JP2010153807A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置および基板処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010153807A
JP2010153807A JP2009254548A JP2009254548A JP2010153807A JP 2010153807 A JP2010153807 A JP 2010153807A JP 2009254548 A JP2009254548 A JP 2009254548A JP 2009254548 A JP2009254548 A JP 2009254548A JP 2010153807 A JP2010153807 A JP 2010153807A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
unit
nozzle
physical tool
supply nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009254548A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5523062B2 (ja
JP2010153807A5 (ja
Inventor
Konosuke Hayashi
航之介 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Priority to JP2009254548A priority Critical patent/JP5523062B2/ja
Priority to TW098138471A priority patent/TWI415207B/zh
Priority to KR1020090110953A priority patent/KR101068755B1/ko
Priority to US12/621,663 priority patent/US9202724B2/en
Publication of JP2010153807A publication Critical patent/JP2010153807A/ja
Publication of JP2010153807A5 publication Critical patent/JP2010153807A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5523062B2 publication Critical patent/JP5523062B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/08—Cleaning containers, e.g. tanks
    • B08B9/0804—Cleaning containers having tubular shape, e.g. casks, barrels, drums
    • B08B9/0813—Cleaning containers having tubular shape, e.g. casks, barrels, drums by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/08—Cleaning containers, e.g. tanks
    • B08B9/093—Cleaning containers, e.g. tanks by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/08—Cleaning containers, e.g. tanks
    • B08B9/20—Cleaning containers, e.g. tanks by using apparatus into or on to which containers, e.g. bottles, jars, cans are brought
    • B08B9/28—Cleaning containers, e.g. tanks by using apparatus into or on to which containers, e.g. bottles, jars, cans are brought the apparatus cleaning by splash, spray, or jet application, with or without soaking
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
    • F26B5/005—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by dipping them into or mixing them with a chemical liquid, e.g. organic; chemical, e.g. organic, dewatering aids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

【課題】半導体ウェーハのような基板の全面においる液被覆性が向上して処理中の乾燥を防いでウォータマーク（水のシミ）の発生を低減することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を回転させながら基板の表面を処理する基板処理装置１０は、基板Ｗの表面Ｓを処理する物理ツール４０を有する物理ツールユニット２３と、基板Ｗの表面Ｓに液体を供給する液供給ノズル４５と、基板Ｗの表面Ｓにガスを供給するガス供給ノズル４６とを有するノズルユニット２１と、物理ツールユニット２３を基板Ｗの表面Ｓに沿って移動させる物理ツールユニット移動機構部２３と、ノズルユニット２１を基板Ｗの表面Ｓに沿って移動させるノズルユニット移動機構部２４とを備える。
【選択図】図４

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関し、特に処理対象物である例えば半導体ウェーハ等の基板の表面を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。
一例として、基板処理装置は、半導体ウェーハ等の基板の製造工程において基板に対して薬液等の液体を供給して処理を行う。基板が回転テーブルに保持されており、処理ノズルがアームに取り付けられており、アームとともに処理ノズルが移動することで処理液が基板に供給される構造が、特許文献１に開示されている。
特開２００７―１０３８２５号公報
ところで、特許文献１に記載の基板処理装置では、基板の表面が疎水面である場合に、処理中に基板の表面の乾燥が起こり、基板における液の被覆性が悪化することにより、ウォータマーク（水のシミ）が発生する。
また、基板の表面を処理する物理ツールと処理液を供給する固定ノズルを併用する基板処理装置の場合には、固定ノズルが動かないことで、処理液が基板の表面で滞留する部分が発生するため、その部分にパーティクルが付着することがある。
さらに、物理ツールが基板に対してスキャンされた場合に、物理ツールから供給される気体（あるいは処理液）と固定ノズルから供給される処理液とが干渉して液跳ねが発生し、その状態での乾燥によりウォータマーク（水のシミ）が発生する。
また、液同士が干渉すること以外にも、固定ノズルから供給された処理液が、スキャンしている揺動アーム体（物理ツール）自体に干渉することで液跳ねが発生し、その状態での乾燥によりウォータマーク（水のシミ）が発生する。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体ウェーハのような基板の全面における液の被覆性が向上して処理中の乾燥を防いでウォータマーク（水のシミ）の発生を低減することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
本発明の基板処理装置は、基板を回転させながら前記基板の表面を処理する基板処理装置であって、前記基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットと、前記基板の表面に液体を供給する液供給ノズルと、前記基板の表面にガスを供給するガス供給ノズルとを有するノズルユニットと、前記物理ツールユニットを基板の表面に沿って移動させる物理ツールユニット移動機構部と、前記ノズルユニットを基板の表面に沿って移動させるノズルユニット移動機構部と、を備えることを特徴とする。
本発明の基板処理方法は、基板を回転させながら前記基板の表面を処理する基板処理方法であって、前記基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットを、物理ツールユニット移動機構部により基板の表面に沿って直線移動させ、前記基板の表面に液体を供給する液供給ノズルと前記基板の表面にガスを供給するガス供給ノズルとを有するノズルユニットを、ノズルユニット移動機構部により、前記物理ツールユニットの直線移動方向とは反対方向に基板の表面に沿って直線移動させることを特徴とする。
本発明によれば、半導体ウェーハのような基板の全面における液の被覆性が向上して処理中の乾燥を防いでウォータマーク（水のシミ）の発生を低減することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することができる。
本発明の基板処理装置の全体構成を示す図である。 基板Ｗとノズルヘッド装置とノズルヘッド装置の移動操作部を示す平面図である。 ノズルヘッド装置とノズルヘッド装置の移動操作部を示す斜視図である。 ノズルヘッド装置の内部構造を示す図である。 ノズルヘッド装置の内部構造を示す斜視図である。 図４に示すノズルヘッド装置のＢ−Ｂ線における断面図である。 物理ノズルと液供給ノズルとガス供給ノズルを示す図である。 本発明の別の実施形態を示す図である。
本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の基板処理装置の好ましい実施形態を示す図である。図２は、図１に示す基板処理装置のノズルヘッド装置とノズルヘッド装置の移動操作部を示す平面である。
図１に示す基板処理装置１０は、一例として基板Ｗの表面Ｓのパーティクルを除去する洗浄装置として用いられ、基板保持部１１と、ノズルヘッド装置１２と、ノズルヘッド装置の移動操作部１３と、ダウンフロー用のフィルタ付きファン１４と、カップ１５と、処理室１６を有する。
基板保持部１１は、ベース部材１７と、回転軸１８と、モータ１９を有しており、ベース部材１７の上には基板Ｗが着脱可能に固定される。処理室１６内には、カップ１５とベース部材１７とモータ１９の回転軸１８が収容されている。回転軸１８の先端部にはベース部材１７が固定されている。モータ１９が制御部１００の指令により動作することで、ベース部材１７と基板ＷはＲ方向に連続回転することができる。ファン１４は、制御部１００の指令により動作する。
次に、図１に示すノズルヘッド装置１２とノズルヘッド装置の移動操作部１３の構造例を、図２〜図６を参照して、説明する。
図３は、ノズルヘッド装置１２とノズルヘッド装置の移動操作部１３を示す斜視図であり、図４は、ノズルヘッド装置１２の上部カバーを取り除いて内部構造例を示す平面図である。図５は、ノズルヘッド装置１２の内部構造を示す斜視図であり、図６は、図４に示すノズルヘッド装置１２のＢ−Ｂ線における断面図である。
まず、図３と図４を参照すると、ノズルヘッド装置１２は、長い箱状のケース２０と、物理ツールユニット２１と、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２と、物理ツールユニット２１の移動機構部２３と、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の移動機構部２４と、を有している。
ケース２０は、物理ツールユニット２１と、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２と、物理ツールユニット２１の移動機構部２３と、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の移動機構部２４を収容している。
図１と図２に示すケース２０は、例えば金属材料により作られており、図３と図４と図６に示すように、上面部２５と、側面部２６，２７，２８，２９と、底面部３０により構成されている。上面部２５と、側面部２６，２７は、Ｔ方向に沿っている長い板状の部材である。側面部２８，２９はケース２０の前端部と後端部にそれぞれ相当するが、側面部２９は、ノズルヘッド装置の移動操作部１３のアーム部３１の一端部３２に固定されている。
ここで、図４と図５を参照して、物理ツールユニット２１と、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２と、物理ツールユニット２１の移動機構部２３と、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の移動機構部２４の構造例について、説明する。
物理ツールユニット２１は、物理ツール４０と、この物理ツール４０を保持する保持部４１を有する。物理ツール４０は、スプレーノズルであり、処理液供給部４２とガス供給部４２Ｇに対してバルブ４２Ｂを介して接続されている。処理液供給部４２には、スプレー用の液体、一例として純水が供給され、ガス供給部４２Ｇには、気体、一例として窒素ガスが供給されている。これにより、処理液供給部４２とガス供給部４２Ｇは、物理ツール４０側に液体と気体を混合したスプレー用の液体、すなわち処理用の液体（ミスト）を、図１に示す基板Ｗの表面Ｓに供給することができる。
なお、物理ツール４０は、基板の表面に対して物理的な処理ができるツールであるが、例えばスプレーノズル以外に超音波ノズルやブラシ等であっても良い。このブラシには、処理液が供給される。
液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２は、液供給ノズル４５と、ガス供給ノズル４６と、液供給ノズル４５とガス供給ノズル４６をＴ方向に沿って並べて保持する保持部１４７と、を有する。
液供給ノズル４５は、処理液供給部４８に対してバルブ４８Ｂを介して接続されている。処理液供給部４８には、処理用の液体、例えばエッチング液、洗浄液、純水等が貯蔵されている。液供給ノズル４５は、処理用の液体を図１に示す基板Ｗの表面Ｓに供給することができる。
ガス供給ノズル４６は、ガス供給部４７に対してバルブ４７Ｂを介して接続されており、例えば窒素ガス等の不活性ガスを図１に示す基板Ｗの上面に供給することができる。
図４と図５に示す物理ツールユニット２１の移動機構部２３は、ガイドレール５０と、モータ５１と、送りねじ５２を有している。ガイドレール５０は、ケース２０の側面部２６の内面においてＴ方向に沿って固定されている。ガイドレール５０はガイド用の溝部５０Ｍを有しており、物理ツールユニット２１の保持部４１の突起４１Ｔが噛み合っている。送りねじ５２は、保持部４１のナット５３に噛み合っており、送りねじ５２が、モータ５１の駆動により回転することにより、保持部４１と物理ツール４０からなる物理ツールユニット２１を、Ｔ１方向とＴ２方向に沿って直線移動して位置決め可能である。
また、図４と図５に示す液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の移動機構部２４は、ガイドレール６０と、モータ６１と、送りねじ６２を有している。ガイドレール６０は、ケース２０の側面部２７の内面においてＴ方向に沿って固定されている。ガイドレール６０はガイド用の溝部６０Ｍを有しており、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の保持部１４７の突起１４７Ｔがかみ合っている。送りねじ６２は、保持部４７のナット６３にかみ合っており、送りねじ６２が、モータ６１の駆動により回転することにより、保持部１４７と液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２をＴ１方向とＴ２方向に沿って直線移動して位置決め可能である。
次に、図３を参照して、ノズルヘッド装置１２の移動操作部１３の構造例を説明する。
図３に示すノズルヘッド装置１２の移動操作部１３は、ノズルヘッド装置１２を、回転中心軸ＳＲを中心としてＧ方向に揺動操作し、回転中心軸ＳＲ方向と平行なＺ方向に沿って上下移動操作する機能を有する。
このノズルヘッド装置１２の移動操作部１３は、基部７０と、上下移動部７１と、回転支持部７２と、モータ７３と、モータ７４と、送りねじ７５を有している。回転支持部７２は、ノズルヘッド装置１２のアーム部３１の他端部３２Ｂが固定されており、アーム部３１とノズルヘッド装置１２は、回転支持部７２の直径方向に伸びている。なお、モータ７３は基部７０に、モータ７４は上下移動部７１にそれぞれ支持されている。
モータ７３は、送りねじ７５を回転することができ、送りねじ７５は上下移動部７１のナット７７に噛み合っている。これにより、モータ７３を駆動することにより、上下移動部７１は、基部７０に対してガイド７６によりＺ方向に沿って上下移動して位置決めできるようになっている。
また、モータ７４の出力軸のギア７４Ｃは、回転支持部７２の軸７８のギア７９に噛み合っている。これにより、モータ７４を駆動することにより、回転支持部７２は、回転中心軸ＳＲを中心として、Ｇ方向に揺動することができる。
図４に示すモータ５１，６１と、図３に示すモータ７３、７４は、制御部１００の指令により動作する。また、図４に示す各バルブ４２Ｂ、４７Ｂ、４８Ｂの開閉制御は、制御部１００の指令により行われる。これらのモータとしては、例えばサーボモータを用いることができる。
次に、上述した基板処理装置１０の動作例を説明する。制御部１００がモータ１９を動作させ、ベース部材１７上の基板ＷをＲ方向（図１参照）に連続回転させる。
図４に示すように、制御部１００が各バルブ４２Ｂ、４７Ｂ、４８Ｂの開閉制御を行うことにより、物理ツール４０がスプレーノズルである場合にはスプレー用の液体、すなわち処理用の液体（ミスト）を基板Ｗの表面Ｓに向けて供給でき、液供給ノズル４５からは、例えば純水を基板Ｗの表面Ｓに向けて供給でき、ガス供給ノズル４６からは、例えば不活性ガスの一例である窒素ガスを基板Ｗの表面Ｓに向けて供給できる。このような物理ツール４０からの処理用の液体の供給と、液供給ノズル４５からの純水の供給、そしてガス供給ノズル４６からの窒素ガスの供給は、ノズルヘッド装置（アーム体ともいう）１２を揺動させながら行え、これにより基板Ｗの表面Ｓの処理ができる。
図４と図５に示す物理ツールユニット２１が、制御部１００の指令により、物理ツールユニット２１の移動機構部２３によってＴ方向に直線移動される動作と、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２が、制御部１００の指令により液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の移動機構部２４によってＴ方向に直線移動する動作とは、同期されている。
しかしながら、物理ツールユニット２１の移動方向と、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の移動方向とは、全く逆方向である。すなわち、物理ツールユニット２１がＴ１方向に移動する際には、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２はＴ２方向に移動する。また、物理ツールユニット２１がＴ２方向に移動する際には、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２はＴ１方向に移動する。
図７（Ａ）〜図７（Ｃ）は、基板Ｗの上面に対して物理ツールユニット２１と液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２がＴ１方向とＴ２方向に移動している様子を示している。
図７（Ａ）の状態では、物理ツールユニット２１が基板Ｗの中心部付近Ｐ１に位置されており、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２が基板Ｗの周縁部分付近Ｐ２に位置されている。すなわち、図７（Ａ）では、物理ツール４０が基板Ｗの中心部付近Ｐ１に位置されており、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２が基板Ｗの周縁部付近Ｐ２に位置されるので、物理ツール４０からスプレー供給される処理用の液体（ミスト）により、基板Ｗの中心部付近Ｐ１が処理されている時には、基板Ｗの外周部（周縁部分付近Ｐ２）は、液供給ノズル４５から供給される例えば純水により処理される。
物理ツール（スプレーツール）４０は、処理液（ミスト）を供給しながら、中心部付近Ｐ１付近から周縁部分付近Ｐ２付近に移動する。この時の処理は、基板Ｗに処理液（ミスト）を供給することで、基板Ｗ上のパーティクルを除去している。液供給ノズル４５は、ノズルから純水を供給しながら周縁部分付近Ｐ２付近から中心部付近Ｐ１付近に移動する。純水を供給する理由は、基板Ｗの乾燥防止である。物理ツール４０と相対方向に純水を供給することは、物理ツール４０で処理された部分を乾燥させないために行う。なお、物理処理後に基板Ｗを自然乾燥させると、ウォータマーク（水のシミ）が発生してしまう。
図７（Ａ）の状態から、物理ツールユニット２１と液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２が反対方向に移動して図７（Ｂ）の状態になると、物理ツールユニット２１が基板Ｗの周縁部付近Ｐ２に位置され、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２が基板Ｗの中心部付近Ｐ１に位置される。すなわち、図７（Ｂ）では、物理ツール４０が基板Ｗの周縁部付近Ｐ２に位置されており、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２が基板Ｗの中心部付近Ｐ１に位置されるので、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の液供給ノズル４５から供給される例えば純水により、基板Ｗの中心部付近Ｐ１が処理されている時には、基板Ｗの外周部（周縁部分Ｐ２）は、物理ツールユニット２１の物理ツール４０からスプレー供給される例えば処理用の液体（ミスト）により処理される。
さらに、図７（Ｃ）の状態では、物理ツールユニット２１が基板Ｗの周縁部付近Ｐ２に位置され、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２が基板Ｗの中心部付近Ｐ１に位置されている。ガス供給ノズル４６から供給されるガスにより、基板Ｗの表面Ｓに対してガス供給が行える。このガスが基板Ｗの表面Ｓに対して供給されることより、不活性ガスを利用して基板Ｗの表面Ｓは乾燥処理される。このように供給されたガスにより基板Ｗの表面Ｓが直ぐに乾燥するので、基板Ｗの表面Ｓを確実に乾燥処理することができる。なお、乾燥時は、基板Ｗの回転速度を上げて（洗浄処理時の回転速度よりも高い）、水切りをしながら、ガスを供給する。
ここで、例えば、物理ツール４０がノズルヘッド装置（アーム体）１２に対して移動している最中にも、物理ツール４０から液体が供給され、また、ノズルヘッド装置１２が揺動している最中にも、物理ツール４０はノズルヘッド装置１２に対して移動する。また、液供給ノズル４５とガス供給ノズル４６も、ノズルヘッド装置１２が揺動している最中にノズルヘッド装置１２に対して移動する。
なお、乾燥を行うときは、物理ツール４０や液供給ノズル４５からの供給をストップさせる。中心部付近Ｐ１付近から周縁部付近Ｐ２付近まで移動させつつ、ガスを噴射させながら基板Ｗを乾燥させる。また、追加として、洗浄処理した後に直ぐ乾燥処理に持ち込むことも考慮する。これは、物理ツール４０の後を追いかけるようにガス供給ノズル４６が移動していくようにする。そうすることで、物理ツール４０の洗浄後直ぐに乾燥ガスで乾燥させる（乾燥置換）ことにより、ウォータマーク（水のシミ）の発生を防止する。
なお、本発明のさらに別の実施形態としては、物理ツールユニット２１の物理ツール４０は、前述の移動機構部２３によるＴ方向の移動に加え、図８に示すように、上下移動部９０によりＺ方向に沿って位置を移動するようにしても良い。同様にして、液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の液供給ノズル４５とガス供給ノズル４６も、前述の移動機構部２４によるＴ方向の移動に加え、上下移動部９１によりＺ方向に沿って位置を移動するようにしても良い。上下駆動部９０，９１は、それぞれギア９２と、ギア９２に噛み合うラック９３と、ギアが取り付けられたモータ９４を有している。モータ９４が制御部１００の指令により動作すると、上下駆動部９０は物理ツールユニット２１の物理ツール４０を、Ｚ方向に移動して位置決めができ、上下駆動部９１は液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット２２の液供給ノズル４５とガス供給ノズル４６を、Ｚ方向に移動して位置決めができる。
ノズルを上下させることは、処理状態により上下の位置を制御するためである。例えば、基板洗浄力を高くするには、ノズルを基板Ｗに近づけるようにして、スプレー供給を行う。このことによって、スプレーの吐出口に近ければ近いほど、吐出圧力が高いので、洗浄力が強く、基板Ｗ上のパーティクルを除去することができる。逆に洗浄力を強くしすぎると、基板Ｗのパターン倒れを引き起こす可能性があるので、ノズルを高くして、基板Ｗにかかる圧力を和らげながら基板洗浄を行うことができる。
従来では、基板Ｗの表面Ｓが疎水面である場合に、物理ツールのみで基板Ｗの表面Ｓを処理すると、基板Ｗの表面Ｓにおける液の被覆性が悪化して、その状態で乾燥するとウォータマーク（水のシミ）が発生する。しかし、本発明の実施形態では、基板Ｗの表面Ｓは、物理ツール４０と、液供給ノズル４５とガス供給ノズル４６を備える洗浄ツールにより洗浄することができる。物理ツール４０と液供給ノズル４５を併用して、相互に反対方向に直線移動させることで、様々な口径の基板Ｗの表面Ｓのパーティクルを除去しながら、ウォータマーク（水のシミ）の発生を低減できる。
すなわち、大きいサイズの基板Ｗや小さいサイズの基板Ｗに対しても、物理ツール４０や液供給ノズル４５、ガス乾燥ノズル４６の移動距離を変えることにより対応することが可能であり、様々な口径の基板Ｗに対応することができる。また、物理ツール４０で基板洗浄後直ぐに純水を供給することにより、洗浄処理した領域を乾燥させないことや、洗浄処理した領域を直ぐに乾燥させることによって、ウォータマーク（水のシミ）の発生を防止することができる。
物理ツール４０が移動するのに同期にして液供給ノズル４５が、物理ツール４０とは反対方向に移動しながら処理液を供給する。物理ツール４０と液供給ノズル４５の移動には、上述したようにサーボモータと送りねじ（ボールねじ）を使用しており、制御部１００がサーボモータに指令をすることで、物理ツール４０と液供給ノズル４５の位置と速度制御を行うことができる。
ここで、回転している基板Ｗの周縁部分の速度と中心部の速度は違うため、位置に応じて速度を変化させることが必要になってくる。つまり、基板Ｗを均一に処理するためには、基板中心部から周縁にかけて、物理ツール４０や液供給ノズル４５の速度が減速するように変速を行う。制御部１００が物理ツール４０と液供給ノズル４５の位置に応じてサーボモータに指令をすることで、それらの速度制御を行う。また、物理ツール４０や液供給ノズル４５は周縁から中心部にかけても移動する。この場合には、周縁から徐々に速度を上げる。
このような本発明の実施形態の構造を採用することで、基板Ｗの全面における液の被覆性が向上して、処理中に基板Ｗの表面Ｓが乾燥するのを防ぎ、ウォータマーク（水のシミ）の発生を低減できる。また、図７（Ｃ）に示すように、物理ツール４０と液供給ノズル４５による処理を停止して、ガス供給ノズル４６から窒素ガスのような不活性ガスを吐出すことにより、基板Ｗの表面Ｓが直ぐに乾燥するので、ウォータマーク（水のシミ）の発生の低減を図りつつ、基板Ｗの表面Ｓの乾燥時間を短縮することができる。
本発明の基板処理装置は、基板を回転させながら基板の表面を処理する基板処理装置であって、基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットと、基板の表面に液体を供給する液供給ノズルと、基板の表面にガスを供給するガス供給ノズルとを有するノズルユニットと、物理ツールユニットを基板の表面に沿って移動させる物理ツールユニット移動機構部と、ノズルユニットを基板の表面に沿って移動させるノズルユニット移動機構部と、を備えることを特徴とする。これにより、半導体ウェーハのような基板の全面においる液の被覆性が向上して処理中の乾燥を防いでウォータマーク（水のシミ）の発生を低減することができる。
また、本発明の基板処理装置は、物理ツールユニットと、ノズルユニットと、物理ツールユニット移動機構部と、そしてノズルユニット移動機構部と、を収容するケースを備えるノズルヘッド装置と、ノズルヘッド装置を基板の表面に対して移動させるノズルヘッド装置の移動操作部と、を備える。これにより、ノズルヘッド装置は、基板の表面に対して移動して、物理ツールユニットとノズルユニットが基板の表面の適切な位置に処理を行うことができる。
本発明の基板処理装置は、前記ノズルヘッド装置の移動操作部は、ノズルヘッド装置を、基板の回転中心軸と平行な方向に上下移動させる上下移動部と、ノズルヘッド装置を、基板上に揺動させる回転支持部と、を有することを特徴とする。これにより、ノズルヘッド装置は、基板の表面に対して上下移動し、回転することで、物理ツールユニットとノズルユニットが基板の表面の適切な位置に処理を行うことができる。
本発明の基板処理装置は、物理ツールユニット移動機構部は、モータと、モータにより回転されて物理ツールユニットを移動させる送りねじと、を有しており、ノズルユニット移動機構部は、モータと、モータにより回転されてノズルユニットを物理ユニットの移動と同期して、移動させる送りねじと、を有していることを特徴とする。これにより、物理ツールユニットとノズルユニットは、相互に反対方向沿って確実に移動でき、基板の表面に物理ユニットが処理を行う方向とは反対方向にノズルユニットが液体を供給してしかも気体を基板に供給することができる。
本発明の基板処理方法は、基板を回転させながら基板の表面を処理する基板処理方法であって、基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットを、物理ツールユニット移動機構部により基板の表面に沿って直線移動させ、基板の表面に液体を供給する液供給ノズルと基板の表面にガスを供給するガス供給ノズルとを有するノズルユニットを、ノズルユニット移動機構部により、物理ツールユニットの直線移動方向とは反対方向に基板の表面に沿って直線移動させることを特徴とする。これにより、半導体ウェーハのような基板の全面においる液被覆性が向上して処理中の乾燥を防いでウォータマーク（水のシミ）の発生を低減することができる。
また、物理ツールユニットとノズルユニットが直線移動することにより、物理ツールから供給される処理液（ミスト）とノズルユニットから供給される処理液同士が干渉しにくいので、液跳ねすることを抑えることができ、それによって、乾燥によるウォータマーク（水のシミ）の発生を低減することができる。
本発明の実施形態では、ノズルユニット移動機構部が、ノズルユニットを、物理ツールユニットの直線移動と同期して、物理ツールユニットの直線移動方向とは反対方向に沿って移動させてもよいし、特に同期させることなくノズルユニットと物理ツールユニットを別個に移動させるようにしてもよい。個別に移動を行う場合には、物理ツールの後を追いかけるようにガス供給ノズルが移動していくようにする。これにより、物理ツールの洗浄後直ぐに乾燥ガスで乾燥させることにより、ウォータマーク（水のシミ）の発生を防止することができる。
また、物理ツールユニットとノズルユニットを直線移動できるようにしたことで、処理液が基板上に滞留することがなくなり、その部分にパーティクルが付着することを防止することができる。
本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の変形例を採用することができる。
さらに、本発明の実施の形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成できる。例えば、本発明の実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施の形態に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。
１０ 基板処理装置
１１ 基板保持部
１２ ノズルヘッド装置
１３ ノズルヘッド装置の移動操作部
１８ 回転軸
１９ モータ
２０ 長い箱状のケース
２１ 物理ツールユニット
２２ 液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット
２３ 物理ツールユニットの移動機構部
２４ 液供給ノズルおよびガス供給ノズルユニット移動機構部
４１ 保持部
５０ ガイドレール
５１ モータ
５２ 送りねじ
６０ ガイドレール
６１ モータ
６２ 送りねじ
Ｗ 基板
Ｓ 基板の表面

Claims (6)

  1. 基板を回転させながら前記基板の表面を処理する基板処理装置であって、
    前記基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットと、
    前記基板の表面に液体を供給する液供給ノズルと、前記基板の表面にガスを供給するガス供給ノズルとを有するノズルユニットと、
    前記物理ツールユニットを前記基板の表面に沿って移動させる物理ツールユニット移動機構部と、
    前記ノズルユニットを前記基板の表面に沿って移動させるノズルユニット移動機構部と、
    を備えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記物理ツールユニットと、前記ノズルユニットと、前記物理ツールユニット移動機構部と、そして前記ノズルユニット移動機構部と、を収容するケースを備えるノズルヘッド装置と、
    前記ノズルヘッド装置を前記基板の表面に対して移動させるノズルヘッド装置の移動操作部と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記ノズルヘッド装置の移動操作部は、
    前記ノズルヘッド装置を、前記基板の回転中心軸と平行な方向に上下移動させる上下移動部と、
    前記ノズルヘッド装置を、前記基板上に揺動させる回転支持部と、を有することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記物理ツールユニット移動機構部は、モータと、前記モータにより回転されて前記物理ツールユニットを移動させる送りねじと、を有しており、
    前記ノズルユニット移動機構部は、モータと、前記モータにより回転されて前記ノズルユニットを前記物理ユニットの移動と同期して、移動させる送りねじと、を有していることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記ノズルユニット移動機構部は、前記ノズルユニットを、前記物理ツールユニットの直線移動方向とは反対方向に直線移動させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  6. 基板を回転させながら前記基板の表面を処理する基板処理方法であって、
    前記基板の表面を処理する物理ツールを有する物理ツールユニットを、物理ツールユニット移動機構部により前記基板の表面に沿って直線移動させ、
    前記基板の表面に液体を供給する液供給ノズルと前記基板の表面にガスを供給するガス供給ノズルとを有するノズルユニットを、ノズルユニット移動機構部により、前記物理ツールユニットの直線移動方向とは反対方向に前記基板の表面に沿って直線移動させることを特徴とする基板処理方法。
JP2009254548A 2008-11-20 2009-11-06 基板処理装置および基板処理方法 Active JP5523062B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009254548A JP5523062B2 (ja) 2008-11-20 2009-11-06 基板処理装置および基板処理方法
TW098138471A TWI415207B (zh) 2008-11-20 2009-11-12 A substrate processing apparatus and a substrate processing method
KR1020090110953A KR101068755B1 (ko) 2008-11-20 2009-11-17 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12/621,663 US9202724B2 (en) 2008-11-20 2009-11-19 Substrate treatment apparatus and substrate treatment method

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008296301 2008-11-20
JP2008296301 2008-11-20
JP2009254548A JP5523062B2 (ja) 2008-11-20 2009-11-06 基板処理装置および基板処理方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010153807A true JP2010153807A (ja) 2010-07-08
JP2010153807A5 JP2010153807A5 (ja) 2012-12-20
JP5523062B2 JP5523062B2 (ja) 2014-06-18

Family

ID=42171054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009254548A Active JP5523062B2 (ja) 2008-11-20 2009-11-06 基板処理装置および基板処理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9202724B2 (ja)
JP (1) JP5523062B2 (ja)
KR (1) KR101068755B1 (ja)
TW (1) TWI415207B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018020863A1 (ja) * 2016-07-27 2018-02-01 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2022118041A (ja) * 2011-06-23 2022-08-12 ディーエムエス ダイナミック マイクロシステムズ セミコンダクター イクイップメント ゲーエムベーハー 半導体クリーニングシステム及び半導体清浄方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5523062B2 (ja) * 2008-11-20 2014-06-18 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US9623449B2 (en) * 2012-04-09 2017-04-18 Lam Research Corporation Dielectric window cleaning apparatuses
JP6250924B2 (ja) * 2012-10-02 2017-12-20 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および研磨装置
JP6148475B2 (ja) * 2013-01-25 2017-06-14 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US9870933B2 (en) * 2013-02-08 2018-01-16 Lam Research Ag Process and apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
JP2015023138A (ja) * 2013-07-18 2015-02-02 株式会社ディスコ スピンナ洗浄装置
TWI597770B (zh) 2013-09-27 2017-09-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
CN104607430B (zh) * 2013-11-01 2016-08-17 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种胶杯自动清洗的方法
US10509321B2 (en) * 2018-01-30 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Temperature controlling apparatus and method for forming coating layer
CN111286886A (zh) * 2018-12-08 2020-06-16 泰兴市佰银服饰有限公司 一种纺织纺织布料加湿器
CN111359954A (zh) * 2020-03-12 2020-07-03 李义飞 一种用于新能源汽车铝合金轮毂智能清洗器
KR20220029906A (ko) * 2020-09-02 2022-03-10 에스케이하이닉스 주식회사 기판의 평탄화 장치 및 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05299400A (ja) * 1992-04-23 1993-11-12 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハの洗浄装置及び洗浄方法
JP2004261701A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Shibaura Mechatronics Corp ペースト塗布装置
JP2007036180A (ja) * 2005-06-23 2007-02-08 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP2007103825A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100488753B1 (ko) * 2001-07-23 2005-05-11 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 그 장치
JP4986566B2 (ja) * 2005-10-14 2012-07-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP5523062B2 (ja) * 2008-11-20 2014-06-18 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05299400A (ja) * 1992-04-23 1993-11-12 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハの洗浄装置及び洗浄方法
JP2004261701A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Shibaura Mechatronics Corp ペースト塗布装置
JP2007036180A (ja) * 2005-06-23 2007-02-08 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP2007103825A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022118041A (ja) * 2011-06-23 2022-08-12 ディーエムエス ダイナミック マイクロシステムズ セミコンダクター イクイップメント ゲーエムベーハー 半導体クリーニングシステム及び半導体清浄方法
WO2018020863A1 (ja) * 2016-07-27 2018-02-01 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JPWO2018020863A1 (ja) * 2016-07-27 2019-05-30 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
TWI415207B (zh) 2013-11-11
JP5523062B2 (ja) 2014-06-18
US9202724B2 (en) 2015-12-01
US20100122772A1 (en) 2010-05-20
KR101068755B1 (ko) 2011-09-28
TW201023287A (en) 2010-06-16
KR20100056975A (ko) 2010-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5523062B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5284004B2 (ja) 基板の処理装置
CN108687079B (zh) 洗涤装置
JP4040063B2 (ja) 基板洗浄方法、基板洗浄装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US20100200163A1 (en) Apparatus and method for wet treatment of disc-like articles
JP2007157930A (ja) ウェーハ洗浄装置
JP2007081311A (ja) 枚葉型ウェハ洗浄装置及び半導体装置の製造方法
JP2006093497A (ja) 基板洗浄装置
US11626297B2 (en) Apparatus and method for wet process on semiconductor substrate
JP4429231B2 (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP2002151455A (ja) 半導体ウエハ用洗浄装置
JP2018171609A (ja) 洗浄装置
JP2008016781A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2004152849A (ja) 液処理装置及び液処理方法
JP6016330B2 (ja) 基板処理装置
JP5224876B2 (ja) 基板の処理装置
WO2019150683A1 (ja) 基板洗浄装置、基板処理装置、超音波洗浄液供給装置および記録媒体
JP2010056312A (ja) ダイシング装置及びワーク洗浄乾燥方法
JP2017216416A (ja) 洗浄装置
JP2006294856A (ja) 半導体ウエハ洗浄用ノズル装置
JP7282101B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP2008103423A (ja) 基板洗浄装置及びこれを用いた基板洗浄方法
JP4649917B2 (ja) ダイシング装置
JP2009200331A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2006302974A (ja) 半導体ウエハ枚葉洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121106

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121106

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130829

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130903

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131105

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140401

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140408

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5523062

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150