TW201841692A - 處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法 - Google Patents

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Abstract

一種處理液供給裝置,係對複數個處理部供給處理液。處理液供給裝置係包含:處理液供給源,係供給加熱或冷卻後的處理液;複數個循環配管,係設置為分別對應於複數個前述處理部,用以使從前述處理液供給源所供給的處理液分別循環;供給配管,係分支連接於各個前述循環配管,用以對所對應的前述處理部供給處理液;流量調整閥,係夾設於各個前述循環配管,用以調整該循環配管內的處理液之流量;以及溫度檢測單元,係夾設於各個前述循環配管,用以檢測流動於該循環配管內的處理液之溫度。

Description

處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法
本發明係關於一種對處理基板的處理單元供給處理液的處理液供給裝置、具備該處理液供給裝置的基板處理裝置以及處理液供給方法。在成為處理對象的基板中,例如包含有半導體晶圓(wafer)、液晶顯示裝置用基板、有機EL(Electroluminescence;電致發光)顯示裝置等的FPD(Flat Panel Display;平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太陽能電池用基板等的基板。
在美國發明專利申請案公開第2011/023909號說明書所記載的液體處理裝置係設置有複數個使用從液體供給機構所供給的處理液來處理基板的處理單元。液體供給機構係具有:液體供給源,係供給溫度調整後的處理液;以及循環流路,係可供從液體供給源所供給來之溫度調整後的處理液循環。
在美國發明專利申請案公開第2011/023909號說明書 之液體供給裝置中,流動於循環流路內的處理液係透過循環流路散熱至外部。為此,流動於循環流路內的處理液之溫度係在從液體供給源面向處理單元的期間降低。因散熱所引起的處理液之溫度降低的程度係依存於循環流路內部的處理液之流量。
在設置有複數個處理單元的液體供給裝置中,有時設置有複數個循環流路。將積層複數個處理單元所成的一群處理單元稱為處理部(處理塔(treatment tower))。在如此的液體供給裝置中係對應各個處理部而設置有循環流路。在如此的液體供給裝置中,較佳並非是對各個循環流路個別設置液體供給源,而是將複數個循環流路連接於共通的液體供給源。在共通的液體供給源連接有複數個循環流路的構成中,處理液是以相同的壓力從液體供給源送出至各個循環配管。
因循環流路之長度或夾設於循環流路的零件的差異,故流動於循環流路內的處理液所承受的阻力也會有所不同。為此,即便是以相同的壓力將處理液送出至循環流路,各個循環流路中的處理液之流量仍不一定會在循環流路間成為固定。如此,各個循環流路中的處理液之溫度降低的程度亦不會成為固定,而恐有使供給至處理單元的處理液之溫度因為循環流路而有所不同之虞。為此,恐有因為基板已在哪個處理部被處理,而使基板之狀態(處理之程度)有所不同之虞。
於是,本發明之一目的係在於提供一種在從處理液供給源所供給的處理液循環於複數個循環配管的構成中,可 以減低循環配管間的處理液之溫度差的處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法。
本發明之一實施形態,係提供一種係對複數個處理部供給處理液的處理液供給裝置,其包含:處理液供給源,係供給加熱或冷卻後的處理液;複數個循環配管,係設置為分別對應於複數個前述處理部,用以使從前述處理液供給源所供給的處理液分別循環;供給配管,係分支連接於各個前述循環配管,用以對所對應的前述處理部供給處理液;流量調整閥,係夾設於各個前述循環配管,用以調整該循環配管內的處理液之流量;以及溫度檢測單元,係夾設於各個前述循環配管,用以檢測流動於該循環配管內的處理液之溫度。
依據該構成,處理液供給源係供給加熱或冷卻後(經溫度調整後)的處理液,從處理液供給源所供給的處理液係循環於複數個循環配管。循環於各個循環配管的處理液係透過分支連接於各個循環配管的供給配管來供給至所對應的處理部。
藉由調整流量調整閥之開啟度,就能調整循環配管內的處理液之流量。因循環配管之周邊的熱交換(散熱或吸熱)所引起的處理液之溫度變化的程度係依存於循環流路內的處理液之流量,故而當使循環配管內的處理液之流量變化時,溫度檢測單元所檢測的溫度就會隨之變動。為此,為了減低循環配管間的處理液之溫度之差,而能夠調整各個流量調整閥之開啟度。在此情況下,循環配管間之溫度差 已被減低後的處理液係從各個循環配管透過供給配管來供給至處理部。藉此,可以減低處理液之處理部間的溫度差。
在本發明之一實施形態中,前述處理液供給裝置係更包含:開啟度調整單元,係為了減低藉由各個前述溫度檢測單元所檢測出的檢測溫度之前述循環配管間之差,而調整前述流量調整閥之開啟度。
依據該構成,能藉由開啟度調整單元來調整壓力調整閥之開啟度以減低檢測溫度之差。從而,可以確實地減低循環配管間的處理液之溫度差。
在本發明之一實施形態中,前述處理液供給裝置係更包含:目標溫度設定單元,係對全部的前述循環配管設定目標溫度。然後,前述開啟度調整單元係為了使藉由各個前述溫度檢測單元所檢測的檢測溫度與前述目標溫度一致,而調整前述流量調整閥之開啟度。
依據該構成,能藉由目標溫度設定單元對全部的循環配管設定目標溫度。開啟度調整單元係為了使各個檢測溫度與目標溫度一致,而調整流量調整閥之開啟度。從而,可以更加減低循環配管間的處理液之溫度之差。
在本發明之一實施形態中,前述溫度檢測單元係以位在比所對應的前述循環配管中的前述供給配管之分支位置更靠下游側的方式夾設於該循環配管。為此,溫度檢測單元係可以在從處理液供給源面向分支位置的期間檢測散熱或吸熱之後的處理液之溫度。從而,溫度檢測單元係可以確實地檢測往處理部供給的處理液之溫度的循環配管間之差。因而,可以更加減低循環配管間的溫度差。
在本發明之一實施形態中,前述流量調整閥係以位在比所對應的前述循環配管中的前述供給配管之分支位置更靠下游側的方式夾設於該循環配管。
在循環配管中夾設有流量調整閥的部分係從上游側流入處理液。為此,流量調整閥係可以藉由其開啟度之調整,使比流量調整閥更靠上游側的循環配管內之流量,與比流量調整閥更靠下游側的循環配管內之流量相較,還穩定變動。
從而,只要以位在比所對應的循環配管中的供給配管之分支位置更靠下游側的方式在循環配管夾設有流量調整閥,就可以使從循環配管流動至供給配管的處理液之流量穩定。
在本發明之一實施形態中,更包含:壓力檢測單元,係夾設於各個前述循環配管,用以檢測該循環配管內之壓力。在循環配管內的壓力與循環配管內的處理液之流量中係有相互關聯的關係。為此,只要一邊確認藉由所對應之壓力檢測單元所檢測出的各個循環配管之壓力一邊調整流量調整閥之開啟度,就容易將循環配管內的處理液之流量調整至適當的範圍。
在本發明之一實施形態中,前述壓力檢測單元係以位在比所對應的前述循環配管中的前述供給配管之分支位置更靠上游側的方式夾設於該循環配管。
循環配管內的處理液之流量係在比分支位置更靠下游側,與比分支位置更靠上游側相較,還容易藉由往供給配管的處理液之供給狀態的變化而變動。
於是,只要壓力檢測單元係以位在比循環配管中的供給配管之分支位置更靠上游側的方式夾設於循環配管,就可以減低往供給配管的處理液之供給狀態的變化帶給循環配管內的處理液之壓力檢測的影響。換句話說,壓力檢測單元係可以穩定地檢測出循環配管內的處理液之壓力。從而,各個循環配管內的處理液之壓力就變得容易確認,且更加容易將循環配管內的處理液之流量調整至適當的範圍。
在本發明之一實施形態中,前述處理部係具有複數個處理基板的處理單元。然後,前述供給配管係具有:複數個分支配管,係從所對應的前述循環配管分支,用以對各個前述處理單元供給處理液。
依據該構成,供給配管係具有從所對應的循環配管分支且對所對應的處理部之各個處理單元供給處理液的複數個分支配管。為此,與對各個處理單元逐個設置循環配管的構成相較,還可以減低循環配管之數目。
在本發明之一實施形態中係提供一種基板處理裝置,其包含:前述處理液供給裝置;以及處理基板的複數個前述處理部。依據該構成,可以達成與前述同樣的功效。
在本發明之一實施形態中係提供一種對複數個處理部供給處理液的處理液供給方法,其包含:循環工序,係藉由設置為分別對應於複數個前述處理部之複數個循環配管,來使從處理液供給源所供給之加熱或冷卻後的處理液分別循環;溫度檢測工序,係檢測在前述循環工序中流動於各個前述循環配管的處理液之溫度;以及開啟度調整工 序,係為了減低在前述溫度檢測工序中所檢測出的檢測溫度之前述循環配管間之差,而調整夾設於各個前述循環配管的流量調整閥之開啟度。
依據該方法,在循環工序中,加熱或冷卻後的(經溫度調整後的)處理液係能從處理液供給源供給至複數個循環配管,且循環於複數個循環配管。
在開啟度調整工序中,為了減低循環配管間的處理液之檢測溫度之差,而調整所對應的流量調整閥之開啟度,藉此就可以確實地減低循環配管間的處理液之流量之差。藉此,能減低循環配管間的處理液之溫度之差。
在本發明之一實施形態中,前述處理液供給方法係更包含:目標溫度設定工序,係對全部的前述循環配管設定目標溫度。前述開啟度調整工序係包含為了使對應於各個前述循環配管的前述檢測溫度與前述目標溫度一致,而調整夾設於各個前述循環配管的流量調整閥之開啟度的工序。
依據該方法,在目標溫度設定工序中係能對全部的循環配管設定目標溫度。在開啟度調整工序中係為了使各個檢測溫度與目標溫度一致,而調整流量調整閥之開啟度。從而,可以更加減低循環配管間的處理液之溫度之差。
在本發明之一實施形態中,複數個前述循環配管之配管長度係互為不同。前述開啟度調整工序係包含從與前述配管長度較長之前述循環配管對應的前述流量調整閥依次地調整開啟度的依次調整工序。
在循環配管中,配管長度越長,則循環配管內之流量 已變化時處理液之溫度所變化的比例就變得越大。為此,在使與配管長度比較長之循環配管內的處理液之溫度成為適當的流量相同的流量的處理液,循環至配管長度比較短的循環配管的情況下,該配管長度比較短的循環配管內的處理液之溫度就容易成為適當的溫度。
在依次調整工序中,能從循環配管之配管長度較長的循環配管依次地調整流量。為此,可以容易找出全部循環配管內的處理液之溫度成為適當之溫度的流量。因而,可以在短時間內減低循環配管間的處理液之溫度差。
本發明中的上述之、或更進一步之其他的目的、特徵及功效係能參照附圖並藉由以下所述的實施形態之說明而獲得明白。
1、1P‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理塔
2A‧‧‧第一處理塔
2B‧‧‧第二處理塔
2C‧‧‧第三處理塔
2D‧‧‧第四處理塔
3、3P‧‧‧處理液供給裝置
4A至4D‧‧‧流體單元
5‧‧‧搬運路
6‧‧‧箱櫃
7‧‧‧控制裝置
7A‧‧‧處理器
7B‧‧‧記憶體
20‧‧‧處理單元
21‧‧‧處理液槽
22、22A至22D‧‧‧循環配管
23、23A至23D‧‧‧供給配管
24‧‧‧共通配管
26、26A至26D、33a至35a‧‧‧分支位置
27、27A至27D‧‧‧壓力計
28、28A至28D‧‧‧壓力調整閥
29、29A至29D‧‧‧溫度計
30‧‧‧泵浦
31‧‧‧過濾器
32‧‧‧加熱單元
33至35‧‧‧分支配管
36‧‧‧供給流量計
37‧‧‧供給流量調整閥
38‧‧‧供給閥
40‧‧‧旋轉夾盤
41‧‧‧杯體
42‧‧‧第一噴嘴
43‧‧‧第二噴嘴
44‧‧‧處理室
45‧‧‧夾盤銷
46‧‧‧旋轉基座
47‧‧‧旋轉軸
48‧‧‧電動馬達
50‧‧‧供給源
51‧‧‧配管
52‧‧‧閥
60‧‧‧上游側第一配管
61‧‧‧下游側第一配管
62‧‧‧第二配管
63‧‧‧上游側第三配管
64‧‧‧下游側第三配管
A1‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧載具
CR、IR‧‧‧搬運機器人
LP‧‧‧裝載埠口
R‧‧‧處理液供給源
T‧‧‧目標溫度
W‧‧‧基板
X‧‧‧延長方向
q‧‧‧流量
q1‧‧‧第一流量
q2‧‧‧第二流量
t‧‧‧溫度
t1‧‧‧第一溫度
t2‧‧‧第二溫度
△t‧‧‧預定量
圖1係用以說明本發明之第一實施形態的基板處理裝置之內部的布局(layout)之示意俯視圖。
圖2係前述基板處理裝置之示意側視圖。
圖3係顯示備置於前述基板處理裝置的處理液供給裝置之構成的示意圖。
圖4係顯示處理部及對應的循環配管之周邊之構成的示意圖。
圖5係用以說明前述基板處理裝置的主要部之電氣構成的方塊圖。
圖6係用以說明藉由前述處理液供給裝置所為的處理液供給之一例的流程圖。
圖7係顯示處理液之溫度變化相對於流量變化的比例 之在處理部間之差異的曲線圖。
圖8係顯示第二實施形態的基板處理裝置中之處理部及對應的循環配管之周邊之構成的示意圖。
圖9係用以說明藉由第二實施形態的處理液供給裝置所為的處理液供給之一例的流程圖。
圖10係用以說明藉由第二實施形態的處理液供給裝置所為的處理液供給之回授控制(feedback control)(圖9之S14)之詳細內容的流程圖。
〔第一實施形態〕
圖1係用以說明本發明之第一實施形態的基板處理裝置1之內部的布局的圖解俯視圖。圖2係基板處理裝置1之示意縱剖視圖。
基板處理裝置1係指逐片處理矽晶圓(silicon wafer)等的基板W的單片式之裝置。在本實施形態中,基板W為圓板狀之基板。基板處理裝置1係包含以藥液或沖洗液(rinse liquid)等的處理液來處理基板W的複數個(本實施形態中為四個)處理塔2A至2D(處理部)。在總稱複數個處理塔2A至2D時係稱為處理塔2。基板處理裝置1係更包含:處理液供給裝置3,係對複數個處理塔2A至2D供給處理液;以及流體單元4A至4D,係對應各個處理塔2A至2D所設置,且收容用以對複數個處理塔2A至2D供給處理液的配管。
各個處理塔2A至2D係包含上下積層所成的複數個(例如三個)處理單元20(參照圖2)。處理單元20係指逐片 處理基板W的單片式之處理單元。複數個處理單元20,例如是具有同樣的構成。
基板處理裝置1係更包含:裝載埠口(load port)LP,係可供收容在處理單元20所處理之複數片基板W的載具(carrier)C載置;搬運機器人(robot)IR及CR,係在裝載埠口LP與處理單元20之間搬運基板W;以及控制裝置7,用以控制基板處理裝置1。
基板處理裝置1係更包含朝向水平方向延伸的搬運路5。搬運路5係從搬運機器人IR朝向搬運機器人CR延伸成直線狀。搬運機器人IR係在載具C與搬運機器人CR之間搬運基板W。搬運機器人CR係在搬運機器人IR與處理單元20之間搬運基板W。
複數個處理塔2係隔著搬運路5而對稱地配置。複數個處理塔2係在搬運路5之兩側的各側,沿著搬運路5所延伸的方向(延長方向X)排列。在本實施形態中,處理塔2係各二個配置於搬運路5之兩側。
將複數個處理塔2A至2D中之離搬運機器人IR較近此側的二個處理塔2之各個處理塔,稱為第一處理塔2A及第二處理塔2B。第一處理塔2A及第二處理塔2B係隔著搬運路5而對向。分別將複數個處理塔2A至2D中之離搬運機器人IR較遠此側的二個處理塔2稱為第三處理塔2C及第四處理塔2D。第三處理塔2C及第四處理塔2D係隔著搬運路5而對向。第一處理塔2A及第三處理塔2C係排列配置於延長方向X。第二處理塔2B及第四處理塔2D係排列配置於延長方向X。在各個第一處理塔2A、第二處 理塔2B、第三處理塔2C、第四處理塔2D係從延長方向X鄰接有對應的流體單元4A至4D。
處理液供給裝置3係包含處理液供給源R。基板處理裝置1係包含:箱櫃(cabinet)6,係配置於延長方向X上的搬運機器人IR之相反側,用以收容處理液供給源R。處理液供給源R係在比隔著搬運路5而配置於兩側的第三處理塔2C、第四處理塔2D中之一方側的第三處理塔2C,更接近隔著搬運路5而配置於兩側的第三處理塔2C、第四處理塔2D中之另一方側的第四處理塔2D之位置配置於箱櫃6內部。
圖3係顯示備置於基板處理裝置1的處理液供給裝置3之構成的示意圖。
參照圖3,處理液供給裝置3係更包含:複數個循環配管22A至22D,係使處理液槽21內的處理液分別循環;以及供給配管23A至23D,係分支連接於各個循環配管22A至22D,用以對所對應的第一處理塔2A、第二處理塔2B、第三處理塔2C、第四處理塔2D供給處理液。處理液供給源R係包含:處理液槽21,用以貯存處理液;以及共通配管24,用以連結處理液槽21和複數個循環配管22A至22D之上游端。複數個循環配管22A至22D係從共通配管24之下游端分支。在總稱循環配管22A至22D時係稱為循環配管22。在總稱供給配管23A至23D時係稱為供給配管23。
循環配管22A至22D係設置為分別對應第一處理塔2A至第四處理塔2D。將在循環配管22A至22D中分支連接 有供給配管23A至23D的部分稱為分支位置26A至26D。在總稱分支位置26A至26D時係稱為分支位置26。
處理液供給裝置3係包含:壓力計27A至27D,係夾設於各個循環配管22A至22D,用以檢測該循環配管22A至22D內之壓力;以及壓力調整閥28A至28D,係夾設於各個循環配管22A至22D,用以調整該循環配管22A至22D內的處理液之壓力。處理液供給裝置3係更包含:溫度計29A至29D,係夾設於各個循環配管22A至22D,用以檢測該循環配管22A至22D內的處理液之溫度。在總稱壓力計27A至27D時係稱為壓力計27。在總稱壓力調整閥28A至28D時係稱為壓力調整閥28。在總稱溫度計29A至29D時係稱為溫度計29。
雖然壓力調整閥28A至28D,例如是馬達驅動式針閥(motor needle valve),但是不被限於此,亦可為釋放閥(relief valve)等的閥。
壓力計27A至27D係檢測循環配管22A至22D內的處理液之壓力的壓力檢測單元之一例。溫度計29A至29D係檢測循環配管22A至22D內的處理液之流量的溫度檢測單元之一例。
因在壓力和流量中係有相互關聯的關係,故而藉由調整某個循環配管22A至22D內之壓力,就可以調整該循環配管22A至22D內的處理液之流量。亦即,壓力調整閥28A至28D係調整循環配管22A至22D內的處理液之流量的流量調整閥之一例。
各個壓力計27A至27D係以位在比循環配管22A至 22D中的供給配管23A至23D之分支位置26A至26D更靠上游側的方式夾設於所對應的循環配管22A至22D。各個壓力調整閥28A至28D係以位在比所對應的分支位置26A至26D更靠下游側的方式夾設於所對應的循環配管22A至22D。各個溫度計29A至29D係以位在比所對應的分支位置26A至26D更靠下游側的方式夾設於所對應的循環配管22A至22D。
在共通配管24係從上游側依順序地夾設有泵浦(pump)30、過濾器(filter)31及加熱單元32。泵浦30係將共通配管24內的處理液送出至下游側。過濾器31係過濾流動於共通配管24的處理液。加熱單元32係指加熱共通配管24內之處理液的加熱器等。
藉由泵浦30將共通配管24內之處理液送出至下游側,處理液槽21內之處理液就會循環於各個循環配管22A至22D。該時,處理液槽21內的處理液係透過共通配管24來供給至各個循環配管22A至22D。為此,位在處理液槽21內的處理液係能藉由夾設於共通配管24的加熱單元32所加熱。為此,處理液供給源R係將加熱(溫度調整)後的處理液供給至循環配管22A至22D。加熱單元32係具有作為調整從處理液供給源R供給至複數個循環配管22A至22D的處理液之溫度的溫度調整單元之功能。
與各個第一處理塔2A、第二處理塔2B、第三處理塔2C、第四處理塔2D關聯的處理液供給裝置3之構件係在全部的第一處理塔2A、第二處理塔2B、第三處理塔2C、第四處理塔2D中具有大致同樣的構成。為此,以下係在 處理液供給裝置3中將對應於第一處理塔2A的構件作為中心來加以說明。圖4係顯示第一處理塔2A及對應的循環配管22A之周邊之構成的示意圖。
參照圖4,第一處理塔2A之各個處理單元20係包含:旋轉夾盤(spin chuck)40,係一邊以水平的姿勢來保持一片基板W一邊使基板W繞通過基板W之中央部的鉛直之旋轉軸線A1旋轉;杯體(cup)41,係包圍旋轉夾盤40;第一噴嘴(nozzle)42及第二噴嘴43,係對基板W供給處理液;以及處理室(process chamber)44,用以收容旋轉夾盤40、杯體41、第一噴嘴42及第二噴嘴43。
在處理室44係形成有用以將基板W搬入至處理室44內,或將基板W從處理室44內搬出的出入口(未圖示)。在處理室44係具備有開閉該出入口的擋門單元(shutter unit)(未圖示)。
旋轉夾盤40係包含複數個夾盤銷(chuck pin)45、旋轉基座(spin base)46、旋轉軸47及電動馬達48。旋轉軸47係沿著旋轉軸線A1朝向鉛直方向延伸。旋轉軸47之上端係結合於旋轉基座46之下表面中央。
旋轉基座46係具有沿著水平方向的圓板形狀。在旋轉基座46之上表面的周緣部,複數個夾盤銷45係隔出間隔地配置於圓周方向。旋轉基座46及夾盤銷45係具有作為水平地保持基板W的基板保持單元的功能。電動馬達48係對旋轉軸47提供旋轉力。藉由電動馬達48使旋轉軸47旋轉,藉此基板W能繞旋轉軸線A1旋轉。電動馬達48係具有作為使基板W繞旋轉軸線A1旋轉的基板旋轉單元 的功能。
第一噴嘴42及第二噴嘴43之各個噴嘴,在本實施形態中係指以朝向基板W之上表面的旋轉中心吐出處理液的方式所配置的固定噴嘴。在第一噴嘴42係透過循環配管22A及供給配管23A供給有已貯存於處理液供給源R之處理液槽21的藥液等的處理液。在第二噴嘴43係從與處理液供給源R不同的另一個供給源50透過配管51供給有沖洗液等的處理液。在配管51係夾設有用以切換往第二噴嘴43的處理液之供給有無的閥52。
藥液,例如是氫氟酸(氟化氫水:HF)。藥液係未被限於氫氟酸,亦可為包含硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、緩衝氫氟酸(BHF)、稀氫氟酸(DHF)、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如,檸檬酸(citric acid)、草酸鹽(oxalic acid)等)、有機鹼(例如,TMAH:tetramethyl ammonium hydroxide(氫氧化四甲銨)等)、界面活性劑、防腐劑中之至少一個的液體。作為混合此等所成的藥液之例,可列舉SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture;過氧化硫氫酸混合液)、SC1(ammonia/hydrogen peroxide mixture;氨水-過氧化氫混合液)、SC2(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture;鹽酸-過氧化氫混合液)等。
所謂沖洗液,例如是去離子水(Deionized Water:DIW)。沖洗液係未被限於DIW,亦可為碳酸水、電解離子水、臭氧水、稀釋濃度(例如,10ppm至100ppm左右)的鹽酸水、氨水、還原水(氫水)。沖洗液係含有水。
作為處理液係除了藥液及沖洗液以外,還可列舉表面 張力比水更低的低表面張力液體等。低表面張力液體係指沖洗液供給至基板W上之後,用以置換基板W上之沖洗液的液體。在以低表面張力液體置換基板W上之沖洗液之後,藉由從基板W上除去低表面張力液體,就可以使基板W之上表面良好地乾燥。在使用低表面張力液體使基板W之上表面乾燥的情況下,與藉由不使用低表面張力液體從基板W之上表面除去沖洗液來使基板W乾燥的情況相較,還可以減低作用於基板W上所形成之圖案(pattern)的表面張力。
作為低表面張力液體係可以使用不與基板W之上表面及形成於基板W的圖案起化學反應(反應性不足)的IPA(isopropyl alcohol;異丙酮)以外之有機溶劑。更具體而言,可以將包含IPA、HFE(hydrofluoroether;氫氟醚)、甲醇(methanole)、乙醇(ethanol)、丙酮(acetone)及反-1,2-二氯乙烯(Trans-1,2-Dichloroethylene)中之至少一個的液體作為低表面張力液體來使用。又,低表面張力液體係沒有必要僅由單體成分所構成,亦可為與其他成分混合而成的液體。例如,既可為IPA液與純水的混合液,又可為IPA液與HFE液的混合液。
供給配管23A係從循環配管22A所分支。供給配管23A係具有對第一處理塔2A之各個處理單元20供給處理液的複數個分支配管33至35。各個分支配管33至35之上游端係在所對應的分支位置33a至35a連接於循環配管22A。各個分支配管33至35之下游端係連接於所對應的處理單元20之第一噴嘴42。
循環配管22A中的供給配管23A之分支位置26A係包含各個分支配管33至35之分支位置33a至35a。為此,壓力計27A係以位在比循環配管22A中最上游側的分支配管33之分支位置33a更靠上游側的方式夾設於循環配管22A。壓力調整閥28A及溫度計29A係以位在比循環配管22A中最下游側的分支配管35之分支位置35a更靠下游側的方式夾設於循環配管22A。
分別在複數個分支配管33至35從上游側依順序地夾設有供給流量計36、供給流量調整閥37及供給閥38。各個供給流量計36係檢測流動於供給配管23A之所對應的分支配管33至35內的處理液之流量。各個供給流量調整閥37係調整流動於供給配管23A之所對應的分支配管33至35內的處理液之流量。各個供給閥38係切換往供給配管23A之所對應的分支配管33至35的處理液之供給有無。供給流量調整閥37,例如是馬達驅動式針閥。供給閥38,例如是釋放閥。
循環配管22A係包含上游側第一配管60、下游側第一配管61及第二配管62。上游側第一配管60係具有循環配管22A之上游端且收容於箱櫃6內。下游側第一配管61係具有循環配管22A之下游端且收容於箱櫃6內。第二配管62係收容於流體單元4A。壓力調整閥28A及溫度計29A係夾設於第二配管62,且配置於流體單元4A內。
循環配管22A係更包含上游側第三配管63及下游側第三配管64。上游側第三配管63係連接於上游側第一配管60和第二配管62,且遍及於箱櫃6與流體單元4A之間。 下游側第三配管64係連接於下游側第一配管61和第二配管62,且遍及於箱櫃6與流體單元4A之間。上游側第三配管63,亦稱為上游側中繼配管。下游側第三配管64,亦稱為下游側中繼配管。
將上游側第一配管60、第二配管62、上游側第三配管63、下游側第三配管64及下游側第一配管61之長度的合計,稱為循環配管22A之配管長度。
參照圖1,各個循環配管22A至22D之配管長度係按照該處理塔2與處理液槽21之相對位置而互為相異。具體而言,處理液供給源R與所對應的第一處理塔2A、第二處理塔2B、第三處理塔2C、第四處理塔2D之距離越長則各個循環配管22A至22D之配管長度就越長。更具體而言,第一處理塔2A、第二處理塔2B、第三處理塔2C、第四處理塔2D之中之與離處理液供給源R最遠之第一處理塔2A對應的循環配管22A之配管長度最長。其次,與第二處理塔2B對應的循環配管22B較長,與第三處理塔2C對應的循環配管22B之下一個的循環配管22C較長。然後,與離處理液供給源R最近之第四處理塔2D對應的循環配管22D之配管長度最短。
圖5係用以說明基板處理裝置1的主要部之電氣構成的方塊圖。參照圖5,控制裝置7係具備微電腦(microcomputer),且按照預定之程式(program),來控制已備置於基板處理裝置1的控制對象。更具體而言,控制裝置7係包含處理器(processor)(CPU:Central Processing Unit;中央處理單元)7A、及儲存有程式的記憶體(memory)7B,且 以藉由處理器7A執行程式,來執行基板處理用之各種控制的方式所構成。特別是,控制裝置7係控制搬運機器人IR、CR、電動馬達48、壓力計27A至27D、溫度計29A至29D、流量計36、供給流量調整閥37、供給閥38、及閥52等的動作。
圖6係用以說明藉由處理液供給裝置3所為的處理液供給之一例的流程圖。
在處理液供給中,首先是設定流動於各個循環配管22內的處理液之溫度的目標值(目標溫度T)(目標溫度設定工序:步驟S1)。此時,對全部的循環配管22設定共通的目標溫度T。
然後,控制裝置7係啟動夾設於共通配管24的加熱單元32及泵浦30。藉此,加熱後的處理液能從處理液供給源R供給至各個循環配管22,且開始循環於各個循環配管22內(循環工序:步驟S2)。
然後,控制裝置7係控制各個溫度計29,且檢測所對應的循環配管22之溫度(溫度檢測工序:步驟S3)。將藉由溫度計29所檢測出的處理液之溫度稱為檢測溫度。溫度檢測工序係在循環工序開始之後執行。
與溫度檢測工序同時進行,藉由各個壓力計27來檢測所對應的循環配管22內之壓力。藉此,可以適當地確認各個循環配管22內之壓力。
控制裝置7亦可基於各個壓力計27A至27D所檢測的檢測壓力,來算出循環配管22內的處理液之流量。藉此,能間接地檢測出循環配管22內的處理液之流量。將藉由壓 力計27A至27D所檢測出的檢測壓力所算出的流量,稱為檢測流量。
然後,為了減低循環配管22間的檢測溫度之差,而執行調整夾設於各個循環配管22的壓力調整閥28之開啟度的開啟度調整工序。
具體而言,首先,藉由基板處理裝置1之操作員(以下簡稱為操作員。),判斷全部的循環配管22中的檢測溫度是否為包含目標溫度T的預定之範圍(後面所述)內的溫度(溫度判定工序:步驟S4)。在其中任一個循環配管22之檢測溫度為預定之範圍外的溫度的情況下(步驟S4中的「否」),操作員會變更所對應的壓力調整閥28之開啟度以使檢測溫度接近目標溫度T(開啟度變更工序:步驟S5)。藉此,能減低循環配管22間的流量之差,且能減低循環配管22間的處理液之溫度之差。
壓力調整閥28之開啟度的變更,具體而言,既可藉由操作員操作控制裝置7之操作面板(未圖示)來進行,又可藉由操作員直接操作壓力調整閥28來進行。
然後,在全部的循環配管22中的檢測溫度為預定之範圍內的溫度的情況下(步驟中的「是」),壓力調整閥28之開啟度未被變更,而控制裝置7會打開供給閥38。藉此,能開始從分支配管33至35往基板W的處理液之供給(步驟S6)。即便是在其中任一個循環配管22中的檢測溫度為目標溫度T的預定之範圍外的溫度的情況下(步驟S4中的「否」),在壓力調整閥28之開啟度已被變更之後,控制裝置7仍會打開供給閥38。藉此,能開始從分支配管33 至35往基板W的處理液之供給(步驟S6)。
圖7係顯示處理液之溫度變化相對於處理液之流量變化的比例之在處理塔2間之差異的曲線圖。在圖7中,橫軸係顯示從循環配管22內之檢測壓力所算出的處理液之流量,縱軸係顯示該循環配管22中的檢測溫度。在圖7中係圖示各個循環配管22A至22D中的處理液之溫度變化相對於處理液之流量變化的比例。
為了適當地進行基板W之處理,循環配管22A至22D內的處理液之溫度t,有必要為預定之範圍內的溫度。所謂預定之範圍,例如是指比目標溫度T大預定量△t的第一溫度t1、與比目標溫度T小預定量△t的第二溫度t2之間的範圍(t2≦t≦t1)。
如圖7所示,檢測溫度之變化相對於處理液的流量q之變化的比例係循環配管22A最大,其次循環配管22B較大,再其次循環配管22C較大,而循環配管22D最小。換句話說,循環配管22A至22D之配管長度越長(亦參照圖1),檢測溫度之變化相對於處理液的流量q之變化的比例就變得越大。
為此,在使與配管長度比較長的循環配管22(例如循環配管22A)內的處理液之溫度成為預定之範圍內的溫度時的流量q相同的流量q之處理液,循環至配管長度比較短的循環配管22(例如循環配管22B)的情況下,該比較短的循環配管22(循環配管22B)內的處理液之溫度係容易成為適當的溫度。
詳言之,只要循環配管22A內的處理液之流量q,為 第一流量q1以下且第二流量q2以上(q2≦q≦q1),循環配管22A內的處理液之溫度就成為預定之範圍內的溫度(t2≦t≦t1)。即便是在循環配管22B中,只要流量q為第一流量q1以下且第二流量q2以上,處理液之溫度仍會成為預定之範圍內的溫度。即便是在循環配管22C及循環配管22D中,仍與循環配管22B同樣,只要流量q為第一流量q1以下且第二流量q2以上,處理液之溫度就會成為預定之範圍內的溫度。
從而,在開啟度調整工序中,較佳是操作員從與配管長度較長之循環配管22對應的壓力調整閥28依順序地調整開啟度(依次調整工序)。
執行藉由處理液供給裝置3所為的處理液供給,另一方面,執行藉由基板處理裝置1所為的基板處理。在基板處理中,未處理的基板W係藉由搬運機器人IR、CR從載具C搬入至處理單元20,且交付至旋轉夾盤40。此後,基板W係在藉由搬運機器人CR被搬出的期間,從旋轉基座46之上表面朝向上方空出間隔地保持於水平(基板保持工序)。電動馬達48係使旋轉基座46旋轉。藉此,由夾盤銷45保持於水平的基板W會旋轉(基板旋轉工序)。
其次,在搬運機器人CR退避至處理單元20外部之後,執行藥液處理。具體而言,藉由供給閥38被打開,來執行從處理液供給裝置3對第一噴嘴42供給例如藥液的供給工序(圖6之步驟S6)。如前面所述般,比從第一噴嘴42往基板W的藥液之供給更早執行開啟度調整工序(圖6之步驟S4及步驟S5)。
然後,從第一噴嘴42朝向旋轉狀態的基板W之上表面吐出(供給)藥液。所供給的藥液係藉由離心力而普及於基板W之上表面的整體。藉此,能藉由藥液來處理基板W之上表面。
在一定時間的藥液處理之後,藉由將基板W上之藥液置換成DIW,就能執行用以從基板W上排除藥液的DIW沖洗處理。具體而言,供給閥38被閉合,閥52被打開。藉此,能從第二噴嘴43朝向基板W之上表面供給(吐出)例如沖洗液。供給至基板W上的DIW係藉由離心力而普及於基板W之上表面的整體。藉由該DIW來沖掉基板W上的藥液。
在一定時間的沖洗處理之後,進行乾燥處理。具體而言,電動馬達48係以比藥液處理及沖洗液處理中的基板W、之轉速更快的高轉速(例如3000rpm)使基板W旋轉。藉此,較大的離心力就會作用於基板W之上表面的沖洗液,基板W之上表面的沖洗液能朝向基板W之周圍甩開。如此,能從基板W除去沖洗液,且使基板W乾燥。然後,當開始基板W之高速旋轉之後並經過預定時間時,電動馬達48就使藉由旋轉基座46所為的基板W之旋轉停止。
之後,搬運機器人CR會進入處理單元20,並從旋轉夾盤40掬取處理完成的基板W,且往處理單元20外部搬出。該基板W係從搬運機器人CR交付至搬運機器人IR,且藉由搬運機器人IR收納於載具C。如此的基板處理係由各個第一處理塔2A、第二處理塔2B、第三處理塔2C、第四處理塔2D所執行。
依據第一實施形態,從處理液供給源R所供給之溫度被調整後的處理液係循環於複數個循環配管22。循環於各個循環配管22的處理液係透過分支連接於各個循環配管22的供給配管23來供給至所對應的處理塔2。
藉由操作員調整壓力調整閥28之開啟度,就能調整循環配管22內的處理液之流量。因與循環配管22之周邊的熱交換(散熱或吸熱)所引起的處理液之溫度變化的程度係依存於循環配管22內的處理液之流量。為此,當使循環配管22內的處理液之流量變化時,溫度計29所檢測的溫度就會隨之而變動。從而,操作者係為了減低循環配管22間的處理液之溫度之差,而能夠調整各個壓力調整閥28之開啟度。在此情況下,循環配管22間之溫度差已被減低後的處理液係能從各個循環配管22透過供給配管23來供給至處理塔2。藉此,可以減低處理液之處理塔2間的溫度差。藉此,循環配管22間之溫度差已被減低後的處理液係能從各個循環配管22透過供給配管23來供給至處理塔2。為此,可以減低處理液之處理塔2間的溫度差。
又,即便針對每一循環配管22設置加熱器等並不加熱處理液,則只要加熱後的處理液從處理液供給源R供給至各個循環配管22,就能減低循環配管22間的處理液之溫度之差。從而,因沒有必要針對每一循環配管22設置加熱器,故而可以削減零件數。
又,依據第一實施形態,藉由從配管長度較長的循環配管22依順序地進行流量之調整,就可以容易找出全部循環配管22內的處理液之溫度t成為適當之溫度(t2≦t≦t1) 的流量q。因而,可以在短時間內減低循環配管22間的處理液之溫度差。
又,依據第一實施形態,溫度計29係以位在比循環配管22中的供給配管23之分支位置26更靠下游側的方式夾設於循環配管22。為此,溫度計29係可以檢測在從處理液供給源R朝向分支位置26的期間散熱或吸熱之後的處理液之溫度。從而,可以確實地檢測往溫度計29、處理塔2供給的處理液之溫度的循環配管22間的差。因而,可以更加減低循環配管22間的溫度差。
在循環配管22中夾設有壓力調整閥28的部分係流入有上游側的處理液。為此,壓力調整閥28係可以藉由其開啟度之調整,使比壓力調整閥28更靠上游側的循環配管22內之流量,與比壓力調整閥28更靠下游側的循環配管22內之流量相較,還穩定變動。
從而,如第一實施形態般,只要以位在比所對應的循環配管22中的供給配管23之分支位置26更靠下游側的方式在循環配管22夾設有壓力調整閥28,就可以使從循環配管22流動至供給配管23的處理液之流量穩定。
又,依據第一實施形態,在各個循環配管22係夾設有檢測該循環配管22內之壓力的壓力計27。如前面所述般,在循環配管22內之壓力與循環配管22內的處理液之流量中係有相互關聯的關係。為此,只要一邊確認藉由壓力計27所檢測出的各個循環配管22之壓力一邊調整壓力調整閥28之開啟度,就容易將循環配管22內的處理液之流量調整至適當的範圍。由於當使循環配管22內的處理液之流 量變化時,溫度計29所檢測的溫度就會隨之變動,所以只要可以將循環配管22內的處理液之流量調整至適當的範圍,就可以將循環配管22內的處理液之溫度調整至適當的範圍(預定之範圍:t2≦t≦t1)。
又,壓力計27及溫度計29係與一般的流量計相較多為小型且廉價。為此,與在循環配管22夾設有流量計的構成相較,還可以謀求處理液供給裝置3的省空間化及低成本化。
循環配管22內的處理液之壓力其在比分支位置26更靠下游側,與比分支位置26更靠上游側相較,係容易受往供給配管23的處理液之供給狀態的變化而變動。
只要壓力計27係以位在比循環配管22中的供給配管23之分支位置26更靠上游側的方式夾設於循環配管22,就可以減低往供給配管23的處理液之供給狀態的變化帶給循環配管22內的處理液之壓力檢測的影響。換句話,壓力計27係可以穩定地檢測循環配管22內的處理液之壓力。從而,變得容易確認各個循環配管22內的處理液之壓力,且變得更加容易將循環配管22內的處理液之流量調整至適當的範圍。
又,依據第一實施形態,供給配管23係具有從所對應的循環配管22分支且對所對應的處理塔2之各個處理單元20供給處理液的複數個分支配管33至35。為此,與對各個處理單元20逐個設置循環配管22的構成相較,還可以減低循環配管22之數目。
與第一實施形態不同,亦可取代壓力計27,而使可以檢測流量的流量計以位在所對應的循環配管22中的供給配管23之分支位置26的方式夾設於該循環配管22。
與第一實施形態不同,亦可在目標溫度設定工序S1中設定目標溫度T時,事先設定與目標溫度T對應的目標壓力。在此情況下,藉由在開啟度調整工序中調整壓力調整閥28之開啟度以使各個檢測壓力接近目標壓力,就可以調整各個循環配管22內的處理液之溫度以使檢測溫度接近目標溫度T。從而,變得容易進行各個循環配管22內的處理液之溫度的調整。
〔第二實施形態〕
圖8係顯示第二實施形態的基板處理裝置1P中的第一處理塔2A及對應的循環配管22A之周邊之構成的示意圖。在圖8中係在與至今所說明之構件相同的構件上附記相同的參照符號,並省略其說明。第二實施形態的基板處理裝置1P與第一實施形態的基板處理裝置1(參照圖4)之不同點係在於:處理液供給裝置3P不具有壓力計27A至27D;以及控制裝置7控制壓力調整閥28A至28D(參照圖5)。
圖9係用以說明藉由處理液供給裝置3P所為的處理液供給之一例的流程圖。
在藉由處理液供給裝置3P所為的處理液供給中,首先,控制裝置7係設定流動於各個循環配管22內的處理液之溫度的目標值(目標溫度T)(目標溫度設定工序:步驟S11)。此時,能對全部的循環配管22設定共通的目標溫度T。如此,控制裝置7係具有作為目標溫度設定單元的功能。
然後,藉由控制裝置7來啟動夾設於共通配管24的泵浦30。藉此,加熱後的處理液能從處理液供給源R供給至各個循環配管22,且開始循環於各個循環配管22內(循環工序:步驟S12)。
然後,控制裝置7係控制各個溫度計29來檢測所對應的循環配管22之溫度(溫度檢測工序:步驟S13)。溫度檢測工序係在循環工序開始之後執行。然後,控制裝置7係基於檢測溫度來執行回授控制(步驟S14)。回授控制係在藉由循環配管22使處理液槽21內的處理液循環之期間,持續執行。
圖10係用以說明藉由處理液供給裝置3P所為的處理液供給之回授控制(圖9之S14)之詳細內容的流程圖。
在回授控制中,首先是藉由控制裝置7來判斷各個循環配管22中的檢測溫度是否與目標溫度T一致(溫度判定工序:步驟T1)。
在檢測溫度與目標溫度T不同的情況下(步驟T1中的「否」),能藉由控制裝置7來變更各個壓力調整閥28之開啟度(開啟度變更工序:步驟T2)。在開啟度變更工序中,控制裝置7係變更壓力調整閥28之開啟度以使檢測溫度接近目標溫度T。藉此,能減低循環配管22間的處理液之溫度的差。然後,藉由控制裝置7,就能再次判斷各個循環配管22中的檢測溫度是否與目標溫度T(目標值)一致(步驟T1)。
在檢測溫度與目標溫度T一致的情況下(步驟T1中的「是」),開啟度變更工序不被執行。然後,藉由控制裝置 7,就能再次判斷各個循環配管22中的檢測溫度是否與目標溫度T(目標值)一致(步驟T1)。
在再度的溫度判定工序中檢測溫度與目標溫度T一致的情況下(步驟T1中的「是」),溫度判定工序會再次被執行。在再度的溫度判定工序中檢測溫度與目標溫度T不同的情況下(步驟T1中的「否」),會執行溫度變更工序,之後,執行溫度判定工序。
如此,控制裝置7係藉由重複溫度判定工序及開啟度變更工序來調整壓力調整閥28之開啟度(開啟度調整工序)。如此,控制裝置7係具有作為為了減低循環配管22間的檢測溫度之差而調整所對應的壓力調整閥28之開啟度的開啟度調整單元的功能。
藉由處理液供給裝置3P所為的處理液供給之開啟度調整工序係與藉由第一實施形態的處理液供給裝置3所為的處理液供給之開啟度調整工序同樣,較佳是從與配管長度較長之循環配管22對應的壓力調整閥28依順序地調整開啟度(依次調整工序)。
在藉由處理液供給裝置3P所為的處理液供給中係比來自第一噴嘴42的藥液之供給更早開始回授控制(圖9之步驟S14)。
在第二實施形態中係達成與第一實施形態同樣的功效。
又,在第二實施形態中,藉由控制裝置7調整壓力調整閥28之開啟度,就能調整循環配管22內的處理液之流量。因散熱或吸熱所引起的處理液之溫度變化的程度係依 存於循環配管22內的處理液之流量,故而當使循環配管22內的處理液之流量變化時,溫度計29所檢測的溫度就會隨之變動。為此,控制裝置7係可以藉由調整各個壓力調整閥28之開啟度來確實地減低循環配管22間的處理液之溫度之差。在此情況下,循環配管22間之溫度差已被減低後的處理液係能從各個循環配管22透過供給配管23來供給至處理塔2。藉此,可以減低處理液之處理塔2間的溫度差。
又,在第二實施形態中係能藉由控制裝置7(目標溫度設定單元)對全部的循環配管22設定目標溫度T。控制裝置7(開啟度調整單元)係為了使各個檢測溫度與目標溫度T一致,而調整壓力調整閥28之開啟度。從而,可以更加減低循環配管22間的處理液之溫度差。
藉由控制裝置7持續調整壓力調整閥28之開啟度以使各個檢測溫度與目標溫度T一致,就可以維持循環配管22間的處理液之溫度差已被減低後的狀態。
在此,當往供給配管23的處理液之供給狀態變化時,循環配管22內的處理液之流量就會變化,且循環配管22內的處理液之溫度會變化。為此,即便是在藉由開啟度調整工序使檢測溫度與目標溫度T一致的情況下,仍可能有因為往供給配管23的處理液之供給狀態的變化等,而使在處理液供給之途中檢測溫度變成與目標溫度T不一致的情況。即便是在如此的情況下,藉由控制裝置7持續調整壓力調整閥28之開啟度以與目標溫度T一致,就可以減低循環配管22間的處理液之溫度差。
本發明並非被限定於以上所說明的實施形態,而是可以更進一步以其他的形態來實施。
例如,與上述之實施形態不同,亦可設置有加熱處理液槽21內之處理液的加熱器作為溫度調整單元。藉由該加熱器來加熱處理液槽21內的處理液。為此,加熱後的處理液能從處理液供給源R供給至複數個循環配管22。
又,與上述之實施形態不同,在共通配管24亦可夾設有冷卻處理液的冷卻器(cooler)。又,與上述之實施形態不同,亦可設置有冷卻處理液槽21內之處理液的冷卻器。在此等的情況下,冷卻器係具有作為溫度調整單元的功能,而冷卻後的處理液能從處理液供給源R供給至複數個循環配管22。
又,溫度藉由加熱器及冷卻器所調整後的處理液亦可從處理液供給源R供給至複數個循環配管22。又,作為溫度調整單元,亦可設置有具備加熱器及冷卻器之雙方功能的單一之單元。
又,在上述之實施形態中,係已說明各個壓力計27以位在比所對應的循環配管22中的供給配管23之分支位置26更靠上游側的方式夾設於該循環配管22。但是,與上述之實施形態不同,壓力計27亦可能有以位在比循環配管22中的供給配管23之分支位置26更靠下游側的方式夾設於該循環配管22的形態。壓力計27亦可能有在分支位置33a與分支位置35a之間夾設於該循環配管22的形態。
又,在上述之實施形態中係已說明各個壓力調整閥28及各個溫度計29以位在比所對應的循環配管22中的供給 配管23之分支位置26更靠下游側的方式夾設於該循環配管22。但是,與上述之實施形態不同,壓力調整閥28亦可能有以位在比循環配管22中的供給配管23之分支位置26更靠上游側的方式夾設於該循環配管22的形態。又,溫度計29亦可能有以位在比循環配管22中的供給配管23之分支位置26更靠上游側的方式夾設於該循環配管22的形態。壓力調整閥28或溫度計29亦可能有在分支位置33a與分支位置35a之間夾設於該循環配管22的形態。
又,亦可將與本實施形態之處理液供給裝置3同樣的構成,應用於對第二噴嘴43供給處理液的處理液供給裝置。
又,在上述之實施形態中係假設處理單元20具有第一噴嘴42及第二噴嘴43。但是,噴嘴之數目係不被限於二個,亦可設置有三個以上。在此情況下,亦可將與本實施形態之處理液供給裝置3同樣的構成,應用於對各個噴嘴供給處理液的處理液供給裝置。
在噴嘴之數目為三個的情況下,可以使氫氟酸等的藥液從第一噴嘴42供給至基板W,使DIW等的沖洗液從第二噴嘴43供給至基板W,進而使IPA等的有機溶劑(低表面張力液體)從其他的噴嘴供給至基板W。藉此,可以在上述之基板處理中,在DIW沖洗處理與乾燥處理之間,執行以IPA置換DIW的有機溶劑處理。
雖然已針對本發明之實施形態加以詳細說明,但是此等只不過是為了明白本發明之技術內容所用的具體例,本發明不應被解釋限定於此等的具體例,本發明之範圍係僅 藉由所附的申請專利範圍所限定。
本申請案係對應於2017年2月24日在日本特許廳所提出的特願2017-003608號,且本申請案的全部揭示係藉由引用而編入於此。

Claims (12)

  1. 一種處理液供給裝置,係對複數個處理部供給處理液,且包含:處理液供給源,係供給加熱或冷卻後的處理液;複數個循環配管,係設置為分別對應於複數個前述處理部,用以使從前述處理液供給源所供給的處理液分別循環;供給配管,係分支連接於各個前述循環配管,用以對所對應的前述處理部供給處理液;流量調整閥,係夾設於各個前述循環配管,用以調整該循環配管內的處理液之流量;以及溫度檢測單元,係夾設於各個前述循環配管,用以檢測流動於該循環配管內的處理液之溫度。
  2. 如請求項1所記載之處理液供給裝置,其中更包含:開啟度調整單元,係為了減低藉由各個前述溫度檢測單元所檢測出的檢測溫度之前述循環配管間之差,而調整前述流量調整閥之開啟度。
  3. 如請求項2所記載之處理液供給裝置,其中更包含:目標溫度設定單元,係對全部的前述循環配管設定目標溫度;前述開啟度調整單元係為了使藉由各個前述溫度檢測單元所檢測的檢測溫度與前述目標溫度一致,而調整前述流量調整閥之開啟度。
  4. 如請求項1或2所記載之處理液供給裝置,其中前述溫度檢測單元係以位在比所對應的前述循環配管中的前述供給配管之分支位置更靠下游側的方式夾設於該循環配管。
  5. 如請求項1或2所記載之處理液供給裝置,其中前述流量調整閥係以位在比所對應的前述循環配管中的前述供給配管之分支位置更靠下游側的方式夾設於該循環配管。
  6. 如請求項1或2所記載之處理液供給裝置,其中更包含:壓力檢測單元,係夾設於各個前述循環配管,用以檢測該循環配管內之壓力。
  7. 如請求項6所記載之處理液供給裝置,其中前述壓力檢測單元係以位在比所對應的前述循環配管中的前述供給配管之分支位置更靠上游側的方式夾設於該循環配管。
  8. 如請求項1或2所記載之處理液供給裝置,其中前述處理部係具有複數個收容基板的處理單元;前述供給配管係具有:複數個分支配管,係從所對應的前述循環配管分支,用以對各個前述處理單元供給處理液。
  9. 一種基板處理裝置,係包含:請求項1或2所記載之處理液供給裝置;以及處理基板的複數個前述處理部。
  10. 一種處理液供給方法,係對複數個處理部供給處理液,且包含:循環工序,係藉由設置為分別對應於複數個前述處理部之複數個循環配管,來使從處理液供給源所供給之加熱或冷卻後的處理液分別循環;溫度檢測工序,係檢測在前述循環工序中流動於各個前述循環配管的處理液之溫度;以及開啟度調整工序,係為了減低在前述溫度檢測工序中所檢測出的檢測溫度之前述循環配管間之差,而調整夾設於各個前述循環配管的流量調整閥之開啟度。
  11. 如請求項10所記載之處理液供給方法,其中更包含:目標溫度設定工序,係對全部的前述循環配管設定目標溫度;前述開啟度調整工序係包含為了使對應於各個前述循環配管的前述檢測溫度與前述目標溫度一致,而調整夾設於各個前述循環配管的流量調整閥之開啟度的工序。
  12. 如請求項10或11所記載之處理液供給方法,其中複數個前述循環配管之配管長度係互為不同;前述開啟度調整工序係包含從與前述配管長度較長之前述循環配管對應的前述流量調整閥依次地調整開啟度的依次調整工序。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI797687B (zh) * 2020-07-31 2023-04-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020150126A (ja) * 2019-03-13 2020-09-17 東京エレクトロン株式会社 混合装置、混合方法および基板処理システム
CN111696891B (zh) * 2019-03-15 2024-05-03 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、混合方法和基片处理方法
JP6851515B2 (ja) * 2019-03-15 2021-03-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6843173B2 (ja) * 2019-03-29 2021-03-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
JP6952860B2 (ja) * 2019-03-29 2021-10-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法
JP7437898B2 (ja) * 2019-09-18 2024-02-26 東京エレクトロン株式会社 検査システム及び検査方法
KR102296276B1 (ko) * 2019-09-24 2021-09-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP7312656B2 (ja) * 2019-09-24 2023-07-21 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP2022131885A (ja) * 2021-02-26 2022-09-07 株式会社Screenホールディングス 処理液循環方法、及び、基板処理方法
KR102498912B1 (ko) * 2021-04-02 2023-02-10 주식회사 디엠에스 처리액 공급장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5032269B2 (ja) * 2007-11-02 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 被処理基板の温度調節装置及び温度調節方法、並びにこれを備えたプラズマ処理装置
JP2010212488A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2012074601A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5714449B2 (ja) * 2011-08-25 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP6106394B2 (ja) * 2012-09-20 2017-03-29 Hoya株式会社 レジスト液供給装置、レジスト塗布装置、レジスト液の温度管理方法、レジスト液保管装置、及び、マスクブランクの製造方法
JP6118719B2 (ja) * 2013-12-16 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR102222456B1 (ko) * 2013-12-27 2021-03-04 세메스 주식회사 처리액공급유닛, 이를 가지는 기판처리장치 및 방법
JP6422673B2 (ja) * 2014-05-30 2018-11-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6359925B2 (ja) * 2014-09-18 2018-07-18 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6313231B2 (ja) * 2015-01-08 2018-04-18 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP6467265B2 (ja) * 2015-03-30 2019-02-06 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6468916B2 (ja) * 2015-03-31 2019-02-13 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI797687B (zh) * 2020-07-31 2023-04-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
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