TWI824755B - 一種用於承載和清潔矽片的裝置 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 152
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 152
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 152
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title claims abstract description 107
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 79
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 238000003809 water extraction Methods 0.000 claims 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 7
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
本發明實施例公開了一種用於承載和清潔矽片的裝置，該裝置包括：用於沿水平方向支承矽片的支承部分；清潔部分，該清潔部分用於在該矽片被該支承部分支承時對該矽片的下表面進行清潔，該清潔部分包括第一部分和第二部分，該第一部分設置成能夠向該矽片的下表面噴射清潔液，該第二部分設置成能夠相對於該矽片旋轉；其中，該第二部分的上表面上形成有刷毛並且該第二部分的上表面能夠在第一狀態與第二狀態之間變形，在該第一狀態，該刷毛不與該矽片接觸，在該第二狀態，該刷毛能夠與該矽片的下表面接觸以通過該第二部分相對於該矽片的下表面的旋轉對該矽片的下表面進行清潔。
Description
本發明屬於半導體矽片加工技術領域，尤其關於一種用於承載和清潔矽片的裝置。
矽片是半導體元件製造的材料，一般情況下，多晶矽通過重熔拉晶，切片，倒角，研磨，拋光，清洗等製程後，即可獲得表面光滑平坦，邊緣整齊的晶片級矽片。隨著矽片直徑越來越大與積體電路特徵尺寸越來越小，對晶圓表面平坦度及表面的潔淨程度，損傷度提出了更高的要求。
在矽片的加工過程中，對執行矽片倒角製程的目的是要消除矽片邊緣表面因經切割加工而產生的稜角、毛刺、崩邊、裂縫或其他的缺陷和各種邊緣表面污染，從而降低矽片表面的粗糙度，增加矽片邊緣表面的機械強度，減少表面沾汙的顆粒。
對於倒角製程而言，主要是根據倒角設備的情況和所使用的磨輪磨削材料的細微性來選定合適的磨輪轉速、矽片轉速、矽片去除量、倒角圈數、磨輪型號、切削液類型、切削液流量等，以生產出滿足客戶需求的產品。
對矽片的倒角通常由倒角機完成。倒角機用於對晶圓邊緣進行磨削，在倒角過程中，晶圓通常被真空吸附在承載臺上並與承載台一起旋轉，通過控制晶圓運動，由帶V型槽的砂輪高速旋轉對晶圓邊緣進行磨削。
然而，矽片在被倒角之前表面潔淨度通常較差，而且在邊緣倒角過程中，產生的矽渣及磨輪碎屑會飛濺到承載臺上，從而導致承載台在承載和吸附矽片時會對矽片表面造成損傷。
為解決上述技術問題，本發明實施例期望提供一種能夠同時解決對矽片的承載和清潔問題的裝置。
本發明的技術方案是這樣實現的：
一種用於承載和清潔矽片的裝置，該裝置包括：用於沿水平方向支承矽片的支承部分；清潔部分，該清潔部分用於在該矽片被該支承部分支承時對該矽片的下表面進行清潔，該清潔部分包括第一部分和第二部分，該第一部分設置成能夠向該矽片的下表面噴射清潔液，該第二部分設置成能夠相對於該矽片旋轉；其中，該第二部分的上表面上形成有刷毛並且該第二部分的上表面能夠在第一狀態與第二狀態之間變形，在該第一狀態，該刷毛不與該矽片接觸，在該第二狀態，該刷毛能夠與該矽片的下表面接觸以通過該第二部分相對於該矽片的下表面的旋轉對該矽片的下表面進行清潔。
本發明實施例提供了一種用於承載和清潔矽片的裝置，該裝置包括：
支承矽片的支承部分和對矽片的下表面進行清潔的清潔部分，清潔部分包括能夠向矽片的下表面噴射清潔液的第一部分以及通過刷毛對矽片的下表面進行清潔的第二部分，其中，矽片的第二部分能夠在第一狀態與第二狀態之間變形，並且僅在第二狀態與矽片接觸以對矽片進行清潔，不同於常規的矽片承載台，本發明實施例提供的裝置僅部分地支承矽片而非以接觸矽片的整個下表面的方式支承矽片，由此減少了支承表面與矽片的接觸面積，避免了因前一拋光操作導致飛濺並殘留在承載台表面上的碎屑對矽片表面造成損傷，而且本發明實施例提供的裝置還能夠通過噴射清潔液的第一部分與具有刷毛的第二部分的相互配合對承載的矽片進行清潔，以去除因前一製程而附著在矽片表面上的碎屑，因而避免了因矽片自身的不清潔而造成對矽片表面的損傷。
為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，下面結合附圖及實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發明，但並不用於限定本發明。
需要說明的是，當元件被稱為“固定於”或“設置於”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者間接在所述另一個元件上。當一個元件被稱為是“連接於”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或間接連接至所述另一個元件上。
需要理解的是，術語“長度”、“寬度”、“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內”、“外”等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。
此外，術語“第一”、“第二”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特徵可以明示或者隱含地包括一個或者更多個所述特徵。在本發明的描述中，“多個”的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。
在本發明中，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術語應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關係。對於本領域的具有通常知識者而言，可以根據具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。
在目前的矽片倒角操作中，矽片通常由吸附載台吸附固定，常規的吸附載台一般由質地堅硬的陶瓷製成且表面通常帶有溝槽，這導致對矽片進行研磨所產生的碎屑極易附著在吸附載台的表面，從而在吸附矽片時對矽片表面造成損傷。
為了解決上述問題，參見圖1，本發明實施例提供了用於承載和清潔矽片S的裝置1，該裝置1包括：用於沿水平方向支承矽片S的支承部分10；清潔部分20，該清潔部分20用於在該矽片S被該支承部分10支承時對該矽片S的下表面S1進行清潔，該清潔部分20包括第一部分201和第二部分202，該第一部分201設置成能夠向該矽片S的下表面S1噴射清潔液，該第二部分202設置成能夠相對於該矽片S旋轉；其中，該第二部分202的上表面2021上形成有刷毛2022並且該第二部分202的上表面2021能夠在第一狀態與第二狀態之間變形，在該第一狀態，該刷毛2022不與該矽片S接觸，在該第二狀態，該刷毛2022能夠與該矽片S的下表面S1接觸以通過該第二部分202相對於該矽片S的下表面S1的旋轉對該矽片S的下表面S1進行清潔。
具體地，矽片S 在經過前一製程後由機械臂R轉移至用於承載和清潔矽片S的裝置1處，並且機械臂R將矽片S水平固定在裝置1上，其中，矽片S的下表面S1與裝置1直接接觸，圖1和圖2分別示出了裝置1的第二部分202的上表面2021的第一狀態和第二狀態，在第一狀態中，如圖1所示，第二部分202的上表面2021上的刷毛2022與矽片S的下表面S1之間存在一定的間隙，也就是說，第二部分202的刷毛2022是不與矽片S的下表面S1相接觸的，而且，在圖1中示出的實施例中，第一部分201與矽片S的下表面S1之間也是間隔開的，只有裝置1的支承部分10與矽片S的下表面S1相接觸以支承矽片S。在第二狀態中，如圖2所示，第二部分202的上表面2021發生向上凸出的變形，使得形成在上表面2021上的刷毛2022能夠與矽片S的下表面S1相接觸，在這種情況下，當裝置1的第二部分202相對於矽片S旋轉時，刷毛2022可以對矽片S的下表面S1進行清潔。
本發明實施例提供了一種用於承載和清潔矽片S的裝置1，該裝置1包括：支承矽片S 的支承部分10和對矽片S的下表面S1進行清潔的清潔部分20，清潔部分20包括能夠向矽片S的下表面S1噴射清潔液的第一部分201以及通過刷毛2022對矽片S的下表面S1進行清潔的第二部分202，其中，矽片S的第二部分202能夠在第一狀態與第二狀態之間變形，並且僅在第二狀態與矽片S接觸以對矽片S進行清潔，不同於常規的矽片承載台，本發明實施例提供的裝置1僅部分地支承矽片S而非以接觸矽片S的整個下表面S1的方式支承矽片S，由此減少了支承表面與矽片S的接觸面積，避免了因前一拋光操作而飛濺並殘留在承載台表面上的碎屑對矽片表面造成損傷，而且本發明實施例提供的裝置1還能夠通過噴射清潔液的第一部分201與具有刷毛2022的第二部分202的相互配合對承載的矽片S進行清潔，以去除因前一製程而附著在矽片S的表面上的碎屑，因而避免了因矽片自身的不清潔而造成對矽片表面的損傷。
為了進一步避免對矽片表面的損傷，例如，支承部分10由硬度較低的橡膠材料製成。
為了實現第二部分202的上表面2021在第一狀態與第二狀態之間的轉換，可選地，參見圖1，該第二部分202包括能夠被充入流體的腔體2023，其中，該第二部分202的上表面2021形成在該腔體2023的上方並且由柔性材料製成，使得隨著該腔體2023被充入流體，該第二部分202的上表面2021能夠從該第一狀態變形至該第二狀態，具體地，隨著腔體2023被充入流體，由柔性材料製成的上表面2021在充入腔體2023中的流體的作用下而逐漸向上凸起變形，使得原本與矽片S的下表面S1間隔開的刷毛2022（如圖1所示），逐漸靠近矽片S的下表面S1並最終與其相接觸（如圖2所示）。
根據本發明的可選實施例，該第二部分202的上表面2021例如可以由聚乙烯丙綸、聚四氟乙烯、PDMS等材料製成。
根據本發明的可選實施例，參見圖1至圖3，該支承部分10、該第一部分201和該第二部分202關於該裝置1的縱向中心線X同心地佈置，在水平方向上，該支承部分10設置在該裝置1的最外部並且該第二部分202位於該支承部分10與該第一部分201之間。
例如，在圖3示出的實施例中，當從上方觀察時，裝置1整體上大致呈圓形，其中，第一部分201、第二部分202和支承部分10同心地佈置，第一部分201呈大致圓形並且位於中央位置處，支承部分10呈大致圓環形狀並且在徑向方向上位於最外部，第二部分202呈大致圓環形狀並且在徑向方向上位於第一部分201與支承部分10之間。通過上述佈置，可以使裝置1的結構更為緊湊，而且可以更高效地執行清潔操作。
為了更好地實現清潔液的噴射，可選地，該第一部分201包括噴嘴2011，該相對於該縱向中心線X偏心地佈置，並且該第一部分201和該第二部分202設置成能夠相對於矽片S繞該縱向中心線X旋轉。通過將噴嘴2011偏心地設置，當第一部分201繞縱向中心線X旋轉時，噴嘴2011可以對矽片的下表面的更多面積噴射清潔液，而且，噴嘴2011的噴射角度可以被設置成噴射出的清潔液能夠盡可能多地覆蓋矽片S的下表面S1，並且由噴嘴噴射的清潔液同樣可以使刷毛浸濕，從而對刷毛也起到清潔的作用。
為了更進一步促進對矽片的清潔，可選地，第一部分201和第二部分202設置成能夠繞縱向中心線X相對於彼此沿相反的方向旋轉，通過使第一部分201和第二部分202相對於彼此沿相反的方向旋轉可以使第二部分的刷毛更好地與噴射出的清潔液相互配合，達到清潔的目的。
為了提高對清潔液的利用，降低生產成本，可選地，參見圖1，該裝置1還包括與用於收集清潔液的蓄水槽30，該蓄水槽30設置成具有位於頂部的敞開的口部301，並且該口部301與該第一部分201和該第二部分202上方的空間連通，由此噴射在矽片S的下表面S1上的清潔液可以通過口部301滴落進入蓄水槽30，以便於後續迴圈利用，這樣不僅節約了生產成本，而且也減少了因清潔液隨意流動而造成對裝置1的其他部分的污染。
根據本發明的一個實施例，裝置1可以用於在矽片經受倒角時對矽片進行承載，在這種應用中，通常利用機械臂R將矽片安置在裝置1上，並且當矽片S被裝置1清潔完成之後，機械臂R將與矽片分離以便於執行後續的倒角操作，此時，需要通過其他方式將矽片繼續固定在裝置1上。針對此情況，可選地，該蓄水槽30位於該支承部分10的正下方，並且該支承部分10形成有使該支承部分10上方的空間與該蓄水槽30的內部連通的通氣孔302，在圖3中示出的實施例中，設置有均勻分佈在支承部分10的上表面上的四個通氣孔302，當對矽片的清潔完成之後可以將蓄水槽30中的清潔液排空，接著可以通過在蓄水槽30內持續形成負壓來經由通氣孔302將矽片吸附在支承部分10上，由於負壓作用於矽片不會對矽片表面造成損傷，而且不需要增加額外的固定裝置，因此是一種經濟且有效的固定方式。
為了便於排空蓄水槽30，可選地，如圖1所示，該蓄水槽30包括位於底部的抽水孔303，該抽水孔303與該蓄水槽30的內部連通以使得能夠排空該蓄水槽30，通過將抽水孔303設置在蓄水槽30的底部，存儲在蓄水槽30中的清潔液通過自身重力也可以從蓄水槽30中流出，當然，也可以在抽水孔303處設置泵，以加速清潔液從蓄水槽排出，並且可以在蓄水槽30內形成負壓，以將矽片吸附在裝置1的支承部分10上。
為了提高裝置1的工作效率，裝置1的清潔操作可以自動地執行，可選地，參見圖4，該裝置1還包括控制器40和用於感測該蓄水槽30中的液位水平的液位感測器50，該控制器40配置成能夠根據該液位感測器50的感測結果使該第一部分201和該第二部分202停止旋轉。
例如，參見圖4，裝置1的蓄水槽30設置有第一刻度K1和第二刻度K2，在裝置1對矽片的清潔階段，蓄水槽30內的液面不斷上升，當液位感測器50感測到液面水平達到第一刻度K1時向控制器40發送信號，控制器40則可以在收到信號之後立即使第二部分202停止旋轉並排出腔體2023中的流體以使第二部分202的上表面2021恢復至第一狀態，而第一部分201則繼續向矽片的下表面噴射清潔液以對矽片的下表面進行二次清潔，當液位感測器50感測到液面水平達到第二刻度K2時再次向控制器40發送信號，控制器40可以在收到信號之後立即使第一部分201停止旋轉並且停止噴射清潔液，與此同時，控制器40可以控制打開蓄水槽30的抽水孔303排出其容納的清潔液，並最終在蓄水槽30內形成將矽片吸附在裝置1的支承部分10上的負壓，以便在機械臂R撤離的情況下進行後續的倒角操作，其中，第一刻度K1和第二刻度K2可以根據實際產品要求以及加工情況靈活地設定，由此裝置1的清潔操作可以通過控制器40和液位感測器50相互配合來自動地進行，提高了工作效率。
為了更好地回收利用清潔液，可選地，參見圖1，該第一部分201還包括用於排出該第一部分201的上表面上的清潔液的第一排放孔2012。
根據本發明的可選實施例，參見圖1，該第二部分202的該腔體2023設置有第二排放孔2024，其中，充入該腔體2023中的流體能夠經由該第二排放孔排出，使得該第二部分202的該上表面能夠從該第二狀態恢復至該第一狀態。
需要說明的是：本發明實施例所記載的技術方案之間，在不衝突的情況下，可以任意組合。
上面結合附圖對本發明的實施例進行了描述，但是本發明並不局限於上述的具體實施方式，上述的具體實施方式僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領域的具有通常知識者在本發明的啟示下，在不脫離本發明宗旨和權利要求所保護的範圍情況下，還可做出很多形式，均屬於本發明的保護之內。
1:裝置
10:支承部分
20:清潔部分
201:第一部分
2011:噴嘴
2012:第一排放孔
202:第二部分
2021:上表面
2022:刷毛
2023:腔體
2024:第二排放孔
30:蓄水槽
301:口部
302:通氣孔
303:抽水孔
40:控制器
50:液位感測器
K1:第一刻度
K2:第二刻度
R:機械臂
S:矽片
S1:下表面
X:中心線
圖1為根據本發明實施例的用於承載和清潔矽片的裝置的結構示意圖，其示出了裝置的第二部分處於第一狀態；
圖2為根據本發明實施例的用於承載和清潔矽片的裝置的結構示意圖，其示出了裝置的第二部分處於第二狀態；
圖3為根據本發明實施例的用於承載和清潔矽片的裝置的俯視圖，其中，移除了矽片；
圖4為根據本發明的另一實施例的用於承載和清潔矽片的裝置的結構示意圖。
1:裝置
10:支承部分
20:清潔部分
201:第一部分
2011:噴嘴
2012:第一排放孔
202:第二部分
2021:上表面
2022:刷毛
2023:腔體
2024:第二排放孔
30:蓄水槽
301:口部
302:通氣孔
303:抽水孔
R:機械臂
S:矽片
S1:下表面
X:中心線
Claims (9)
- 一種用於承載和清潔矽片的裝置，該裝置包括：用於沿水平方向支承矽片的支承部分；清潔部分，該清潔部分用於在該矽片被該支承部分支承時對該矽片的下表面進行清潔，該清潔部分包括第一部分和第二部分，該第一部分設置成能夠向該矽片的下表面噴射清潔液，該第二部分設置成能夠相對於該矽片旋轉；其中，該第二部分的上表面上形成有刷毛並且該第二部分的上表面能夠在第一狀態與第二狀態之間變形，在該第一狀態，該刷毛不與該矽片接觸，在該第二狀態，該刷毛能夠與該矽片的下表面接觸以通過該第二部分相對於該矽片的下表面的旋轉對該矽片的下表面進行清潔；其中，該第二部分包括能夠被充入流體的腔體，該第二部分的上表面形成在該腔體的上方並且由柔性材料製成，使得隨著該腔體被充入流體，該第二部分的上表面能夠從該第一狀態變形至該第二狀態。
- 如請求項1所述的用於承載和清潔矽片的裝置，其中，該支承部分、該第一部分和該第二部分關於該裝置的縱向中心線同心地佈置，在水平方向上，該支承部分設置在該裝置的最外部並且該第二部分位於該支承部分與該第一部分之間。
- 如請求項2所述的用於承載和清潔矽片的裝置，其中，該第一部分包括噴嘴，該噴嘴相對於該縱向中心線偏心地佈置，並且該第一 部分和該第二部分設置成能夠相對於矽片繞該縱向中心線旋轉。
- 如請求項2所述的用於承載和清潔矽片的裝置，該裝置還包括與用於收集清潔液的蓄水槽，該蓄水槽設置成具有位於頂部的敞開的口部，並且該口部與該第一部分和該第二部分上方的空間連通。
- 如請求項4所述的用於承載和清潔矽片的裝置，其中，該蓄水槽位於該支承部分的正下方，並且該支承部分形成有使該支承部分上方的空間與該蓄水槽的內部連通的通氣孔。
- 如請求項5所述的用於承載和清潔矽片的裝置，其中，該蓄水槽包括位於底部的抽水孔，該抽水孔與該蓄水槽的內部連通以使得能夠排空該蓄水槽。
- 如請求項4所述的用於承載和清潔矽片的裝置，該裝置還包括控制器和用於感測該蓄水槽中的液位水平的液位感測器，該控制器配置成能夠根據該液位感測器的感測結果使該第一部分和該第二部分停止旋轉。
- 如請求項1所述的用於承載和清潔矽片的裝置，其中，該第一部分還包括用於排出該第一部分的上表面上的清潔液的第一排放孔。
- 如請求項1所述的用於承載和清潔矽片的裝置，其中，該第二部分的該腔體設置有第二排放孔，充入該腔體中的流體能夠經由該第二排放孔排出，使得該第二部分的該上表面能夠從該第二狀態恢復至該第一狀態。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210544196.5A CN114649245B (zh) | 2022-05-19 | 2022-05-19 | 一种用于承载和清洁硅片的装置 |
| CN202210544196.5 | 2022-05-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202303815A TW202303815A (zh) | 2023-01-16 |
| TWI824755B true TWI824755B (zh) | 2023-12-01 |
Family
ID=81997071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111137850A TWI824755B (zh) | 2022-05-19 | 2022-10-05 | 一種用於承載和清潔矽片的裝置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114649245B (zh) |
| TW (1) | TWI824755B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117878026A (zh) * | 2024-03-12 | 2024-04-12 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 硅片清洗设备及硅片清洗方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW202010034A (zh) * | 2018-08-15 | 2020-03-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 晶圓清潔設備與晶圓清潔方法 |
| TW202214357A (zh) * | 2020-09-18 | 2022-04-16 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板洗淨裝置、基板處理裝置及基板洗淨方法 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3450584B2 (ja) * | 1996-04-09 | 2003-09-29 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置 |
| JP2001212533A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 基板端面の洗浄装置 |
| US20040018392A1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-01-29 | Texas Instruments Incorporated | Method of increasing mechanical properties of semiconductor substrates |
| DE102004013057B3 (de) * | 2004-03-05 | 2005-07-14 | Alfred Kärcher Gmbh & Co. Kg | Flächenreinigungskopf |
| JP4723398B2 (ja) * | 2006-02-22 | 2011-07-13 | Ｈｏｙａ株式会社 | スピン洗浄装置 |
| KR100751805B1 (ko) * | 2006-04-27 | 2007-08-23 | (주)이노루트 | 기판의 박판화 장치 및 이를 포함하는 기판의 박판화시스템 |
| CN201348988Y (zh) * | 2008-12-19 | 2009-11-18 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 半导体硅片清洗装置 |
| CN103144011B (zh) * | 2011-12-06 | 2016-05-18 | 有研半导体材料有限公司 | 一种控制硅片抛光表面微粗糙度的方法及抛光装置 |
| CN203622168U (zh) * | 2013-12-19 | 2014-06-04 | 杭州士兰集成电路有限公司 | 一种具有清洗装置的硅片加工设备 |
| CN105304522A (zh) * | 2014-07-29 | 2016-02-03 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 硅片背面清洗装置 |
| US10163664B2 (en) * | 2014-10-31 | 2018-12-25 | Ebara Corporation | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method |
| CN204654142U (zh) * | 2015-05-29 | 2015-09-23 | 辽宁石化职业技术学院 | 一种多功能毛刷 |
| JP6948878B2 (ja) * | 2017-08-22 | 2021-10-13 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体製造装置及び半導体基板の研磨方法 |
| CN210015840U (zh) * | 2019-04-22 | 2020-02-04 | 金瑞泓科技(衢州)有限公司 | 一种用于解决硅片背面圈印的刷洗装置 |
| TWM593649U (zh) * | 2019-07-29 | 2020-04-11 | 日月光半導體製造股份有限公司 | 晶圓框架清潔裝置 |
| CN210805718U (zh) * | 2019-12-11 | 2020-06-19 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种清洗系统 |
| US11417512B2 (en) * | 2020-02-10 | 2022-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for cleaning semiconductor wafer backside surface by hybrid brush assembly |
| KR20230061535A (ko) * | 2020-09-08 | 2023-05-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Cmp 프로세싱을 위한 방법들 및 기판 핸들링 시스템들 |
| CN112808670B (zh) * | 2020-12-30 | 2022-10-14 | 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 | 一种具有自清洁功能的半导体清洗设备 |
| CN112820629A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-18 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种晶圆研磨方法 |
| CN214685873U (zh) * | 2021-03-17 | 2021-11-12 | 天津中环领先材料技术有限公司 | 一种大尺寸硅片双面抛光装置 |
| CN114274041B (zh) * | 2021-12-24 | 2023-03-14 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 双面研磨装置和双面研磨方法 |
| CN114260820A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-01 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种抛光头和抛光设备 |
| CN114472276A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-05-13 | 华海清科股份有限公司 | 一种用于基板减薄的清洗装置 |
-
2022
- 2022-05-19 CN CN202210544196.5A patent/CN114649245B/zh active Active
- 2022-10-05 TW TW111137850A patent/TWI824755B/zh active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW202010034A (zh) * | 2018-08-15 | 2020-03-01 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 晶圓清潔設備與晶圓清潔方法 |
| TW202214357A (zh) * | 2020-09-18 | 2022-04-16 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板洗淨裝置、基板處理裝置及基板洗淨方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114649245A (zh) | 2022-06-21 |
| CN114649245B (zh) | 2022-09-09 |
| TW202303815A (zh) | 2023-01-16 |
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