JP2018157042A - 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 - Google Patents

処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法 Download PDF

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Abstract

【課題】処理液タンク内の処理液を複数の循環配管が循環させる構成において、循環配管間での処理液の温度差を低減することができる処理液処理液供給装置、基板処理装置および処理液供給方法を提供する。【解決手段】複数の処理タワー2のそれぞれに対応して設けられた複数の循環配管22が、処理液タンク21内の処理液をそれぞれ循環させる。各循環配管には、対応する処理タワーに処理液を供給する供給配管23Aが分岐接続されている。各循環配管には、当該循環配管内を流れる処理液の流量を検出する循環流量計27と、当該循環配管内の処理液の流量を調節する循環流量調節バルブ28とが介装されている。制御装置は、各循環配管に介装された循環流量計によって検出された処理液の検出流量に基づいて、対応する循環流量調節バルブの開度を調節する。【選択図】図4

Description

この発明は、基板を処理する処理ユニットに処理液を供給する処理液供給装置、当該処理液供給装置を備えた基板処理装置、ならびに、当該処理液供給装置および当該基板処理装置を用いた処理液供給方法に関する。処理対象になる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。
下記特許文献1に記載の液処理装置には、液供給機構から供給される処理液を用いて基板を処理する処理ユニットが複数設けられている。液供給機構は、温度調節された処理液を供給する液供給源と、液供給源から供給された温度調節された処理液が循環する循環路とを有している。
特開2011−35135号公報
特許文献1の液供給装置では、循環路内を流れる処理液は、循環路を介して外部に放熱する。そのため、循環路内を流れる処理液の温度は、液供給源から処理ユニットに向かう間に低下する。放熱による処理液の温度降下の度合は、循環路内の処理液の流量に依存する。
ここで、処理ユニットが複数設けられた液供給装置では、循環路が複数設けられることがある。このような液処理装置では、処理ユニットが複数積層されたひとまとまりを処理部(処理タワー)という。循環路は、各処理部に対応して設けられる。このような場合、各循環路に対して液供給源を1つずつ設けるのではなく、共通の液供給源に複数の循環路を接続することが好ましい。
循環路の長さや循環路に介装されている部品によって、循環路内を流れる処理液が受ける抵抗が異なる。そのため、同じ圧力で循環路に処理液を送り出したとしても、各循環路における処理液の流量は、必ずしも循環路間で一定にならない。これでは、各循環路における処理液の温度低下の度合も一定にならず、処理ユニットに供給される処理液の温度が循環路によって異なるおそれがある。そのため、どの処理部で基板が処理されたかによって、基板の状態(処理の度合)が異なってしまうおそれがある。
そこで、この発明の1つの目的は、処理液タンク内の処理液が複数の循環配管を循環する構成において、循環配管間での処理液の温度差を低減することができる処理液供給装置、基板処理装置および処理液供給方法を提供することである。
この発明は、複数の処理部に処理液を供給する処理液供給装置であって、処理液を貯留する処理液タンクと、前記複数の処理部のそれぞれに対応して設けられた複数の循環配管であって、前記処理液タンク内の処理液をそれぞれ循環させる複数の循環配管と、各前記循環配管に分岐接続され、対応する前記処理部に処理液を供給する供給配管と、各前記循環配管に介装され、当該循環配管内を流れる処理液の流量を検出する流量検出ユニットと、各前記循環配管に介装され、当該循環配管内の処理液の流量を調節する流量調節バルブと、各前記循環配管に介装された前記流量検出ユニットによって検出された処理液の検出流量に基づいて、対応する前記流量調節バルブの開度を調節する開度調節ユニットとを含む、処理液供給装置を提供する。
この構成によれば、処理液タンク内の処理液は、複数の循環配管を循環する。複数の循環配管は、共通の処理液タンクに接続されている。各循環配管を循環する処理液は、各循環配管に分岐接続された供給配管によって対応する処理部に供給される。
開度調節ユニットは、各循環配管に介装された流量検出ユニットによって検出された処理液の検出流量に基づいて、対応する流量調節バルブの開度を調節する。その際、検出流量の差が低減されるように各流量調節バルブの開度を調節することによって、循環配管間での処理液の流量の差を低減することが可能である。この場合、循環配管間での処理液の温度の差が低減される。そのため、循環配管間での温度差が低減された処理液が、各循環配管から供給配管を介して処理部に供給される。これにより、処理液の処理部間での温度差を低減することができる。
この発明の一実施形態では、前記流量検出ユニットが、対応する前記循環配管における前記供給配管の分岐位置よりも上流側で当該循環配管に介装されている。
ここで、循環配管内の処理液の流量は、分岐位置よりも下流側では、分岐位置よりも上流側と比較して、循環配管から供給配管への処理液が供給の有無や、循環配管から供給配管への処理液の供給量によって変動しやすい。この構成によれば、流量検出ユニットは、循環配管における供給配管の分岐位置よりも上流側で循環配管に介装されている。そのため、供給配管への処理液の供給状態の変化が循環配管内の処理液の流量の検出に与える影響を低減することができる。つまり、流量検出ユニットは、循環配管内の処理液の流量を安定して検出することができる。したがって、循環配管間での検出流量の差を一層低減することができる。
この発明の一実施形態では、前記流量調節バルブが、対応する前記循環配管における前記供給配管の分岐位置よりも下流側で当該循環配管に介装されている。
ここで、循環配管において、流量調節バルブが介装されている部分には、上流側の処理液が流れ込んでくる。そのため、流量調節バルブは、その開度の調節によって、流量調節バルブよりも下流側の循環配管内の圧力よりも、流量調節バルブの上流側よりも循環配管内の圧力を安定して変動させることができる。この構成によれば、流量調節バルブが、対応する循環配管における供給配管の分岐位置よりも下流側で循環配管に介装されている。そのため、循環配管から供給配管に流れる処理液の流量を安定させることができる。
この発明の一実施形態では、前記処理部が、基板を処理する処理ユニットを複数有している。そして、前記供給配管が、対応する前記循環配管から分岐され、各前記処理ユニットに処理液を供給する複数の分岐配管を有している。
この構成によれば、供給配管が、対応する循環配管から分岐され、対応する処理部の各処理ユニットに処理液を供給する複数の分岐配管を有している。そのため、各処理ユニットに循環配管を1つずつ設ける構成と比較して、循環配管の数を低減することができる。
この発明の一実施形態では、前記処理液供給装置と、基板を処理する複数の前記処理部とを含む、基板処理装置を提供する。この構成によれば、前述と同様の効果を奏することができる。
この発明の一実施形態では、複数の処理部に処理液を供給する処理液供給方法であって、前記複数の処理部のそれぞれに対応して設けられた複数の循環配管によって、処理液を貯留する処理液タンク内の処理液をそれぞれ循環させる循環工程と、前記循環工程において各前記循環配管を流れる処理液の流量を検出する流量検出工程と、前記流量検出工程において検出された各前記循環配管内の処理液の検出流量に基づいて、前記循環配管間における処理液の流量の差が低減されるように、各前記循環配管に介装された流量調節バルブの開度を調節する開度調節工程とを含む、処理液供給方法を提供する。
この方法によれば、複数の循環配管は、共通の処理液タンクに接続されている。循環工程では、処理液タンク内の処理液は、複数の循環配管を循環する。
開度調節工程では、各循環配管に介装された流量検出工程で検出された処理液の検出流量に基づいて、対応する流量調節バルブの開度を調節する。その際、検出流量の差が低減されるように、各流量調節バルブの開度を調節することによって、循環配管間での処理液の流量の差を低減することができる。これにより、循環配管間での処理液の温度の差が低減される。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための模式的な平面図である。 図2は、前記基板処理装置の模式的な縦断面図である。 図3は、前記基板処理装置に備えられた処理液供給装置の構成を示す模式図である。 図4は、循環配管および対応する処理部の周辺の構成を示す模式図である。 図5は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図6は、前記基板処理装置による処理液供給の一例を説明するための流れ図である。 図7は、前記処理液供給のフィードバック制御(図6のS4)の詳細を説明するための流れ図である。 図8Aは、検出圧力に基づいて流量調節バルブの開度を調節した場合の循環配管内の処理液の流量の変動を示す図である。 図8Bは、検出流量に基づいて流量調節バルブの開度を調節した場合の循環配管内の圧力の変動を示す図である。
以下では、この発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置1の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。図2は、基板処理装置1の模式的な縦断面図である。
基板処理装置1は、シリコンウエハなどの基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Wは、円板状の基板である。基板処理装置1は、薬液やリンス液などの処理液で基板Wを処理する複数(本実施形態では4つ)の処理タワー2A〜2D(処理部)を含む。複数の処理タワー2A〜2Dをまとめて処理タワー2という。基板処理装置1は、複数の処理タワー2A〜2Dに処理液を供給する処理液供給装置3と、各処理タワー2A〜2Dに対応して設けられ、処理タワー2A〜2Dに処理液を供給するための配管を収容する流体ユニット4A〜4Dとをさらに含む。
各処理タワー2A〜2Dは、上下に積層された複数(たとえば3つ)の処理ユニット20を含む(図2参照)。処理ユニット20は、基板Wを1枚ずつ処理する枚葉型の処理ユニットである。複数の処理ユニット20のそれぞれは、たとえば、同様の構成を有している。
基板処理装置1は、処理ユニット20で処理される複数枚の基板Wを収容するキャリヤCが載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理ユニット20との間で基板Wを搬送する搬送ロボットIRおよびCRと、基板処理装置1を制御する制御装置7とをさらに含む。
基板処理装置1は、水平方向に延びる搬送路5をさらに含む。搬送路5は、搬送ロボットIRから搬送ロボットCRに向かって直線状に延びている。搬送ロボットIRは、キャリヤCと搬送ロボットCRとの間で基板Wを搬送する。搬送ロボットCRは、搬送ロボットIRと処理ユニット20との間で基板Wを搬送する。
複数の処理タワー2は、搬送路5を挟んで対称に配置されている。複数の処理タワー2は、搬送路5の両側のそれぞれにおいて、搬送路5が延びる方向(延長方向X)に沿って並んでいる。本実施形態では、処理タワー2は、搬送路5の両側に2つずつ配置されている。
複数の処理タワー2A〜2Dのうち、搬送ロボットIRに近い側の2つの処理タワー2のそれぞれを、第1処理タワー2Aおよび第2処理タワー2Bという。第1処理タワー2Aおよび第2処理タワー2Bは、搬送路5を挟んで対向している。複数の処理タワー2A〜2Dのうち、搬送ロボットIRから遠い側の2つの処理タワー2のそれぞれを、第3処理タワー2Cおよび第4処理タワー2Dという。第3処理タワー2Cおよび第4処理タワー2Dは、搬送路5を挟んで対向している。第1処理タワー2Aおよび第3処理タワー2Cは、延長方向Xに並んで配置されている。第2処理タワー2Bおよび第4処理タワー2Dは、延長方向Xに並んで配置されている。各処理タワー2A〜2Dには、対応する流体ユニット4A〜4Dが延長方向Xから隣接している。
処理液供給装置3は、薬液などの処理液を貯留する処理液タンク21を含む。基板処理装置1は、延長方向Xにおいて搬送ロボットIRとは反対側に配置され、処理液タンク21を収容するキャビネット6を含む。処理液タンク21は、搬送路5を挟んで両側に配置された処理タワー2C,2Dのうちの一方側の処理タワー2Cよりも、搬送路5を挟んで両側に配置された処理タワー2C,2Dのうちの他方側の処理タワー2Dに近い位置でキャビネット6内に配置されている。
図3は、基板処理装置1に備えられた処理液供給装置3の構成を示す模式図である。
処理液供給装置3は、処理液タンク21内の処理液をそれぞれ循環させる複数の循環配管22A〜22Dと、各循環配管22A〜22Dに分岐接続され、対応する処理タワー2A〜2Dに処理液を供給する供給配管23A〜23Dと、処理液タンク21と複数の循環配管22A〜22Dの上流端とを連結する共通配管24とをさらに含む。複数の循環配管22A〜22Dは、共通配管24の下流端から分岐されている。循環配管22A〜22Dを総称して循環配管22という。供給配管23A〜23Dを総称して供給配管23という。
循環配管22A〜22Dは、複数の処理タワー2A〜2Dのそれぞれに対応して設けられている。循環配管22A〜22Dにおいて供給配管23A〜23Dが分岐接続されている部分を分岐位置26A〜26Dという。分岐位置26A〜26Dを総称して分岐位置26という。
処理液供給装置3は、各循環配管22A〜22Dに介装され、当該循環配管22A〜22D内を流れる処理液の流量を検出する循環流量計27A〜27Dと、各循環配管22A〜22Dに介装され、当該循環配管22A〜22D内の処理液の流量を調節する循環流量調節バルブ28A〜28Dとを含む。
循環流量計27A〜27Dを総称して循環流量計27という。循環流量計27A〜27Dは、流量検出ユニットの一例である。循環流量調節バルブ28A〜28Dを総称して循環流量調節バルブ28という。循環流量調節バルブ28A〜28Dは、たとえば、モーターニードルバルブであるが、これに限られず、リリーフバルブなどのバルブであってもよい。循環流量調節バルブ28A〜28Dは、流量調節バルブの一例である。
各循環流量計27A〜27Dは、対応する循環配管22A〜22Dにおける供給配管23A〜23Dの分岐位置26A〜26Dよりも上流側で循環配管22A〜22Dに介装されている。各循環流量調節バルブ28A〜28Dは、対応する分岐位置26A〜26Dよりも下流側で、対応する循環配管22A〜22Dに介装されている。そのため、各循環流量調節バルブ28A〜28Dは、対応する循環配管22A〜22Dにおいて循環流量計27A〜27Dよりも下流側に介装されている。
共通配管24には、ポンプ30、フィルタ31および加熱ユニット32が、上流側からこの順番で介装されている。ポンプ30は、共通配管24内の処理液を下流側に送り出す。フィルタ31は、共通配管24を流れる処理液をろ過する。加熱ユニット32は、共通配管24内の処理液を加熱するヒータなどである。
ポンプ30が共通配管24内の処理液を下流側に送り出すことによって、各循環配管22A〜22Dが処理液タンク21内の処理液を循環させる。その際、処理液タンク21内の処理液は、共通配管24を介して各循環配管22A〜22Dに供給される。そのため、処理液タンク21内にあった処理液は、共通配管24に介装された加熱ユニット32によって加熱される。そのため、循環配管22A〜22Dには、加熱された処理液が供給される。加熱ユニット32は、処理液供給源から複数の循環配管22A〜22Dに供給される処理液の温度を調節する温度調節ユニットとして機能する。
各処理タワー2A〜2Dに関連する処理液供給装置3の部材は、全ての処理タワー2A〜2Dにおいてほぼ同様の構成を有している。そのため、以下では、処理液供給装置3において、第1処理タワー2Aに対応する部材を中心に説明する。図4は、第1処理タワー2Aおよび対応する循環配管22Aの周辺の構成を示す模式図である。
図4を参照して、第1処理タワー2Aの各処理ユニット20は、一枚の基板Wを水平な姿勢で保持しながら基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック40と、スピンチャック40を取り囲むカップ41と、基板Wに処理液を供給する第1ノズル42および第2ノズル43と、スピンチャック40、カップ41、第1ノズル42および第2ノズル43を収容する処理チャンバ44とを含む。
処理チャンバ44には、処理チャンバ44内に基板Wを搬入したり、処理チャンバ44内から基板Wを搬出したりするための出入口(図示せず)が形成されている。処理チャンバ44には、この出入口を開閉するシャッタユニット(図示せず)が備えられている。
スピンチャック40は、チャックピン45と、スピンベース46と、スピンベース46の下面中央に結合された回転軸47と、回転軸47に回転力を与える電動モータ48とを含む。回転軸47は、回転軸線A1に沿って鉛直方向に延びている。回転軸47の上端に、スピンベース46が結合されている。
スピンベース46は、水平方向に沿う円板形状を有している。スピンベース46の上面の周縁部に、複数のチャックピン45が周方向に間隔を空けて配置されている。スピンベース46およびチャックピン45は、基板Wを水平に保持する基板保持ユニットに含まれる。電動モータ48によって回転軸47が回転されることにより、基板Wが回転軸線A1のまわりに回転される。電動モータ48は、基板Wを回転軸線A1のまわりに回転させる基板回転ユニットに含まれる。
第1ノズル42および第2ノズル43のそれぞれは、この実施形態では、基板Wの上面の回転中心に向けて処理液を吐出するように配置された固定ノズルである。第1ノズル42には、処理液タンク21に貯留された薬液などの処理液が循環配管22Aおよび供給配管23Aを介して供給される。第2ノズル43には、処理液タンク21とは異なる別のタンクなどの供給源50から配管51を介してリンス液などの処理液が供給される。配管51には、第2ノズル43への処理液の供給の有無を切り替えるバルブ52が介装されている。
薬液とは、たとえばフッ酸(フッ化水素水:HF)である。薬液とは、フッ酸に限られず、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、バッファードフッ酸(BHF)、希フッ酸(DHF)、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸(たとえば、クエン酸、蓚酸等)、有機アルカリ(たとえば、TMAH:テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど)、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも1つを含む液であってもよい。これらを混合した薬液の例としては、SPM(硫酸過酸化水素水混合液)、SC1(アンモニア過酸化水素水混合液)、SC2(塩酸過酸化水素水混合液)などが挙げられる。
リンス液とは、たとえば、脱イオン水(Deionized Water:DIW)である。リンス液とは、DIWに限られず、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、希釈濃度(たとえば、10ppm〜100ppm程度)の塩酸水、還元水(水素水)であってもよい。リンス液は、水を含有している。
処理液としては、薬液およびリンス液の他に、水よりも表面張力の低い低表面張力液体などが挙げられる。低表面張力液体は、リンス液が基板上に供給された後、基板上のリンス液を置換するためのものである。基板W上のリンス液を低表面張力液体で置換した後、基板W上から低表面張力液体を除去することで、基板Wの上面を良好に乾燥させることができる。低表面張力液体を用いて基板Wの上面を乾燥させる場合、低表面張力液体を用いずに基板Wの上面からリンス液を除去することで基板Wを乾燥させる場合と比較して、基板W上に形成されたパターンに作用する表面張力を低減することができる。
低表面張力液体としては、基板Wの上面および基板Wに形成されたパターンと化学反応しない(反応性が乏しい)、IPA以外の有機溶剤を用いることができる。より具体的には、IPA、HFE(ハイドロフルオロエーテル)、メタノール、エタノール、アセトンおよびTrans-1,2ジクロロエチレンのうちの少なくとも1つを含む液を低表面張力液体として用いることができる。また、低表面張力液体は、単体成分のみからなる必要はなく、他の成分と混合した液体であってもよい。例えば、IPA液と純水との混合液であってもよいし、IPA液とHFE液との混合液であってもよい。
供給配管23Aは、循環配管22Aから分岐され、処理タワー2Aの各処理ユニット20に処理液を供給する複数の分岐配管33〜35を有している。各分岐配管33〜35の上流端は、対応する分岐位置33a〜35aで循環配管22Aに接続されている。各分岐配管33〜35の下流端は、対応する処理ユニット20の第1ノズル42に接続されている。
循環配管22Aにおける供給配管23Aの分岐位置26Aは、各分岐配管33〜35の分岐位置33a〜35aを含んでいる。そのため、循環流量計27Aは、循環配管22Aにおいて最も上流側の分岐配管33の分岐位置33aよりも上流側で循環配管22Aに介装されている。循環流量調節バルブ28Aは、循環配管22Aにおいて最も下流側の分岐配管35の分岐位置35aよりも下流側で循環配管22Aに介装されている。循環流量計27Aおよび循環流量調節バルブ28Aは、キャビネット6内に配置されている。
複数の分岐配管33〜35のそれぞれには、供給流量計36、供給流量調節バルブ37および供給バルブ38が、上流側からこの順番で介装されている。各供給流量計36は、供給配管23Aの対応する分岐配管33〜35内を流れる処理液の流量を検出する。各供給流量調節バルブ37は、供給配管23Aの対応する分岐配管33〜35内の処理液の流量を調節する。各供給バルブ38は、供給配管23Aの対応する分岐配管33〜35への処理液の供給の有無を切り替える。供給流量調節バルブ37は、たとえば、モーターニードルバルブである。供給バルブ38は、たとえば、リリーフバルブである。
循環配管22Aは、循環配管22Aの上流端を有しキャビネット6内に収容された上流側第1配管60と、循環配管22Aの下流端を有しキャビネット6内に収容された下流側第1配管61と、流体ユニット4Aに収容された第2配管62とを含む。循環配管22Aは、上流側第1配管60と第2配管62とに接続され、キャビネット6と流体ユニット4Aとの間を亘る上流側第3配管63と、下流側第1配管61と第2配管62とに接続され、キャビネット6と流体ユニット4Aとの間を亘る下流側第3配管64とをさらに含む。上流側第3配管63は、上流側中継配管ともいう。下流側第3配管64は、下流側中継配管ともいう。上流側第1配管60には、循環流量計27Aが介在されており、第2配管62には、循環流量調節バルブ28Aが介在されている。
図5は、基板処理装置1の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。制御装置7は、マイクロコンピュータを備えており、所定のプログラムに従って、基板処理装置1に備えられた制御対象を制御する。より具体的には、制御装置7は、プロセッサ(CPU)7Aと、制御プログラムが格納されたメモリ7Bとを含み、プロセッサ7Aがプログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。とくに、制御装置7は、搬送ロボットIR,CR、電動モータ48、流量計27A〜27D,36およびバルブ類28A〜28D,37,38,52などの動作を制御する。
図6は、処理液供給装置3による処理液供給の一例を説明するための流れ図であり、主として、制御装置7がプログラムを実行することによって実現される処理が示されている。
処理液供給では、まず、制御装置7によって各循環配管22内を流れる処理液の流量の目標値(目標流量Q)が設定される(目標流量設定工程:ステップS1)。このとき、全ての循環配管22に対して目標流量Qが設定される。目標流量Qは、全ての循環配管22で共通である。このように、制御装置7は、目標流量設定ユニットとして機能する。
そして、共通配管24に介装されたポンプ30が起動され、各循環配管22による処理液の循環が開始される(ステップS2)。これにより、複数の循環配管22のそれぞれが処理液タンク21内の処理液を循環させる循環工程が実行される。
そして、各循環流量計27によって、対応する循環配管22の流量の検出が開始される(ステップS3)。循環流量計27によって検出された処理液の流量のことを検出流量という。これにより、各循環配管22を流れる処理液の流量を検出する流量検出工程が実行される。流量検出工程は、循環工程の開始後に実行される。そして、検出流量に基づいて、フィードバック制御が行われる(ステップS4)。フィードバック制御は、循環配管22によって処理液タンク21内の処理液が循環されている間、実行され続ける。
図7は、処理液供給のフィードバック制御(図6のS4)の詳細を説明するための流れ図である。
フィードバック制御では、まず、制御装置7によって、各循環配管22における検出流量が目標流量Q(設定値)と一致しているか否かが判断される(ステップT1)。検出流量が目標流量Qと異なる場合(ステップT1でNo)、各循環流量調節バルブ28の開度が調節される(開度調節工程:ステップT2)。開度調節工程では、各循環配管22において検出された検出流量に基づいて、検出流量が目標流量Qに近づくように、循環流量調節バルブ28の開度が調節される。これにより、循環配管間における処理液の流量の差が低減される。このように、制御装置7は、検出流量に基づいて、対応する循環流量調節バルブ28の開度を調節する開度調節ユニットとして機能する。検出流量が目標流量Qと一致する場合(ステップT1でYes)、開度調節工程が実行されない。そして、制御装置7によって、各循環配管22における検出流量が目標流量Q(設定値)と一致しているか否かが再び判断される(ステップT1)。
処理液供給装置3による処理液供給が実行される一方で、基板処理装置1による基板処理が実行される。基板処理では、未処理の基板Wが、搬送ロボットIR,CRによってキャリヤCから処理ユニット20に搬入され、スピンチャック40に渡される。この後、基板Wは、搬送ロボットCRによって搬出されるまでの間、スピンベース46の上面から上方に間隔を空けて水平に保持される(基板保持工程)。電動モータ48は、スピンベース46を回転させる。これにより、チャックピン45に水平に保持された基板Wが回転する(基板回転工程)。
次に、搬送ロボットCRが処理ユニット20外に退避した後、薬液処理が実行される。具体的には、供給バルブ38が開かれることによって、処理液供給装置3から第1ノズル42にたとえば薬液が供給される(供給工程)。第1ノズル42からの薬液の供給よりも前に、フィードバック制御(図6のステップS4)が開始される。
そして、回転状態の基板Wの上面に向けて、第1ノズル42から薬液が吐出(供給)される。供給された薬液は遠心力によって基板Wの上面の全体に行き渡る。これにより、基板Wの上面が薬液によって処理される。
一定時間の薬液処理の後、基板W上の薬液をDIWに置換することにより、基板W上から薬液を排除するためのDIWリンス処理が実行される。具体的には、供給バルブ38が閉じられ、バルブ52が開かれる。これにより、第2ノズル43から基板Wの上面に向けてたとえばリンス液が供給(吐出)される。基板W上に供給されたDIWは遠心力によって基板Wの上面の全体に行き渡る。このDIWによって基板W上の薬液が洗い流される。
一定時間のリンス処理の後、乾燥処理が行われる。具体的には、電動モータ48が、薬液処理およびリンス液処理における基板Wの回転速度よりも速い高回転速度(たとえば3000rpm)で基板Wを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Wの上面のリンス液に作用し、基板Wの上面のリンス液が基板Wの周囲に振り切られる。このようにして、基板Wからリンス液が除去され、基板Wが乾燥する。そして、基板Wの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、電動モータ48が、スピンベース46による基板Wの回転を停止させる。
その後、搬送ロボットCRが、処理ユニット20に進入して、スピンチャック40から処理済みの基板Wをすくい取って、処理ユニット20外へと搬出する。その基板Wは、搬送ロボットCRから搬送ロボットIRへと渡され、搬送ロボットIRによって、キャリヤCに収納される。このような基板処理は、各処理タワー2A〜2Dで実行される。
本実施形態によれば、処理液タンク21内の処理液は、複数の循環配管22を循環する。各循環配管22に対して処理液タンク21が1つずつ設けられているのではなく、複数の循環配管22は、共通の処理液タンク21に接続されている。各循環配管22を循環する処理液は、各循環配管22に分岐接続された供給配管23によって対応する処理タワー2に供給される。
制御装置7は、各循環配管22に介装された循環流量計27によって検出された処理液の検出流量に基づいて、対応する循環流量調節バルブ28の開度を調節する(フィードバック制御)。その際、検出流量の差が低減されるように、各循環流量調節バルブ28の開度を調節することによって、循環配管22間での処理液の流量の差を低減することが可能である。この場合、循環配管22間での処理液の温度の差が低減される。そのため、循環配管22間での温度差が低減された処理液が、各循環配管22から供給配管23を介して処理タワー2に供給される。これにより、処理液の処理タワー2間での温度差を低減することができる。
供給配管23への処理液の供給を開始した後もフィードバック制御を継続することによって、供給配管23への処理液の供給状態に追従して、循環流量調節バルブ28の開度を調節することができる。これにより、供給配管23への処理液の供給状態にかかわらず循環配管22間での処理液の流量の差を低減することができる。
処理液タンク21に貯留された処理液がフッ酸などの薬液である場合、処理タワー2に供給される処理液の処理タワー2間での温度差を低減することによって、各処理タワー2間での基板Wのエッチング度合の差を低減することができる。処理液タンク21に貯留された処理液がDIWなどのリンス液である場合やIPAなどの低表面張力液体である場合には、処理タワー間での基板Wの上面の乾燥度合の差を低減することができる。
ここで、循環配管22内の処理液の流量は、分岐位置26よりも下流側では、分岐位置26よりも上流側と比較して、循環配管22から供給配管23への処理液が供給の有無や、循環配管22から供給配管23への処理液の供給量によって変動しやすい。
本実施形態によれば、循環流量計27は、循環配管22における供給配管23の分岐位置26よりも上流側で循環配管22に介装されている。そのため、供給配管23への処理液の供給状態の変化が循環配管22内の処理液の流量の検出に与える影響を低減することができる。つまり、循環流量計27は、循環配管22内の処理液の流量を安定して検出することができる。したがって、循環配管22間での検出流量の差を一層低減することができる。
ここで、循環配管22において、循環流量調節バルブ28が介装されている部分には、上流側の処理液が流れ込んでくる。そのため、循環流量調節バルブ28は、循環流量調節バルブ28よりも下流側の循環配管22内の圧力よりも、循環流量調節バルブ28の上流側よりも循環配管22内の圧力を、その開度の調節によって安定して変動させることができる。本実施形態によれば、循環流量調節バルブ28が、対応する循環配管22における供給配管23の分岐位置26よりも下流側で循環配管22に介装されている。そのため、循環配管22から供給配管23に流れる処理液の流量を安定させることができる。
また、本実施形態によれば、各供給配管23A〜23Dが、対応する循環配管22A〜22Dから分岐され、対応する処理タワー2A〜2Dの各処理ユニット20に処理液を供給する複数の分岐配管33〜35を有している。そのため、各処理ユニット20に循環配管22を1つずつ設ける構成と比較して、循環配管22の数を低減することができる。
ここで、処理ユニット20に安定して処理液を供給するためには、循環配管22内の処理液の流量qが目標流量Qに近い流量である必要があることに加えて、循環配管22内の圧力pが目標圧力Pに近い圧力である必要がある。循環配管22内の圧力pおよび循環配管22内の処理液の流量qのそれぞれは、少なくとも所定の範囲内である必要がある。
図8Aおよび図8Bを参照して、循環配管22内の処理液の流量qの所定の範囲とは、たとえば、目標流量Qよりも所定量ΔQだけ大きい第1流量Q1と目標流量よりも所定量ΔQだけ小さい第2流量Q2との間の範囲のことである(Q2≦q≦Q1)。循環配管22内の圧力pの所定の範囲とは、たとえば、目標圧力Pよりも所定量ΔPだけ大きい第1圧力P1と目標圧力Pよりも所定量ΔPだけ小さい第2圧力P2との間の範囲のことである(P2≦p≦P1)。
本実施形態では、循環流量計27で流量を検出し、その検出流量に基づいて循環流量調節バルブ28の開度を調節することによって、流量qを制御している。流量qと圧力pとには相関関係があるため、この流量qの制御によって圧力pが間接的に制御されている。
そこで、本実施形態とは異なり、循環流量計27の代わりに圧力計を用いて圧力pを検出し、その検出圧力に基づいて循環流量調節バルブ28を調節することで、圧力pを制御することを想定する。この圧力の制御によって循環配管22内の処理液の流量qを間接的に制御できる。しかし、圧力pの変化に伴う流量qの変化の度合は、流量qの変化に伴う圧力pの変化の度合よりも大きい。そのため、図8Aに示すように、圧力計を用いて圧力pを制御することによって流量qを制御する場合、図8Bに示すように、循環流量計27を用いて流量qを制御することによって圧力pを制御する場合と比較して、循環流量調節バルブ28の調節を精度良く行う必要がある。したがって、本実施形態のように循環流量調節バルブ28を用いた場合、本実施形態とは異なり圧力計を用いた場合と比較して、流量qを容易に制御することができる。
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
たとえば、上述の実施形態とは異なり、処理液タンク21内の処理液を加熱するヒータが設けられていてもよい。このヒータにより処理液タンク21内の処理液が加熱される。
また、上述の実施形態とは異なり、共通配管24には、処理液を冷却するクーラが介装されていてもよい。また、上述の実施形態とは異なり、処理液タンク21内の処理液を冷却するクーラが設けられていてもよい。複数の循環配管22A〜22Dによって循環される処理液が、これらのクーラにより冷却される。複数の循環配管22A〜22Dに供給される処理液を当該クーラで冷却したり、加熱ユニット32(ヒータ)または処理液タンク21内に設けられたヒータで複数の循環配管22A〜22Dに供給される処理液を加熱したりすることによって、複数の循環配管22A〜22Dを循環する処理液の温度を調節するように構成されていてもよい。この場合、ヒータおよびクーラによって温度調節ユニットが構成される。また、温度調節ユニットとして、ヒータおよびクーラの両方の機能を有する単一のユニットが設けられていてもよい。
また、上述の実施形態では、各循環流量計27は、対応する循環配管22における供給配管23の分岐位置26よりも上流側で当該循環配管22に介装されていると説明した。しかし、上述の実施形態とは異なり、各循環流量計27が、対応する循環配管22における供給配管23の分岐位置26よりも下流側で当該循環配管22に介装されている形態も有り得る。また、各循環流量計27が、最も上流側の分岐位置33aと最も下流側の分岐位置35aとの間において、対応する循環配管22に介在されている形態も有り得る。
また、上述の実施形態では、各循環流量調節バルブ28は、対応する循環配管22における供給配管23の分岐位置26よりも下流側で当該循環配管22に介装されていると説明した。しかし、上述の実施形態とは異なり、各循環調節バルブ28が、対応する循環配管22における供給配管23の分岐位置26よりも上流側で当該循環配管22に介装されている形態も有り得る。また、各循環流量調節バルブ28が、最も上流側の分岐位置33aと最も下流側の分岐位置35aとの間において、対応する循環配管22に介在されている形態も有り得る。
また、上述の実施形態では、循環流量計27および循環流量調節バルブ28は、キャビネット6に配置されていると説明した。しかし、上述の実施形態とは異なり、循環流量計27および循環流量調節バルブ28は、キャビネット6の外に配置されていてもよい。たとえば、各循環流量計27および各循環流量調節バルブ28は、対応する流体ユニット4内に配置されていてもよい。
また、第2ノズル43に処理液を供給するための処理液供給装置に、本実施形態の処理液供給装置3と同様の構成を適用してもよい。
また、上述の実施形態では、処理ユニット20は、第1ノズル42および第2ノズル43を有するとした。しかし、ノズルの数は、2つに限られず、3つ以上設けられていてもよい。この場合、各ノズルに処理液を供給するための処理液供給装置には、本実施形態の処理液供給装置3と同様の構成を適用してもよい。
ノズルの数が3つである場合、フッ酸などの薬液を第1ノズル42から基板Wに供給させ、DIWなどのリンス液を第2ノズル43から基板W供給させ、さらに、IPAなどの有機溶剤(低表面張力液体)を別のノズルから基板Wに供給させることができる。これにより、上述の基板処理において、DIWリンス処理と乾燥処理との間に、DIWをIPAで置換する有機溶剤処理を実行することができる。
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。
1 :基板処理装置
2 :処理タワー(処理部)
2A :第1処理タワー(処理部)
2B :第2処理タワー(処理部)
2C :第3処理タワー(処理部)
2D :第4処理タワー(処理部)
3 :処理液供給装置
7 :制御ユニット(開度調節ユニット)
20 :処理ユニット
21 :処理液タンク
22 :循環配管
22A :循環配管
22B :循環配管
22C :循環配管
22D :循環配管
23 :供給配管
23A :供給配管
23B :供給配管
23C :供給配管
23D :供給配管
26 :分岐位置
26A :分岐位置
26B :分岐位置
26C :分岐位置
26D :分岐位置
27 :循環流量計(流量検出ユニット)
27A :循環流量計(流量検出ユニット)
27B :循環流量計(流量検出ユニット)
27C :循環流量計(流量検出ユニット)
27D :循環流量計(流量検出ユニット)
28 :循環流量調節バルブ(流量調節バルブ)
28A :循環流量調節バルブ(流量調節バルブ)
28B :循環流量調節バルブ(流量調節バルブ)
28C :循環流量調節バルブ(流量調節バルブ)
28D :循環流量調節バルブ(流量調節バルブ)
33 :分岐配管
34 :分岐配管
35 :分岐配管
W :基板

Claims (7)

  1. 複数の処理部に処理液を供給する処理液供給装置であって、
    処理液を貯留する処理液タンクと、
    前記複数の処理部のそれぞれに対応して設けられた複数の循環配管であって、前記処理液タンク内の処理液をそれぞれ循環させる複数の循環配管と、
    各前記循環配管に分岐接続され、対応する前記処理部に処理液を供給する供給配管と、
    各前記循環配管に介装され、当該循環配管内を流れる処理液の流量を検出する流量検出ユニットと、
    各前記循環配管に介装され、当該循環配管内の処理液の流量を調節する流量調節バルブと、
    各前記循環配管に介装された前記流量検出ユニットによって検出された処理液の検出流量に基づいて、対応する前記流量調節バルブの開度を調節する開度調節ユニットとを含む、処理液供給装置。
  2. 前記開度調節ユニットが、前記検出流量の差が低減されるように、各前記流量調節バルブの開度を調節する、請求項1に記載の処理液供給装置。
  3. 前記流量検出ユニットが、対応する前記循環配管における前記供給配管の分岐位置よりも上流側で当該循環配管に介装されている、請求項1または2に記載の処理液供給装置。
  4. 前記流量調節バルブが、対応する前記循環配管における前記供給配管の分岐位置よりも下流側で当該循環配管に介装されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
  5. 前記処理部が、基板を処理する処理ユニットを複数有しており、
    前記供給配管が、対応する前記循環配管から分岐され、各前記処理ユニットに処理液を供給する複数の分岐配管を有している、請求項1〜4のいずれか一項に記載の処理液供給装置。
  6. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の処理液供給装置と、
    基板を処理する複数の前記処理部とを含む、基板処理装置。
  7. 複数の処理部に処理液を供給する処理液供給方法であって、
    前記複数の処理部のそれぞれに対応して設けられた複数の循環配管によって、処理液を貯留する処理液タンク内の処理液をそれぞれ循環させる循環工程と、
    前記循環工程において各前記循環配管を流れる処理液の流量を検出する流量検出工程と、
    前記流量検出工程において検出された各前記循環配管内の処理液の検出流量に基づいて、前記循環配管間における処理液の流量の差が低減されるように、各前記循環配管に介装された流量調節バルブの開度を調節する開度調節工程とを含む、処理液供給方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220301894A1 (en) * 2021-03-19 2022-09-22 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
US11996302B2 (en) 2021-03-19 2024-05-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7181156B2 (ja) * 2019-05-31 2022-11-30 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法
JP7264729B2 (ja) * 2019-05-31 2023-04-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001127034A (ja) * 1999-10-26 2001-05-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2015041751A (ja) * 2013-08-23 2015-03-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP2016063074A (ja) * 2014-09-18 2016-04-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08108125A (ja) * 1994-10-13 1996-04-30 Sony Disc Technol:Kk 液供給装置
JP4940123B2 (ja) * 2007-12-21 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8950414B2 (en) * 2009-07-31 2015-02-10 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
JP6022431B2 (ja) * 2013-10-17 2016-11-09 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP6499414B2 (ja) * 2014-09-30 2019-04-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6313231B2 (ja) * 2015-01-08 2018-04-18 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
US10332761B2 (en) * 2015-02-18 2019-06-25 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN109037111B (zh) * 2015-02-25 2022-03-22 株式会社思可林集团 基板处理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001127034A (ja) * 1999-10-26 2001-05-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2015041751A (ja) * 2013-08-23 2015-03-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP2016063074A (ja) * 2014-09-18 2016-04-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220301894A1 (en) * 2021-03-19 2022-09-22 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20220131177A (ko) * 2021-03-19 2022-09-27 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102662465B1 (ko) * 2021-03-19 2024-04-30 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11996302B2 (en) 2021-03-19 2024-05-28 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method

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