JP3140556B2 - 半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの表面に
付着した微粒子等の汚染物を除去するために用いられる
半導体ウエハの洗浄方法に関するものである。
付着した微粒子等の汚染物を除去するために用いられる
半導体ウエハの洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の半導体ウエハの洗浄装置
を示す斜視図である。図において、５０は回転軸であ
り、この回転軸５０の上端部には吸着テーブル５１が設
けられている。また、この吸着テーブル５１上には、被
洗浄物である半導体ウエハ５２が吸着固定されている。
洗浄時には、回転軸５０の回転に共動して半導体ウエハ
５２が所定の回転数で回転するようになっている。
を示す斜視図である。図において、５０は回転軸であ
り、この回転軸５０の上端部には吸着テーブル５１が設
けられている。また、この吸着テーブル５１上には、被
洗浄物である半導体ウエハ５２が吸着固定されている。
洗浄時には、回転軸５０の回転に共動して半導体ウエハ
５２が所定の回転数で回転するようになっている。
【０００３】一方、半導体ウエハ５２の表面側には洗浄
ブラシ５３が配設されている。この洗浄ブラシ５３は、
支持アーム５４の先端部に取り付けられており、モータ
５５の駆動によって所定の回転数で回転しながら、支持
アーム５４のスイング動作によって半導体ウエハ５２の
表面上を移動するようになっている。
ブラシ５３が配設されている。この洗浄ブラシ５３は、
支持アーム５４の先端部に取り付けられており、モータ
５５の駆動によって所定の回転数で回転しながら、支持
アーム５４のスイング動作によって半導体ウエハ５２の
表面上を移動するようになっている。
【０００４】更に、半導体ウエハ５２の斜め上方にはノ
ズル５６が配設されており、このノズル５６から洗浄液
が放出されて、半導体ウエハ５２の表面に洗浄液が供給
されるようになっている。
ズル５６が配設されており、このノズル５６から洗浄液
が放出されて、半導体ウエハ５２の表面に洗浄液が供給
されるようになっている。
【０００５】上記従来装置による半導体ウエハの洗浄工
程おいては、モータ５５の駆動によって洗浄ブラシ５３
を回転させるとともに、ノズル５６から半導体ウエハ５
２の表面に洗浄液を供給しながら、支持アーム５４のス
イング動作により洗浄ブラシ５３を半導体ウエハ５２の
表面に沿って移動させる。それと同時に、回転軸５０の
回転によって半導体ウエハ５２を所定の回転数で回転さ
せる。これにより、半導体ウエハ５２の表面に付着した
微粒子等は、洗浄ブラシ５３によるスクラブ洗浄によっ
て剥離されるとともに、半導体ウエハ５２の回転に伴う
遠心力によってウエハ外縁部から外方に排出される。
程おいては、モータ５５の駆動によって洗浄ブラシ５３
を回転させるとともに、ノズル５６から半導体ウエハ５
２の表面に洗浄液を供給しながら、支持アーム５４のス
イング動作により洗浄ブラシ５３を半導体ウエハ５２の
表面に沿って移動させる。それと同時に、回転軸５０の
回転によって半導体ウエハ５２を所定の回転数で回転さ
せる。これにより、半導体ウエハ５２の表面に付着した
微粒子等は、洗浄ブラシ５３によるスクラブ洗浄によっ
て剥離されるとともに、半導体ウエハ５２の回転に伴う
遠心力によってウエハ外縁部から外方に排出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
装置においては、半導体ウエハ５２の回転数が一定であ
ってもウエハ中心部とウエハ外周部とでは周速度が異な
るため、半導体ウエハ５２の表面に対する洗浄ブラシ５
３の物理的な作用が均一にならず、ウエハ中心部に微粒
子等が残りやすいという欠点があった。
装置においては、半導体ウエハ５２の回転数が一定であ
ってもウエハ中心部とウエハ外周部とでは周速度が異な
るため、半導体ウエハ５２の表面に対する洗浄ブラシ５
３の物理的な作用が均一にならず、ウエハ中心部に微粒
子等が残りやすいという欠点があった。
【０００７】そこで、上記欠点を解消する装置として
は、特開昭５７−９０９４１号公報が提案されている。
この提案は、半導体ウエハ５２上の洗浄ブラシ５３の移
動速度（スイング速度）をウエハ中心部で最大となるよ
うに調整して、ウエハ中心部の微粒子等の除去率を高め
ようとしたものである。
は、特開昭５７−９０９４１号公報が提案されている。
この提案は、半導体ウエハ５２上の洗浄ブラシ５３の移
動速度（スイング速度）をウエハ中心部で最大となるよ
うに調整して、ウエハ中心部の微粒子等の除去率を高め
ようとしたものである。
【０００８】また、これとは別に特開昭６４−１９７３
０号公報では、洗浄液がウエハ中心部に充分供給されな
いことによりウエハ中心部が乾燥して、微粒子等が再付
着してしまうといった問題に鑑みて、以下のような提案
がなされている。すなわち、図５に示すように、回転軸
６０上端部の吸着テーブル６１に吸着固定された半導体
ウエハ６２に対して、回転ブラシ６３を斜め上方から延
出させた状態で配設するとともに、ノズル６４を半導体
ウエハ６２のほぼ真上に配置して、洗浄液が半導体ウエ
ハ６２の表面中心部に供給されるようにしたものであ
る。
０号公報では、洗浄液がウエハ中心部に充分供給されな
いことによりウエハ中心部が乾燥して、微粒子等が再付
着してしまうといった問題に鑑みて、以下のような提案
がなされている。すなわち、図５に示すように、回転軸
６０上端部の吸着テーブル６１に吸着固定された半導体
ウエハ６２に対して、回転ブラシ６３を斜め上方から延
出させた状態で配設するとともに、ノズル６４を半導体
ウエハ６２のほぼ真上に配置して、洗浄液が半導体ウエ
ハ６２の表面中心部に供給されるようにしたものであ
る。
【０００９】しかしながら上記いずれの提案において
も、洗浄後の半導体ウエハ５２，６２の表面に微粒子等
が残ってしまうことが本発明者の実験結果によって判明
し、微粒子等の除去率の点で満足できるものではなかっ
た。すなわち、洗浄前の状態においては図６に示すよう
にウエハ中心部で疎らに付着してウエハ外周部では部分
的に多く付着していた微粒子等（小点で表示）が、洗浄
後の状態においては図７に示すようにウエハ外周部でほ
ぼ完全に除去されているもののウエハ中心部では纏まっ
たかたちで付着している。
も、洗浄後の半導体ウエハ５２，６２の表面に微粒子等
が残ってしまうことが本発明者の実験結果によって判明
し、微粒子等の除去率の点で満足できるものではなかっ
た。すなわち、洗浄前の状態においては図６に示すよう
にウエハ中心部で疎らに付着してウエハ外周部では部分
的に多く付着していた微粒子等（小点で表示）が、洗浄
後の状態においては図７に示すようにウエハ外周部でほ
ぼ完全に除去されているもののウエハ中心部では纏まっ
たかたちで付着している。
【００１０】この原因としては、半導体ウエハ５２，６
２の回転によって発生する遠心力がウエハ外周部よりも
ウエハ中心部の方が極端に小さいことと、純水を用いた
洗浄液の噴射によって半導体ウエハ５２，６２の表面に
かなりの帯電電圧が発生することの二点が挙げられ、こ
れらの原因によって、一旦洗浄ブラシ５３，６３で剥離
された微粒子等がその洗浄ブラシ５３，６３に運ばれ
て、再びウエハ中心部に付着してしまったものと考えら
れる。
２の回転によって発生する遠心力がウエハ外周部よりも
ウエハ中心部の方が極端に小さいことと、純水を用いた
洗浄液の噴射によって半導体ウエハ５２，６２の表面に
かなりの帯電電圧が発生することの二点が挙げられ、こ
れらの原因によって、一旦洗浄ブラシ５３，６３で剥離
された微粒子等がその洗浄ブラシ５３，６３に運ばれ
て、再びウエハ中心部に付着してしまったものと考えら
れる。
【００１１】特に、上述した特開昭６４−１９７３０号
公報においては、洗浄液を半導体ウエハ６２の真上から
ウエハ中心部に向けて供給するようになっているため、
洗浄液によって持ち去られる微粒子の量は増加するもの
の、ウエハ中心部での帯電電圧が一層高められることか
ら、逆に微粒子等の再付着を促進させる結果となってし
まう。
公報においては、洗浄液を半導体ウエハ６２の真上から
ウエハ中心部に向けて供給するようになっているため、
洗浄液によって持ち去られる微粒子の量は増加するもの
の、ウエハ中心部での帯電電圧が一層高められることか
ら、逆に微粒子等の再付着を促進させる結果となってし
まう。
【００１２】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたものであり、洗浄液の噴射によって半導体ウエハの
表面に発生する帯電電圧を低減して、微粒子等の除去率
を大幅に向上させることを目的とする。
れたものであり、洗浄液の噴射によって半導体ウエハの
表面に発生する帯電電圧を低減して、微粒子等の除去率
を大幅に向上させることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、純水とＣＯ2 ガスとを混
合して得られる洗浄液を半導体ウエハの表面に供給しな
がら、回転する洗浄ブラシを移動させて半導体ウエハの
表面をスクラブ洗浄する第１の洗浄工程と、半導体ウエ
ハの表面に純水とＣＯ2 ガスとを混合して得られる洗浄
液を噴出させる第２の洗浄工程と、半導体ウエハの表面
に純水を噴出させる第３の洗浄工程とから半導体ウエハ
の洗浄方法である。
成するためになされたもので、純水とＣＯ2 ガスとを混
合して得られる洗浄液を半導体ウエハの表面に供給しな
がら、回転する洗浄ブラシを移動させて半導体ウエハの
表面をスクラブ洗浄する第１の洗浄工程と、半導体ウエ
ハの表面に純水とＣＯ2 ガスとを混合して得られる洗浄
液を噴出させる第２の洗浄工程と、半導体ウエハの表面
に純水を噴出させる第３の洗浄工程とから半導体ウエハ
の洗浄方法である。
【００１４】
【作用】本発明の半導体ウエハの洗浄方法においては、
純水とＣＯ 2 ガスとを混合することで低比抵抗の洗浄液
が得られ、この洗浄液が半導体ウエハの表面に供給され
る。これにより、半導体ウエハ表面に洗浄液が噴出され
た際に発生する帯電電圧が低減され、スクラブ洗浄によ
って剥離された微粒子等が再びウエハ表面に付着するこ
とがなくなる。さらに、スクラブ洗浄後のリンス処理に
おいても、純水とＣＯ 2 ガスとを混合した低比抵抗の洗
浄液を使用することにより、スクラブ洗浄によって剥離
された微粒子等がウエハ周縁部に流れやすくなる。
純水とＣＯ 2 ガスとを混合することで低比抵抗の洗浄液
が得られ、この洗浄液が半導体ウエハの表面に供給され
る。これにより、半導体ウエハ表面に洗浄液が噴出され
た際に発生する帯電電圧が低減され、スクラブ洗浄によ
って剥離された微粒子等が再びウエハ表面に付着するこ
とがなくなる。さらに、スクラブ洗浄後のリンス処理に
おいても、純水とＣＯ 2 ガスとを混合した低比抵抗の洗
浄液を使用することにより、スクラブ洗浄によって剥離
された微粒子等がウエハ周縁部に流れやすくなる。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の洗浄装置の実施例を示す概略
構成図である。図中１は、半導体ウエハ２が吸着固定さ
れる吸着テーブルであり、この吸着テーブル１の下面側
には回転軸３が取り付けられている。この回転軸３は、
図示せぬモータの駆動力によって回転駆動し、この回転
軸１の駆動に伴って吸着テーブル１上の半導体ウエハ２
が回転するようになっている。
構成図である。図中１は、半導体ウエハ２が吸着固定さ
れる吸着テーブルであり、この吸着テーブル１の下面側
には回転軸３が取り付けられている。この回転軸３は、
図示せぬモータの駆動力によって回転駆動し、この回転
軸１の駆動に伴って吸着テーブル１上の半導体ウエハ２
が回転するようになっている。
【００１６】一方、図中４は洗浄ブラシであり、この洗
浄ブラシ４は、支持アーム５の先端部に固定されたモー
タ６に直結して取り付けられている。また、支持アーム
５には、この支持アーム５をスイング動作させる駆動部
７が接続されている。これらの構成により洗浄ブラシ４
は、モータ６の駆動により回転しながら、支持アーム５
のスイング動作により半導体ウエハ２の表面上を移動す
るようになっている。
浄ブラシ４は、支持アーム５の先端部に固定されたモー
タ６に直結して取り付けられている。また、支持アーム
５には、この支持アーム５をスイング動作させる駆動部
７が接続されている。これらの構成により洗浄ブラシ４
は、モータ６の駆動により回転しながら、支持アーム５
のスイング動作により半導体ウエハ２の表面上を移動す
るようになっている。
【００１７】また、吸着テーブル１に吸着固定された半
導体ウエハ２の上方には、スクラブ洗浄用のノズル８と
リンス用のノズル９とが配設されている。ここで、スク
ラブ洗浄用のノズル８は半導体ウエハ２の斜め上方に配
設されており、一方のリンス用のノズル９は半導体ウエ
ハ２のほぼ真上に配設されている。
導体ウエハ２の上方には、スクラブ洗浄用のノズル８と
リンス用のノズル９とが配設されている。ここで、スク
ラブ洗浄用のノズル８は半導体ウエハ２の斜め上方に配
設されており、一方のリンス用のノズル９は半導体ウエ
ハ２のほぼ真上に配設されている。
【００１８】さらに、各ノズル８，９に接続された配水
ライン１０の一端側には洗浄液供給源１１が設けられて
おり、この洗浄液供給源１１から送り出された洗浄液が
配水ライン１０の所定経路を通して各ノズル８，９に到
達すると共に、それら各ノズル８，９から半導体ウエハ
２の表面に供給されるようになっている。
ライン１０の一端側には洗浄液供給源１１が設けられて
おり、この洗浄液供給源１１から送り出された洗浄液が
配水ライン１０の所定経路を通して各ノズル８，９に到
達すると共に、それら各ノズル８，９から半導体ウエハ
２の表面に供給されるようになっている。
【００１９】また、スクラブ洗浄用のノズル８と洗浄液
供給源１１とを接続している配水ライン１０のほぼ中間
位置には注入ノズル１２が設けられており、この注入ノ
ズル１２を基点に分岐したガス管１３の一端にＣＯ2 供
給源１４が配設されている。さらに、注入ノズル１２と
ＣＯ2 供給源１４の間には、ＣＯ2 供給源１４から送り
出されるＣＯ2 ガスの流量を制御する注入バルブ１５が
配設されている。このような構成によって、スクラブ洗
浄用のノズル８と洗浄液供給源１１との間に位置する配
水ライン１０上にＣＯ2 供給源１４が接続される。
供給源１１とを接続している配水ライン１０のほぼ中間
位置には注入ノズル１２が設けられており、この注入ノ
ズル１２を基点に分岐したガス管１３の一端にＣＯ2 供
給源１４が配設されている。さらに、注入ノズル１２と
ＣＯ2 供給源１４の間には、ＣＯ2 供給源１４から送り
出されるＣＯ2 ガスの流量を制御する注入バルブ１５が
配設されている。このような構成によって、スクラブ洗
浄用のノズル８と洗浄液供給源１１との間に位置する配
水ライン１０上にＣＯ2 供給源１４が接続される。
【００２０】加えて、ＣＯ2 供給源１４よりも下流側に
位置する配水ライン１０上には混合フィルター１６が配
設されている。この混合フィルター１６は、上述のＣＯ
2 供給源１４によりＣＯ2 ガスが注入された洗浄液の比
抵抗を均一にするためのものであり、この混合フィルタ
ー１６を通すことによって洗浄液中のＣＯ2 ガスの泡が
細かく砕かれて、洗浄液の比抵抗が均一化されるように
なっている。なお、本実施例での配水ライン１０の上流
側と下流側の定義は、その配水ライン１０を通して流れ
る洗浄液の流れ方向を基準としたものである。
位置する配水ライン１０上には混合フィルター１６が配
設されている。この混合フィルター１６は、上述のＣＯ
2 供給源１４によりＣＯ2 ガスが注入された洗浄液の比
抵抗を均一にするためのものであり、この混合フィルタ
ー１６を通すことによって洗浄液中のＣＯ2 ガスの泡が
細かく砕かれて、洗浄液の比抵抗が均一化されるように
なっている。なお、本実施例での配水ライン１０の上流
側と下流側の定義は、その配水ライン１０を通して流れ
る洗浄液の流れ方向を基準としたものである。
【００２１】さらに、混合フィルター１６の下流側に位
置する配水ライン１０には、比抵抗計１７が設けられて
いる。この比抵抗計１７は、混合フィルター１６を通し
て送り込まれる洗浄液の比抵抗値を検出するものであ
り、この検出結果に基づいて注入バルブ１５によるＣＯ
2 ガスの注入量が制御される。また、配水ライン１０の
上流側には、その配水ライン１０中の洗浄液の流量を検
出する流量計１８，１９が配設されており、同下流側に
は、所定のタイミングで配水ライン１０中の洗浄液の流
れを遮断する開閉バルブ２０，２１，２２が配設されて
いる。なお、洗浄液供給源１１から送り出される洗浄液
の流量は、配水ライン１０の上流側に配設された流量計
１８，１９の検出結果を基に制御されるようになってい
る。
置する配水ライン１０には、比抵抗計１７が設けられて
いる。この比抵抗計１７は、混合フィルター１６を通し
て送り込まれる洗浄液の比抵抗値を検出するものであ
り、この検出結果に基づいて注入バルブ１５によるＣＯ
2 ガスの注入量が制御される。また、配水ライン１０の
上流側には、その配水ライン１０中の洗浄液の流量を検
出する流量計１８，１９が配設されており、同下流側に
は、所定のタイミングで配水ライン１０中の洗浄液の流
れを遮断する開閉バルブ２０，２１，２２が配設されて
いる。なお、洗浄液供給源１１から送り出される洗浄液
の流量は、配水ライン１０の上流側に配設された流量計
１８，１９の検出結果を基に制御されるようになってい
る。
【００２２】次に、本実施例に係わる半導体ウエハの洗
浄装置の動作について説明する。まず、第１の洗浄工程
では、配水ライン１０上の開閉バルブ２０，２１が閉ざ
された状態で洗浄液供給源１１から洗浄液が送り出され
る。この送り出された洗浄液にはＣＯ2 供給源１４より
ＣＯ2 ガスが注入され、次いで混合フィルター１６にて
充分に混合される。そして、混合フィルター１６を通さ
れた洗浄液は、その後スクラブ洗浄用のノズル８から半
導体ウエハ２の表面に供給される。ここで、洗浄液供給
源１１から送り出される洗浄液としては、比抵抗値が１
８ＭΩｃｍ程度の純水が一般的に用いられている。しか
し本実施例では、この高比抵抗の純水をＣＯ2 供給源１
４からのＣＯ2 ガスの注入によって１ＭΩｃｍ以下の低
比抵抗の洗浄液とし、これをスクラブ洗浄用のノズル８
から半導体ウエハ２の表面に供給するようにしている。
浄装置の動作について説明する。まず、第１の洗浄工程
では、配水ライン１０上の開閉バルブ２０，２１が閉ざ
された状態で洗浄液供給源１１から洗浄液が送り出され
る。この送り出された洗浄液にはＣＯ2 供給源１４より
ＣＯ2 ガスが注入され、次いで混合フィルター１６にて
充分に混合される。そして、混合フィルター１６を通さ
れた洗浄液は、その後スクラブ洗浄用のノズル８から半
導体ウエハ２の表面に供給される。ここで、洗浄液供給
源１１から送り出される洗浄液としては、比抵抗値が１
８ＭΩｃｍ程度の純水が一般的に用いられている。しか
し本実施例では、この高比抵抗の純水をＣＯ2 供給源１
４からのＣＯ2 ガスの注入によって１ＭΩｃｍ以下の低
比抵抗の洗浄液とし、これをスクラブ洗浄用のノズル８
から半導体ウエハ２の表面に供給するようにしている。
【００２３】この低比抵抗の洗浄液が供給されている状
態の下で、吸着テーブル１上の半導体ウエハ２は回転軸
３の駆動によって回転する。また、洗浄ブラシ４はモー
タ６の駆動により回転しながら支持アーム５のスイング
動作に従って半導体ウエハ２の表面上を移動する。これ
により、半導体ウエハ２の表面は洗浄ブラシ４によって
スクラブ洗浄され、半導体ウエハ２の表面に付着してい
た微粒子等が剥離される（図２参照）。
態の下で、吸着テーブル１上の半導体ウエハ２は回転軸
３の駆動によって回転する。また、洗浄ブラシ４はモー
タ６の駆動により回転しながら支持アーム５のスイング
動作に従って半導体ウエハ２の表面上を移動する。これ
により、半導体ウエハ２の表面は洗浄ブラシ４によって
スクラブ洗浄され、半導体ウエハ２の表面に付着してい
た微粒子等が剥離される（図２参照）。
【００２４】上記第１の洗浄工程では、ＣＯ2 供給源１
４によりＣＯ2 ガスが注入された低比抵抗の洗浄液が半
導体ウエハ２の表面に供給されるようになっているた
め、従来のように高比抵抗の純水をそのまま供給する場
合に比べると、洗浄液が半導体ウエハ２の表面に噴出さ
れた際に発生する帯電電圧が大幅に低減される。これに
より、半導体ウエハ２の表面から一旦剥離された微粒子
等が再び付着するようなことがなくなる。
４によりＣＯ2 ガスが注入された低比抵抗の洗浄液が半
導体ウエハ２の表面に供給されるようになっているた
め、従来のように高比抵抗の純水をそのまま供給する場
合に比べると、洗浄液が半導体ウエハ２の表面に噴出さ
れた際に発生する帯電電圧が大幅に低減される。これに
より、半導体ウエハ２の表面から一旦剥離された微粒子
等が再び付着するようなことがなくなる。
【００２５】次いで、第２の洗浄工程では、支持アーム
５のスイング動作によって洗浄ブラシ４を半導体ウエハ
２の外方に退避させるとともに、配水ライン１０上の開
閉バルブ２０，２２を閉ざした状態で洗浄液供給源１１
から洗浄液を送り出す。これにより、先程と同じ低比抵
抗の洗浄液が今度はリンス用のノズル９から半導体ウエ
ハ２の表面に供給される。その際、リンス用のノズル９
が半導体ウエハ２の真上に配設されていることから、そ
のノズル９から供給される洗浄液は半導体ウエハ２の表
面中心部に噴出される（図３参照）。
５のスイング動作によって洗浄ブラシ４を半導体ウエハ
２の外方に退避させるとともに、配水ライン１０上の開
閉バルブ２０，２２を閉ざした状態で洗浄液供給源１１
から洗浄液を送り出す。これにより、先程と同じ低比抵
抗の洗浄液が今度はリンス用のノズル９から半導体ウエ
ハ２の表面に供給される。その際、リンス用のノズル９
が半導体ウエハ２の真上に配設されていることから、そ
のノズル９から供給される洗浄液は半導体ウエハ２の表
面中心部に噴出される（図３参照）。
【００２６】この第２の洗浄工程では、リンス用の洗浄
液として低比抵抗の洗浄液を使用しているので、純水に
よるリンス処理に比べると半導体ウエハ２表面の帯電電
圧が格段に低減される。その上、洗浄液が半導体ウエハ
２の表面中心部に噴出されることで、渦による乱流が防
止されるため、上記第１の洗浄工程で剥離された微粒子
等がスムースにウエハ外縁部から外方に排出される。こ
の時点で、半導体ウエハ２の表面に付着していた微粒子
等が、ほぼ完全に除去される。
液として低比抵抗の洗浄液を使用しているので、純水に
よるリンス処理に比べると半導体ウエハ２表面の帯電電
圧が格段に低減される。その上、洗浄液が半導体ウエハ
２の表面中心部に噴出されることで、渦による乱流が防
止されるため、上記第１の洗浄工程で剥離された微粒子
等がスムースにウエハ外縁部から外方に排出される。こ
の時点で、半導体ウエハ２の表面に付着していた微粒子
等が、ほぼ完全に除去される。
【００２７】続いて、第３の洗浄工程では、配水ライン
１０上の開閉バルブ２１，２２を閉ざした状態で洗浄液
供給源１１から洗浄液を送り出す。これにより、リンス
用のノズル９からは純水が放出され、この放出された純
水が半導体ウエハ２の表面中心部に供給されて最終的な
リンス処理がなされる。なお、上記の工程に従って半導
体ウエハ２の表面が洗浄された後は、配水ライン１０上
の全ての開閉バルブ２０，２１，２２が閉ざされた状態
で、回転軸３の駆動によって半導体ウエハ２が回転し、
ウエハ表面の乾燥が行われる。
１０上の開閉バルブ２１，２２を閉ざした状態で洗浄液
供給源１１から洗浄液を送り出す。これにより、リンス
用のノズル９からは純水が放出され、この放出された純
水が半導体ウエハ２の表面中心部に供給されて最終的な
リンス処理がなされる。なお、上記の工程に従って半導
体ウエハ２の表面が洗浄された後は、配水ライン１０上
の全ての開閉バルブ２０，２１，２２が閉ざされた状態
で、回転軸３の駆動によって半導体ウエハ２が回転し、
ウエハ表面の乾燥が行われる。
【００２８】このように本実施例の洗浄装置において
は、洗浄液供給源１１から送り出される洗浄液に対し
て、ＣＯ2 供給源１４からＣＯ2 ガスを注入して低比抵
抗の洗浄液とし、これを半導体ウエハ２の表面に供給し
ながらスクラブ洗浄しているので、従来のように純水を
そのままウエハ表面に供給する場合に比べて帯電電圧が
大幅に低減される。これにより、スクラブ洗浄によって
一旦半導体ウエハ２の表面から剥離された微粒子等が再
びウエハ表面に付着することがなくなり、微粒子等の除
去率が高められる。また、スクラブ洗浄直後のリンス処
理にも低比抵抗の洗浄液を使用しているので、上記同様
に帯電電圧が低減されることから、スクラブ洗浄によっ
て剥離された微粒子等がウエハ周縁部に流れやすくなる
ため、微粒子等の除去率がさらに高められる。
は、洗浄液供給源１１から送り出される洗浄液に対し
て、ＣＯ2 供給源１４からＣＯ2 ガスを注入して低比抵
抗の洗浄液とし、これを半導体ウエハ２の表面に供給し
ながらスクラブ洗浄しているので、従来のように純水を
そのままウエハ表面に供給する場合に比べて帯電電圧が
大幅に低減される。これにより、スクラブ洗浄によって
一旦半導体ウエハ２の表面から剥離された微粒子等が再
びウエハ表面に付着することがなくなり、微粒子等の除
去率が高められる。また、スクラブ洗浄直後のリンス処
理にも低比抵抗の洗浄液を使用しているので、上記同様
に帯電電圧が低減されることから、スクラブ洗浄によっ
て剥離された微粒子等がウエハ周縁部に流れやすくなる
ため、微粒子等の除去率がさらに高められる。
【００２９】なお、本実施例の構成においては、半導体
ウエハ２の上方にスクラブ洗浄用のノズル８とリンス用
のノズル９とを設けるようにしたが、本発明はこれに限
らず、スクラブ洗浄用のノズルとリンス用のノズルとを
一個のノズルで共用させることも容易に可能である。
ウエハ２の上方にスクラブ洗浄用のノズル８とリンス用
のノズル９とを設けるようにしたが、本発明はこれに限
らず、スクラブ洗浄用のノズルとリンス用のノズルとを
一個のノズルで共用させることも容易に可能である。
【００３０】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
洗浄ブラシによる半導体ウエハのスクラブ洗浄時におい
て、純水とＣＯ 2 ガスとを混合した低比抵抗の洗浄液を
半導体ウエハの表面に供給することにより、スクラブ洗
浄によって剥離された微粒子等の再付着を有効に防止で
きるとともに、スクラブ洗浄後のリンス処理において
も、純水とＣＯ 2 ガスとを混合した低比抵抗の洗浄液を
使用することにより、スクラブ洗浄によって剥離された
微粒子等をウエハ周縁部に流れやすくして除去効率を高
めることができる。その結果、洗浄工程における微粒子
等の除去率が格段に向上するとともに、洗浄時間の面で
も従来装置に比べて大幅に短縮させることが可能とな
る。
洗浄ブラシによる半導体ウエハのスクラブ洗浄時におい
て、純水とＣＯ 2 ガスとを混合した低比抵抗の洗浄液を
半導体ウエハの表面に供給することにより、スクラブ洗
浄によって剥離された微粒子等の再付着を有効に防止で
きるとともに、スクラブ洗浄後のリンス処理において
も、純水とＣＯ 2 ガスとを混合した低比抵抗の洗浄液を
使用することにより、スクラブ洗浄によって剥離された
微粒子等をウエハ周縁部に流れやすくして除去効率を高
めることができる。その結果、洗浄工程における微粒子
等の除去率が格段に向上するとともに、洗浄時間の面で
も従来装置に比べて大幅に短縮させることが可能とな
る。
【図１】本発明の洗浄装置の実施例を示す概略構成図で
ある。
ある。
【図２】実施例における洗浄装置の動作説明図（その
１）である。
１）である。
【図３】実施例における洗浄装置の動作説明図（その
２）である。
２）である。
【図４】従来装置を示す斜視図である。
【図５】他の従来装置を示す側面図である。
【図６】洗浄前の付着マップである。
【図７】従来装置による洗浄後の付着マップである。
１ 吸着テーブル ２ 半導体ウエハ ３ 回転軸 ４ 洗浄ブラシ ５ 支持アーム ８ ノズル １０ 配水ライン １１ 洗浄液供給源 １４ ＣＯ2 供給源 １６ 混合フィルター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 647 H01L 21/304 641 H01L 21/304 644 B08B 3/04
Claims (1)
- 【請求項１】 純水とＣＯ2 ガスとを混合して得られる
洗浄液を半導体ウエハの表面に供給しながら、回転する
洗浄ブラシを移動させて前記半導体ウエハの表面をスク
ラブ洗浄する第１の洗浄工程と、 前記半導体ウエハの表面に純水とＣＯ2 ガスとを混合し
て得られる洗浄液を噴出させる第２の洗浄工程と、 前記半導体ウエハの表面に純水を噴出させる第３の洗浄
工程とからなることを特徴とする半導体ウエハの洗浄方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04131851A JP3140556B2 (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04131851A JP3140556B2 (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299400A JPH05299400A (ja) | 1993-11-12 |
| JP3140556B2 true JP3140556B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=15067604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04131851A Expired - Fee Related JP3140556B2 (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3140556B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW316995B (ja) * | 1995-01-19 | 1997-10-01 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| JP3626610B2 (ja) * | 1998-11-02 | 2005-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| JP5523062B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2014-06-18 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN103406322A (zh) * | 2013-07-22 | 2013-11-27 | 彩虹显示器件股份有限公司 | 一种用于清洗基板玻璃的装置及方法 |
| CN104190665B (zh) * | 2014-08-11 | 2017-02-15 | 厦门润晶光电集团有限公司 | 一种中大尺寸蓝宝石晶圆图案化制程黄光涂布前清洗装置及方法 |
| CN104190652B (zh) * | 2014-08-11 | 2016-06-22 | 厦门润晶光电集团有限公司 | 一种中大尺寸蓝宝石晶圆图案化制程蚀刻后清洗装置及方法 |
| CN112090821B (zh) * | 2020-07-29 | 2022-08-26 | 苏州晶洲装备科技有限公司 | 一种超高压洗净装置 |
-
1992
- 1992-04-23 JP JP04131851A patent/JP3140556B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05299400A (ja) | 1993-11-12 |
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| Date | Code | Title | Description |
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