KR101656981B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101656981B1
KR101656981B1 KR1020150005948A KR20150005948A KR101656981B1 KR 101656981 B1 KR101656981 B1 KR 101656981B1 KR 1020150005948 A KR1020150005948 A KR 1020150005948A KR 20150005948 A KR20150005948 A KR 20150005948A KR 101656981 B1 KR101656981 B1 KR 101656981B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
droplet
substrate
treatment liquid
liquid
processing
Prior art date
Application number
KR1020150005948A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150085477A (ko
Inventor
겐지 고바야시
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20150085477A publication Critical patent/KR20150085477A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101656981B1 publication Critical patent/KR101656981B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02203—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being porous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02334—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment in-situ cleaning after layer formation, e.g. removing process residues
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration

Abstract

표층에 다공성막이 형성되어 있는 기판을, 손상을 억제하면서, 충분히 세정할 수 있는 기술을 제공한다. 다공성 구조를 갖는 다공성막(90)이 표층에 형성되어 있는 기판(9)을 처리하는 기판 처리 방법은, 다음의 a) 공정 및 b) 공정을 구비한다. a) 공정은, 물을 함유하는 제1 처리액과 기체를 혼합하여 제1 처리액의 액적을 생성하고, 제1 처리액의 액적을, 다공성막(90)을 향해서 분사하는 공정이다. 또한, b) 공정은, a) 공정의 후에, 제1 처리액보다도 휘발성이 높은 유기 용제인 제2 처리액과 기체를 혼합하여 제2 처리액의 액적을 생성하고, 제2 처리액의 액적을, 다공성막(90)을 향해서 분사하는 공정이다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 다공성 구조를 갖는 막(다공성막)이 표층에 형성되어 있는 기판을 처리하는 기술에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등이 포함된다.
반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼나 액정 표시 장치용 유리 기판 등의 기판으로부터 이물을 제거하는 세정 처리가 행해진다. 세정 처리에 관하여, 예를 들면, 특허 문헌 1, 2에는, 소위, 2 유체 노즐을 이용하여, 순수와 가스를 혼합하여 순수의 액적을 생성하고, 이 순수의 액적을 기판을 향해서 분사하며, 순수의 액적이 기판에 충돌할 때의 운동 에너지에 의해서, 기판에 부착되어 있는 이물을 물리적으로 제거하는 기술이 개시되어 있다.
그런데, 최근, 층간 절연막의 저유전율화의 요구에 응하도록 하기 위해, 고밀도막으로는 달성하는 것이 어려운, 비유전률이 2.5 이하인 막(이른바, Ultra Low-k막；ULK막)을, 다공성 구조(다공 구조)를 갖는 다공성막(다공막)에 의해 달성하는 기술이 실용화되어 있다.
특허 문헌 3에 기재되어 있는 바와 같이, 이러한 다공성막은 물을 싫어하여(물에 의해서, 유전율에 변화가 생긴다), 다공성막에 대해서는 순수에 의한 세정은 바람직하지 않다. 여기서, 예를 들면 특허 문헌 3에서는, 순수를 이용하지 않고, IPA(이소프로필알코올)를 이용하여, 다공성막을 갖는 기판을 세정하는 것이 제안되어 있다.
일본국 특허공개 2009－21617호 공보 일본국 특허공개 2011－77153호 공보 일본국 특허공개 2003－275696호 공보
그런데, 액적의 생성 조건(처리액의 유량 및 가스의 유량)을 동일하게 하여, 처리액으로서 IPA를 이용하여 IPA의 액적으로 기판을 세정하는 경우와, 처리액으로서 순수를 이용하여 순수의 액적으로 기판을 세정하는 경우를 비교하면, 전자의 쪽이 후자보다도 낮은 이물 제거 효과밖에 얻을 수 없는 것이 판명되어 있다. 따라서, 순수를 이용하지 않고, IPA의 액적만으로, 표층에 다공성막이 형성되어 있는 기판을 세정하는 경우, 기판의 손상은 억제되지만, 상당 시간 IPA의 액적의 분출을 계속하지 않으면 기판으로부터 이물을 충분히 제거할 수 없다고 하는 난점이 있다. 이 양태에서는, 처리 시간이 길어져, IPA의 소비량의 증대도 피할 수 없다. 이 때문에, 표층에 다공성막이 형성되어 있는 기판을 충분히 세정할 수 있는 별도의 수법이 요구되고 있다.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 표층에 다공성막이 형성되어 있는 기판을, 손상을 억제하면서, 충분히 세정할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
제1의 양태는, 다공성 구조를 갖는 다공성막이 표층에 형성되어 있는 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서, a) 물을 함유하는 제1 처리액과 기체를 혼합하여 상기 제1 처리액의 액적을 생성하고, 상기 제 1 처리액의 액적을, 상기 다공성막을 향해서 분사하는 공정과, b) 상기 a) 공정의 후에, 상기 제1 처리액보다도 휘발성이 높은 유기 용제인 제2 처리액과 기체를 혼합하여 상기 제2 처리액의 액적을 생성하고, 상기 제2 처리액의 액적을, 상기 다공성막을 향해서 분사하는 공정을 구비한다.
제2의 양태는, 제1의 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제1 처리액이 순수이다.
제3의 양태는, 제1의 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 제2 처리액이 이소프로필알코올이다.
제4의 양태는, 제1 내지 제3 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 a) 공정에 있어서, 상기 제1 처리액의 액적의 착액 위치를 이동시키면서, 상기 제1 처리액의 액적을 상기 다공성막을 향해서 분사한다.
제5의 양태는, 제1 내지 제3 중 어느 하나의 양태에 관련된 기판 처리 방법으로서, 상기 b) 공정에 있어서, 상기 제2 처리액의 액적의 착액 위치를 이동시키면서, 상기 제2 처리액의 액적을 상기 다공성막을 향해서 분사한다.
제6의 양태는, 다공성 구조를 갖는 다공성막이 표층에 형성되어 있는 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 기판을 유지하는 유지부와, 처리액과 기체를 혼합하여 상기 처리액의 액적을 생성하고, 상기 액적을 분사하는 2 유체 노즐과, 상기 2 유체 노즐에, 물을 함유하는 제1 처리액의 액적을 생성시키며, 상기 제1 처리액의 액적을, 상기 다공성막을 향해서 분사시키고, 그 후에, 상기 제1 처리액보다도 휘발성이 높은 유기 용제인 제2 처리액의 액적을 생성시키고, 상기 제2 처리액의 액적을, 상기 다공성막을 향해서 분사시키는 제어부를 구비한다.
제1~제6의 양태에 의하면, 우선, 물을 함유하는 제1 처리액의 액적에 의해서, 기판에 부착해 있는 이물이 유효하게 제거된다. 이 때, 다공성막의 다공 내에 들어가 버린 제1 처리액은, 다음의 공정에서, 제2 처리액으로 치환되어, 다공 내로부터 제거된다. 따라서, 물을 함유하는 제1 처리액이 다공 내에 잔류하는 것에 기인하여 기판에 손상이 발생하는 일이 없다. 또한, 다공 내의 제2 처리액은, 신속하게 휘발하므로, 제2 처리액이 기판에 손상을 주는 일도 없다. 이와 같이, 제1~제6의 양태에 의하면, 표층에 다공성막이 형성되어 있는 기판을, 손상을 억제하면서, 충분히 세정할 수 있다.
특히, 제4의 양태에 의하면, 제1 처리액의 액적의 착액 위치가 이동하므로, 기판의 상면 내의 넓은 범위에 제1 처리액의 액적을 충돌시킬 수 있다. 이에 따라, 기판의 상면 내를 특히 충분히 세정할 수 있다.
특히, 제5의 양태에 의하면, 제2 처리액의 액적의 착액 위치가 이동하므로, 기판의 상면 내의 넓은 범위에 제2 처리액의 액적을 충돌시킬 수 있다. 이에 따라, 기판의 상면 내에 있어서의 손상의 발생을 특히 충분히 억제할 수 있다.
도 1은 기판 처리 장치의 모식적인 측면도이다.
도 2는 2 유체 노즐의 모식적인 측단면도이다.
도 3은 기판 처리 장치의 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.
도 4는 처리 대상이 되는 기판의 표층 부근의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 기판 처리 장치에 의해서 행해지는 처리의 일례를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 제1 액적 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 제2 액적 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 순수 및 IPA의 각각에 대하여, 질소 가스의 유량의 증가에 따른 이물 제거율의 변동 양태를 나타내는 도면이다.
도 9는 순수 및 IPA의 각각에 대하여, 질소 가스의 유량의 증가에 따른 비유전률의 변동 양태를 나타내는 도면이다.
이하, 도면을 참조하면서, 실시의 형태에 대하여 설명한다. 이하의 실시의 형태는, 본 발명을 구체화한 일례이며, 본 발명의 기술적 범위를 한정하는 사례는 아니다. 또한, 이하에 참조하는 각 도면에서는, 이해의 용이를 위해, 각 부의 치수나 수가 과장 또는 간략화하여 도시되어 있는 경우가 있다.
<1. 기판 처리 장치(100)의 구성>
기판 처리 장치(100)는, 예를 들면 반도체 웨이퍼 등의 원판형상의 기판(9)을, 1매씩 처리하는 매엽식의 기판 처리 장치이다. 기판 처리 장치(100)의 구성에 대하여, 도 1을 참조하면서 설명한다. 도 1은, 기판 처리 장치(100)의 모식적인 측면도이다.
기판 처리 장치(100)는, 스핀 척(1)과, 비산 방지부(2)와, 액적 공급부(3)와, 제어부(4)를 구비한다.
＜스핀 척(1)＞
스핀 척(1)은, 기판(9)을, 대략 수평 자세로 유지하는 기판 유지부로서, 해당 기판(9)을, 그 주면의 중심을 통과하는 연직인 회전축의 둘레로 회전시킨다.
스핀 척(1)은, 기판(9)보다 약간 큰 원판형상의 부재인 스핀 베이스(11)를 구비한다. 스핀 베이스(11)의 하면 중앙부에는, 회전축부(12)가 연결되어 있다. 회전축부(12)는, 그 축선을 연직 방향으로 따르게 하는 자세로 배치된다. 또한, 회전축부(12)에는, 이를 그 축선 둘레로 회전 구동하는 회전 구동부(예를 들면, 모터)(13)가 접속된다. 회전 축부(12) 및 회전 구동부(13)는, 통형상의 케이싱(14) 내에 수용되어 있다. 또한, 스핀 베이스(11)의 상면의 주연부 부근에는, 적당한 간격을 두고 복수개(예를 들면 6개)의 유지 부재(15)가 설치되어 있다. 유지 부재(15)는, 기판(9)의 단면과 맞닿아 기판(9)의 수평 방향의 위치 결정을 행함과 더불어, 스핀 베이스(11)의 상면보다 약간 높은 위치에서(즉, 스핀 베이스(11)의 상면으로부터 정해진 간격을 두고), 기판(9)을 대략 수평 자세로 유지한다.
이 구성에 있어서, 유지 부재(15)가 스핀 베이스(11)의 상방에서 기판(9)을 유지한 상태에서, 회전 구동부(13)가 회전 축부(12)를 회전하면, 스핀 베이스(11)가 연직 방향을 따른 축심 둘레로 회전되고, 이에 따라, 스핀 베이스(11) 상에 유지된 기판(9)이, 그 면 내의 중심을 통과하는 연직인 회전축의 둘레에서 회전된다.
회전 구동부(13) 및 유지 부재(15)는, 제어부(4)와 전기적으로 접속되어 있고, 제어부(4)의 제어 하에서 동작한다(도 3 참조). 즉, 스핀 베이스(11) 상에 기판(9)을 유지하는 타이밍, 유지된 기판(9)을 개방하는 타이밍, 및, 스핀 베이스(11)의 회전 양태(구체적으로는, 회전 개시 타이밍, 회전 종료 타이밍, 회전수(즉, 회전 속도), 등)는, 제어부(4)에 의해서 제어된다.
＜비산 방지부(2)＞
비산 방지부(2)는, 스핀 베이스(11)에 유지되어 회전되는 기판(9)으로부터 비산하는 처리액 등을 받아낸다.
비산 방지부(2)는, 컵(21)을 구비한다. 컵(21)은, 상단이 개방된 통형상의 부재이며, 스핀 척(1)을 둘러싸도록 설치된다. 컵(21)은, 예를 들면, 내부재(211), 중부재(212), 및, 외부재(213)를 구비한다.
내부재(211)는, 상단이 개방된 통형상의 부재이며, 원환상의 저부재(211a)와, 저부재(211a)의 내측 가장자리로부터 상방으로 연장되는 원통형의 내벽 부재(211b)와, 저부재(211a)의 외측 가장자리로부터 상방으로 연장되는 원통형의 외벽 부재(211c)와, 내벽 부재(211b)와 외벽 부재(211c)의 사이에 세워져 설치된 원통형의 안내벽(211d)을 구비한다. 안내벽(211d)은, 저부재(211a)로부터 상방으로 연장되고, 상단부 부근이 내측 상방을 향해서 만곡하고 있다. 내벽 부재(211b)의 적어도 선단 부근은, 스핀 척(1)의 케이싱(14)에 설치된 플랜지형상 부재(141)의 내측 공간에 수용된다.
저부재(211a)에는, 내벽 부재(211b)와 안내벽(211d) 사이의 공간과 연통하는 배액 홈(도시 생략)이 형성된다. 이 배액 홈은, 공장의 배액 라인과 접속된다. 또한, 이 배액 홈에는, 홈 내를 강제적으로 배기하여, 내벽 부재(211b)와 안내벽(211d) 사이의 공간을 부압 상태로 하는 배기액 기구가 접속되어 있다. 내벽 부재(211b)와 안내벽(211d) 사이의 공간은, 기판(9)의 처리에 사용된 처리액을 모아 배액하기 위한 공간이며, 이 공간에 모여진 처리액은, 배액구로부터 배액된다.
또한, 저부재(211a)에는, 안내벽(211d)과 외벽 부재(211c) 사이의 공간과 연통하는 제1의 회수 홈(도시 생략)이 형성된다. 제1의 회수 홈은, 제1의 회수 탱크와 접속된다. 또한, 이 제1의 회수 홈에는, 홈 내를 강제적으로 배기하여, 안내벽(211d)과 외벽 부재(211c) 사이의 공간을 부압 상태로 하는 배기액 기구가 접속되어 있다. 안내벽(211d)과 외벽 부재(211c) 사이의 공간은, 기판(9)의 처리에 사용된 처리액을 모아 회수하기 위한 공간이며, 이 공간에 모여진 처리액은, 제1의 회수 홈을 통하여, 제1의 회수 탱크에 회수된다.
중부재(212)는, 상단이 개방된 통형상의 부재이며, 내부재(211)의 안내벽(211d)의 외측에 설치되어 있다. 중부재(212)의 상부는 내측 상방을 향해 만곡하고 있고, 그 상단 가장자리부는 안내벽(211d)의 상단 가장자리부를 따라서 절곡되어 있다.
중부재(212)의 하부에는, 내주면을 따라서 하방으로 연장되는 내주 벽부재(212a)와, 외주면을 따라서 하방으로 연장되는 외주 벽부재(212b)가 형성된다. 내주 벽부재(212a)는, 내부재(211)와 중부재(212)가 근접하는 상태(도 1에 나타내는 상태)에 있어서, 내부재(211)의 안내벽(211d)과 외벽 부재(211c)의 사이에 수용된다. 또한, 외주 벽부재(212b)의 하단은, 원환상의 저부재(212c)의 내측 가장자리부에 부착 설치된다. 저부재(212c)의 외측 가장자리에서는, 상방으로 연장되는 원통형의 외벽 부재(212d)가 세워져 설치된다.
저부재(212c)에는, 외주 벽부재(212b)와 외벽 부재(212d) 사이의 공간과 연통하는 제2의 회수 홈(도시 생략)이 형성된다. 제2의 회수 홈은, 제2의 회수 탱크와 접속된다. 또한, 이 제2의 회수 홈에는, 홈 내를 강제적으로 배기하여, 외주 벽부재(212b)와 외벽 부재(212d) 사이의 공간을 부압 상태로 하는 배기액 기구가 접속되어 있다. 외주 벽부재(212b)와 외벽 부재(212d) 사이의 공간은, 기판(9)의 처리에 사용된 처리액을 모아 회수하기 위한 공간이며, 이 공간에 모여진 처리액은, 제2의 회수 홈을 통하여, 제2의 회수 탱크에 회수된다.
외부재(213)는, 상단이 개방된 통형상의 부재이며, 중부재(212)의 외측에 설치되어 있다. 외부재(213)의 상부는 내측 상방을 향해 만곡해 있고, 그 상단 가장자리부(201)는, 중부재(212)의 상단 가장자리부 및 내부재(211)의 상단 가장자리부보다 약간 내방에서 하방으로 절곡되어 있다. 내부재(211), 중부재(212), 및, 외부재(213)가 근접하는 상태(도 1에 나타내는 상태)에 있어서, 중부재(212)의 상단 가장자리부 및 내부재(211)의 상단 가장자리부가, 외부재(213)의 절곡된 부분에 의해서 덮인다.
외부재(213)의 하부에는, 내주면을 따라서 하방으로 연장되도록 내주 벽부재(213a)가 형성된다. 내주 벽부재(213a)는, 중부재(212)와 외부재(213)가 근접하는 상태(도 1에 나타내는 상태)에 있어서, 중부재(212)의 외주 벽부재(212b)와 외벽 부재(212d)의 사이에 수용된다.
컵(21)에는, 이를 승강 이동시키는 컵 구동 기구(22)가 설치되어 있다. 컵 구동 기구(22)는, 예를 들면, 스테핑 모터에 의해 구성된다. 컵 구동 기구(22)는, 컵(21)이 구비하는 3개의 부재(211, 212, 213)를, 독립하여 승강시킨다.
내부재(211), 중부재(212), 및, 외부재(213)의 각각은, 컵 구동 기구(22)의 구동을 받아, 상방 위치와 하방 위치의 사이에서 이동된다. 여기서, 각 부재(211, 212, 213)의 상방 위치는, 해당 부재(211, 212, 213)의 상단 가장자리부가, 스핀 베이스(11) 상에 유지된 기판(9)의 측방에 배치되는 위치이다. 한편, 각 부재(211, 212, 213)의 하방 위치는, 해당 부재(211, 212, 213)의 상단 가장자리부가, 스핀 베이스(11)의 상면보다도 하방에 배치되는 위치이다. 다만, 컵 구동 기구(22)는, 제어부(4)와 전기적으로 접속되어 있고, 제어부(4)의 제어 하에서 동작한다(도 3 참조). 즉, 컵(21)의 위치(구체적으로는, 내부재(211), 중부재(212), 및, 외부재(213) 각각의 위치)는, 제어부(4)에 의해서 제어된다.
외부재(213)가 하방 위치에 배치되어 있는 상태(즉, 내부재(211), 중부재(212), 및, 외부재(213)의 전체가, 하방 위치에 배치되어 있는 상태)를 가리키고, 이하 「컵(21)이 대피 위치에 있다」라고 한다. 스핀 베이스(11)에 대한 기판(9)의 반출입이 행해지는 동안은, 컵(21)은, 대피 위치에 배치된다.
한편, 외부재(213)가 상방 위치에 배치되어 있는 상태를 가리키고, 이하 「컵(21)이 처리 위치에 있다」라고 한다. 단, 「컵(21)이 처리 위치에 있는」상태에는, 이하의 3개의 상태가 포함된다. 제1의 상태는, 내부재(211), 중부재(212), 및, 외부재(213)의 전체가, 상방 위치에 배치된 상태이다(도 1에 나타내는 상태). 이 상태에서는, 스핀 척(1)에 유지되어 있는 기판(9)으로부터 비산된 처리액은, 내부재(211)의 내벽 부재(211b)와 안내벽(211d) 사이의 공간에 모여져, 배액 홈으로부터 배액된다. 제2 상태는, 내부재(211)가 하방 위치에 배치됨과 더불어, 중부재(212) 및 외부재(213)가 상방 위치에 배치된 상태이다. 이 상태에서는, 스핀 척(1)에 유지되어 있는 기판(9)으로부터 비산된 처리액은, 내부재(211)의 안내벽(211d)과 외벽 부재(211c) 사이의 공간에 모여져, 제1의 회수 탱크에 회수된다. 제3의 상태는, 내부재(211) 및 중부재(212)가 하방 위치에 배치됨과 더불어, 외부재(213)가 상방 위치에 배치된 상태이다. 이 상태에서는, 스핀 척(1)에 유지되어 있는 기판(9)으로부터 비산된 처리액은, 중부재(212)의 외주 벽부재(212b)와 외벽 부재(212d) 사이의 공간에 모여져, 제2의 회수 탱크에 회수된다.
＜액적 공급부(3)＞
액적 공급부(3)는, 스핀 척(1)에 유지되어 있는 기판(9)을 향해서, 처리액의 액적을 공급한다. 액적 공급부(3)는, 처리액에 가스를 충돌시켜 처리액의 액적을 생성하고, 이를 분출하는 2 유체 노즐(31)을 구비한다.
2 유체 노즐(31)의 구성예에 대하여, 도 2를 참조하면서 구체적으로 설명한다. 도 2는, 2 유체 노즐(31)의 구성을 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
2 유체 노즐(31)은, 그 케이싱 외에서, 처리액에 가스를 충돌시켜 처리액의 액적을 생성하는, 소위, 외부 혼합형의 2 유체 노즐이며, 케이싱을 구성하는 외통(301)과, 외통(301)에 끼워진 내통(302)을 구비한다.
외통(301) 및 내통(302)은, 모두, 원통형의 외형을 나타내고, 중심축(L)을 공유하는 동축 형상으로 배치되어 있다. 또한, 외통(301)의 하단면(301a)은, 중심축(L)과 직교하는 링형상의 면으로 되어 있다. 기판(9)의 처리시에는, 2 유체 노즐(31)은, 이 중심축(L)이, 기판(9)의 상면에 수직이 되는 자세(즉, 하단면(301a)이 기판(9)의 상면과 평행이 되는 자세)로, 배치된다.
내통(302)에는, 중심축(L)을 따르는 직선형상의 내부 공간(303)이 형성되어 있다. 이 내부 공간(303)은, 내통(302)의 하단에서 원형으로 개구한다. 내부 공간(303)의 상단에는, 처리액 공급원(321, 322)과 접속된 분기 배관(323)(후술한다)이 접속되어 있다. 분기 배관(323)을 통하여 처리액 공급원(321, 322)으로부터 공급된 처리액은, 내부 공간(303)에 유입되고, 그 하단의 개구(304)로부터 토출(중심축(L)을 따라서 하향으로 토출)된다. 즉, 내부 공간(303)은, 처리액의 유로이며, 개구(304)는, 처리액의 토출구이다. 이하에 있어서, 내부 공간(303)을 「처리액 유로(303)」라고도 한다. 또한, 내부 공간(303)의 하단의 개구(304)를 「처리액 토출구(304)」라고도 한다.
내통(302)은, 대경 부분(302a)과, 그 하방에 연속하여 설치되고, 대경 부분(302a)보다도 외경이 작은 소경 부분(302b)을 구비한다. 내통(302)의 외측에 끼워지는 외통(301)의 내경은, 대경 부분(302a)의 외경과 동일하고, 외통(301)은, 그 하단 부분을 제외하고 거의 일정한 내경을 가지고 있다. 따라서, 소경 부분(302b)의 외벽과 외통(301)의 내벽의 사이에는 간극(305)이 형성된다. 이 간극(305)은, 중심축(L)을 중심으로 한 단면 링형상의 공간이며, 외통(301)의 하단에서 링형상(즉, 처리액 토출구(304)를 둘러싸는 링형상)으로 개구한다.
간극(305)의 상단 부근에는, 외통(301)의 내외면을 관통하여 설치된 L자형의 도입관(306)의 일단이 연통해 있다. 이 도입관(306)의 타단에는, 가스 공급원(331)과 접속된 배관(332)(후술한다)이 접속되어 있다. 배관(332) 및 도입관(306)을 통하여 가스 공급원(331)으로부터 공급된 가스는, 간극(305)에 유입하고, 그 하단의 개구(307)로부터 토출된다. 즉, 간극(305)은, 가스의 유로이며, 개구(307)는 가스의 토출구이다. 이하에 있어서, 간극(305)을 「가스 유로(305)」라고도 한다. 또한, 간극(305)의 하단의 개구(307)를 「가스 토출구(307)」라고도 한다.
소경 부분(302b)의 하단 부근에는, 그 외주면으로부터 직경 방향 외방을 향해서 뻗는 플랜지(308)가 형성된다. 플랜지(308)에는, 이를 관통하는 관통공(309)이 형성되어 있고, 가스 유로(305)에 유입된 가스는, 이 관통공(309)을 통과할 때에 흐르는 방향이 변환되어, 중심축(L)의 둘레를 선회하도록 흐르는 선회류로 된다.
소경 부분(302b)에 있어서의, 플랜지(308)가 형성되어 있는 부분보다도 하측의 부분에는, 플랜지(308)의 하면측으로부터 중심축(L)을 따라서 돌출하는 원통형의 단통부(310)가 형성되어 있다. 단통부(310)는, 그 중심축이 중심축(L)과 일치하도록 배치되어 있다. 단통부(310)의 외경은, 외통(301)의 하단면(301a)의 내측 가장자리 직경보다도 작고, 단통부(310)의 하단면과 외통(301)의 하단면(301a)의 사이에는, 중심축(L)을 둘러싸는 링형상의 개구(307)가 형성된다. 이 개구(307)가, 간극(즉, 가스 유로)(305)을 외부 공간으로 연통시키는 개구(즉, 가스 토출구)(307)를 형성한다.
가스 유로(305)에 유입된 가스는, 플랜지(308)에 형성된 관통공(309)을 통과할 때에 선회류로 되어, 단통부(310)의 주위 공간(311)에 유입된다. 여기서, 외통(301)의 내벽면에 있어서의, 단통부(310)의 주위를 둘러싸는 부분은, 하방을 향함에 따라서 내경이 작아지는 축경 형상으로 형성되어 있다. 따라서, 단통부(310)의 주위의 공간(311)에 유입된 가스의 선회류는, 해당 공간(311) 내에서, 선회함에 따라 중심축(L)에 가까워지는 소용돌이 형상의 기류가 되어, 가스 토출구(307)로부터 토출된다. 가스 토출구(307)로부터 토출된 소용돌이 형상의 기류는, 처리액 토출구(304)로부터 중심축(L)을 따라서 토출되는 처리액을 둘러싸도록 흐르고, 중심축(L) 상의 어느 점 F에 수속하도록 진행된다. 이하에 있어서, 이 점 F를 「수속점 F」라고도 한다.
처리액 토출구(304)로부터 처리액이 토출됨과 더불어, 가스 토출구(307)로부터 가스가 토출되면, 2 유체 노즐(31)의 외부 공간(구체적으로는, 수속점 F 및 그 부근)에 있어서, 처리액(즉, 액상의 처리액)과 가스가 충돌하여 혼합되어, 처리액이 미세한 액적이 된다. 즉, 처리액의 액적이 생성된다. 생성된 처리액의 액적은, 가스의 기류에 의해서 가속되어 분류(噴流)가 된다. 즉, 수속점 F의 하방에 있어서, 가스는, 선회함에 따라 중심축(L)으로부터 멀어지면서 하방을 향하는 소용돌이 형상의 기류로 되어 있고, 액적은, 이 기류에 의해서 가속됨으로써, 기판(9)을 향해서 분사된다.
다시 도 1을 참조한다. 2 유체 노즐(31)에는, 이에 처리액을 공급하는 배관계인 처리액 공급부(32)가 접속되어 있다. 처리액 공급부(32)는, 구체적으로는, 예를 들면, 제1 처리액 공급원(321), 제2 처리액 공급원(322), 분기 배관(323), 및, 복수의 밸브(324, 325)를 조합하여 구성되어 있다.
제1 처리액 공급원(321)은, 제1 처리액의 공급원이다. 제1 처리액은, 물을 함유하는 처리액이다. 한편, 제2 처리액 공급원(322)은, 제2 처리액의 공급원이다. 제2 처리액은, 제1 처리액보다도 휘발성이 높은 유기 용제이다. 여기서는, 예를 들면, 제1 처리액은, 순수(Deionized water : DIW)이며, 제2 처리액은, IPA(이소프로필알코올)인 것으로 한다.
제1 처리액 공급원(321)은, 분기 배관(323)의 분기측의 일단에 접속되어 있고, 제2 처리액 공급원(322)은, 분기 배관(323)의 분기측의 타단에 접속되어 있다. 또한, 분기 배관(323)의 합류측의 단부는, 2 유체 노즐(31)(구체적으로는, 2 유체 노즐(31)의 내통(302)에 접속되어 있다. 분기 배관(323)의 분기 위치와 제1 처리액 공급원(321)의 사이에는, 제1 밸브(324)가 삽입되어 있고, 분기 배관(323)의 분기 위치와 제2 처리액 공급원(322)의 사이에는, 제2 밸브(325)가 삽입되어 있다.
또한, 2 유체 노즐(31)에는, 이에 가스를 공급하는 배관계인 가스 공급부(33)가 접속되어 있다. 가스 공급부(33)는, 구체적으로는, 예를 들면, 가스 공급원(331), 배관(332), 및, 가스 밸브(333)를, 조합하여 구성되어 있다. 이 구성에 있어서, 가스 공급원(331)은, 가스(여기서는, 예를 들면, 질소(N2) 가스)를 공급하는 공급원이며, 이 가스 공급원(331)이, 가스 밸브(333)가 삽입된 배관(332)을 통하여, 2 유체 노즐(31)(구체적으로는, 2 유체 노즐(31)의 도입관(306))에 접속되어 있다. 무엇보다도, 가스 공급원(331)은, 질소 가스 이외의 가스(예를 들면, 질소 가스 이외의 각종 불활성 가스, 건조 공기, 등)를 공급하는 것이어도 된다.
상기의 구성에 있어서, 제1 밸브(324)와 가스 밸브(333)가 개방되면, 제1 처리액 공급원(321)으로부터 공급되는 순수(액상의 순수)와, 가스 공급원(331)으로부터 공급되는 질소 가스가, 2 유체 노즐(31)에 공급된다. 그리고, 2 유체 노즐(31)에서, 순수와 질소 가스가 혼합되어, 순수가 미세한 액적이 되고, 이 액적이 분류가 되어, 2 유체 노즐(31)로부터 토출된다.
또한, 제2 밸브(325)와 가스 밸브(333)가 개방되면, 제2 처리액 공급원(322)으로부터 공급되는 IPA(액상의 IPA)와, 가스 공급원(331)으로부터 공급되는 질소 가스가, 2 유체 노즐(31)에 공급된다. 그리고, 2 유체 노즐(31)에서, IPA와 질소 가스가 혼합되고, IPA가 미세한 액적이 되며, 이 액적이 분류가 되어, 2 유체 노즐(31)로부터 토출된다.
다만, 제1 밸브(324), 제2 밸브(325), 및, 가스 밸브(333)의 각각은, 제어부(4)와 전기적으로 접속되어 있고, 제어부(4)의 제어하에서 개폐된다(도 3 참조). 즉, 2 유체 노즐(31)로부터의 처리액의 토출 양태(구체적으로는, 토출 개시 타이밍, 토출 종료 타이밍, 토출되는 액적의 종류, 토출 유량, 토출되는 액적의 기세, 등)은, 제어부(4)에 의해서 제어된다.
2 유체 노즐(31)은, 수평으로 연장되는 아암(34)의 선단부에 부착되어 있다. 아암(34)의 기단부는, 축선을 연직 방향에 따르게 하는 자세로 배치된 승강축(35)의 상단에 연결되어 있다. 승강축(35)은, 노즐 기대(36)에 설치되어 있다.
노즐 기대(36)에는, 2 유체 노즐(31)을 구동하는 노즐 구동부(37)가 설치되어 있다. 노즐 구동부(37)는, 예를 들면, 승강축(35)을 그 축선 둘레로 회전시키는 회전 구동부(예를 들면, 서보 모터)와, 승강축(35)을 그 축선을 따라서 신축시키는 승강 구동부(예를 들면, 스테핑 모터)를 포함하여 구성된다. 노즐 구동부(37)가 승강축(35)을 회동시키면, 2 유체 노즐(31)이, 수평면 내의 원호 궤도를 따라서 이동하여, 노즐 구동부(37)가 승강축(35)을 신축시키면, 2 유체 노즐(31)이, 기판(9)의 상면과 근접 이격하는 방향으로 이동한다.
다만, 노즐 구동부(37)는, 제어부(4)와 전기적으로 접속되어 있고, 제어부(4)의 제어하에서 동작한다(도 3 참조). 즉, 2 유체 노즐(31)의 위치는, 제어부(4)에 의해서 제어된다. 또한, 제어부(4)는, 2 유체 노즐(31)로부터의 액적의 분출이 행해지지 않는 동안은, 2 유체 노즐(31)을, 기판(9)의 반송 경로와 간섭하지 않는 위치(대피 위치)에 배치한다.
＜제어부(4)＞
제어부(4)는, 기판 처리 장치(100) 내의 각 부를 동작 제어하는 장치이다. 제어부(4)의 하드웨어로서의 구성은, 일반적인 컴퓨터와 동일한 것을 채용할 수 있다. 즉, 제어부(4)는, 예를 들면, 각종 연산 처리를 행하는 CPU, 기본 프로그램을 기억하는 독출 전용의 메모리인 ROM, 각종 정보를 기억하는 읽고 쓰기가능한 메모리인 RAM, 제어용 소프트웨어나 데이터 등을 기억해 두는 자기 디스크 등을 구비하고 있다. 제어부(4)에 있어서, 프로그램에 기술된 순서에 따라서 주제어부로서의 CPU가 연산 처리를 행함으로써, 기판 처리 장치(100)의 각 부를 제어하는 각종 기능부가 실현된다. 무엇보다, 제어부(4)에 있어서 실현되는 일부 혹은 전부의 기능부는, 전용 논리 회로 등으로 하드웨어적으로 실현되어도 된다. 또한, 제어부(4)의 메모리 혹은 하드 디스크에는, 기판 처리 장치(100)의 처리 내용을 정한 처리 레시피가 기억되어 있다.
제어부(4)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 회전 구동부(13), 유지 부재(15), 컵 구동 기구(22), 제1 밸브(324), 제2 밸브(325), 가스 밸브(333), 노즐 구동부(37), 등과 전기적으로 접속되어 있다. 제어부(4)가, 처리 레시피에 따라서, 이들 각 부를 동작시킴으로써, 기판(9)에 대한 일련의 처리가 진행된다.
＜2.기판(9)＞
다음에, 기판 처리 장치(100)에서 처리 대상이 되는 기판(9)의 표층 부근의 양태에 대하여, 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 4는, 해당 기판(9)의 표층 부근의 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
기판 처리 장치(100)에서 처리 대상이 되는 기판(9)의 표층에는, 비유전률(k치)이 낮은 막(구체적으로는, 비유전률이 예를 들면 2.5 이하의 막이며, 소위, Ultra Low-k막：ULK막)이 형성된다. 비유전률이 2.5 이하의 막은, 고밀도막으로는 달성하는 것이 어렵고, 이러한 막은, 다공성막(다공막)에 의해 달성된다. 즉, 기판(9)의 표층에는, 다공성 구조(다공 구조)를 갖는 ULK막(이하, 간단히, 「다공성막(90)」이라고도 한다)이 형성된다. 다공성막(90)에 있어서의, 다공(빈 구멍)의 평균 직경은, 예를 들면, 약 0.9nm(나노미터) 정도이다.
〈3. 처리의 흐름〉
기판 처리 장치(100)에서 행해지는 처리의 흐름에 대하여, 도 1 및 도 5를 참조하면서 설명한다. 도 5는, 기판 처리 장치(100)에 있어서 행해지는 처리의 흐름의 일례를 나타내는 도면이다. 기판 처리 장치(100)에 있어서는, 제어부(4)의 제어하에서, 이하에 설명하는 일련의 처리가 실행된다.
우선, 컵(21) 및 2 유체 노즐(31)이, 각각의 대피 위치에 배치되어 있는 상태에 있어서, 반송 로봇(도시 생략)이, 기판(9)을 기판 처리 장치(100)에 반입하고, 기판(9)을, 그 표면(다공성막(90)이 형성되어 있는 측의 면)이 위를 향하는 자세로, 스핀 베이스(11) 상에 배치한다(단계 S1). 스핀 베이스(11) 상에 배치된 기판(9)은, 1군의 유지 부재(15)에 의해서 유지된다. 이에 따라, 스핀 베이스(11) 상에, 기판(9)이, 대략 수평 자세로 유지된 상태로 된다.
스핀 베이스(11) 상에 기판(9)이 유지되면, 스핀 베이스(11)의 회전이 개시되고, 이에 따라, 스핀 베이스(11) 상에 유지되는 기판(9)이, 수평 자세로 회전 개시된다(단계 S2).
계속하여, 제1 액적 처리가 행해진다(단계 S3). 제1 액적 처리에 대하여, 도 6을 참조하면서 설명한다. 도 6은, 제1 액적 처리를 설명하기 위한 도면이며, 그 일부분에는, 제1 액적 처리에 있어서의 기판(9)의 표면 부근의 양태가 모식적으로 확대 표시되어 있다.
제1 액적 처리에 있어서는, 제1 밸브(324) 및 가스 밸브(333)가 개방된다. 그러면, 2 유체 노즐(31)에 있어서, 순수와 질소 가스가 혼합되어 순수의 액적(D1)이 생성되고, 2 유체 노즐(31)로부터, 회전되는 기판(9)의 다공성막(90)을 향해서, 해당 순수 액적(D1)의 분류가 토출된다. 다만, 이 토출과 병행하여, 노즐 구동부(37)가, 2 유체 노즐(31)을, 스핀 베이스(11) 상의 기판(9)의 상면과 비접촉 상태로 근접하는 수평면 내에 있어서, 기판(9)의 회전 방향과 교차하는 방향을 따라서 이동시킨다. 구체적으로, 노즐 구동부(37)는, 2 유체 노즐(31)을, 기판(9)의 중앙부와 대향하는 제1 위치(즉, 2 유체 노즐(31)로부터 토출된 액적의 분류가, 기판(9)의 상면 중앙부에 충돌하는 위치)(P1)와, 기판(9)의 주연부와 대향하는 제2 위치(즉, 2 유체 노즐(31)로부터 토출된 액적의 분류가, 기판(9)의 상면 주연부에 충돌하는 위치)(P2)를 연결하는 원호 궤도를 따라서, 왕복 이동시킨다. 기판(9)이 회전하고 있는 상태에서, 2 유체 노즐(31)이 제1 위치(P1)와 제2 위치(P2) 사이를 왕복 이동하면, 2 유체 노즐(31)로부터 토출되는 순수 액적(D1)의 착액 위치가, 기판(9) 상면의 전역을 이동(주사(스캔))하고, 기판(9) 상면 내의 모든 위치에, 순수의 액적(D1)이 충돌한다. 즉, 기판(9) 상면의 전역에, 순수의 액적(D1)이 공급된다.
순수의 액적(D1)이, 기판(9)의 상면 내의 각 위치에 충돌함으로써, 해당 위치에 부착되어 있는 이물(파티클)이 물리적으로 제거된다. 여기서는, 주로, 다공성막(90)의 다공의 사이즈보다도 충분히 큰 이물이, 제거 대상이 된다. 다만, 2 유체 노즐(31)에 공급되는 순수의 유량이 같으면, 2 유체 노즐(31)에 공급되는 질소 가스의 유량이 클수록, 2 유체 노즐(31)로부터 분출되는 액적의 운동 에너지가 커져, 기판(9)의 이물 제거율(Particle Removal Efficierlcy：PRE)이 높아진다(후에 설명하는 도 8의 그래프 A1(DIW)를 참조). 제1 액적 처리에 있어서는, 2 유체 노즐(31)로부터 분출되는 순수 액적(D1)의 운동 에너지가, 충분히 커지도록(구체적으로는, 순수의 액적(D1)이 기판(9) 상면의 이물을 충분히 제거할 수 있는 운동 에너지를 가지게 되도록), 충분한 유량의 질소 가스를 흐르게하면서, 순수의 액적(D1)이 생성된다. 일례로서 순수의 유량은 0.1(1/min)이며, 질소 가스의 유량은 30(1/min)이다. 충분히 큰 운동 에너지를 갖는 순수의 액적(D1)이, 기판(9)의 상면 내의 각 위치에 세게 충돌함으로써, 해당 위치에 부착되어 있는 이물이 충분히 제거된다. 한편으로, 이러한 큰 운동 에너지를 갖는 순수의 액적(D1)이 세게 기판(9)에 충돌하면, 충돌한 순수 액적(D1)의 일부가, 다공성막(90)의 표면에 노출되어 있는 다공으로 들어간다.
제1 밸브(324) 및 가스 밸브(333)가 개방되고 나서 정해진 시간이 경과하면, 제1 밸브(324) 및 가스 밸브(333)가 폐쇄되고, 2 유체 노즐(31)로부터의 순수 액적(D1)의 분류의 토출이 정지된다. 이에 따라, 제1 액적 처리가 종료한다. 상술한 바와 같이, 제1 액적 처리가 종료한 후의 기판(9)의 상면에 있어서는, 순수 액적(D1)의 일부가, 다공성막(90)의 표면에 노출되어 있는 다공으로 들어간 상태로 되어 있다.
계속하여, 제2 액적 처리가 행해진다(단계 S4). 제2 액적 처리에 대하여, 도 7을 참조하면서 설명한다. 도 7은, 제2 액적 처리를 설명하기 위한 도면이며, 그 일부분에는, 제2 액적 처리에 있어서의 기판(9)의 표면 부근의 모습이 모식적으로 확대 표시되어 있다.
제2 액적 처리에 있어서는, 제2 밸브(325) 및 가스 밸브(333)가 개방된다. 그러면, 2 유체 노즐(31)에 있어서, IPA와 질소 가스가 혼합되어 IPA의 액적(D2)이 생성되고, 2 유체 노즐(31)로부터, 회전되는 기판(9)의 다공성막(90)을 향해서, 해당 IPA의 액적(D2)의 분류가 토출된다. 다만, 이 토출과 병행하여, 노즐 구동부(37)가, 2 유체 노즐(31)을, 스핀 베이스(11) 상의 기판(9)의 상면과 비접촉 상태로 근접하는 수평면 내에 있어서, 기판(9)의 회전 방향과 교차하는 방향을 따라서 이동시킨다. 구체적으로, 노즐 구동부(37)는, 2 유체 노즐(31)을, 기판(9)의 중앙부와 대향하는 제1 위치(P1)와, 기판(9)의 주연부와 대향하는 제2 위치(P2)를 연결하는 원호 궤도를 따라서, 왕복 이동시킨다. 이와 같이, 제2 액적 처리에 있어서도, 제1 액적 처리와 마찬가지로, 기판(9)이 회전하고 있는 상태에서, 2 유체 노즐(31)이 제1 위치(P1)와 제2 위치(P2)의 사이를 왕복 이동하므로, 2 유체 노즐(31)로부터 토출되는 IPA의 액적(D2)의 착액 위치가, 기판(9)의 상면 전역을 이동(주사)하여, 기판(9)의 상면 내의 모든 위치에, IPA의 액적(D2)이 충돌한다. 즉, 기판(9)의 상면 전역에, IPA의 액적(D2)이 공급된다.
IPA의 액적(D2)이, 기판(9)의 상면 내의 각 위치에 충돌함으로써, 해당 위치에 부착되어 있는 이물이 물리적으로 제거된다. 또한, IPA의 액적(D2)에 의해서, 기판(9)에 부착되어 있는 유기물 등의 잔사가 용해되어 제거된다. 또한, IPA의 액적(D2)이, 기판(9)의 상면 내의 각 위치에 공급됨으로써, 해당 위치에 잔존해 있는 순수가, IPA로 치환된다. 다만, 제2 액적 처리에 있어서도, 2 유체 노즐(31)로부터 분출되는 IPA의 액적(D2)의 운동 에너지가 충분히 커지도록(구체적으로는, 기판(9)에 충돌한 IPA의 액적(D2)의 일부가, 다공성막(90)의 표면에 노출되어 있는 다공에 들어갈 수 있는 운동 에너지를 가지게 되도록), 충분한 유량의 질소 가스를 흐르게하면서 IPA의 액적(D2)이 생성된다. 일례로서, IPA의 유량은 0.1(1/min)이며, 질소 가스의 유량은 30(l/min)이다. 충분히 큰 운동 에너지를 갖는 IPA의 액적(D2)이 세게 기판(9)에 충돌함으로써, 충돌한 IPA의 액적(D2)의 일부가, 다공성막(90)의 표면에 노출되어 있는 다공으로 들어가, 해당 다공 내에 잔존해 있던 순수가, IPA로 치환된다. 즉, 제2 액적 처리에서는, 기판(9)의 표면상에 잔존해 있는 순수뿐만 아니라, 기판(9)의 표면에 노출되어 있는 다공 내에 들어가 있는 순수까지도, IPA로 치환된다.
제2 밸브(325) 및 가스 밸브(333)가 개방되고 나서 정해진 시간이 경과하면, 제2 밸브(325) 및 가스 밸브(333)가 폐쇄되고, 2 유체 노즐(31)로부터의 IPA의 액적(D2)의 분류의 토출이 정지된다. 이에 따라, 제2 액적 처리가 종료한다.
계속하여, 건조 처리가 행해진다(단계 S5). 구체적으로는, 기판(9)을 향한 처리액의 토출이 정지된 상태에서, 스핀 베이스(11)의 회전 속도가, 고속 회전 속도(예를 들면, 액적 처리시의 회전 속도보다도 고속의 회전 속도)로 상승된다. 이에 따라, 스핀 베이스(11) 상의 기판(9)에 잔존해 있는 IPA가 떨쳐져 기판(9)으로부터 제거되어, 기판(9)이 건조된다(소위, 스핀 드라이). 또한, IPA는, 순수에 비해 휘발되기 쉽다. 따라서, 다공 내의 순수로 치환된 IPA도, 신속하게 휘발된다.
스핀 베이스(11)가 고속의 회전 속도로 회전되고 나서 정해진 시간이 경과하면, 스핀 베이스(11)의 회전이 정지된다.
계속하여, 컵(21) 및 2 유체 노즐(31)이, 각각의 대피 위치에 이동됨과 더불어, 유지 부재(15)가 기판(9)을 개방하고, 반송 로봇(도시 생략)이, 당해 기판(9)을 기판 처리 장치(100)로부터 반출한다(단계 S6). 이상에서, 당해 기판(9)에 대한 일련의 처리가 종료한다.
〈4, 세정 양태와 손상의 관계〉
여기서, 표층에 다공성막(90)이 형성되어 있는 기판(9)의 세정 양태와, 해당 기판(9)이 받는 손상의 관계성에 대하여, 도 8, 도 9를 참조하면서 설명한다.
발명자는, 순수와 질소 가스를 혼합하여 생성되는 순수의 액적을, 표층에 다공성막(90)이 형성되어 있는 기판(9)을 향해서 분사한 경우, 순수의 유량이 동일하면, 질소 가스의 유량이 클수록, 이물 제거율(Particle Removal Efficiency：PRE)이 높아지는 것을 찾아냈다(도 8의 그래프 A1(DIW)를 참조. 다만, 도 8의 각 그래프에 있어서, 세로축은 이물 제거율을, 가로축은 질소 가스의 유량을, 각각 나타내고 있다. 또한, 각 샘플에 있어서의 순수의 유량은 모두 동일하다). 이는 질소 가스의 유량이 커질수록, 생성되는 순수 액적의 운동 에너지가 커져, 이물을 제거하는 물리력이 커지기 때문이라고 생각된다.
또한, 발명자는, 표층에 다공성막(90)이 형성되어 있는 기판(9)을 향해서, 처리액과 질소 가스를 혼합하여 생성되는 처리액의 액적을 분사하는 경우, 액적의 생성 조건(처리액의 유량 및 질소 가스의 유량)이 동일하면, 처리액으로서 IPA를 이용하는 것보다도, 처리액으로서 순수를 이용하는 쪽이, 높은 이물 제거 효과가 얻어지는 것을 찾아냈다(도 8의 그래프 A2(IPA)를 참조. 다만, 그래프 A1(DIW)의 전 샘플에 있어서의 순수의 유량과 그래프 A2(IPA)의 전 샘플에 있어서의 IPA의 유량은 동일하다). 이는 순수의 표면 장력이 IPA의 표면 장력보다도 크고, 또한, 순수의 쪽이 비중도 크기 때문에, 동일한 양의 질소 가스를 이용하여 액적화된 순수와 IPA를 비교하면, 전자의 액적의 쪽이 이물을 제거하는 물리력이 높기 때문이라고 생각된다.
여기까지의 실험 및 고찰에 의거하면, 표층에 다공성막(90)이 형성되어 있는 기판(9)의 이물 제거율을 높이기 위해서는, 순수와 충분한 유량의 질소 가스를 혼합하여 순수의 액적을 생성하고, 해당 순수의 액적을 기판(9)을 향해서 분사하는 것이 유효하다고 생각된다.
그런데, 그 한편으로, 발명자는, 순수와 혼합되는 질소 가스의 양이 증가하면, 생성된 순수 액적의 분사를 받은 다공성막(90)의 비유전률이 상승하는 것을 찾아냈다(도 9의 그래프 B1(DIW)를 참조. 다만, 도 9의 각 그래프에 있어서, 세로축은 비유전률의 변동율을, 가로축은 질소 가스의 유량을 각각 나타내고 있다). 순수와 비교적 다량의 질소 가스를 혼합하여 순수의 액적을 생성하고 이를 기판(9)에 분사한 경우에, 다공성막(90)의 비유전률이 상승해 버리는 원인은, 다음과 같이 생각할 수 있다. 즉, 일반적인 다공성막(90)의 다공의 평균 직경은 약 0.9nm으로 매우 미소하고, 순수 액적의 사이즈는, 다공의 사이즈보다도 크다. 이 때문에, 액적의 운동 에너지가 비교적 작으면, 해당 액적이 다공 내로 들어가지 않는다. 그런데, 상술한 대로, 질소 가스의 유량이 커짐에 따라서 생성되는 순수 액적의 운동 에너지가 커지기 때문에, 어느 경계치를 초과하는 유량의 질소 가스를 흐르게하면서 생성된 액적이 기판(9)에 분사되면, 순수 액적의 운동 에너지가 너무 커지기 때문에, 해당 액적의 일부가, 다공 내로 밀려들어가는 현상이 발생한다. 다공 내로 들어간 순수는, 스핀 드라이 등으로는 제거되기 힘들기 때문에, 다공 내에 잔류하고, 이것이, 다공성막(90)의 비유전률의 상승을 일으키는 원인이 된다. 다공 내로 들어간 순수는, 비유전률의 상승뿐만 아니라, 기판(9)의 금속 성분의 부식 등도 일으킬 우려가 있다. 즉, 다공 내로 들어간 순수는, 기판(9)에 각종 손상을 주는 원인이 될 수 있다.
이와 같이, 표층에 다공성막(90)이 형성되어 있는 기판(9)의 이물 제거율을 높이기 위해서는, 순수와 충분한 유량의 질소 가스를 혼합하여 순수의 액적을 생성하고, 해당 순수의 액적을 기판(9)을 향해서 분사하는 것이 유효한데, 그러한 세정 양태에서는, 기판(9)에 각종 손상(비유전률의 상승, 금속 성분의 부식 등)이 발생할 우려가 있는 것이, 발명자의 상기의 실험 및 고찰에 의해서 판명되었다.
또한, 발명자는, IPA의 경우는, 이와 혼합되는 질소 가스의 양이 증가해도, 생성된 IPA의 액적의 분사를 받은 다공성막(90)의 비유전률의 상승은 발생하기 어려운 것을 확인했다(도 9의 그래프 B2(IPA)). 이는, 순수보다도 휘발성이 높은 IPA는, 그 액적이 다공 내로 들어갔다고 해도, 다공 내에 잔류하지 않고, 신속하게 휘발하기 때문이라고 생각된다. 즉, 다공 내로 들어간 IPA는, 기판(9)에 손상을 주는 원인가 되기 어렵다.
상술한 바와 같이, 기판 처리 장치(100)에 있어서는, 처음에, 순수와 질소 가스를 혼합하여 순수의 액적을 생성하고, 해당 순수의 액적을 기판(9)을 향해서 분사하고(단계 S3：제1 액적 처리), 그 후, IPA와 질소 가스를 혼합하여 IPA의 액적을 생성하여, 해당 IPA의 액적을 기판(9)을 향해서 분사한다(단계 S4：제2 액적 처리).
이 구성에 의하면, 제1 액적 처리에 있어서, IPA보다도 이물 제거 능력이 높은 순수의 액적에 의해서, 표층에 다공성막(90)이 형성되어 있는 기판(9)에 부착되어 있는 이물이 유효하게 제거된다. 한편으로, 제1 액적 처리에 있어서 다공 내에 순수가 들어가 버렸다고 해도, 이 순수는, 계속되는 제2 액적 처리에 있어서, IPA로 치환되어, 다공 내로부터 제거된다. 따라서, 다공 내에 순수가 잔류하는 것에 기인하여 기판(9)에 손상이 생기지 않는다. 즉, 기판(9)의 손상을 걱정하지 않고, 순수의 액적을 생성할 때의 질소 가스의 유량을 크게 할 수 있다. 또한, 다공 내의 IPA는, 신속하게 휘발하므로, IPA가 기판(9)에 손상을 주지 않는다. 이와 같이, 상기의 양태에 의하면, 표층에 다공성막(90)이 형성되어 있는 기판(9)을, 손상을 억제하면서, 충분히 세정할 수 있다.
또한, 상기의 설명에 있어서는, 제1 처리액으로서 순수가, 제2 처리액으로서 IPA가, 각각 이용되고 있는데, 제1 처리액으로서, 물을 함유하는 처리액을 이용하고, 제2 처리액으로서, 제1 처리액보다도 휘발성이 높은 유기 용제를 이용하면, 순수와 IPA의 조합 이외의 처리액의 조합에서도, 상기에 설명한 것과 동일한 효과가 얻어진다. 즉, 제1 처리액으로서, 물을 함유하는 처리액(예를 들면, 탄산수)을 이용하면, 제1 처리액으로서 순수를 이용한 경우와 동정도 이상의 이물 제거 효과를 얻을 수 있다. 또한, 제1 액적 처리에 있어서 제1 처리액이 다공 내로 들어가 버려도, 해당 제1 처리액은, 계속되는 제2 액적 처리에 있어서, 제2 처리액으로 치환되어, 다공 내로부터 제거되므로, 다공 내에 물이 잔류하는 것에 기인하여 기판(9)에 손상이 생기지 않는다. 한편으로, 제2 처리액으로서, 제1 처리액보다도 휘발성이 높은 유기 용제(예를 들면, 메탄올, 에탄올, 아세톤, 및, IPA 중 적어도 1종을 포함하는 유기 용제)를 이용하면, 다공 내의 제1 처리액이 용이하게 제2 처리액으로 치환되므로, 다공 내에 제1 처리액이 잔존하는 것을 충분히 회피할 수 있다. 또한, 제1 처리액과 치환하여 다공 내로 들어간 제2 처리액은, 신속하게 휘발하므로, 해당 제2 처리액이 기판(9)에 손상을 주지도 않는다.
〈5.효과〉
상기의 실시 형태에 있어서는, 우선, 물을 함유하는 제1 처리액의 액적에 의해서, 기판(9)에 부착되어 있는 이물이 유효하게 제거된다. 이 때, 다공성막(90)의 다공 내로 들어가 버린 제1 처리액은, 다음 공정에서, 제2 처리액으로 치환되어, 다공 내로부터 제거된다. 따라서, 물을 함유하는 제1 처리액이 다공 내에 잔류하는 것에 기인하여 기판(9)에 손상이 생기지 않는다. 또한, 다공 내의 제2 처리액은, 신속하게 휘발하므로, 제2 처리액이 기판(9)에 손상을 주지도 않는다. 이와 같이, 상기의 실시의 형태에 의하면, 표층에 다공성막(90)이 형성되어 있는 기판을, 손상을 억제하면서, 충분히 세정할 수 있다.
또한, 상기의 실시의 형태에 의하면, 제1 처리액의 액적의 착액 위치가 이동하므로, 기판(9)의 상면 내의 넓은 범위(상기의 실시의 형태에 있어서는, 기판(9) 상면의 전역)에 제1 처리액의 액적을 충돌시킬 수 있다. 이에 따라, 기판(9)의 상면 내를 특히 충분히 세정할 수 있다.
또한, 상기의 실시의 형태에 의하면, 제2 처리액의 액적의 착액 위치가 이동하므로, 기판의 상면 내의 넓은 범위(상기의 실시의 형태에 있어서는, 기판(9)의 상면의 전역)에 제2 처리액의 액적을 충돌시킬 수 있다. 이에 따라, 기판(9)의 상면 내에 있어서의 손상의 발생을 특히 충분히 억제할 수 있다.
〈6, 변형예〉
상기의 실시의 형태에서는, 2 유체 노즐(31)은, 케이싱 외에서 처리액에 질소 가스를 충돌시켜 처리액의 액적을 생성하는, 소위, 외부 혼합형의 2 유체 노즐로 했는데, 케이싱 내에서 처리액에 질소 가스를 충돌시켜 처리액의 액적을 생성하는, 소위, 내부 혼합형의 2 유체 노즐이어도 된다.
또한, 상기의 실시의 형태에 있어서는, 2 유체 노즐(31)이 이동하면서 기판(9)을 향해서 액적을 분출하는 구성으로 했는데, 2 유체 노즐(31)이 이동하지 않고, 기판(9)의 상면 내에 있어서 정해진 위치를 향해서, 액적을 분출하는 구성으로 해도 된다. 예를 들면, 순수의 액적, 및, IPA의 액적 중 적어도 한쪽은, 정지한 2 유체 노즐(31)로부터, 기판(9)의 예를 들면 중심을 향하여 분출되는 구성으로 해도 된다.
또한, 상기의 실시의 형태에 있어서, 2 유체 노즐(31)이 기판(9)을 향해서 순수의 액적을 분출하는 것과 병행하여, 스트레이트 노즐 등으로부터, 기판(9)의 예를 들면 중심을 향하여, 액상의 순수가 토출 공급되는 구성으로 해도 된다.
또한, 상기의 실시의 형태에 있어서, 2 유체 노즐(31)이 기판(9)을 향해서 IPA의 액적을 분출하는 것과 병행하여, 스트레이트 노즐 등으로부터, 기판(9)의 예를 들면 중심을 향하여, 액상의 IPA가 토출 공급되는 구성으로 해도 된다.
또한, 상기의 실시의 형태에 있어서, 제1 액적 처리 및 제2 액적 처리 중 적어도 한쪽이 행해지는 동안, 스핀 베이스(11) 상의 기판(9)의 상면을 향해서 가스(예를 들면, 질소 가스)를 계속해서 공급해도 된다(소위, 커버 가스).
또한, 상기의 실시의 형태에 있어서는, 스핀 척(1)은, 기판(9)을 수평 방향으로 끼운 협지식의 척으로 했는데, 스핀 척은, 기판(9)의 하면을 흡착하는 진공식의 척이어도 된다.
또한, 상기의 실시의 형태에 있어서, 기판(9)은, 반도체 웨이퍼인 것으로 했는데, 기판(9)은, 액정 표시 장치용 유리 기판, 플라즈마 디스플레이용 유리 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광학 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 유리 기판, 태양 전지용 기판 등이어도 된다.
이상과 같이, 본 발명은 상세하게 나타내 기술되었지만, 상기의 기술은 모든 양태에 있어서 예시이며 한정적은 아니다. 따라서, 본 발명은, 그 발명의 범위 내에 있어서, 실시의 형태를 적절히, 변형, 생략하는 것이 가능하다.
1 : 스핀 척 11 : 스핀 베이스
2 : 비산 방지부 21 : 컵
3 : 액적 공급부 31 : 2 유체 노즐
32 : 처리액 공급부 321 : 제1 처리액 공급원
322 : 제2 처리액 공급원 324 : 제1 밸브
325 : 제2 밸브 33 : 가스 공급부
331 : 가스 공급원 333 : 가스 밸브
37 : 노즐 구동부 4 : 제어부
9 : 기판 90 : 다공성막
100 : 기판 처리 장치

Claims (7)

  1. 다공성 구조를 갖는 다공성막이 표층에 형성되어 있는 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    a) 물을 함유하는 제1 처리액과 기체를 혼합하여 상기 제1 처리액의 액적을 생성하고, 상기 제1 처리액의 액적을, 상기 다공성막을 향해서 분사하여, 상기 기판 표면의 전역에, 상기 제1 처리액의 액적을 충돌시켜, 상기 액적의 운동 에너지를 이용하여 해당 위치에 부착되어 있는 이물을 물리적으로 제거하는 공정과,
    b) 상기 a) 공정의 후에, 상기 제1 처리액보다도 휘발성이 높은 유기 용제인 제2 처리액과 기체를 혼합하여 상기 제2 처리액의 액적을 생성하고, 상기 제2 처리액의 액적을, 상기 다공성막을 향해서 분사하여, 상기 기판의 표면에, 상기 제2 처리액의 액적을 충돌시켜, 상기 액적의 운동 에너지를 이용하여 해당 위치에 부착되어 있는 이물을 물리적으로 제거하는 것과 더불어, 다공성막의 표면에 노출되어 있는 다공에 들어가 있는 상기 제1 처리액을 상기 제2 처리액으로 치환하는 공정을 구비하는 기판 처리 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 처리액이 순수인, 기판 처리 방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 처리액이 이소프로필알코올인, 기판 처리 방법.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 a) 공정에 있어서,
    상기 제1 처리액의 액적의 착액 위치를 이동시키면서, 상기 제1 처리액의 액적을 상기 다공성막을 향해서 분사하는, 기판 처리 방법.
  5. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 b) 공정에 있어서,
    상기 제2 처리액의 액적의 착액 위치를 이동시키면서, 상기 제2 처리액의 액적을 상기 다공성막을 향해서 분사하는, 기판 처리 방법.
  6. 다공성 구조를 갖는 다공성막이 표층에 형성되어 있는 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
    기판을 유지하는 유지부와,
    처리액과 기체를 혼합하여 상기 처리액의 액적을 생성하고, 상기 액적을 분사하는 2 유체 노즐과,
    상기 2 유체 노즐에, 물을 함유하는 제1 처리액의 액적을 생성시키고, 상기 제1 처리액의 액적을, 상기 다공성막을 향해서 분사시켜, 상기 기판 표면의 전역에, 상기 제1 처리액의 액적을 충돌시키는 것에 의해, 상기 액적의 운동 에너지를 이용하여 해당 위치에 부착되어 있는 이물을 물리적으로 제거하고, 그 후에, 상기 제1 처리액보다도 휘발성이 높은 유기 용제인 제2 처리액의 액적을 생성시키고, 상기 제2 처리액의 액적을, 상기 다공성막을 향해서 분사시켜, 상기 기판의 표면에, 상기 제2 처리액의 액적을 충돌시키는 것에 의해, 상기 액적의 운동 에너지를 이용하여 해당 위치에 부착되어 있는 이물을 물리적으로 제거하는 것과 더불어, 다공성막의 표면에 노출되어 있는 다공에 들어가 있는 상기 제1 처리액을 상기 제2 처리액으로 치환하는 제어부를 구비하는 기판 처리 장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 b) 공정에 있어서, 제2 처리액의 액적의 운동 에너지는, 다공성막의 표면에 노출되어 있는 다공에 들어갈 수 있는 운동 에너지인, 기판 처리 방법.
KR1020150005948A 2014-01-15 2015-01-13 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR101656981B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014004974A JP6320762B2 (ja) 2014-01-15 2014-01-15 基板処理装置および基板処理方法
JPJP-P-2014-004974 2014-01-15

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160112697A Division KR101790449B1 (ko) 2014-01-15 2016-09-01 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150085477A KR20150085477A (ko) 2015-07-23
KR101656981B1 true KR101656981B1 (ko) 2016-09-12

Family

ID=53521950

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150005948A KR101656981B1 (ko) 2014-01-15 2015-01-13 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR1020160112697A KR101790449B1 (ko) 2014-01-15 2016-09-01 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160112697A KR101790449B1 (ko) 2014-01-15 2016-09-01 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9673068B2 (ko)
JP (1) JP6320762B2 (ko)
KR (2) KR101656981B1 (ko)
CN (1) CN104779183B (ko)
TW (2) TWI555585B (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
US9768041B2 (en) 2013-08-12 2017-09-19 Veeco Precision Surface Processing Llc Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
JP6503281B2 (ja) 2015-11-13 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN105702606B (zh) * 2016-03-03 2019-01-11 京东方科技集团股份有限公司 一种气液喷雾刻蚀设备及方法
KR101910041B1 (ko) * 2016-04-29 2018-10-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20180003109A (ko) * 2016-06-30 2018-01-09 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6725384B2 (ja) * 2016-09-26 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6940281B2 (ja) * 2017-01-16 2021-09-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
WO2018200398A1 (en) 2017-04-25 2018-11-01 Veeco Precision Surface Processing Llc Semiconductor wafer processing chamber
KR101980618B1 (ko) * 2017-08-18 2019-08-28 삼성전자주식회사 2-유체 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN107611010A (zh) * 2017-08-31 2018-01-19 长江存储科技有限责任公司 一种晶圆清洗方法
JP7097809B2 (ja) * 2018-12-28 2022-07-08 東京エレクトロン株式会社 ガス導入構造、処理装置及び処理方法
CN110707022B (zh) * 2019-09-06 2022-07-29 长江存储科技有限责任公司 晶圆清洁装置
JP2021048336A (ja) * 2019-09-20 2021-03-25 三菱電機株式会社 処理液生成方法、処理液生成機構、半導体製造装置及び半導体製造方法
JP2021190561A (ja) 2020-05-29 2021-12-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009188116A (ja) * 2008-02-05 2009-08-20 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置及び処理方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3449776B2 (ja) 1993-05-10 2003-09-22 松下電器産業株式会社 デジタルデータ記録方法および装置
JP3729955B2 (ja) 1996-01-19 2005-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW402737B (en) 1997-05-27 2000-08-21 Tokyo Electron Ltd Cleaning/drying device and method
JPH10335298A (ja) 1997-05-27 1998-12-18 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
US5932493A (en) 1997-09-15 1999-08-03 International Business Machines Corporaiton Method to minimize watermarks on silicon substrates
JP2001176833A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
TW563196B (en) 2000-10-30 2003-11-21 Dainippon Screen Mfg Substrate processing apparatus
JP2003059894A (ja) 2001-06-05 2003-02-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4349606B2 (ja) 2002-03-25 2009-10-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法
US7524771B2 (en) 2002-10-29 2009-04-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing method using alkaline solution and acid solution
JP2009021617A (ja) 2002-11-12 2009-01-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法
JP2005197366A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 半導体装置の製造方法および基板処理装置
KR100722821B1 (ko) 2005-03-22 2007-05-30 성균관대학교산학협력단 개선된 반사체를 구비한 중성빔 식각장치
JP4527660B2 (ja) 2005-06-23 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2007012859A (ja) 2005-06-30 2007-01-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP4767767B2 (ja) 2006-06-19 2011-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2008034779A (ja) 2006-06-27 2008-02-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP4812563B2 (ja) 2006-08-29 2011-11-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP2009238793A (ja) 2008-03-26 2009-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP5413016B2 (ja) 2008-07-31 2014-02-12 東京エレクトロン株式会社 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体
JP2010103366A (ja) * 2008-10-24 2010-05-06 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄装置
CN101847567B (zh) 2009-03-26 2012-02-29 北京京东方光电科技有限公司 清洗基板的装置
JP5320244B2 (ja) 2009-09-29 2013-10-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR101266620B1 (ko) 2010-08-20 2013-05-22 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리방법 및 기판처리장치
JP5771035B2 (ja) 2011-03-29 2015-08-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP5642574B2 (ja) * 2011-01-25 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5837829B2 (ja) 2012-01-11 2015-12-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP5898549B2 (ja) 2012-03-29 2016-04-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009188116A (ja) * 2008-02-05 2009-08-20 Shibaura Mechatronics Corp 基板の処理装置及び処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104779183A (zh) 2015-07-15
TW201532691A (zh) 2015-09-01
US20150200087A1 (en) 2015-07-16
TWI555585B (zh) 2016-11-01
TW201707806A (zh) 2017-03-01
KR20150085477A (ko) 2015-07-23
KR101790449B1 (ko) 2017-10-25
JP2015133441A (ja) 2015-07-23
TWI576172B (zh) 2017-04-01
US9673068B2 (en) 2017-06-06
CN104779183B (zh) 2017-08-22
JP6320762B2 (ja) 2018-05-09
KR20160110314A (ko) 2016-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101790449B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101810748B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102238880B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102027725B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2015146546A1 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5694118B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
US10192771B2 (en) Substrate holding/rotating device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method
TWI698922B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP2004006618A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US10639683B2 (en) Recovery piping cleaning method and substrate processing apparatus
JP6512554B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP4442911B2 (ja) 基板処理装置
JP6103429B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2013207265A (ja) 基板処理装置
JP5276344B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP5961535B2 (ja) 基板液処理方法、基板液処理システムおよび記憶媒体
JP2011054823A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
TWI697948B (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
JP2022189496A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20200078792A (ko) 기판 처리 방법 및 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant