CN105070676B - 一种双氮气保护喷射装置及使用该装置的晶片清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种双氮气保护喷射装置及使用该装置的晶片清洗方法，通过在喷射装置环绕超纯水出液孔和氮气出气孔设置内圈喷射口和外圈喷射口用来垂直及倾斜喷射氮气，在超纯水冲洗步骤中，可在晶片表面的水层外侧形成内、外两道氮气保护层，以隔离超纯水与空气中的氧接触，防止发生水痕现象；在氮气干燥步骤中，可在晶片表面形成内、中、外三道氮气喷射层，从而快速干燥晶片，有效解决晶片边缘棱上有液滴未干燥彻底的问题。

Description

一种双氮气保护喷射装置及使用该装置的晶片清洗方法
技术领域
本发明涉及半导体设备制造技术领域，更具体地，涉及一种用于在单片清洗设备内清洗及干燥晶片的双氮气保护喷射装置及使用该装置的晶片清洗方法。
背景技术
目前的单片清洗设备主要是通过在高速旋转的晶片(wafer)表面上喷射清洗液来达到清洗的目的。在清洗过程中，晶片受到安装在圆形卡盘主体上的多个夹持部件夹持，夹持部件夹持着晶片以进行高速旋转。同时,在晶片的上方,清洗设备还设有喷射臂,可通过喷射臂向晶片表面喷射清洗介质。
通常，清洗设备的喷射臂可包括以下三类喷射形式：
(1)喷射化学药液，例如DHF等；
(2)喷射超纯水；
(3)喷射N2。
目前，在DHF工艺过程中，首先通过喷射臂向晶片表面喷射DHF，将晶片表面的自然氧化层完全腐蚀掉；然后喷射超纯水对晶片表面进行冲洗，将晶片表面的残留药液和反应产物冲掉；最后，再通过喷射N2对晶片表面进行干燥完成整个工艺过程。
在上述的DHF工艺过程中，超纯水冲洗和N2干燥两道工艺步骤至关重要。这两道工艺如果控制得不好，会在晶片表面出现Watermark(水痕)缺陷。Watermark形成的主要机理是在N2干燥过程中，因干燥不完全而残余在晶片表面的水中融入了与氧反应而生成的SiO2，并进一步形成H2SiO3或HSiO3 -的沉淀。当晶片表面的水挥发后，这些沉淀即形成平坦状的水痕。因此，控制DHF工艺过程中超纯水中的氧，将是解决Watermark的有效方法之一。
此外，在上述清洗过程中，还经常出现晶片边缘棱上有液滴未干燥彻底的现象，这对于晶片清洗质量也造成了一定的影响。
因此，有待设计一种新结构的喷射装置，以便能够有效控制DHF工艺过程中超纯水中的氧，消除水痕现象的产生，并可以将晶片的表面彻底干燥。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种双氮气保护喷射装置及使用该装置的晶片清洗方法，能够有效控制工艺过程中空气中的氧进入超纯水中导致产生水痕的现象，并可以解决晶片边缘棱上有液滴未干燥彻底的问题。
为实现上述目的，本发明的一种技术方案如下：
一种双氮气保护喷射装置，用于在单片清洗设备内清洗及干燥晶片，所述喷射装置包括一本体，所述本体设有用于喷射清洗药液的进液通道和用于喷射氮气的第一～第三进气通道，所述进液通道和第一进气通道在所述本体下端面中部相邻设有出液孔和出气孔；所述第二进气通道在所述本体下端面设有环绕所述出液孔和出气孔的内圈喷射口，所述第三进气通道在所述内圈喷射口的外侧设有环绕所述出液孔和出气孔的外圈喷射口，所述外圈喷射口朝向所述本体外下侧方向倾斜设置。
优选地，所述第二进气通道在所述本体内环绕所述进液通道和第一进气通道设有内圈腔室，所述内圈腔室对接连通所述内圈喷射口；所述第三进气通道在所述本体内环绕所述进液通道和第一进气通道设有外圈腔室，所述外圈腔室对接连通所述外圈喷射口。
优选地，所述内圈腔室沿其与所述内圈喷射口的对接部设有一圈内腔小孔，并通过所述内腔小孔连通所述内圈喷射口；所述外圈腔室沿其与所述外圈喷射口的对接部设有一圈外腔小孔，并通过所述外腔小孔连通所述外圈喷射口。
优选地，所述内圈喷射口或外圈喷射口为一圈均匀设置的喷射孔或一圈连续的喷射气隙。
优选地，所述第二进气通道在所述本体上设有内圈进气口，所述内圈进气口连通所述内圈腔室；所述第三进气通道在所述本体上设有外圈进气口，所述外圈进气口连通所述外圈腔室。
优选地，所述内圈进气口或外圈进气口在所述本体的外周设置一至若干个。
优选地，所述进液通道和第一进气通道为相邻并列设于所述本体中部且上下贯通的进液管和进气管，所述进液管在所述本体上下端面分别设有进液孔和出液孔，所述进气管在所述本体上下端面分别设有进气孔和出气孔。
优选地，所述内圈喷射孔的直径或喷射气隙的开口度大于等于外圈喷射孔的直径或喷射气隙的开口度。
优选地，所述外圈喷射口朝向距晶片边缘1～5cm的落点方向倾斜设置。
优选地，所述内圈喷射口的喷射方向垂直向下。
为实现上述目的，本发明的另一种技术方案如下：
一种晶片清洗方法，使用上述的双氮气保护喷射装置，在单片清洗设备内对晶片进行清洗及干燥，包括：
在化学药液清洗步骤后，进行超纯水冲洗步骤，将喷射装置移动到晶片中心上方位置，通过喷射装置下端面中部设置的出液孔向晶片中心表面垂直喷射超纯水，同时，通过喷射装置下端面环绕出液孔设置的内圈喷射口向晶片表面垂直喷射氮气，以及通过环绕内圈喷射口外侧设置的外圈喷射口向晶片边缘表面倾斜喷射氮气，以在晶片表面的水层外侧覆盖内、外两道氮气保护层，用来隔离超纯水与空气中的氧接触；以及
进行氮气干燥步骤，停止喷射超纯水，通过喷射装置下端面中部邻近出液孔设置的出气孔向晶片中心表面垂直喷射氮气，同时，继续通过喷射装置下端面环绕出气孔和出液孔设置的内圈喷射口向晶片表面垂直喷射氮气，以及通过环绕内圈喷射口外侧设置的外圈喷射口向晶片边缘表面倾斜喷射氮气，以在晶片表面形成内、中、外三道氮气喷射层，用来快速干燥晶片。
优选地，氮气干燥步骤中，由出气孔、内圈喷射口和外圈喷射口喷射氮气所形成的内、中、外三道氮气喷射层的喷射流量依次减小。
优选地，所形成的内、中、外三道氮气喷射层的喷射流量依次为80～100L/min、20～30L/min、10～20L/min。
优选地，在氮气干燥步骤结束时，先停止出气孔和内圈喷射口的氮气喷射，延时后，再停止外圈喷射口的氮气喷射。
优选地，停止外圈喷射口氮气喷射的延时时间为不小于5秒。
优选地，所述外圈喷射口朝向距晶片边缘1～5cm的落点方向倾斜喷射氮气。
优选地，所述内圈喷射口的开口度大于等于外圈喷射口的开口度。
优选地，所述内圈喷射口的开口度为1～3mm，所述外圈喷射口的开口度为1～2mm。
优选地，超纯水冲洗步骤中，由内圈喷射口和外圈喷射口喷射氮气所形成的内、外两道氮气保护层的喷射流量依次减小。
从上述技术方案可以看出，本发明通过在喷射装置环绕超纯水出液孔和氮气出气孔设置内圈喷射口和外圈喷射口用来垂直及倾斜喷射氮气，在超纯水冲洗步骤中，可在晶片表面的水层外侧形成内、外两道氮气保护层，以隔离超纯水与空气中的氧接触，防止发生水痕现象；在氮气干燥步骤中，可在晶片表面形成内、中、外三道氮气喷射层，从而快速干燥晶片，有效解决晶片边缘棱上有液滴未干燥彻底的问题。
附图说明
图1是本发明一较佳实施例中的一种双氮气保护喷射装置的结构示意图之一；
图2是本发明一较佳实施例中的一种双氮气保护喷射装置的结构示意图之二；
图3是本发明一较佳实施例中的一种双氮气保护喷射装置的结构剖视图之一；
图4是本发明一较佳实施例中的一种双氮气保护喷射装置的结构剖视图之二。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。
需要说明的是，在下述的具体实施方式中，在详述本发明的实施方式时，为了清楚地表示本发明的结构以便于说明，特对附图中的结构不依照一般比例绘图，并进行了局部放大、变形及简化处理，因此，应避免以此作为对本发明的限定来加以理解。
在以下本发明的具体实施方式中，请参阅图1和图2，图1是本发明一较佳实施例中的一种双氮气保护喷射装置的结构示意图之一，其显示从喷射装置的斜上方俯视时的外形结构，图2是本发明一较佳实施例中的一种双氮气保护喷射装置的结构示意图之二，其显示从喷射装置的斜下方俯视时的外形结构。本发明的一种双氮气保护喷射装置，用于向晶片表面喷射清洗液体或气体，对晶片进行清洗及干燥。如图1、2所示，本发明的一种双氮气保护喷射装置，包括一本体1，本体的外形大致为圆柱形，具有上下端面及侧部。本体设置有进液通道和第一～第三进气通道，进液通道和第一～第三进气通道设置在本体内部，并在本体表面设有对应的进口2、3、6、7、9、10及出口4、5、11、12。进液通道用于通入通出清洗液体，第一～第三进气通道用于通入通出氮气，当然也可以是其他具有隔离空气作用的气体，本发明不限于此。其中，所述进液通道和第一进气通道在所述本体的下端面中部相邻设有出液孔4和出气孔5(请参考图2)、在所述本体的上端面中部相邻设有进液孔2和进气孔3(请参考图1)；所述第二进气通道在所述本体的侧部设有进气口6和7、在所述本体的下端面设有环绕所述出液孔4和出气孔5的内圈喷射口11；所述第三进气通道在所述本体的侧部设有进气口9和10、在所述内圈喷射口11的外侧设有环绕所述出液孔4和出气孔5的外圈喷射口12。本体1可在单片清洗设备内与喷射臂连接，从而可在晶片上方移动。进液通道可连接设备的供液管路，第一～第三进气通道可连接设备的供气管路。在清洗工艺过程中，从出液孔4向晶片中心喷射出超纯水，从内圈喷射口11和外圈喷射口12喷射出氮气，将超纯水柱包围，可在晶片表面的水层外侧覆盖内、外两道氮气保护层，用来隔离超纯水与空气中的氧接触。
请参阅图3，图3是本发明一较佳实施例中的一种双氮气保护喷射装置的结构剖视图之一，其显示从进液通道和第二进气通道的中心连线处剖切时的喷射装置本体结构。如图3所示，所述第二进气通道在所述本体下端面设有环绕所述出液孔4和出气孔5的内圈喷射口11。出液孔、出气孔及内圈喷射口的喷射方向都是垂直向下设置。所述第三进气通道在所述内圈喷射口11的外侧设有环绕所述出液孔4和出气孔5的外圈喷射口12，所述外圈喷射口朝向所述本体的外下侧方向倾斜设置，即以与垂直方向形成一定角度向外侧方向设置。
请继续参阅图3。所述第二进气通道可在所述本体内环绕所述进液通道14和第一进气通道15设有一内圈腔室16，并将环形的内圈腔室16与同样为环形的内圈喷射口11进行对接以连通。内圈腔室16用于储存氮气，并通过其与内圈喷射口11开口度之间的大小差异，使气体在流经内圈喷射口时得到增压，以增强气体喷射在晶片表面的作用效果。
请继续参阅图3。还可在所述内圈腔室16沿其与所述内圈喷射口11的对接部加工设置一圈内腔小孔8，并通过所述内腔小孔使所述内圈腔室连通所述内圈喷射口。内腔小孔可以按图示竖直设置，也可以按其他方向设置连通所述内圈喷射口。所述内腔小孔可使得所述内圈腔室中的气体通过各个内腔小孔的分配，均匀地进入所述内圈喷射口，以提高从所述内圈喷射口喷射出的气体的均匀性。
请继续参阅图3。所述内圈喷射口11可加工为一圈均匀设置的喷射孔，各喷射孔之间的间距设置应保证从相邻喷射孔喷射出的气体能合并为一体，避免其在到达晶片表面时形成不连续均匀的断点；也可在本实施例中，将所述内圈喷射口加工为一圈连续的喷射气隙11，这样可使得喷出的气体更加均匀。
请继续参阅图3。为了向所述第二进气通道通入气体，可在所述第二进气通道位于所述本体上的进气口处加工出内圈进气口6或7，并使所述内圈进气口6或7连通所述内圈腔室16，从而形成由内圈进气口6或7、内圈腔室16(包括内腔小孔8)及内圈喷射口11连通组成的贯通本体的所述第二进气通道。
请继续参阅图3。所述内圈进气口6或7在所述本体的外周可设置一至若干个，可根据所需的气体流量、流速及均匀性等要求确定内圈进气口的具体数量。本实施例中，在所述本体的侧部向内加工出相对设置的两个内圈进气口6和7。
请继续参阅图3。为了使从出气孔5和出液孔4喷射出的气体或液体尽量垂直到达晶片的中心，并适于内、外圈喷射口11、12以出气孔和出液孔为大致中心环绕设置，以便提高使用时的喷射均匀性，需要将出气孔5和出液孔4在本体下端面居于中部设置，并尽量靠近。并可在本体内的中部位置，进一步将所述进液通道和第一进气通道加工成贯通本体上下端、且相邻并列设置的进液管14和进气管15。所述进液管14在所述本体上下端面分别设有进液孔2和出液孔4，进液孔可用于与清洗设备的供液管路对接。所述进气管15在所述本体上下端面分别设有进气孔3和出气孔5，进气孔可用于与清洗设备的供气管路对接。
请参阅图4(可同时结合参考图3)，图4是本发明一较佳实施例中的一种双氮气保护喷射装置的结构剖视图之二，其显示从进液通道和第二进气通道之间处剖切时的喷射装置本体结构(即相对图3偏转90度的位置结构)。如图4所示，所述第三进气通道可在所述本体内环绕所述进液通道和第一进气通道设有一外圈腔室17，并将环形的外圈腔室17与同样为环形的外圈喷射口12进行对接以连通。外圈腔室也用于储存氮气，并通过其与外圈喷射口开口度之间的大小差异，使气体在流经外圈喷射口时得到增压，以增强气体喷射在晶片表面的作用效果。
请继续参阅图4。还可在所述外圈腔室17沿其与所述外圈喷射口12的对接部加工设置一圈外腔小孔13，并通过所述外腔小孔13使所述外圈腔室17连通所述外圈喷射口12。外腔小孔可以按图示竖直设置，也可以按其他方向设置连通所述外圈喷射口。所述外腔小孔可使得所述外圈腔室中的气体通过各个外腔小孔的分配，均匀地进入所述外圈喷射口，以提高从所述外圈喷射口喷射出的气体的均匀性。
请继续参阅图4。所述外圈喷射口12可加工为一圈均匀设置的喷射孔，各喷射孔之间的间距设置应保证从相邻喷射孔喷射出的气体能合并为一体，避免其在到达晶片表面时形成不连续均匀的断点；也可在本实施例中，将所述外圈喷射口加工为一圈连续的喷射气隙12，这样可使得喷出的气体更加均匀。
请继续参阅图4。为了向所述第三进气通道通入气体，可在所述第三进气通道位于所述本体上的进气口处加工出外圈进气口9或10，并使所述外圈进气口9或10连通所述外圈腔室17，从而形成由外圈进气口9或10、外圈腔室17(包括外腔小孔13)及外圈喷射口12连通组成的贯通本体的所述第三进气通道。
请继续参阅图4。所述外圈进气口9或10在所述本体的外周可设置一至若干个，可根据所需的气体流量、流速及均匀性等要求确定外圈进气口的具体数量。本实施例中，在所述本体的侧部向内加工出相对设置的两个外圈进气口9和10。两个外圈进气口9和10与两个内圈进气口6和7间隔对称设于本体的侧部。
请继续参阅图3和图4。可将内圈喷射口11的开口度加工成大于等于外圈喷射口12的开口度，以便容易控制使内圈喷射口的气体流量大于外圈喷射口的气体流量。具体来讲，当内圈喷射口为一圈内圈喷射孔结构、外圈喷射口为一圈外圈喷射孔或喷射气隙结构时，所述内圈喷射孔的直径可加工成大于等于外圈喷射孔的直径或喷射气隙的开口度；当内圈喷射口为一圈内圈喷射气隙结构、外圈喷射口为一圈外圈喷射孔或喷射气隙结构时，所述内圈喷射气隙的开口度可加工成大于等于外圈喷射孔的直径或喷射气隙的开口度。在本实施例中，即可将内圈喷射气隙11的开口度加工成大于等于外圈喷射气隙12的开口度。进一步地，所述内圈喷射孔或喷射气隙11的直径或开口度可为1～3mm，所述外圈喷射孔或喷射气隙12的直径或开口度可为1～2mm。
请继续参阅图3和图4。可将所述外圈喷射口12的喷射方向加工成朝向距晶片边缘1～5cm的落点方向来倾斜设置。可根据本体与晶片之间在工艺时的相对位置关系，来确定外圈喷射口在本体上的具体开设位置和倾斜角度。例如，当本体与晶片之间的距离较大、晶片尺寸较小时，外圈喷射口可开设在本体的下端面，其倾斜角度也较小；反之，当本体与晶片之间的距离较小、晶片尺寸较大时，外圈喷射口可开设在图示本体近下端的侧部，其倾斜角度也较大。关键是要形成环绕出液孔和出气孔设置的内、外圈喷射口结构，并可在喷射氮气时将晶片表面覆盖，形成内、外两层氮气保护层(或喷射层)。
以下对本发明使用上述双氮气保护喷射装置的一种晶片清洗方法进行具体说明(可结合图1～图4加以理解)。
本发明的一种晶片清洗方法，使用上述双氮气保护喷射装置，在单片清洗设备内对晶片进行清洗及干燥，所述清洗方法包括：
在化学药液清洗步骤后，进行超纯水冲洗步骤，将喷射装置本体移动到晶片中心上方位置，通过喷射装置下端面中部设置的出液孔向晶片中心表面垂直喷射超纯水，同时，通过喷射装置下端面环绕出液孔设置的内圈喷射口向晶片表面垂直喷射氮气，以及通过环绕内圈喷射口外侧设置的外圈喷射口向晶片边缘表面倾斜喷射氮气，以在晶片表面的水层外侧覆盖内、外两道氮气保护层，用来隔离超纯水与空气中的氧接触，防止在晶片表面产生Watermark(水痕)缺陷；以及
进行氮气干燥步骤，停止喷射超纯水，通过喷射装置下端面中部邻近出液孔设置的出气孔向晶片中心表面垂直喷射氮气，同时，继续通过喷射装置下端面环绕出气孔和出液孔设置的内圈喷射口向晶片表面垂直喷射氮气，以及通过环绕内圈喷射口外侧设置的外圈喷射口向晶片边缘表面倾斜喷射氮气，以在晶片表面形成内、中、外三道氮气喷射层，用来快速干燥晶片，防止在晶片边缘的棱上产生有液滴未干燥彻底的问题。
作为一优选的实施方式，在氮气干燥步骤中，由出气孔、内圈喷射口和外圈喷射口喷射氮气所形成的内、中、外三道氮气喷射层的喷射流量可依次减小，以利于氮气自晶片中心向边缘流畅地进行冲刷，避免三道氮气喷射层的气流之间产生相互干扰。具体地，所形成的内、中、外三道氮气喷射层的喷射流量依次可为80～100L/min、20～30L/min、10～20L/min。进一步地，可使得所述内圈喷射口的开口度大于等于外圈喷射口的开口度，以便容易控制使内圈喷射口的气体流量大于外圈喷射口的气体流量。并且，所述内圈喷射口的开口度可为1～3mm，所述外圈喷射口的开口度可为1～2mm。例如，当所述内圈喷射口的开口度为2～3mm时，所述外圈喷射口的开口度可为1～2mm；作为一个实例，所述内圈喷射口的开口度可为2mm，所述外圈喷射口的开口度可为1mm或2mm。
作为一优选的实施方式，在超纯水冲洗步骤中，由内圈喷射口和外圈喷射口喷射氮气所形成的内、外两道氮气保护层的喷射流量也是依次减小的。
作为一优选的实施方式，可使得所述外圈喷射口朝向距晶片边缘1～5cm的落点方向倾斜喷射氮气，这样可在全面覆盖晶片整个表面的同时，更好、更快地吹干晶片的边缘。并且，在氮气干燥步骤结束时，可先停止出气孔和内圈喷射口的氮气喷射，延时一定时间后，再停止外圈喷射口的氮气喷射，其目的是解决晶片边缘棱上有液滴未干燥彻底的问题。进一步地，停止外圈喷射口氮气喷射的延时时间可为不小于5秒。
综上所述，本发明通过在喷射装置环绕超纯水出液孔和氮气出气孔设置内圈喷射口和外圈喷射口用来垂直及倾斜喷射氮气，在超纯水冲洗步骤中，可在晶片表面的水层外侧形成内、外两道氮气保护层，以隔离超纯水与空气中的氧接触，防止发生水痕现象；在氮气干燥步骤中，可在晶片表面形成内、中、外三道氮气喷射层，从而快速干燥晶片，有效解决晶片边缘棱上有液滴未干燥彻底的问题。
以上所述的仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用以限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (19)

1.一种双氮气保护喷射装置，用于在单片清洗设备内清洗及干燥晶片，其特征在于，所述喷射装置包括一本体，所述本体设有用于喷射清洗药液的进液通道和用于喷射氮气的第一～第三进气通道，所述进液通道和第一进气通道在所述本体下端面中部相邻设有出液孔和出气孔；所述第二进气通道在所述本体下端面设有环绕所述出液孔和出气孔的内圈喷射口，所述第三进气通道在所述内圈喷射口的外侧设有环绕所述出液孔和出气孔的外圈喷射口，所述外圈喷射口朝向所述本体外下侧方向倾斜设置。
2.根据权利要求1所述的双氮气保护喷射装置，其特征在于，所述第二进气通道在所述本体内环绕所述进液通道和第一进气通道设有内圈腔室，所述内圈腔室对接连通所述内圈喷射口；所述第三进气通道在所述本体内环绕所述进液通道和第一进气通道设有外圈腔室，所述外圈腔室对接连通所述外圈喷射口。
3.根据权利要求2所述的双氮气保护喷射装置，其特征在于，所述内圈腔室沿其与所述内圈喷射口的对接部设有一圈内腔小孔，并通过所述内腔小孔连通所述内圈喷射口；所述外圈腔室沿其与所述外圈喷射口的对接部设有一圈外腔小孔，并通过所述外腔小孔连通所述外圈喷射口。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的双氮气保护喷射装置，其特征在于，所述内圈喷射口或外圈喷射口为一圈均匀设置的喷射孔或一圈连续的喷射气隙。
5.根据权利要求2所述的双氮气保护喷射装置，其特征在于，所述第二进气通道在所述本体上设有内圈进气口，所述内圈进气口连通所述内圈腔室；所述第三进气通道在所述本体上设有外圈进气口，所述外圈进气口连通所述外圈腔室。
6.根据权利要求5所述的双氮气保护喷射装置，其特征在于，所述内圈进气口或外圈进气口在所述本体的外周设置一至若干个。
7.根据权利要求1或2所述的双氮气保护喷射装置，其特征在于，所述进液通道和第一进气通道为相邻并列设于所述本体中部且上下贯通的进液管和进气管，所述进液管在所述本体上下端面分别设有进液孔和出液孔，所述进气管在所述本体上下端面分别设有进气孔和出气孔。
8.根据权利要求4所述的双氮气保护喷射装置，其特征在于，所述内圈喷射孔的直径或喷射气隙的开口度大于等于外圈喷射孔的直径或喷射气隙的开口度。
9.根据权利要求1所述的双氮气保护喷射装置，其特征在于，所述外圈喷射口朝向距晶片边缘1～5cm的落点方向倾斜设置。
10.根据权利要求1～3任意一项所述的双氮气保护喷射装置，其特征在于，所述内圈喷射口的喷射方向垂直向下。
11.一种晶片清洗方法，使用如权利要求1所述的双氮气保护喷射装置，在单片清洗设备内对晶片进行清洗及干燥，其特征在于，包括：
在化学药液清洗步骤后，进行超纯水冲洗步骤，将喷射装置移动到晶片中心上方位置，通过喷射装置下端面中部设置的出液孔向晶片中心表面垂直喷射超纯水，同时，通过喷射装置下端面环绕出液孔设置的内圈喷射口向晶片表面垂直喷射氮气，以及通过环绕内圈喷射口外侧设置的外圈喷射口向晶片边缘表面倾斜喷射氮气，以在晶片表面的水层外侧覆盖内、外两道氮气保护层，用来隔离超纯水与空气中的氧接触；以及
进行氮气干燥步骤，停止喷射超纯水，通过喷射装置下端面中部邻近出液孔设置的出气孔向晶片中心表面垂直喷射氮气，同时，继续通过喷射装置下端面环绕出气孔和出液孔设置的内圈喷射口向晶片表面垂直喷射氮气，以及通过环绕内圈喷射口外侧设置的外圈喷射口向晶片边缘表面倾斜喷射氮气，以在晶片表面形成内、中、外三道氮气喷射层，用来快速干燥晶片。
12.根据权利要求11所述的晶片清洗方法，其特征在于，氮气干燥步骤中，由出气孔、内圈喷射口和外圈喷射口喷射氮气所形成的内、中、外三道氮气喷射层的喷射流量依次减小。
13.根据权利要求12所述的晶片清洗方法，其特征在于，所形成的内、中、外三道氮气喷射层的喷射流量依次为80～100L/min、20～30L/min、10～20L/min。
14.根据权利要求11所述的晶片清洗方法，其特征在于，在氮气干燥步骤结束时，先停止出气孔和内圈喷射口的氮气喷射，延时后，再停止外圈喷射口的氮气喷射。
15.根据权利要求14所述的晶片清洗方法，其特征在于，停止外圈喷射口氮气喷射的延时时间为不小于5秒。
16.根据权利要求11所述的晶片清洗方法，其特征在于，所述外圈喷射口朝向距晶片边缘1～5cm的落点方向倾斜喷射氮气。
17.根据权利要求11、12或14所述的晶片清洗方法，其特征在于，所述内圈喷射口的开口度大于等于外圈喷射口的开口度。
18.根据权利要求17所述的晶片清洗方法，其特征在于，所述内圈喷射口的开口度为1～3mm，所述外圈喷射口的开口度为1～2mm。
19.根据权利要求11所述的晶片清洗方法，其特征在于，超纯水冲洗步骤中，由内圈喷射口和外圈喷射口喷射氮气所形成的内、外两道氮气保护层的喷射流量依次减小。
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