CN117878026A - 硅片清洗设备及硅片清洗方法 - Google Patents
硅片清洗设备及硅片清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117878026A CN117878026A CN202410275318.4A CN202410275318A CN117878026A CN 117878026 A CN117878026 A CN 117878026A CN 202410275318 A CN202410275318 A CN 202410275318A CN 117878026 A CN117878026 A CN 117878026A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon wafer
- brush
- cleaning
- cleaning liquid
- liquid medicine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 235
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 235
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 235
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 207
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 155
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 196
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 36
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
- H01L21/0209—Cleaning of wafer backside
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明提供了一种硅片清洗设备及硅片清洗方法，属于半导体制造技术领域。硅片清洗设备，包括：支撑组件，用于支撑水平放置的硅片；相对设置的第一毛刷和第二毛刷，所述第一毛刷用于对硅片正面进行清洗，所述第二毛刷用于对硅片背面进行清洗；驱动所述第一毛刷移动的第一毛刷臂；驱动所述第二毛刷移动的第二毛刷臂；其中，所述第二毛刷朝向所述硅片的表面设置有用于容纳清洗药液的沟槽，所述沟槽通过位于所述第二毛刷中心的药液出口与所述第二毛刷臂中的药液通道连通。本发明的技术方案能够改善对硅片的清洗效果。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种硅片清洗设备及硅片清洗方法。
背景技术
在硅片加工过程中，每一道减薄工序之后均需要使用单片清洗机对硅片表面的残留药液及杂物进行清洗。在利用单片清洗机对硅片进行清洗时，硅片水平放置，通过上下毛刷及喷洒药液对硅片进行清洗。
由于重力作用，硅片背面的清洗药液无法均匀分布在硅片背面，影响了硅片背面的清洗效果，未清洗干净的背面存在在后端工序污染硅片正面的风险。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种硅片清洗设备及硅片清洗方法，能够改善对硅片的清洗效果。
为了达到上述目的，本发明实施例采用的技术方案是：
一种硅片清洗设备，包括：
支撑组件，用于支撑水平放置的硅片；
相对设置的第一毛刷和第二毛刷，所述第一毛刷用于对硅片正面进行清洗，所述第二毛刷用于对硅片背面进行清洗；
驱动所述第一毛刷移动的第一毛刷臂；
驱动所述第二毛刷移动的第二毛刷臂；
其中，所述第二毛刷朝向所述硅片的表面设置有用于容纳清洗药液的沟槽，所述沟槽通过位于所述第二毛刷中心的药液出口与所述第二毛刷臂中的药液通道连通。
一些实施例中，所述第二毛刷的尺寸大于所述第一毛刷的尺寸。
一些实施例中，所述第二毛刷的半径为所述第一毛刷的半径的两倍以上。
一些实施例中，所述支撑组件包括：
沿所述硅片的周向均匀分布的至少三个支撑滚轮，所述硅片能够水平放置在所述支撑滚轮上，所述支撑滚轮转动能够带动所述硅片转动。
一些实施例中，还包括：
设置在所述硅片上方的第一清洗药液喷嘴；
设置在所述硅片下方的第二清洗药液喷嘴。
一些实施例中，所述沟槽包括至少一个从所述第二毛刷的中心延伸至所述第二毛刷的边缘的弧形的第一沟槽。
一些实施例中，所述沟槽包括至少两个半径不同的环状的第二沟槽。
一些实施例中，所述第一沟槽与所述第二沟槽的深度相同。
一些实施例中，所述第二毛刷采用PVC海绵块。
本发明实施例还提供了一种硅片清洗方法，应用于如上所述的硅片清洗设备，所述方法包括：
利用所述支撑组件支撑水平放置的硅片；
驱动所述第一毛刷和所述第二毛刷旋转对所述硅片进行清洗。
本发明的有益效果是：
本实施例中，第二毛刷臂中设置有药液通道，第二毛刷中心设置有药液出口，这样在对硅片进行清洗时，可以通过药液通道使得清洗药液从第二毛刷的药液出口流出，之后清洗药液可以通过第二毛刷表面的沟槽向外流动，并在流动过程中参与第二毛刷刷洗硅片背面的过程，使得硅片背面的清洗药液均匀分布在硅片背面，增加了清洗药液与硅片背面的接触时间，能够提高对硅片背面的清洗效果，避免未清洗干净的背面在后端工序污染硅片正面。
附图说明
图1表示本发明实施例硅片清洗设备的俯视示意图；
图2表示本发明实施例硅片清洗设备的正视示意图；
图3表示本发明实施例第二毛刷的结构示意图；
图4表示本发明实施例第二毛刷在AA方向上的截面示意图。
附图标记
01 第一毛刷臂
02 第一毛刷
03 硅片
04 支撑滚轮
05 第二毛刷
06 第二毛刷臂
07 药液通道
08 药液出口
09 第一清洗药液喷嘴
10 第二清洗药液喷嘴
11 沟槽
111 第一沟槽
112 第二沟槽
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
现有技术中，硅片背面的清洗药液通过喷射法喷射至硅片表面，清洗药液由于重力影响在硅片背面停留时间很短，影响了硅片背面的清洗效果；另外，在对硅片背面进行清洗时，硅片背面的毛刷与硅片接触时，部分药液也会被毛刷阻挡，清洗药液无法进入毛刷与硅片接触的部位；硅片背面的清洗能力差，容易导致背面的脏污流至后端工艺，引起后端工艺的污染。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种硅片清洗设备及硅片清洗方法，能够改善对硅片的清洗效果。
本发明实施例提供一种硅片清洗设备，如图1-图4所示，包括：
支撑组件，用于支撑水平放置的硅片03；
相对设置的第一毛刷02和第二毛刷05，所述第一毛刷02用于对硅片03正面进行清洗，所述第二毛刷05用于对硅片03背面进行清洗；
驱动所述第一毛刷02移动的第一毛刷臂01；
驱动所述第二毛刷05移动的第二毛刷臂06；
其中，所述第二毛刷05朝向所述硅片03的表面设置有用于容纳清洗药液的沟槽11，所述沟槽11通过位于所述第二毛刷05中心的药液出口08与所述第二毛刷臂06中的药液通道07连通。
本实施例中，第二毛刷臂06中设置有药液通道07，第二毛刷05中心设置有药液出口08，这样在对硅片03进行清洗时，可以通过药液通道07使得清洗药液从第二毛刷05的药液出口08流出，之后清洗药液可以通过第二毛刷05表面的沟槽11向外流动，并在流动过程中参与第二毛刷05刷洗硅片03背面的过程，使得硅片03背面的清洗药液均匀分布在硅片03背面，增加了清洗药液与硅片03背面的接触时间，能够提高对硅片03背面的清洗效果，避免未清洗干净的背面在后端工序污染硅片03正面。
本实施例中，在对硅片03进行清洗时，清洗药液从第二毛刷05的药液出口08流出，可以随沟槽11到达第二毛刷05的各个区域，如图2所示，所述第二毛刷05的尺寸可以大于所述第一毛刷02的尺寸，这样可以使得清洗药液与硅片03背面的大部分区域相接触，使得硅片03背面的清洗药液尽可能地均匀分布在硅片03背面，增加清洗药液与硅片03背面的接触时间，能够提高对硅片03背面的清洗效果。
一些实施例中，为了保证对硅片03背面的清洗效果，所述第二毛刷05的半径可以为所述第一毛刷02的半径的两倍以上，比如所述第二毛刷05的半径可以为所述第一毛刷02的半径的2.1倍、2.2倍、2.3倍、2.4倍、2.5倍、2.6倍、2.7倍、2.8倍、2.9倍或3倍。
一些示例中，在第二毛刷05的半径小于第一毛刷02的半径的2倍时，对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4.9；在第二毛刷05的半径为第一毛刷02的半径的2倍时，在利用本实施例的硅片清洗设备对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4.1；在第二毛刷05的半径为第一毛刷02的半径的2.1倍时，在利用本实施例的硅片清洗设备对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4.2; 在第二毛刷05的半径为第一毛刷02的半径的2.2倍时，在利用本实施例的硅片清洗设备对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4.1；在第二毛刷05的半径为第一毛刷02的半径的2.3倍时，在利用本实施例的硅片清洗设备对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4；在第二毛刷05的半径为第一毛刷02的半径的2.4倍时，在利用本实施例的硅片清洗设备对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4.3；在第二毛刷05的半径为第一毛刷02的半径的2.5倍时，在利用本实施例的硅片清洗设备对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4.2；在第二毛刷05的半径为第一毛刷02的半径的2.6倍时，在利用本实施例的硅片清洗设备对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4.2；在第二毛刷05的半径为第一毛刷02的半径的2.7倍时，在利用本实施例的硅片清洗设备对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4.1；在第二毛刷05的半径为第一毛刷02的半径的2.8倍时，在利用本实施例的硅片清洗设备对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4.3；在第二毛刷05的半径为第一毛刷02的半径的2.9倍时，在利用本实施例的硅片清洗设备对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4.3；在第二毛刷05的半径为第一毛刷02的半径的3倍时，在利用本实施例的硅片清洗设备对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4.5。
一些实施例中，如图1和图2所示，所述支撑组件包括：
沿所述硅片03的周向均匀分布的至少三个支撑滚轮04，所述硅片03能够水平放置在所述支撑滚轮04上，在所述支撑滚轮04转动时，能够带动所述硅片03转动，同时第一毛刷02和第二毛刷05自里向外移动并自转，对硅片03的各个区域进行清洗。本实施例中，可以设置三个、四个、五个或更多个支撑滚轮04对硅片进行支撑，多个支撑滚轮04均匀分布在硅片03的周边，如图1所示，一具体示例中，可以设置四个支撑滚轮04对硅片进行支撑。
一些实施例中，如图2所示，硅片清洗设备还包括：
设置在所述硅片03上方的第一清洗药液喷嘴09；
设置在所述硅片03下方的第二清洗药液喷嘴10。
本实施例中，在利用第一毛刷02和第二毛刷05对硅片03进行清洗时，第一清洗药液喷嘴09和第二清洗药液喷嘴10可以向硅片03喷射清洗药液，可以设置多个第一清洗药液喷嘴09和多个第二清洗药液喷嘴10，这样可以保证清洗效果。
一些实施例中，所述多个第一清洗药液喷嘴09可以分为多组第一清洗药液喷嘴09，每组第一清洗药液喷嘴09包括至少一个第一清洗药液喷嘴09，不同组第一清洗药液喷嘴09的喷射角度不一致，不同组的第一清洗药液喷嘴09可以在硅片03处于不同位置时向硅片03喷射清洗药液，能够进一步提高清洗效果，比如，多个第一清洗药液喷嘴09分为两组，每组包括至少一个第一清洗药液喷嘴09，第一组第一清洗药液喷嘴09用以在第一毛刷02接触硅片03时向硅片03喷射清洗药液，第二组第一清洗药液喷嘴09用以在第一毛刷02远离硅片03时向硅片03喷射清洗药液；清洗药液可以采用超纯水，当然，清洗药液并不局限于采用超纯水，还可以根据工艺的需求采用其他种清洗药液。所述多个第二清洗药液喷嘴10分为多组第二清洗药液喷嘴10，每组第二清洗药液喷嘴10包括至少一个第二清洗药液喷嘴10，不同组第二清洗药液喷嘴10的喷射角度不一致，不同组的第二清洗药液喷嘴10可以在硅片03处于不同位置时向硅片03喷射清洗药液，能够进一步提高清洗效果，比如，第二清洗药液喷嘴10分为两组，每组包括至少一个第二清洗药液喷嘴10，第一组第二清洗药液喷嘴10用以在第二毛刷05接触硅片03时向硅片03喷射清洗药液，第二组第二清洗药液喷嘴10用以在第二毛刷05远离硅片03时向硅片03喷射清洗药液；清洗药液可以采用超纯水，当然，清洗药液并不局限于采用超纯水，还可以根据工艺的需求采用其他种清洗药液。
一些实施例中，如图3和图4所示，所述沟槽包括至少一个从所述第二毛刷05的中心延伸至所述第二毛刷05的边缘的弧形的第一沟槽111，在对硅片03进行清洗时，第二毛刷05转动，清洗药液从第二毛刷05中心的药液出口08流出后，沿着第一沟槽111向外流动，能够流动到硅片03的各个区域，使得硅片03背面的清洗药液尽可能地均匀分布在硅片03背面，并在流动过程中参与第二毛刷05刷洗硅片03背面的过程，增加了清洗药液与硅片03背面的接触时间，能够提高对硅片03背面的清洗效果。
本实施例中，可以根据需要设置两条、三条、四条、五条或更多条第一沟槽111，如图3和图4所示，可以在第二毛刷05上设置五条第一沟槽111，在第二毛刷05逆时针转动时，可以使得清洗药液因离心力顺着风车状的第一沟槽111向外流动。
一些实施例中，如图3和图4所示，所述沟槽还包括至少两个半径不同的环状的第二沟槽112，环状的第二沟槽112的圆心与第二毛刷05的圆心重合，第二沟槽112与第一沟槽111连通，在对硅片03进行清洗时，清洗药液可以通过第一沟槽111进入第二沟槽112，第二沟槽112能够增加清洗药液在第二毛刷05内的停留时间，进而增加清洗药液与硅片03背面的接触时间，能够提高对硅片03背面的清洗效果。
本实施例中，可以根据需要设置两条、三条、四条、五条或更多条第二沟槽112，如图3和图4所示，可以在第二毛刷05上设置三条第二沟槽112，能够有效增加清洗药液在第二毛刷05内的停留时间。
一些实施例中，所述第一沟槽111与所述第二沟槽112的深度可以相同，这样可以使得清洗药液在第一沟槽111与第二沟槽112内充分流通；当然，第一沟槽111与第二沟槽112的深度也可以不相同，只要第一沟槽111与第二沟槽112的深度差不超过0.5mm即可，比如第一沟槽111与第二沟槽112的深度差可以为0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm或0.5mm。
一些示例中，在第一沟槽111与第二沟槽112的深度差大于0.5mm，比如为0.6mm时，对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4.8；在第一沟槽111与第二沟槽112的深度差为0.1mm时，在利用本实施例的硅片清洗设备对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4.1；在第一沟槽111与第二沟槽112的深度差为0.2mm时，在利用本实施例的硅片清洗设备对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4.2；在第一沟槽111与第二沟槽112的深度差为0.3mm时，在利用本实施例的硅片清洗设备对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4.1；在第一沟槽111与第二沟槽112的深度差为0.4mm时，在利用本实施例的硅片清洗设备对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4.2；在第一沟槽111与第二沟槽112的深度差为0.5mm时，在利用本实施例的硅片清洗设备对硅片进行清洗后，硅片上残留的粒径大于30nm的颗粒的数量平均值为4.3。
一些实施例中，所述第二毛刷05采用吸水性比较强的材料，比如PVC（Polyvinylchloride，聚氯乙烯）海绵块，这样不会造成清洗药液在第二毛刷05内部堵塞的情况。
本实施例中，可以由第一毛刷臂01驱动第一毛刷02旋转，第二毛刷臂06驱动第二毛刷05旋转，第一毛刷02和第二毛刷05的旋转方向可以一致。在第二毛刷臂06外可以包覆有塑料外壳，塑料外壳与第二毛刷05的接缝处做防水处理，避免进水导致第二毛刷臂06的工作受到影响。
本发明实施例还提供了一种硅片清洗方法，应用于如上所述的硅片清洗设备，所述方法包括：
利用所述支撑组件支撑水平放置的硅片03；
驱动所述第一毛刷02和所述第二毛刷05旋转对所述硅片03进行清洗。
本实施例中，第二毛刷臂06中设置有药液通道07，第二毛刷05中心设置有药液出口08，这样在对硅片03进行清洗时，可以通过药液通道07使得清洗药液从第二毛刷05的药液出口08流出，之后清洗药液可以通过第二毛刷05表面的沟槽11向外流动，并在流动过程中参与第二毛刷05刷洗硅片03背面的过程，使得硅片03背面的清洗药液均匀分布在硅片03背面，增加了清洗药液与硅片03背面的接触时间，能够提高对硅片03背面的清洗效果，避免未清洗干净的背面在后端工序污染硅片03正面。
本实施例中，在对硅片03进行清洗时，清洗药液从第二毛刷05的药液出口08流出，可以随沟槽11到达第二毛刷05的各个区域，如图2所示，所述第二毛刷05的尺寸可以大于所述第一毛刷02的尺寸，这样可以使得清洗药液与硅片03背面的大部分区域相接触，使得硅片03背面的清洗药液尽可能地均匀分布在硅片03背面，增加清洗药液与硅片03背面的接触时间，能够提高对硅片03背面的清洗效果。
本实施例中，支撑组件包括沿所述硅片03的周向均匀分布的至少三个支撑滚轮04，所述硅片03能够水平放置在所述支撑滚轮04上，在所述支撑滚轮04转动时，能够带动所述硅片03转动，同时第一毛刷02和第二毛刷05自里向外移动并自转，对硅片03的各个区域进行清洗。
本实施例中，在利用第一毛刷02和第二毛刷05对硅片03进行清洗时，第一清洗药液喷嘴09和第二清洗药液喷嘴10可以向硅片03喷射清洗药液，可以设置多个第一清洗药液喷嘴09和多个第二清洗药液喷嘴10，这样可以保证清洗效果。
一些实施例中，所述多个第一清洗药液喷嘴09可以分为多组第一清洗药液喷嘴09，每组第一清洗药液喷嘴09包括至少一个第一清洗药液喷嘴09，不同组第一清洗药液喷嘴09的喷射角度不一致，不同组的第一清洗药液喷嘴09可以在硅片03处于不同位置时向硅片03喷射清洗药液，能够进一步提高清洗效果，比如，多个第一清洗药液喷嘴09分为两组，每组包括至少一个第一清洗药液喷嘴09，第一组第一清洗药液喷嘴09用以在第一毛刷02接触硅片03时向硅片03喷射清洗药液，第二组第一清洗药液喷嘴09用以在第一毛刷02远离硅片03时向硅片03喷射清洗药液；清洗药液可以采用超纯水，当然，清洗药液并不局限于采用超纯水，还可以根据工艺的需求采用其他种清洗药液。所述多个第二清洗药液喷嘴10分为多组第二清洗药液喷嘴10，每组第二清洗药液喷嘴10包括至少一个第二清洗药液喷嘴10，不同组第二清洗药液喷嘴10的喷射角度不一致，不同组的第二清洗药液喷嘴10可以在硅片03处于不同位置时向硅片03喷射清洗药液，能够进一步提高清洗效果，比如，第二清洗药液喷嘴10分为两组，每组包括至少一个第二清洗药液喷嘴10，第一组第二清洗药液喷嘴10用以在第二毛刷05接触硅片03时向硅片03喷射清洗药液，第二组第二清洗药液喷嘴10用以在第二毛刷05远离硅片03时向硅片03喷射清洗药液；清洗药液可以采用超纯水，当然，清洗药液并不局限于采用超纯水，还可以根据工艺的需求采用其他种清洗药液。
如图3和图4所示，所述沟槽包括至少一个从所述第二毛刷05的中心延伸至所述第二毛刷05的边缘的弧形的第一沟槽111，在对硅片03进行清洗时，第二毛刷05转动，清洗药液从第二毛刷05中心的药液出口08流出后，沿着第一沟槽111向外流动，能够流动到硅片03的各个区域，使得硅片03背面的清洗药液尽可能地均匀分布在硅片03背面，并在流动过程中参与第二毛刷05刷洗硅片03背面的过程，增加了清洗药液与硅片03背面的接触时间，能够提高对硅片03背面的清洗效果。
如图3和图4所示，所述沟槽还包括至少两个半径不同的环状的第二沟槽112，环状的第二沟槽112的圆心与第二毛刷05的圆心重合，第二沟槽112与第一沟槽111连通，在对硅片03进行清洗时，清洗药液可以通过第一沟槽111进入第二沟槽112，第二沟槽112能够增加清洗药液在第二毛刷05内的停留时间，进而增加清洗药液与硅片03背面的接触时间，能够提高对硅片03背面的清洗效果。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种硅片清洗设备，其特征在于，包括：
支撑组件，用于支撑水平放置的硅片；
相对设置的第一毛刷和第二毛刷，所述第一毛刷用于对硅片正面进行清洗，所述第二毛刷用于对硅片背面进行清洗；
驱动所述第一毛刷移动的第一毛刷臂；
驱动所述第二毛刷移动的第二毛刷臂；
其中，所述第二毛刷朝向所述硅片的表面设置有用于容纳清洗药液的沟槽，所述沟槽通过位于所述第二毛刷中心的药液出口与所述第二毛刷臂中的药液通道连通。
2.根据权利要求1所述的硅片清洗设备，其特征在于，所述第二毛刷的尺寸大于所述第一毛刷的尺寸。
3.根据权利要求1所述的硅片清洗设备，其特征在于，所述第二毛刷的半径为所述第一毛刷的半径的两倍以上。
4.根据权利要求1所述的硅片清洗设备，其特征在于，所述支撑组件包括：
沿所述硅片的周向均匀分布的至少三个支撑滚轮，所述硅片能够水平放置在所述支撑滚轮上，所述支撑滚轮转动能够带动所述硅片转动。
5.根据权利要求1所述的硅片清洗设备，其特征在于，还包括：
设置在所述硅片上方的第一清洗药液喷嘴；
设置在所述硅片下方的第二清洗药液喷嘴。
6.根据权利要求1所述的硅片清洗设备，其特征在于，所述沟槽包括至少一个从所述第二毛刷的中心延伸至所述第二毛刷的边缘的弧形的第一沟槽。
7.根据权利要求6所述的硅片清洗设备，其特征在于，所述沟槽包括至少两个半径不同的环状的第二沟槽。
8.根据权利要求7所述的硅片清洗设备，其特征在于，所述第一沟槽与所述第二沟槽的深度相同。
9.根据权利要求1所述的硅片清洗设备，其特征在于，所述第二毛刷采用PVC海绵块。
10.一种硅片清洗方法，其特征在于，应用于如权利要求1-9中任一项所述的硅片清洗设备，所述方法包括：
利用所述支撑组件支撑水平放置的硅片；
驱动所述第一毛刷和所述第二毛刷旋转对所述硅片进行清洗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410275318.4A CN117878026A (zh) | 2024-03-12 | 2024-03-12 | 硅片清洗设备及硅片清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410275318.4A CN117878026A (zh) | 2024-03-12 | 2024-03-12 | 硅片清洗设备及硅片清洗方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117878026A true CN117878026A (zh) | 2024-04-12 |
Family
ID=90584842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202410275318.4A Pending CN117878026A (zh) | 2024-03-12 | 2024-03-12 | 硅片清洗设备及硅片清洗方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117878026A (zh) |
Citations (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0869989A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置、基板洗浄具及び基板洗浄方法 |
| JPH10335282A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Fujitsu Ltd | ブラシスクラバ |
| US20020028640A1 (en) * | 1999-08-05 | 2002-03-07 | Barnhart Gunnar A. | Method and apparatus for cleaning a surface of a microelectronic substrate |
| KR20050047147A (ko) * | 2003-11-17 | 2005-05-20 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 세정 장치 |
| JP2008027959A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Fujifilm Corp | ウエハ洗浄装置 |
| JP2008211253A (ja) * | 2008-05-19 | 2008-09-11 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置、ブラシ洗浄装置 |
| CN101620987A (zh) * | 2008-07-02 | 2010-01-06 | 东京毅力科创株式会社 | 基板清洗装置 |
| CN203622168U (zh) * | 2013-12-19 | 2014-06-04 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 一种具有清洗装置的硅片加工设备 |
| CN109225973A (zh) * | 2018-09-10 | 2019-01-18 | 麦斯克电子材料有限公司 | 一种用于硅抛光片擦片清洗机的擦片刷装置 |
| CN110112082A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-08-09 | 金瑞泓科技(衢州)有限公司 | 一种用于解决硅片背面圈印的刷洗装置以及使用方法 |
| CN110369371A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-25 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种大尺寸硅圆片清洗装置及其清洗工艺 |
| CN111834259A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-10-27 | 中国科学院微电子研究所 | 一种清洗组件 |
| CN114227526A (zh) * | 2022-02-28 | 2022-03-25 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种研磨载台、研磨装置、研磨方法及硅片 |
| CN114649245A (zh) * | 2022-05-19 | 2022-06-21 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于承载和清洁硅片的装置 |
| CN115502136A (zh) * | 2022-10-12 | 2022-12-23 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种硅片清洗装置及清洗工艺 |
| CN117542762A (zh) * | 2023-11-28 | 2024-02-09 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 硅片清洗方法及硅片清洗设备 |
-
2024
- 2024-03-12 CN CN202410275318.4A patent/CN117878026A/zh active Pending
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0869989A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置、基板洗浄具及び基板洗浄方法 |
| JPH10335282A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Fujitsu Ltd | ブラシスクラバ |
| US20020028640A1 (en) * | 1999-08-05 | 2002-03-07 | Barnhart Gunnar A. | Method and apparatus for cleaning a surface of a microelectronic substrate |
| US6406358B1 (en) * | 1999-08-05 | 2002-06-18 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for cleaning a surface of a microelectronic substrate |
| KR20050047147A (ko) * | 2003-11-17 | 2005-05-20 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 세정 장치 |
| JP2008027959A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Fujifilm Corp | ウエハ洗浄装置 |
| JP2008211253A (ja) * | 2008-05-19 | 2008-09-11 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置、ブラシ洗浄装置 |
| CN101620987A (zh) * | 2008-07-02 | 2010-01-06 | 东京毅力科创株式会社 | 基板清洗装置 |
| CN203622168U (zh) * | 2013-12-19 | 2014-06-04 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 一种具有清洗装置的硅片加工设备 |
| CN109225973A (zh) * | 2018-09-10 | 2019-01-18 | 麦斯克电子材料有限公司 | 一种用于硅抛光片擦片清洗机的擦片刷装置 |
| CN110112082A (zh) * | 2019-04-22 | 2019-08-09 | 金瑞泓科技(衢州)有限公司 | 一种用于解决硅片背面圈印的刷洗装置以及使用方法 |
| CN110369371A (zh) * | 2019-07-23 | 2019-10-25 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种大尺寸硅圆片清洗装置及其清洗工艺 |
| CN111834259A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-10-27 | 中国科学院微电子研究所 | 一种清洗组件 |
| CN114227526A (zh) * | 2022-02-28 | 2022-03-25 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种研磨载台、研磨装置、研磨方法及硅片 |
| CN114649245A (zh) * | 2022-05-19 | 2022-06-21 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种用于承载和清洁硅片的装置 |
| CN115502136A (zh) * | 2022-10-12 | 2022-12-23 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种硅片清洗装置及清洗工艺 |
| CN117542762A (zh) * | 2023-11-28 | 2024-02-09 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 硅片清洗方法及硅片清洗设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5778481A (en) | Silicon wafer cleaning and polishing pads | |
| KR100328607B1 (ko) | 결합식슬러리분배기와세척아암및이장치의작동방법 | |
| US5901399A (en) | Flexible-leaf substrate edge cleaning apparatus | |
| US11642704B2 (en) | Roll-type processing member, pencil-type processing member, and substrate processing apparatus including any one of these | |
| CN104275317A (zh) | 基板清洗装置及基板清洗方法 | |
| KR20190074403A (ko) | 웨이퍼 세정 장치 | |
| TW201010800A (en) | Substrate cleaning device | |
| CN209125576U (zh) | 研磨液供给手臂及化学机械研磨装置 | |
| JP3481891B2 (ja) | ベアリング洗浄装置 | |
| CN108028191A (zh) | 基板处理方法及基板处理装置 | |
| US6418584B1 (en) | Apparatus and process for cleaning a work piece | |
| CN117878026A (zh) | 硅片清洗设备及硅片清洗方法 | |
| CN113442045A (zh) | 一种具有清洗装置的抛光机及其使用方法 | |
| CN219233267U (zh) | 一种晶圆后处理装置 | |
| CN215999992U (zh) | 一种具有清洗装置的抛光机 | |
| CN215965212U (zh) | 一种用于单片湿处理制程的槽式工艺系统 | |
| EP1320871A2 (en) | Fluid delivery ring and methods for making and implementing the same | |
| KR100858240B1 (ko) | 기판 스핀 장치 | |
| CN110335835B (zh) | 利用二段式石英喷嘴清洗硅片的装置及方法 | |
| KR100602186B1 (ko) | 웨이퍼 테두리 연마단자를 구비한 웨이퍼 세정장치 | |
| CN221101262U (zh) | 一种掩膜版清洗机毛刷机构 | |
| CN218069797U (zh) | 清洗装置 | |
| JPH11347925A (ja) | 基板受渡し装置 | |
| CN217317569U (zh) | 一种用于清洁抛光盘的装置 | |
| CN221832892U (zh) | 清洗装置及半导体制造设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |