TWI415207B - A substrate processing apparatus and a substrate processing method - Google Patents

A substrate processing apparatus and a substrate processing method Download PDF

Info

Publication number
TWI415207B
TWI415207B TW098138471A TW98138471A TWI415207B TW I415207 B TWI415207 B TW I415207B TW 098138471 A TW098138471 A TW 098138471A TW 98138471 A TW98138471 A TW 98138471A TW I415207 B TWI415207 B TW I415207B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
unit
nozzle
physical tool
moving mechanism
Prior art date
Application number
TW098138471A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201023287A (en
Inventor
Konosuke Hayashi
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Publication of TW201023287A publication Critical patent/TW201023287A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI415207B publication Critical patent/TWI415207B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/08—Cleaning containers, e.g. tanks
    • B08B9/0804—Cleaning containers having tubular shape, e.g. casks, barrels, drums
    • B08B9/0813—Cleaning containers having tubular shape, e.g. casks, barrels, drums by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/08—Cleaning containers, e.g. tanks
    • B08B9/093—Cleaning containers, e.g. tanks by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/08—Cleaning containers, e.g. tanks
    • B08B9/20—Cleaning containers, e.g. tanks by using apparatus into or on to which containers, e.g. bottles, jars, cans are brought
    • B08B9/28—Cleaning containers, e.g. tanks by using apparatus into or on to which containers, e.g. bottles, jars, cans are brought the apparatus cleaning by splash, spray, or jet application, with or without soaking
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
    • F26B5/005—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by dipping them into or mixing them with a chemical liquid, e.g. organic; chemical, e.g. organic, dewatering aids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係有關於基板處理裝置及基板處理方法，尤其係有關於將處理對象物之例如半導體晶圓等的基板表面進行處理的基板處理裝置及基板處理方法。
作為一例而言，基板處理裝置係在半導體晶圓等的基板之製造步驟中，對基板供給藥液等液體以進行處理。專利文獻1中揭示有：一種將基板保持於旋轉台，並將處理噴嘴安裝於臂部，藉由使處理噴嘴與臂部一起移動而將處理液供給至基板的構造。
【專利文獻1】日本特開2007-103825號公報
於專利文獻1所記載的基板處理裝置中，由於當基板的表面為疏水面時，在處理中會引起基板表面的乾燥而使得基板之液體的被覆性劣化，因此會產生水印(water mark)。
又，於併用處理基板表面的物理工具和供給處理液之固定噴嘴的基板處理裝置時，由於固定噴嘴不會動，故會產生處理液滯留於基板表面之部分，所以有時會在該部分附著微粒(particle)。
接著，當物理工具對基板掃描時，供給自物理工具之氣體(或處理液)、與供給自固定噴嘴的處理液會相互干擾而發生液體濺起，透過於該狀態下進行乾燥會產生水印。
又，除了液體彼此干擾外，供給自固定噴嘴的處理液亦會干擾掃描中之搖動臂體(物理工具)本身而發生液體濺起，透過於該狀態下進行乾燥會產生水印。
本發明係有鑒於上述問題點而開發者，其目的在於提供一種基板處理裝置及基板處理方法，可使如半導體晶圓的基板整面之液體的被覆性提升以防止處理中的乾燥，藉此降低水印的發生。
本發明之基板處理裝置係一邊使基板旋轉一邊處理基板表面的基板處理裝置，其特徵為具備：物理工具單元，具有處理上述基板表面的物理工具；噴嘴單元，具有供給液體至上述基板表面的液體供給噴嘴、和供給氣體至上述基板表面的氣體供給噴嘴；物理工具單元移動機構部，用以使上述物理工具單元沿著基板表面移動；以及噴嘴單元移動機構部，用以使上述噴嘴單元沿著基板表面移動。
本發明之基板處理方法係一邊使基板旋轉一邊處理基板表面的基板處理方法，其特徵為：使具有處理上述基板表面之物理工具的物理工具單元，藉由物理工具單元移動機構部沿著基板表面直線移動，且使具有供給液體至上述基板表面的液體供給噴嘴、與供給氣體至上述基板表面之氣體供給噴嘴的噴嘴單元，藉由噴嘴單元移動機構部朝向與上述物理工具單元之直線移動方向相反的方向沿著基板的表面直線移動。
 【用於實施發明之型態】
參照圖面，說明本發明之實施型態。
圖1係表示本發明基板處理裝置的較佳實施型態。圖2係表示圖1所示之基板處理裝置的噴嘴頭裝置與噴嘴頭裝置的移動操作部之平面圖。
圖1所示之基板處理裝置10係作為去除基板W之表面S的微粒(particle)之洗淨裝置而使用之一例，具有：基板保持部11、噴嘴頭裝置12、噴嘴頭裝置之移動操作部13、降流(down flow)用之附設過濾器的扇14、接承杯15、和處理室16。
基板保持部11具有：基底構件17、旋轉軸18和馬達19，且基板W係可裝卸自如地固定於基底構件17上。在處理室16內收納有接承杯15、基底構件17和馬達19的旋轉軸18。在旋轉軸18的前端部固定有基底構件17。馬達19係依據控制部100的指令而作動，藉此可使基底構件17與基板W連續旋轉於R方向。扇14係依據控制部100的指令而作動。
繼之，參照圖2～圖6，說明圖1所示之噴嘴頭裝置12與噴嘴頭裝置的移動操作部13之構造例。
圖3係表示噴嘴頭裝置12和噴嘴頭裝置的移動操作部13之立體圖，圖4係表示卸除噴嘴頭裝置12的上部蓋罩之內部構造例之平面圖。圖5係表示噴嘴頭裝置12的內部構造之立體圖，圖6係圖4所示之噴嘴頭裝置12的B-B線之剖面圖。
首先，參照圖3與圖4，噴嘴頭裝置12具有：長箱形的外殼20、物理工具單元21、液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22、物理工具單元21的移動機構部23、和液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22的移動機構部24。
外殼20收納有：物理工具單元21、液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22、物理工具單元21的移動機構部23、和液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22的移動機構部24。
圖1和圖2所示的外殼20係以例如金屬材料來製作，且如圖3與圖4與圖6所示般，係藉由上面部25和側面部26、27、28、29和底面部30所構成。上面部25和側面部26、27係為沿著T方向的長板狀構件。側面部28、29分別相當於外殼20的前端部與後端部，而側面部29係固定於噴嘴頭裝置之移動操作部13之臂部31的一端部32。
此處，參照圖4與圖5，就物理工具單元21、液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22、物理工具單元21的移動機構部23、和液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22的移動機構部24之構造例進行說明。
物理工具單元21具有：物理工具40、和用以保持該物理工具40的保持部41。物理工具40為噴霧嘴，其經由閥42B連接至處理液供給部42和氣體供給部42G。於處理液體供給部42，供給有噴霧用液體例如純水，於氣體供給部42G供給有氣體例如氮氣。依此構成，處理液體供給部42、和氣體供給部42G可於物理工具40側，將混合有液體和氣體的噴霧用液體(即處理用液體(mist：霧))供給至圖1所示之基板W的表面S。
此外，物理工具40係為可對基板的表面進行物理處理之工具，惟除了例如噴霧嘴以外，亦可為超音波噴嘴、或刷子等。處理液可供給至該刷子。
液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22具有：液體供給噴嘴45、氣體供給噴嘴46、和使液體供給噴嘴45與氣體供給噴嘴46沿著T方向排列而保持的保持部147。
液體供給噴嘴45係經由閥47B連接至處理液供給部48。於處理液供給部48，貯存有處理用液體例如蝕刻液、洗淨液、純水等。液體供給噴嘴45可將處理用液體供給至圖1所示之基板W的表面S。
氣體供給噴嘴46係經由閥48B連接至氣體供給部47，其可將例如氮氣等的惰性氣體供給至圖1所示之基板W的上面。
圖4與圖5所示之物理工具單元21的移動機構部23具有：導軌50、馬達51和移送螺桿52。導軌50係在外殼20之側面部26的內面沿著T方向而固定。導軌50具有引導用溝部50M，可供物理工具單元21之保持部41的突起41T嚙合。移送螺桿52係嚙合於保持部41的螺帽53，藉由使移送螺桿52透過馬達51的驅動而旋轉，可使由保持部41和物理工具40所構成的物理工具單元21沿著T1方向與T2方向直線移動而定位。
又，圖4與圖5所示之液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22的移動機構部24具有：導軌60、馬達61和移送螺桿62。導軌60係在外殼20之側面部27的內面沿著T方向而固定。導軌60具有引導用溝部60M，可供液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22之保持部147的突起147T嚙合。移送螺桿62係嚙合於保持部147的螺帽63，藉由使移送螺桿62透過馬達61的驅動而旋轉，可使保持部147與液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22沿著T1方向與T2方向直線移動而定位。
繼之，參照圖3，說明噴嘴頭裝置12之移動操作部13之構造例。
圖3所示之噴嘴頭裝置12之移動操作部13具有：使噴嘴頭裝置12以旋轉中心軸SR為中心於G方向進行搖動操作，且沿著與旋轉中心軸SR方向平行的Z方向進行上下移動操作之功能。
該噴嘴頭裝置12的移動操作部13具有：基部70、上下移動部71、旋轉支撐部72、馬達73、馬達74、和移送螺桿75。旋轉支撐部72係固定有噴嘴頭裝置12之臂部31的另一端部32B，且臂部31與噴嘴頭裝置12係向旋轉支撐部72的直徑方向延伸。此外，馬達73係支撐於基部70，馬達74係支撐於上下移動部71。
馬達73可使移送螺桿75旋轉，移送螺桿75係嚙合於上下移動部71的螺帽77。依此構成，藉由驅動馬達73，可使上下移動部71相對於基部70藉由導件(guide)76沿著Z方向上下移動而定位。
又，馬達74之輸出軸的齒輪74C係嚙合於旋轉支撐部72之軸78的齒輪79。依此構成，藉由驅動馬達74，可使旋轉支撐部72以旋轉中心軸SR為中心於G方向搖動。
圖4所示之馬達51、61與圖3所示之馬達73、74係依據控制部100的指令而作動。又，圖4所示之各閥42B、47B、48B的開關控制係依據控制部100的指令而進行。作為此等的馬達而言，可使用例如伺服器馬達(servo motor)。
繼之，說明上述基板處理裝置10的作動例。控制部100係使馬達19作動，而使基底構件17上的基板W於R方向(參照圖1)連續旋轉。
如圖4所示，藉由控制部100進行各閥42B、47B、48B的開關控制，於物理工具40為噴霧嘴之情況，可將噴霧用液體(即處理用液體(霧))供給至基板W的表面S，且可從液體供給噴嘴45將例如純水供給至基板W的表面S，並可從氣體供給噴嘴46將例如惰性氣體的一例之氮氣供給至基板W的表面S。此種來自物理工具40之處理用液體的供給、與來自液體供給噴嘴45之純水的供給、以及來自氣體供給噴嘴46之氮氣的供給，可在一邊使噴嘴頭裝置(亦稱為臂體)12搖動的狀態下一邊進行，藉此可進行基板W之表面S的處理。
下述動作係同步進行：圖4與圖5所示之物理工具單元21依據控制部100的指令，而藉由物理工具單元21的移動機構部23於T方向直線移動之動作、與液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22依據控制部100的指令，而藉由液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22的移動機構部24於T方向直線移動之動作。
惟，物理工具單元21的移動方向、與液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22的移動方向係完全逆向。亦即，當物理工具單元21移動於T1方向時，液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22係移動於T2方向。又，當物理工具單元21移動於T2方向時，液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22係移動於T1方向。
圖7(A)至圖7(C)係表示物理工具單元21、與液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22相對於基板W的上面，移動於T1方向與T2方向之狀態。
在圖7(A)的狀態下，物理工具單元21係位於基板W的中心部附近P1，液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22係位於基板W的周緣部附近P2。亦即，在圖7(A)中，由於物理工具40係位於基板W的中心部附近P1，液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22係位於基板W的周緣部附近P2，故藉由從物理工具40所噴霧供給的處理用液體(霧)，處理基板W的中心部附近P1時，基板W的外周部(周緣部附近P2)可藉由從液體供給噴嘴45所供給之例如純水以進行處理。
物理工具(噴霧工具)40係一邊供給處理液(霧)，一邊從中心部附近P1附近移動到周緣部附近P2附近。此時之處理係藉由將處理液(霧)供給至基板W而去除基板W上的微粒。液體供給噴嘴45係一邊自噴嘴供給純水，一邊從周緣部附近P2附近移動到中心部附近P1附近。供給純水的理由係為了防止基板W的乾燥。將純水供給於與物理工具40相對的方向係為了勿使以物理工具40處理的部分乾燥而進行之。若在物理處理後使基板W自然乾燥的話，則會產生水印。
從圖7(A)的狀態，變成物理工具單元21與液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22朝相反方向移動之圖7(B)的狀態時，物理工具單元21係位於基板W的周緣部附近P2，液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22則位於基板W的中心部附近P1。亦即，於圖7(B)中，由於物理工具40係位於基板W的周緣部附近P2，液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22係位於基板W的中心部附近P1，故以自液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22之液體供給噴嘴45所供給之例如純水，來處理基板W的中心部附近P1時，基板W的外周部(周緣部P2)可藉由從物理工具單元21的物理工具40所進行噴霧供給之例如處理用液體(霧)以進行處理。
再者，在圖7(C)的狀態下，物理工具單元21係位於基板W的周緣部附近P2，液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22係位於基板W的中心部附近P1。藉由供給自氣體供給噴嘴46的氣體，對基板W的表面S進行氣體供給。藉由將該氣體供給至基板W的表面S，而利用惰性氣體對基板W的表面(S)進行乾燥處理。由於藉由上述方式所供給之氣體可使基板W的表面S隨即乾燥，故可確實地將基板W的表面S進行乾燥處理。此外乾燥時，係提高基板W的旋轉速度(比洗淨處理時的旋轉速度更高)，一邊去除水分一邊供給氣體。
此處，例如在物理工具40相對於噴嘴頭裝置(臂體)12移動進行當中，亦同時從物理工具40供給液體，又在噴霧頭裝置12搖動進行當中，物理工具40亦同時相對於噴嘴頭裝置12移動。此外，液體供給噴嘴45、與氣體供給噴嘴46亦於噴嘴頭裝置12搖動進行當中，同時相對於噴嘴頭裝置12移動。
此外，進行乾燥時，係將來自物理工具40或液體供給噴嘴45的供給停止。一邊從中心部附近P1附近移動到周緣部附近P2附近，一邊噴射氣體使基板W乾燥。此外，就追加手段而言，亦有想到在洗淨處理後即隨即進行乾燥處理。此乃使氣體供給噴嘴46緊跟著物理工具40的後面移動。依此方式，於物理工具40的洗淨後，隨即用乾燥氣體進行乾燥(乾燥置換)，藉此可防止水印的發生。
此外，就本發明之另一實施型態而言，物理工具單元21的物理工具40除了利用上述移動機構部23之T方向的移動外，亦可如圖8所示般，藉由上下驅動部90沿著Z方向移動位置。同樣地，液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22的液體供給噴嘴45與氣體供給噴嘴46，除了利用上述移動機構部24之T方向的移動外，亦可藉由上下驅動部91沿著Z方向移動位置。上下驅動部90、91分別具有：齒輪92、嚙合於齒輪92的齒條(rack)93、和安裝有齒輪的馬達94。當馬達94依據控制部100的指令而作動時，上下驅動部90可使物理工具單元21的物理工具40移動於Z方向而定位，且上下驅動部91可使液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元22的液體供給噴嘴45與氣體供給噴嘴46移動於Z方向而定位。
使噴嘴上下移動係為了依據處理狀態來控制其上下位置。例如，欲提高基板洗淨力時，可使噴嘴靠近基板W以進行噴霧供給。依此，由於越靠近噴霧的吐出口吐出壓力越高，故洗淨力較強而可去除基板W上的微粒。反之，若使洗淨力過強的話，則會有引起基板W圖案崩塌之可能性，故可提高噴嘴，一邊緩和施加於基板W的壓力，一邊進行基板洗淨。
以往，當基板W的表面S為疏水面時，若僅用物理工具處理基板W的表面S的話，基板W的表面S上之液體的被覆性會劣化，且若在該狀態下進行乾燥的話，則會產生水印。然而，在本發明之實施型態中，基板W的表面S可藉由物理工具40、與具備液體供給噴嘴45和氣體供給噴嘴46的洗淨工具洗淨。藉由併用物理工具40和液體供給噴嘴45，使兩者朝向彼此相反的方向直線移動，可一邊去除各種口徑之基板W之表面S的微粒，一邊降低水印的產生。
亦即，對於大尺寸的基板W或小尺寸的基板W，亦可藉由改變物理工具40、液體供給噴嘴45、或氣體供給噴嘴46的移動距離來因應之，且可因應各種口徑的基板W。此外，透過利用物理工具40進行基板洗淨後隨即供給純水，可防止使洗淨處理後的區域乾燥；或者，藉由使洗淨處理後的區域隨即乾燥，可防止水印的產生。
當物理工具40移動時，液體供給噴嘴45亦同步地一邊朝向與物理工具40相反的方向移動，一邊供給處理液。物理工具40與液體供給噴嘴45的移動，係如上所述般使用伺服器馬達與移送螺桿(滾珠螺桿)，而藉由控制部100對伺服器馬達下達指令，可進行物理工具40與液體供給噴嘴45之位置與速度控制。
此處，由於旋轉中之基板W之周緣部的速度與中心部的速度不同，故必須依據位置而改變速度。亦即，為了均勻地處理基板W，而按照從基板中心部至周緣部，物理工具40或液體供給噴嘴45的速度為減速之方式進行變速。控制部100係依據物理工具40與液體供給噴嘴45的位置對伺服器馬達下達指令，藉此進行此兩者的速度控制。再者，物理工具40或液體供給噴嘴45亦從周緣部移動至中心部。此時，係從周緣緩緩地提升速度。
藉由採用此種本發明實施型態的構造，可使基板W整面之液體的被覆性提升，以防止於處理進行中基板W的表面S乾燥，並可降低水印的產生。又，如圖7(C)所示，由於係將利用物理工具40和液體供給噴嘴45之處理停止，並從氣體供給噴嘴46吐出如氮氣之類的惰性氣體，藉此使基板W的表面S立即乾燥，故可降低水印的產生並縮短基板W之表面S的乾燥時間。
本發明之基板處理裝置係一邊使基板旋轉一邊處理基板表面的基板處理裝置，其特徵為具備：物理工具單元，具有處理基板表面的物理工具；噴嘴單元，具有供給液體至基板表面的液體供給噴嘴、和供給氣體至基板表面的氣體供給噴嘴；物理工具單元移動機構部，用以使物理工具單元沿著基板表面移動；以及噴嘴單元移動機構部，用以使噴嘴單元沿著基板表面移動。依此構成，藉由使如半導體晶圓之基板整面之液體的被覆性提升以防止處理中的乾燥，可降低水印的產生。
又，本發明之基板處理裝置具備：噴嘴頭裝置、及噴嘴頭裝置之移動操作部。該噴嘴頭裝置具備外殼，而該外殼收納有：物理工具單元、噴嘴單元、物理工具單元移動機構部、和噴嘴單元移動機構部。依此構成，噴嘴頭裝置可相對於基板表面移動，使物理工具單元與噴嘴單元在基板表面適當的位置進行處理。該噴嘴頭裝置之移動操作部係使上述噴嘴頭裝置相對於基板表面移動。
本發明基板處理裝置之特徵為：上述噴嘴頭裝置的移動操作部具有：上下移動部，使噴嘴頭裝置上下移動於與基板之旋轉中心軸平行的方向；和旋轉支撐部，使噴嘴頭裝置搖動於基板上。依此構成，藉由使噴嘴頭裝置相對於基板表面上下移動且旋轉，可使物理工具單元和噴嘴單元在基板表面之適當的位置進行處理。
本發明基板處理裝置之特徵為：物理工具單元移動機構部具有：馬達；和藉由馬達旋轉而使物理工具單元移動的移送螺桿，且噴嘴單元移動機構部具有：馬達；和藉由馬達旋轉而使噴嘴單元與物理單元的移動同步地移動之移送螺桿。依此與物理工具單元對基板表面進行處理之方向相反的方向，噴嘴單元可將液體與氣體供給至基板。
本發明之基板處理方法係一邊使基板旋轉一邊處理基板表面的基板處理方法，其特徵為：使具有處理基板表面之物理工具的物理工具單元，藉由物理工具單元移動機構部沿著基板表面直線移動，且使具有供給液體至基板表面的液體供給噴嘴、與供給氣體至基板表面之氣體供給噴嘴的噴嘴單元，藉由噴嘴單元移動機構部，沿著基板表面直線移動於與物理工具單元之直線移動方向相反的方向。依此構成，透過使如半導體晶圓之基板的整面之液體被覆性提升以防止處理中的乾燥，可降低水印的產生。
再者，由於藉由使物理工具單元與噴嘴單元直線移動，可使供給自物理工具的處理液(霧)和供給自噴嘴單元的處理液彼此不易相互干擾，故可抑制液體濺起，依此，可降低乾燥所致之水印的產生。
在本發明之實施型態中，噴嘴單元移動機構部可使噴嘴單元與物理工具單元之直線移動同步地沿著與物理工具單元之直線移動方向相反的方向移動，亦可不特別同步而使噴嘴單元與物理工具單元個別地移動。於個別地進行移動之情況，係使氣體供給噴嘴緊跟著物理工具的後面移動。依此方式，藉由於物理工具的洗淨後，隨即用乾燥氣體予以乾燥，可防止水印的產生。
又，可使物理工具單元與噴嘴單元直線移動，藉此可使處理液不會滯留於基板上，而可防止微粒附著於該部分。
本發明並未限定於上述實施型態，可採用各種變化例。
再者，藉由將本發明之實施型態所揭示之多個構成要素加以適當組合，可形成各種發明。例如，亦可自本發明之實施型態所示之所有構成要素刪除幾個構成要素。更且，亦可將遍及於不同實施型態的構成要素加以適當組合。
 【產業上利用之可能性】
以上，說明本發明之實施型態，惟僅只是例示具體例，並非用以特別限定本發明，且各部分的具體構成等可加以適當變更。此外，記載於實施型態的作用及效果，僅只是列舉由本發明所產生之最合適的作用及效果，本發明所產生之作用及效果並未受限於本發明之實施型態所記載者。本發明係作為例如基板處理裝置及基板處理方法，尤其是將處理對象物之例如半導體晶圓等的基板表面進行處理之基板處理裝置及基板處理方法等而使用。
10．．．基板處理裝置
11．．．基板保持部
12．．．噴嘴頭裝置
13．．．移動操作部
14．．．扇
15．．．接承杯
16．．．處理室
17．．．基底構件
18．．．旋轉軸
19．．．馬達
20．．．外殼
21．．．物理工具單元
22．．．液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元
23、24．．．移動機構部
25．．．上面部
26、27、28、29．．．側面部
30．．．底面部
31．．．臂部
32．．．一端部
32B．．．另一端部
40．．．物理工具
41．．．保持部
41T、147T．．．突起
42、48．．．處理液供給部
42B、47B、48B．．．閥
42G、47．．．氣體供給部
45．．．液體供給噴嘴
46．．．氣體供給噴嘴
50、60．．．導軌
50M、60M．．．引導用溝部
51、61．．．馬達
52、62．．．移送螺桿
53、63．．．螺帽
70．．．基部
71．．．上下移動部
72．．．旋轉支撐部
73、74．．．馬達
74C、79．．．齒輪
75．．．移送螺桿
76．．．導件
77．．．螺帽
78．．．軸
90、91．．．上下驅動部
92．．．齒輪
93．．．齒條
94．．．馬達
100．．．控制部
147．．．保持部
圖1係表示本發明基板處理裝置的整體構成之圖；
圖2係表示基板W與噴嘴頭裝置與噴嘴頭裝置的移動操作部之平面圖；
圖3係表示噴嘴頭裝置與噴嘴頭裝置的移動操作部之立體圖；
圖4係表示噴嘴頭裝置的內部構造之圖；
圖5係表示噴嘴頭裝置的內部構造之立體圖；
圖6係圖4所示之噴嘴頭裝置的B-B線之剖面圖；
圖7(A)～(C)係表示物理噴嘴、液體供給噴嘴和氣體供給噴嘴之圖；以及
圖8係表示本發明之其他實施型態之圖。
12．．．噴嘴頭裝置
20．．．外殼
21．．．物理工具單元
22．．．液體供給噴嘴及氣體供給噴嘴單元
23、24．．．移動機構部
26、27、28、29．．．側面部
30．．．底面部
32．．．一端部
40．．．物理工具
41．．．保持部
41T．．．突起
42、48．．．處理液供給部
42B、47B、48B．．．閥
45．．．液體供給噴嘴
46．．．氣體供給噴嘴
47．．．氣體供給部
50、60．．．導軌
50M、60M．．．引導用溝部
51、61．．．馬達
52、62．．．移送螺桿
53、63．．．螺帽
100．．．控制部
147．．．保持部

Claims (5)

  1. 一種基板處理裝置，係一邊使該基板旋轉一邊處理該基板表面的基板處理裝置，其特徵為具備：物理工具單元，具有處理該基板表面的物理工具；噴嘴單元，具有供給液體至該基板表面的液體供給噴嘴、和供給氣體至該基板表面的氣體供給噴嘴；物理工具單元移動機構部，用以使該物理工具單元沿著該基板表面移動；噴嘴單元移動機構部，用以使該噴嘴單元沿著該基板表面移動；噴嘴頭裝置，該噴嘴頭裝置具備外殼，而該外殼收納有：該物理工具單元、該噴嘴單元、該物理工具單元移動機構部、與該噴嘴單元移動機構部；噴嘴頭裝置的移動操作部，該噴嘴頭裝置的移動操作部係使該噴嘴頭裝置相對於該基板表面移動；以及控制部，該控制部係以下述方式來控制，即，藉由該物理工具單元移動機構部，使該物理工具單元沿該基板表面直線移動，且使該噴嘴單元一邊藉由噴嘴單元移動機構部而與所述物理工具單元的直線移動同步，一邊沿著該基板表面直線移動於與該物理工具單元之直線移動方向相反的方向。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中，該噴嘴頭裝置的移動操作部具有：上下移動部，用以使該噴嘴頭裝置上下移動於與該基板之旋轉中心軸平行的方向；以及旋轉支撐部，用以使該噴嘴頭裝置搖動於該基板上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中，該物理工具單元移動機構部具有：馬達、和移送螺桿，係藉由該馬達旋轉以使該物理工具單元移動機構部移動，該噴嘴單元移動機構部具有：馬達、和移送螺桿，係藉由該馬達旋轉以使該噴嘴單元與該物理單元的移動同步地移動。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之基板處理裝置，其中，該噴嘴單元移動機構部係使該噴嘴單元直線移動於與該物理工具單元之直線移動方向相反的方向。
  5. 一種基板處理方法，係一邊使該基板旋轉一邊處理該基板表面的基板處 理方法，其特徵為：將以下單元與機構部安裝在噴嘴頭裝置上：物理工具單元，具有處理該基板表面的物理工具；噴嘴單元，具有供給液體至該基板表面的液體供給噴嘴、和供給氣體至該基板表面的氣體供給噴嘴；物理工具單元移動機構部；噴嘴單元移動機構部；藉由噴嘴頭裝置的移動操作部將該噴嘴頭裝置對該基板的該表面相對移動，且使該物理工具單元，藉由該物理工具單元移動機構部，沿著該基板表面直線移動，並使該噴嘴單元，藉由該噴嘴單元移動機構部，一邊與該物理工具單元之直線移動同步一邊沿著該基板表面直線移動於與該物理工具單元之直線移動方向相反的方向。
TW098138471A 2008-11-20 2009-11-12 A substrate processing apparatus and a substrate processing method TWI415207B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008296301 2008-11-20
JP2009254548A JP5523062B2 (ja) 2008-11-20 2009-11-06 基板処理装置および基板処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201023287A TW201023287A (en) 2010-06-16
TWI415207B true TWI415207B (zh) 2013-11-11

Family

ID=42171054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098138471A TWI415207B (zh) 2008-11-20 2009-11-12 A substrate processing apparatus and a substrate processing method

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9202724B2 (zh)
JP (1) JP5523062B2 (zh)
KR (1) KR101068755B1 (zh)
TW (1) TWI415207B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5523062B2 (ja) * 2008-11-20 2014-06-18 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN105702601B (zh) * 2011-06-23 2020-02-07 布鲁克斯Ccs有限公司 清洁系统和方法
US9623449B2 (en) * 2012-04-09 2017-04-18 Lam Research Corporation Dielectric window cleaning apparatuses
JP6250924B2 (ja) * 2012-10-02 2017-12-20 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および研磨装置
JP6148475B2 (ja) * 2013-01-25 2017-06-14 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US9870933B2 (en) * 2013-02-08 2018-01-16 Lam Research Ag Process and apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
JP2015023138A (ja) * 2013-07-18 2015-02-02 株式会社ディスコ スピンナ洗浄装置
TWI597770B (zh) 2013-09-27 2017-09-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
CN104607430B (zh) * 2013-11-01 2016-08-17 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种胶杯自动清洗的方法
KR102424630B1 (ko) * 2016-07-27 2022-07-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포막 형성 방법, 도포막 형성 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
US10509321B2 (en) * 2018-01-30 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Temperature controlling apparatus and method for forming coating layer
CN111286886A (zh) * 2018-12-08 2020-06-16 泰兴市佰银服饰有限公司 一种纺织纺织布料加湿器
CN111359954A (zh) * 2020-03-12 2020-07-03 李义飞 一种用于新能源汽车铝合金轮毂智能清洗器
KR20220029906A (ko) * 2020-09-02 2022-03-10 에스케이하이닉스 주식회사 기판의 평탄화 장치 및 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070017555A1 (en) * 2005-06-23 2007-01-25 Kenji Sekiguchi Substrate Processing method and substrate processing apparatus

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3140556B2 (ja) * 1992-04-23 2001-03-05 沖電気工業株式会社 半導体ウエハの洗浄方法
KR100488753B1 (ko) * 2001-07-23 2005-05-11 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 그 장치
JP4481576B2 (ja) * 2003-02-28 2010-06-16 芝浦メカトロニクス株式会社 ペースト塗布装置
JP4759359B2 (ja) * 2005-10-07 2011-08-31 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置
JP4986566B2 (ja) * 2005-10-14 2012-07-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP5523062B2 (ja) * 2008-11-20 2014-06-18 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070017555A1 (en) * 2005-06-23 2007-01-25 Kenji Sekiguchi Substrate Processing method and substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP5523062B2 (ja) 2014-06-18
US9202724B2 (en) 2015-12-01
US20100122772A1 (en) 2010-05-20
KR101068755B1 (ko) 2011-09-28
TW201023287A (en) 2010-06-16
KR20100056975A (ko) 2010-05-28
JP2010153807A (ja) 2010-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI415207B (zh) A substrate processing apparatus and a substrate processing method
JP5284004B2 (ja) 基板の処理装置
CN102553851B (zh) 液处理装置及液处理方法
JP2003275696A (ja) 基板処理装置および基板洗浄方法
JP7224403B2 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2007157930A (ja) ウェーハ洗浄装置
CN111133846A (zh) 用于制造电路板的方法、装置和设备
JP7290695B2 (ja) 超音波洗浄装置および洗浄具のクリーニング装置
JP2009231628A (ja) 基板処理装置
TW201308492A (zh) 基板處理方法、基板處理系統及記憶有基板處理程式之電腦可讀取記憶媒體
JP2021532602A (ja) 非接触洗浄モジュール
TW201535490A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2006086415A (ja) 基板洗浄装置
JPH09148295A (ja) 回転式基板処理装置
JP2007150375A (ja) 基板処理装置
JP2002151455A (ja) 半導体ウエハ用洗浄装置
JP2007042742A (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP2012019156A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP6298277B2 (ja) 基板処理装置
JP2008016673A (ja) スピンナ洗浄装置
JP2004152849A (ja) 液処理装置及び液処理方法
JP5224876B2 (ja) 基板の処理装置
JP2008028175A (ja) ウエハ洗浄装置
WO2019150683A1 (ja) 基板洗浄装置、基板処理装置、超音波洗浄液供給装置および記録媒体
JP4955586B2 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法