JPH10335282A - ブラシスクラバ - Google Patents
ブラシスクラバInfo
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- JPH10335282A JPH10335282A JP9140443A JP14044397A JPH10335282A JP H10335282 A JPH10335282 A JP H10335282A JP 9140443 A JP9140443 A JP 9140443A JP 14044397 A JP14044397 A JP 14044397A JP H10335282 A JPH10335282 A JP H10335282A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 54
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 59
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 54
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
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- Cleaning In General (AREA)
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Abstract
スラクバに関し、ウェーハ表面上のパーティクルを除去
するとともにブラシの交換周期を長くすることを課題と
する。 【解決手段】半導体基板14でブラシアーム15に支持
されたブラシ11を回転させることにより、半導体基板
14上のパーティクルを除去する構成とされたブラシス
クラバにおいて、ブラシ11にその回転に伴いパーティ
クルを回転中心に向け収集する形状とされた溝部17を
形成すると共に、前記回転中心に収集されたパーティク
ルを吸引して排出する排出機構(18,19)を設け
る。
Description
り、特に半導体基板の洗浄処理に用いるブラシスラクバ
に関する。近年、半導体装置の高密度化が進み、これに
伴い半導体製造工程におけるパーティクル(塵埃)の除
去処理が重要な問題となってきている。
体基板(ウェーハ)に対する洗浄処理が実施されるが、
この洗浄処理装置として回転するブラシにより半導体基
板を洗浄するブラシスクラバが知られている。ブラシス
クラバでは、ブラシが半導体基板上で回転しパーティク
ルを除去する構成であるため、ブラシ自体も常にパーテ
ィクルを含まない清潔な状態に維持する必要がある。
示している。同図に示されるように、ブラシスクラバは
大略すると、ブラシ1(PVA)、ブラシ本体2、ブラ
シアーム5、リンス液注入ノズル6、及び図示しない回
転テーブル等により構成されている。
テーブル上に載置され、図中時計方向に所定の回転速度
で回転される。また、ブラシ1はブラシ本体2に植毛さ
れており、ブラシアーム5の先端部に配設されてる。こ
のブラシ1とブラシ本体2は一体的な構成とされてお
り、図示しないモータに接続されることにより、図中反
時計方向(即ち、半導体基板4の回転方向と逆方向)に
回転付勢される構成とされている。
ス液として純水が半導体基板4の横方向から注入され
る。また、ブラシアーム5は半導体基板4上で移動可能
な構成とされており、よって回転する半導体基板4の全
面に対して回転するブラシ1を当接させることにより、
半導体基板4上のパーティクルが除去される構成とされ
ていた。
されたブラシスクラバを用いて半導体基板4の洗浄処理
を行なうと、半導体基板4の回転中心部にパーティクル
が掻き集められるという現象が生じる。これは、半導体
基板4の回転中心部では周速度が遅くなるため、パーテ
ィクルに作用する遠心力が小さくなることに起因するも
のと思われる。
パーティクルが掻き集められると、ブラシ1がこの回転
中心部分に移動した際に、パーティクルがブラシ1に付
着する。従って、約1000枚ほどの半導体基板4を処
理すると、ブラシ1には多量のパーティクルが付着し、
パーティクルの除去効率が低下するという問題が生じて
いた。
と、パーティクルの除去効率が低下し、ブラシスクラバ
により洗浄処理を行なっても半導体基板4の全面にわた
ってパーティクルが残存した状態となってしまう。この
ように、パーティクルが半導体基板4に残存すると、半
導体基板4に形成されたパターン同志が短絡するパター
ンショートが発生し半導体基板4が清浄に機能しなくな
る。
あり、ウェーハ表面上のパーティクルを除去するととも
にブラシの交換周期を長くすることを目的として提供さ
れるものである。
めに本発明では、次の各手段を講じたことを特徴とする
ものである。請求項1記載の発明では、基板上でブラシ
アームに支持されたブラシを回転させることにより、前
記基板上のパーティクルを除去する構成とされたブラシ
スクラバにおいて、前記ブラシに、その回転に伴い前記
パーティクルを回転中心に向け収集する形状とされた溝
部を形成すると共に、前記回転中心に収集された前記パ
ーティクルを吸引して排出する排出機構を設けたことを
特徴とするものである。
項1記載のブラシスクラバにおいて、前記溝部を、前記
回転中心側の幅寸法が外周側の幅寸法に対して小さく設
定された風車状形状としたことを特徴とするものであ
る。また、請求項3記載の発明では、前記請求項1また
は2記載のブラシスクラバにおいて、前記排出機構を、
前記ブラシの回転中心位置に形成された排出孔と、該排
出孔に接続された排出ポンプとにより構成したことを特
徴とするものである。
項1乃至3のいずれか1項に記載のブラシスクラバにお
いて、前記基板に対しリンス液を供給するリンス液供給
手段を設けると共に、前記排出機構が前記リンス液と共
に前記パーティクルを吸引して排出する構成としたこと
を特徴とするものである。
求項1記載の発明によれば、ブラシにその回転に伴いパ
ーティクルを回転中心に向け収集する形状とされた溝部
を形成することにより、ブラシが回転しながら基板上を
清浄処理すると、パーティクルはブラシの回転中心に集
められる。また、この回転中心に収集されたパーティク
ルは、排出機構により吸引され排出される。
れ、ブラシに付着したパーティクルが基板上に再付着す
ることを防止することができる。これにより、基板に対
し高い洗浄度を有した洗浄処理を実施することができる
と共に、ブラシの交換周期を長くすることができる。ま
た、請求項2記載の発明によれば、溝部を回転中心側の
幅寸法が外周側の幅寸法に対して小さく設定された風車
状形状としたことにより、パーティクルの回転中心への
収集効率を向上させることができる。
シの回転中心位置に形成された排出孔と、この排出孔に
接続された排出ポンプとにより排出機構を構成したこと
により、簡単な構成で確実にパーティクルをブラシの回
転中心から排出除去することができる。更に、請求項4
記載の発明によれば、基板に対しリンス液を供給するリ
ンス液供給手段を設け、排出機構がリンス液と共にパー
ティクルを吸引して排出する構成としたことにより、基
板の洗浄により発生したパーティクルは、リンス液と共
にブラシの回転中心に収集されて排出機構により排出さ
れるため、パーティクルの飛散は防止されて基板にパー
ティクルが再付着することをより確実に防止することが
できる。
図面と共に説明する。図1は本発明の一実施例であるブ
ラシスクラバを示している。同図に示されるように、ブ
ラシスクラバ10は、大略するとブラシ11、ブラシ本
体12、ブラシアーム15、リンス液注入ノズル16、
及び図示しない回転テーブル等により構成されている。
転テーブル上に載置され、図中時計方向(矢印Aで示す
方向)に所定の回転速度で回転される。また、ブラシ1
1(図中、梨地で示す)はPVAスポンジにより構成さ
れており、ブラシ本体12に接着等により固定されてい
る。このブラシ本体12はブラシアーム15の先端部に
回転可能な構成で配設されてる。
2を回転されるモータ(図示せず)が配設されており、
このモータによりブラシ11及びブラシ本体12は図中
反時計方向、即ち半導体基板14の回転方向と逆方向
(図中、矢印Bで示す方向)に回転付勢される構成とさ
れている。また、リンス液注入ノズル16からは、リン
ス液13として純水が半導体基板14の横方向から注入
される。また、ブラシアーム15は半導体基板14上で
移動可能な構成とされており、よって回転する半導体基
板14の全面に対して回転するブラシ11を当接させる
ことにより、半導体基板14上のパーティクルが除去さ
れる構成とされている。
ブラシアーム15の構造に注目し、以下詳述する。図2
(A)に示されるように、ブラシ11には回転中心側の
幅寸法W1が外周側の幅寸法W2に対して小さく(W1
<W2)設定された風車状形状の溝部17(ハッチング
で示す)が形成されている。
17は、深さが約2mm,外周側の幅寸法W2が約4m
m,回転中心側の幅寸法W1が約2mmとされており、
溝部17内にリンス液13が流入した際、その流速がブ
ラシ中心に近づくにつれて速くなるよう構成されてい
る。また、ブラシ11の中心部分には、リンス液排出配
管19の端部に設けられたリンス液排出孔18が開口し
ている。このリンス液排出孔18の径寸法は、例えば5
mmとされている。また、リンス液排出配管19は、図
2(B)に示されるように、ブラシ11の回転中心に沿
って配設されると共に、所定位置で折り曲げられてブラ
シアーム15に沿って延在するよう構成されている。
出孔18と異なる側の端部は、図示しない排出ポンプ
(吸引ポンプ)に接続されている。従って、この排出ポ
ンプが駆動することにより、ブラシ11の中央部に存在
するリンス液13をリンス液排出孔18から吸引するこ
とができ、よって半導体基板14上からリンス液13を
排出できる構成とされている。尚、本実施例では排出ポ
ンプの排気圧力は0.2気圧に設定した。
矢印B方向に回転(本実施例では、毎分60回転として
いる)するとブラシ11は半導体基板14上で回転し、
また半導体基板14も図中矢印A方向に回転(本実施例
では、毎分1000回転としている)している。このよ
うに、ブラシ11と半導体基板14とは高速で摺接する
ため、半導体基板14からパーティクル(塵埃)が剥離
する。
クルはリンス液13に混入し、その後はリンス液13と
挙動を同じくする。このように、リンス液13を用いる
ことにより、パーティクルの飛散を防止することができ
る。一方、ブラシアーム15は、半導体基板14の中心
部分から周辺部分に向かってのみ半導体基板14に触れ
るように構成されている。また、ブラシアーム15の移
動速度は毎秒1cmで、1枚のウェーハ当り3回、中心
部から周辺に向かって回転するブラシ11を半導体基板
14に摺接させるよう設定されている。
基板14上からリンス液13である純水の膜が切れない
ように、半導体基板14の中心に向かって毎分180m
lの純水を供給する。そして、ブラシ11が半導体基板
14上で回転することにより、半導体基板14に存在す
るリンス液13はブラシ11に形成された溝部17内に
進行する。前記したように、ブラシ11に形成された溝
部17は、回転中心側の幅寸法W1が外周側の幅寸法W
2に対して小さく設定された風車状形状とされている。
また、ブラシ11の回転方向は、リンス液13が回転中
心に集まる方向に回転方向が設定されている。
ルを含むリンス液13は、ブラシ11の回転中心位置、
即ちリンス液排出孔18の形成位置に収集効率良く集め
られることとなる。このように、ブラシ11(ブラシ本
体12)の回転中心位置に集められたリンス液13は、
リンス液排出孔18からリンス液排出配管19に吸引さ
れて排出される。従って、このリンス液13に含まれる
パーティクルも、リンス液13の排出処理と共に半導体
基板14上から排出される。
たれ、ブラシ11に付着したパーティクルが半導体基板
14上に再付着することを防止することができる。これ
により、半導体基板14に対し高い洗浄度を有した洗浄
処理を実施することができる。また上記のように、ブラ
シ11が常に清潔な状態に保たれることにより、ブラシ
11の交換周期を長くすることができ、よってブラシス
クラバ10の稼働効率を向上させることができる。
回転中心位置に形成すると共に、このリンス液排出孔1
8を有するリンス液排出配管19をブラシアーム15に
沿って配設する構成としたことにより、他の部位にリン
ス液排出孔18,リンス液排出配管19を設ける構成に
比べて、構造の簡単化を図ることができ、かつ確実にパ
ーティクルをブラシ11の回転中心から排出除去するこ
とができる。
リンス液注入ノズル16からリンス液13を供給する構
成とし、リンス液排出孔18よりリンス液13と共にパ
ーティクルを吸引して排出する構成としているため、半
導体基板14の洗浄により発生したパーティクルはリン
ス液13と共に排出されるため、半導体基板14にパー
ティクルが再付着することを確実に防止することができ
る。
中に発生した半導体基板14(ウェーハ)上に乗ってい
るパーティクル(塵埃)を取るためにブラシスクラバを
用いているが、ブラシスクラバはCMP処理の後に用い
ても良い。CMP処理はスラリーと呼ばれる微粒子の研
磨材を用いており、その研磨材を半導体基板上から完全
に除去するために、ブラシスクラバによる後処理を必ず
行う必要がある。その際、本発明の方法を用いると効果
が大きい。
べる各効果を実現することができる。請求項1記載の発
明によれば、基板に対し高い洗浄度を有した洗浄処理を
実施することができるため、パタンショート等の発生は
減少して基板の歩留りを向上させることができる。ま
た、ブラシの交換周期を長くすることができるるため、
ブラシスクラバの稼働率の向上を図ることができる。
ティクルの回転中心への収集効率を向上させることがで
き、基板に対しより高い洗浄度を有した洗浄処理を実施
することができる。また、請求項3記載の発明によれ
ば、簡単な構成で確実にパーティクルをブラシの回転中
心から排出除去することができる。
の洗浄により発生したパーティクルは、リンス液と共に
ブラシの回転中心に収集されて排出機構により排出され
るため、パーティクルの飛散は防止されて基板にパーテ
ィクルが再付着することをより確実に防止することがで
きる。
構成図である。
れるリンス液排出口を説明するための図である。
である。
Claims (4)
- 【請求項1】 基板上でブラシアームに支持されたブラ
シを回転させることにより、前記基板上のパーティクル
を除去する構成とされたブラシスクラバにおいて、 前記ブラシに、その回転に伴い前記パーティクルを回転
中心に向け収集する形状とされた溝部を形成すると共
に、 前記回転中心に収集された前記パーティクルを吸引して
排出する排出機構を設けたことを特徴とするブラシスク
ラバ。 - 【請求項2】 請求項1記載のブラシスクラバにおい
て、 前記溝部は、前記回転中心側の幅寸法が外周側の幅寸法
に対して小さく設定された風車状形状とされていること
を特徴とするブラシスクラバ。 - 【請求項3】 請求項1または2記載のブラシスクラバ
において、 前記排出機構は、 前記ブラシの回転中心位置に形成された排出孔と、 該排出孔に接続された排出ポンプとにより構成されるこ
とを特徴とするブラシスクラバ。 - 【請求項4】 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の
ブラシスクラバにおいて、 前記基板に対しリンス液を供給するリンス液供給手段を
設けると共に、 前記排出機構が前記リンス液と共に前記パーティクルを
吸引して排出する構成としたことを特徴とするブラシス
クラバ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9140443A JPH10335282A (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | ブラシスクラバ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9140443A JPH10335282A (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | ブラシスクラバ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10335282A true JPH10335282A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15268762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9140443A Pending JPH10335282A (ja) | 1997-05-29 | 1997-05-29 | ブラシスクラバ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10335282A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6295683B1 (en) * | 1999-12-09 | 2001-10-02 | United Microelectronics Corp. | Equipment for brushing the underside of a semiconductor wafer |
JP2010016098A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置 |
WO2010047119A1 (ja) * | 2008-10-23 | 2010-04-29 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体用基板の洗浄装置及び磁気記録媒体用基板の洗浄方法 |
KR101020332B1 (ko) * | 2009-02-04 | 2011-03-08 | 주식회사 엘지실트론 | 척 세척유니트 |
JP2017139442A (ja) * | 2016-02-01 | 2017-08-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法 |
US10985008B2 (en) | 2016-02-01 | 2021-04-20 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, substrate cleaning method and substrate processing method |
CN117878026A (zh) * | 2024-03-12 | 2024-04-12 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 硅片清洗设备及硅片清洗方法 |
-
1997
- 1997-05-29 JP JP9140443A patent/JPH10335282A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6295683B1 (en) * | 1999-12-09 | 2001-10-02 | United Microelectronics Corp. | Equipment for brushing the underside of a semiconductor wafer |
JP2010016098A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置 |
WO2010047119A1 (ja) * | 2008-10-23 | 2010-04-29 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体用基板の洗浄装置及び磁気記録媒体用基板の洗浄方法 |
JP2010102772A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体用基板の洗浄装置及び磁気記録媒体用基板の洗浄方法 |
KR101020332B1 (ko) * | 2009-02-04 | 2011-03-08 | 주식회사 엘지실트론 | 척 세척유니트 |
JP2017139442A (ja) * | 2016-02-01 | 2017-08-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法 |
US10985008B2 (en) | 2016-02-01 | 2021-04-20 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, substrate cleaning method and substrate processing method |
US11676811B2 (en) | 2016-02-01 | 2023-06-13 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, substrate cleaning method and substrate processing method |
CN117878026A (zh) * | 2024-03-12 | 2024-04-12 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 硅片清洗设备及硅片清洗方法 |
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