CN217317569U - 一种用于清洁抛光盘的装置 - Google Patents

一种用于清洁抛光盘的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN217317569U
CN217317569U CN202221334139.6U CN202221334139U CN217317569U CN 217317569 U CN217317569 U CN 217317569U CN 202221334139 U CN202221334139 U CN 202221334139U CN 217317569 U CN217317569 U CN 217317569U
Authority
CN
China
Prior art keywords
cleaning
polishing
unit
liquid
bristles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202221334139.6U
Other languages
English (en)
Inventor
贺云鹏
王贺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xian Eswin Material Technology Co Ltd
Original Assignee
Xian Eswin Material Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian Eswin Material Technology Co Ltd filed Critical Xian Eswin Material Technology Co Ltd
Priority to CN202221334139.6U priority Critical patent/CN217317569U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN217317569U publication Critical patent/CN217317569U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种用于清洁抛光盘的装置,其特征在于,所述装置包括:清洁单元,所述清洁单元包括形成有刷毛的清洁头以及喷头,其中,当所述装置工作时,所述刷毛能够与抛光盘贴合并且所述喷头能够对所述抛光盘喷射清洁液,以对所述抛光盘进行清洁。通过带有刷毛的清洁头以及能够喷射清洁液的喷头对抛光盘进行刷洗,可以清除沉积在抛光盘上的抛光液以及抛光碎屑,由此改善抛光盘的清洁度,从而解决因抛光盘洁净程度较差导致污染硅片使硅片品质下降的问题。

Description

一种用于清洁抛光盘的装置
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种用于清洁抛光盘的装置。
背景技术
半导体生产加工过程中,对硅片的化学机械抛光是指:在使硅片旋转的同时将其以一定的压力压在旋转的抛光垫上,在这个过程中,抛光液中化学溶液与硅片表面产生化学反应,改变硅片表面的物理性质,并在其上形成一层容易去除的反应膜,该反应膜由抛光液中的磨粒通过机械作用去除。化学机械抛光技术结合了机械研磨和化学研磨的优势。化学研磨的优点在于使硅片表面精度较高,损伤低,完整性好,但缺点在于研磨速率慢,材料去除率低。机械研磨的优点在于研磨一致性好,研磨效率高,材料去除率高,但缺点在于研磨后的硅片表面粗糙度值较低。化学机械抛光技术则结合了两者的优点,既保证了材料的去除效率,又可以获得较理想的硅片表面质量。
抛光盘是执行化学机械抛光工艺的关键部件,抛光盘的机械性能如硬度、弹性、热膨胀系数、耐腐蚀程度等会对硅片的平整度造成重要的影响。在硅片抛光过程中,在抛光盘的不断旋转以及温度的作用下,抛光过程中添加的抛光液会持续的挥发,并且硅片表面被去除的残屑也会飞溅,二者都可能附着在抛光盘的外周。由于抛光盘主要由金属材质制成,抛光液以及抛光残屑的不断结晶附着在抛光盘的外周上可能导致抛光盘的外周腐蚀,而抛光盘状态的变化则会在硅片加工过程中影响硅片表面平坦度,引起金属离子污染,导致硅片表面出现划伤等问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例期望提供一种用于清洁抛光盘的装置;通过该装置对抛光盘进行清洁,能够解决抛光盘在硅片加工过程中被污染而影响硅片品质的问题。
本实用新型的技术方案是这样实现的:
本实用新型实施例提供了一种用于清洁抛光盘的装置,所述装置包括:
清洁单元,所述清洁单元包括形成有刷毛的清洁头以及喷头,
其中,当所述装置工作时,所述刷毛能够与抛光盘贴合并且所述喷头能够对所述抛光盘喷射清洁液,以对所述抛光盘进行清洁。
本实用新型实施例提供了一种用于清洁抛光盘的装置;通过带有刷毛的清洁头以及能够喷射清洁液的喷头对抛光盘进行刷洗,可以清除沉积在抛光盘上的抛光液以及抛光碎屑,由此改善抛光盘的清洁度,从而解决因抛光盘洁净程度较差导致污染硅片,使硅片品质下降的问题。
附图说明
图1为根据本实用新型实施例的用于清洁抛光盘的装置的示意图;
图2为根据本实用新型实施例的用于清洁抛光盘的装置的一部分的示意图;
图3为根据本实用新型的另一实施例的用于清洁抛光盘的装置的示意图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
参见图1,本实用新型实施例提供了一种用于清洁抛光盘的装置10,所述装置包括:清洁单元100,所述清洁单元100包括形成有刷毛BR的清洁头101以及喷头102,其中,当所述装置工作时,所述刷毛BR能够与抛光盘PL贴合并且所述喷头102能够对所述抛光盘PL喷射清洁液,以对所述抛光盘PL进行清洁。
本实用新型实施例提供了一种用于清洁抛光盘的装置10;在硅片加工过程中,例如在双面抛光加工工序完成之后,上抛光盘上升,将抛光后的硅片取出,此时,可以将本发明实施例的装置10安置成其清洁单元100的清洁头101上的刷毛BR贴合抛光盘的外表面,然后开启喷头102,通过清洁液的冲洗以及刷毛清扫可将抛光液结晶有效去除,由此可以改善抛光盘PL的清洁度,从而解决因抛光盘PL洁净程度较差导致污染硅片,使硅片品质下降的问题。
在用清洁单元100对抛光盘PL刷洗完成之后,在抛光盘PL上还有可能残留部分杂质以及清洁液,为了进一步清理抛光盘PL,加快生产进程,参见图2,优选地,所述装置10还包括干燥单元200,所述干燥单元200用于对所述抛光盘PL喷射干燥空气,以对所述抛光盘PL进行清理和干燥。
在刷洗操作完成之后,关闭喷头102,开启干燥单元200对湿润的抛光盘PL喷射干燥空气,由此一方面使抛光盘快速干燥,另一方面可以再一次清理残留在抛光盘上的杂质或碎屑,以便于抛光盘能够被清理结束进行下一轮抛光操作。
根据本实用新型的优选实施例,如图2所示,干燥单元200设置成气刀,其包括能够喷射干燥空气的长型开口201。
为了防止清洁单元100和干燥单元200在对抛光盘PL清洁的过程中清洁液和碎屑飞溅造成对设备的二次污染,优选地,参见图3,所述装置10还包括防护罩300,所述防护罩300围绕所述清洁单元100和所述干燥单元200设置,用于防止清洁过程中的杂质飞溅。
具体地,参见图3,防护罩300从至少三个方向围绕清洁单元100和干燥单元200,在双面抛光加工工序完成之后,将装置10安置成其清洁单元100的清洁头101上的刷毛BR和防护罩300的开口部分的外边缘均贴合抛光盘PL的外表面,由此,清洁过程中飞溅的液体或杂质均可以被防护罩300遮挡,而不会飞溅至其他位置而造成对抛光设备的二次污染。
本实用新型实施例的清洁单元100和干燥单元200可以利用抛光设备自身的清洁液源和干燥空气源,替代性地,装置10自身可以具有清洁液源和/或干燥空气源。
根据本实用新型的优选实施例,参见图1,所述装置10还包括与所述清洁单元100的所述喷头102连通的供液单元400,所述供液单元400用于向所述喷头102供给清洁液。
根据本实用新型的另一优选实施例,参见图2,所述装置10还包括与所述干燥单元200连通的供气单元500,所述供气单元500用于向所述干燥单元200供给干燥空气。
通过为装置10设置供液单元400和供气单元500,装置10具备了自身的清洁液源和干燥空气源,这使得本发明实施例提供的装置10具有更佳的适用性,无需再对现有的抛光设备的供气或供液系统进行改造,也无需额外设立清洁液源和干燥空气源,而是基本上可以直接应用于现有的抛光设备,因此降低了使用成本。
对于清洁单元100和干燥单元200的具体布置方式,优选地,参见图3,所述清洁单元100与所述干燥单元200邻近于彼此并排布置。
清洁单元的具体形状及尺寸可以根据具体应用变化,作为示例,参见图1,所述清洁单元100包括纵向布置的四个喷头102,四个喷头102彼此间隔开,清洁头101呈矩形,喷头102较为均匀地布置在清洁头101上,使得喷射出的清洁液也能够均匀地分布在刷毛BR上。
本实用新型实施例提供的装置10可以用于抛光盘的整体清洁,也可以用于对抛光盘进行局部清洁。由于在对硅片的抛光过程中,大部分的杂质或碎屑将沉积在抛光盘的外周部分上,因此抛光盘的外周部分是重点被污染对象。针对此情况,优选地,所述装置10用于清洁所述抛光盘PL的外周部分。
当使用本实用新型实施例的装置10清洁抛光盘PL的外周部分时,首先将装置10放置成其清洁单元100的清洁头101的刷毛BR紧贴抛光盘PL的外周部分,并且在设置有干燥单元200和防护罩300的情况下,使干燥单元200靠近抛光盘PL的外周部分并使防护罩300的外边缘紧贴抛光盘PL的外周部分,然后在使抛光盘PL旋转的同时开启喷射头102,以通过刷毛BR对抛光盘PL的外周进行清洁,清洁结束之后,关闭喷射头102,开启干燥单元200以对抛光盘PL的外周进行干燥和进一步的清理工作,全部清理工作完成之后,使抛光盘PL停止旋转。通过对与抛光盘内表面连接的外周进行表面洁净度管理,解决了在抛光盘内表面洁净度良好的情况下由于外周洁净程度状态较差导致晶圆品质下降的问题。
以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种用于清洁抛光盘的装置,其特征在于,所述装置包括:
清洁单元,所述清洁单元包括形成有刷毛的清洁头以及喷头,
其中,当所述装置工作时,所述刷毛能够与抛光盘贴合并且所述喷头能够对所述抛光盘喷射清洁液,以对所述抛光盘进行清洁。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括干燥单元,所述干燥单元用于对所述抛光盘喷射干燥空气,以对所述抛光盘进行清理和干燥。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述装置还包括防护罩,所述防护罩围绕所述清洁单元和所述干燥单元设置,用于防止清洁过程中的杂质或清洁液飞溅。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述装置还包括与所述清洁单元的所述喷头连通的供液单元,所述供液单元用于向所述喷头供给清洁液。
5.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述装置还包括与所述干燥单元连通的供气单元,所述供气单元用于向所述干燥单元供给干燥空气。
6.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述清洁单元与所述干燥单元邻近于彼此并排布置。
7.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述清洁单元包括纵向布置的四个喷头。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的装置,其特征在于,所述装置用于清洁所述抛光盘的外周部分。
CN202221334139.6U 2022-05-30 2022-05-30 一种用于清洁抛光盘的装置 Active CN217317569U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202221334139.6U CN217317569U (zh) 2022-05-30 2022-05-30 一种用于清洁抛光盘的装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202221334139.6U CN217317569U (zh) 2022-05-30 2022-05-30 一种用于清洁抛光盘的装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN217317569U true CN217317569U (zh) 2022-08-30

Family

ID=82987780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202221334139.6U Active CN217317569U (zh) 2022-05-30 2022-05-30 一种用于清洁抛光盘的装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN217317569U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI680834B (zh) 晶圓之邊緣研磨裝置以及方法
US6099393A (en) Polishing method for semiconductors and apparatus therefor
KR101592623B1 (ko) 실리콘 전극 세척용 이머시브 산화 및 에칭 프로세스
TWI623358B (zh) 用於洗淨修整盤之刷子、洗淨裝置及洗淨方法
US10734254B2 (en) Brush cleaning apparatus, chemical-mechanical polishing (CMP) system and wafer processing method
CN111451938B (zh) 研磨载具清洗装置及研磨载具清洗方法
CN109277940B (zh) 一种化学机械研磨装置和化学机械研磨方法
WO1999046083A1 (fr) Dispositif de nettoyage pour dresseur correcteur de marbre
TWI816544B (zh) 一種研磨載台、研磨裝置、研磨方法及矽片
CN101879699A (zh) 循环渐进平坦化方法及用于该方法的半导体研磨清洁装置
CN202174489U (zh) 晶圆清洗装置以及化学机械研磨设备
JP2008296293A (ja) 研磨部のチャンバ内洗浄装置および洗浄方法
CN217317569U (zh) 一种用于清洁抛光盘的装置
CN201894999U (zh) 一种清洗装置
TWI824755B (zh) 一種用於承載和清潔矽片的裝置
JP2002079190A (ja) 基板洗浄部材、ならびにこれを用いた基板洗浄装置および基板洗浄方法
KR102098992B1 (ko) 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치
KR20080109181A (ko) 반도체 제조설비의 웨이퍼 표면 세정장치
US20080032609A1 (en) Apparatus for reducing contaminants from a chemical mechanical polishing pad
CN219170585U (zh) 一种研磨垫修整设备
CN102468125B (zh) 一种晶片的清洗方法
JPH1060150A (ja) Pvaスポンジ
CN201410642Y (zh) 半导体研磨清洁装置
JP2006269582A (ja) ワークチャックの洗浄装置、研磨装置、ワークチャックの洗浄方法及びウェーハの製造方法
CN203993512U (zh) 化学机械研磨刷子及化学机械研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: Room 1-3-029, No. 1888, Xifeng South Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi 710065

Patentee after: Xi'an Yisiwei Material Technology Co.,Ltd.

Address before: 710100 room 1-3-029, No. 1888, Xifeng South Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi Province

Patentee before: Xi'an yisiwei Material Technology Co.,Ltd.