CN115256234B - 一种具有修整器清洗装置的晶圆减薄设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种具有修整器清洗装置的晶圆减薄设备，包括：设备前端模块，用于实现晶圆的进出，所述设备前端模块设置在所述晶圆减薄设备的前端；磨削模块，用于对所述晶圆进行磨削，所述磨削模块设置在所述晶圆减薄设备的末端；抛光模块，用于在完成磨削之后对晶圆进行化学机械抛光以及在三个模块之间传输晶圆，所述抛光模块设置在所述设备前端模块与所述磨削模块之间；其中，所述抛光模块包括存片部、抛光盘、承载头、供液部、修整器以及修整器清洗装置，所述修整器清洗装置的位置在抛光盘旁边并与修整器的移动轨迹重叠。

Description

一种具有修整器清洗装置的晶圆减薄设备

技术领域

本发明涉及半导体制造设备技术领域，尤其涉及一种具有修整器清洗装置的晶圆减薄设备。

背景技术

集成电路的制造过程通常分为：硅片制造、前道工艺（芯片加工）和后道工艺（封装测试）。硅片制造的主要目的是将自然原材料（砂石等）转变为晶片状的基础衬底。前道工艺（芯片加工）的主要目的是在基础衬底上生长电路器件，前道工艺的制造过程按照技术分工主要可分为：薄膜淀积、化学机械抛光（CMP）、光刻、刻蚀、离子注入等工艺环节，各工艺环节要进行多次循环。其中，CMP是利用化学腐蚀和机械研磨同时作用，实现晶圆全局均匀平坦化。前道工艺中，CMP的去除厚度一般为0.1μm～20μm，去除的材料量较少，并且化学反应剩余的颗粒物很小，抛光过程中产生的污染物一般为化学液体、细小的颗粒等，不会产生大量的大颗粒污染物，简单来说此过程比较干净，修整器上不会残留大量的固体颗粒，所以修整器的清洗只需要简单的液体冲洗即可满足需求。

后道工艺（封装测试）的主要目的是将生长有电路器件的整张晶圆制作成一个个独立的成品芯片。后道工艺的制程大致可以分为：背面减薄、晶圆切割、晶圆贴装、引线键合、塑封、激光打印、切筋成型和成品测试等8个主要步骤。晶圆的背面减薄（Grinding）指对封装前的硅晶片或化合物半导体等多种材料进行高精度磨削，使其厚度减少至合适的超薄形态。减薄设备中集成了磨削和CMP的功能部件，减薄的去除厚度在700μm左右甚至更多，晶圆的背面减薄主要是去除衬底的材料，并且由于这么大量的去除厚度，在磨抛过程中会产生大量的粉末，例如硅粉，并且晶圆总厚度在减薄至一定程度后，例如7μm以下，晶圆的边缘会发生少量剥离从而产生碎渣（俗称碎边），这些粉尘和碎渣等大尺寸的固体污染物会附着在CMP单元的修整器上，特别是侧面。污染物持续聚集在修整器表面进一步可能造成结晶、大颗粒掉落影响修整效果，甚至可能造成晶圆表面被大颗粒划伤导致废片、碎片等问题。因此，在背面减薄设备中CMP单元的修整器清洗成为一亟需解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种具有修整器清洗装置的晶圆减薄设备，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

本发明实施例提供了一种具有修整器清洗装置的晶圆减薄设备，包括：

设备前端模块，用于实现晶圆的进出，所述设备前端模块设置在所述晶圆减薄设备的前端；

磨削模块，用于对所述晶圆进行磨削，所述磨削模块设置在所述晶圆减薄设备的末端；

抛光模块，用于在完成磨削之后对晶圆进行化学机械抛光以及在三个模块之间传输晶圆，所述抛光模块设置在所述设备前端模块与所述磨削模块之间；

其中，所述抛光模块包括存片部、抛光盘、承载头、供液部、修整器以及修整器清洗装置，所述修整器清洗装置的位置在抛光盘旁边并与修整器的移动轨迹重叠。

在一个实施例中，抛光模块包括第二传输单元、第三传输单元、化学机械抛光单元和后处理单元；第二传输单元、化学机械抛光单元和后处理单元分别占据抛光模块的各边缘；第三传输单元靠近抛光模块的中央，被第二传输单元、化学机械抛光单元和后处理单元包围，用来在第二传输单元、化学机械抛光单元和后处理单元之间实现晶圆的相互传输。

在一个实施例中，所述修整器的不动端位于抛光盘、第二传输单元和第三传输单元之间，修整器的延伸方向朝向磨削模块；所述修整器清洗装置位于抛光盘和第二传输单元之间。

在一个实施例中，所述修整器清洗装置包括清洗槽以及位于清洗槽的内侧壁的至少两层清洗组件，不同层的清洗组件处于不同高度，在修整器至少部分位于清洗槽内部后修整器与修整器清洗装置相对运动从而清洗修整器的侧面。

在一个实施例中，所述修整器清洗装置包括第一层清洗组件和第二层清洗组件，第一层清洗组件位于第二层清洗组件的上方，第一层清洗组件包括设置在清洗槽的内侧壁的用于刷洗修整器的侧面的第一刷洗结构。

在一个实施例中，第一层清洗组件还包括设置在清洗槽的内侧壁的至少一个第一喷嘴，第一喷嘴用于在刷洗过程中提供液体和/或冲洗修整器的侧面和/或清洗第一刷洗结构。

在一个实施例中，第二层清洗组件包括至少一个第二喷嘴，用于喷淋清洗槽的内壁和/或喷淋修整器的底面。

在一个实施例中，所述修整器清洗装置还包括第三层清洗组件，第三层清洗组件的高度在第一层清洗组件和第二层清洗组件之间，用于清洗修整器的底面和/或清洗第一刷洗结构。

在一个实施例中，修整器与修整器清洗装置的相对运动包括相对旋转运动和/或相对上下运动，由修整器和清洗槽中的至少一者在驱动下实现。

在一个实施例中，所述修整器清洗装置还包括第四层清洗组件，第四层清洗组件的高度位于第一层清洗组件之上，用于在清洗槽上方形成气封或液封以避免污染物溅出。

本发明实施例的有益效果包括：可以解决晶圆减薄过程中修整器附着污染物的问题，提升对修整器的清洗效果，有效去除修整器表面的污染物，降低污染物对晶圆划伤的风险。

附图说明

通过结合以下附图所作的详细描述，本发明的优点将变得更清楚和更容易理解，但这些附图只是示意性的，并不限制本发明的保护范围，其中：

图1为本发明一实施例提供的晶圆减薄设备的示意图；

图2为本发明一实施例提供的化学机械抛光单元的示意图；

图3为本发明一实施例提供的修整器清洗装置和修整器的工作示意图；

图4至图6示出了实施例一提供的修整器清洗装置；

图7示出了实施例二提供的修整器清洗装置；

图8和图9示出了实施例三提供的修整器清洗装置。

具体实施方式

下面结合具体实施例及其附图，对本发明所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本发明的特定的具体实施方式，用于说明本发明的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本发明实施方式及本发明保护范围的限制。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。应当理解的是，除非特别予以说明，为了便于理解，以下对本发明具体实施方式的描述都是建立在相关设备、装置、部件等处于原始静止的未给与外界控制信号和驱动力的自然状态下描述的。

此外，还需要说明的是，本申请中使用的例如前、后、上、下、左、右、顶、底、正、背、水平、垂直等表示方位的术语仅仅是为了便于说明，用以帮助对相对位置或方向的理解，并非旨在限制任何装置或结构的取向。

为了说明本发明所述的技术方案，下面将参考附图并结合实施例来进行说明。

在本申请中，化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing）也称为化学机械平坦化（Chemical Mechanical Planarization），晶圆（wafer）也称为晶片、硅片、基片或基板（substrate）等，其含义和实际作用等同。

本公开实施例提供的晶圆减薄设备主要应用于晶圆的背面减薄，这里所说的背面是指晶圆未铺设有器件的一面，一般为衬底，衬底材料可以为硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、蓝宝石等。

图1示出了本发明一实施例提供的一种具有修整器清洗装置70的晶圆减薄设备，包括：

设备前端模块1，用于实现晶圆的进出，设备前端模块1设置在晶圆减薄设备的前端。设备前端模块1是实现将晶圆从外部搬送到设备机台内部的过渡模块，用于实现晶圆进出，以实现晶圆的“干进干出”。

磨削模块3，用于对晶圆进行磨削，所述磨削包括粗磨削和精磨削，磨削模块3设置在晶圆减薄设备的末端；

抛光模块2，用于在完成所述磨削之后对晶圆进行化学机械抛光，还具有在此三个模块（设备前端模块1、磨削模块3和抛光模块2）之间传输晶圆的功能，抛光模块2设置在设备前端模块1和磨削模块3之间。

设备前端模块1：

设备前端模块1包括晶圆存储单元11和第一传输单元12。晶圆存储单元11设置在晶圆减薄设备的前端一侧，第一传输单元12设置在晶圆存储单元11和抛光模块2之间，用来实现晶圆在晶圆存储单元11与抛光模块2之间的传输。

晶圆存储单元11由多个前开式晶圆传送盒（Front Opening Unified Pod，FOUP）组成，具体地可以为两个、三个等。前开式晶圆传送盒是半导体制程中被使用来保护、运送并储存晶圆的一种容器，其主要的组成元件为一个能容纳晶圆的前开式容器以及一个前开式的门结构，该前开式的门结构气密连接于晶圆减薄设备的外壁上，以使前开式容器与设备内部连通。

第一传输单元12包括取放片机械手。取放片机械手可旋转、伸展或折叠收缩，还可以沿传输轨道移动。取放片机械手为干燥机械手，用于取放干燥洁净的晶圆。取放片机械手可以通过晶圆传送盒的门结构从晶圆存储单元11取出待处理的晶圆送入抛光模块2，还可以从抛光模块2接收处理完毕的晶圆放入晶圆传送盒中。

抛光模块2：

抛光模块2包括第二传输单元21、第三传输单元22、化学机械抛光单元23和后处理单元24。第二传输单元21、化学机械抛光单元23和后处理单元24分别占据抛光模块2的各边缘，第三传输单元22位于中央。

具体地，第二传输单元21位于抛光模块2中的边缘一侧并沿设备长度方向分布，可以连通设备前端模块1和磨削模块3。化学机械抛光单元23位于抛光模块2的另一侧边缘，并与磨削模块3和第二传输单元21分别相邻。后处理单元24位于抛光模块2的再一侧边缘，并与设备前端模块1、第二传输单元21和化学机械抛光单元23分别相邻。第三传输单元22靠近抛光模块2的中央，被第二传输单元21、化学机械抛光单元23和后处理单元24包围，用来在第二传输单元21、化学机械抛光单元23和后处理单元24之间实现晶圆的相互传输。

在一个实施例中，第二传输单元21包括暂存部和移动缓存部，用于暂存晶圆和托运晶圆。暂存部设置在临近设备前端模块1的位置，用于暂存或转移晶圆。移动缓存部沿着设备前端模块1至磨削模块3的方向设置，并可双向移动。

在一个实施例中，第三传输单元22包括中央机械手，中央机械手用于将磨削后的晶圆从移动缓存部转运至化学机械抛光单元23、将抛光后的晶圆从化学机械抛光单元23转运至后处理单元24、以及将清洗后的晶圆从后处理单元24转运至暂存部。

晶圆从设备前端模块1取出后经由第二传输单元21运送至磨削模块3进行磨削；晶圆在磨削模块3中完成磨削后经由第二传输单元21和第三传输单元22搬运至化学机械抛光单元23进行抛光；完成抛光和清洗后，晶圆再经由第三传输单元22和第二传输单元21传送回设备前端模块1。

后处理单元24用于对抛光后的晶圆进行清洗和干燥，可以包括水平刷洗装置和单腔清洗装置。

磨削模块3：

磨削模块3包括磨削单元31、清洗单元32和第四传输单元33。

磨削单元31用于实现晶圆磨削和厚度测量，包括工作台、设置在工作台上的吸盘以及与吸盘位置对应的磨削砂轮，吸盘设有三个，可在粗磨工位、精磨工位和装卸工位之间轮转。两个磨削砂轮分别实现粗磨削和精磨削。

清洗单元32用于实现吸盘清洗、打磨和晶圆清洗。

第四传输单元33包括一简易机械手，简易机械手从第二传输单元21取晶圆送入磨削单元31进行磨削，在磨削和清洗完成后，简易机械手从磨削单元31取晶圆然后放置于第二传输单元21以便于晶圆的后续传输。

如图1和图2所示，化学机械抛光单元23接收第三传输单元22传送过来的磨削之后的晶圆进行化学机械抛光处理，以提高晶圆平坦化的效果。

如图1和图2所示，化学机械抛光单元23包括存片部10、抛光盘20、粘接在抛光盘20上的抛光垫30、吸附晶圆并带动晶圆旋转的承载头40、修整抛光垫30的修整器60以及向抛光垫30表面提供抛光液的供液部50。

另外，如图1和图2所示，化学机械抛光单元23还包括用于清洗修整器60的修整器清洗装置70，修整器清洗装置70的位置在抛光盘20旁边并与修整器60的移动轨迹重叠。

在抛光开始前，第三传输单元22将晶圆搬运至存片部10处，承载头40从存片部10装载晶圆后沿抛光盘20的径向移动至抛光盘20的上方。在化学机械抛光过程中，承载头40将晶圆按压在抛光盘20表面覆盖的抛光垫30上，抛光垫30的尺寸大于待抛光的晶圆的尺寸，例如为晶圆尺寸的1.2倍或更大，由此保证均匀地对晶圆进行抛光。承载头40做旋转运动以及沿抛光盘20的径向往复移动使得与抛光垫30接触的晶圆表面被逐渐抛除，同时抛光盘20旋转，供液部50向抛光垫30表面喷洒抛光液。在抛光液的化学作用下，通过承载头40与抛光盘20的相对运动使晶圆与抛光垫30摩擦以进行抛光，实现表面平坦化处理，从而达到全局平坦化的目的。在抛光完成后，承载头40吸附晶圆以将其放置在存片部10上，第三传输单元22从存片部10取得晶圆后将晶圆运送至后处理单元24。

并且，在抛光期间，修整器60用于对抛光垫30表面形貌进行修整和活化。使用修整器60可以移除残留在抛光垫30表面的杂质颗粒，例如抛光液中的研磨颗粒以及从晶圆表面脱落的废料等，还可以将由于研磨导致的抛光垫30表面形变进行平整化，保证了在抛光期间抛光垫30表面形貌的一致性，进而使抛光去除速率保持稳定。修整器60包括摆臂和连接在摆臂的摆动一端的修整头。

特别在晶圆减薄的工艺过程中，经过磨削后的极薄的晶圆在磨削过程和CMP过程中边缘容易产生晶圆碎边。尤其在CMP过程中，为了提升效率，抛光过程会保持在一个较高的去除速率下进行，高压力下产生晶圆碎渣、晶圆粉末以及抛光液中的颗粒都会在抛光垫30上积聚。而修整器60在修整抛光垫30的过程中，这些污染物会在修整头侧面沾染聚集，换句话说，修整头的侧面会很脏，污染物持续聚集进一步可能造成结晶、大颗粒掉落并造成晶圆表面划伤等问题。

为了解决上述问题，需要增加修整器清洗装置70。

如图1所示，修整器60的不动端位于抛光盘20、第二传输单元21和第三传输单元22之间，修整器60的延伸方向朝向磨削模块3。修整器60的摆臂绕其不动端摆动以使修整头在抛光垫30表面移动。对应地，修整器清洗装置70位于抛光盘20和第二传输单元21之间，修整器清洗装置70靠近抛光盘20，修整器清洗装置70的位置与修整器60的移动轨迹重叠，从而在修整头摆动至修整器清洗装置70上方时可以下降并伸入修整器清洗装置70内进行清洗。

如图2和图3所示，修整器清洗装置70包括清洗槽71，用于收集流体和污染物。清洗槽71的上开口为环形，用于修整头在清洗时伸入清洗槽71内。清洗槽71的形状可以与修整头的形状适配，具体可以为圆柱形或圆台形。清洗槽71的内底面设置为从边缘向中心向下倾斜的锥面，以利于污染物的聚集和排出。清洗槽71的内底面中央设有排出口711。

如图4至图8所示，修整器清洗装置70的具体结构可以有多种实施方式，总体而言，修整器清洗装置70包括清洗槽71以及位于清洗槽71的内侧壁的至少两层清洗组件，不同层的清洗组件处于不同高度，在修整器60至少部分位于清洗槽71内部后修整器60与修整器清洗装置70相对运动从而清洗修整器60的侧面。下面具体介绍各实施例。

实施例一

图4至图6示出了本发明实施例一提供的一种修整器清洗装置70。

如图4至图6所示，修整器清洗装置70包括第一层清洗组件72和第二层清洗组件73，均安装在清洗槽71的内侧壁，第一层清洗组件72位于第二层清洗组件73的上方。位于上方的第一层清洗组件72可以实现清洗修整头的侧面以及自清洁。位于下方的第二层清洗组件73可以用于清洗修整头的底面，还可以用于冲洗清洗槽71的内壁以避免污染物在清洗槽71内沉积。

如图4至图6所示，第一层清洗组件72包括设置在清洗槽71的内侧壁的用于刷洗修整器60的侧面的第一刷洗结构721。第一刷洗结构721可以包括沿环形的清洗槽71内侧壁布置的刷体。第一层清洗组件72还包括设置在清洗槽71的内侧壁的至少一个第一喷嘴722，第一喷嘴722用于在刷洗过程中提供液体和/或冲洗修整器60的侧面和/或清洗第一刷洗结构721。

如图4至图6所示，第二层清洗组件73包括至少一个第二喷嘴731，用于喷淋清洗槽71的内壁和/或喷淋修整器60的底面。

如图6所示，实施例一的工作过程包括：

1）修整器60在结束抛光垫30修整后，摆动到清洗槽71正上方；修整器60关闭负压源，修整头下降进入清洗槽71内部。

2）进入清洗槽71后，第一喷嘴722供水打开对修整器60侧面进行冲洗；同时，修整器60和清洗槽71相对运动，具体可以为相对旋转运动，可以是修整器60内部电机驱动修整头旋转或者清洗槽71连接驱动机构进行旋转，还可以是相对上下运动，修整器60和清洗槽71中的至少一者实现上下移动，使得刷体可以对修整头侧面一周进行刷洗，第一喷嘴722喷出的水雾将污染物带到清洗槽71底部。另外，第二喷嘴731也可以同时对修整头的底面进行冲洗。

3）修整器60清洗结束后，修整器60或清洗槽71停止运动，修整器60打开负压源，修整头上升离开清洗槽71内部。

4）修整器60离开后，第二喷嘴731开始供液并冲洗清洗槽71的内壁，同时排出口711排液，利用第二喷嘴731的冲刷作用将清洗掉的污染物及时从排出口711排出。

本发明实施例一既可以清洗掉修整器60侧面的污染物，还可以避免污染物在清洗结构内沉积。

具体地，如图4所示，刷体由PVC纤维丝组成，环状布置于清洗槽71的上侧内壁。当然刷体也可以分为多个，分开布置。

如图5所示，刷体由聚氨酯海绵或者PVA海绵，将其粘接在清洗槽71内壁，清洗时，刷体和修整头接触，配合喷嘴形成的水雾可以有效地对污染物进行去除。

另外，第一喷嘴722可以位于刷体内部，喷射锥形水雾，多个第一喷嘴722均匀布置在清洗槽71内侧壁上。第二喷嘴731也可以设置多个，均布在清洗槽71内侧壁上。第一喷嘴722和/或第二喷嘴731还可连接摆动机构和/或伸缩机构以改变喷射角度、喷射方向、喷射距离、喷射力度等。

实施例二

图7示出了本发明实施例二提供的一种修整器清洗装置70。

如图7所示，修整器清洗装置70在实施例一的基础上还包括第三层清洗组件74，第三层清洗组件74在第一层清洗组件72和第二层清洗组件73之间，用于清洗修整器60的底面和/或清洗第一刷洗结构721。

具体地，第三清洗组件包括设置在清洗槽71的内侧壁的至少一个第三喷嘴741，第三喷嘴741的高度在第一喷嘴722和第二喷嘴731之间。

当修整器60伸入清洗槽71内与清洗槽71相对运动进行清洗时，第三喷嘴741可以同时冲洗修整器60的底面。当修整器60清洗结束离开清洗槽71内部后，第三喷嘴741可以冲洗第一层清洗组件72、第二层清洗组件73和/或清洗槽71，例如对准并冲洗第一刷洗结构721，从而实现修整器清洗装置70的自清洁。

实施例三

图8和图9示出了本发明实施例二提供的一种修整器清洗装置70。

如图8和图9所示，修整器清洗装置70在实施例一或实施例二的基础上还包括第四层清洗组件75，第四层清洗组件75的高度位于第一层清洗组件72之上，用于在清洗槽71上方形成气封或液封以避免污染物溅出。

具体地，第四清洗组件包括设置在清洗槽71的顶部的内侧壁的至少一个第四喷嘴751，第四喷嘴751的高度位于第一喷嘴722之上。多个第四喷嘴751均匀分布。

当清洗修整器60时或者修整器清洗装置70自清洁时，利用第四喷嘴751喷出流体以在清洗槽71的开口处形成一层气封面或液封面，从而防止清洗槽71内部的污染物溅出，避免污染外部环境。

值得一提的是，发明中所述的喷嘴均可以喷射流体或二流体，均可连接摆动机构和/或伸缩机构以改变喷射角度、喷射方向、喷射距离、喷射力度等。

综上，通过本发明实施例，可以提升对修整器60的清洗效果，有效去除修整器60表面的污染物，降低污染物对晶圆划伤的风险。

本说明书的附图为示意图，辅助说明本发明的构思，示意性地表示各部分的形状及其相互关系。应当理解的是，为了便于清楚地表现出本发明实施例的各部件的结构，各附图之间并未按照相同的比例绘制，相同的参考标记用于表示附图中相同的部分。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (7)

1.一种具有修整器清洗装置的晶圆减薄设备，其特征在于，包括：

设备前端模块，用于实现晶圆的进出，所述设备前端模块设置在所述晶圆减薄设备的前端；

磨削模块，用于对所述晶圆进行磨削，所述磨削模块设置在所述晶圆减薄设备的末端；

抛光模块，用于在完成磨削之后对晶圆进行化学机械抛光以及在三个模块之间传输晶圆，所述抛光模块设置在所述设备前端模块与所述磨削模块之间；

其中，所述抛光模块包括存片部、抛光盘、承载头、供液部、修整器以及修整器清洗装置，所述修整器清洗装置的位置在抛光盘旁边并与修整器的移动轨迹重叠；

所述修整器清洗装置包括清洗槽以及位于清洗槽的内侧壁的第一层清洗组件和第二层清洗组件，在修整器至少部分位于清洗槽内部后修整器与修整器清洗装置相对运动从而清洗修整器的侧面；第一层清洗组件位于第二层清洗组件的上方，第一层清洗组件包括设置在清洗槽的内侧壁的用于刷洗修整器的侧面的第一刷洗结构；所述修整器清洗装置还包括第四层清洗组件，第四层清洗组件的高度位于第一层清洗组件之上，用于在清洗槽上方形成气封或液封以避免污染物溅出。

2.如权利要求1所述的具有修整器清洗装置的晶圆减薄设备，其特征在于，所述抛光模块包括第二传输单元、第三传输单元、化学机械抛光单元和后处理单元；第二传输单元、化学机械抛光单元和后处理单元分别占据抛光模块的各边缘；第三传输单元靠近抛光模块的中央，被第二传输单元、化学机械抛光单元和后处理单元包围，用来在第二传输单元、化学机械抛光单元和后处理单元之间实现晶圆的相互传输。

3.如权利要求2所述的具有修整器清洗装置的晶圆减薄设备，其特征在于，所述修整器的不动端位于抛光盘、第二传输单元和第三传输单元之间，修整器的延伸方向朝向磨削模块；所述修整器清洗装置位于抛光盘和第二传输单元之间。

4.如权利要求1所述的具有修整器清洗装置的晶圆减薄设备，其特征在于，所述第一层清洗组件还包括设置在清洗槽的内侧壁的至少一个第一喷嘴，第一喷嘴用于在刷洗过程中提供液体和/或冲洗修整器的侧面和/或清洗第一刷洗结构。

5.如权利要求1所述的具有修整器清洗装置的晶圆减薄设备，其特征在于，所述第二层清洗组件包括至少一个第二喷嘴，用于喷淋清洗槽的内壁和/或喷淋修整器的底面。

6.如权利要求1所述的具有修整器清洗装置的晶圆减薄设备，其特征在于，所述修整器清洗装置还包括第三层清洗组件，第三层清洗组件的高度在第一层清洗组件和第二层清洗组件之间，用于清洗修整器的底面和/或清洗第一刷洗结构。

7.如权利要求1所述的具有修整器清洗装置的晶圆减薄设备，其特征在于，所述修整器与修整器清洗装置的相对运动包括相对旋转运动和/或相对上下运动，由修整器和清洗槽中的至少一者在驱动下实现。

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