KR102637959B1 - 반도체 기판의 습식 처리를 위한 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 기판의 습식 처리를 위한 장치 및 방법이 제공된다. 장치는 처리 챔버(1005), 처리 챔버 내에 배치된 반도체 기판(1001)을 보유지지하고 위치시키는 척(1002), 척을 구동하는 회전 구동 기구(1004), 처리 챔버를 둘러싸도록 배치된 챔버 슈라우드(1006), 챔버 슈라우드를 구동하여 상하로 이동시키는 적어도 하나의 수직 구동 기구, 차폐 커버(1007), 차폐 커버를 구동하여 덮어내리거나 들어올리는 적어도 하나의 구동 장치(1008), 액체를 반도체 기판의 표면에 분사하는 디스펜서(1030)를 갖춘 적어도 하나의 디스펜서 모듈(1014)을 포함한다. 차폐 커버가 처리 챔버 위를 덮어씌울 때, 챔버 슈라우드가 상승하여 차폐 커버와 결합함으로써, 액체가 처리 챔버의 밖으로 비산하는 것을 방지하도록 처리 챔버를 밀봉한다.

Description

반도체 기판의 습식 처리를 위한 장치 및 방법
본 발명은, 고압의 액체를 반도체 기판에 분사하는 고압 디스펜서 모듈(dispenser module)을 사용하는 반도체 기판의 습식 처리를 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정 중에, 화학 물질 또는 탈이온수와 같은 고압의 액체는 세정, 에칭, 포토 레지스트 박리(photo-resist stripping), 금속 리프트 오프(lift-off) 등과 같은 습식 처리를 위해 반도체 기판에 방출된다. 고압의 액체는 80-3000psi만큼의 압력으로 반도체 기판에 분사될 때 종종 심각한 비산 및 미스트를 생성한다. 비산된 화학 물질 또는 탈이온수는, 반도체 기판이 처리되는 챔버 근처에 있는 부품에 부식, 오염, 기능의 손상을 줄 수 있다. 또한, 비산된 화학 물질 또는 탈이온수는, 반도체 기판을 처리하는 데에 사용되는 다음의 습식 단계 및 건조 단계에 영향을 끼치게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은, 고압의 액체가 반도체 기판에 균일하게 분사될 때 고압의 액체가 처리 챔버의 밖으로 비산되는 것을 방지하는 장치 및 방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 반도체 기판의 습식 처리를 위한 장치는, 처리 챔버, 상기 처리 챔버 내에 배치된 반도체 기판을 보유지지하고 위치시키는 척, 상기 척을 구동하여 회전시키는 회전 구동 기구, 상기 처리 챔버를 둘러싸도록 배치된 챔버 슈라우드(chamber shroud), 상기 챔버 슈라우드를 구동하여 상하로 이동시키는 적어도 하나의 수직 구동 기구, 차폐 커버, 상기 차폐 커버를 구동하여 덮어내리거나 들어올리는 적어도 하나의 구동 장치, 상기 차폐 커버에 장착되고 고압의 액체를 상기 반도체 기판의 표면에 분사하는 고압 디스펜서를 갖춘 적어도 하나의 고압 디스펜서 모듈을 포함한다. 상기 차폐 커버가 상기 처리 챔버를 덮어씌울 때, 상기 챔버 슈라우드는 상승하여 상기 차폐 커버와 결합함으로써, 고압의 액체가 상기 처리 챔버의 밖으로 비산하는 것을 방지하도록 상기 처리 챔버를 밀봉한다.
본 발명의 일 실시예에서, 반도체 기판의 습식 처리를 위한 방법은,
챔버 슈라우드를 하강시키고, 반도체 기판을 척에 로딩(loading)하며, 상기 챔버 슈라우드를 상승시키고, 상기 반도체 기판을 회전시키는 단계;
스윙 노즐(swing nozzle)을 처리 챔버 내로 회전시켜, 세정용 화학 물질 또는 탈이온수를 상기 반도체 기판의 표면으로 방출(deliver)하는 단계;
세정용 화학 물질 또는 탈이온수를 상기 반도체 기판의 표면으로 방출하는 것을 중지하고, 상기 스윙 노즐을 상기 처리 챔버의 밖으로 회전시키며, 그 후에 상기 챔버 슈라우드를 하강시키는 단계;
상기 처리 챔버를 덮어씌우도록 차폐 커버를 구동하는 단계;
상기 처리 챔버를 밀봉하도록, 상기 챔버 슈라우드를 상승시켜 상기 차폐 커버와 결합시키고, 그 후에 고압의 화학 물질 또는 탈이온수를 상기 반도체 기판의 표면으로 방출하는 단계;
고압의 화학 물질 또는 탈이온수를 상기 반도체 기판의 표면으로 방출하는 것을 중지하고, 그 후에 상기 챔버 슈라우드를 하강시키는 단계;
상기 차폐 커버를 구동하여 들어올리는 단계;
상기 챔버 슈라우드를 상승시키고, 그 후에 상기 스윙 노즐을 상기 처리 챔버 내로 회전시켜, 세정용 화학 물질 또는 탈이온수를 상기 반도체 기판의 표면으로 방출하는 단계;
상기 반도체 기판을 건조시키는 단계;
상기 스윙 노즐을 상기 처리 챔버의 밖으로 회전시키며, 상기 반도체 기판을 회전시키는 것을 중지하고, 상기 챔버 슈라우드를 하강시키며, 그 후에 상기 반도체 기판을 상기 척으로부터 언로딩(unloading)하는 단계를 포함한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 기판의 습식 처리를 위한 예시적인 장치를 도시한 측면도로서, 장치의 차폐 커버가 처리 챔버를 밀봉하도록 덮어내려진다.
도 2는 도 1에 도시된 장치의 평면도이다.
도 3은 차폐 커버가 들어올려진 것을 도시한 측면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 장치의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 장치의 고압 디스펜서 모듈을 도시한 측면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 장치의 고압 디스펜서 모듈을 도시한 측면도이다.
도 7a 내지 도 7h는 예시적인 장치를 사용하여 반도체 기판을 습식 처리하는 공정 순서를 도시한 측면도들이다.
본 발명은 반도체 기판의 습식 처리를 위한 예시적인 장치를 제공하는바, 이는 챔버 슈라우드와 결합된 차폐 커버를 이용하여 처리 챔버를 밀봉함으로써, 고압의 액체가 고압 디스펜서 모듈을 통해 반도체 기판에 균일하게 분사될 때, 고압의 액체가 처리 챔버의 밖으로 비산되는 것을 방지한다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 반도체 기판의 습식 처리를 위한 예시적인 장치는 처리 챔버(1005)와, 처리 챔버(1005)를 둘러싸도록 배치된 챔버 슈라우드(1006)를 포함한다. 챔버 슈라우드(1006)는, 챔버 슈라우드(1006)를 구동하여 상하로 이동시키는 적어도 하나의 수직 구동 기구에 연결된다. 반도체 기판(1001)을 보유지지하고 위치시키는 척(1002)이 처리 챔버(1005) 내에 배치된다. 척(1002)은 회전하는 스핀들(1003)을 통해 회전 구동 기구(1004)에 연결된다. 회전 구동 기구(1004)는 척(1002)을 구동하여 회전시킨다. 장치는 차폐 커버(1007)를 더 포함한다. 적어도 하나의 고압 디스펜서 모듈(1014)이 차폐 커버(1007)에 장착된다. 모든 고압 디스펜서 모듈(1014)은, 반도체 기판(1001)의 표면에 10-5000psi의 압력으로 고압 액체의 화학 물질 또는 탈이온수 중 하나의 유형을 분사하는 고압 디스펜서(1030)를 갖춘다. 고압 디스펜서 모듈(1014)은 고압 디스펜서(1030)의 스캐닝 작동을 제어하는 선형 액츄에이터(1013)를 갖추어, 척(1002)을 구동하여 20-3000rpm의 속도로 회전시키면서 고압 액체의 화학 물질 또는 탈이온수가 반도체 기판(1001)의 중심에서 에지(edge)까지 균일하게 반도체 기판(1001)의 표면에 분사될 수 있다.
차폐 커버(1007)는 적어도 하나의 구동 장치에 의해 덮어내리거나 들어올리도록 구동된다. 일 실시예에서, 차폐 커버(1007)는 비임(beam; 1024)에 고정된다. 비임(1024)의 양단부는 2개의 아암(1012a, 1012b)과 연결된다. 2개의 아암(1012a, 1012b)은, 차폐 커버(1007)를 구동하여 덮어내리거나 들어올리도록 한 쌍의 구동 장치(1008a, 1008b)에 의해 작동된다. 차폐 커버(1007)가 들어올려질 때 액체의 배출을 위해 적어도 하나의 배출홀(1016)이 차폐 커버(1007)에 배치된다. 배출홀(1016)은 차폐 커버(1007)가 들어올려질 때 차폐 커버(1007)의 저부에 있게 된다. 이렇게 하여, 차폐 커버(1007)의 상부에서 비산된 액체는 중력에 의해 배출홀(1016)을 향해 아래로 흘러내리게 될 것이다. 배출 트레이(1017)는 배출홀(1016)로부터 나온 액체가 하류로 내려가도록 안내하는 데에 사용되어, 액체는 차폐 커버(1007)로부터 배출된다. 차폐 커버(1007)에는, 차폐 커버(1007)를 청소하기 위해 배출홀(1016)과 마주하는 적어도 하나의 청소 노즐(1036)이 배치된다. 일 실시예에서는, 차폐 커버(1007)를 청소하기 위해 차폐 커버(1007)에 배치된 3개의 청소 노즐(1036a, 1036b, 1036c)이 있다. 차폐 커버(1007)가 들어올려질 때 적어도 하나의 청소 노즐(1036a, 1036b, 1036c)은 차폐 커버(1007)의 상부에 있게 되며, 차폐 커버(1007)의 내부면에 세정용 화학 물질 또는 탈이온수를 방출하여, 차폐 커버(1007)를 청소한다. 세정용 화학 물질 또는 탈이온수는 차폐 커버(1007)의 내부면을 따라 흘러내리고 중력에 의해 배출홀(1016)을 통해 배출된다. 청소 노즐(1036a, 1036b, 1036c)은 비스듬히 장착되어, 세정용 화학 물질 또는 탈이온수가 챔버 슈라우드(1006)의 내부로 분사되는 것이 방지된다. 차폐 커버(1007)의 상부 영역은 액체를 처리 챔버(1005) 쪽 아래로 안내하기 위해 경사지게 또는 호(arc) 형상으로 형성된다. 청소 노즐(1036a, 1036b, 1036c)의 방출 기간은 프로그래밍이 가능하다. 차폐 커버(1007)의 청소 트리거링(triggering) 조건은 반도체 기판(1001)의 개수 또는 시간의 누적을 처리하는 것에 기초하여 프로그래밍이 가능하다.
처리 챔버(1005)의 옆에는, 반도체 기판(1001)의 표면에 액체의 화학 물질 또는 탈이온수, 또는 건조 가스를 방출하는 적어도 하나의 스윙 노즐(1018)이 배치된다. 회전 액츄에이터(1020)는 스윙 노즐(1018)을 구동하여 스윙시켜, 스윙 노즐(1018)이 처리 챔버(1005) 내에서 스윙하고 반도체 기판(1001)의 전체 표면을 가로질러 스캔할 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 세정, 에칭, 포토 레지스트 박리, 금속 리프트 오프 등과 같은 반도체 기판(1001)의 습식 처리를 위한 장치를 사용할 때, 반도체 기판(1001)을 척(1002) 위에 놓는다. 회전 구동 기구(1004)는 척(1002)을 구동하여 20-3000rpm의 속도로 회전시킨다. 차폐 커버(1007)는 구동 장치(1008a, 1008b)에 의해 구동되어 처리 챔버(1005)를 덮어씌운다. 그 후에, 챔버 슈라우드(1006)가 구동되어 상승한다. 차폐 커버(1007)와 챔버 슈라우드(1006)의 결합은 처리 챔버(1005)를 밀봉하여, 반도체 기판(1001)의 표면에 분사된 고압의 화학 물질 또는 탈이온수가 처리 챔버(1005)의 밖으로 비산하는 것을 방지한다. 고압의 화학 물질 또는 탈이온수는 고압 디스펜서 모듈(1014)의 고압 디스펜서(1030)를 통해 10-5000psi의 압력으로 반도체 기판(1001)의 표면에 분사된다. 반도체 기판(1001)의 고압의 처리가 종료된 후, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 챔버 슈라우드(1006)는 구동되어 하강한다. 그 후에, 차폐 커버(1007)는 구동 장치(1008a, 1008b)에 의해 구동되어 들어올려진다. 차폐 커버(1007)는 처리 챔버(1005)의 옆에 놓이게 된다. 이어서, 챔버 슈라우드(1006)가 구동되어 상승하고, 그 후에 반도체 기판(1001)의 표면에 액체의 화학 물질 또는 탈이온수, 또는 건조 가스를 방출하도록, 회전 액츄에이터(1020)는 스윙 노즐(1018)을 구동하여 처리 챔버(1005) 내로 이동시킨다. 차폐 커버(1007)가 처리 챔버(1005)를 덮어씌우거나 처리 챔버(1005)의 개구부 옆으로 들어올려지도록 구동될 때 챔버 슈라우드(1006)는 하강 위치에 있어, 차폐 커버(1007)가 용이하게 이동할 수 있는 공간이 충분하게 된다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 고압 디스펜서 모듈이 도시되어 있다. 고압 디스펜서 모듈(3014)은 차폐 커버(3007)에 장착된다. 고압 디스펜서 모듈(3014)은 고압 디스펜서(3030)를 갖춘다. 고압 디스펜서(3030)는, 스윙 아암(3032)의 단부에 고정된 용기(3031)에 장착된다. 고압 디스펜서 모듈(3014)은 고압 디스펜서(3030)의 스캐닝 작동을 제어하는 선형 액츄에이터(3013)를 가진다. 구체적으로, 선형 액츄에이터(3013)는 스윙 아암(3032)을 구동하여 샤프트(3033)를 중심으로 θ1에서 θ2까지 회전시킨다. 도 5에 도시된 바와 같이, 선형 액츄에이터(3013)가 스윙 아암(3032)을 구동하여 θ1로 회전시키면, 고압 디스펜서(3030)로부터 방출된 액체가 반도체 기판(3001)의 중심으로 분사된다. 선형 액츄에이터(3013)가 스윙 아암(3032)을 구동하여 θ2로 회전시키면, 고압 디스펜서(3030)로부터 방출된 액체가 반도체 기판(3001)의 에지로 분사된다. 이렇게 하여, 회전 구동 기구(3004)가 척(3002)을 구동하여 회전시키면서 스윙 아암(3032)이 θ1에서 θ2로 회전하는 동안 고압의 액체가 반도체 기판(3001)의 중심에서 에지까지 균일하게 반도체 기판(3001)의 표면에 분사된다. 고압 디스펜서(3030)와 반도체 기판(3001)의 표면 사이의 거리 "d"는 스윙 아암(3032)의 길이를 조절함으로써 조절될 수 있다. 고압 디스펜서(3030)는 신속한 연결 방법에 의해 용기(3031)에 장착되고, 고압 디스펜서(3030)는 원하는 유형의 고압 디스펜서로 쉽게 교체된다. 상이한 유형의 고압 디스펜서(3030)를 사용하여, 고압 디스펜서(3030)로부터 분사된 액체는 원추 형상, 기둥 형상 또는 부채꼴로 선택될 수 있다. 라인(3034)은 고압 디스펜서(3030)에 연결되어, 고압의 화학 물질 또는 탈이온수를 고압 디스펜서(3030)로 공급한다. 압력계(3039)가 라인(3034) 상에 배치되어 10 내지 5000psi에서 압력을 제어한다. 유량계(3043)가 라인(3034) 상에 배치되어 유량을 제어한다. 온/오프 밸브(on/off valve; 3038)가 라인(3034) 상에 배치되어 라인(3034)으로부터 고압의 액체를 공급하는 것을 제어한다. 차폐 커버(3007)의 내부면을 청소하기 위해 청소 노즐(3036)에 세정용 화학 물질 또는 탈이온수를 공급하는 다른 라인(3040)이 청소 노즐(3036)에 연결되어 있다. 다른 유량계(3044)가 라인(3040) 상에 배치되어 유량을 제어한다. 다른 온/오프 밸브(3041)가 라인(3040) 상에 배치되어 라인(3040)으로부터 세정용 화학 물질 또는 탈이온수를 공급하는 것을 제어한다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 고압 디스펜서 모듈이 도시되어 있다. 고압 디스펜서 모듈(5014)은 차폐 커버(5007)에 장착된다. 고압 디스펜서 모듈(5014)은 고압 디스펜서(5030)를 갖춘다. 고압 디스펜서(5030)는, 로드(rod; 5034)의 단부에 고정된 용기(5031)에 장착된다. 고압 디스펜서 모듈(5014)은 고압 디스펜서(5030)의 스캐닝 작동을 제어하는 선형 액츄에이터(5013)를 가진다. 구체적으로, 선형 액츄에이터(5013)는 로드(5034)를 구동하여 샤프트(5033)를 따라 L1에서 L2까지 이동시킨다. 선형 액츄에이터(5013)가 로드(5034)를 구동하여 L1로 이동시키면, 고압 디스펜서(5030)로부터 방출된 액체가 반도체 기판(5001)의 중심으로 분사된다. 선형 액츄에이터(5013)가 로드(5034)를 구동하여 L2로 이동시키면, 고압 디스펜서(5030)로부터 방출된 액체가 반도체 기판(5001)의 에지로 분사된다. 이렇게 하여, 회전 구동 기구(5004)가 척(5002)을 구동하여 회전시키면서 로드(5034)가 L1에서 L2로 이동하는 동안 고압의 액체가 반도체 기판(5001)의 중심에서 에지까지 균일하게 반도체 기판(5001)의 표면에 분사될 수 있다. 고압 디스펜서(5030)와 반도체 기판(5001)의 표면 사이의 거리 "d"는 로드(5034)의 길이를 조절함으로써 조절될 수 있다. 고압 디스펜서(5030)는 신속한 연결 방법에 의해 용기(5031)에 장착되고, 고압 디스펜서(5030)는 원하는 유형의 고압 디스펜서로 쉽게 교체된다. 상이한 유형의 고압 디스펜서(5030)를 사용하여, 고압 디스펜서(5030)로부터 분사된 액체는 원추 형상, 기둥 형상 또는 부채꼴로 선택될 수 있다. 라인(5034)은 고압 디스펜서(5030)에 연결되어, 고압의 화학 물질 또는 탈이온수를 고압 디스펜서(5030)로 공급한다. 압력계(5039)가 라인(5034) 상에 배치되어 10 내지 5000psi에서 압력을 제어한다. 유량계(5043)가 라인(5034) 상에 배치되어 유량을 제어한다. 온/오프 밸브(5038)가 라인(5034) 상에 배치되어 라인(5034)으로부터 고압의 액체를 공급하는 것을 제어한다. 차폐 커버(5007)의 내부면을 청소하기 위해 청소 노즐(5036)에 세정용 화학 물질 또는 탈이온수를 공급하는 다른 라인(5040)이 청소 노즐(5036)에 연결되어 있다. 다른 유량계(5044)가 라인(5040) 상에 배치되어 유량을 제어한다. 다른 온/오프 밸브(5041)가 라인(5040) 상에 배치되어 라인(5040)으로부터 세정용 화학 물질 또는 탈이온수를 공급하는 것을 제어한다.
따라서, 본 발명은 반도체 기판의 습식 처리를 위한 방법을 제공하는바, 이는 챔버 슈라우드와 결합된 차폐 커버를 이용하여 처리 챔버를 밀봉함으로써, 고압의 액체가 고압 디스펜서 모듈을 통해 반도체 기판에 균일하게 분사될 때, 고압의 액체가 처리 챔버의 밖으로 비산되는 것을 방지한다.
도 7a 내지 도 7h를 참조하면, 공정 순서가 도시된다.
단계 1: 챔버 슈라우드(7006)를 하강시키고, 반도체 기판(7001)을 척(7002) 위에 로딩하며, 챔버 슈라우드(7006)를 상승시키고, 10rpm 내지 3000rpm의 속도로 반도체 기판(7001)을 회전시키며;
단계 2: 도 7a에 도시된 바와 같이, 스윙 노즐(7018)을 처리 챔버(7005) 내로 회전시켜, 세정용 화학 물질 또는 탈이온수를 반도체 기판(7001)의 표면으로 방출하고;
단계 3: 도 7b에 도시된 바와 같이, 세정용 화학 물질 또는 탈이온수를 반도체 기판(7001)의 표면으로 방출하는 것을 중지하고, 스윙 노즐(7018)을 처리 챔버(7005)의 밖으로 회전시키며, 그 후에 챔버 슈라우드(7006)를 하강시키고;
단계 4: 도 7c에 도시된 바와 같이, 차폐 커버(7007)를 구동하여 처리 챔버(7005)를 덮어씌우며;
단계 5: 도 7d에 도시된 바와 같이, 챔버 슈라우드(7006)를 상승시켜 차폐 커버(7007)와 결합시키고, 차폐 커버(7007)와 챔버 슈라우드(7006)의 결합으로 처리 챔버(7005)를 밀봉하며, 그 후에 고압의 화학 물질 또는 탈이온수를 고압 디스펜서(7030)로부터 반도체 기판(7001)의 표면으로 방출하고;
단계 6: 도 7e에 도시된 바와 같이, 고압의 화학 물질 또는 탈이온수를 반도체 기판(7001)의 표면으로 방출하는 것을 중지하고, 그 후에 챔버 슈라우드(7006)를 하강시키며;
단계 7: 도 7f에 도시된 바와 같이, 차폐 커버(7007)를 구동하여 들어올리고;
단계 8: 도 7g에 도시된 바와 같이, 챔버 슈라우드(7006)를 상승시키고, 그 후에 스윙 노즐(7018)을 처리 챔버(7005) 내로 회전시켜, 세정용 화학 물질 또는 탈이온수를 반도체 기판(7001)의 표면으로 방출하며;
단계 9: 반도체 기판(7001)을 건조시키고;
단계 10: 스윙 노즐(7018)을 처리 챔버(7005)의 밖으로 회전시키며, 반도체 기판(7001)의 회전을 멈추고, 챔버 슈라우드(7006)를 하강시키고, 그 후에 반도체 기판(7001)을 척(7002)으로부터 언로딩한다.
단계 5에서, 고압의 화학 물질 또는 탈이온수를 반도체 기판(7001)의 표면으로 균일하게 분사하기 위해, 고압 디스펜서(7030)가 구동되어 반도체 기판(7001)의 중심과 에지 사이를 스캔한다. 고압의 화학 물질 또는 탈이온수의 압력은 10psi 내지 5000psi의 범위 내에서 제어되고, 고압의 화학 물질 또는 탈이온수의 유량은 10ml 내지 4000ml 범위 내에서 제어된다.
처리 챔버(7005)가 사용되지 않고 차폐 커버(7007)가 들어올려질 때, 청소 노즐은 차폐 커버(7007)를 청소하도록 차폐 커버(7007)의 내부면으로 세정용 화학 물질 또는 탈이온수를 방출한다. 청소 노즐의 방출 기간은 프로그래밍이 가능하다. 청소 트리거링 조건은 반도체 기판의 개수 또는 시간의 누적을 처리하는 것에 기초하여 프로그래밍이 가능하다.
본 발명의 전술한 설명은 예시 및 설명의 목적으로 제공되었다. 이는 본 발명을 개시된 정확한 형태로 한정하거나 망라하려는 것은 아니며, 상기 교시의 견지에서 명백히 많은 수정 및 변형이 가능하다. 당업자에게 명백하게 될 수 있는 이러한 수정 및 변형은 첨부된 청구범위에 의해 정의된 본 발명의 범위 내에 포함되는 것으로 의도된다.

Claims (25)

  1. 처리 챔버;
    상기 처리 챔버 내에 배치된 반도체 기판을 보유하는 척;
    상기 척을 구동하여 회전시키는 회전 구동 기구;
    상기 처리 챔버를 둘러싸도록 배치된 챔버 슈라우드;
    상기 챔버 슈라우드를 구동하여 상하로 이동시키는 적어도 하나의 수직 구동 기구;
    차폐 커버;
    상기 차폐 커버를 구동하여 덮어내리거나 들어올리는 적어도 하나의 구동 장치;
    상기 반도체 기판의 표면에 액체를 분사하는 디스펜서를 갖춘 적어도 하나의 디스펜서 모듈
    을 포함하고,
    상기 차폐 커버가 상기 처리 챔버를 덮어씌울 때, 상기 챔버 슈라우드는 상승하여 상기 차폐 커버와 결합함으로써, 액체가 상기 처리 챔버의 밖으로 비산하는 것을 방지하도록 상기 처리 챔버를 밀봉하고,
    상기 차폐 커버가 수평 상태에 있을 때 상기 차폐 커버의 측벽에 적어도 하나의 배출홀이 배치되고,
    상기 차폐 커버는, 상기 수평 상태로부터, 상기 배출홀을 통해 상기 차폐 커버 외부로 액체를 배출할 수 있도록 상기 배출홀이 상기 차폐 커버의 저부에 있는 수직 상태로 들어올려져서 배향되도록 구성되는, 반도체 기판의 습식 처리를 위한 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 디스펜서 모듈은 상기 디스펜서의 스캐닝 작동을 제어하는 선형 액츄에이터를 갖춘, 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 차폐 커버는 비임에 고정되고, 상기 비임의 양단부는 2개의 아암과 연결되며, 상기 2개의 아암은, 상기 차폐 커버를 구동하여 덮어내리거나 들어올리도록 한 쌍의 구동 장치에 의해 작동되는, 장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 배출홀로부터 나온 액체가 하류로 내려가도록 안내하는 데에 사용되는 배출 트레이를 더 포함하는, 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 차폐 커버를 청소하기 위해 상기 차폐 커버의 내부면으로 세정액을 방출하도록 적어도 하나의 청소 노즐이 상기 차폐 커버에 배치된, 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 청소 노즐은 비스듬히 장착되어, 상기 세정액이 상기 챔버 슈라우드의 내부로 분사되는 것을 방지하는, 장치.
  8. 제6항에 있어서, 방출 기간 및 청소 트리거링 조건은 프로그래밍이 가능한, 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 차폐 커버의 상부 영역은 경사지게 또는 호 형상으로 형성된, 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판의 표면에 화학 물질 또는 탈이온수, 또는 건조 가스를 방출하기 위해, 상기 처리 챔버의 옆에 배치된 적어도 하나의 스윙 노즐을 더 포함하는, 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 스윙 노즐을 구동하여 회전시키는 회전 액츄에이터를 더 포함하는, 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 차폐 커버가 덮어내리거나 들어올려지도록 구동될 때 상기 챔버 슈라우드는 하강 위치에 있는, 장치.
  13. 제2항에 있어서, 상기 디스펜서는, 스윙 아암의 단부에 고정된 용기에 장착되고, 상기 선형 액츄에이터는 상기 스윙 아암을 구동하여 샤프트를 중심으로 θ1에서 θ2까지 회전시키며, 상기 회전 구동 기구가 상기 척을 구동하여 회전시키면서 상기 스윙 아암이 θ1에서 θ2로 회전하는 동안 액체가 반도체 기판의 중심에서 에지까지 균일하게 반도체 기판의 표면에 분사되는, 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 디스펜서와 상기 반도체 기판의 표면 사이의 거리 "d"는 상기 스윙 아암의 길이를 조절함으로써 조절되는, 장치.
  15. 제2항에 있어서, 상기 디스펜서는, 로드의 단부에 고정된 용기에 장착되고, 상기 선형 액츄에이터는 상기 로드를 구동하여 샤프트를 따라 L1에서 L2까지 이동시키며, 상기 회전 구동 기구가 상기 척을 구동하여 회전시키면서 상기 로드가 L1에서 L2로 이동하는 동안 액체가 반도체 기판의 중심에서 에지까지 균일하게 반도체 기판의 표면에 분사되는, 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 디스펜서와 상기 반도체 기판의 표면 사이의 거리 "d"는 상기 로드의 길이를 조절함으로써 조절되는, 장치.
  17. 제1항에 있어서, 상기 디스펜서에 의해 상기 반도체 기판의 표면에 분사되는 액체의 압력은 10psi 내지 5000psi의 범위 내에서 제어되는, 장치.
  18. 챔버 슈라우드를 하강시키는 단계;
    차폐 커버를 구동하여 처리 챔버를 덮어씌우는 단계로서, 상기 차폐 커버가 수평 상태에 있을 때 상기 차폐 커버의 측벽에 적어도 하나의 배출홀이 배치되는, 상기 덮어씌우는 단계;
    상기 처리 챔버를 밀봉하도록, 상기 챔버 슈라우드를 상승시켜 상기 차폐 커버와 결합시키고, 그 후에 디스펜서로부터 반도체 기판의 표면으로 액체의 화학 물질 또는 탈이온수를 방출하는 단계;
    상기 반도체 기판의 표면으로 액체의 화학 물질 또는 탈이온수를 방출하는 것을 중지하고, 그 후에 상기 챔버 슈라우드를 하강시키는 단계;
    상기 차폐 커버를 구동하여 들어올리는 단계
    를 포함하고,
    상기 차폐 커버는, 상기 수평 상태로부터, 상기 배출홀을 통해 상기 차폐 커버 외부로 액체를 배출할 수 있도록 상기 배출홀이 상기 차폐 커버의 저부에 있는 수직 상태로 들어올려져서 배향되도록 구성되는, 반도체 기판의 습식 처리를 위한 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 반도체 기판의 표면으로 액체의 화학물질 또는 탈이온수를 균일하게 분사하기 위해, 상기 디스펜서를 구동하여 상기 반도체 기판의 중심과 에지 사이를 스캔하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  20. 제18항에 있어서, 액체의 화학물질 또는 탈이온수의 압력은 10psi 내지 5000psi의 범위 내에서 제어되는, 방법.
  21. 제18항에 있어서, 액체의 화학물질 또는 탈이온수의 유량은 10ml 내지 4000ml의 범위 내에서 제어되는, 방법.
  22. 제18항에 있어서, 상기 처리 챔버가 사용되지 않고 상기 차폐 커버가 들어올려질 때, 상기 차폐 커버를 청소하도록 상기 차폐 커버의 내부면으로 세정용 화학 물질 또는 탈이온수를 방출하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  23. 제22항에 있어서, 방출 기간 및 청소 트리거링 조건은 프로그래밍이 가능한, 방법.
  24. 제18항에 있어서, 상기 챔버 슈라우드를 하강시키는 단계 이전에, 상기 방법은,
    상기 반도체 기판을 척에 로딩하며, 상기 챔버 슈라우드를 상승시키고, 상기 반도체 기판을 회전시키는 단계;
    스윙 노즐을 상기 처리 챔버 내로 회전시켜, 세정용 화학 물질 또는 탈이온수를 상기 반도체 기판의 표면으로 방출하는 단계;
    상기 반도체 기판의 표면으로 세정용 화학 물질 또는 탈이온수를 방출하는 것을 중지하고, 상기 스윙 노즐을 상기 처리 챔버의 밖으로 회전시키는 단계
    를 더 포함하는, 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 차폐 커버를 구동하여 들어올리는 단계 이후에, 상기 방법은,
    상기 챔버 슈라우드를 상승시키고, 그 후에 상기 스윙 노즐을 상기 처리 챔버 내로 회전시켜, 세정용 화학 물질 또는 탈이온수를 상기 반도체 기판의 표면으로 방출하는 단계;
    상기 반도체 기판을 건조시키는 단계;
    상기 스윙 노즐을 상기 처리 챔버의 밖으로 회전시키며, 상기 반도체 기판을 회전시키는 것을 중지하고, 상기 챔버 슈라우드를 하강시키며, 그 후에 상기 반도체 기판을 상기 척으로부터 언로딩하는 단계
    를 더 포함하는, 방법.
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