JP2017139442A - 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法 - Google Patents

基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法 Download PDF

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Abstract

【課題】基板の裏面に付着した異物を除去することが可能な基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法を提供する。【解決手段】回転保持ユニット２００においては、スピンプレート２１３に設けられた複数のチャックピン２２０により基板Ｗの外周端部が当接された状態で保持され、回転軸２１２の周りでスピンプレート２１３が回転される。洗浄ユニット３００においては、複数のチャックピン２２０により保持された基板Ｗの裏面にヘッド移動機構３１４により洗浄ヘッド３１１が押圧されつつ移動され、洗浄ヘッド３１１の研磨により基板Ｗの裏面の異物が除去される。洗浄ヘッド３１１により基板Ｗの裏面に加えられる荷重に抗する反力が補助ピン３３０により基板Ｗに発生する。あるいは、洗浄ヘッド３１１による洗浄後または洗浄中の基板Ｗの裏面が洗浄ブラシによりさらに洗浄される。【選択図】図５

Description

本発明は、基板の洗浄を行う基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法に関する。
半導体デバイス等の製造におけるリソグラフィ工程では、基板上にレジスト液等の塗布液が供給されることにより塗布膜が形成される。塗布膜が露光された後、現像されることにより、塗布膜に所定のパターンが形成される。塗布膜が露光される前の基板には、洗浄処理が行われる（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１には、洗浄乾燥処理ユニットを有する基板処理装置が記載されている。洗浄乾燥処理ユニットにおいては、スピンチャックにより基板が水平に保持された状態で回転される。この状態で、基板の表面に洗浄液が供給されることにより、基板の表面に付着する塵埃等が洗い流される。また、基板の裏面の全体および外周端部が洗浄液および洗浄ブラシで洗浄されることにより、基板の裏面の全体および外周端部に付着する汚染物が取り除かれる。
特開２００９−１２３８００号公報
近年、基板に形成されるパターンをより微細化することが望まれている。ここで、基板に異物が残存するとパターン形成の精度が低下する。そのため、基板に残存する異物を十分に除去することが好ましい。しかしながら、引用文献１に記載された洗浄乾燥処理ユニットでは、基板の裏面に強固に付着する異物、塗布液が基板の裏面に回り込んだことにより形成される塗布膜およびその塗布膜に混入した異物等を除去することは困難である。
本発明の目的は、基板の裏面に付着した異物を除去することが可能な基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法を提供することである。
（１）第１の発明に係る基板洗浄装置は、基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置であって、基板を保持して回転させる回転保持ユニットと、回転保持ユニットにより保持された基板の裏面を洗浄する洗浄ユニットとを備え、回転保持ユニットは、回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、基板の外周端部に当接して基板を保持可能に回転部材に設けられた複数の保持部材とを含み、洗浄ユニットは、研磨により基板の裏面の異物を除去可能に設けられた洗浄具と、洗浄具を複数の保持部材により保持された基板の裏面に押圧しつつ移動させる移動装置と、洗浄具により基板の裏面に加えられる荷重に抗する反力を基板に発生させる反力発生部とを含む。
この基板洗浄装置においては、回転保持ユニットにより保持および回転された基板の裏面が洗浄ユニットにより洗浄される。回転保持ユニットにおいては、回転部材に設けられた複数の保持部材により基板の外周端部が当接された状態で保持される。また、回転軸線の周りで回転部材が回転される。洗浄ユニットにおいては、回転保持ユニットの複数の保持部材により保持された基板の裏面に移動装置により洗浄具が押圧されつつ移動される。ここで、洗浄具により基板の裏面に加えられる荷重に抗する反力が反力発生部により基板に発生する。洗浄具の研磨により基板の裏面の異物が除去される。
この構成によれば、洗浄の際に洗浄具により基板の裏面に加重が加わる荷重は、反力発生部により発生する反力により抗される。そのため、洗浄具が基板の裏面に押圧されても、基板が撓むことが防止される。これにより、洗浄具を基板の裏面に対して均一に当接させることができ、基板の裏面に均一な荷重を付与して十分に洗浄することができる。その結果、基板の裏面に強固に付着する異物、塗布液が基板の裏面に回り込んだことにより形成される塗布膜およびその塗布膜に混入した異物等を確実に除去することができる。
（２）反力発生部は、基板の外周端部に当接するように回転部材に設けられた複数の当接部材を含み、複数の当接部材は、洗浄具により基板の裏面に荷重が加えられたときに基板の外周端部に荷重に抗する反力を発生させてもよい。この場合、簡単な構成で当接部材により基板の裏面に加わる荷重に抗する反力を発生させることができる。
（３）基板の外周端部は、被処理面側ベベル部、裏面側ベベル部および端面を有し、複数の当接部材の各々は、基板の被処理面側ベベル部に当接する当接面を有してもよい。この場合、基板の被処理面に形成された塗布膜を損傷させることなく簡単な構成で当接部材により基板の裏面に加わる荷重に抗する反力を発生させることができる。
（４）複数の保持部材は、基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板解放状態とに切替可能に設けられ、回転保持ユニットは、複数の保持部材を基板保持状態と基板解放状態とに切り替える保持部材切替部をさらに含み、複数の保持部材の各々は、回転部材の回転に伴い基板の外周端部に沿った第１の領域および第２の領域を通って回転軸線の周りで回転し、基板の裏面における周縁部を除く中心領域の洗浄時には、保持部材切替部は、複数の保持部材を基板保持状態にするとともに、移動装置は、中心領域における基板の裏面上で洗浄具を移動させ、基板の裏面における周縁部の洗浄時には、保持部材切替部は、回転部材の回転中に複数の保持部材のうち第１の領域に位置する保持部材を基板保持状態にし、複数の保持部材のうち第２の領域に位置する保持部材を基板解放状態にするとともに、移動装置は、周縁部における基板の裏面でかつ第２の領域上に洗浄具を移動させてもよい。
この場合、基板の裏面における周縁部の洗浄時には、第２の領域に位置する保持部材が基板の外周端部から離間する。それにより、保持部材と干渉することなく洗浄具を第２の領域に配置することができる。その結果、基板の裏面における周縁部を効率よく洗浄することができる。
（５）各当接部材は、基板の外周端部に当接する状態において隣り合う各２つの保持部材の間に配置されてもよい。この構成によれば、第２の領域において保持部材が基板の外周端部から離間した場合でも、当該保持部材に隣り合う２つの当接部材が基板の外周端部に当接する。これにより、基板の裏面における周縁部の洗浄の効率を維持しつつ基板の裏面に加わる荷重に抗する反力を発生させることができる。
（６）反力発生部は、基板の裏面を吸引可能に構成された吸引部を含み、吸引部は、洗浄具により基板の裏面に荷重が加えられたときに基板の裏面の吸引により荷重に抗する反力を発生させてもよい。この場合、基板の被処理面に形成された塗布膜を損傷させることなく基板の裏面に加わる荷重に抗する反力を発生させることができる。
（７）洗浄具は、基板の裏面に向かう研磨面を有するとともに、研磨面に開口を有し、吸引部は、洗浄具の開口を通して基板の裏面を吸引してもよい。この場合、簡単な構成で洗浄具により基板の裏面を吸引しつつ研磨することができる。
（８）吸引部は、洗浄具により除去された異物を吸引することにより排出可能に構成されてもよい。この場合、研磨により基板の裏面から除去された異物を外部に排出する作業が不要となる。これにより、洗浄の効率を向上させることができる。
（９）洗浄ユニットは、洗浄具による洗浄後または洗浄中の基板の裏面をさらに洗浄する洗浄ブラシをさらに含んでもよい。この場合、基板の裏面に付着した異なる種類の異物を適切に除去することができる。
（１０）第２の発明に係る基板洗浄装置は、基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置であって、基板を保持して回転させる回転保持ユニットと、回転保持ユニットにより保持された基板の裏面を洗浄する洗浄ユニットとを備え、回転保持ユニットは、回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、基板の外周端部に当接して基板を保持可能に回転部材に設けられた複数の保持部材とを含み、洗浄ユニットは、研磨により基板の裏面の異物を除去可能に設けられた洗浄具と、洗浄具を複数の保持部材により保持された基板の裏面に押圧しつつ移動させる移動装置と、洗浄具による洗浄後または洗浄中の基板の裏面をさらに洗浄する洗浄ブラシとを含む。
この基板洗浄装置においては、回転保持ユニットにより保持および回転された基板の裏面が洗浄ユニットにより洗浄される。回転保持ユニットにおいては、回転部材に設けられた複数の保持部材により基板の外周端部が当接された状態で保持される。また、回転軸線の周りで回転部材が回転される。洗浄ユニットにおいては、回転保持ユニットの複数の保持部材により保持された基板の裏面に移動装置により洗浄具が押圧されつつ移動される。洗浄具の研磨により基板の裏面の異物が除去される。洗浄具による洗浄後または洗浄中の基板の裏面が洗浄ブラシによりさらに洗浄される。
これにより、基板の裏面に強固に付着する異物、塗布液が基板の裏面に回り込んだことにより形成される塗布膜およびその塗布膜に混入した異物等を洗浄具の研磨により除去することができる。また、基板の裏面に付着した異なる種類の異物を洗浄具および洗浄ブラシにより適切に除去することができる。
（１１）洗浄ユニットは、洗浄具による洗浄後または洗浄中の基板の裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給部をさらに含んでもよい。この場合、簡単な構成で研磨により基板の裏面から除去された異物を外部に排出することができる。
（１２）第３の発明に係る基板処理装置は、塗布液を基板の被処理面に供給することにより被処理面に塗布膜を形成する膜形成ユニットと、膜形成ユニットにより基板の被処理面の周縁部に形成された塗布膜を除去する除去液を基板の周縁部に供給する除去ユニットと、除去ユニットにより被処理面の周縁部の塗布膜が除去された基板の裏面を洗浄する第１または第２の発明に係る基板洗浄装置とを備える。
この基板処理装置においては、塗布液が膜形成ユニットにより基板の被処理面に供給されることにより、基板の被処理面に塗布膜が形成される。また、除去液が除去ユニットにより基板の周縁部に供給されることにより、基板の被処理面の周縁部に形成された塗布膜が除去される。これにより、基板の周縁部を除く被処理面に塗布膜が形成される。
上記の基板洗浄装置においては、回転保持ユニットにより保持および回転された基板の裏面が洗浄ユニットにより洗浄される。回転保持ユニットにおいては、回転部材に設けられた複数の保持部材により基板の外周端部が当接された状態で保持される。また、回転軸線の周りで回転部材が回転される。洗浄ユニットにおいては、回転保持ユニットの複数の保持部材により保持された基板の裏面に移動装置により洗浄具が押圧されつつ移動される。洗浄具の研磨により基板の裏面の異物が除去される。
第１の発明に係る基板洗浄装置においては、洗浄具により基板の裏面に加えられる荷重に抗する反力が反力発生部により基板に発生する。すなわち、洗浄の際に洗浄具により基板の裏面に加重が加わる荷重は、反力発生部により発生する反力により抗される。そのため、洗浄具が基板の裏面に押圧されても、基板が撓むことが防止される。これにより、洗浄具を基板の裏面に対して均一に当接させることができ、基板の裏面に均一な荷重を付与して十分に洗浄することができる。その結果、基板の裏面に強固に付着する異物、塗布液が基板の裏面に回り込んだことにより形成される塗布膜およびその塗布膜に混入した異物等を確実に除去することができる。
第２の発明に係る基板洗浄装置においては、洗浄具の研磨により基板の裏面の異物が除去された後、基板の裏面が洗浄ブラシによりさらに洗浄される。これにより、基板の裏面に強固に付着する異物、塗布液が基板の裏面に回り込んだことにより形成される塗布膜およびその塗布膜に混入した異物等を洗浄具の研磨により除去することができる。また、基板の裏面に付着した異なる種類の異物を洗浄具および洗浄ブラシにより適切に除去することができる。
（１３）第４の発明に係る基板洗浄方法は、基板の裏面を洗浄する基板洗浄方法であって、回転保持ユニットにより基板を保持して回転させるステップと、回転保持ユニットにより保持された基板の裏面を洗浄ユニットにより洗浄するステップとを含み、基板を保持して回転させるステップは、回転部材に設けられた複数の保持部材により基板の外周端部を当接して保持することと、回転軸線の周りで回転部材を回転させることとを含み、洗浄するステップは、複数の保持部材により保持された基板の裏面に移動装置により洗浄具を押圧しつつ移動させることと、洗浄具による研磨により基板の裏面の異物を除去することと、洗浄具により基板の裏面に加えられる荷重に抗する反力を反力発生部により基板に発生させることとを含む。
この基板洗浄方法によれば、回転保持ユニットにより保持および回転された基板の裏面が洗浄ユニットにより洗浄される。回転保持ユニットにおいては、回転部材に設けられた複数の保持部材により基板の外周端部が当接された状態で保持される。また、回転軸線の周りで回転部材が回転される。洗浄ユニットにおいては、回転保持ユニットの複数の保持部材により保持された基板の裏面に移動装置により洗浄具が押圧されつつ移動される。ここで、洗浄具により基板の裏面に加えられる荷重に抗する反力が反力発生部により基板に発生する。洗浄具の研磨により基板の裏面の異物が除去される。
この方法によれば、洗浄の際に洗浄具により基板の裏面に加重が加わる荷重は、反力発生部により発生する反力により抗される。そのため、洗浄具が基板の裏面に押圧されても、基板が撓むことが防止される。これにより、洗浄具を基板の裏面に対して均一に当接させることができ、基板の裏面に均一な荷重を付与して十分に洗浄することができる。その結果、基板の裏面に強固に付着する異物、塗布液が基板の裏面に回り込んだことにより形成される塗布膜およびその塗布膜に混入した異物等を確実に除去することができる。
（１４）第５の発明に係る基板洗浄方法は、基板の裏面を洗浄する基板洗浄方法であって、回転保持ユニットにより基板を保持して回転させるステップと、回転保持ユニットにより保持された基板の裏面を洗浄ユニットにより洗浄するステップとを含み、基板を保持して回転させるステップは、回転部材に設けられた複数の保持部材により基板の外周端部を当接して保持することと、回転軸線の周りで回転部材を回転させることとを含み、洗浄するステップは、複数の保持部材により保持された基板の裏面に移動装置により洗浄具を押圧しつつ移動させることと、洗浄具による研磨により基板の裏面の異物を除去することと、洗浄具による洗浄後または洗浄中の基板の裏面を洗浄ブラシによりさらに洗浄することとを含む。
この基板洗浄方法によれば、回転保持ユニットにより保持および回転された基板の裏面が洗浄ユニットにより洗浄される。回転保持ユニットにおいては、回転部材に設けられた複数の保持部材により基板の外周端部が当接された状態で保持される。また、回転軸線の周りで回転部材が回転される。洗浄ユニットにおいては、回転保持ユニットの複数の保持部材により保持された基板の裏面に移動装置により洗浄具が押圧されつつ移動される。洗浄具の研磨により基板の裏面の異物が除去される。洗浄具による洗浄後または洗浄中の基板の裏面が洗浄ブラシによりさらに洗浄される。
これにより、基板の裏面に強固に付着する異物、塗布液が基板の裏面に回り込んだことにより形成される塗布膜およびその塗布膜に混入した異物等を洗浄具の研磨により除去することができる。また、基板の裏面に付着した異なる種類の異物を洗浄具および洗浄ブラシにより適切に除去することができる。
（１５）第６の発明に係る基板処理方法は、塗布液を基板の被処理面に供給することにより被処理面に塗布膜を形成するステップと、基板の被処理面の周縁部に形成された塗布膜を除去する除去液を基板の周縁部に供給するステップと、被処理面の周縁部の塗布膜が除去された基板の裏面を第４または第５の発明に係る基板洗浄方法を用いて洗浄するステップとを含む。
この基板処理方法によれば、塗布液が膜形成ユニットにより基板の被処理面に供給されることにより、基板の被処理面に塗布膜が形成される。また、除去液が除去ユニットにより基板の周縁部に供給されることにより、基板の被処理面の周縁部に形成された塗布膜が除去される。これにより、基板の周縁部を除く被処理面に塗布膜が形成される。
上記の基板洗浄方法によれば、回転保持ユニットにより保持および回転された基板の裏面が洗浄ユニットにより洗浄される。回転保持ユニットにおいては、回転部材に設けられた複数の保持部材により基板の外周端部が当接された状態で保持される。また、回転軸線の周りで回転部材が回転される。洗浄ユニットにおいては、回転保持ユニットの複数の保持部材により保持された基板の裏面に移動装置により洗浄具が押圧されつつ移動される。洗浄具の研磨により基板の裏面の異物が除去される。
第４の発明に係る基板洗浄方法によれば、洗浄具により基板の裏面に加えられる荷重に抗する反力が反力発生部により基板に発生する。すなわち、洗浄の際に洗浄具により基板の裏面に加重が加わる荷重は、反力発生部により発生する反力により抗される。そのため、洗浄具が基板の裏面に押圧されても、基板が撓むことが防止される。これにより、洗浄具を基板の裏面に対して均一に当接させることができ、基板の裏面に均一な荷重を付与して十分に洗浄することができる。その結果、基板の裏面に強固に付着する異物、塗布液が基板の裏面に回り込んだことにより形成される塗布膜およびその塗布膜に混入した異物等を確実に除去することができる。
第５の発明に係る基板洗浄方法によれば、洗浄具の研磨により基板の裏面の異物が除去された後、基板の裏面が洗浄ブラシによりさらに洗浄される。これにより、基板の裏面に強固に付着する異物、塗布液が基板の裏面に回り込んだことにより形成される塗布膜およびその塗布膜に混入した異物等を洗浄具の研磨により除去することができる。また、基板の裏面に付着した異なる種類の異物を洗浄具および洗浄ブラシにより適切に除去することができる。
本発明によれば、基板の裏面に付着した異物を除去することができる。
本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 図２の乾燥処理ユニットの構成を示す概略平面図である。 図３の洗浄乾燥処理ユニットの部分的なＡ−Ａ線断面図である。 図３の洗浄乾燥処理ユニットの部分的なＢ−Ｂ線断面図である。 基板の外周端部の拡大側面図である。 スピンチャックによる基板の保持動作を説明するための図である。 スピンチャックによる基板の保持動作を説明するための図である。 基板の表面洗浄処理について説明するための側面図である。 第１洗浄機構による基板の裏面洗浄処理について説明するための側面図である。 第１洗浄機構による基板の裏面洗浄処理について説明するための平面図である。 図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 搬送部の内部構成を示す模式的側面図である。 第１の変形例における洗浄乾燥処理ユニットの構成を示す側面図である。 第２洗浄機構による基板の裏面洗浄処理について説明するための側面図である。 第２洗浄機構による基板の外周端部洗浄処理について説明するための側面図である。 第２の変形例における洗浄乾燥処理ユニットの構成を示す模式的平面図である。 裏面洗浄処理時における図１７の洗浄乾燥処理ユニットの動作を示す模式的側面図である。 本発明の第２の実施の形態における洗浄乾燥処理ユニットの構成を示す部分的な縦断面図である。 図１９の洗浄乾燥処理ユニットにおける洗浄ヘッドの拡大側面図である。 基板洗浄装置を含む基板洗浄ユニットの模式的平面図である。
［１］第１の実施の形態
（１）基板処理装置
以下、本発明の第１の実施の形態に係る基板洗浄装置および基板処理装置について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。また、本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周端部を有する。例えば、位置決め用のノッチを除く外周端部が円形を有する。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１および以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、塗布ブロック１２、現像ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。
インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送機構１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
塗布ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４（図１３参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７，１２８（図１３参照）が設けられる。
現像ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５〜ＰＡＳＳ８（図１３参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７，１３８（図１３参照）が設けられる。
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。
搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図１３参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。
また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１３参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４３が設けられる。搬送機構１４３は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。
（２）塗布処理部および現像処理部
図２は、図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１の内部構成を示す模式的側面図である。図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１〜３４には、現像処理ユニット１３９が設けられる。
図１および図２に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、複数のスピンチャック２５、複数のカップ２７、複数の処理液ノズル２８、ノズル搬送機構２９および複数のエッジリンスノズル３０を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５、カップ２７およびエッジリンスノズル３０は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。
各スピンチャック２５は、基板Ｗを保持した状態で、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。カップ２７はスピンチャック２５の周囲を取り囲むように設けられる。
各処理液ノズル２８には、図示しない処理液貯留部から処理液配管を通して後述する種々の処理液が供給される。基板Ｗに処理液が供給されない待機時には、各処理液ノズル２８は待機位置に配置される。基板Ｗへの処理液の供給時には、待機位置に配置されたいずれかの処理液ノズル２８がノズル搬送機構２９により保持され、基板Ｗの上方に搬送される。
スピンチャック２５が回転しつつ処理液ノズル２８から処理液が吐出されることにより、回転する基板Ｗ上に処理液が塗布される。また、スピンチャック２５が回転しつつエッジリンスノズル３０から回転する基板Ｗの周縁部に向けてリンス液が吐出されることにより、基板Ｗに塗布された処理液の周縁部が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部の処理液が除去される。ここで、基板Ｗの周縁部とは、基板Ｗの表面において基板Ｗの外周端部に沿った一定幅の領域をいう。
本実施の形態においては、図２の塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９において、反射防止膜用の処理液（反射防止液）が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９において、レジスト膜用の処理液（レジスト液）が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。
図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、複数のスピンチャック３５および複数のカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそれらのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。
現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。スリットノズル３８が移動しつつ回転する各基板Ｗに現像液を供給する。これにより、基板Ｗの現像処理が行われる。
洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。以下、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の構成について説明する。
（３）洗浄乾燥処理ユニットの構成
図３は、図２の乾燥処理ユニットＳＤ１の構成を示す概略平面図である。図４は、図３の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の部分的なＡ−Ａ線断面図である。図５は、図３の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の部分的なＢ−Ｂ線断面図である。図６（ａ），（ｂ）は、基板Ｗの外周端部の拡大側面図である。図６（ａ）に示すように、基板Ｗの外周端部１０は、被処理面側のベベル部１、裏面側のベベル部２および端面３を含む。基板Ｗの被処理面の周縁部ＰＥを除く領域には、塗布膜としてレジスト膜Ｒが形成されている。
図３〜図５に示すように、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１は、回転保持ユニット２００および洗浄ユニット３００を含む。回転保持ユニット２００は、スピンチャック２１０、複数のチャックピン２２０、切替部２３０、ガード機構２４０および複数の受け渡し機構２５０を含む。スピンチャック２１０は、基板Ｗを水平に保持して回転させるように構成され、スピンモータ２１１、回転軸２１２、スピンプレート２１３およびプレート支持部材２１４を含む。
スピンモータ２１１は、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の上部に設けられ、図示しない支持部材により支持される。回転軸２１２は、スピンモータ２１１から下方に延びるように設けられる。プレート支持部材２１４は、回転軸２１２の下端部に取り付けられる。スピンプレート２１３は円板状を有し、プレート支持部材２１４により水平に支持される。スピンモータ２１１により回転軸２１２が回転することにより、スピンプレート２１３が鉛直軸の周りで回転する。
スピンモータ２１１、回転軸２１２およびプレート支持部材２１４には、液供給管２１５が挿通されている。液供給管２１５を通して、スピンチャック２１０により保持される基板Ｗ上に洗浄液を供給することができる。洗浄液としては、例えば純水が用いられる。
複数のチャックピン２２０は、回転軸２１２に関して等角度間隔でスピンプレート２１３の周縁部に設けられる。本例では、８つのチャックピン２２０が、回転軸２１２に関して４５度間隔でスピンプレート２１３の周縁部に設けられる。各チャックピン２２０は、軸部２２１、ピン支持部２２２、保持部２２３およびマグネット２２４を含む。
軸部２２１は、スピンプレート２１３を垂直方向に貫通するように設けられる。ピン支持部２２２は、軸部２２１の下端部から水平方向に延びるように設けられる。保持部２２３は、ピン支持部２２２の先端部から下方に突出するように設けられる。また、スピンプレート２１３の上面側において、軸部２２１の上端部にマグネット２２４が取り付けられている。
各チャックピン２２０は、軸部２２１を中心に鉛直軸の周りで回転可能であり、保持部２２３が基板Ｗの外周端部１０に当接する閉状態と、保持部２２３が基板Ｗの外周端部１０から離間する開状態とに切替可能である。なお、本例では、マグネット２２４のＮ極が内側にある場合に各チャックピン２２０が閉状態となり、マグネット２２４のＳ極が内側にある場合に各チャックピン２２０が開状態となる。また、閉状態においては、保持部２２３は、基板Ｗのベベル部１，２に当接する。
切替部２３０は、マグネットプレート２３１，２３２およびマグネット昇降機構２３３，２３４を含む。マグネットプレート２３１，２３２は、回転軸２１２を中心とする周方向に沿ってスピンプレート２１３の上方に配置される。マグネットプレート２３１，２３２は、外側にＳ極を有し、内側にＮ極を有する。マグネット昇降機構２３３，２３４は、マグネットプレート２３１，２３２をそれぞれ昇降させる。これにより、マグネットプレート２３１，２３２は、チャックピン２２０のマグネット２２４よりも高い上方位置とチャックピン２２０のマグネット２２４とほぼ等しい高さの下方位置との間で独立に移動可能である。
マグネットプレート２３１，２３２の昇降により、各チャックピン２２０が開状態と閉状態とに切り替えられる。マグネットプレート２３１，２３２およびチャックピン２２０の動作の詳細については後述する。
ガード機構２４０は、ガード２４１およびガード昇降機構２４２を含む。ガード２４１は、スピンチャック２１０の回転軸２１２に関して回転対称な形状を有し、スピンチャック２１０の外方に設けられる。ガード昇降機構２４２は、ガード２４１を昇降させる。ガード２４１は、基板Ｗから飛散する洗浄液を受け止める。ガード２４１により受け止められた洗浄液は、図示しない排液装置または回収装置により排液または回収される。
複数の（本例では３つ）の受け渡し機構２５０は、スピンチャック２１０の回転軸２１２を中心として等角度間隔でガード２４１の外方に配置される。各受け渡し機構２５０は、昇降回転駆動部２５１、回転軸２５２、アーム２５３および保持ピン２５４を含む。
回転軸２５２は、昇降回転駆動部２５１から上方に延びるように設けられる。アーム２５３は、回転軸２５２の上端部から水平方向に延びるように設けられる。保持ピン２５４は、基板Ｗの外周端部１０を保持可能にアーム２５３の先端部に設けられる。昇降回転駆動部２５１により、回転軸２５２が昇降動作および回転動作を行う。それにより、保持ピン２５４が水平方向および上下方向に移動する。
洗浄ユニット３００は、第１洗浄機構３１０および複数の補助ピン３３０を含む。本実施の形態においては、第１洗浄機構３１０は、回転保持ユニット２００のスピンチャック２１０により保持された基板Ｗの裏面を洗浄可能に洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の下部に配置される。第１洗浄機構３１０は、洗浄ヘッド３１１、ヘッド保持部材３１２、洗浄ノズル３１３およびヘッド移動機構３１４を含む。
洗浄ヘッド３１１は、略円柱形状を有し、例えば砥粒が分散されたＰＶＡ（ポリビニールアルコール）スポンジにより形成される。洗浄ヘッド３１１は、基板Ｗの裏面を研磨する研磨面３１１ａ有し、研磨面３１１ａが上方を向くようにヘッド保持部材３１２により保持される。また、洗浄ヘッド３１１の近傍におけるヘッド保持部材３１２の部分には洗浄ノズル３１３が取り付けられる。洗浄ノズル３１３には、洗浄液が供給される液供給管（図示せず）が接続される。洗浄液は、例えば純水である。洗浄ノズル３１３の吐出口は洗浄ヘッド３１１の研磨面３１１ａ周辺に向けられる。
ヘッド移動機構３１４は、洗浄ヘッド３１１の研磨面３１１ａにより基板Ｗの裏面に荷重Ｐ１（図６（ｂ））を加えつつヘッド保持部材３１２を移動させる。これにより、洗浄ヘッド３１１が水平方向および鉛直方向に移動する。洗浄ヘッド３１１は、スピンチャック２１０により保持された基板Ｗの裏面を研磨することにより洗浄する。基板Ｗの洗浄後、洗浄ノズル３１３の吐出口から洗浄ノズル３１３の上端部周辺に向けて洗浄液が吐出されることにより、パーティクルが除去される。
複数の補助ピン３３０は、回転保持ユニット２００の回転軸２１２に関して等角度間隔でスピンプレート２１３の周縁部に設けられる。本例では、８つの補助ピン３３０が、回転軸２１２に関して４５度間隔でスピンプレート２１３の周縁部に設けられる。各補助ピン３３０は、隣り合う２つのチャックピン２２０の中間の位置において、スピンプレート２１３を垂直方向に貫通するように配置される。各チャックピン２２０が閉状態となり、保持部２２３が基板Ｗのベベル部１，２（図６（ａ））に当接している状態において、各補助ピン３３０の下部は基板Ｗのベベル部１に当接する。
具体的には、図６（ｂ）に示すように、補助ピン３３０は、外周面３３１、下面３３２および傾斜面３３３を含む。外周面３３１は円柱形状を有し、下面３３２は水平形状を有する。傾斜面３３３は、外周面３３１と下面３３２とを接続するようにテーパ状に形成される。すなわち、補助ピン３３０の下部は円錐台形状を有する。補助ピン３３０の傾斜面３３３は、基板Ｗのベベル部１に当接する。補助ピン３３０は、洗浄ヘッド３１１の研磨面３１１ａにより基板Ｗの裏面に加えられる荷重Ｐ１に抗する反力Ｐ２を基板Ｗに発生させる。
本実施の形態においては、補助ピン３３０は、下面３３２が基板Ｗよりも下方に突出しない状態で基板Ｗのベベル部１に当接するが、本発明はこれに限定されない。補助ピン３３０は、下面３３２が基板Ｗよりも下方に突出した状態で基板Ｗのベベル部１に当接してもよい。この場合、補助ピン３３０の傾斜面３３３が水平面に対して成す角度が例えば４５度よりも小さいことが好ましい。この構成によれば、補助ピン３３０の下面３３２が基板Ｗの外周端部１０から十分に離間するので、洗浄ヘッド３１１の研磨面３１１ａが補助ピン３３０の下面３３２に接触しにくくなる。
（４）洗浄乾燥処理ユニットの動作
図７および図８は、スピンチャック２１０による基板Ｗの保持動作を説明するための図である。まず、図７（ａ）に示すように、ガード２４１がチャックピン２２０よりも低い位置に移動する。そして、複数の受け渡し機構２５０（図３）の保持ピン２５４がガード２４１の上方を通ってスピンプレート２１３の下方に移動する。複数の保持ピン２５４上に搬送機構１４１（図１）により基板Ｗが載置される。
このとき、マグネットプレート２３１，２３２は上方位置にある。この場合、マグネットプレート２３１，２３２の磁力線Ｂは、チャックピン２２０のマグネット２２４の高さにおいて内側から外側に向かう。それにより、各チャックピン２２０のマグネット２２４のＳ極が内側に吸引される。したがって、各チャックピン２２０は開状態となる。
次に、図７（ｂ）に示すように、複数の保持ピン２５４が基板Ｗを保持した状態で上昇する。これにより、基板Ｗが、複数のチャックピン２２０の保持部２２３間に移動する。また、基板Ｗのベベル部１（図６（ａ））は、複数の補助ピン３３０の傾斜面３３３（図６（ｂ））に当接する。
続いて、図８（ａ）に示すように、マグネットプレート２３１，２３２が下方位置に移動する。この場合、各チャックピン２２０のマグネット２２４のＮ極が内側に吸引され、各チャックピン２２０が閉状態となる。それにより、基板Ｗのベベル部１が複数の補助ピン３３０の傾斜面３３３に当接した状態で、各チャックピン２２０の保持部２２３により基板Ｗのベベル部１，２が保持される。なお、各チャックピン２２０は、隣接する保持ピン２５４間で基板Ｗのベベル部１，２を保持する。そのため、チャックピン２２０と保持ピン２５４とは互いに干渉しない。その後、複数の保持ピン２５４がガード２４１の外方に移動する。
その後、図８（ｂ）に示すように、ガード２４１がチャックピン２２０により保持される基板Ｗを取り囲む高さに移動する。そして、基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理が順に行われる。洗浄処理は、基板Ｗの表面（上面）を洗浄する表面洗浄処理および基板の裏面（下面）を洗浄する裏面洗浄処理を含む。表面洗浄処理と裏面洗浄処理とは、いずれが先に行われてもよいし、同時に行われてもよい。
図９は、基板Ｗの表面洗浄処理について説明するための側面図である。図９に示すように、基板Ｗの表面洗浄処理時には、スピンチャック２１０により基板Ｗが回転する状態で、液供給管２１５を通して基板Ｗの表面に洗浄液が供給される。洗浄液は遠心力によって基板Ｗの表面の全体に広がり、外方に飛散する。これにより、基板Ｗの表面に付着する塵埃等が洗い流される。
図１０（ａ），（ｂ）は、第１洗浄機構３１０による基板Ｗの裏面洗浄処理について説明するための側面図である。図１１は、第１洗浄機構３１０による基板Ｗの裏面洗浄処理について説明するための平面図である。基板Ｗの裏面洗浄処理においては、基板Ｗの中心部の裏面洗浄処理と基板Ｗの周縁部の裏面洗浄処理とが順次行われる。ここで、基板Ｗの裏面の周縁部とは、基板Ｗのベベル部２（図６（ａ））から所定の幅だけ内側までの領域を意味し、その幅は洗浄ヘッド３１１の研磨面３１１ａ（図６（ｂ））の径よりも小さい。中心部の裏面洗浄処理と基板Ｗの周縁部の裏面洗浄処理とは、いずれが先に行われてもよい。
基板Ｗの中心部の裏面洗浄処理時には、図１０（ａ）に示すように、スピンチャック２１０により基板Ｗが回転する状態で、洗浄ヘッド３１１が基板Ｗの中心部の下方に移動する。そして、洗浄ヘッド３１１の研磨面３１１ａにより基板Ｗの裏面に荷重Ｐ１が加えられた状態で、洗浄ヘッド３１１が基板Ｗの中心部を移動する。これにより、基板Ｗの裏面の中心部が洗浄ヘッド３１１により研磨され、基板Ｗの裏面に付着する異物が除去される。また、洗浄ノズル３１３から基板Ｗの裏面と洗浄ヘッド３１１の研磨面３１１ａとの接触部分に洗浄液が供給されることにより、パーティクルが除去される。
基板Ｗの周縁部の裏面洗浄処理時には、図１０（ｂ）に示すように、マグネットプレート２３１が下方位置に配置され、マグネットプレート２３２が上方位置に配置される。この状態で、スピンチャック２１０により基板Ｗが回転する。
この場合、図１１に示すように、マグネットプレート２３１の外方領域Ｒ１においては各チャックピン２２０が閉状態となり、マグネットプレート２３２の外方領域Ｒ２においては各チャックピン２２０が開状態となる。すなわち、各チャックピン２２０の保持部２２３は、マグネットプレート２３１の外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部１０に接触した状態で維持され、マグネットプレート２３２の外方領域Ｒ２を通過する際に基板Ｗの外周端部１０から離間する。
本例では、８つのチャックピン２２０のうちの少なくとも７つのチャックピン２２０がマグネットプレート２３１の外方領域Ｒ１に位置する。この場合、少なくとも７つのチャックピン２２０により基板Ｗが保持される。それにより、基板Ｗの安定性が確保される。また、８つの補助ピン３３０の傾斜面３３３（図６（ｂ））は、マグネットプレート２３２が上方位置に配置された場合でも、基板Ｗのベベル部１に上方から当接する。
この状態で、洗浄ヘッド３１１が、外方領域Ｒ２における基板Ｗの裏面の周縁部に移動する。そして、洗浄ヘッド３１１の研磨面３１１ａにより基板Ｗの裏面の周縁部に荷重Ｐ１が加えられる。これにより、基板Ｗの裏面の周縁部が洗浄ヘッド３１１により研磨され、基板Ｗの裏面に付着する異物が除去される。また、洗浄ノズル３１３から基板Ｗの裏面と洗浄ヘッド３１１の研磨面３１１ａとの接触部分に洗浄液が供給されることにより、パーティクルが除去される。
このように、周縁部の裏面洗浄処理時においては、各チャックピン２２０の保持部２２３がマグネットプレート２３１の外方領域Ｒ１を通過する際に基板Ｗの外周端部１０から離間する。これにより、洗浄ヘッド３１１は、チャックピン２２０と干渉することなく基板Ｗの裏面の周縁部を効率よくかつ十分に洗浄することができる。
ここで、外方領域Ｒ１において、いずれかのチャックピン２２０が基板Ｗの外周端部１０から離間したときには、当該チャックピン２２０の近傍の基板Ｗの外周端部１０はチャックピン２２０により保持されていない。このような状態でも、当該チャックピン２２０に隣り合う２つの補助ピン３３０は基板Ｗのベベル部１に当接し、荷重Ｐ１に抗する反力Ｐ２を基板Ｗに発生させる。そのため、洗浄ヘッド３１１により荷重Ｐ１が加えられた際の基板Ｗの撓みが防止される。これにより、基板Ｗの裏面の中心部と周縁部とに付与する荷重Ｐ１を均一に維持しつつ基板Ｗの裏面の全体を十分に洗浄することができる。
上記の表面洗浄処理および裏面洗浄処理の後には、基板Ｗの乾燥処理が行われる。この場合、マグネットプレート２３１，２３２が下方位置に配置され、全てのチャックピン２２０により基板Ｗが保持される。この状態で、スピンチャック２１０により基板Ｗが高速で回転する。それにより、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。
なお、基板Ｗの乾燥処理時に、液供給管２１５を通して基板Ｗに不活性ガス（例えば窒素ガス）またはエア（空気）等の気体を供給してもよい。その場合、スピンプレート２１３と基板Ｗとの間に形成される気流によって基板Ｗ上の洗浄液が外方に吹き飛ばされる。それにより、基板Ｗを効率よく乾燥させることができる。
（５）熱処理部
図１２は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の内部構成を示す模式的側面図である。図１２に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部１０１および下方に設けられる下段熱処理部１０２を有する。上段熱処理部１０１および下段熱処理部１０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
熱処理部１２３の最上部には、ローカルコントローラＬＣ１が設けられる。ローカルコントローラＬＣ１は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３の動作を制御する。
熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部１０３および下方に設けられる下段熱処理部１０４を有する。上段熱処理部１０３および下段熱処理部１０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。上段熱処理部１０３および下段熱処理部１０４の熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。
熱処理部１３３の最上部には、ローカルコントローラＬＣ２が設けられる。ローカルコントローラＬＣ２は、図１のメインコントローラ１１４からの指令に基づいて、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３の動作を制御する。
エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。これにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。その結果、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。
洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２は、第１洗浄機構３１０を有さず、後述する第１の変形例（図１４）における第２洗浄機構３２０を有する点を除き、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１と同様の構成を有する。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
（６）搬送部
図１３は、搬送部１２２，１３２，１６３の内部構成を示す模式的側面図である。図１３に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。
塗布処理室２１，２２（図２）と上段熱処理部１０１（図１２）とは上段搬送室１２５を挟んで対向し、塗布処理室２３，２４（図２）と下段熱処理部１０２（図１２）とは下段搬送室１２６を挟んで対向する。現像処理室３１，３２（図２）と上段熱処理部１０３（図１２）とは上段搬送室１３５を挟んで対向し、現像処理室３３，３４（図２）と下段熱処理部１０４（図１２）とは下段搬送室１３６を挟んで対向する。
搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４３による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。
基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、塗布ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。
基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、塗布ブロック１２から現像ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、現像ブロック１３から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、現像ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。
搬送機構１２７は、塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図１３）および上段熱処理部１０１（図１２）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送機構１２８は、塗布処理室２３，２４（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図１３）および下段熱処理部１０２（図１２）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。
搬送機構１３７は、現像処理室３１，３２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図１３）、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図１３）および上段熱処理部１０３（図１２）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。搬送機構１３８は、現像処理室３３，３４（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図１３）、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図１３）および下段熱処理部１０４（図１２）に対して基板Ｗの受け渡しを行う。
（７）基板処理
図１、図２、図１２および図１３を参照しながら基板処理を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３（図１）が載置される。搬送機構１１５（図１）は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図１３）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図１３）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
塗布ブロック１２において、搬送機構１２７（図１３）は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図１２）、冷却ユニットＣＰ（図１２）および塗布処理室２２（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２７は、塗布処理室２２の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）、冷却ユニットＣＰ（図１２）、塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図１３）に順に搬送する。
この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図１３）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図１３）に搬送する。
搬送機構１２８（図１３）は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された未処理の基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図１２）、冷却ユニットＣＰ（図１２）および塗布処理室２４（図２）に順に搬送する。次に、搬送機構１２８は、塗布処理室２４の基板Ｗを、熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）、冷却ユニットＣＰ（図１２）、塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図１３）に順に搬送する。
また、搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図１３）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図１３）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図１２）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図１２）における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
現像ブロック１３において、搬送機構１３７（図１３）は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図１３）に搬送する。
また、搬送機構１３７は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３７は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図１２）、現像処理室３１，３２（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図１３）に順に搬送する。
この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。
搬送機構１３８（図１３）は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図１３）に搬送する。
また、搬送機構１３８は、インターフェイスブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図１２）、現像処理室３３，３４（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図１３）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図１３）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図２）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１３）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて露光装置１５（図１）による露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図１３）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図１２）および上段熱処理部３０３または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４３（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図１３）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５に搬送する。また、搬送機構１４３（図１）は、露光装置１５から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図１３）に搬送する。
（８）効果
本実施の形態においては、基板Ｗの裏面洗浄処理の際に洗浄ヘッド３１１により基板Ｗの裏面に加重が加わる荷重Ｐ１は、複数の補助ピン３３０により発生する反力Ｐ２により抗される。そのため、洗浄ヘッド３１１が基板Ｗの裏面に押圧されても、基板Ｗが撓むことが防止される。これにより、洗浄ヘッド３１１の研磨面３１１ａを基板Ｗの裏面に対して均一に当接させることができ、基板Ｗの裏面に均一な荷重Ｐ１を付与して十分に洗浄することができる。その結果、基板Ｗの裏面に強固に付着する異物、塗布液が基板Ｗの裏面に回り込んだことにより形成される塗布膜およびその塗布膜に混入した異物等を確実に除去することができる。
また、本実施の形態においては、補助ピン３３０の傾斜面３３３が基板Ｗの被処理面側のベベル部１に当接するので、基板Ｗの被処理面に形成されたレジスト膜Ｒを損傷させることなく基板Ｗの裏面に加わる荷重Ｐ１に抗する反力Ｐ２を発生させることができる。
（９）第１の変形例
図１４は、第１の変形例における洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の構成を示す側面図である。第１の変形例における洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１は、洗浄ユニット３００が第１洗浄機構３１０に加えて第２洗浄機構３２０をさらに含む点を除き、図４の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１と同様の構成を有する。図１４に示すように、第２洗浄機構３２０は、洗浄ブラシ３２１、ブラシ保持部材３２２、洗浄ノズル３２３およびブラシ移動機構３２４を含む。
洗浄ブラシ３２１は、略円柱形状を有し、例えばスポンジにより形成される。洗浄ブラシ３２１は、ブラシ保持部材３２２により保持される。洗浄ブラシ３２１の外周面には、断面Ｖ字状の溝３２１ａが形成される。洗浄ノズル３２３には、洗浄液が供給される液供給管（図示せず）が接続される。洗浄ノズル３２３の吐出口は洗浄ブラシ３２１の上端部周辺に向けられる。ブラシ移動機構３２４は、ブラシ保持部材３２２を移動させる。これにより、洗浄ブラシ３２１が水平方向および鉛直方向に移動する。
洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の第１の変形例においては、第１洗浄機構３１０による裏面洗浄処理が行われた後、乾燥処理が行われる前に第２洗浄機構３２０による裏面洗浄処理および外周端部洗浄処理が順次行われる。図１５は、第２洗浄機構３２０による基板Ｗの裏面洗浄処理について説明するための側面図である。
図１５に示すように、基板Ｗの裏面洗浄処理時には、スピンチャック２１０により基板Ｗが回転する状態で、洗浄ブラシ３２１が基板Ｗの下方に移動する。そして、洗浄ブラシ３２１の上面と基板Ｗの裏面とが接触する状態で、洗浄ブラシ３２１が基板Ｗの裏面の中心部と周縁部との間で移動する。基板Ｗと洗浄ブラシ３２１との接触部分には、洗浄ノズル３２３から洗浄液が供給される。これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ３２１により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。
図１６は、第２洗浄機構３２０による基板Ｗの外周端部洗浄処理について説明するための側面図である。図１６に示すように、基板Ｗの外周端部洗浄処理時には、マグネットプレート２３１が下方位置に配置され、マグネットプレート２３２が上方位置に配置される。この状態で、スピンチャック２１０により基板Ｗが回転する。この場合、図１０（ｂ）における第１洗浄機構３１０による基板Ｗの周縁部の裏面洗浄処理と同様に、マグネットプレート２３１の外方領域Ｒ１においては各チャックピン２２０が閉状態となり、マグネットプレート２３２の外方領域Ｒ２においては各チャックピン２２０が開状態となる。
この状態で、洗浄ブラシ３２１が、外方領域Ｒ２においてチャックピン２２０の保持部２２３と基板Ｗの外周端部１０との間に移動する。そして、洗浄ブラシ３２１の溝３２１ａが、基板Ｗの外周端部１０に押し当てられる。洗浄ブラシ３２１と基板Ｗとの接触部分には、洗浄ノズル３２３から洗浄液が供給される。これにより、基板Ｗの外周端部１０の全体が洗浄され、基板Ｗの外周端部１０に付着する汚染物が取り除かれる。
図１５の第２洗浄機構３２０による基板Ｗの裏面洗浄処理は、図１０（ａ）の第１洗浄機構３１０による基板Ｗの中心部の裏面洗浄処理の後に連続的に行われてもよい。また、図１６の第２洗浄機構３２０による基板Ｗの外周端部洗浄処理は、図１０（ｂ）の第１洗浄機構３１０による基板Ｗの周縁部の裏面洗浄処理の後に連続的に行われてもよい。
このように、第１の変形例に係る洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、第１洗浄機構３１０および第２洗浄機構３２０により基板Ｗの表面、裏面および外周端部１０が洗浄される。これにより、基板Ｗに付着した異なる種類の異物を適切に除去することができる。また、この構成においては、第１洗浄機構３１０に洗浄ノズル３１３が設けられなくてもよい。
図５または図１４の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、洗浄ユニット３００は１つの第１洗浄機構３１０を含むが、本発明はこれに限定されない。洗浄ユニット３００は、洗浄ヘッド３１１の研磨面３１１ａの粗さが互いに異なる複数の第１洗浄機構３１０を含んでもよい。この場合、研磨面３１１ａが粗い洗浄ヘッド３１１を含む一の第１洗浄機構３１０により基板Ｗが洗浄された後、研磨面３１１ａが細かい（滑らかな）洗浄ヘッド３１１を含む他の第１洗浄機構３１０により基板Ｗが洗浄される。これにより、基板Ｗに付着した異なる種類の異物をより適切に除去することができる。
また、図１４の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、洗浄ユニット３００は１つの第２洗浄機構３２０を含むが、本発明はこれに限定されない。洗浄ユニット３００は、複数の第２洗浄機構３２０を含んでもよい。この場合、一の第２洗浄機構３２０により基板Ｗの裏面を洗浄し、他の第２洗浄機構３２０により基板Ｗの外周端部１０を洗浄することが可能である。これにより、裏面洗浄処理と外周端部洗浄処理とを同時に行うことができる。
第１の変形例における洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、ヘッド移動機構３１４とブラシ移動機構３２４とが共通の移動機構により実現されてもよい。また、上記の例のように、洗浄ユニット３００に第１洗浄機構３１０または第２洗浄機構３２０が複数設けられる場合には、複数のヘッド移動機構３１４およびブラシ移動機構３２４の一部または全部が共通の移動機構により実現されてもよい。
（１０）第２の変形例
第１の変形例における洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、第１洗浄機構３１０による裏面洗浄処理が終了した後に第２洗浄機構３２０による裏面洗浄処理が行われるが、本発明はこれに限定されない。第１洗浄機構３１０による裏面洗浄処理が終了する前に第２洗浄機構３２０による裏面洗浄処理が行われてもよい。図１７は、第２の変形例における洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の構成を示す模式的平面図である。図１７においては、チャックピン２２０および補助ピン３３０の図示が省略されている。
図１７に示すように、第１洗浄機構３１０は、裏面洗浄処理を行わないときには、回転保持ユニット２００の一側方でかつ基板Ｗの下方において、一方向に延びる状態で待機する。洗浄ヘッド３１１は、ヘッド保持部材３１２の一端部に取り付けられる。第１洗浄機構３１０の待機時に洗浄ヘッド３１１が配置される位置をヘッド待機位置ｐ１と呼ぶ。図１７では、ヘッド待機位置ｐ１が二点鎖線で示される。
第１洗浄機構３１０による裏面洗浄処理が行われる際には、ヘッド保持部材３１２の他端部における中心軸３１２ａを基準としてヘッド保持部材３１２が回転する。それにより、基板Ｗよりも下方の高さで、図１７に太い矢印ａ１で示すように、洗浄ヘッド３１１がスピンチャック２００により保持される基板Ｗの中心に対向する位置とヘッド待機位置ｐ１との間を移動する。また、洗浄ヘッド３１１の研磨面３１１ａが基板Ｗの裏面に接触するように、ヘッド保持部材３１２の高さが調整される。
第２洗浄機構３２０は、裏面洗浄処理を行わないときには、回転保持ユニット２００の他側方でかつ基板Ｗの下方において、一方向に延びる状態で待機する。洗浄ブラシ３２１は、ブラシ保持部材３２２の一端部に取り付けられる。第２洗浄機構３２０の待機時に洗浄ブラシ３２１が配置される位置をブラシ待機位置ｐ２と呼ぶ。図１７では、ブラシ待機位置ｐ２が二点鎖線で示される。
洗浄ブラシ３２１による裏面洗浄処理が行われる際には、ブラシ保持部材３２２の他端部における中心軸３２２ａを基準としてブラシ保持部材３２２が回転する。それにより、基板Ｗよりも下方の高さで、図１７に太い矢印ａ２で示すように、洗浄ブラシ３２１がスピンチャック２００により保持される基板Ｗの中心に対向する位置とブラシ待機位置ｐ２との間を移動する。また、洗浄ブラシ３２１の上面が基板Ｗの裏面に接触するように、ブラシ保持部材３２２の高さが調整される。
ここで、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、ヘッド保持部材３１２とブラシ保持部材３２２とが同時に回転した場合、ヘッド保持部材３１２とブラシ保持部材３２２とが干渉する可能性のある領域が干渉領域ｉｆとして定義される。干渉領域ｉｆは、回転によるヘッド保持部材３１２の軌跡と回転によるブラシ保持部材３２２の軌跡との重複領域である。
図１８（ａ）〜（ｃ）は、裏面洗浄処理時における図１７の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の動作を示す模式的側面図である。図１８においては、回転保持ユニット２００および補助ピン３３０の図示が省略されている。
裏面洗浄処理の開始時には、図１７の回転保持ユニット２００により保持された基板Ｗが予め定められた速度で回転する。また、第１洗浄機構３１０の洗浄ヘッド３１１および第２洗浄機構３２０の洗浄ブラシ３２１は、基板Ｗよりも下方の高さでそれぞれヘッド待機位置ｐ１およびブラシ待機位置ｐ２に位置する。
次に、図１８（ａ）に一点鎖線の矢印で示すように、洗浄ヘッド３１１が基板Ｗの中心の下方まで移動した後、上昇することにより研磨面３１１ａが基板Ｗの裏面に接触する。これにより、基板Ｗの裏面の中心が洗浄ヘッド３１１により研磨される。
その後、図１８（ｂ）に一点鎖線の矢印で示すように、洗浄ヘッド３１１が基板Ｗの外周端部上まで移動する。これにより、基板Ｗの裏面が中心から外周端部に向かって研磨される。基板Ｗの研磨中には、図１７の洗浄ノズル３１３から基板Ｗに洗浄液が供給される。そのため、研磨により基板Ｗの裏面から剥ぎ取られる汚染物が洗浄液により洗い流される。
ヘッド保持部材３１２が干渉領域ｉｆ外まで移動すると、図１８（ｂ）に二点鎖線の矢印で示すように、洗浄ブラシ３２１が基板Ｗの中心の下方まで移動した後、上昇することにより上面が基板Ｗの裏面に接触する。これにより、基板Ｗの裏面の中心が洗浄ブラシ３２１により洗浄される。
その後、図１８（ｃ）に二点鎖線の矢印で示すように、洗浄ブラシ３２１が基板Ｗの外周端部上まで移動する。これにより、基板Ｗの裏面が中心から外周端部に向かって洗浄される。基板Ｗの洗浄中には、図１７の洗浄ノズル３２３から基板Ｗに洗浄液が供給される。そのため、研磨により基板Ｗの裏面から剥ぎ取られる汚染物が洗浄液により洗い流される。
洗浄ヘッド３１１および洗浄ブラシ３２１がヘッド待機位置ｐ１およびブラシ待機位置ｐ２にそれぞれ戻ることにより、基板Ｗの裏面洗浄処理が終了する。この構成によれば、ヘッド保持部材３１２とブラシ保持部材３２２とが干渉することなく第１洗浄機構３１０による裏面洗浄処理と第２洗浄機構３２０による裏面洗浄処理とを同時に行うことができる。
［２］第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る基板洗浄装置および基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板洗浄装置および基板処理装置と異なる点を説明する。図１９は、本発明の第２の実施の形態における洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の構成を示す部分的な縦断面図である。図２０は、図１９の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１における洗浄ヘッド３１１の拡大側面図である。図１９に示すように、本実施の形態においては、洗浄ユニット３００は、複数の補助ピン３３０を含まない。
また、本実施の形態においては、各チャックピン２２０の保持部２２３の形状が図４のチャックピン２２０の保持部２２３の形状と異なる。図１９の例においては、保持部２２３の下部は円錐台形状を有し、上部は円柱形状を有する。チャックピン２２０の水平面内における直径は、円錐台形状部分においては下方から上方に向かって漸次減少し、円柱形状部分においては一定となる。この場合、基板Ｗは、ベベル部１（図６（ａ））が各保持部２２３に当接することなく複数の保持部２２３により保持される。
図１９の第１洗浄機構３１０の洗浄ヘッド３１１には、研磨面３１１ａを垂直方向に貫通する開口３１１ｂが形成される。また、第１洗浄機構３１０は、吸引駆動機構３１５をさらに含む。吸引駆動機構３１５は、例えばアスピレータであり、洗浄ヘッド３１１の開口３１１ｂを通して基板Ｗの裏面を吸引する。図２０に示すように、基板Ｗの裏面洗浄処理時には、基板Ｗが開口３１１ｂから洗浄ヘッド３１１に吸引されつつ洗浄ヘッド３１１により基板Ｗの裏面が洗浄される。
この場合、洗浄ヘッド３１１の研磨面３１１ａにより基板Ｗの裏面の中心部および周縁部のいずれに荷重Ｐ１が加えられた場合でも、吸引により基板Ｗの被処理面に形成された塗布膜を損傷させることなく荷重Ｐ１に抗する反力Ｐ２が基板Ｗに発生する。これにより、洗浄ヘッド３１１により荷重Ｐ１が加えられた際の基板Ｗの撓みが防止される。また、基板Ｗの裏面の全体にわたって洗浄ヘッド３１１の研磨面３１１ａにより均等な圧力で荷重Ｐ１を加えることができる。その結果、基板Ｗの裏面の中心部と周縁部とに付与する荷重Ｐ１を均一に維持しつつ基板Ｗの裏面の全体を洗浄することができる。
また、本実施の形態においては、基板Ｗのベベル部１がチャックピン２２０を含む他の部材と接触しない。したがって、洗浄ヘッド３１１の研磨面３１１ａが基板Ｗの裏面に押圧された場合でも、基板Ｗのベベル部１が損傷することなく基板Ｗの裏面を洗浄することができる。
さらに、本実施の形態においては、基板Ｗの裏面の洗浄により発生したパーティクル等の異物および基板Ｗの洗浄処理において用いられた洗浄液等の不純物を開口３１１ｂから吸引し、排出することができる。これにより、洗浄ヘッド３１１を容易に清浄に維持することができる。したがって、第１洗浄機構３１０は、洗浄ノズル３１３を含まなくてもよい。また異物を外部に排出する作業が不要となるので、洗浄の効率を向上させることができる。
［３］他の実施の形態
（１）上記実施の形態において、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１は基板処理装置１００のインターフェイスブロック１４に設けられるが、本発明はこれに限定されない。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１は、基板処理装置１００の塗布ブロック１２に設けられてもよいし、現像ブロック１３に設けられてもよいし、他のブロックに設けられてもよい。あるいは、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１は基板処理装置１００に設けられず、基板Ｗの裏面を洗浄するための基板洗浄装置として独立に設けられてもよい。
図２１は、基板洗浄装置を含む基板洗浄ユニットの模式的平面図である。図２１に示すように、基板洗浄ユニット２０は、インデクサブロック１１および洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを含む。図２１のインデクサブロック１１は、図１のインデクサブロック１１と同様の構成を有する。また、図２１の洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、バッファ部１６４を有する点を除き、図１の洗浄乾燥処理ブロック１４Ａと同様の構成を有する。なお、図２１の洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、図１の洗浄乾燥処理ブロック１４Ａと同様にバッファ部１６４を有さなくてもよい。
基板洗浄ユニット２０による洗浄処理を説明する。インデクサブロック１１において、キャリア載置部１１１には、処理対象の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図１３）に基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図１３）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１のいずれかの洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図２）に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。搬送機構１４１は、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１による洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４に搬送する。
ここで、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３から洗浄乾燥処理部１６１への基板Ｗの搬送時に、全ての洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が基板Ｗの洗浄および乾燥処理を実行中であることがある。この場合、いずれの洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１も基板Ｗを受け入れることができない。そこで、このような場合には、搬送機構１４１は、基板Ｗをバッファ部１６４に搬送する。いずれかの洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が基板Ｗを受け入れ可能になった後、搬送機構１４１は、バッファ部１６４の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬送する。
搬送機構１４２は、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２のいずれかの洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図１２）に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１と同様の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。搬送機構１４２は、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２による洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４に搬送する。
ここで、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３から洗浄乾燥処理部１６２への基板Ｗの搬送時に、全ての洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が基板Ｗの洗浄および乾燥処理を実行中であることがある。この場合、いずれの洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２も基板Ｗを受け入れることができない。そこで、このような場合には、搬送機構１４２は、基板Ｗをバッファ部１６４に搬送する。いずれかの洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が基板Ｗを受け入れ可能になった後、搬送機構１４２は、バッファ部１６４の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬送する。
図２の例では洗浄乾燥処理部１６１に４個の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられるが、本発明はこれに限定されない。洗浄乾燥処理部１６１に３個以下の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられてもよいし、５個以上の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられてもよい。また、図１２の例では洗浄乾燥処理部１６２に５個の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられるが、本発明はこれに限定されない。洗浄乾燥処理部１６２に４個以下の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられてもよいし、６個以上の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられてもよい。
（２）上記実施の形態において、８つのチャックピン２２０が４５度間隔で配置されるが、本発明はこれに限定されない。基板Ｗの寸法に応じてチャックピン２２０の数および配置される角度間隔が任意に決定されてもよい。同様に、第１の実施の形態において、８つの補助ピン３３０が４５度間隔で配置されるが、本発明はこれに限定されない。基板Ｗの寸法に応じて補助ピン３３０の数および配置される角度間隔が任意に決定されてもよい。
（３）第１の実施の形態において、第１洗浄機構３１０には基板Ｗを吸引する機構が設けられないが、本発明はこれに限定されない。第１の実施の形態の第１洗浄機構３１０には、第２の実施の形態と同様のおよび吸引駆動機構３１５が設けられるとともに、洗浄ヘッド３１１に開口３１１ｂが形成されてもよい。
同様に、第２の実施の形態において、洗浄ユニット３００は複数の補助ピン３３０を有さないが、本発明はこれに限定されない。第２の実施の形態の洗浄ユニット３００は、第１の実施の形態と同様の複数の補助ピン３３０を有してもよい。
（４）上記実施の形態において、切替部２３０は、磁力によりチャックピン２２０を閉状態と開状態とに切り替えるが、本発明はこれに限定されない。切替部２３０は、機械的な構造または電気的な制御によりチャックピン２２０を閉状態と開状態とに切り替えてもよい。
（５）上記実施の形態において、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１のチャックピン２２０は、基板Ｗの裏面が下方を向くようにスピンプレート２１３の下側で基板Ｗを保持するが、本発明はこれに限定されない。チャックピン２２０は、基板Ｗの裏面が上方を向くようにスピンプレート２１３の上側で基板Ｗを保持してもよい。この場合、洗浄ユニット３００は、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の上部に配置され、洗浄ヘッド３１１の下面により基板Ｗの裏面が洗浄される。
（６）上記実施の形態において、露光装置１５はドライ露光装置であるが、本発明はこれに限定されない。露光装置１５は、例えば液浸露光装置であってもよい。この場合、基板処理装置１００において、基板Ｗのレジスト膜上にレジストカバー膜（トップコート）がさらに形成されてもよい。
［４］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
上記の実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、周縁部ＰＥが周縁部の例であり、外周端部１０が外周端部の例であり、ベベル部１，２がそれぞれ被処理面側ベベル部および裏面側ベベル部の例であり、端面３が端面の例である。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が基板洗浄装置の例であり、回転保持ユニット２００が回転保持ユニットの例であり、洗浄ユニット３００が洗浄ユニットの例であり、回転軸２１２が回転軸の例である。
スピンプレート２１３が回転部材の例であり、チャックピン２２０が保持部材の例であり、洗浄ヘッド３１１が洗浄具の例であり、ヘッド移動機構３１４が移動装置の例である。補助ピン３３０が反力発生部および当接部材の例であり、傾斜面３３３が当接面の例であり、切替部２３０が保持部材切替部の例であり、外方領域Ｒ１，Ｒ２がそれぞれ第１および第２の領域の例である。
吸引駆動機構３１５が反力発生部および吸引部の例であり、研磨面３１１ａが研磨面の例であり、開口３１１ｂが開口の例であり、洗浄ノズル３１３が洗浄液供給部の例である。洗浄ブラシ３２１が洗浄ブラシの例であり、塗布処理室２２，２４が膜形成ユニットの例であり、塗布処理室２１，２３が除去ユニットの例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例である。
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
本発明は、種々の基板の裏面の洗浄処理に有効に利用することができる。
１，２ ベベル部
３ 端面
１０ 外周端部
１１ インデクサブロック
１２ 塗布ブロック
１３ 現像ブロック
１４ インターフェイスブロック
１４Ａ 洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ 搬入搬出ブロック
１５ 露光装置
２０ 基板洗浄ユニット
２１〜２４ 塗布処理室
２５，３５，２１０ スピンチャック
２７，３７ カップ
２８ 処理液ノズル
２９ ノズル搬送機構
３０ エッジリンスノズル
３１〜３４ 現像処理室
３８ スリットノズル
３９ 移動機構
１００ 基板処理装置
１０１，１０３ 上段熱処理部
１０２，１０４ 下段熱処理部
１１１ キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３ 搬送部
１１３ キャリア
１１４ メインコントローラ
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１〜１４３ 搬送機構
１２１ 塗布処理部
１２３，１３３ 熱処理部
１２５，１３５ 上段搬送室
１２６，１３６ 下段搬送室
１２９ 塗布処理ユニット
１３１ 現像処理部
１３９ 現像処理ユニット
１６１，１６２ 洗浄乾燥処理部
１６４ バッファ部
２００ 回転保持ユニット
２１１ スピンモータ
２１２，２５２ 回転軸
２１３ スピンプレート
２１４ プレート支持部材
２１５ 液供給管
２２０ チャックピン
２２１ 軸部
２２２ ピン支持部
２２３ 保持部
２２４ マグネット
２３０ 切替部
２３１，２３２ マグネットプレート
２３３，２３４ マグネット昇降機構
２４０ ガード機構
２４１ ガード
２４２ ガード昇降機構
２５０ 受け渡し機構
２５１ 昇降回転駆動部
２５３ アーム
２５４ 保持ピン
３００ 洗浄ユニット
３１０ 第１洗浄機構
３１１ 洗浄ヘッド
３１１ａ 研磨面
３１１ｂ 開口
３１２ ヘッド保持部材
３１２ａ，３２２ａ 中心軸
３１３，３２３ 洗浄ノズル
３１４ ヘッド移動機構
３１５ 吸引駆動機構
３２０ 第２洗浄機構
３２１ 洗浄ブラシ
３２１ａ 溝
３２２ ブラシ保持部材
３２４ ブラシ移動機構
３３０ 補助ピン
３３１ 外周面
３３２ 下面
３３３ 傾斜面
ＣＰ 冷却ユニット
ＥＥＷ エッジ露光部
ｉｆ 干渉領域
ＬＣ１，ＬＣ２ ローカルコントローラ
Ｐ１ 荷重
ｐ１ ヘッド待機位置
Ｐ２ 反力
ｐ２ ブラシ待機位置
ＰＡＨＰ 密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９ 基板載置部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２ 載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却部
ＰＥ 周縁部
ＰＨＰ 熱処理ユニット
Ｒ レジスト膜
Ｒ１，Ｒ２ 外方領域
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄乾燥処理ユニット
Ｗ 基板
近年、基板に形成されるパターンをより微細化することが望まれている。ここで、基板に異物が残存するとパターン形成の精度が低下する。そのため、基板に残存する異物を十分に除去することが好ましい。しかしながら、特許文献１に記載された洗浄乾燥処理ユニットでは、基板の裏面に強固に付着する異物、塗布液が基板の裏面に回り込んだことにより形成される塗布膜およびその塗布膜に混入した異物等を除去することは困難である。
本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 図２の洗浄乾燥処理ユニットの構成を示す概略平面図である。 図３の洗浄乾燥処理ユニットの部分的なＡ−Ａ線断面図である。 図３の洗浄乾燥処理ユニットの部分的なＢ−Ｂ線断面図である。 基板の外周端部の拡大側面図である。 スピンチャックによる基板の保持動作を説明するための図である。 スピンチャックによる基板の保持動作を説明するための図である。 基板の表面洗浄処理について説明するための側面図である。 第１洗浄機構による基板の裏面洗浄処理について説明するための側面図である。 第１洗浄機構による基板の裏面洗浄処理について説明するための平面図である。 図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部の内部構成を示す模式的側面図である。 搬送部の内部構成を示す模式的側面図である。 第１の変形例における洗浄乾燥処理ユニットの構成を示す側面図である。 第２洗浄機構による基板の裏面洗浄処理について説明するための側面図である。 第２洗浄機構による基板の外周端部洗浄処理について説明するための側面図である。 第２の変形例における洗浄乾燥処理ユニットの構成を示す模式的平面図である。 裏面洗浄処理時における図１７の洗浄乾燥処理ユニットの動作を示す模式的側面図である。 本発明の第２の実施の形態における洗浄乾燥処理ユニットの構成を示す部分的な縦断面図である。 図１９の洗浄乾燥処理ユニットにおける洗浄ヘッドの拡大側面図である。 基板洗浄装置を含む基板洗浄ユニットの模式的平面図である。
（３）洗浄乾燥処理ユニットの構成
図３は、図２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の構成を示す概略平面図である。図４は、図３の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の部分的なＡ−Ａ線断面図である。図５は、図３の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１の部分的なＢ−Ｂ線断面図である。図６（ａ），（ｂ）は、基板Ｗの外周端部の拡大側面図である。図６（ａ）に示すように、基板Ｗの外周端部１０は、被処理面側のベベル部１、裏面側のベベル部２および端面３を含む。基板Ｗの被処理面の周縁部ＰＥを除く領域には、塗布膜としてレジスト膜Ｒが形成されている。
ヘッド移動機構３１４は、洗浄ヘッド３１１の研磨面３１１ａにより基板Ｗの裏面に荷重Ｐ１（図６（ｂ））を加えつつヘッド保持部材３１２を移動させる。これにより、洗浄ヘッド３１１が水平方向および鉛直方向に移動する。洗浄ヘッド３１１は、スピンチャック２１０により保持された基板Ｗの裏面を研磨することにより洗浄する。基板Ｗの洗浄後、洗浄ノズル３１３の吐出口から洗浄ヘッド３１１の上端部周辺に向けて洗浄液が吐出されることにより、パーティクルが除去される。
その後、図８（ｂ）に示すように、ガード２４１がチャックピン２２０により保持される基板Ｗを取り囲む高さに移動する。そして、基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理が順に行われる。洗浄処理は、基板Ｗの表面（上面）を洗浄する表面洗浄処理および基板Ｗの裏面（下面）を洗浄する裏面洗浄処理を含む。表面洗浄処理と裏面洗浄処理とは、いずれが先に行われてもよいし、同時に行われてもよい。
また、搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図１３）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図１３）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部１０２（図１２）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部１０１（図１２）における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
また、搬送機構１３８は、インターフェイスブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送機構１３８は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図１２）、現像処理室３３，３４（図２）のいずれか一方、熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図１３）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部１０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部１０３における基板Ｗの処理内容とそれぞれ同様である。
搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図１３）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図１２）および上段熱処理部１０３または下段熱処理部１０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図１２）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２において基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
（３）第１の実施の形態において、第１洗浄機構３１０には基板Ｗを吸引する機構が設けられないが、本発明はこれに限定されない。第１の実施の形態の第１洗浄機構３１０には、第２の実施の形態と同様の吸引駆動機構３１５が設けられるとともに、洗浄ヘッド３１１に開口３１１ｂが形成されてもよい。
吸引駆動機構３１５が反力発生部および吸引部の例であり、研磨面３１１ａが研磨面の例であり、開口３１１ｂが開口の例であり、洗浄ノズル３１３が洗浄液供給部の例である。洗浄ブラシ３２１が洗浄ブラシの例であり、処理液ノズル１２８が膜形成ユニットの例であり、エッジリンスノズル３０が除去ユニットの例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例である。

Claims (15)

  1. 基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置であって、
    基板を保持して回転させる回転保持ユニットと、
    前記回転保持ユニットにより保持された基板の裏面を洗浄する洗浄ユニットとを備え、
    前記回転保持ユニットは、
    回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、
    基板の外周端部に当接して基板を保持可能に前記回転部材に設けられた複数の保持部材とを含み、
    前記洗浄ユニットは、
    研磨により基板の裏面の異物を除去可能に設けられた洗浄具と、
    前記洗浄具を前記複数の保持部材により保持された基板の裏面に押圧しつつ移動させる移動装置と、
    前記洗浄具により基板の裏面に加えられる荷重に抗する反力を基板に発生させる反力発生部とを含む、基板洗浄装置。
  2. 前記反力発生部は、基板の外周端部に当接するように前記回転部材に設けられた複数の当接部材を含み、
    前記複数の当接部材は、前記洗浄具により基板の裏面に荷重が加えられたときに基板の外周端部に前記荷重に抗する反力を発生させる、請求項１記載の基板洗浄装置。
  3. 基板の外周端部は、被処理面側ベベル部、裏面側ベベル部および端面を有し、
    前記複数の当接部材の各々は、基板の被処理面側ベベル部に当接する当接面を有する、請求項２記載の基板洗浄装置。
  4. 前記複数の保持部材は、基板の外周端部に当接して基板を保持する基板保持状態と基板の外周端部から離間する基板解放状態とに切替可能に設けられ、
    前記回転保持ユニットは、前記複数の保持部材を前記基板保持状態と前記基板解放状態とに切り替える保持部材切替部をさらに含み、
    前記複数の保持部材の各々は、前記回転部材の回転に伴い基板の外周端部に沿った第１の領域および第２の領域を通って前記回転軸線の周りで回転し、
    基板の裏面における周縁部を除く中心領域の洗浄時には、前記保持部材切替部は、前記複数の保持部材を前記基板保持状態にするとともに、前記移動装置は、中心領域における基板の裏面上で前記洗浄具を移動させ、
    基板の裏面における周縁部の洗浄時には、前記保持部材切替部は、前記回転部材の回転中に前記複数の保持部材のうち前記第１の領域に位置する保持部材を前記基板保持状態にし、前記複数の保持部材のうち前記第２の領域に位置する保持部材を前記基板解放状態にするとともに、前記移動装置は、周縁部における基板の裏面でかつ前記第２の領域上に前記洗浄具を移動させる、請求項２または３記載の基板洗浄装置。
  5. 各当接部材は、基板の外周端部に当接する状態において隣り合う各２つの保持部材の間に配置される、請求項４記載の基板洗浄装置。
  6. 前記反力発生部は、前記基板の裏面を吸引可能に構成された吸引部を含み、
    前記吸引部は、前記洗浄具により基板の裏面に荷重が加えられたときに基板の裏面の吸引により前記荷重に抗する反力を発生させる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
  7. 前記洗浄具は、基板の裏面に向かう研磨面を有するとともに、前記研磨面に開口を有し、
    前記吸引部は、前記洗浄具の前記開口を通して基板の裏面を吸引する、請求項６記載の基板洗浄装置。
  8. 前記吸引部は、前記洗浄具により除去された異物を吸引することにより排出可能に構成された、請求項６または７記載の基板洗浄装置。
  9. 前記洗浄ユニットは、前記洗浄具による洗浄後または洗浄中の基板の裏面をさらに洗浄する洗浄ブラシをさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
  10. 基板の裏面を洗浄する基板洗浄装置であって、
    基板を保持して回転させる回転保持ユニットと、
    前記回転保持ユニットにより保持された基板の裏面を洗浄する洗浄ユニットとを備え、
    前記回転保持ユニットは、
    回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、
    基板の外周端部に当接して基板を保持可能に前記回転部材に設けられた複数の保持部材とを含み、
    前記洗浄ユニットは、
    研磨により基板の裏面の異物を除去可能に設けられた洗浄具と、
    前記洗浄具を前記複数の保持部材により保持された基板の裏面に押圧しつつ移動させる移動装置と、
    前記洗浄具による洗浄後または洗浄中の基板の裏面をさらに洗浄する洗浄ブラシとを含む、基板洗浄装置。
  11. 前記洗浄ユニットは、前記洗浄具による洗浄後または洗浄中の基板の裏面に洗浄液を供給する洗浄液供給部をさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
  12. 塗布液を基板の被処理面に供給することにより被処理面に塗布膜を形成する膜形成ユニットと、
    前記膜形成ユニットにより基板の被処理面の周縁部に形成された塗布膜を除去する除去液を基板の周縁部に供給する除去ユニットと、
    前記除去ユニットにより被処理面の周縁部の塗布膜が除去された基板の裏面を洗浄する請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板洗浄装置とを備える、基板処理装置。
  13. 基板の裏面を洗浄する基板洗浄方法であって、
    回転保持ユニットにより基板を保持して回転させるステップと、
    前記回転保持ユニットにより保持された基板の裏面を洗浄ユニットにより洗浄するステップとを含み、
    前記基板を保持して回転させるステップは、
    回転部材に設けられた複数の保持部材により基板の外周端部を当接して保持することと、
    回転軸線の周りで前記回転部材を回転させることとを含み、
    前記洗浄するステップは、
    前記複数の保持部材により保持された基板の裏面に移動装置により洗浄具を押圧しつつ移動させることと、
    前記洗浄具による研磨により基板の裏面の異物を除去することと、
    前記洗浄具により基板の裏面に加えられる荷重に抗する反力を反力発生部により基板に発生させることとを含む、基板洗浄方法。
  14. 基板の裏面を洗浄する基板洗浄方法であって、
    回転保持ユニットにより基板を保持して回転させるステップと、
    前記回転保持ユニットにより保持された基板の裏面を洗浄ユニットにより洗浄するステップとを含み、
    前記基板を保持して回転させるステップは、
    回転部材に設けられた複数の保持部材により基板の外周端部を当接して保持することと、
    回転軸線の周りで前記回転部材を回転させることとを含み、
    前記洗浄するステップは、
    前記複数の保持部材により保持された基板の裏面に移動装置により洗浄具を押圧しつつ移動させることと、
    前記洗浄具による研磨により基板の裏面の異物を除去することと、
    前記洗浄具による洗浄後または洗浄中の基板の裏面を洗浄ブラシによりさらに洗浄することとを含む、基板洗浄方法。
  15. 塗布液を基板の被処理面に供給することにより被処理面に塗布膜を形成するステップと、
    基板の被処理面の周縁部に形成された塗布膜を除去する除去液を基板の周縁部に供給するステップと、
    被処理面の周縁部の塗布膜が除去された基板の裏面を請求項１２または１３記載の基板洗浄方法を用いて洗浄するステップとを含む、基板処理方法。
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