JP6298277B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6298277B2 JP6298277B2 JP2013249734A JP2013249734A JP6298277B2 JP 6298277 B2 JP6298277 B2 JP 6298277B2 JP 2013249734 A JP2013249734 A JP 2013249734A JP 2013249734 A JP2013249734 A JP 2013249734A JP 6298277 B2 JP6298277 B2 JP 6298277B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- region
- unit
- discharge
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 294
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 271
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 184
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 176
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 176
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 154
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 74
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 25
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 15
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 102
- 238000000034 method Methods 0.000 description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 description 38
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 14
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 5
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
図1は実施形態に係る基板処理装置100の概略構成の一例を模式的に示す図である。図2は、基板処理装置100の上面図である。この基板処理装置100は、半導体ウェハ等の基板Wの上面(「表面」とも称する)S1のうち基板の周縁(「端縁」、「周端縁」とも称する)E1から定められた幅の処理領域(「表面周縁部」とも称する)S3に純水などの処理液51を供給して処理液51を用いて処理領域S3に定められた処理を行う。
図3は、吐出部20が処理領域S3に処理液51を吐出する領域を説明するための上面図である。図3に示されるように、吐出部20は、処理領域S3の回転軌跡のうち洗浄部10に対して基板Wの回転方向下流側の半環状の領域M1(後述)内の、予め規定されている第2領域(「主吐出領域」)72に向けて処理液51を吐出する。従って、例えば、洗浄部10に対して基板Wの回転方向上流側に処理液51が吐出される場合に比べて、処理領域S3のうち洗浄部10によって処理液51が除かれて乾燥状態となる範囲が小さくなる。従って、上面S1の処理領域S3をより確実に洗浄できる。なお、半環状の領域M1は、処理領域S3の回転軌跡のうち洗浄部10と基板Wの回転軸a1とを通る平面J1によって区分される2つの半環状の領域のうち洗浄部に対して基板の回転方向下流側の領域である。
図4および図5は、吐出部20が処理液51を吐出する際の吐出方向V1を説明するための上面図および側面図である。処理液51は、吐出部20の吐出口21から吐出される。吐出部20の内部には、吐出口21と、吐出部20の上部に接続された配管アーム180とを連通する流路22(図12参照)が設けられており、処理液51は、流路22のうち吐出口21部分の軸(中心軸)23方向に沿った吐出方向V1に沿って吐出される。
図7〜図10は、気体噴射部30の噴射口31の一例として噴射口31a、31c、複数の噴射口31b、31dをそれぞれ示す上面図である。なお、図7〜図10に示されている噴射口31a〜31dは、気体噴射部30の上方から基板Wの回転軸a1方向に噴射口31a〜31dを透視したときの透視像である。
図12は、吐出部20の概略構成の一例を示す側面図である。図12に示されるように、吐出部20は、処理液51を吐出する吐出口21と、吐出口21と配管アーム180とに連通して吐出口21に処理液51を供給する流路22とを備えている。吐出口21の径φは、例えば、0.3mmなどに設定される。吐出口21部分における流路22の断面は、吐出口21部分における流路22の軸(「中心軸」)23方向に沿って処理領域S3の回転軌跡における領域79に投影される。
図17、図18は、基板処理装置100の洗浄動作の一例をそれぞれ示すタイムチャートである。図17は、ブラシ洗浄中(洗浄部10による洗浄中)に処理液の吐出が行われる場合のタイムチャートであり、図18は、ブラシ洗浄中に処理液の吐出が行われない場合のタイムチャートである。ブラシ洗浄中の処理液の吐出は、ブラシを処理液によって濡らすことを主な目的として行われる。図18に示されるようにブラシ洗浄中に処理液の吐出が行われ無くてもよい。図19は、基板処理装置100の処理液吐出動作の一例を示すフローチャートである。図20は、基板処理装置100の洗浄動作の一例を示すフローチャートである。
10 洗浄部
20 吐出部
21 吐出口
22 流路
23 軸
30 気体噴射部
31,31a,31b,32c,31d 噴射口
32 流路
36 側面
5 スピンチャック(基板回転機構)
10 洗浄部
51 処理液
52 気体
61 第1位置
62 第2位置
63 第3位置
71 第1領域
72 第2領域
73 第3領域
155 移動部
180 配管アーム
201 噴射目標領域
a1 回転軸
W 基板
S1 上面
S2 下面
S3 処理領域
S4 非処理領域
Claims (6)
- 基板を保持して回転させる基板回転機構と、
前記基板回転機構によって回転されている前記基板の上面のうち前記基板の周縁から定められた幅の処理領域に処理液を吐出する吐出部と、
前記基板回転機構によって回転されている前記基板の前記処理領域に当接して前記処理領域を洗浄する洗浄部と、
を備え、
前記吐出部は、
前記処理領域の回転軌跡のうち前記洗浄部に対して前記基板の回転方向下流側の半環状の領域に予め規定されている主吐出領域に向けて前記処理液を吐出し、
前記吐出部が前記処理液を吐出する際の吐出方向は、前記吐出部の上方から前記基板の回転軸方向に見て、前記基板の周縁のうち前記主吐出領域と近接する部分における接線に沿って前記基板の回転方向下流側に向かう成分と、前記接線と直交する方向に沿って前記基板の中心側から周縁側に向かう成分とを有する斜め方向であり、
前記基板の上面のうち前記洗浄部と前記基板の回転軸との間の部分の上方に設けられ、前記基板の上面に予め規定された噴射目標領域に向けて前記基板の上方から気体を噴射することにより、前記噴射目標領域から前記洗浄部側に向かう気体流を前記基板上に生成させる気体噴射部、をさらに備える、基板処理装置。 - 基板を保持して回転させる基板回転機構と、
前記基板回転機構によって回転されている前記基板の上面のうち前記基板の周縁から定められた幅の処理領域に処理液を吐出する吐出部と、
前記基板回転機構によって回転されている前記基板の前記処理領域に当接して前記処理領域を洗浄する洗浄部と、
を備え、
前記吐出部は、
前記処理領域の回転軌跡のうち前記洗浄部に対して前記基板の回転方向下流側の半環状の領域に予め規定されている主吐出領域に向けて前記処理液を吐出し、
前記基板の上面のうち前記洗浄部と前記基板の回転軸との間の部分の上方に設けられ、前記基板の上面に予め規定された噴射目標領域に向けて前記基板の上方から気体を噴射することにより、前記噴射目標領域から前記洗浄部側に向かう気体流を前記基板上に生成させる気体噴射部、をさらに備える、基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記気体噴射部は、前記噴射目標領域に前記気体を噴射する噴射口を備え、
前記噴射口は、スリット状の吐出口であり、前記気体噴射部の上方から前記基板の回転軸方向に透視したときに、前記基板の周縁のうち前記洗浄部に当接する部分を含む前記洗浄部との近接部分に沿って湾曲し、前記基板の周方向に長い形状をなしている、基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記気体噴射部は、前記噴射目標領域に前記気体を噴射する複数の噴射口を備え、
前記複数の噴射口は、前記気体噴射部の上方から前記基板の回転軸方向に透視したときに、前記基板の周縁のうち前記洗浄部に当接する部分を含む前記洗浄部との近接部分に沿って湾曲する仮想線上に互いに離間して並んでいる、基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記気体噴射部は、前記噴射目標領域に前記気体を噴射する噴射口を備え、
前記噴射口は、スリット状の吐出口であり、前記気体噴射部の上方から前記基板の回転軸方向に透視したときに、前記洗浄部の外周面のうち前記基板の周縁との対向部分に沿って湾曲し、前記洗浄部の周方向に長い形状をなしている、基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記気体噴射部は、前記噴射目標領域に前記気体を噴射する複数の噴射口を備え、
前記複数の噴射口は、前記気体噴射部の上方から前記基板の回転軸方向に透視したときに、前記洗浄部の外周面のうち前記基板の周縁との対向部分に沿って湾曲する仮想線上に互いに離間して並んでいる、基板処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013249734A JP6298277B2 (ja) | 2013-12-03 | 2013-12-03 | 基板処理装置 |
KR1020140169609A KR101673061B1 (ko) | 2013-12-03 | 2014-12-01 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
TW103141847A TWI524400B (zh) | 2013-12-03 | 2014-12-02 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
US14/557,773 US20150151335A1 (en) | 2013-12-03 | 2014-12-02 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US15/905,067 US10835932B2 (en) | 2013-12-03 | 2018-02-26 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013249734A JP6298277B2 (ja) | 2013-12-03 | 2013-12-03 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015106701A JP2015106701A (ja) | 2015-06-08 |
JP6298277B2 true JP6298277B2 (ja) | 2018-03-20 |
Family
ID=53436646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013249734A Active JP6298277B2 (ja) | 2013-12-03 | 2013-12-03 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6298277B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI661477B (zh) | 2015-06-18 | 2019-06-01 | 日商思可林集團股份有限公司 | 基板處理裝置 |
JP6613206B2 (ja) * | 2015-06-18 | 2019-11-27 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP6812262B2 (ja) * | 2017-02-09 | 2021-01-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002043265A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハの洗浄方法および半導体ウエハ洗浄装置 |
JP4976949B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2012-07-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5516447B2 (ja) * | 2011-02-08 | 2014-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
-
2013
- 2013-12-03 JP JP2013249734A patent/JP6298277B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015106701A (ja) | 2015-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI524400B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP5789400B2 (ja) | 液処理方法及び液処理装置 | |
TWI443722B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP5470306B2 (ja) | 2流体ノズル、基板液処理装置、基板液処理方法、及び基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP5284004B2 (ja) | 基板の処理装置 | |
JP7197376B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2008198958A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6431208B2 (ja) | 基板液処理装置及び方法 | |
TW201624532A (zh) | 基板液體處理方法、基板液體處理裝置及記錄媒體 | |
JP2007273575A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6298277B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5006464B1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2004140345A (ja) | 半導体製造装置 | |
TWI634397B (zh) | 顯影方法 | |
JP6211910B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR102326461B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
TWI745830B (zh) | 液處理裝置及液處理方法 | |
JP4931699B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP4707730B2 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄装置、及び半導体ウェーハの洗浄方法 | |
JP6814847B2 (ja) | 現像方法 | |
JP5224876B2 (ja) | 基板の処理装置 | |
JP7008546B2 (ja) | 基板処理装置、基板液処理方法およびノズル | |
JP6812262B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TW202200273A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
KR20220077073A (ko) | 액처리 방법 및 액처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170314 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170712 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180213 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180223 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6298277 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |