JP2006269582A - ワークチャックの洗浄装置、研磨装置、ワークチャックの洗浄方法及びウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ワークチャック12の吸着面に向かって、吸着面に対し斜め方向から洗浄水を噴射する噴射ノズル65を設ける。ワークチャック12を回転させた状態で、ワークチャック12の回転方向に沿うように噴射ノズル65から洗浄水を噴射し、吸着面を洗浄する。
本発明によれば、ワークチャック12に付着した異物を効果的に除去することができる。
【選択図】 図24
Description
その後、研磨装置によりウェーハの表面を粗研磨並びに仕上げ研磨を行い、ウェーハ洗浄を施して鏡面ウェーハとしている。
図20は、このようなワークチャックを洗浄する洗浄装置と研磨装置の一例を示す概念図である。
ワークチャック2は、その吸着面2aに同心円上に複数の円環状の溝を設けており、図示を略する真空装置によって真空ライン6を介して環状溝内を負圧としてワークを吸着保持する。
このような構成において、研磨されたワークが取り外されたワークチャック2をブラシ5の位置まで水平方向並びに垂直方向に移動させ、ワーク吸着面2aを吸着面洗浄ブラシ部5aに接触させて、ワークチャック側面2bを側面洗浄ブラシ部5bに接触させる。この状態でノズル8から洗浄液を供給しながら、ワークチャック2を回転させることによって、ワーク吸着面2a並びにワークチャック側面2bが洗浄される。
この際、ブラシ5を変位させながら洗浄を行うこともできる。また、ブラシ5とワークチャック2の両方を変位させて洗浄を行うこともできる。
しかも、ブラシ5を変位させると、側面洗浄ブラシ部5bがワークチャック2の側面2bから離れてしまい、ワークチャック側面2bの充分な洗浄を行うことができなくなる。
そのため、ワークチャックのワーク吸着面2aに対しブラシ5を擦りつけて洗浄しただけでは、ワーク吸着面2aを綺麗に洗浄することは困難であった。
また、ワークチャックにおける異物の残存率を低減することにより、平坦度の高いウェーハを製造する方法、及び研磨装置を提供することにある。
上記の発明によれば、噴射ノズルから回転中のワークチャックに向かって液体を噴射することにより、ワークチャックに残存する異物を効果的に除去することができる。
上記の発明によれば、ワークチャックの回転方向に沿って液体を噴射することにより、ワークチャックの回転によって液体がはじき返されることがなく、吸着面上を効率よく液体が流れるため、吸着面を効率的に洗浄することができる。
上記の発明によれば、ブラシを退避させた状態で液体によるすすぎ洗浄のみを行うことができるため、ブラシに残留する異物によって吸着面を汚されることなく、効果的にすすぎ洗浄を行うことができる。
上記の発明によれば、噴射ノズルから回転中のワークチャックに向かって液体を噴射することにより、ワークチャックに残存する異物を効果的に除去することができる。
上記の発明によれば、ワークチャックの吸着面全体に万遍なく液体が噴射されるため、吸着面を効果的に洗浄することができる。
上記の発明によれば、ワークチャックの吸着面全体に万遍なく液体が噴射されるため、吸着面をより効果的に洗浄することができる。
上記の発明によれば、ワークを研磨した後のワークチャックを異物残存率の低い状態に洗浄したうえで、次のワークを保持して研磨加工することができる。
上記の発明によれば、ワークチャックの回転方向に沿って液体を噴射することにより、ワークチャックの回転によって液体がはじき返されることがなく、吸着面上を効率よく液体が流れるため、吸着面を効率的に洗浄することができる。
(A)前記ワークチャックの吸着面を洗浄するための表面ブラシで前記吸着面を洗浄する工程と、
前記表面ブラシとは独立して変位可能な側面ブラシで、前記ワークチャックの前記吸着面の外周部若しくは前記ワークチャックの側面を洗浄する工程とを、
所定時間同時に行うステップと、
(B)前記表面ブラシを前記ワークチャックから退避させるよりも前に、前記側面ブラシを前記ワークチャックから退避させるステップと、
(C)前記表面ブラシを前記ワークチャックから退避させるステップと、
(D)前記ワークチャックの吸着面に対し液体を噴射するステップと、
を含むことを特徴とするワークチャックの洗浄方法である。
上記の発明によれば、ブラシを退避させた状態で液体によるすすぎ洗浄のみを行うことができるため、ブラシに残留する異物によって吸着面を汚されることなく、効果的にすすぎ洗浄を行うことができる。
(A)ワークチャックによりワークを吸着保持した状態で前記ワークを研磨クロスに押し付け、前記ワークを前記研磨クロスに対して相対的に変位させることにより、前記ワークを研磨するステップと、
(B)前記ワークチャックの吸着を解き、前記ワークチャックから前記ワークを離脱させるステップと、
(C)前記ワークチャックの吸着面を洗浄するためのブラシで前記吸着面を洗浄するステップと、
(D)前記ブラシを前記ワークチャックから退避させるステップと、
(E)前記ワークチャックの吸着面に対し液体を噴射するステップと、
を含むことを特徴とするウェーハの製造方法である。
上記の発明によれば、ワークチャックにおける異物の残存率を低減することにより、平坦度の高いウェーハを製造することができる。
また、本発明の研磨装置及びウェーハの製造方法によれば、ワークチャックにおける異物の残存率を低減することにより、平坦度の高いウェーハを製造することができる。
図18及び図19は、本発明の洗浄装置を備えた半導体ウェーハの研磨装置全体の概略平面図である。
図18において研磨装置20は、研磨加工前の半導体ウェーハ11を搬入するウェーハ搬入装置21と、ウェーハ搬入装置21から搬入された半導体ウェーハ11のロード・アンロードを行うロード・アンロードステージ22と、第1〜第3研磨加工ステージ23,24,25と、各ステージ22〜25の上方に配置された研磨ヘッド支持部26と、研磨加工後の半導体ウェーハ11を搬出するウェーハ搬出装置27と、洗浄装置28とを備えている。
ウェーハ搬入装置21は、多数の半導体ウェーハ11を収納したカセット34を、2個備えている。カセット34には、前工程であるスライス工程において半導体インゴットからスライス加工された多数の半導体ウェーハ11が充填されている。各カセット34はウェーハ搬入装置21から取り外し可能であり、カセット34が空になったら、未研磨の半導体ウェーハ11が充填された新たなカセットと交換を行う。ウェーハ搬入装置21は他に回転伸縮アーム機構33を備え、カセット34に収納された未研磨の半導体ウェーハ11を各カセットの最上位に位置するものから順次取り出して、ロード・アンロードステージ22へと供給する。
ロード・アンロードステージ22は、図示左右にスライドするスライドテーブル70を有する。スライドテーブル70は、2枚の半導体ウェーハ11を載置可能な載置部70aを図示右側に2箇所有し、さらに2枚の半導体ウェーハ11を載置可能な載置部70bを図示左側に2箇所有する。カセット34に収納された未研磨の半導体ウェーハ11を搬入するときには、スライドテーブル70は図18に示すように図示右側にスライドした位置に配置される。
2枚の半導体ウェーハ11が研磨ヘッド31に吸着保持されたら、図18に示すように、スライドテーブル70は図示右側にスライドする。
研磨ステージは第1〜第3の研磨加工ステージに分かれており、第1研磨加工ステージ23と第2研磨加工ステージ24は粗研磨工程を行い、第3研磨加工ステージ25は仕上げ研磨工程を行う。粗研磨工程ではスライス加工工程等で半導体ウェーハ11の表面に入った加工ダメージの除去とウェーハ平坦度の作り込みを行い、仕上げ研磨工程では粗研磨工程における加工ダメージの除去と更なるウェーハ平坦度の向上のための研磨を行う。
各研磨加工ステージ23,24,25には、各ステージ23,24,25上の2個の研磨ヘッド31に対して研磨クロス32が貼り付けられた1つの定盤が設けられている。粗研磨工程と仕上げ研磨工程の相違点は、研磨に使用する研磨クロス32の質(面粗さ・硬度)の違いや、研磨時の回転数および加圧力,スラリー等の違いである。
研磨ヘッド支持部26は平面視で略十字形状を呈し、垂直軸26aを中心に水平面内で270°旋回自在に設置されている。研磨ヘッド支持部26の各先端には、それぞれ研磨ヘッド31を垂直下向きに2個ずつ、合計8個の研磨ヘッド31を備えている。各研磨ヘッド31は研磨ヘッド支持部26に対して昇降自在に支持されており、その昇降によって半導体ウェーハ11の研磨時の加圧力を調整する。8個の研磨ヘッド31はそれぞれ独立して昇降可能であり、各研磨加工ステージに位置する研磨ヘッド31は常に同期して昇降する必要があるわけではない。
さらに、研磨ヘッド支持部26は垂直軸26aを中心に反時計回りに90°回転する。すると、2枚の半導体ウェーハ11は第3研磨加工ステージ25に搬送される。ここでは、2枚の半導体ウェーハ11に所定時間の仕上げ研磨加工を行う。
第3研磨加工ステージ25で仕上げ研磨加工が終わったら、研磨ヘッド支持部26は垂直軸26aを中心に時計回りに270°回転する。すると、2枚の研磨後の半導体ウェーハ11はロード・アンロードステージ22に搬送される。
図18に示すようにウェーハ搬出装置27は、ロード・アンロードステージ22から研磨加工後の半導体ウェーハ11を取り出す回転伸縮アーム機構30と、この回転伸縮アーム機構30で取り出された半導体ウェーハ11を収納する回収カセット29とを備えている。回収カセット29は第3研磨加工ステージ25で仕上げ研磨された各半導体ウェーハ11を、それぞれが貼り付かないように枚葉化した状態で収納する。また、回収カセット29は水で満たされた水槽に浸っている。回収カセット29はウェーハ搬出装置27から取り外し可能であり、回収カセット29が研磨済み半導体ウェーハで一杯になったら、空の新たな回収カセット29と交換を行う。
図3〜図6は、本発明のワークチャックの洗浄装置を示し、図3はブラシ格納状態の洗浄装置の平面図、図4はブラシ使用状態の洗浄装置の平面図、図5は表面ブラシ格納状態の洗浄装置の側面図、図6は表面ブラシ使用状態の洗浄装置の側面図である。
図5に示すように洗浄装置28は、基台35の上端に固定された基板36と、基板36の上に固定されて洗浄装置内部を覆う筐体37を有する。筐体37は図示右側に表面用開口37aを有し、ワークチャック12の吸着面を洗浄する表面ブラシ41を有する表面ブラシユニット40と、表面ブラシ41でワークチャック12の表面を洗浄する際に洗浄水を供給する表面用給水部38とを備える。
表面ブラシユニット40は、基板36に固定された第1ガイドレールユニット42と、第1ガイドレールユニット42に沿って進退動する第2ガイドレールユニット43と、先端に表面ブラシ41を回転可能に支持すると共に第2ガイドレールユニット43に沿って進退動する支持フレーム44を備える。支持フレーム44は、基端寄りに駆動モータ45を固定して有しており、また、図3に示すように支持フレーム44の先端寄りで表面ブラシ41の側方に配置された表面側洗浄水噴射ノズル46を有する。
図9及び図10は本発明の洗浄装置28に用いられる表面ブラシ41の一例を示し、図9は表面ブラシ41とその周辺の拡大縦断面図、図10(A)は表面ブラシ41の平面図、図10(B)は表面ブラシ41の縦断面図である。
図11(B)に示すように、ピン14の直径D=0.5mm、中心間距離P=1mmとした場合、隣接するピン14の離間距離は0.5mmとなる。ここで、ブラシ毛71のブラシ毛径W3をピン14の直径Dの1/2以上とした場合、ブラシ毛71が隣接するピン14の間に引っ掛かってしまい、ピン14の間を適切に洗浄することができない。
そのため、毛束41bを構成するブラシ毛71のブラシ毛径W3はピン14の直径Dの1/2以下が良く、より好ましくは1/3以下とするのが良い。
図12(A)はブラシ毛径W3を0.1〜0.4mmの間で0.1mmずつ変化させて各毛径でワークチャック12を洗浄した後、各毛径について半導体ウェーハ11を研磨加工した際のディンプルの発生率を示す図表である。この実験において、ピン14の直径D=0.5mm,中心間距離P=1mm,ブラシの毛束径W2は2mmとし、ブラシの毛長Lは10mmとしている。このディンプルの発生率は、100枚の半導体ウェーハ11を研磨加工した際にディンプルが発生した半導体ウェーハの枚数である。
図13(A)は、表面ブラシ41でワークチャック12を洗浄している際に、表面側洗浄水噴射ノズル46により洗浄水をワークチャックに向けて吹き付けている状態を示す底面図、図13(B)はその側面図である。
図7は側面ブラシ格納状態の洗浄装置の側面図、図8は側面ブラシ使用状態の洗浄装置の側面図である。図7に示すように、筐体37は図示右側に側面用開口37bを有し、ワークチャック12の側面を洗浄する側面ブラシ51を有する側面ブラシユニット50と、側面ブラシ51でワークチャック12の側面を洗浄する際に洗浄水を供給する側面用給水部39とを備える。
図14及び図15は、本発明の洗浄装置に用いられる側面ブラシの一例を示す。図14は側面ブラシ51とその周辺の拡大縦断面図、図15(A)は側面ブラシ51の平面図、図15(B)は側面ブラシ51の縦断面図である。
斜め方向に植毛された毛束51bはそれぞれの毛束51bが全て同じ角度に植毛される必要はなく、洗浄性能の観点からは各毛束51bが様々な角度に植毛されていることが望ましい。また、図15(B)に示した例では、横方向(水平方向)に植毛された毛束を示していないが、横方向に植毛された毛束を有していても良い。
毛束51bのブラシ毛径、毛束径、ブラシ毛長等は基本的に毛束41bと同様のものを使用する。
このワークチャック12の側面とリテーナ73との間には、研磨砥粒などの異物が溜まり易いが、本願の側面ブラシ51を用いることにより、ワークチャック12とリテーナ73の間の異物を効果的に除去することができる。
図16(A)は、側面ブラシ51でワークチャック12をブラッシングしている際に側面側洗浄水噴射ノズル55により洗浄水をワークチャック12に向けて吹き付けている状態を示す底面図であり、図16(B)はその側面図である。
図24(A)は、スライドテーブル70の一部を示す平面図である。ワークチャック12の吸着面の洗浄をより効果的に行うために、図24(A)に示すように、スライドテーブル70には洗浄水を噴出するリンス用洗浄水噴射ユニット62を設けている。リンス用洗浄水噴射ユニット62は、洗浄装置28によるワークチャック12の擦り洗浄の後に、ワークチャック12の吸着面を洗浄水によりすすぎ洗浄するための機構である。
本発明の研磨装置20では、吸着面をより効果的に洗浄するために、ブラシによる洗浄とは別に洗浄の最終工程で、吸着面に対して洗浄水を噴射することにより吸着面のすすぎ洗浄を行う。
ワークチャック12の吸着面に噴射された洗浄水は、ワークチャック12の回転に伴う遠心力によりワークチャック12のピン14の間を外周方向に向かって流れ、吸着面に付着した異物や汚れを洗い流す。
図28に示すように、ワークチャック12の表面に設けられた吸着孔16へと続く半導体ウェーハ吸着用の配管72は、真空ポンプ74と純水源75および加圧エア源76に接続されている。半導体ウェーハ11を吸着するときには真空ポンプ74を使用し、半導体ウェーハ11を研磨加工している間も真空吸着を行っている。
次に、本出願の洗浄装置を備えた研磨装置の動作について説明する。
まず、図18に示すように、ロード・アンロードステージ22のスライドテーブル70を図示右側にスライドさせる。この状態で、表面側洗浄水噴射ノズル46と側面側洗浄水噴射ノズル55からそれぞれ洗浄水を噴射させ、表面ブラシ41と側面ブラシ51を回転させる。さらに、研磨ヘッド31のワークチャック12も回転させる。このとき、表面ブラシ41の回転速度は60〜70rpm、側面ブラシ51の回転速度は60〜70rpm、ワークチャック12の回転速度は30〜50rpmに設定する。
さらに、ワークチャック12に付着している異物のほとんどは、研磨中に吸い込むスラリーであり、ワークチャック12の外周付近に付着し易いため、外周付近の異物の取り残しが無いように、外周部における洗浄時間を長くする必要がある。そのことからも、表面ブラシ12の移動速度は、ワークチャック12の中心から外周に変位するに従って遅くする方が良い。
そのため、図23(B)に示すように表面ブラシ41の毛束41bがシール部15の内側に内接する位置にきたら、表面ブラシ41の移動速度を極めて減速させるか停止させることにより、表面ブラシ41の毛束41bがシール部15の内側に内接する位置での洗浄時間が長くなるようにする。
また、表面ブラシ41の毛束41bがシール部15の外側を洗浄する位置においても、表面ブラシ41の移動速度を極めて減速させるか停止させることにより、シール部15の外側を洗浄する時間が長くなるようにしても良い。
そのため、本願においては、表面ブラシ41を設置した支持フレーム44に表面側洗浄水噴射ノズル46を設けている。逆に、ブラシが当たっている部分への洗浄水が部分的に少ないとブラシの磨耗が早くなり、また、洗浄能力も低下することになる。
従って、側面ブラシ51の後退を表面ブラシ41とは独立して行うようにし、洗浄開始から30秒程度経過した時点で、まず、側面ブラシ51のみを先に退避させ、筐体37内へと格納する。
次に、図18に示すように、カセット34に充填された未研磨の半導体ウェーハ11を上から順に回転伸縮アーム機構33によって取り出す。最上位の位置の半導体ウェーハ11が取り出されたカセット34は、不図示の昇降機構により次の半導体ウェーハ11が最上位の位置にくるまで上昇する。半導体ウェーハ11を取り出した回転伸縮アーム機構33は、半導体ウェーハ11を保持した状態で約180°旋回し、スライドテーブル70の右側の2箇所の載置部70aに2枚の半導体ウェーハ11を載置する。
上記の一連のロード工程には、約1分程度の時間を要する。
載置部70aに載置された2枚の未研磨の半導体ウェーハ11を吸着したら、研磨ヘッド支持部26は垂直軸26aを中心に反時計回りに90°回転する。すると、2枚の未研磨の半導体ウェーハ11は第1研磨加工ステージ23に搬送される。ここで、2枚の未研磨の半導体ウェーハ11に約4分間の粗研磨加工を行う。
第3研磨加工ステージ25で仕上げ研磨工程が終わった時点では、ロード・アンロードステージ22のスライドテーブル70は、図18に示すように図示右側にスライドした位置に配置されている。仕上げ研磨が終わった2枚の半導体ウェーハ11はワークチャック12での吸着が解かれ、不図示のリフトピンによって載置部70bに静かに載置される。2枚の研磨済み半導体ウェーハ11を載置したら、図19に示すようにスライドテーブル70は図示左側にスライドする。スライドテーブル70が左側にスライドすると、載置部70bに載置された2枚の研磨済み半導体ウェーハ11は、ウェーハ搬出装置27の前に配置される。
上記の一連のアンロード工程には、約1分程度の時間を要する。
アンロード工程が終了したら、上述の<洗浄工程>へと続き、新たな未研磨の半導体ウェーハ11の<ロード工程>へと続く。
2…ワークチャック 2a…ワーク吸着面 2b…側面
3…研磨クロス
4…定盤4
5…ブラシ 5a…吸着面洗浄ブラシ部 5b…側面洗浄ブラシ部
6…真空ライン
7…洗浄液供給ライン
8…ノズル
11…半導体ウェーハ(ワーク)
12…ワークチャック
13…プレート本体
14…ピン
15…シール部
16…吸着孔
20…研磨装置
21…ウェーハ搬入装置
22…ロード・アンロードステージ
23…第1研磨加工ステージ
24…第2研磨加工ステージ
25…第3研磨加工ステージ
26…研磨ヘッド支持部 26a…垂直軸
27…ウェーハ搬出装置
28…洗浄装置
29…回収カセット
30…回転伸縮アーム機構
31…研磨ヘッド
32…研磨クロス
33…回転伸縮アーム機構
34…カセット
35…基台
36…基板
37…筐体 37a…表面用開口 37b…側面用開口
38…表面用給水部
39…側面用給水部 39a…給水管 39b…給水管 39c…給水管
40…表面ブラシユニット
41…表面ブラシ 41a…ブラシベース 41b…毛束 41c…ブラケット 41d…ねじ 41e…ねじ穴
42…第1ガイドレールユニット
43…第2ガイドレールユニット
44…支持フレーム 44a…プーリ 44b…ベルト
45…駆動モータ
46…表面側洗浄水噴射ノズル
47…給水管ユニット
50…側面ブラシユニット
51…側面ブラシ 51a…ブラシベース 51b…毛束 51e…ねじ穴
52…ガイドレールユニット
53…支持フレーム 53a…プーリ 53b…ベルト 53c…ブラケット 53d…ねじ
54…駆動モータ
55…側面側洗浄水噴射ノズル
56…給水管ユニット
57…表面ブラシ洗浄ノズル
58…側面ブラシ洗浄ノズル
62…リンス用洗浄水噴射ユニット
63…ベース
64…供給路
65…噴射ノズル
66…供給管
67…第2の噴射ノズル
70…スライドテーブル 載置部70a 載置部70b
71…ブラシ毛
72…配管
73…リテーナ
W2…毛束径
W3…ブラシ毛径
L…ブラシ毛長 L1…押し当て量。
Claims (10)
- ワークを吸着保持するワークチャックと、
前記ワークチャックの吸着面に向かって、前記吸着面に対し斜め方向から液体を噴射する噴射ノズルと、
を備えたことを特徴とするワークチャックの洗浄装置。 - ワークを吸着保持するワークチャックと、
前記ワークチャックの吸着面に向かって、前記ワークチャックの回転方向に沿って液体を噴射する噴射ノズルと、
を備えたことを特徴とするワークチャックの洗浄装置。 - ワークを吸着保持するワークチャックと、
前記ワークチャックの吸着面を洗浄するブラシと、
前記ブラシが前記吸着面から退避した状態で前記吸着面に液体を噴射する噴射ノズルと、
を備えたことを特徴とするワークチャックの洗浄装置。 - 前記吸着面に対する前記噴射ノズルの噴射角度が、前記吸着面に対し5〜85°であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1つに記載のワークチャックの洗浄装置。
- 前記ワークチャックが1回転するときに前記吸着面の全面に前記液体が噴射されるように、前記噴射ノズルから噴射される前記液体は前記吸着面の中心を含む半径上に帯状に噴射されることを特徴とする請求項1〜4の何れか1つに記載のワークチャックの洗浄装置。
- 前記ワークチャックが1回転するときに前記吸着面の全面に前記液体が噴射されるように、前記噴射ノズルを複数備えたことを特徴とする請求項1〜5の何れか1つに記載のワークチャックの洗浄装置。
- 請求項1乃至請求項6の何れか1つに記載されたワークチャックの洗浄装置と、
前記ワークチャックに保持されたワークを研磨する研磨クロスと、
前記研磨クロスを回転させる定盤と、
を備えたことを特徴とする研磨装置。 - ワークを吸着保持するためのワークチャックを、ワークを吸着保持していない状態で回転させるステップと、
前記ワークチャックの回転方向に沿うように、前記ワークチャックの吸着面に向かって吸着面に対し斜め方向から液体を噴射するステップと、
を順不同に含むことを特徴とするワークチャックの洗浄方法。 - ワークを吸着保持する吸着面を有するワークチャックの洗浄方法であって、
(A)前記ワークチャックの吸着面を洗浄するための表面ブラシで前記吸着面を洗浄する工程と、
前記表面ブラシとは独立して変位可能な側面ブラシで、前記ワークチャックの前記吸着面の外周部若しくは前記ワークチャックの側面を洗浄する工程とを、
所定時間同時に行うステップと、
(B)前記表面ブラシを前記ワークチャックから退避させるよりも前に、前記側面ブラシを前記ワークチャックから退避させるステップと、
(C)前記表面ブラシを前記ワークチャックから退避させるステップと、
(D)前記ワークチャックの吸着面に対し液体を噴射するステップと、
を含むことを特徴とするワークチャックの洗浄方法。 - (A)ワークチャックによりワークを吸着保持した状態で前記ワークを研磨クロスに押し付け、前記ワークを前記研磨クロスに対して相対的に変位させることにより、前記ワークを研磨するステップと、
(B)前記ワークチャックの吸着を解き、前記ワークチャックから前記ワークを離脱させるステップと、
(C)前記ワークチャックの吸着面を洗浄するためのブラシで前記吸着面を洗浄するステップと、
(D)前記ブラシを前記ワークチャックから退避させるステップと、
(E)前記ワークチャックの吸着面に対し液体を噴射するステップと、
を含むことを特徴とするウェーハの製造方法。
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---|---|
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008244318A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送部材の洗浄方法、基板搬送装置及び基板処理システム |
EP4080285A1 (en) * | 2021-04-21 | 2022-10-26 | ASML Netherlands B.V. | Surface treatment device |
WO2022223277A1 (en) * | 2021-04-21 | 2022-10-27 | Asml Netherlands B.V. | Surface treatment device and method |
-
2005
- 2005-03-23 JP JP2005083154A patent/JP2006269582A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008244318A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送部材の洗浄方法、基板搬送装置及び基板処理システム |
EP4080285A1 (en) * | 2021-04-21 | 2022-10-26 | ASML Netherlands B.V. | Surface treatment device |
WO2022223277A1 (en) * | 2021-04-21 | 2022-10-27 | Asml Netherlands B.V. | Surface treatment device and method |
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