JP2004014972A - 洗浄制御装置 - Google Patents

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吉田 正寛
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Abstract

【課題】スループットを低下させることなく、ウエハの全面にわたってほぼ均一な洗浄効果を得ることができる洗浄制御装置を提供すること。
【解決手段】被洗浄体としてのウエハWは、スピンチャック12によって支持され、水平面内で一定の速度で回転駆動される。ウエハWの中心部から外周縁に沿って走査する洗浄媒体供給ノズル13からは、液体および気体の混合体がウエハWに向かって吐出される。この場合、ノズル13がウエハWの中心部から外周縁に向かって移動するにしたがって、気体の供給量が段階的に増加され、これにより段階的に洗浄力が付与される。
【選択図】   図5

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば半導体ウエハやLCD用ガラス基板等の被洗浄体を洗浄するための洗浄制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、半導体デバイスの製造プロセスにおいては、LSI等の半導体デバイスが形成される半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」ともいう)の表面をきわめて厳格な清浄度に維持する必要がある。このために、各々の製造プロセスの前後において、必要に応じてウエハの表面が洗浄される。特に、フォトリソグラフィ工程では、ウエハ表面の洗浄が不可欠となる。
【0003】
従来におけるウエハの洗浄処理システムの1つとして、一般にスピン型の装置を用いた枚葉式の洗浄装置が知られている。この枚葉式の洗浄装置によって実行される洗浄方法においては、スピンチャックにより半導体ウエハを支持して、ウエハを水平面内で一定の回転速度で回転させながら、ブラシやスポンジ等の部材を備えた洗浄用ツールをウエハの表面に接触させるスクラブ洗浄が知られている。
【0004】
また、高圧の洗浄液をノズルよりウエハの表面に供給するジェットノズル洗浄や、超音波によって振動を与えた洗浄液をノズルよりウエハの表面に供給するメガソニック洗浄、さらには、洗浄液とガスとの混合体をノズルよりウエハの表面に供給する二流体ノズルによる洗浄手段も知られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記した各洗浄手段によって被洗浄体としての例えばウエハを洗浄する場合には、洗浄ツールがウエハの中心位置付近にある時と、ウエハの周縁付近にある時とでは相対線速度が異なり、ウエハの中央部と周縁部とでは、ウエハの各位置に対する洗浄ツールによる洗浄時間が実質的に異なることになる。これにより、ウエハの周縁付近における洗浄度合いが不十分になるという問題が発生する。
【0006】
この様な問題を避けるために、洗浄ツールがウエハの周縁に移動するにしたがってウエハの回転速度を低下させる洗浄装置、すなわち、洗浄ツールから見たウエハの線速度が常に一定となるように回転制御させる洗浄装置の提案もなされているが、このような構成によると、スループットが低下することはやむをえない。そこで、スピンチャックによるウエハの回転速度は常に一定とし、ウエハの中心位置から周縁位置に走査するにしたがって、洗浄ツールによる洗浄力を増大させる制御手段を採用すると好都合である。
【0007】
一方、前記した各洗浄手段、特にジェットノズル洗浄や二流体ノズルによる洗浄手段を採用した場合においては、ウエハの中心位置から周縁位置に走査するにしたがって、リニアに(一次直線の形態をもって)洗浄力を増大させることは、そのハード構成およびソフトの構築に困難な問題が付随し、結果として製造コストが高騰するわりには、理想的な洗浄制御を得ることは困難である。
【0008】
この発明は、前記したような技術的な課題に着目してなされたものであり、スループットを低下させることなくウエハのような被洗浄体の全面をほぼ均一に洗浄することができ、また、洗浄ツールによる洗浄力の制御が容易になし得る洗浄制御装置を提供することを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記した目的を達成するためになされたこの発明にかかる洗浄制御装置は、被洗浄体を支持しつつ被洗浄体を水平面内で回転駆動させる被洗浄体支持機構と、前記支持機構によって支持され回転駆動中における被洗浄体の表面に、洗浄作用を与える洗浄用ツールと、前記被洗浄体に対する前記洗浄用ツールの走査位置を監視するツール位置監視手段と、前記ツール位置監視手段から得られるツールの走査位置情報に基づいて、前記洗浄用ツールによる洗浄力を変更させる制御手段とを具備した洗浄制御装置であって、前記制御手段は、洗浄用ツールが被洗浄体の中心位置から周縁位置に走査するにしたがって、洗浄力が増大する理想の一次直線に近似させて、前記洗浄用ツールによる洗浄力を段階的に増大させる制御を実行するように構成した点に特徴を有する。
【0010】
この場合、前記制御手段は、好ましくは洗浄用ツールが被洗浄体の中心位置から周縁位置に走査するにしたがって、洗浄力が増大する理想の一次直線に接する範囲において、前記洗浄用ツールによる洗浄力を段階的に増大させる制御を実行するように構成される。また、前記制御手段は、好ましくは洗浄レベル設定手段からの指令により、前記理想の一次直線に接する範囲において、洗浄用ツールによる洗浄力が変更される制御を実行するように構成される。
【0011】
さらに、前記制御手段は、洗浄用ツールが被洗浄体の中心位置から周縁位置に走査するにしたがって、より狭い走査幅をもって洗浄力を段階的に増大させる制御を実行するように構成されていることが望ましい。
【0012】
そして、好ましい実施の形態においては、前記制御手段は、前記ツール位置監視手段から得られるツール位置情報に基づいて、複数の制御データのうちの一つを選択し、選択された制御データにより前記洗浄用ツールに与える洗浄力を制御するように構成される。
【0013】
この場合、前記制御手段は、好ましくは前記ツール位置監視手段から得られるツール位置情報に基づいて、前記ツール位置情報と前記制御データとの関係を記述したマップ形式の記憶手段より、制御データの一つを読み出すように構成される。
【0014】
前記した構成の洗浄制御装置によると、ウエハ等の被洗浄体は、例えばスピンチャックに代表される被洗浄体支持機構によって支持され、水平面内で回転駆動される。そして、回転駆動中における被洗浄体は、その中心位置から周縁位置に走査するにしたがって、洗浄力が段階的に増大される洗浄力を受ける。
【0015】
これにより、洗浄用ツールが線速度の速いウエハの周縁位置に向かって走査することで洗浄力が段階的に強化され、汚染物質の除去能力が高められる。したがって、ウエハの周縁付近においては、洗浄用ツールによって受けるウエハWの各点の洗浄時間は短くなるものの、前記したように汚染物質の除去能力が高められる結果、ウエハWの全面にわたってほぼ均一な洗浄効果を得ることができる。この場合、ウエハの回転速度は一定に保つことができるので、スループットを低下させることなく洗浄制御を実行することが可能となる。
【0016】
また、洗浄用ツールが被洗浄体の中心位置から周縁位置に走査するにしたがって、洗浄力を段階的に増大させる制御形態になされているので、その洗浄制御装置の構成および制御プログラムも比較的単純に構築することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、この発明にかかる洗浄制御装置について、その実施の形態を図面に基づいて説明する。まず図1〜図3は、この発明が適用されたウエハ洗浄装置の全体構成を透視状態の平面図、正面図および背面図で示している。符号1で示す洗浄装置には、カセットステーション2と洗浄処理ステーション3とが併設されており、前記カセットステーション2には、ウエハカセットCRを載置するためのカセット載置台4が具備されている。そして、前記ウエハカセットCR内には、複数枚(例えば25枚)の被洗浄体としてのウエハWが収容可能になされている。
【0018】
前記カセット載置台4には、複数のウエハカセットCRを位置決めするための突起4aが設けられている。これにより、この実施の形態においては最大四台のウエハカセットCRが、それぞれのウエハ出入口を洗浄処理ステーション3側に向けてY方向(図1では上下方向)に一列に載置することができる。前記カセット載置台4と洗浄処理ステーション3との間には、第1のウエハ搬送体5が配置されている。
【0019】
この第1のウエハ搬送体5は、カセット載置台4におけるウエハカセットCRの配列方向(Y方向)、およびカセット内のウエハ配列方向(Ζ方向:垂直方向)に移動可能となるように構成されることで、各ウエハカセットCRに対して選択的にアクセスすることができるように構成されている。
【0020】
また、前記第1のウエハ搬送体5は、θ方向にも回転可能に構成されており、前記洗浄処理ステーション3に配置された後述する第2のウエハ搬送体6にも、アクセスすることができるように構成されている。そして、ウエハカセットCRに収納された各ウエハWは、カセットステーション2に配置された前記ウエハ搬送体5によって、装置内に搬入され、あるいは搬出される。
【0021】
前記洗浄処理ステーション3には、第2のウエハ搬送体6が配置されており、この第2のウエハ搬送体6は、ウエハ搬送路6aに沿ってX方向に移動可能に、かつθ方向に回転可能に構成されている。これにより、カセットステーション2側のウエハ搬送体5からウエハWを受け取り洗浄処理ユニット7に、また洗浄処理ユニット7からウエハWを受け取りウエハ搬送体5に、ウエハWを受け渡すことができるようになされる。
【0022】
前記した洗浄処理ユニット7は、1枚ずつのウエハWに所定の洗浄処理を施す枚葉式の構成となされており、前記ウエハ搬送路6aに沿って、その両側に三ユニットずつ配置されている。そして、この実施の形態においては、各ウエハWに対して、後述するように例えば洗浄媒体としての二流体を供給しながら洗浄することができるように構成されている。
【0023】
次に図4〜図6は、前記した各洗浄処理ユニット7の構成を示したものであり、図4は洗浄処理ユニットの概略構成を一部透視状態で示した平面図であり、図5は洗浄処理ユニット7をほぼ中央において縦方向に破断した状態の断面図で示している。また、図6は図4および図5の一部に示された洗浄用ツールとしての洗浄媒体供給ノズルを一部断面図で示している。
【0024】
図4および図5に示すように、洗浄処理ユニット7の外郭を構成するシンク11内には、ほぼ中央に被洗浄体支持機構としてのスピンチャック12が配置されており、スピンチャック12によって支持されるウエハWの上面を走査できるように、洗浄用ツールとしての洗浄媒体供給ノズル13等が配設されている。
【0025】
前記シンク11には、図1に示したウエハ搬送体6の搬送経路6aに近接して、開閉窓14が配設されている。これにより、洗浄処理時に開閉窓14を介して前記ウエハ搬送体6に具備された図示せぬフォーク部材により、ウエハWの搬入および搬出がなされる。また前記シンク11は、図4に示すように、隔壁16によって洗浄処理室18と駆動機構配設室19とに仕切られている。
【0026】
一方、前記スピンチャック12は、図5に示すように、ウエハWを略水平にして支持するチャックプレート12aおよびこのチャックプレート12aを保持する枢軸12bを備えている。また、前記枢軸12bを回転させる例えばパルスモータによる回転駆動機構12c、および前記チャックプレート12a上のウエハWを着脱するための着脱機構12dを備えている。
【0027】
前記着脱機構12dは、前記チャックプレート12aの周縁部に円周方向に等間隔をもって三個配設されている。ここで、図5の左側には着脱機構12dによるウエハWを保持した状態が示され、同図の右側には着脱機構12dによるウエハWを保持してない状態が示されている。前記着脱機構12dの下方には、前記着脱機構12dを駆動させる昇降機構21が配設されている。
【0028】
前記昇降機構21には、前記枢軸12bに沿って昇降する連結板21aおよび前記着脱機構12dの配設位置に対応する当接治具21bが具備されている。これにより、昇降機構21によって連結板21aを上昇させると、当接治具21bが着脱機構12dの内周端をチャックプレート12aの裏面に押し付け、着脱機構12dの外周端が外側下方へ傾動してウエハWの保持状態が解除される。また、連結板21aを下降させると、当接治具21bが着脱機構12dから離間し、着脱機構12dの外周端が内側上方に傾動し、ウエハWは着脱機構12dによって保持される。
【0029】
なお、前記チャックプレート12aには、図4に示されたように六個の支持ピン12eがプレート表面に突出して配設されており、前記ウエハWはこの支持ピン12eの頂点に接して載置することができる。そして、前記着脱機構12dによってスピンチャック12上に同心状に支持される。これにより、スピンチャック12の回転駆動に伴い、ウエハWは水平面内で回転駆動される。
【0030】
一方、前記スピンチャック12の周囲には、前記洗浄処理室18内に位置するカップ22が昇降可能に配設されている。そして、洗浄処理ユニット7に対するウエハWの搬入および搬出時においては、昇降機構23によってカップ22は図5に実線で示す下段位置に配置される。また、洗浄処理時には図5に二点鎖線示す上段位置に配置される。これにより、ウエハWの周縁方向に向かって飛散する洗浄液を、カップ22の内周部下方に導くようになされる。
【0031】
なお、前記カップ22には、洗浄処理時に洗浄液のカップ外への飛散を防止するために、カップ内周部上側からカップ外周部下側に傾斜する上下二つの傾斜部22a,22bが配設されている。また、前記カップ22の底部にはドレイン25が設けられおり、これによりカップ22内の排気および洗浄液(廃液)の排出が行われる。
【0032】
一方、前記した洗浄ツールとしての洗浄媒体供給ノズル13は、洗浄媒体としての二流体(後述する純水等の液体と、Nガス等の気体の混合体)をウエハWの表面に吐出する機能を備えている。そして、図6に示すようにアーム27の先端部に、支柱29および昇降機構28介して保持されている。また、前記洗浄媒体供給ノズル13は、ホームポジションにおいて図4に示すように、カップ22外に位置するように構成されている。さらに、前記洗浄媒体供給ノズル13は、アーム27によって、図4に示すガイド17に沿うX方向に水平移動してウエハWの中心部を横切るように、また昇降機構28によってΖ方向(高さ方向)に位置が調整できるように構成されている。
【0033】
前記昇降機構28には、前記洗浄媒体供給ノズル13を昇降させる昇降軸28aおよびこの昇降軸28aを昇降させる駆動部28bが具備されている。この昇降機構28内には、前記洗浄媒体供給ノズル13に対し、純水等の液体を供給する液体供給路31およびNガス等の気体を供給する気体供給路32が接続されており、駆動部28bの内筒部分において両者が混合され、前記ノズル13より両者が吐出されるように構成されている。
【0034】
なお、前記アーム27は、駆動機構配設室19内に位置する例えばパルスモータを駆動源として備えたアーム駆動機構30によって、X方向に往復移動され、これに伴いアーム駆動機構30は、駆動機構配設室19内を往復移動する。
【0035】
図7は、前記した構成の洗浄処理ユニット7に搭載された洗浄制御装置の構成をブロック図によって示したものである。この実施の形態においては、洗浄媒体としてリンス液(純水)が貯留されたリンス液貯留タンク35と、同じく洗浄媒体としてNガスが貯留されたNガス貯留タンク36が備えられている。前記リンス液貯留タンク35からもたらされるリンス液は、第1バルブ38および前記した液体供給路31を介して、洗浄用ツールとしての洗浄媒体供給ノズル13に供給されるように構成されている。また、Nガス貯留タンク36からもたらされるNガスは、第2バルブ39および前記した気体供給路31を介して、同じく洗浄媒体供給ノズル13に供給されるように構成されている。
【0036】
図7に示したウエハWは、すでに説明したスピンチャック12によって支持され定速回転される。そして、洗浄媒体供給ノズル13は、パルスモータを駆動源としたアーム駆動機構30によってウエハWの上面に沿って走査されるようになされる。アーム駆動機構30における前記したパルスモータには、図7に示すように、パルスジェネレータ41より等間隔の駆動パルスが供給されるように構成されており、したがって、前記ノズル13は、パルスジェネレータ41からもたらされる前記駆動パルスによって、ウエハWの上面に沿って一定の速度で走査するようになされる。
【0037】
前記パルスジェネレータ41から出力される駆動パルスのパルス数を計数するパルスカウンタ42が具備されており、このパルスカウンタ42は、その積算計数値(n)を出力するようになされる。ここで、洗浄動作を開始するには、前記した洗浄媒体供給ノズル13を、ホームポジションからスピンチャック12によって支持されたウエハWの中心位置に移動させることになる。この時、前記ホームポジションとウエハWの中心位置との距離は予め判明している。
【0038】
それ故、パルスカウンタ42は所定のパルス数をカウントアップした時に、パルスジェネレータ41に指令を送り、パルスジェネレータ41からのパルス供給を停止させるように制御される。これにより、洗浄媒体供給ノズル13をウエハWの中心位置において、停止させることができる。そして、パルスカウンタ42は、その計数値をゼロリセットさせる。
【0039】
続いて、洗浄動作に移行した場合には、パルスジェネレータ41からの駆動パルスによってアーム駆動機構30が動作し、洗浄媒体供給ノズル13は、回転動作中のウエハWの中心位置から外周に向かって移動走査する。この時、ノズル13より二流体(リンス液と、Nガスの混合体)が吐出される。前記パルスカウンタ42は、再びパルスジェネレータ41からの駆動パルス数を計数し、この計数値を、ガス供給量演算手段43に出力するようになされる。
【0040】
換言すれば、前記パルスカウンタ42の計数値は、ウエハWに対する洗浄媒体供給ノズル13の走査位置を示すことになり、したがって、前記パルスカウンタ42はウエハWに対する洗浄媒体供給ノズル13の走査位置を監視するツール位置監視手段として機能する。
【0041】
前記ガス供給量演算手段43は、ノズル13の走査位置、すなわちパルスカウンタ42の計数値に対応したNガス供給量の関係を記述したマップ形式のガス供給量データ記憶手段44を参照する。そして、ガス供給量演算手段43は、前記計数値に対応したガス供給量データを読み出し、これを、ガス供給量制御手段45に出力するようになされる。
【0042】
前記ガス供給量制御手段45は、ガス供給量演算手段43によって読み出されたデータに基づいて、前記した第2バルブ39の開度を制御し、ガス貯留タンク36から洗浄媒体供給ノズル13に供給するNガスの量を制御するようになされる。すなわち、この実施の形態においては、リンス液の吐出量はノズル13の走査位置にかかわらず、ほぼ一定となるように制御されるものの、ノズル13の走査位置に対応して、ノズル13からのNガスの吐出量が可変される。これにより、ウエハWに対する洗浄力が変更される。したがって、図7における鎖線で囲まれたブロック46は、ノズル13による洗浄力を変更させる制御手段を構成していることになる。
【0043】
図8は、図7に示した制御制御手段によってなされる洗浄制御形態の一例を説明するものであり、例えば、直径300mmのウエハWを洗浄する場合の例を示している。すでに説明したとおり、ウエハWの洗浄動作の開始にあたってはノズル13を所定位置P1、すなわち、ノズル13をウエハWの中心部に対峙するように制御される。しかる後、スピンチャック12を所定の定速度で回転駆動させると共に、ノズル13をウエハWの中心位置P1から周縁部P7に向かってX方向に一定の速度で走査させる。
【0044】
この時、前記したとおりノズル13より二流体(リンス液とNガスの混合体)が吐出される。図8に示した制御形態においては、ウエハWの中心位置P1から周縁部P7に向かって、前記二流体のうちノズルに対するNガスの供給量が段階的に増加するようになされる。すなわち、ノズル13の位置がP1−P2間においては、ノズルに対する前記ガスの供給量は、a1となるように制御される。また、ノズル13の位置がP2−P3間においては、ノズルに対する前記ガスの供給量は、a2となるように制御される。このようにして、最終的にノズル13の位置がP6−P7間に至った場合には、前記ガスの供給量は、a6となるように制御される。
【0045】
これにより、ノズル13からウエハWに対して吐出される洗浄媒体の吐出エネルギーは、ウエハWの周縁部に移行するにしたがって段階的に増加し、その洗浄力が増大されることになる。一方、ウエハWの中心位置P1から周縁部P7に向かうにしたがって、ノズル13から見たウエハWに対する線速度は増大されることになる。
【0046】
換言すれば、ノズル13の位置が周縁部P7に向かうにしたがって、ノズル13によって受けるウエハWの各点の洗浄時間は短いものとなる。しかしながら、前記したようにウエハWの周縁部において洗浄力が増大され、ウエハWに対するリンス液による洗浄能力を上げることができるので、結果としてウエハWの全面にわたってほぼ均一な洗浄効果を得ることができる。
【0047】
図9は、図7に示した制御手段46によってなされるノズル13に対するガス供給量の設定形態について、幾つかの例を示したものである。なお、図9においても、洗浄用ツールとしてのノズル13がウエハの中心位置から周縁位置に走査するにしたがって、ノズル13に対するガスの供給量を段階的に増大させることで、ノズル13による洗浄力を段階的に増大させる制御を実行する形態が示されている。
【0048】
ここで、ノズル13がウエハの中心位置から周縁位置に走査するにしたがって、洗浄力を増大させる理想の一次直線dに近似させて、前記ノズル13による洗浄力を段階的に増大させる制御を実行することが望ましい。図9(a)は、ノズル13による洗浄力が、前記理想の一次直線dを越えない範囲で段階的に近似させた例を示している。
【0049】
すなわち、前記した理想の一次直線dに接する範囲において、前記ノズルによる洗浄力を段階的に増大させる制御が行われる例を示している。これによると、ウエハの全面にわたって過度の洗浄力を与えることがなく、ウエハに対してダメージを与える度合いを極めて少なくすることができる。
【0050】
また、図9(b)に示す制御形態においては、前記した理想の一次直線dを中心としてノズルによる洗浄力を段階的に増大させる制御が行われる例を示している。これによると、ウエハに対してダメージを与えるというリスクが僅かながら発生するものの、このような設定をした場合には、より洗浄力を上げることができる。
【0051】
前記した図9(a)に示す設定は、例えば半導体デバイスが形成されるウエハの表面を洗浄する場合に採用することで、歩留まりを上げることができる。また、図9(b)に示す設定は、例えばウエハの裏面を洗浄する場合に好適に採用し得る。これら、図9(a)に示す設定および図9(b)に示す設定は、例えば図7に示した洗浄レベル設定手段47の操作により、適宜選択できるように構成されていることが望ましい。この洗浄レベル設定手段47は、図10に基づいて後述するように、マップ形式に構築された記憶手段46に格納された参照マッッププを選択するように機能し、これにより、図9(a)および(b)の特性を容易に選択することができる。
【0052】
なお、図9(a)および(b)に示す設定は、ウエハWの中心位置P1から周縁部P7の走査領域をほぼ等分に区画して、ガスの供給量、すなわち洗浄力を段階的に増加させるように設定されている。しかしながら、等速回転されるウエハWにおいては、その中心位置からの半径をrとした時の当該部分の線速度は、2πrとして示すことができる。したがって、図9(c)に示すように、ウエハWの中心位置P1から周縁部P7に至るにしたがって、より狭い走査幅をもって洗浄力を段階的に増大させる制御を行うことが望ましい。
【0053】
図10は、前記した図9に示すような各種の特性を具現化させるために好適に利用できるマップ形式に構築された記憶手段の例を示したものであり、これは、図7に示したガス供給量演算手段43によって参照されるガス供給量データ記憶手段44の具体例でもある。すなわち、ガス供給量演算手段43には、すでに説明したとおり、ツール位置監視手段としてのパルスカウンタ42より計数値(n)が供給される。
【0054】
そこで、ガス供給量演算手段43は、前記計数値(n)に基づいて洗浄用ツールとしてのノズル13の走査位置を判定する。例えば、計数値がn1X−n2Xの範囲であるならば、ノズル13はP1とP2の範囲を走査しているものと判定される。これに基づいて、演算手段43はデータ記憶手段44における“P1−P2”に対応する制御データ“a1”を読み出し、前記したように制御データa1をガス供給量制御手段45に送り出す操作がなされる。これにより、ノズル13の走査位置に対応した最適な洗浄力を得ることができる。
【0055】
したがって、図10に示すような走査位置に対応した制御データの関係を記述した多種類のマップを構築しておくことで、図9に示したような各種の特性を具現化させることができる。
【0056】
以上説明した実施の形態においては、ウエハWの洗浄位置に対応して二流体のうち、ガスの供給量を段階的に変化させることで、ノズルからの洗浄媒体の吐出エネルギーを制御し、洗浄力を得るようにしているが、この発明はこのような手段に特定されることはなく、例えば次に示す洗浄手段の形態にも適用することができる。
【0057】
▲1▼スクラブ洗浄手段
これを用いた洗浄は、前記したとおりブラシあるいはスポンジ等の部材を備えた洗浄用ツールをウエハWの表面に接触させることにより行われる。この場合、洗浄位置がウエハ中心部からウエハ周縁部に向かって移動するにしたがい、ウエハに対するブラシあるいはスポンジ等の接触圧を段階的に大きくする。
【0058】
▲2▼高速ジェット洗浄水供給ノズルを用いた洗浄手段
これを用いた洗浄は、高速ジェット洗浄水供給ノズルより、洗浄水をウエハWの被洗浄面に吐出させることにより行われる。この場合、洗浄位置がウエハ中心部からウエハ周縁部に向かって移動するにしたがい、ジェット洗浄水の吐出圧(吐出量)を段階的に大きくする。
【0059】
▲3▼メガソニックノズルを用いた洗浄手段
これを用いた洗浄は、メガソニックノズルから超音波振動を加えた洗浄水をウエハWの被洗浄面に吐出させることにより行われる。この場合、洗浄位置がウエハ中心部からウエハ周縁部に向かって移動するにしたがい、超音波振動の発振周波数を段階的に大きくする。
【0060】
この他、この実施の形態においては被洗浄体としてウエハWである場合について説明したが、この発明はこれに限定されず、LCD用のガラス基板、光ディスク用の基板等の洗浄制御にも有効に利用することができる。
【0061】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなとおり、この発明にかかる洗浄制御装置によると、洗浄用ツールが被洗浄体の中心位置から周縁位置に走査するにしたがって、洗浄力が増大する理想の一次直線に近似させて、前記洗浄用ツールによる洗浄力を段階的に増大させる制御を実行するように構成したので、スループットを低下させることなく、ウエハの全面にわたってほぼ均一な洗浄効果を与えることができる。また、洗浄用ツールの洗浄力を段階的に制御する形態になされているので、その洗浄制御装置の構成および制御プログラムも比較的単純に構築することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明が適用された洗浄装置の全体構成を透視状態で示した平面図である。
【図2】同じく洗浄装置の正面図である。
【図3】同じく洗浄装置の背面図である。
【図4】図1〜3に示す洗浄装置に搭載された洗浄処理ユニットの概略構成を示した平面図である。
【図5】同じく洗浄処理ユニットをほぼ中央において縦方向に破断した状態で示した断面図である。
【図6】洗浄処理ユニットに搭載された洗浄媒体供給ノズルを示した一部断面図である。
【図7】洗浄用ツールによる洗浄力を制御する洗浄制御装置の例を示したブロック図である。
【図8】図7に示す洗浄制御装置によってなされる洗浄作用を説明する模式図である。
【図9】図7に示す洗浄制御装置によってなされる洗浄力の付与形態を説明する特性図である。
【図10】図7に示す洗浄制御装置において利用されるデータ記憶手段の例を示したマップ図である。
【符号の説明】
1   洗浄処置装置
2   カセットステーション
3   洗浄処理ステーション
4   カセット載置台
5,6 ウエハ搬送体
7   洗浄処理ユニット
11  シンク
12  スピンチャック(被洗浄体支持機構)
13  洗浄媒体供給ノズル(洗浄用ツール)
14  開閉窓
16  隔壁
18  洗浄処理室
19  駆動機構配設室
21  昇降機構
22  カップ
23  昇降機構
27  アーム
28  昇降機構
30  アーム駆動機構
31  液体供給路
32  気体供給路
35  リンス液貯留タンク
36  ガス貯留タンク
42  パルスカウンタ(ツール位置監視手段)
46  制御手段
47  洗浄レベル設定手段
W   ウエハ(被洗浄体)

Claims (6)

  1. 被洗浄体を支持しつつ被洗浄体を水平面内で回転駆動させる被洗浄体支持機構と、
    前記支持機構によって支持され回転駆動中における被洗浄体の表面に、洗浄作用を与える洗浄用ツールと、
    前記被洗浄体に対する前記洗浄用ツールの走査位置を監視するツール位置監視手段と、
    前記ツール位置監視手段から得られるツールの走査位置情報に基づいて、前記洗浄用ツールによる洗浄力を変更させる制御手段とを具備した洗浄制御装置であって、
    前記制御手段は、洗浄用ツールが被洗浄体の中心位置から周縁位置に走査するにしたがって、洗浄力が増大する理想の一次直線に近似させて、前記洗浄用ツールによる洗浄力を段階的に増大させる制御を実行するように構成したことを特徴とする洗浄制御装置。
  2. 前記制御手段は、洗浄用ツールが被洗浄体の中心位置から周縁位置に走査するにしたがって、洗浄力が増大する理想の一次直線に接する範囲において、前記洗浄用ツールによる洗浄力を段階的に増大させる制御を実行するように構成したことを特徴とする請求項1に記載の洗浄制御装置。
  3. 前記制御手段は、洗浄レベル設定手段からの指令により、前記理想の一次直線に接する範囲において、洗浄用ツールによる洗浄力が変更される制御を実行するように構成したことを特徴とする請求項2に記載の洗浄制御装置。
  4. 前記制御手段は、洗浄用ツールが被洗浄体の中心位置から周縁位置に走査するにしたがって、より狭い走査幅をもって洗浄力を段階的に増大させる制御を実行するように構成したことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の洗浄制御装置。
  5. 前記制御手段は、前記ツール位置監視手段から得られるツール位置情報に基づいて、複数の制御データのうちの一つを選択し、選択された制御データにより前記洗浄用ツールに与える洗浄力を制御するように構成したことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の洗浄制御装置。
  6. 前記制御手段は、前記ツール位置監視手段から得られるツール位置情報に基づいて、前記ツール位置情報と前記データとの関係を記述したマップ形式の記憶手段より、制御データの一つを読み出すように構成したことを特徴とする請求項5に記載の洗浄制御装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010251524A (ja) * 2009-04-15 2010-11-04 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄機構
CN101930904B (zh) * 2009-06-22 2012-11-21 由田新技股份有限公司 晶片顶出装置与取像装置的组合
US9704730B2 (en) 2013-05-28 2017-07-11 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and non-transitory storage medium
CN109550717A (zh) * 2018-12-21 2019-04-02 苏州恒力翔自动化设备有限公司 一种全自动晶片刷洗机
CN115870295A (zh) * 2022-12-05 2023-03-31 苏州天准科技股份有限公司 用于载具中玻璃镜片的下表面全自动清洁装置和清洁方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010251524A (ja) * 2009-04-15 2010-11-04 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄機構
CN101930904B (zh) * 2009-06-22 2012-11-21 由田新技股份有限公司 晶片顶出装置与取像装置的组合
US9704730B2 (en) 2013-05-28 2017-07-11 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and non-transitory storage medium
US9805958B2 (en) 2013-05-28 2017-10-31 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method and non-transitory storage medium
CN109550717A (zh) * 2018-12-21 2019-04-02 苏州恒力翔自动化设备有限公司 一种全自动晶片刷洗机
CN109550717B (zh) * 2018-12-21 2024-04-26 苏州恒力翔自动化设备有限公司 一种全自动晶片刷洗机
CN115870295A (zh) * 2022-12-05 2023-03-31 苏州天准科技股份有限公司 用于载具中玻璃镜片的下表面全自动清洁装置和清洁方法
CN115870295B (zh) * 2022-12-05 2023-10-03 苏州天准科技股份有限公司 用于载具中玻璃镜片的下表面全自动清洁装置和清洁方法

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