TWI797687B - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI797687B
TWI797687B TW110126897A TW110126897A TWI797687B TW I797687 B TWI797687 B TW I797687B TW 110126897 A TW110126897 A TW 110126897A TW 110126897 A TW110126897 A TW 110126897A TW I797687 B TWI797687 B TW I797687B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
flow path
substrate
substrate processing
processing apparatus
unit
Prior art date
Application number
TW110126897A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202209466A (zh
Inventor
井上正史
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202209466A publication Critical patent/TW202209466A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI797687B publication Critical patent/TWI797687B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K11/00—Multiple-way valves, e.g. mixing valves; Pipe fittings incorporating such valves
    • F16K11/10—Multiple-way valves, e.g. mixing valves; Pipe fittings incorporating such valves with two or more closure members not moving as a unit
    • F16K11/105—Three-way check or safety valves with two or more closure members
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K31/00—Actuating devices; Operating means; Releasing devices
    • F16K31/02—Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic
    • F16K31/04—Actuating devices; Operating means; Releasing devices electric; magnetic using a motor
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L55/00—Devices or appurtenances for use in, or in connection with, pipes or pipe systems
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L—PIPES; JOINTS OR FITTINGS FOR PIPES; SUPPORTS FOR PIPES, CABLES OR PROTECTIVE TUBING; MEANS FOR THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16L59/00—Thermal insulation in general
    • F16L59/02—Shape or form of insulating materials, with or without coverings integral with the insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本發明提供一種基板處理裝置。基板處理裝置(10)具備：基板處理單元(100)，其對基板(W)進行處理；循環流路(330)，其配置有對被供給至基板處理單元(100)之處理液進行加熱之加熱器(313)，且供處理液循環；吐出流路(132)，其自循環流路(330)分支，使處理液流向基板處理單元(100)；及閥(136)，其配置於吐出流路(132)。循環流路(330)之一部分沿著吐出流路(132)之一部分配置。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種基板處理裝置。
對基板進行處理之基板處理裝置適宜用於半導體裝置之製造等中。基板處理裝置中，向基板供給處理液來對基板進行處理。於對基板進行處理時要使用高溫處理液之情形時，有時使一面在加熱器內進行循環一面被設定為特定溫度之處理液向基板吐出(參照專利文獻1)。
專利文獻1之基板處理裝置中，使一面進行循環一面被加熱器設定為特定溫度之處理液用於基板之處理，並且當自噴嘴之待機位置排出處理液時，阻斷循環路徑之內部與基板周圍之環境。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2020-35920號公報
[發明所欲解決之問題]
專利文獻1之基板處理裝置中，當經過循環之處理液經過吐出流路自噴嘴朝向基板吐出時，在吐出流路中，處理液之溫度有時會下降。尤其是，於開始向基板吐出處理液之情形時，即便處理液在循環流路中經過調製，但當處理液流經吐出流路時處理液之溫度仍會下降，有時使得基板之特性發生變化。
本發明係鑒於上述課題而完成之發明，其目之在於提供一種當經過循環之處理液向基板吐出時，可抑制處理液之溫度下降之基板處理裝置。 [解決問題之技術手段]
根據本發明之一態樣，基板處理裝置具備：基板處理單元，其對基板進行處理；循環流路，其配置有對被供給至上述基板處理單元之處理液進行加熱之加熱器，且供上述處理液循環；吐出流路，其自上述循環流路分支，使上述處理液流向上述基板處理單元；及閥，其配置於上述吐出流路；且上述循環流路之一部分沿著上述吐出流路之一部分配置。
於一實施方式中，上述循環流路之一部分與上述吐出流路之一部分平行地延伸。
於一實施方式中，上述循環流路之一部分與上述吐出流路之一部分接觸。
於一實施方式中，上述基板處理裝置進而具備隔熱材料，該隔熱材料覆蓋上述循環流路之一部分及上述吐出流路之一部分。
於一實施方式中，上述閥包含馬達針閥。
於一實施方式中，進而包含流量計，該流量計配置於上述吐出流路。
於一實施方式中，上述閥包含三向閥。
於一實施方式中，上述基板處理裝置進而具備收容部，該收容部收容上述循環流路之一部分、上述吐出流路之一部分、及上述閥。
於一實施方式中，上述收容部具有：箱，其上方開口；及蓋，其覆蓋上述箱之上方。
於一實施方式中，上述基板處理單元包含：腔室，其用於對上述基板進行處理；基板保持部，其配置在上述腔室內；杯體(cup)，其配置在上述腔室內；驅動室，其配置有驅動上述基板保持部及上述杯體之驅動部；及框架，其位於上述腔室與上述驅動室之間；且上述收容部配置在上述框架之側方。
於一實施方式中，上述循環流路具有：主流路；及迂迴流路，其自上述主流路分支，與上述吐出流路連接；且上述迂迴流路之一部分沿著上述吐出流路之一部分配置。 [發明之效果]
根據本發明，當經過循環之處理液向基板吐出時，可抑制處理液之溫度下降。
以下，參照圖式，對本發明之基板處理裝置之實施方式進行說明。再者，圖中，對於同一或對應部分附上同一參照符號並且不重複進行說明。再者，於本申請案說明書中，為了便於理解發明，有時記載有彼此正交之X軸、Y軸及Z軸。典型而言，X軸及Y軸平行於水平方向，Z軸平行於鉛直方向。
接下來，參照圖1，對本實施方式之基板處理裝置10進行說明。圖1係基板處理裝置10之模式性俯視圖。
基板處理裝置10對基板W進行處理。基板處理裝置10具備複數個基板處理單元100。基板處理單元100以對基板W實施蝕刻、表面處理、特性賦予、處理膜形成、去除膜之至少一部分及膜之洗淨中之至少1種處理之方式，對基板W進行處理。
如圖1所示，基板處理裝置10除了具備複數個基板處理單元100以外，還具備：流體櫃210、流體盒220、處理液循環機構300、複數個負載埠LP、移載傳送機械手IR、中心機械手CR、及控制裝置20。控制裝置20對基板處理單元100、流體櫃210、流體盒220、處理液循環機構300、負載埠LP、移載傳送機械手IR及中心機械手CR進行控制。
負載埠LP將複數片基板W層疊並收容。移載傳送機械手IR在負載埠LP與中心機械手CR之間搬送基板W。再者，亦可設為如下上述之裝置構成：在移載傳送機械手IR與中心機械手CR之間設置暫時性地載置基板W之設置台(通路)，在移載傳送機械手IR與中心機械手CR之間經由設置台間接地交接基板W。中心機械手CR在移載傳送機械手IR與基板處理單元100之間搬送基板W。
複數個基板處理單元100形成了在俯視下以包圍中心機械手CR之方式配置之複數個塔TW(圖2中為4個塔TW)。各塔TW包含上下層疊之複數個基板處理單元100(圖1中為3個基板處理單元100)。
各基板處理單元100向基板W吐出處理液來對基板W進行處理。處理液包含藥液、洗滌液及/或疏水化液。又，處理液亦可包含其它液體。
流體櫃210收容處理液。再者，流體櫃210亦可收容氣體。
流體盒220分別對應於塔TW。流體櫃210內之液體經由任一流體盒220被供給至與流體盒220對應之塔TW所包含之所有基板處理單元100中。又，流體櫃210內之氣體經由任一流體盒220被供給至與流體盒220對應之塔TW所包含之所有基板處理單元100中。
處理液循環機構300供用於供給至各基板處理單元100中之處理液進行循環。典型而言，基板處理單元100利用溫度高於室溫之處理液對基板W進行處理。因此，處理液循環機構300一面使經過加熱之處理液循環，一面向各基板處理單元100供給處理液。
處理液循環機構300包含：處理液櫃310、複數個處理液單元320、及循環流路330。處理液單元320分別與複數個塔TW對應地配置。循環流路330中，處理液在處理液櫃310及處理液單元320中循環地流動。循環流路330由複數個配管所形成。處理液櫃310內之處理液經由處理液單元320被供給至與處理液單元320對應之塔TW所包含之所有基板處理單元100中。
再者，自流體櫃210經由流體盒220被供給至基板處理單元100中之液體不同於自處理液櫃310經由處理液單元320通過循環流路330而被供給至基板處理單元100中之液體。例如，自流體櫃210經由流體盒220被供給至基板處理單元100中之液體為酸性或鹼性液體。典型而言，自流體櫃210流出之液體之配管直徑約為20 mm，對於基板W之供給量為1 L/分鐘～10 L/分鐘。
另一方面，典型而言，自處理液櫃310經由處理液單元320通過循環流路330而被供給至基板處理單元100中之處理液為易燃性液體。例如，易燃性液體包含IPA(異丙醇)。或者，易燃性液體亦可包含SMT(疏水化液)。典型而言，自處理液櫃310供給之處理液之配管直徑約為10 mm，對於基板W之供給量為50 cm3 /分鐘～300 cm3 /分鐘。
控制裝置20對基板處理裝置10之各種動作進行控制。控制裝置20包含控制部22及記憶部24。控制部22具有處理器。控制部22例如具有中央處理運算器(Central Processing Unit：CPU)。又，控制部22亦可具有通用運算器。
記憶部24記憶資料及電腦程式。資料包含製程配方資料。製程配方資料包含表示複數個製程配方之資訊。複數個製程配方分別規定基板W之處理內容及處理順序。
記憶部24包含主記憶裝置、及輔助記憶裝置。主記憶裝置例如為半導體記憶體。輔助記憶裝置例如為半導體記憶體及/或硬式磁碟機。記憶部24亦可包含可移媒體。控制部22執行記憶部24中所記憶之電腦程式，從而執行基板處理動作。
記憶部24中記憶有預先規定好順序之電腦程式。基板處理單元100按照電腦程式所規定之順序進行動作。
再者，圖1中示出了相對於基板處理裝置10而言具備1個控制裝置20，亦可為每個基板處理單元100分別具備1個控制裝置20。但，於該情形時，基板處理裝置10較佳為具備複數個基板處理單元100及對基板處理單元100以外之裝置進行控制之其它控制裝置。
接下來，參照圖2，對基板處理裝置10中之處理液之循環進行說明。圖2係基板處理裝置10之模式圖。
如圖2所示，處理液在處理液櫃310及處理液單元320內循環，並且視需要自處理液單元320被供給至基板處理單元100中。
處理液櫃310對處理液進行調製。典型而言，處理液櫃310將處理液調製成為加熱至高於室溫之狀態。又，處理液櫃310對處理液內之雜質進行過濾。
處理液櫃310具備：處理液槽311、泵312、加熱器313、流量計314、過濾器315、及閥316。處理液槽311貯存處理液。
泵312將處理液送出至循環流路330之下游側。泵312在暫時吸入處理液之後，使所吸入之處理液朝向循環流路330之下游排出。通過泵312之驅動，使處理液槽311內之處理液通過循環流路330進行循環。再者，處理液視需要被供給至基板處理單元100中。
加熱器313對流經循環流路330之處理液進行加熱。因此，循環流路330可供具有高於室溫之特定溫度之處理液進行循環。又，基板處理單元100可利用具有高於室溫之特定溫度之處理液對基板W進行處理。
流量計314對流經循環流路330之處理液之流量進行測定。過濾器315自流經循環流路330之處理液中過濾出雜質或異物。
閥316打開及關閉循環流路330。又，閥316亦可改變流經循環流路330之流量。例如，閥316亦可為馬達針閥。例如，受閥316控制之處理液之流量亦可基於流量計314之測定結果進行調整。
循環流路330係自處理液櫃310流經處理液單元320後再次返回至處理液櫃310。再者，處理液單元320中配置有自循環流路330分支之吐出流路132。經由吐出流路132向基板W吐出處理液。
循環流路330包含：流路331，其自處理液槽311至離開處理液櫃310為止；流路332，其自離開處理液櫃310至進入處理液單元320為止；流路333，其自進入處理液單元320至折返地點為止；流路334，其自折返地點至離開處理液單元320為止；流路335，其自離開處理液單元320至進入處理液櫃310為止；及流路336，其自進入處理液櫃310至處理液槽311為止。
流路331自處理液槽311通過泵312及加熱器313之後，分支成複數條分支流路。分支之流路331通過流量計314、及過濾器315並與流路332相連。處理液自處理液槽311向鉛直下方流經流路331，並沿水平方向進入至流路332中。
流路332配置在載置有處理液櫃310、處理液單元320及基板處理單元100之地面(底板)之下方。處理液沿水平方向進入至流路332中。
流路333自地面下方朝向鉛直上方延伸，處理液沿著流路333自地面下方朝向鉛直上方流動。流路333具有主流路333a、及迂迴流路33U。主流路333a向鉛直上方延伸。迂迴流路33U自主流路333a朝向基板處理單元100沿水平方向延伸。
如上所述，基板處理單元100層疊有複數段。主流路333a對於每段基板處理單元100都分別向鉛直上方延伸，迂迴流路33U分別自主流路333a以接近各基板處理單元100之方式延伸。
基板處理單元100包含處理液供給部130，詳情將在後文中進行說明。處理液供給部130具有：吐出流路132、噴嘴134、及閥136。吐出流路132與迂迴流路33U連接。閥136配置在吐出流路132中。閥136係用於直接或間接地控制處理液之流路機器之一種。
通過打開閥136，使處理液自流路333之主流路333a、迂迴流路33U通過吐出流路132後向基板W吐出。因此，處理液視需要自流路333之主流路333a、迂迴流路33U通過吐出流路132及噴嘴134而被供給至基板W上。
再者，吐出流路132之一部分沿著迂迴流路33U之一部分配置。吐出流路132之一部分較佳為平行於迂迴流路33U之一部分。又，吐出流路132之一部分較佳為接近於迂迴流路33U之一部分，吐出流路132之一部分亦可與迂迴流路33U之一部分接觸。
迂迴流路33U具有：去路333b、及返路333c。吐出流路132之一部分亦可沿著去路333b及返路333c中之一流路之一部分配置。吐出流路132之一部分較佳為平行於去路333b及返路333c中之一流路之一部分。又，吐出流路132之一部分較佳為接近於去路333b及返路333c中之一流路之一部分，吐出流路132之一部分亦可與去路333b及返路333c中之一流路之一部分接觸。
流路334自鉛直上方延伸至地面下方。流路334跨及與複數段之基板處理單元100對應之高度以直線狀沿鉛直方向上延伸。再者，流路333及流路334配置在處理液單元320內。
流路335與流路332同樣地配置在載置有處理液櫃310、處理液單元320及基板處理單元100之地面(底板)之下方。流路335在水平方向上延伸。
又，流路336自地面下方朝向鉛直上方延伸。處理液沿著流路336自地面下方進入至鉛直上方為止後，返回至處理液槽311中。流路336中配置有閥316。再者，流路331及流路336配置在處理液櫃310內。這樣一來，處理液在循環流路330中進行循環，並視需要被供給至基板W上。
流經處理液單元320之處理液通過迂迴流路33U。又，於閥136打開之情形時，處理液流經吐出流路132自噴嘴134向基板W吐出。在閥136關閉之狀態下，由於處理液會流經沿著吐出流路132配置之迂迴流路33U，因此即使吐出流路132中沒有處理液流動，仍可使吐出流路132保持相對較高之溫度。因此，當處理液開始流經吐出流路132時，可抑制處理液之溫度下降。因此，於不浪費處理液之情況下可有效利用處理液來對基板W進行處理。
例如，亦可使用IPA(異丙醇：isopropylalcohol)液作為處理液。或者，還可使用SMT(疏水化液)作為處理液。
再者，圖2中，處理液櫃310與處理液單元320及基板處理單元100同樣地配置在地面上方，但處理液櫃310亦可配置在地面下方。
接下來，參照圖1～圖3，對本實施方式之基板處理裝置10中之基板處理單元100進行說明。圖3係基板處理單元100之模式圖。
基板處理單元100具備：腔室110、基板保持部120、及處理液供給部130。腔室110收容基板W。基板保持部120保持基板W。
腔室110係具有內部空間之大致箱形狀。腔室110收容基板W。此處，基板處理單元100係對基板W逐片地進行處理之單片型，且腔室110中逐片地收容基板W。基板W被收容在腔室110內，並在腔室110內被實施處理。腔室110中收容有基板保持部120及處理液供給部130各自之至少一部分。
基板保持部120保持基板W。基板保持部120以基板W之正面(上表面)Wa朝向上方、基板W之背面(下表面)Wb朝向鉛直下方之方式水平地保持基板W。又，基板保持部120在保持基板W之狀態下使基板W旋轉。基板保持部120在保持著基板W之情況下使基板W旋轉。
例如，基板保持部120亦可為夾持基板W端部之夾持式。或者，基板保持部120亦可具有自背面Wb保持基板W之任意機構。例如，基板保持部120還可為真空式。於該情形時，基板保持部120藉由將作為非裝置形成面之基板W之背面Wb之中央部吸附在正面上，從而水平地保持基板W。或者，基板保持部120還可係使複數個夾盤銷與基板W之周端面接觸之夾持式與真空式之組合。
例如，基板保持部120包含：旋轉底座121、夾盤構件122、軸123、電動馬達124、外殼125、及馬達驅動部126。夾盤構件122設置在旋轉底座121上。夾盤構件122夾住基板W。典型而言，旋轉底座121上設置有複數個夾盤構件122。
軸123為中空軸。軸123沿著旋轉軸Ax在鉛直方向上延伸。在軸123之上端結合有旋轉底座121。基板W載置在旋轉底座121之上方。
旋轉底座121為圓板狀，水平地支持基板W。軸123自旋轉底座121之中央部向下方延伸。電動馬達124向軸123賦予旋轉力。電動馬達124藉由使軸123沿著旋轉方向旋轉，從而使基板W及旋轉底座121以旋轉軸Ax為中心旋轉。外殼125包圍軸123及電動馬達124。
馬達驅動部126驅動電動馬達124。藉由馬達驅動部126之驅動使得電動馬達124之旋轉得到控制。馬達驅動部126配置在腔室110之外部。
處理液供給部130向基板W供給處理液。典型而言，處理液供給部130向基板W之正面Wa供給處理液。處理液例如為IPA液。
處理液供給部130之至少一部分被收容在腔室110內。處理液供給部130向基板W之正面Wa供給處理液。
如上所述，處理液供給部130包含：吐出流路132、噴嘴134、及閥136。自供給源向吐出流路132供給處理液，處理液在吐出流路132中流動。噴嘴134設置在吐出流路132之前端。噴嘴134向基板W之正面Wa吐出處理液。閥136連接在吐出流路132中。閥136打開及關閉吐出流路132內之流路。
此處，吐出流路132自腔室110之外部延伸至腔室110之內部，閥136配置在腔室110之外部。噴嘴134較佳為構成為可相對於基板W移動。
基板處理單元100具備屏蔽構件140。屏蔽構件140包含：屏蔽板142、支軸144、及升降單元146。屏蔽板142水平地配置在基板保持部120之上方。屏蔽板142包含薄圓形之板。屏蔽板142被自屏蔽板142之中央部向上方延伸之筒狀支軸144水平支持。屏蔽板142之中心線位於基板W之旋轉軸Ax上。在屏蔽板142上安裝有處理液供給部130之噴嘴134。
屏蔽板142之下表面142L與基板W之正面相向。屏蔽板142之下表面142L平行於基板W之正面Wa，具有基板W之直徑以上之外徑。
升降單元146使屏蔽板142沿著鉛直方向升降。升降單元146使屏蔽板142在上方位置至下方位置之間之任意位置移動。圖3中，屏蔽板142位於上方位置。
基板處理單元100進而具備杯體180。杯體180回收自基板W飛濺出之處理液。
杯體180具有杯體主體182、及杯體驅動部184。杯體驅動部184驅動杯體主體182。杯體主體182藉由來自杯體驅動部184之驅動而升降。杯體驅動部184配置在腔室110之外部。
例如，在處理液供給部130向基板W供給處理液之期間，杯體主體182向鉛直上方上升至基板W之側方。於該情形時，杯體主體182回收因基板W旋轉而自基板W飛濺出之處理液。又，當處理液供給部130向基板W供給處理液之期間結束，則杯體主體182自基板W之側方向鉛直下方下降。
如上所述，控制裝置20包含控制部22及記憶部24。控制部22對基板保持部120、處理液供給部130、屏蔽構件140及/或杯體180進行控制。在一例中，控制部22對馬達驅動部126、閥136、升降單元146及/或杯體驅動部184進行控制。
本實施方式之基板處理單元100適宜用於製作設置有半導體層之半導體裝置。典型而言，於半導體裝置中，在基材上層疊有導電層及絕緣層。基板處理單元100在製造半導體裝置時，適宜用於導電層及/或絕緣層之洗淨及/或加工(例如，蝕刻、改變特性等)。
接下來，參照圖1～圖4，對本實施方式之基板處理裝置10進行說明。圖4係基板處理裝置10之方塊圖。
如圖4所示，控制裝置20對基板處理裝置10之各種動作進行控制。控制裝置20對移載傳送機械手IR、中心機械手CR、基板保持部120、處理液供給部130及杯體180進行控制。具體來說，控制裝置20藉由向移載傳送機械手IR、中心機械手CR、基板保持部120、處理液供給部130及杯體180發送控制信號，從而對移載傳送機械手IR、中心機械手CR、基板保持部120、處理液供給部130及杯體180進行控制。
具體來說，控制部22對移載傳送機械手IR進行控制，而藉由移載傳送機械手IR交接基板W。
控制部22對中心機械手CR進行控制，而藉由中心機械手CR交接基板W。例如，中心機械手CR接收未處理之基板W，並將基板W搬入至複數個腔室110中之任一腔室內。又，中心機械手CR自腔室110接收經過處理之基板W，並將基板W搬出。
控制部22控制基板保持部120，從而對基板W開始旋轉、變更旋轉速度及基板W停止旋轉進行控制。例如，控制部22控制基板保持部120，從而可改變基板保持部120之轉速。具體來說，控制部22藉由改變基板保持部120之電動馬達124之轉速，從而可改變基板W之轉速。
控制部22控制處理液供給部130之閥136，從而可使閥136之狀態在打開狀態與關閉狀態之間切換。具體來說，控制部22控制處理液供給部130之閥136而使閥136變為打開狀態，由此可使在吐出流路132內向噴嘴134流動之處理液通過。又，控制部22控制處理液供給部130之閥136而使閥136變為關閉狀態，由此可停止供給在吐出流路132內向噴嘴134流動之處理液。
控制部22控制杯體驅動部184，從而對控制杯體主體182之位置進行控制。例如，控制部22在處理液供給部130向基板W供給處理液之期間內，以杯體主體182向鉛直上方上升至基板W之側方為止之方式控制杯體驅動部184。又，處理液供給部130向基板W供給處理液之期間一結束，則控制部22會以杯體主體182自基板W之側方朝向鉛直下方下降之方式控制杯體驅動部184。
再者，控制部22亦可控制圖3中所示之屏蔽構件140。例如，控制部22亦可控制升降單元146，從而使基板W相對於屏蔽板142升降。
接下來，參照圖5，對本實施方式之基板處理裝置10進行說明。圖5係基板處理裝置10之模式圖。圖5表示基板處理裝置10中之基板處理單元100及處理液單元320之側面。
如圖5所示，基板處理單元100層疊有複數段。此處，基板處理單元100橫跨2行層疊3段。又，處理液單元320在基板處理單元100之2行之間以在鉛直方向上延伸之方式配置。
如上所述，處理液單元320包含流路333、及流路334。流路333自鉛直下方朝向鉛直上方延伸。流路334自鉛直上方朝向鉛直下方延伸。處理液通過流路333後自鉛直下方朝向鉛直上方流動，其後，通過流路334後自鉛直上方朝向鉛直下方流動。再者，流路333及流路334亦可配置為在1個管內彼此分離之狀態。
流路333具有複數條主流路333a、及複數條迂迴流路33U。此處，主流路333a自鉛直下方朝向鉛直上方延伸。迂迴流路33U自某一主流路333a之端部延伸。典型而言，迂迴流路33U自主流路333a沿水平方向延伸。迂迴流路33U自某一主流路333a延伸，並與另一主流路333a連接。迂迴流路33U與吐出流路132連接。如上文中參照圖2及圖3所進行之說明所述，處理液經由吐出流路132進入腔室110內，並自噴嘴134向基板W吐出。因此，向腔室110供給流經主流路333a、迂迴流路33U及吐出流路132之處理液。
基板處理單元100具有：腔室110、驅動室112、及框架114。此處，基板處理單元100中設置有在鉛直方向排列之2個空間。上方空間為腔室110，下方空間為驅動室112。在腔室110與驅動室112之間配置有框架114。
如圖3所示，腔室110中配置有基板保持部120、噴嘴134、屏蔽構件140及杯體主體182等，而圖5中，為了避免圖式過於複雜，沒有進行相關圖示。另一方面，在驅動室112內配置有驅動腔室110內元件之驅動構件。例如，在驅動室112內配置有馬達驅動部126及/或杯體驅動部184。又，在驅動室112內亦可配置有用於驅動升降單元146(圖3)之驅動源。
此處，在框架114之側方配置有收容部160。例如，收容部160為有蓋或無蓋之箱形狀。收容部160收容循環流路330之一部分及吐出流路132之一部分。詳細而言，收容部160收容迂迴流路33U及吐出流路132之一部分。再者，收容部160中亦可收容有配置在吐出流路132中之閥136。收容部160配置在位於腔室110與驅動室112之間之框架114之側方，由此容易對腔室110及驅動室112內之機器進行維護。
又，圖5中，由於閥136被收容在收容部160中，且閥136也沿著迂迴流路33U配置，因此可抑制閥136之溫度下降。於閥136自關閉狀態變為打開狀態之情形時，由於如果閥136之溫度較低，則通過閥136之處理液之溫度會下降，因此藉由使閥136也沿著迂迴流路33U配置，從而即使在閥136關閉之狀態下，仍可使閥136保持相對較高之溫度。
再者，圖5中，收容部160中收容有閥136，但本實施方式並不受此限定。閥136亦可配置在腔室110內之未被收容部160所收容之位置。即使於該情形時，由於在閥136關閉之狀態下，處理液會流經沿著吐出流路132配置之迂迴流路33U，因此當處理液開始流經吐出流路132時，依然可抑制處理液之溫度下降。
再者，收容部160中亦可配置有馬達針閥作為閥136，但圖5中沒有進行相關圖示。又，收容部160中亦可配置有流量計137及回吸一體型吐出閥。
又，收容部160配置為自在行方向上相鄰配置之基板處理單元100之間沿水平方向延伸，被收容在收容部160中之迂迴流路333U在與主流路333a之延伸方向正交之方向上延伸。因此，可由相對較短之循環流路來抑制吐出流路132之溫度下降。
接下來，參照圖6，對本實施方式之基板處理裝置10進行說明。圖6係基板處理裝置10之局部放大圖。
如圖6所示，在基板處理單元100之側方配置有循環流路330之流路333。流路333自鉛直下方朝向鉛直上方延伸。流路333具有：主流路333a、及迂迴流路33U。迂迴流路33U自主流路333a延伸。迂迴流路33U自主流路333a之端部沿水平方向延伸，其後，朝向主流路333a返回至水平方向。
詳細而言，流路333之某一主流路333a自鉛直方向下方朝向鉛直方向上方延伸。自該主流路333a之端部沿水平方向轉向而成為迂迴流路33U。迂迴流路33U自沿著收容部160之長邊方向之一端部延伸至另一端部為止後，再次延伸至沿著收容部160之長邊方向之一端部。迂迴流路33U之端部與另一主流路333a連結，進而自鉛直方向下方朝向鉛直方向上方延伸。
又，吐出流路132係自迂迴流路33U分支。迂迴流路33U在中途與吐出流路132連接。此處，迂迴流路33U在沿著長邊方向之端部處與吐出流路132連接。再者，吐出流路132之一部分與迂迴流路33U之一部分相鄰地配置。
迂迴流路33U具有：去路333b、及返路333c。去路333b自主流路333a之端部以遠離主流路333a之方式延伸。返路333c自去路333b之前端以與主流路333a連接之方式延伸。
又，吐出流路132之至少一部分沿著迂迴流路33U配置。圖6中，示出了吐出流路132沿著返路333c，但吐出流路132亦可沿著去路333b。
例如，吐出流路132、去路333b及返路333c亦可配置為在水平方向上並排為一行。或者，吐出流路132、去路333b及返路333c還可配置為在鉛直方向上並排為一行。
如上所述，流路333一面經由迂迴流路33U，一面自鉛直下方朝向鉛直上方延伸。流路334與流路333相鄰地配置。詳細而言，流路334與流路333之主流路333a相鄰地配置。流路334自鉛直上方朝向鉛直下方延伸。
收容部160配置在基板處理單元100之側方。收容部160在水平方向上延伸。流路333及流路334貫通收容部160。流路334沿著鉛直方向直線狀地貫通收容部160。另一方面，流路333在相鄰之主流路333a之間，經由被收容在收容部160中且在水平方向上流動之迂迴流路33U貫通收容部160。
如上所述，迂迴流路33U具有去路333b、及返路333c。去路333b在遠離主流路333a之方向上延伸。又，返路333c自去路333b之前端延伸至主流路333a側。再者，去路333b與返路333c僅在遠離主流路333a之側連結，在主流路333a側並不連結。
吐出流路132、去路333b、及返路333c之間隔較佳為較短。例如，吐出流路132亦可與去路333b及返路333c中之至少一流路接觸。
為了抑制流經迂迴流路33U之處理液之溫度下降，較佳為吐出流路132之一部分沿著迂迴流路33U之一部分配置。例如，吐出流路132之一部分、與迂迴流路33U之一部分之間隔較佳為較短。例如，吐出流路132與迂迴流路33U之間之最短距離可為3 cm以下，亦可為1 cm以下。或者，吐出流路132之一部分還可與迂迴流路33U之一部分接觸。
又，迂迴流路33U中，去路333b與返路333c相鄰。詳細而言，去路333b之一部分與返路333c之一部分之間隔較佳為較短。去路333b之一部分較佳為與返路333c之一部分接觸。
進而，迂迴流路33U及吐出流路132亦可被隔熱材料162所包圍。藉由隔熱材料162，可減少流經迂迴流路33U及吐出流路132之處理液之熱擴散，抑制流經迂迴流路33U及吐出流路132之處理液之溫度下降。例如，隔熱材料162包含多孔質PTFE(聚四氟乙烯)。
又，隔熱材料162亦可覆蓋閥136之至少一部分。藉此，可抑制熱自閥136擴散。
再者，於使用隔熱材料162之情形時，較佳為利用固定構件164進行固定來維持迂迴流路33U及吐出流路132被包圍之狀態。例如，亦可使用捆紮帶作為固定構件164。或者，還可使用環狀彈性體作為固定構件164。
收容部160亦可具有密閉之中空空間。於收容部160密閉之情形時，收容部160中較佳為填充有惰性氣體。
此處，基板處理裝置10進而具備供給惰性氣體之惰性氣體供給部170。惰性氣體供給部170向收容部160供給惰性氣體。惰性氣體例如為氮氣。
惰性氣體供給部170包含：流路172、及閥174。流路172中，自供給源供給有惰性氣體，供惰性氣體流動。閥174打開及關閉流路172內之流路。
此處，惰性氣體供給部170向收容部160供給惰性氣體，但惰性氣體供給部170亦可向腔室110供給惰性氣體。
再者，流路333及流路334亦可配置在1根外管33T之內部。外管33T之內徑大於形成流路333之配管之外徑與形成流路334之配管之外徑之和。因此，由流路333、流路334、外管33T形成雙重配管33D。在外管33T之內部配置有流路333及流路334，流路333及流路334以外之空間亦可被空氣填滿。這樣一來，藉由構成為流路333、流路334配置在外管33T之內部之雙重配管33D，從而可抑制熱自流路333及流路334擴散。
再者，上文中參照圖6所進行之說明中，吐出流路132中配置有1個閥136作為流路機器，但本實施方式並不受此限定。吐出流路132中亦可配置有複數個流路機器。
接下來，參照圖7，對本實施方式之基板處理裝置10進行說明。圖7係基板處理裝置10之模式圖。圖7之基板處理裝置10中，吐出流路132中配置有多種閥136與流量計137作為流路機器，除了該點以外，具有與上文中參照圖6所進行說明之基板處理裝置10相同之構成，為了避免冗長描述，省略重複之記載。
如圖7所示，吐出流路132中配置有馬達針閥136a作為閥136。藉由馬達針閥136a，可簡便地控制流經吐出流路132之處理液之流量。
又，吐出流路132中配置有回吸一體型吐出閥136b作為閥136。藉由回吸一體型吐出閥136b，可高精度地控制處理液之流量。
又，吐出流路132中配置有流量計137。流量計137對流經吐出流路132之處理液之流量進行測定。例如，流量計137為超聲波流量計。藉此，可對自噴嘴134被供給至基板W上之處理液之流量進行測定。
當吐出流路132中配置有馬達針閥136a、流量計137及回吸一體型吐出閥136b時，自上游朝向下游較佳為依序配置有流量計137、馬達針閥136a及回吸一體型吐出閥136b。
進而，吐出流路132中亦可配置有三向閥(肘節閥)136c作為閥136。三向閥136c配置在吐出流路132和迂迴流路33U之連結部分與馬達針閥136a之間。於該情形時，三向閥136c之1個閥亦可與惰性氣體供給部連接。在三向閥136c之另一閥關閉之狀態下，藉由自惰性氣體供給部供給惰性氣體，從而可將處理液朝向基板處理單元100排出，從而容易對吐出流路132進行維護。再者，此處使用三向閥136c，但亦可使用2個閥來代替三向閥136c自惰性氣體供給部供給惰性氣體，從而對吐出流路132進行維護。
接下來，參照圖6～圖8，對本實施方式之基板處理裝置10進行說明。圖8係基板處理裝置10中之基板處理單元100及處理液單元320之模式性立體圖。
如圖8所示，基板處理單元100在鉛直方向上排列有3個。又，在基板處理單元100之側方，處理液單元320在鉛直方向上延伸。處理液單元320包含：雙重配管33D，其在鉛直方向上延伸；及迂迴流路33U，其被收容在與雙重配管33D連結之收容部160內(圖7)。如上所述，雙重配管33D包含流路333及流路334。對每個基板處理單元100分別設置有1個收容部160。詳細而言，收容部160配置在基板處理單元100之框架114之側方。
在處理液單元320之下部配置有連接支持部322。連接支持部322支持雙重配管33D，並且連接雙重配管33D內之流路333及流路334、與地面下方之流路332及流路335(圖2)。雙重配管33D與連接支持部322連接。流路333及流路334通過連接支持部322內，但圖8中沒有進行相關圖示。
接下來，參照圖7～圖9，對本實施方式之基板處理裝置10進行說明。圖9係基板處理裝置10中之收容部160及其附近之模式性立體圖。再者，圖9中，為了參考，示出了收容部160之蓋160a打開之狀態。
如圖9所示，收容部160具有蓋160a、及箱160b。箱160b為中空形狀，並在水平方向上延伸。蓋160a具有與箱160b之中空形狀吻合之形狀。藉由利用蓋160a覆蓋箱160b，從而可使收容部160內密閉。
箱160b中收容有迂迴流路33U及吐出流路132。又，箱160b中收容有與吐出流路132連接之三向閥136c、流量計137、馬達針閥136a及回吸一體型吐出閥136b。
箱160b中收容有迂迴流路33U之去路333b、返路333c、及吐出流路132。此處，去路333b、返路333c、及吐出流路132配置為在水平方向上並排為一行。又，在箱160b內，迂迴流路33U之去路333b、返路333c、及吐出流路132被隔熱材料162所覆蓋。隔熱材料162被固定構件164固定在未配置有三向閥136c、流量計137、馬達針閥136a及回吸一體型吐出閥136b之區域內。由於迂迴流路33U中循環有高溫處理液，因此藉由隔熱材料162及固定構件164可抑制吐出流路132之溫度下降，並且可抑制熱自迂迴流路33U及吐出流路132擴散。
進而，藉由利用蓋160a覆蓋箱160b，從而可抑制熱自迂迴流路33U及吐出流路132擴散。又，藉由利用蓋160a覆蓋箱160b，從而即便有少許處理液自迂迴流路33U及吐出流路132漏出，仍可抑制基板處理裝置10整體被污染。
又，根據圖7～圖9可知，流路333(主流路333a)及流路334在收容部160之外部作為雙重配管33D之一部分而一體形成，而在收容部160之內部，流路333與流路334分離。主流路333a之朝向可借助於位於主流路333a之端部之連接器變更為水平方向，與迂迴流路33U連接。再者，圖9中，為了避免圖式過於複雜，利用不同於流路334及主流路333a之粗度來表示迂迴流路33U及吐出流路132，但當然該等流路之口徑亦可一樣。
接下來，參照圖6～圖10，對本實施方式之基板處理裝置10中之連接支持部322進行說明。圖10係連接支持部322之模式性立體圖。
如圖10所示，雙重配管33D向鉛直方向下方延伸而與連接支持部322連接。如圖6及圖7所示，雙重配管33D包含：流路333、流路334、及外管33T。雙重配管33D在連接支持部322之外表面與連接支持部322連接。雙重配管33D之流路333與流路334在連接支持部322之內部延伸。流路333與流路334在連接支持部322處沿水平方向延伸之後，向鉛直下方延伸。之後，流路333與流路334在連接支持部322之下方與連接器連接，從而在位於地面下方之流路332及流路335中，再次形成雙重配管。
再者，上文中參照圖3所進行之說明中，基板處理單元100具備屏蔽構件140，且自屏蔽構件140供給處理液，但本實施方式並不受此限定。基板處理單元100中，亦可自安裝在可移動之臂上之噴嘴供給處理液。
接下來，參照圖11及圖12，對本實施方式之基板處理裝置10進行說明。圖11係基板處理裝置10中之基板處理單元100之模式圖。圖11之基板處理單元100中，處理液供給部130之噴嘴134安裝在臂138a之前端，而非安裝在屏蔽構件140上，除了該點以外，與圖3中所示之基板處理單元100相同，為了避免冗長描述，省略重複之記載。
如圖11所示，處理液供給部130進而包含噴嘴移動部138。噴嘴移動部138在吐出位置與退避位置之間移動噴嘴134。於噴嘴134位於吐出位置之情形時，噴嘴134位於基板W之上方。於噴嘴134位於吐出位置之情形時，噴嘴134朝向基板W之正面Wa吐出處理液。於噴嘴134位於退避位置之情形時，噴嘴134位於較基板W更靠基板W之徑方向外側之位置。
噴嘴移動部138包含：臂138a、旋動軸138b、及移動機構138c。臂138a沿著大致水平方向延伸。在臂138a之前端部安裝有噴嘴134。臂138a與旋動軸138b結合。旋動軸138b沿著大致鉛直方向延伸。移動機構138c使旋動軸138b繞著平行於大致鉛直方向之旋動軸線旋動，使臂138a沿著大致水平面旋動。結果使得噴嘴134沿著大致水平面移動。例如，移動機構138c包含使旋動軸138b繞著旋動軸線旋動之臂擺動馬達。臂擺動馬達例如為伺服馬達。又，移動機構138c使旋動軸138b沿著大致鉛直方向升降而使臂138a升降。結果使得噴嘴134沿著大致鉛直方向移動。例如，移動機構138c包含：滾珠螺桿機構；及臂升降馬達，其向滾珠螺桿機構提供驅動力。臂升降馬達例如為伺服馬達。
圖12係基板處理裝置10之模式性正面圖。如圖12所示，在腔室110之內側配置有中心機械手CR，在腔室110之外側配置有收容部160。再者，如上文中參照圖5～圖9所進行之說明所述，在收容部160中收容有迂迴流路33U及吐出流路132，但要留意的是，在圖12中為了避免圖式複雜，用1根線來表示迂迴流路33U。
處理液供給部130之旋動軸138b隔著腔室110之側壁而與收容部160相向。藉此，由於可縮短腔室110內之吐出流路132，因此容易在腔室110內進行機器之配置及維護。
再者，上文中參照圖2～圖12所進行之說明中，迂迴流路33U配置在腔室110之外部，但本實施方式並不受此限定。又，上文中參照圖5～圖12所進行之說明中，收容部160配置在腔室110之外部，但本實施方式並不受此限定。亦可為：迂迴流路33U之一部分配置在腔室110之內部，並且收容部160配置在腔室110之內部。
接下來，參照圖13，對本實施方式之基板處理裝置10進行說明。圖13係基板處理裝置10之模式圖。再者，圖13之基板處理裝置10中，循環流路330之一部分配置在腔室110內，除了該點以外，與圖12中所示之基板處理裝置10相同，為了避免冗長描述，省略重複之記載。
如圖13所示，收容部160配置在腔室110內。詳細而言，收容部160配置在腔室110內不同於中心機械手CR側之一側。如上文中參照圖5～圖9所進行之說明所述，收容部160中收容有迂迴流路33U及吐出流路132，但要留意的是，與圖12同樣，圖13中為了避免圖式複雜，也係用1根線來表示迂迴流路33U。
處理液單元320配置在腔室110之外側。詳細而言，處理液單元320配置在相鄰之腔室110之間。
又，圖13中，配置有處理液之流路333及流路334之處理液單元320配置在腔室110之外側，但本實施方式並不受此限定。流路333及流路334亦可配置為自鉛直下方朝向鉛直上方貫通腔室110。
再者，上文中參照圖1～圖13所進行之說明中，處理液循環機構300進行循環之處理液為1種，但本實施方式並不受此限定。處理液循環機構300亦可使多種處理液進行循環。
接下來，參照圖14，對本實施方式之基板處理裝置10進行說明。圖14係供2種處理液進行循環之基板處理裝置10之模式圖。再者，圖14之基板處理裝置10中，進行循環之處理液為2種，除了該點以外，具有與上文中參照圖2所進行說明之基板處理裝置10相同之構成，為了避免冗長描述，省略重複之說明。
如圖14所示，2種處理液分別在處理液櫃310及處理液單元320內循環，並且視需要自處理液單元320被供給至基板處理單元100中。例如，2種處理液中之一種為IPA液，另一種為SMT液。
處理液櫃310對2種處理液進行調製。典型而言，處理液櫃310將處理液調製成為加熱至高於室溫之狀態。又，處理液櫃310對處理液內之雜質進行過濾。於本說明書中，有時將2種處理液中之一種處理液記為處理液A，將另一種處理液記為處理液B。
處理液櫃310具備：處理液槽311A、泵312A、加熱器313A、過濾器315A、處理液槽311B、泵312B、加熱器313B、及過濾器315B。處理液槽311A、泵312A、加熱器313A、及過濾器315A用於調製處理液A，處理液槽311B、泵312B、加熱器313B、及過濾器315B用於調製處理液B。
處理液槽311A、泵312A、加熱器313A、及過濾器315A與處理液槽311B、泵312B、加熱器313B、及過濾器315B可為相同構成，亦可為不同構成。例如，泵312A及泵312B之流量及/或加熱器313A及加熱器313B之設定溫度亦可根據處理液而改變。
處理液A依序流經如下流路：流路331A，其自處理液槽311A起至離開處理液櫃310為止；流路332A，其自處理液櫃310起至進入處理液單元320為止；流路333A，其自進入處理液單元320起至折返地點為止；流路334A，其自折返地點起至離開處理液單元320為止；流路335A，其自離開處理液單元320起至進入處理液櫃310為止；及流路336A，其自進入處理液櫃310起至處理液槽311A為止。
同樣地，處理液B依序流經如下流路：流路331B，其自處理液槽311B起至離開處理液櫃310為止；流路332B，其自處理液櫃310起至進入處理液單元320為止；流路333B，其自進入處理液單元320起至折返地點為止；流路334B，其自折返地點起至離開處理液單元320為止；流路335B，其自離開處理液單元320起至進入處理液櫃310為止；及流路336B，其自進入處理液櫃310起至處理液槽311B為止。
流路333A包含主流路333Aa、以及作為迂迴流路之去路333Ab及返路333Ac。又，基板處理單元100分別具有吐出流路132A、噴嘴134A、及閥136A。吐出流路132A與返路333Ac連接。閥136A配置於吐出流路132A。
藉由打開閥136A，而將自流路333A之主流路333Aa、返路333Ac通過吐出流路132A之處理液向基板W吐出。因此，視需要將處理液A自流路333A之主流路333Aa、返路333Ac通過吐出流路132A及噴嘴134而供給至基板W。
同樣地，流路333B包含主流路333Ba、以及作為迂迴流路之去路333Bb及返路333Bc。又，基板處理單元100分別具有吐出流路132B、噴嘴134B、及閥136B。吐出流路132B與返路333Bc連接。閥136B配置在吐出流路132B中。
藉由打開閥136B，從而使得自流路333B之主流路333Ba、返路333Bc通過吐出流路132B後之處理液向基板W吐出。因此，處理液B視需要自流路333B之主流路333Ba、返路333Bc通過吐出流路132B及噴嘴134而被供給至基板W上。
接下來，參照圖14及圖15，對本實施方式之基板處理裝置10中之基板處理單元100進行說明。圖15係基板處理單元100之模式圖。再者，圖15之基板處理單元100中，屏蔽構件140自第1處理液供給部130A及第2處理液供給部130B被供給2種處理液，除了該點以外，具有與上文中參照圖3所進行說明之基板處理單元100相同之構成，為了避免冗長描述，省略重複之說明。
基板處理單元100具有：第1處理液供給部130A、及第2處理液供給部130B。第1處理液供給部130A具有吐出流路132A、噴嘴134A、及閥136A。第2處理液供給部130B具有吐出流路132B、噴嘴134B、及閥136B。
本實施方式之基板處理裝置10中，杯體180具有第1杯體主體182A、第1杯體驅動部184A、第2杯體主體182B、及第2杯體驅動部184B。驅動第1杯體主體182A及第2杯體主體182B使該等根據被供給至基板W上之處理液而進行切換。
例如，於第1處理液供給部130A向基板W供給處理液之情形時，第1杯體主體182A上升至基板W之側方，對該處理液進行回收。另一方面，於第2處理液供給部130B向基板W供給處理液之情形時，第2杯體主體182B上升至基板W之側方，對該處理液進行回收。
接下來，參照圖14～圖16，對用於使2種處理液進行循環及供給之基板處理裝置10進行說明。圖16係基板處理裝置10中之基板處理單元100及處理液單元320之模式圖。
如圖16所示，處理液單元320包含：流路333A、流路334A、流路333B、及流路334B。流路333A及流路333B自鉛直下方朝向鉛直上方延伸。流路334A及流路334B自鉛直上方朝向鉛直下方延伸。處理液A、B通過流路333A、333B分別自鉛直下方流向鉛直上方，其後，通過流路334A、334B分別自鉛直上方流向鉛直下方。
流路333A具有主流路333Aa、及迂迴流路33AU。此處，主流路333Aa自鉛直下方朝向鉛直上方延伸。迂迴流路33AU自某一主流路333a之端部延伸。典型而言，迂迴流路33AU自主流路333a沿水平方向延伸。迂迴流路33AU自某一主流路333Aa延伸，並與另一主流路333Aa連接。迂迴流路33AU與吐出流路132A連接。如上文中參照圖14及圖15所進行之說明所述，處理液A經由吐出流路132A進入腔室110內，並自噴嘴134A向基板W吐出。
同樣地，流路333B具有複數條主流路333Ba、及複數條迂迴流路33BU。此處，主流路333Ba自鉛直下方朝向鉛直上方延伸。迂迴流路33BU自某一主流路333Ba之端部延伸。典型而言，迂迴流路33BU自主流路333Ba沿水平方向延伸。迂迴流路33BU自某一主流路333Ba延伸，並與另一主流路333Ba連接。迂迴流路33BU與吐出流路132B連接。如上文中參照圖14及圖15所進行之說明所述，處理液B經由吐出流路132B進入腔室110內，並自噴嘴134B向基板W吐出。
收容部160收容：迂迴流路33UA，其供處理液A使用；吐出流路132A，其供處理液A使用；閥136A，其配置在吐出流路132A中；迂迴流路33UB，其供處理液B使用；吐出流路132B，其供處理液B使用；及閥136B，其配置在吐出流路132B中。例如，亦可為：迂迴流路33UB、吐出流路132B及閥136B配置在收容部160之下方，迂迴流路33UA、吐出流路132A及閥136A配置在收容部160之上方。作為一例，還可為：在收容部160中，迂迴流路33UB及迂迴流路33UA重疊配置，吐出流路132B及吐出流路132A重疊配置，閥136B及閥136A重疊配置。
如上所述，本實施方式之基板處理裝置10適宜用於易燃性之處理液。例如，亦可為：自第1處理液供給部130A中所供給之處理液為IPA液，自第2處理液供給部130B供給之處理液為SMT液。再者，於基板W之處理中使用SMT液之情形時，所使用之SMT液較佳為與其它處理液分開進行回收。
接下來，參照圖14～圖17，對本實施方式之基板處理裝置10中之基板處理單元100進行說明。圖17係基板處理裝置10之模式圖。再者，要留意的是，在圖17之基板處理裝置10中為了避免圖式過於複雜，省略了處理液單元320內之流路。
如圖17所示，基板處理單元100具有排出部118。排出部118配置在驅動室112之側方。排出部118與腔室110之排出管連結。典型而言，排出部118之作用在於，當利用SMT液對基板W進行處理之後，使被杯體180所回收之SMT液排出。層疊之各基板處理單元100中，排出部118配置在驅動室112之側方，且層級不同之排出部118經由排出管119連接。藉此，可另外回收自複數個基板處理單元100所排出之特定溶液(例如，SMT液)。
接下來，參照圖14～圖18，對本實施方式之基板處理裝置10進行說明。圖18係基板處理裝置10中之基板處理單元100及處理液單元320之模式性立體圖。再者，圖18之基板處理單元100中，處理液單元320具有供2種處理液進行循環之雙重配管33DA及雙重配管33DB，除了該點以外，具有與圖8之基板處理裝置10相同之構成，為了避免冗長描述，省略重複之說明。
如圖18所示，基板處理單元100在鉛直方向上排列有3個。又，在基板處理單元100之側方，處理液單元320在鉛直方向上延伸。處理液單元320包含：雙重配管33DA，其在鉛直方向上延伸；及迂迴流路33AU，其與雙重配管33DA連結且被收容在收容部160內(圖16)。雙重配管33DA包含圖14及圖16中所示之流路333A及流路334A。
進而，處理液單元320包含：雙重配管33DB，其在鉛直方向上延伸；及迂迴流路33AB，其與雙重配管33DB連結且被收容在收容部160內(圖16)。雙重配管33DB包含圖14及圖16中所示之流路333B及流路334B。
此處，也是對於每個基板處理單元100分別設置有1個收容部160。詳細而言，收容部160配置在基板處理單元100之框架114之側方。
接下來，參照圖14～圖19，對本實施方式之基板處理裝置10進行說明。圖19係基板處理裝置10之模式圖。再者，圖19之基板處理裝置10中，在處理液單元320中流有2種處理液，除了該點以外，具有與上文中參照圖9所進行說明之基板處理裝置10相同之構成，為了避免冗長描述，省略重複之說明。
如圖19所示，收容部160中收容有流路333A之去路333Ab及返路333Ac，並且收容有吐出流路132A之一部分。進而，收容部160中收容有流路333B之去路333Bb及返路333Bc，並且收容有吐出流路132B之一部分。
如圖19所示，處理液A之流路333A及流路334A在收容部160之外部作為雙重配管33DA之一部分而一體形成，而在收容部160之內部，流路333A與流路334A分離。流路333A之朝向可借助於位於流路333A之端部之連接器變更為水平方向，與去路333Ab及返路333Ac連接。同樣地，處理液B之流路333B及流路334B在收容部160之外部作為雙重配管33DB之一部分而一體形成，而在收容部160之內部，流路333B與流路334B分離。流路333B之朝向可借助於位於流路333B之端部之連接器變更為水平方向，與去路333Bb及返路333Bc連接。
以上，參照圖式對本發明之實施方式進行了說明。但，本發明並不受上述實施方式所限定，可於不脫離其主旨之範圍內以各種態樣實施。又，藉由適當組合上述實施方式中所揭示之複數個構成要素，可形成各種發明。例如，亦可自實施方式中所示之所有構成要素中刪除若干構成要素。進而，亦可適當組合不同實施方式中之構成要素。為了容易理解，圖式以各構成要素為主體模式性地進行了表示，為了方便製圖，所圖示出之各構成要素之厚度、長度、個數、間隔等有時與實際情況不同。又，上述實施方式中所示之各構成要素之材質、形狀、尺寸等為一例，並無特別限定，可於實質上不脫離本發明效果之範圍內進行各種變更。 [產業上之可利用性]
本發明適宜用於基板處理裝置。
10:基板處理裝置 20:控制裝置 22:控制部 24:記憶部 33AU:迂迴流路 33BU:迂迴流路 33D:雙重配管 33DA:雙重配管 33DB:雙重配管 33T:外管 33U:迂迴流路 100:基板處理單元 110:腔室 112:驅動室 114:框架 118:排出部 119:排出管 120:基板保持部 121:旋轉底座 122:夾盤構件 123:軸 124:電動馬達 125:外殼 126:馬達驅動部 130:處理液供給部 130A:第1處理液供給部 130B:第2處理液供給部 132:吐出流路 132A:吐出流路 132B:吐出流路 134:噴嘴 134A:噴嘴 134B:噴嘴 136:閥 136a:馬達針閥 136A:閥 136b:回吸一體型吐出閥 136B:閥 136c:三向閥 137:流量計 138:噴嘴移動部 138a:臂 138b:旋動軸 138c:移動機構 140:屏蔽構件 142:屏蔽板 142L:下表面 144:支軸 146:升降單元 160:收容部 160a:蓋 160b:箱 162:隔熱材料 164:固定構件 170:惰性氣體供給部 172:流路 174:閥 180:杯體 182:杯體主體 182A:第1杯體主體 182B:第2杯體主體 184:杯體驅動部 184A:第1杯體驅動部 184B:第2杯體驅動部 210:流體櫃 220:流體盒 300:處理液循環機構 310:理液櫃 311:處理液槽 311A:處理液槽 311B:處理液槽 312:泵 312A:泵 312B:泵 313:加熱器 313A:加熱器 313B:加熱器 314:流量計 315:過濾器 315A:過濾器 315B:過濾器 316:閥 320:處理液單元 322:連接支持部 330:循環流路 331:流路 331A:流路 331B:流路 332:流路 332A:流路 332B:流路 333:流路 333a:主流路 333A:流路 333Aa:主流路 333Ab:去路 333Ac:返路 333b:去路 333B:流路 333Ba:主流路 333Bb:去路 333Bc:返路 333c:返路 334:流路 334A:流路 334B:流路 335:流路 335A:流路 335B:流路 336:流路 336A:流路 336B:流路 Ax:旋轉軸 CR:中心機械手 IR:移載傳送機械手 LP:負載埠 TW:塔 W:基板 Wa:正面 Wb:背面
圖1係本實施方式之基板處理裝置之模式性俯視圖。 圖2係本實施方式之基板處理裝置之模式圖。 圖3係本實施方式之基板處理裝置中之基板處理單元之模式圖。 圖4係本實施方式之基板處理裝置之方塊圖。 圖5係本實施方式之基板處理裝置之模式性側視圖。 圖6係本實施方式之基板處理裝置之模式性局部放大圖。 圖7係本實施方式之基板處理裝置之模式性局部放大圖。 圖8係本實施方式之基板處理裝置之模式性立體圖。 圖9係本實施方式之基板處理裝置中之收容部附近之模式性立體圖。 圖10係本實施方式之基板處理裝置中之連接支持部附近之模式性立體圖。 圖11係本實施方式之基板處理裝置中之基板處理單元之模式圖。 圖12係本實施方式之基板處理裝置之模式性俯視圖。 圖13係本實施方式之基板處理裝置之模式性俯視圖。 圖14係本實施方式之基板處理裝置之模式圖。 圖15係本實施方式之基板處理裝置中之基板處理單元之模式圖。 圖16係本實施方式之基板處理裝置之模式性局部放大圖。 圖17係本實施方式之基板處理裝置之模式性側視圖。 圖18係本實施方式之基板處理裝置之模式性立體圖。 圖19係本實施方式之基板處理裝置中之收容部附近之模式性局部放大立體圖。
10:基板處理裝置
33D:雙重配管
33T:外管
33U:迂迴流路
100:基板處理單元
110:腔室
120:基板保持部
132:吐出流路
134:噴嘴
136:閥
160:收容部
162:隔熱材料
164:固定構件
170:惰性氣體供給部
172:流路
174:閥
180:杯體
330:循環流路
333:流路
333a:主流路
333b:去路
333c:返路
334:流路
W:基板

Claims (12)

  1. 一種基板處理裝置，其具備：基板處理單元，其對基板進行處理；循環流路，其配置有對被供給至上述基板處理單元之處理液進行加熱之加熱器，且供上述處理液循環；吐出流路，其自上述循環流路分支，且使上述處理液流向上述基板處理單元；及閥，其配置於上述吐出流路；且上述循環流路之一部分以與上述吐出流路之一部分平行地延伸且沿著上述吐出流路之一部分而接近或接觸上述吐出流路之一部分的方式配置。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其進而具備隔熱材料，該隔熱材料覆蓋上述循環流路之一部分與上述吐出流路之一部分。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述閥包含馬達針閥。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其進而包含流量計，該流量計配置於上述吐出流路。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述閥包含三向閥。
  6. 如請求項1之基板處理裝置，其進而具備收容部，該收容部收容上述循環流路之一部分、上述吐出流路之一部分、及上述閥。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中上述收容部具有：箱，其上方開口；及蓋，其覆蓋上述箱之上方。
  8. 如請求項6之基板處理裝置，其中上述基板處理單元包含：腔室，其用於對上述基板進行處理；基板保持部，其配置在上述腔室內；杯體，其配置在上述腔室內；驅動室，其配置有驅動上述基板保持部及上述杯體之驅動部；及框架，其位於上述腔室與上述驅動室之間；且上述收容部配置在上述框架之側方。
  9. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述循環流路具有：主流路；及迂迴流路，其自上述主流路分支，與上述吐出流路連接；且上述迂迴流路之一部分沿著上述吐出流路之一部分配置。
  10. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述吐出流路之一部分係自上述循環流路之分支點開始且包含上述閥在內之特定範圍之流路。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中上述循環流路之一部分係迂迴流 路，該迂迴流路設於上述循環流路並朝向上述基板處理單元於水平方向延伸。
  12. 如請求項11之基板處理裝置，其中上述吐出流路自上述迂迴流路之前端分支。
TW110126897A 2020-07-31 2021-07-22 基板處理裝置 TWI797687B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020130231A JP2022026661A (ja) 2020-07-31 2020-07-31 基板処理装置
JP2020-130231 2020-07-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202209466A TW202209466A (zh) 2022-03-01
TWI797687B true TWI797687B (zh) 2023-04-01

Family

ID=80233256

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110126897A TWI797687B (zh) 2020-07-31 2021-07-22 基板處理裝置
TW112106478A TWI824941B (zh) 2020-07-31 2021-07-22 基板處理裝置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112106478A TWI824941B (zh) 2020-07-31 2021-07-22 基板處理裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2022026661A (zh)
KR (1) KR102563501B1 (zh)
CN (1) CN114068351A (zh)
TW (2) TWI797687B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201841692A (zh) * 2017-02-24 2018-12-01 日商斯庫林集團股份有限公司 處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法
CN109411389A (zh) * 2017-08-16 2019-03-01 细美事有限公司 清洁液供应单元、基板处理装置及基板处理方法
US10290511B2 (en) * 2012-08-08 2019-05-14 SCREEN Holdings Co., Ltd Substrate treatment apparatus and substrate treatment method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6033048B2 (ja) * 2012-11-15 2016-11-30 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
KR20150081934A (ko) * 2014-01-07 2015-07-15 김태화 반도체 및 디스플레이 제조 설비용 가스 인터페이스 박스
US10332761B2 (en) * 2015-02-18 2019-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP2020035920A (ja) 2018-08-30 2020-03-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10290511B2 (en) * 2012-08-08 2019-05-14 SCREEN Holdings Co., Ltd Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
TW201841692A (zh) * 2017-02-24 2018-12-01 日商斯庫林集團股份有限公司 處理液供給裝置、基板處理裝置以及處理液供給方法
CN109411389A (zh) * 2017-08-16 2019-03-01 细美事有限公司 清洁液供应单元、基板处理装置及基板处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022026661A (ja) 2022-02-10
KR102563501B1 (ko) 2023-08-04
TWI824941B (zh) 2023-12-01
CN114068351A (zh) 2022-02-18
TW202331832A (zh) 2023-08-01
KR20220015930A (ko) 2022-02-08
TW202209466A (zh) 2022-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7404407B2 (en) Substrate processing apparatus
JP5645796B2 (ja) 液処理装置及び液処理方法
KR101970844B1 (ko) 액 처리 장치
JP2012195444A (ja) 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
US10861718B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20110087201A (ko) 현상 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 현상 처리 시스템
KR20100055688A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치에서의 정비 방법
JP2010147212A (ja) 基板処理装置
JP2013206992A (ja) 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
TWI423854B (zh) Liquid treatment device
KR20170026821A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US10814251B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP4931605B2 (ja) 半導体基板上へ金属を無電解堆積するための装置
TWI797687B (zh) 基板處理裝置
KR102357066B1 (ko) 기판 처리 장치
JPH11145099A (ja) 基板処理装置
JP3559149B2 (ja) 基板処理装置
KR101053992B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102121241B1 (ko) 기판 처리 장치
JP6593920B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2003178944A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
JP7090468B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2013026568A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及びその基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記憶媒体
KR20170070888A (ko) 기판 처리 장치
JPH08141526A (ja) 基板処理装置およびそれに用いられる処理槽