的所述处理部供给的处理液的供给状态无关地使从所述处理液供给源供给的处理液循环。
11.根据权利要求10所述的处理液供给方法，其中，
还包括目标温度设定工序，在所述目标温度设定工序中，对所有所述循环配管设定目标温度，
所述开度调整工序包括以使与各所述循环配管对应的所述检测温度与所述目标温度一致的方式，调整安装于各所述循环配管的流量调整阀的开度的工序。
12.根据权利要求10或11所述的处理液供给方法，其中，
多个所述循环配管的配管长度彼此不同，
所述开度调整工序包括依次调整工序，在所述依次调整工序中，从与所述配管长度长的所述循环配管对应的所述流量调整阀开始依次调整开度。
CN201810095001.7A 2017-02-24 2018-01-31 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法 Active CN108511366B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017033608A JP6916633B2 (ja) 2017-02-24 2017-02-24 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法
JP2017-033608 2017-02-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108511366A CN108511366A (zh) 2018-09-07
CN108511366B true CN108511366B (zh) 2022-03-15

Family

ID=63374589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810095001.7A Active CN108511366B (zh) 2017-02-24 2018-01-31 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6916633B2 (zh)
KR (1) KR102057383B1 (zh)
CN (1) CN108511366B (zh)
TW (1) TWI660790B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7132054B2 (ja) * 2018-09-21 2022-09-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、及び基板処理方法
JP7189013B2 (ja) * 2018-12-28 2022-12-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理装置の運転方法
JP2020150126A (ja) * 2019-03-13 2020-09-17 東京エレクトロン株式会社 混合装置、混合方法および基板処理システム
JP6851515B2 (ja) * 2019-03-15 2021-03-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN111696891B (zh) * 2019-03-15 2024-05-03 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、混合方法和基片处理方法
JP6952860B2 (ja) * 2019-03-29 2021-10-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
JP6843173B2 (ja) 2019-03-29 2021-03-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
JP7437898B2 (ja) * 2019-09-18 2024-02-26 東京エレクトロン株式会社 検査システム及び検査方法
KR102296276B1 (ko) * 2019-09-24 2021-09-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP7312656B2 (ja) * 2019-09-24 2023-07-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7562328B2 (ja) * 2020-07-31 2024-10-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2022131885A (ja) * 2021-02-26 2022-09-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液循環方法、及び、基板処理方法
KR102498912B1 (ko) * 2021-04-02 2023-02-10 주식회사 디엠에스 처리액 공급장치
KR20240097020A (ko) 2022-12-19 2024-06-27 세메스 주식회사 유기 용매 공급 장치, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101424950A (zh) * 2007-11-02 2009-05-06 东京毅力科创株式会社 被处理基板温度调节装置和调节方法及等离子体处理装置
TW201220512A (en) * 2010-09-29 2012-05-16 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2014063807A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Hoya Corp レジスト液供給装置、レジスト塗布装置、レジスト液の温度管理方法、レジスト液保管装置、及び、マスクブランクの製造方法
KR20150077523A (ko) * 2013-12-27 2015-07-08 세메스 주식회사 처리액공급유닛
JP2016063074A (ja) * 2014-09-18 2016-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2016127243A (ja) * 2015-01-08 2016-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP2016189407A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010212488A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5714449B2 (ja) * 2011-08-25 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP6118719B2 (ja) * 2013-12-16 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6422673B2 (ja) * 2014-05-30 2018-11-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6468916B2 (ja) * 2015-03-31 2019-02-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101424950A (zh) * 2007-11-02 2009-05-06 东京毅力科创株式会社 被处理基板温度调节装置和调节方法及等离子体处理装置
TW201220512A (en) * 2010-09-29 2012-05-16 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2014063807A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Hoya Corp レジスト液供給装置、レジスト塗布装置、レジスト液の温度管理方法、レジスト液保管装置、及び、マスクブランクの製造方法
KR20150077523A (ko) * 2013-12-27 2015-07-08 세메스 주식회사 처리액공급유닛
JP2016063074A (ja) * 2014-09-18 2016-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2016127243A (ja) * 2015-01-08 2016-07-11 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP2016189407A (ja) * 2015-03-30 2016-11-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI660790B (zh) 2019-06-01
JP2018139259A (ja) 2018-09-06
KR20190023043A (ko) 2019-03-07
CN108511366A (zh) 2018-09-07
JP6916633B2 (ja) 2021-08-11
KR102057383B1 (ko) 2019-12-18
TW201841692A (zh) 2018-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108511366B (zh) 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法
US9793176B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN108630571B (zh) 处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法
US12064739B2 (en) Chemical liquid preparation device, and substrate processing device
JP6817860B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP7100564B2 (ja) 基板乾燥方法および基板処理装置
KR102101073B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6294256B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP7132054B2 (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
KR20200096200A (ko) 기판 처리 장치
KR102713836B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US11024507B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-redable storage medium having substrate liquid processing program stored therein
KR102101549B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2009094511A (ja) 工程溶液処理方法及びこれを用いた基板処理装置
JP6632684B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
KR102001735B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2021163845A (ja) 基板処理方法
JP7312304B2 (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
JP2024079200A (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant