KR101980618B1 - 2-유체 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

2-유체 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101980618B1
KR101980618B1 KR1020170104764A KR20170104764A KR101980618B1 KR 101980618 B1 KR101980618 B1 KR 101980618B1 KR 1020170104764 A KR1020170104764 A KR 1020170104764A KR 20170104764 A KR20170104764 A KR 20170104764A KR 101980618 B1 KR101980618 B1 KR 101980618B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas supply
supply passage
liquid
mixing chamber
cross
Prior art date
Application number
KR1020170104764A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190019600A (ko
Inventor
김태홍
오정민
김진규
이강석
박소영
Original Assignee
삼성전자주식회사
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 세메스 주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020170104764A priority Critical patent/KR101980618B1/ko
Priority to US15/867,791 priority patent/US20190057882A1/en
Publication of KR20190019600A publication Critical patent/KR20190019600A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101980618B1 publication Critical patent/KR101980618B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/02—Spray pistols; Apparatus for discharge
    • B05B7/04—Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge
    • B05B7/0416—Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing one gas and one liquid
    • B05B7/0433—Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing one gas and one liquid with one inner conduit of gas surrounded by an external conduit of liquid upstream the mixing chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/02—Spray pistols; Apparatus for discharge
    • B05B7/04—Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge
    • B05B7/0416—Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing one gas and one liquid
    • B05B7/0483—Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing one gas and one liquid with gas and liquid jets intersecting in the mixing chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/24—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas with means, e.g. a container, for supplying liquid or other fluent material to a discharge device
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
    • B05B12/08—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means
    • B05B12/085—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means responsive to flow or pressure of liquid or other fluent material to be discharged
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/0221—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts
    • B05B13/0228—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work characterised by the means for moving or conveying the objects or other work, e.g. conveyor belts the movement of the objects being rotative
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/04—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation
    • B05B13/0431—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work the spray heads being moved during spraying operation with spray heads moved by robots or articulated arms, e.g. for applying liquid or other fluent material to 3D-surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
    • B05B7/24—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas with means, e.g. a container, for supplying liquid or other fluent material to a discharge device
    • B05B7/2489—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas with means, e.g. a container, for supplying liquid or other fluent material to a discharge device an atomising fluid, e.g. a gas, being supplied to the discharge device

Abstract

2-유체 노즐은 일 방향으로 연장하며 가스를 공급하기 위한 가스 공급로, 상기 가스 공급로의 연장 방향을 따라 상기 가스 공급로 둘레에 형성되며 상기 가스 공급로의 출구의 중심축을 향하는 방향으로 액체를 공급하기 위한 액체 공급로, 상기 일 방향으로 연장하며 상기 가스 공급로의 출구와 이격 배치되며 상기 가스 공급로와 상기 액체 공급로에 개방되어 상기 가스와 상기 액체를 혼합하여 액적을 형성하기 위한 혼합 챔버, 및 상기 혼합 챔버에 연통되며 상기 액적을 외부로 분사하기 위한 토출 가이드를 포함한다. 상기 가스 공급로는 제1 단면적을 가지며 상기 혼합 챔버는 상기 제1 단면적과 같은 제2 단면적을 가지고, 상기 토출 가이드는 상기 제1 단면적보다 작은 제3 단면적을 갖는다.

Description

2-유체 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{TWO-FLUID NOZZLE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME}
본 발명은 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 보다 자세하게, 본 발명은 내부 혼합형 2-유체 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치를 제조하는 각 단위 공정의 전/후 단계에서 기판 표면에 잔류하는 오염물을 제거하는 세정 공정이 수행되고 있다. 상기 세정 공정에 있어서, 노즐의 내부에서 가스와 약액을 혼합하여 액적(미스트)을 분사하는 내부 혼합형 2-유체 노즐이 사용되고 있다.
그러나, 종래의 2-유체 노즐의 경우, 가스가 토출되는 토출구 유로가 복잡하여 가스와 약액이 혼합되어 액적을 형성하는 과정에서 많은 양의 에너지가 소실되거나 가스와 약액이 혼합되어 가속되는 유로에서 마찰에 의해 에너지가 소실되어 기판에 분사되는 약액의 산포 불균형이 발생되어 세정 효율이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명의 일 과제는 높은 타력을 갖는 액적을 생성하여 세정 효율을 향상시킬 수 있는 2-유체 노즐을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 과제는 상술한 2-유체 노즐을 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른2-유체 노즐은 일 방향으로 연장하며 가스를 공급하기 위한 가스 공급로, 상기 가스 공급로의 연장 방향을 따라 상기 가스 공급로 둘레에 형성되며 상기 가스 공급로의 출구의 중심축을 향하는 방향으로 액체를 공급하기 위한 액체 공급로, 상기 일 방향으로 연장하며 상기 가스 공급로의 출구와 이격 배치되며 상기 가스 공급로와 상기 액체 공급로에 개방되어 상기 가스와 상기 액체를 혼합하여 액적을 형성하기 위한 혼합 챔버, 및 상기 혼합 챔버에 연통되며 상기 액적을 외부로 분사하기 위한 토출 가이드를 포함한다. 상기 가스 공급로는 제1 단면적을 가지며 상기 혼합 챔버는 상기 제1 단면적과 같은 제2 단면적을 가지고, 상기 토출 가이드는 상기 제1 단면적보다 작은 제3 단면적을 갖는다.
상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 2-유체 노즐은 공동부 및 상기 공동부에 순차적으로 연통된 혼합 챔버와 토출 가이드가 형성된 노즐 본체, 및 가스를 공급하기 위한 가스 공급부가 관통 형성되고 상기 공동부 내에 삽입 고정되며 상기 공동부의 내측면으로부터 이격되어 상기 가스 공급로의 출구의 중심축을 향하는 방향으로 액체를 공급하기 위한 액체 공급로를 형성하는 결합 부재를 포함한다. 상기 혼합 챔버는 상기 가스 공급로와 상기 액체 공급로에 연통되어 상기 가스와 상기 액체를 혼합하여 액적을 형성한다. 상기 가스 공급로는 제1 단면적을 가지며 상기 혼합 챔버는 상기 제1 단면적과 같은 제2 단면적을 가지고, 상기 토출 가이드는 상기 제1 단면적보다 작은 제3 단면적을 갖는다.
상기 본 발명의 다른 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 기판을 유지하는 지지 유닛 및 상기 기판 상에 가스와 액적을 내부에서 혼합하여 형성된 액적을 분사하는 노즐을 갖는 분사 유닛을 포함한다. 상기 노즐은, 일 방향으로 연장하며 상기 가스를 공급하기 위한 가스 공급로, 상기 가스 공급로의 연장 방향을 따라 상기 가스 공급로 둘레에 형성되며 상기 가스 공급로의 출구의 중심축을 향하는 방향으로 상기 액체를 공급하기 위한 액체 공급로, 상기 일 방향으로 연장하며 상기 가스 공급로의 출구와 이격 배치되며 상기 가스 공급로와 상기 액체 공급로에 개방되어 상기 가스와 상기 액체를 혼합하여 액적을 형성하기 위한 혼합 챔버, 및 상기 혼합 챔버에 연통되며 상기 액적을 외부로 분사하기 위한 토출 가이드를 포함한다. 상기 가스 공급로는 제1 단면적을 가지며 상기 혼합 챔버는 상기 제1 단면적과 같은 제2 단면적을 가지고, 상기 토출 가이드는 상기 제1 단면적보다 작은 제3 단면적을 갖는다.
예시적인 실시예들에 따르면, 2-유체 노즐은 가스 공급로, 액체 공급로, 및 상기 가스 공급로와 동축 상에 배치된 혼합 챔버와 토출 가이드를 포함할 수 있다. 상기 혼합 챔버는 상기 가스 공급로의 출구와 상기 액체 공급로의 출구에 개방되어 상기 혼합 챔버 내에서 가스와 액체가 혼합되어 액적을 형성할 수 있다. 상기 가스 공급로의 직경(D1)은 상기 혼합 챔버의 직경(D2)과 동일하고, 상기 토출 가이드의 직경(D3)은 상기 가스 공급로의 직경(D1)보다 작을 수 있다. 또한, 상기 토출 가이드의 길이(L2)는 상기 혼합 챔버의 길이(L2)보다 더 클 수 있다.
이에 따라, 타력이 높은 액적을 생성하여 기판의 오염 물질을 제거하고 세정 효율을 향상시킬 수 있다. 이러한 노즐은 고유량 대역용 노즐 또는 최대 타력용 노즐로 사용될 수 있다.
또한, 상기 유체 공급로 내에 분배 플레이트들이 형성되어 공급되는 액체의 균일성을 향상시키고, 상기 노즐은 도전성 합성 수지를 포함하고 접지되어 분사되는 액적의 정전기를 제거할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 2-유체 노즐을 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 2의 2-유체 노즐의 혼합 챔버를 나타내는 확대 단면도이다.
도 4는 도 2의 2-유체 노즐의 결합 부재의 일부를 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 2의 A-A' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 6은 도 2의 B-B' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 7은 도 2의 C-C' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 8은 도 1의 기판 처리 장치의 가스 공급부 및 액체 공급부를 나타내는 도면이다.
도 9a 내지 도 9c는 토출 가이드와 가스 공급로(혼합 챔버)의 직경 비율에 따른 분사되는 액적의 타력(충격력)을 나타내는 그래프들이다.
도 10a 내지 도 10c는 토출 가이드와 혼합 챔버의 길이 비율에 따른 분사되는 액적의 타력(충격력)을 나타내는 그래프들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 2-유체 노즐을 나타내는 단면도이다. 도 3은 도 2의 2-유체 노즐의 혼합 챔버를 나타내는 확대 단면도이다. 도 4는 도 2의 2-유체 노즐의 결합 부재의 일부를 나타내는 사시도이다. 도 5는 도 2의 A-A' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 6은 도 2의 B-B' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 7은 도 2의 C-C' 라인을 따라 절단한 단면도이다. 도 8은 도 1의 기판 처리 장치의 가스 공급부 및 액체 공급부를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 웨이퍼(W)와 같은 기판을 유지하기 위한 지지 유닛(20) 및 상기 기판 상에 액적을 분사하는 노즐(100)을 갖는 분사 유닛(30)을 포함할 수 있다. 기판 처리 장치(10)는 지지 유닛(20)을 둘러싸며 상기 기판을 처리하기 위한 공간을 제공하는 컵(40) 및 컵(40)을 상하 방향으로 승하강시키기 위한 승강 유닛(50)을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 기판 처리 장치(10)는 상기 기판에 대하여 세정 공정을 수행하기 위한 공정 챔버 내에 배치될 수 있다. 복수 개의 공정 챔버들이 기판 처리 설비에 구비될 수 있다. 상기 공정 챔버들은 상기 기판 처리 설비의 이송 챔버를 따라 배치될 수 있다. 상기 이송 챔버를 통해 상기 기판이 상기 공정 챔버로 반송될 수 있다.
각각의 공정 챔버 내에 배치된 기판 처리 장치(10)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 각각의 공정 챔버 내의 기판 처리 장치(10)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 이와 다르게, 상기 공정 챔버들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버들에 제공된 기판 처리 장치들(10)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버들에 제공된 기판 처리 장치들(10)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 지지 유닛(20)은 세정 공정 중에 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 지지 유닛(20)은 스핀 헤드(22), 보유 부재(24), 지지 핀(26), 구동부(28) 및 구동축(29)을 포함할 수 있다. 스핀 헤드(22)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가질 수 있다. 스핀 헤드(22)는 구동부(28)에 의해 회전 가능한 구동축(29)에 고정 결합될 수 있다. 이에 따라, 구동축(29)이 회전함에 따라 스핀 헤드(22)가 회전하게 된다.
스핀 헤드(22)는 기판(W)을 지지하기 위한 보유 부재(24) 및 지지 핀(26)을 포함할 수 있다. 복수 개의 보유 부재들(24)이 스핀 헤드(22)의 상부면의 가장자리 영역을 따라 소정 간격으로 이격 배치될 수 있다. 보유 부재들(24)은 스핀 헤드(22)로부터 상부로 돌출하여 기판(W)의 측면을 접촉 지지할 수 있다. 복수 개의 지지 핀들(26)은 스핀 헤드(22)의 상부면으로부터 돌출하여 기판(W)의 저면을 접촉 지지할 수 있다.
분사 유닛(30)은 기판(W) 상에 처리 유체를 공급하기 위한 노즐(100) 및 노즐(100)을 이동시키는 구동 기구를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 처리 유체는 초순수(DIW), 케미컬 등을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 구동 기구는 노즐 아암(32), 회전축(34) 및 구동부(36)를 포함할 수 있다. 노즐(100)은 스핀 헤드(22)에 유지된 웨이퍼(W) 상부에 대략적으로 수평으로 배치된 노즐 아암(32)의 선단에 부착될 수 있다. 노즐 아암(32)의 기단은 대략적으로 수직 방향을 향해 배치된 회전축(34)의 상단에 고정되고, 회전축(34)의 하단은 구동부(36)에 결합될 수 있다.
노즐(100)은 구동부(36)에 의해 공정 위치와 대기 위치 사이에서 이동될 수 있다. 구동부(36)의 구동에 의해 노즐 아암(32)을 회전축(34)을 중심으로서 대략 수평면 내에서 회전시키고, 노즐(100)을 노즐 아암(15)과 일체적으로 적어도 웨이퍼(W)의 중앙부 위쪽으로부터 웨이퍼(W)의 주연부 위쪽까지 이동시킬 수 있다. 또한, 구동부(36)의 구동에 의해 회전축(34)을 승강시키고, 노즐(100)을 노즐 아암(32) 및 회전축(34)과 일체적으로 승강시킬 수 있다.
컵(40)은 스핀 헤드(22) 상에 유지된 기판(W)의 주위를 포위할 수 있다. 컵(40)은 기판(W)이 처리되는 공간을 제공하며, 개방된 상부를 가질 수 있다.
예를 들면, 컵(40)은 제1 회수부(42), 제2 회수부(44) 및 제3 회수부(46)를 포함할 수 있다. 각각의 회수부들(42, 44, 46)은 세정 공정 중에 사용된 처리 유체 중 서로 상이한 처리 유체를 회수할 수 있다. 제1 회수부(42)는 지지 유닛(20)을 감싸는 환형의 링 형상을 가질 수 있고, 제2 회수부(44)는 제1 회수부(42)를 감싸는 환형의 링 형상을 가질 수 있고, 제3 회수부(46)는 제2 회수부(44)를 감싸는 환형의 링 형상을 가질 수 있다.
제1 회수부(42)의 제1 내부 공간(42a), 제1 회수부(42)와 제2 회수부(44)의 사이의 제2 내부 공간(44a), 및 제2 회수부(44)와 제3 회수부(46)의 사이의 제3 내부 공간(46a)은 각각 제1 회수부(42), 제2 회수부(44), 및 제3 회수부(46)로 처리 유체가 각각 유입되는 유입구로서의 기능을 수행할 수 있다. 각각의 제1 내지 제3 회수부들(42, 44, 46)은 제1 내지 제3 회수 라인들(43, 45, 47)이 각각 연결될 수 있다. 각각의 제1 내지 제3 회수 라인들(43, 45, 47)을 통해 각각의 제1 내지 제3 회수부들(42, 44, 46)로 유입된 처리 유체를 배출할 수 있다.
승강 유닛(50)은 컵(40)을 상하 방향으로 승하강시킬 수 있다. 승강 유닛(50)은 컵(40)의 복수 개의 회수부들(42, 44, 46)을 함께 또는 개별적으로 이동시킬 수 있다. 컵(40)이 상하로 이동됨에 따라 지지 유닛(20)에 대한 컵(40)의 상대적인 높이가 변경될 수 있다. 예를 들면, 승강 유닛(50)은 브라켓(52), 이동축(54), 및 구동기(56)를 포함할 수 있다. 브라켓(52)은 컵(20)의 외벽에 고정 설치되고, 구동기(56)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(54)은 브라켓(52)에 결합될 수 있다.
기판(W)이 지지 유닛(20)에 로딩 또는 언로딩될 때, 컵(40)은 승강 유닛(50)에 의해 하강되어 지지 유닛(20)이 컵(40)의 상부로 돌출될 수 있다. 또한, 세정 공정이 진행될 때, 기판(W)에 공급된 처리 유체의 종류에 따라 처리 유체가 기 설정된 회수부로 유입될 수 있도록 컵(40)의 높이가 조절될 수 있다.
이하에서는, 도 2 내지 도 8을 참조로 하여 예시적인 실시예들에 따른 2-유체 노즐에 대하여 설명하기로 한다.
도 2 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 2-유체 노즐(100)은 내부에 질소(N2) 등의 가스를 공급하기 위한 가스 공급로(122), 내부에 순수(DIW) 등의 액체를 공급하기 위한 액체 공급로(124), 상기 가스와 상기 액체를 혼합하여 액적을 형성하기 위한 혼합 챔버(114) 및 상기 액적을 외부로 분사하기 위한 토출 가이드(116)를 포함할 수 있다. 또한, 2-유체 노즐(100)은 액체 공급로(124) 내에 배치되어 상기 액체의 흐름을 분배하기 위한 분배 가이드를 더 포함할 수 있다.
가스 공급로(122)는 제1 방향으로 연장할 수 있다. 가스 공급로(122)는 원형 또는 타원형의 단면 형상을 가질 수 있다. 가스 공급로(122)의 단면적은 입구에서 출구까지 일정할 수 있다. 예를 들면, 가스 공급로(122)는 길이 방향을 따라 일정한 크기의 제1 직경(D1)을 갖는 원형의 단면 형상을 가질 수 있다.
액체 공급로(124)는 가스 공급로(122)의 연장 방향을 따라 가스 공급로(122) 둘레에 형성될 수 있다. 가스 공급로(122)는 액체 공급로(124) 내측을 통과하도록 배치될 수 있다. 액체 공급로(124)는 환형의 단면 형상을 가질 수 있다. 액체 공급로(124)는 환형의 실린더 형상을 가질 수 있다.
액체 공급로(124)는 액체 도입로(111)에 연통되어 순수(DIW)를 내부로 도입하도록 구성될 수 있다. 액체 도입로(111)는 액체 공급로(124)의 외주면에 개구될 수 있다. 액체 도입로(111)는 액체 공급로(124)의 환형 형상의 유체 통로에 대하여 일정한 각도를 가지고 연통될 수 있다. 예를 들면, 액체 도입로(111)는 가스 공급로(122)의 연장 방향과 평행한 방향으로 연장하는 상기 유체 통로의 외주면에 대하여 직교하는 방향으로 연통될 수 있다.
액체 공급로(124)는 가스 공급로(122)의 출구에 가까워질수록 내경 및 외경이 작아지는 테이퍼부(125)를 포함할 수 있다. 환형의 단면 형상을 갖는 테이퍼부(125)의 단면적은 가스 공급로(122)의 연장 방향을 따라 점차적으로 감소할 수 있다. 테이퍼부(125)의 출구, 즉, 액체 공급로(124)의 출구는 가스 공급로(122)의 출구의 중심축을 향하는 방향으로 개방될 수 있다. 액체 공급로(124)의 출구는 가스 공급로(122)의 출구와 혼합 챔버(114)의 입구 사이에 환형으로 개구되어 있다. 테이퍼부(125)는 가스 공급로(122)의 중심축(X)에 대하여 40도 내지 80도의 각도로 경사질 수 있다.
혼합 챔버(114)는 가스 공급로(122)의 출구와 이격 배치될 수 있다. 혼합 챔버(114)는 가스 공급로(122)와 액체 공급로(124)에 개방될 수 있다. 혼합 챔버(114)는 상기 제1 방향으로 연장할 수 있다. 혼합 챔버(114)는 가스 공급로(122)와 동일한 축(X) 상에 배치될 수 있다. 혼합 챔버(114)는 원형 또는 타원형의 단면 형상을 가질 수 있다. 혼합 챔버(114)의 단면적은 입구에서 출구까지 일정할 수 있다. 예를 들면, 혼합 챔버(114)는 길이 방향을 따라 일정한 크기의 제1 직경(D1)을 갖는 원형의 단면 형상을 가질 수 있다. 따라서, 액체 공급로(124)를 통해 공급된 순수(DIW)는 가스 공급로(122)로부터 공급된 질소 가스는 혼합 챔버(114) 내에서 혼합되어 액적을 형성할 수 있다.
토출 가이드(116)는 혼합 챔버(114)에 연통될 수 있다. 토출 가이드(116)는 상기 제1 방향으로 연장할 수 있다. 토출 가이드(116)는 가스 공급로(116)와 동일한 축(X) 상에 배치될 수 있다. 토출 가이드(116)는 원형 또는 타원형의 단면 형상을 가질 수 있다. 토출 가이드(116)의 단면적은 입구에서 출구까지 일정할 수 있다. 예를 들면, 토출 가이드(116)는 길이 방향을 따라 일정한 크기의 제2 직경(D2)을 갖는 원형의 단면 형상을 가질 수 있다. 따라서, 혼합 챔버(114)에서 형성된 상기 액적은 토출 가이드(116)의 내벽을 따라 이동하여 토출 가이드(116)의 출구를 통해 외부로 분사될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 가스 공급로(122) 및 혼합 챔버(114)는 제1 직경(D1)을 가지고, 토출 가이드(116)는 제1 직경(D1)보다 작은 제2 직경(D2)을 가질 수 있다. 가스 공급로(122)는 제1 단면적을 가지며 혼합 챔버(114)는 상기 제1 단면적과 같은 제2 단면적을 가지고, 토출 가이드(116)는 상기 제1 단면적보다 작은 제3 단면적을 가질 수 있다. 예를 들면, 토출 가이드(116)와 혼합 챔버(114)의 직경 비율(D2/D1)은 0.65 내지 0.75일 수 있다. 또한, 액체 공급로(124)의 토출 면적은 4mm2내지 10mm2일 수 있다.
혼합 챔버(114)는 제1 길이(L1)를 가지고, 토출 가이드(116)는 제1 길이(L1)보다 큰 제2 길이(L2)를 가질 수 있다. 예를 들면, 토출 가이드(116)와 혼합 챔버(114)의 길이 비율(L2/L1)은 6 내지 8일 수 있다. 예를 들면, 혼합 챔버(114)는 4mm 내지 10mm의 제1 길이(L1)를 가지고, 토출 가이드(116)는 4mm 내지 20mm의 제2 길이(L2)를 가질 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 2-유체 노즐(100)은 공동부(112) 및 공동부(112)에 순차적으로 연통된 혼합 챔버(114)와 토출 가이드(116)가 형성된 노즐 본체(110), 및 가스 공급로(122)가 관통 형성되며 노즐 본체(110)에 결합하는 결합 부재(120)를 포함할 수 있다.
공동부(112), 혼합 챔버(114) 및 토출 가이드(116)는 동일한 중심축(X)을 가지고 일방향으로 연장 형성될 수 있다. 공동부(112)와 혼합 챔버(114) 사이에는 직경이 점차적으로 감소하는 테이퍼면(113)이 형성될 수 있다.
결합 부재(120)는 공동부(112) 내에 삽입 고정되는 삽입부(121) 및 노즐 본체(110)의 기단측에 배치되는 헤드부(123)를 포함할 수 있다. 삽입부(121)는 공동부(112)의 내경과 실질적으로 동일한 제1 외경을 갖는 제1 실린더부(121a), 제1 실린더부(121a)의 상기 제1 외경보다 작은 제2 외경을 갖는 제2 실린더부(121b), 및 제2 실린더부(121b)의 상기 제2 외경으로부터 점차적으로 감소하는 제3 외경을 갖는 원뿔대부(121c)를 포함할 수 있다.
가스 공급로(122)는 결합 부재(120)를 관통 형성되고, 가스 공급로(122)의 출구는 원뿔대부(121c)의 선단부의 평면에 개구되도록 형성될 수 있다.
결합 부재(120)는 공동부(112)의 내측면으로부터 이격되어 상기 액체를 공급하기 위한 액체 공급로(124)를 형성할 수 있다. 삽입부(121)가 공동부(112) 내로 삽입 고정될 때, 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 실린더부(121b)의 외측면과 공동부(112)의 내측면 사이에 환형의 간극, 즉, 액체 공급로(124)가 형성될 수 있다. 또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 원뿔대부(121c)의 외측면과 테이퍼면(113) 사이에 환형의 간극, 즉, 테이퍼부(125)가 형성될 수 있다.
헤드부(123)는 공동부(112)의 개방 단부를 차단하고, 노즐 본체(110)와 결합 부재(120) 사이에는 O-링과 같은 밀봉 부재(140)가 개재되어 공동부(112)는 유체 밀봉될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 분배 가이드는 액체 공급로(124) 내에 원주 방향을 따라 이격 배치되어 상기 액체의 흐름을 분배하기 위한 복수 개의 차단 플레이트들(130)을 포함할 수 있다. 차단 플레이트들(130) 사이에는 상기 액체가 통과하는 가이드 홈(132)이 형성될 수 있다.
차단 플레이트(130)는 결합 부재(120)의 외측면 상에 돌출 형성될 수 있다. 예를 들면, 차단 플레이트(130)는 제2 실린더부(121b)의 외측면 상에 돌출 형성될 수 있다. 차단 플레이트(130)는 가스 공급로(122)의 연장 방향과 평행한 방향으로 연장 형성될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 복수 개의 차단 플레이트들(130)은 액체 공급로(124) 내에서 원주 방향을 따라 서로 이격 배치될 수 있다. 이에 따라, 액체 공급로(124)를 흐르는 액체는 차단 플레이트들(130) 사이의 가이드 홈(132)을 통해 흐르게 되어, 액체 공급로(124) 내에서 흐르는 상기 액체의 균일성을 향상시킬 수 있다. 이어서, 균일하게 분배된 액체는 테이퍼부(125)를 통해 가스 공급로(122)의 출구의 중심축(X)을 향하는 방향으로 배출된 후, 혼합 챔버(114) 내에서 상기 액체와 상기 가스가 혼합 되어 액적을 형성할 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(10)는 노즐(100)의 가스 공급로(122)에 상기 가스를 공급하기 위한 가스 공급부 및 노즐(100)의 액체 공급로(124)에 상기 액체를 공급하기 위한 액체 공급부를 더 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 가스 공급부는 가스 공급 배관(62), 제1 유량계(64), 및 제1 유량 제어 밸브(66)를 포함할 수 있다. 가스 공급 배관(62)은 노즐(100)의 가스 공급로(122)에 접속되어 가스 공급원(60)으로부터의 상기 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급원(60)은 질소(N2) 가스를 공급할 수 있다. 제1 유량계(64)는 가스 공급 배관(62)에 설치되어 가스 공급 배관(62)을 통해 흐르는 상기 가스의 유량을 검출할 수 있다. 제1 유량 제어 밸브(66)는 상기 검출된 가스 유량에 기초하여 가스 공급 배관(62)을 통해 흐르는 상기 가스의 유량을 제어할 수 있다. 제어부(80)는 제1 유량계(64)로부터의 유량 검출값에 기초하여, 가스 공급 배관(62)을 통해 원하는 유량의 가스가 흐르도록 제1 유량 제어 밸브(66)의 개방도를 조절하는 제1 제어 신호를 제1 유량 제어 밸브(66)에 출력할 수 있다.
상기 액체 공급부는 액체 공급 배관(72), 제2 유량계(74), 및 제2 유량 제어 밸브(76)를 포함할 수 있다. 액체 공급 배관(72)은 노즐(100)의 액체 도입부(111)에 접속되어 액체 공급원(70)으로부터의 상기 액체를 공급할 수 있다. 액체 공급원(70)은 순수(DIW) 또는 케미컬을 공급할 수 있다. 제2 유량계(74)는 액체 공급 배관(72)에 설치되어 액체 공급 배관(72)을 통해 흐르는 상기 액체의 유량을 검출할 수 있다. 제2 유량 제어 밸브(76)는 상기 검출된 액체 유량에 기초하여 액체 공급 배관(72)을 통해 흐르는 상기 액체의 유량을 제어할 수 있다. 제어부(80)는 제2 유량계(74)로부터의 유량 검출값에 기초여, 액체 공급 배관(62)을 통해 원하는 유량의 액체가 흐르도록 제2 유량 제어 밸브(76)의 개방도를 조절하는 제2 제어 신호를 제2 유량 제어 밸브(76)에 출력할 수 있다.
또한, 제어부(80)는 상기 가스와 상기 액체의 유량 비율을 제어할 수 있다. 예를 들면, 제어부(80)는 상기 가스 유량이 변하더라도 일정한 유량의 액체를 공급하도록 제어할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 노즐(100)은 도전성 수지를 포함할 수 있다. 노즐 본체(110) 및 결합 부재(120)는 도전성 합성 수지를 포함할 수 있다. 도전성 재료를 포함하는 노즐(100)은 접지될 수 있다. 이에 따라, 기판(W) 상으로 액적을 분사할 때 정전기가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
노즐 본체(110) 및 결합 부재(120)는 비도전성 수지 및 카본(C) 계열, 실리콘(Si) 계열 또는 금속 계열의 충전재를 포함할 수 있다. 상기 실리콘 계열의 충전재는 실리콘, 탄화 실리콘 등을 포함할 수 있다. 상기 금속 계열의 충전재는 티탄, 탄탈, 지르코늄 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 예를 들면, 노즐(100)은 100kΩ 이하의 저항을 가질 수 있다.
도 9a 내지 도 9c는 토출 가이드와 가스 공급로(혼합 챔버)의 직경 비율에 따른 분사되는 액적의 타력(충격력)을 나타내는 그래프들이다.
도 9a 내지 도 9c를 참조하면, 가스 유량이 증가함에 따라(80LPM, 100LPM, 가스 최대 유량), 충격력이 전체적으로 증가함을 알 수 있다. 특히, 토출 가이드(116)와 가스 공급로(122)의 직경 비율(D3/D1, 또는 D3/D2)이 0.65 내지 0.75일 때, 가스 유량이 증가할수록 충격력의 증가 폭이 가장 크다는 것을 알 수 있다. 또한, 토출 가이드(116)와 가스 공급로(122)의 직경 비율(D3/D1)이 0.65 내지 0.75일 때, 액체 유량이 큰(200cc 이상) 고유량 대역용 노즐에 적합함을 알 수 있다. 특히, 토출 가이드(116)가 가스 공급로(122)의 직경 비율(D3/D1)이 0.75일 때, 가스 유량이 최대이고(110LMP 이상) 액체 유량이 큰(200cc 이상) 최대 타력용 노즐에 적합함을 알 수 있다.
도 10a 내지 도 10c는 토출 가이드와 혼합 챔버의 길이 비율에 따른 분사되는 액적의 타력(충격력)을 나타내는 그래프들이다.
도 10a 내지 도 10c를 참조하면, 가스 유량이 증가함에 따라(80LPM, 100LPM, 가스 최대 유량), 충격력이 전체적으로 증가함을 알 수 있다. 특히, 토출 가이드(116)와 혼합 챔버(114)의 길이 비율(L2/L1)이 6 내지 8일 때, 가스 유량이 증가할수록 충격력의 증가 폭이 가장 크다는 것을 알 수 있다. 또한, 토출 가이드(116)와 혼합 챔버(114)의 길이 비율(L2/L1)이 6 내지 8일 때, 액체 유량이 큰(200cc 이상) 고유량 대역용 노즐에 적합함을 알 수 있다. 특히, 토출 가이드(116)와 혼합 챔버(114)의 길이 비율(L2/L1)이 0.75일 때, 가스 유량이 최대이고(110LMP 이상) 액체 유량이 큰(200cc 이상) 최대 타력용 노즐에 적합함을 알 수 있다.
상술한 바와 같이, 가스 공급로(122)의 직경(D1)은 혼합 챔버(114)의 직경(D2)과 동일하고, 토출 가이드(116)의 직경(D3)은 가스 공급로(122)의 직경(D1)보다 작을 수 있다. 토출 가이드(116)의 길이(L2)는 혼합 챔버(114)의 길이(L2)보다 더 클 수 있다.
또한, 토출 가이드(116)와 가스 공급로(122)의 직경 비율(D3/D1)은 0.65 내지 0.75이고, 토출 가이드(116)와 혼합 챔버(114)의 길이 비율(L2/L1)은 6 내지 8일 수 있다. 이러한 범위들을 갖는 노즐은 타력이 높은 액적을 생성하여 기판의 오염 물질을 제거하고 세정 효율을 향상시킬 수 있다. 따라서, 상기 노즐은 고유량 대역용 노즐 또는 최대 타력용 노즐로 사용될 수 있다.
또한, 유체 공급로(124) 내에 분배 플레이트들(130)이 형성되어 공급되는 액체의 균일성을 향상시키고, 노즐(100)은 도전성 합성 수지를 포함하고 접지되어 분사되는 액적의 정전기를 제거할 수 있다.
전술한 기판 처리 장치는 로직 소자나 메모리 소자와 같은 반도체 소자를 제조하는 데 사용될 수 있다. 상기 반도체 소자, 예를 들어 중앙처리장치(CPU, MPU), 애플리케이션 프로세서(AP) 등과 같은 로직 소자, 예를 들어 에스램(SRAM) 장치, 디램(DRAM) 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치, 및 예를 들어 플래시 메모리 장치, 피램(PRAM) 장치, 엠램(MRAM) 장치, 알램(RRAM) 장치 등과 같은 불휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10: 기판 처리 장치 20: 지지 유닛
22: 스핀 헤드 24: 보유 부재
26: 지지 핀 28: 구동부
29: 구동축 30: 분사 유닛
32: 노즐 아암 34: 회전축
36: 구동부 40: 컵
42: 제1 회수부 42a: 제2 내부 공간
43: 제1 회수 라인 44: 제2 회수부
44a: 제2 내부 공간 45: 제2 회수 라인
46: 제3 회수부 46a: 제3 내부 공간
47: 제3 회수 라인 50: 승강 유닛
52: 브라켓 54: 이동축
56: 구동기 60: 가스 공급원
62: 가스 공급 배관 64: 제1 유량계
66: 제1 유량 제어 밸브 70: 액체 공급원
72: 유체 공급 배관 74: 제2 유량계
76: 제2 유량 제어 밸브 80: 제어부
100: 노즐 110: 노즐 본체
111: 액체 도입로 112: 공동부
113: 테이퍼면 114: 혼합 챔버
116: 토출 가이드 120: 결합 부재
121: 삽입부 121a: 제1 실린더부
121b: 제2 실린더부 121c: 원뿔대부
122: 가스 공급로 123: 헤드부
124: 액체 공급로 125: 테이퍼부
130: 차단 플레이트 132: 가이드 홈
140: 밀봉 부재

Claims (10)

  1. 일 방향으로 연장하며 가스를 공급하기 위한 가스 공급로;
    상기 가스 공급로의 연장 방향을 따라 상기 가스 공급로 둘레에 형성되며, 상기 가스 공급로의 출구의 중심축을 향하는 방향으로 액체를 공급하기 위한 액체 공급로;
    상기 일 방향으로 연장하며 상기 가스 공급로의 출구와 이격 배치되며, 상기 가스 공급로와 상기 액체 공급로에 개방되어 상기 가스와 상기 액체를 혼합하여 액적을 형성하기 위한 혼합 챔버;
    상기 혼합 챔버에 연통되며, 상기 액적을 외부로 분사하기 위한 토출 가이드; 및
    상기 액체 공급로 내에 원주 방향을 따라 이격 배치되어 상기 액체의 흐름을 분배하기 위한 복수 개의 차단 플레이트들을 갖는 분배 가이드를 포함하고,
    상기 가스 공급로는 제1 단면적을 가지며 상기 혼합 챔버는 상기 제1 단면적과 같은 제2 단면적을 가지고, 상기 토출 가이드는 상기 제1 단면적보다 작은 제3 단면적을 가지며,
    상기 가스 공급로의 직경(D1)은 상기 혼합 챔버의 직경(D2)과 동일하고 상기 토출 가이드의 직경(D3)보다 크며, 상기 토출 가이드의 길이(L2)는 상기 혼합 챔버의 길이(L1)보다 크고,
    상기 토출 가이드와 상기 혼합 챔버의 직경 비율(D3/D2)이 0.65 내지 0.75이고, 상기 토출 가이드와 상기 혼합 챔버의 길이 비율(L2/L1)이 6 내지 8인 2-유체 노즐.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 액체 공급로는 상기 가스 공급로를 둘러싸는 환형의 단면 형상을 갖는 2-유체 노즐.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 차단 플레이트들 사이에 상기 액체가 통과하는 가이드 홈이 형성되는 2-유체 노즐.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 액체 공급로는 상기 분배 가이드 하부에 상기 가스 공급로의 출구에 가까워질수록 직경이 작아지는 테이퍼부를 포함하고, 상기 테이퍼부는 상기 혼합 챔버와 연통하는 2-유체 노즐.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 액체 공급로에 연통하여 상기 액체를 내부로 도입하기 위한 액체 도입로를 더 포함하는 2-유체 노즐.
  9. 제 1 항에 있어서, 공동부 및 상기 공동부에 연통된 상기 혼합 챔버와 상기 토출 가이드가 형성된 노즐 본체, 및 상기 가스 공급로가 관통 형성되며 상기 공동부 내에 삽입 고정되며 상기 공동부의 내측면으로부터 이격되어 상기 액체 공급로를 형성하는 결합 부재를 포함하는 2-유체 노즐.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 노즐 본체는 도전성 수지를 포함하는 2-유체 노즐.
KR1020170104764A 2017-08-18 2017-08-18 2-유체 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 KR101980618B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170104764A KR101980618B1 (ko) 2017-08-18 2017-08-18 2-유체 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US15/867,791 US20190057882A1 (en) 2017-08-18 2018-01-11 Two-fluid nozzle and substrate processing apparatus and method using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170104764A KR101980618B1 (ko) 2017-08-18 2017-08-18 2-유체 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190019600A KR20190019600A (ko) 2019-02-27
KR101980618B1 true KR101980618B1 (ko) 2019-08-28

Family

ID=65361287

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170104764A KR101980618B1 (ko) 2017-08-18 2017-08-18 2-유체 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20190057882A1 (ko)
KR (1) KR101980618B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100782707B1 (ko) * 2001-12-24 2007-12-07 주식회사 포스코 제강공정에서 용강의 재산화 방지방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102331650B1 (ko) 2019-09-25 2021-11-30 세메스 주식회사 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 노즐 유닛
KR102491899B1 (ko) 2021-03-08 2023-01-26 (주)에이피아이 분사 노즐 장치
KR102492662B1 (ko) 2021-03-08 2023-01-27 (주)에이피아이 분사 노즐 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005294819A (ja) * 2004-03-09 2005-10-20 Renesas Technology Corp 基板洗浄用２流体ノズル及び基板洗浄装置
JP2012018980A (ja) 2010-07-06 2012-01-26 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2015133441A (ja) * 2014-01-15 2015-07-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58156548U (ja) * 1982-04-08 1983-10-19 株式会社共立合金製作所 気液混合噴霧用ノズル装置
JP4349606B2 (ja) * 2002-03-25 2009-10-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄方法
US7524771B2 (en) * 2002-10-29 2009-04-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing method using alkaline solution and acid solution
US20040235308A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-25 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and sustrate treatment apparatus
KR20160127537A (ko) * 2015-04-27 2016-11-04 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치 및 이에 사용되는 혼합 노즐

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005294819A (ja) * 2004-03-09 2005-10-20 Renesas Technology Corp 基板洗浄用２流体ノズル及び基板洗浄装置
JP2012018980A (ja) 2010-07-06 2012-01-26 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2015133441A (ja) * 2014-01-15 2015-07-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100782707B1 (ko) * 2001-12-24 2007-12-07 주식회사 포스코 제강공정에서 용강의 재산화 방지방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20190057882A1 (en) 2019-02-21
KR20190019600A (ko) 2019-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101980618B1 (ko) 2-유체 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR101244903B1 (ko) 유체 배출 장치
KR101091088B1 (ko) 2 유체 노즐
US20070169793A1 (en) Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP5536009B2 (ja) 基板加工装置
KR101582248B1 (ko) 2 유체 노즐 및 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법
CN108074858A (zh) 基板湿式处理装置
CN106409657B (zh) 喷嘴和包括该喷嘴的基板处理设备
KR20140113511A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2012190868A (ja) ２流体ノズル、基板液処理装置、基板液処理方法、及び基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
TWI344862B (en) Nozzle device for applying two fluids
US20170157625A1 (en) Coating apparatus and method of forming coating film
KR20150139705A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2016190029A1 (ja) 基板処理装置
KR102604406B1 (ko) 노즐 유닛 및 이를 구비한 기판 처리 장치
JP4222876B2 (ja) 基板処理装置
TWI611476B (zh) 用以處理晶圓狀物件之設備
CN105070676B (zh) 一种双氮气保护喷射装置及使用该装置的晶片清洗方法
KR101879305B1 (ko) 초음파 세정 장치 및 이를 포함하는 세정 시스템
KR102401419B1 (ko) 반도체 웨이퍼용 분사 노즐
KR20230144945A (ko) 기판 처리 장치 및 이를 포함하는 시스템
JP2015167234A (ja) ２流体ノズル及び基板液処理装置並びに基板液処理方法
JPH05168982A (ja) 処理液供給ノズル
KR20160114944A (ko) 가열부 및 이를 구비하는 세정장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant