CN219025133U - 一种修整器清洗装置和化学机械抛光设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种修整器清洗装置和化学机械抛光设备，修整器清洗装置包括：清洗槽，用于收集流体和污染物；至少两层清洗组件，设置在清洗槽的内侧壁，用于在修整器至少部分位于清洗槽内部后修整器与修整器清洗装置相对运动从而至少清洗修整器的侧面，其中，不同层的清洗组件处于不同高度。

Description

一种修整器清洗装置和化学机械抛光设备

技术领域

本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，尤其涉及一种修整器清洗装置和化学机械抛光设备。

背景技术

集成电路的制造过程通常分为：硅片制造、前道工艺(芯片加工)和后道工艺(封装测试)。硅片制造的主要目的是将自然原材料(砂石等)转变为晶片状的基础衬底。前道工艺(芯片加工)的主要目的是在基础衬底上生长电路器件，前道工艺的制造过程按照技术分工主要可分为：薄膜淀积、化学机械抛光(CMP)、光刻、刻蚀、离子注入等工艺环节，各工艺环节要进行多次循环。其中，CMP是利用化学腐蚀和机械研磨同时作用，实现晶圆全局均匀平坦化。前道工艺中，CMP的去除厚度一般为0.1μm～20μm，去除的材料量较少，并且化学反应剩余的颗粒物很小，抛光过程中产生的污染物一般为化学液体、细小的颗粒等，不会产生大量的大颗粒污染物，简单来说此过程比较干净，修整器上不会残留大量的固体颗粒，所以修整器的清洗只需要简单的液体冲洗即可满足需求。

后道工艺(封装测试)的主要目的是将生长有电路器件的整张晶圆制作成一个个独立的成品芯片。后道工艺的制程大致可以分为：背面减薄、晶圆切割、晶圆贴装、引线键合、塑封、激光打印、切筋成型和成品测试等8个主要步骤。晶圆的背面减薄(Grinding)指对封装前的硅晶片或化合物半导体等多种材料进行高精度磨削，使其厚度减少至合适的超薄形态。减薄设备中集成了磨削和CMP的功能部件，减薄的去除厚度在700μm左右甚至更多，晶圆的背面减薄主要是去除衬底的材料，并且由于这么大量的去除厚度，在磨抛过程中会产生大量的粉末，例如硅粉，并且晶圆总厚度在减薄至一定程度后，例如7μm以下，晶圆的边缘会发生少量剥离从而产生碎渣，这些粉尘和碎渣等大尺寸的固体污染物会附着在CMP单元的修整器上，特别是侧面。污染物持续聚集在修整器表面进一步可能造成结晶、大颗粒掉落影响修整效果，甚至可能造成晶圆表面被大颗粒划伤导致废片、碎片等问题。因此，在背面减薄设备中CMP单元的修整器清洗成为一亟需解决的问题。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种修整器清洗装置和化学机械抛光设备，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

本实用新型实施例的第一方面提供了一种修整器清洗装置，包括：

清洗槽，用于收集流体和污染物；

至少两层清洗组件，设置在清洗槽的内侧壁，用于在修整器至少部分位于清洗槽内部后修整器与修整器清洗装置相对运动从而至少清洗修整器的侧面，其中，不同层的清洗组件处于不同高度。

在一个实施例中，所述修整器清洗装置包括第一层清洗组件和第二层清洗组件，第一层清洗组件位于第二层清洗组件的上方，第一层清洗组件包括设置在清洗槽的内侧壁的第一刷洗结构和至少一个第一喷嘴，第一刷洗结构用于刷洗修整器的侧面，第一喷嘴用于在刷洗过程中提供液体和/或冲洗修整器的侧面和/或清洗第一刷洗结构。

在一个实施例中，所述第一刷洗结构包括多个间隔设置的第一刷体，第一喷嘴与第一刷体相对设置，第一喷嘴在清洗修整器时用于喷淋修整器的侧面并在修整器不在位时冲洗相对的第一刷体从而实现刷体的自清洁。

在一个实施例中，所述第一刷洗结构包括环形布置的环形刷体，第一喷嘴位于环形刷体的内部。

在一个实施例中，所述第一刷体或环形刷体从下往上倾斜设置，并且从下往上的倾斜方向与修整器相对于清洗槽的旋转方向相逆。

在一个实施例中，所述第二层清洗组件包括第二刷体，用于刷洗修整器的底面。

在一个实施例中，所述第二层清洗组件包括至少一个第二喷嘴，用于冲洗清洗槽的内壁、修整器的底面和/或第二刷体。

在一个实施例中，所述修整器清洗装置还包括第三层清洗组件，第三层清洗组件的高度在第一层清洗组件和第二层清洗组件之间，用于清洗修整器的底面和/或清洗第一刷洗结构。

在一个实施例中，所述修整器与修整器清洗装置的相对运动包括相对旋转运动和/或相对上下运动，由修整器和清洗槽中的至少一者在驱动下实现。

在一个实施例中，所述修整器清洗装置还包括第四层清洗组件，第四层清洗组件的高度位于第一层清洗组件之上，用于在清洗槽上方形成气封或液封以避免污染物溅出。

在一个实施例中，所述清洗槽的内底面设置为从边缘向中心向下倾斜的锥面，以利于污染物的排出；所述清洗槽的内底面中央设有排出口。

本实用新型实施例的第二方面提供了一种化学机械抛光设备，包括承载头、抛光盘、修整器和抛光液供给装置，还包括如上所述的修整器清洗装置，所述修整器清洗装置的位置在抛光盘旁边并与修整器的移动轨迹重叠。

本实用新型实施例的有益效果包括：可以提升对修整器的清洗效果，有效去除修整器表面的污染物，降低污染物对晶圆划伤的风险。

附图说明

通过结合以下附图所作的详细描述，本实用新型的优点将变得更清楚和更容易理解，但这些附图只是示意性的，并不限制本实用新型的保护范围，其中：

图1为本实用新型一实施例提供的化学机械抛光单元的示意图；

图2为本实用新型一实施例提供的修整器清洗装置和修整器的工作示意图；

图3至图5示出了实施例一提供的修整器清洗装置；

图6示出了实施例二提供的修整器清洗装置；

图7和图8示出了实施例三提供的修整器清洗装置；

图9和图10示出了实施例四提供的修整器清洗装置；

图11至图16示出了实施例五提供的修整器清洗装置。

具体实施方式

下面结合具体实施例及其附图，对本实用新型所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本实用新型的特定的具体实施方式，用于说明本实用新型的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本实用新型实施方式及本实用新型保护范围的限制。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。应当理解的是，除非特别予以说明，为了便于理解，以下对本实用新型具体实施方式的描述都是建立在相关设备、装置、部件等处于原始静止的未给与外界控制信号和驱动力的自然状态下描述的。

此外，还需要说明的是，本申请中使用的例如前、后、上、下、左、右、顶、底、正、背、水平、垂直等表示方位的术语仅仅是为了便于说明，用以帮助对相对位置或方向的理解，并非旨在限制任何装置或结构的取向。

为了说明本实用新型所述的技术方案，下面将参考附图并结合实施例来进行说明。

在本申请中，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing)也称为化学机械平坦化(Chemical Mechanical Planarization)，晶圆(wafer)也称为晶片、硅片、基片或基板(substrate)等，其含义和实际作用等同。

如图1所示，化学机械抛光设备1包括抛光盘20、粘接在抛光盘20上的抛光垫30、吸附晶圆并带动晶圆旋转的承载头40、修整抛光垫30的修整器60以及向抛光垫30表面提供抛光液的供液部50。

另外，如图1所示，化学机械抛光设备1还包括用于清洗修整器60的修整器清洗装置70，修整器清洗装置70的位置在抛光盘20旁边并与修整器60的移动轨迹重叠。

在化学机械抛光过程中，承载头40将晶圆按压在抛光盘20表面覆盖的抛光垫30上，抛光垫30的尺寸大于待抛光的晶圆的尺寸，例如为晶圆尺寸的1.2倍或更大，由此保证均匀地对晶圆进行抛光。承载头40做旋转运动以及沿抛光盘20的径向往复移动使得与抛光垫30接触的晶圆表面被逐渐抛除，同时抛光盘20旋转，供液部50向抛光垫30表面喷洒抛光液。在抛光液的化学作用下，通过承载头40与抛光盘20的相对运动使晶圆与抛光垫30摩擦以进行抛光，实现表面平坦化处理，从而达到全局平坦化的目的。并且，在抛光期间，修整器60用于对抛光垫30表面形貌进行修整和活化。使用修整器60可以移除残留在抛光垫30表面的杂质颗粒，例如抛光液中的研磨颗粒以及从晶圆表面脱落的废料等，还可以将由于研磨导致的抛光垫30表面形变进行平整化，保证了在抛光期间抛光垫30表面形貌的一致性，进而使抛光去除速率保持稳定。修整器60包括摆臂和连接在摆臂的摆动一端的修整头。

特别在晶圆减薄的工艺过程中，经过磨削后的极薄的晶圆在磨削过程和CMP过程中边缘容易产生晶圆碎边。尤其在CMP过程中，为了提升效率，抛光过程会保持在一个较高的去除速率下进行，高压力下产生晶圆碎渣、晶圆粉末以及抛光液中的颗粒都会在抛光垫30上积聚。而修整器60在修整抛光垫30的过程中，这些污染物会在修整头侧面沾染聚集，换句话说，修整头的侧面会很脏，污染物持续聚集进一步可能造成结晶、大颗粒掉落并造成晶圆表面划伤等问题。

为了解决上述问题，需要增加修整器清洗装置70。

如图1所示，修整器60的摆臂绕其不动端摆动以使修整头在抛光垫30表面移动。修整器清洗装置70靠近抛光盘20，修整器清洗装置70的位置与修整器60的移动轨迹重叠，从而在修整头摆动至修整器清洗装置70上方时可以下降并伸入修整器清洗装置70内进行清洗。

如图1和图2所示，修整器清洗装置70包括清洗槽71，用于收集流体和污染物。清洗槽71的上开口为环形，用于修整头在清洗时伸入清洗槽71内。清洗槽71的形状可以与修整头的形状适配，具体可以为圆柱形或圆台形。清洗槽71的内底面设置为从边缘向中心向下倾斜的锥面，以利于污染物的聚集和排出。清洗槽71的内底面中央设有排出口711。

修整器清洗装置70的具体结构可以有多种实施方式，总体而言，修整器清洗装置70包括清洗槽71以及位于清洗槽71的内侧壁的至少两层清洗组件，不同层的清洗组件处于不同高度，在修整器60至少部分位于清洗槽71内部后修整器60与修整器清洗装置70相对运动从而至少清洗修整器60的侧面。下面具体介绍各实施例。

实施例一

图3至图5示出了本实用新型实施例一提供的一种修整器清洗装置70。

如图3至图5所示，修整器清洗装置70包括第一层清洗组件72和第二层清洗组件73，均安装在清洗槽71的内侧壁，第一层清洗组件72位于第二层清洗组件73的上方。位于上方的第一层清洗组件72可以实现清洗修整头的侧面以及自清洁。位于下方的第二层清洗组件73可以用于清洗修整头的底面，还可以用于冲洗清洗槽71的内壁以避免污染物在清洗槽71内沉积。

如图3至图5所示，第一层清洗组件72包括设置在清洗槽71的内侧壁的用于刷洗修整器60的侧面的第一刷洗结构721。第一刷洗结构721可以包括沿环形的清洗槽71内侧壁布置的刷体。第一层清洗组件72还包括设置在清洗槽71的内侧壁的至少一个第一喷嘴722，第一喷嘴722用于在刷洗过程中提供液体和/或冲洗修整器60的侧面和/或清洗第一刷洗结构721。

如图3至图5所示，第二层清洗组件73包括至少一个第二喷嘴731，用于喷淋清洗槽71的内壁和/或喷淋修整器60的底面。

如图5所示，实施例一的工作过程包括：

1)修整器60在结束抛光垫30修整后，摆动到清洗槽71正上方；修整器60关闭负压源，修整头下降进入清洗槽71内部。

2)进入清洗槽71后，第一喷嘴722供水打开对修整器60侧面进行冲洗；同时，修整器60和清洗槽71相对运动，具体可以为相对旋转运动，可以是修整器60内部电机驱动修整头旋转或者清洗槽71连接驱动机构进行旋转，还可以是相对上下运动，修整器60和清洗槽71中的至少一者实现上下移动，使得刷体可以对修整头侧面一周进行刷洗，第一喷嘴722喷出的水雾将污染物带到清洗槽71底部。另外，第二喷嘴731也可以同时对修整头的底面进行冲洗。

3)修整器60清洗结束后，修整器60或清洗槽71停止运动，修整器60打开负压源，修整头上升离开清洗槽71内部。

4)修整器60离开后，第二喷嘴731开始供液并冲洗清洗槽71的内壁，同时排出口711排液，利用第二喷嘴731的冲刷作用将清洗掉的污染物及时从排出口711排出。

本实用新型实施例一既可以清洗掉修整器60侧面的污染物，还可以避免污染物在清洗结构内沉积。

在一个实施方式中，第一刷洗结构包括环形布置的环形刷体，第一喷嘴位于环形刷体的内部。进一步，环形刷体从下往上倾斜设置，并且从下往上的倾斜方向与修整器相对于清洗槽的旋转方向相逆。换句话说，环形刷体呈螺旋状，并且从下往上看的螺旋方向与修整器相对于清洗槽的旋转方向相逆，有利于环形刷体刷掉修整器侧面的污染物的同时使污染物向下掉落，以免大量污染物附着在刷体上造成二次污染。

具体地，如图3所示，刷体由PVC纤维丝组成，环状布置于清洗槽71的上侧内壁。当然刷体也可以分为多个，分开布置。

如图4所示，刷体由聚氨酯海绵或者PVA海绵，将其粘接在清洗槽71内壁，清洗时，刷体和修整头接触，配合喷嘴形成的水雾可以有效地对污染物进行去除。

另外，第一喷嘴722可以位于刷体内部，喷射锥形水雾，多个第一喷嘴722均匀布置在清洗槽71内侧壁上。第二喷嘴731也可以设置多个，均布在清洗槽71内侧壁上。第一喷嘴722和/或第二喷嘴731还可连接摆动机构和/或伸缩机构以改变喷射角度、喷射方向、喷射距离、喷射力度等。

实施例二

图6示出了本实用新型实施例二提供的一种修整器清洗装置70。

如图6所示，修整器清洗装置70在实施例一的基础上还包括第三层清洗组件74，第三层清洗组件74在第一层清洗组件72和第二层清洗组件73之间，用于清洗修整器60的底面和/或清洗第一刷洗结构721。

具体地，第三清洗组件包括设置在清洗槽71的内侧壁的至少一个第三喷嘴741，第三喷嘴741的高度在第一喷嘴722和第二喷嘴731之间。

当修整器60伸入清洗槽71内与清洗槽71相对运动进行清洗时，第三喷嘴741可以同时冲洗修整器60的底面。当修整器60清洗结束离开清洗槽71内部后，第三喷嘴741可以冲洗第一层清洗组件72、第二层清洗组件73和/或清洗槽71，例如对准并冲洗第一刷洗结构721，从而实现修整器清洗装置70的自清洁。

实施例三

图7和图8示出了本实用新型实施例二提供的一种修整器清洗装置70。

如图7和图8所示，修整器清洗装置70在实施例一或实施例二的基础上还包括第四层清洗组件75，第四层清洗组件75的高度位于第一层清洗组件72之上，用于在清洗槽71上方形成气封或液封以避免污染物溅出。

具体地，第四清洗组件包括设置在清洗槽71的顶部的内侧壁的至少一个第四喷嘴751，第四喷嘴751的高度位于第一喷嘴722之上。多个第四喷嘴751均匀分布。

当清洗修整器60时或者修整器清洗装置70自清洁时，利用第四喷嘴751喷出流体以在清洗槽71的开口处形成一层气封面或液封面，从而防止清洗槽71内部的污染物溅出，避免污染外部环境。

实施例四

图9和图10示出了本实用新型实施例四提供的一种修整器清洗装置70。

如图9和图10所示，修整器清洗装置70包括第一层清洗组件72和第二层清洗组件73，均安装在清洗槽71的内侧壁，第一层清洗组件72位于第二层清洗组件73的上方。

如图9和图10所示，第一层清洗组件72包括设置在清洗槽71的内侧壁的第一刷洗结构和至少一个第一喷嘴722，第一刷洗结构用于刷洗修整器的侧面，第一喷嘴722用于在刷洗过程中提供液体和/或冲洗修整器的侧面和/或清洗第一刷洗结构。

如图9和图10所示，第一刷洗结构包括多个间隔设置的第一刷体723，第一喷嘴722与第一刷体723相对设置，或者，第一喷嘴722与第一刷体723间隔设置，或者，第一喷组与第一刷体723关于清洗槽71的轴向对称设置。

如图9和图10所示，第一刷体723设有至少一个、分开布置。第一刷体723的数量可以是如图9和图10所示的3个，还可以是其他自然数。当修整器进入清洗槽71内部与清洗槽71相对运动时，例如轴向旋转运动，第一刷体723可以对修整头侧面一周进行刷洗。

在一个实施方式中，第一刷体723可以为多种形状，例如在清洗槽71内壁的投影可以为方形、圆形、多边形等。

在另一个实施方式中，第一刷体723为长条形、从下往上倾斜设置，并且从下往上的倾斜方向与修整器相对于清洗槽71的旋转方向相逆。倾斜设置的第一刷体723可以在修整器相对旋转时，刷掉修整器侧面的污染物并引导污染物向下掉落，可以减少污染物附着在第一刷体723上，避免二次污染。

如图9和图10所示，第一喷嘴722与第一刷体723相对设置，第一喷嘴722可以对着第一刷体723喷射清洗液体。这种设计可以使第一喷嘴722具有多种功能：当修整器位于清洗槽71内部进行清洗时，第一喷嘴722可以喷淋修整器的侧面实现浸湿、辅助冲洗等；当修整器离开清洗槽71即修整器不在位时，第一喷嘴722冲洗相对的第一刷体723从而实现刷体的自清洁；第一喷嘴722还可以用于冲洗清洗槽71的内壁或者冲洗下面要进行介绍的第二刷体732。

实施例五

图11至图16示出了本实用新型实施例五提供的一种修整器清洗装置70。

如图11至图16所示，第二层清洗组件73包括第二刷体732，用于刷洗修整器的底面。第二刷体732位于第一刷体723下方。修整器进入清洗槽71内部后，第二刷体732与修整器的底面抵接，修整器与清洗槽71相对旋转运动时，第一刷体723刷洗修整器的侧面，同时第二刷体732刷洗修整器的底面。第二刷体732的材料可以是PVC纤维丝、聚氨酯海绵或者PVA海绵。如图11至图13所示，在一个实施方式中，第二刷体732为沿清洗槽71的直径方向延伸的长条状，第二刷体732的表面具有向上的刷毛或凸起部，用于在修整器相对于第二刷体732旋转时抵接修整器的底面进行刷洗。如图11和图12所示，第二刷体732沿清洗槽71的直径方向的长度为大于等于修整器的直径长度，第二刷体732的两端固定在清洗槽71的侧壁上，连接稳固。如图13所示，作为一种变形，第二刷体732沿清洗槽71的直径方向的长度还可以等于修整器的半径长度或者在第二刷体732的长度在修整器的半径和直径之间。由于在本实施例中，第二刷体732是在修整器相对旋转时进行刷洗，因此，第二刷体732的长度最短可以等于修整器的半径长度，占用空间小，方便其他部件安装使用。

如图14至图16所示，在另一个实施方式中，第二刷体732为圆柱形并可以绕清洗槽71的直径方向滚动，其表面设有螺旋形分布的刷毛或凸起部。第二刷体732的一端连接滚动驱动件，例如电机，从而实现第二刷体732滚动刷洗修整器的底面。如图15所示，第二刷体732表面的呈螺旋形的刷毛或凸起部分布较稀疏，换句话说可以是螺距较大，从而使得第二刷体732在滚动刷洗修整器的底面时能够将刷下来的污染物向下引导，有利于污染物落下而不是堆积在第二刷体732上。如图14和图15所示，第二刷体732的长度等于修整器的直径。如图16所示，作为一种变形，第二刷体732的长度还可以等于修整器的半径。

如图12、13和16所示，清洗槽71的内侧壁还设有第二喷嘴731，第二喷嘴731可以在清洗修整器时配合第二刷体732冲洗修整器的底面，第二喷嘴731还可以在修整器离开时冲洗第二刷体732或者清洗槽71的内壁。

值得一提的是，实用新型中所述的喷嘴均可以喷射流体或二流体，均可连接摆动机构和/或伸缩机构以改变喷射角度、喷射方向、喷射距离、喷射力度等。

综上，通过本实用新型实施例，可以提升对修整器60的清洗效果，有效去除修整器60表面的污染物，降低污染物对晶圆划伤的风险。

本说明书的附图为示意图，辅助说明本实用新型的构思，示意性地表示各部分的形状及其相互关系。应当理解的是，为了便于清楚地表现出本实用新型实施例的各部件的结构，各附图之间并未按照相同的比例绘制，相同的参考标记用于表示附图中相同的部分。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (12)

1.一种修整器清洗装置，其特征在于，包括：

清洗槽，用于收集流体和污染物；

至少两层清洗组件，设置在清洗槽的内侧壁，用于在修整器至少部分位于清洗槽内部后修整器与修整器清洗装置相对运动从而至少清洗修整器的侧面，其中，不同层的清洗组件处于不同高度。

2.如权利要求1所述的修整器清洗装置，其特征在于，

所述修整器清洗装置包括第一层清洗组件和第二层清洗组件，第一层清洗组件位于第二层清洗组件的上方，第一层清洗组件包括设置在清洗槽的内侧壁的第一刷洗结构和至少一个第一喷嘴，第一刷洗结构用于刷洗修整器的侧面，第一喷嘴用于在刷洗过程中提供液体和/或冲洗修整器的侧面和/或清洗第一刷洗结构。

3.如权利要求2所述的修整器清洗装置，其特征在于，所述第一刷洗结构包括多个间隔设置的第一刷体，第一喷嘴与第一刷体相对设置，第一喷嘴在清洗修整器时用于喷淋修整器的侧面并在修整器不在位时冲洗相对的第一刷体从而实现刷体的自清洁。

4.如权利要求2所述的修整器清洗装置，其特征在于，所述第一刷洗结构包括环形布置的环形刷体，第一喷嘴位于环形刷体的内部。

5.如权利要求3所述的修整器清洗装置，其特征在于，所述第一刷体或环形刷体从下往上倾斜设置，并且从下往上的倾斜方向与修整器相对于清洗槽的旋转方向相逆。

6.如权利要求2所述的修整器清洗装置，其特征在于，所述第二层清洗组件包括第二刷体，用于刷洗修整器的底面。

7.如权利要求6所述的修整器清洗装置，其特征在于，所述第二层清洗组件包括至少一个第二喷嘴，用于冲洗清洗槽的内壁、修整器的底面和/或第二刷体。

8.如权利要求2所述的修整器清洗装置，其特征在于，所述修整器清洗装置还包括第三层清洗组件，第三层清洗组件的高度在第一层清洗组件和第二层清洗组件之间，用于清洗修整器的底面和/或清洗第一刷洗结构。

9.如权利要求1所述的修整器清洗装置，其特征在于，所述修整器与修整器清洗装置的相对运动包括相对旋转运动和/或相对上下运动，由修整器和清洗槽中的至少一者在驱动下实现。

10.如权利要求2所述的修整器清洗装置，其特征在于，所述修整器清洗装置还包括第四层清洗组件，第四层清洗组件的高度位于第一层清洗组件之上，用于在清洗槽上方形成气封或液封以避免污染物溅出。

11.如权利要求1所述的修整器清洗装置，其特征在于，所述清洗槽的内底面设置为从边缘向中心向下倾斜的锥面，以利于污染物的排出；所述清洗槽的内底面中央设有排出口。

12.一种化学机械抛光设备，其特征在于，包括承载头、抛光盘、修整器和抛光液供给装置，还包括如权利要求1至11任一项所述的修整器清洗装置，所述修整器清洗装置的位置在抛光盘旁边并与修整器的移动轨迹重叠。

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