KR20090049539A - 기판처리장치 - Google Patents

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KR20090049539A
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코지 니시야마
히로시 요시이
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가부시키가이샤 소쿠도
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Abstract

기판의 베벨세정처리시에는, 제1마그넷 플레이트가 아래쪽위치에 배치되고, 제2마그넷 플레이트가 윗쪽위치에 배치된다.
이 경우, 제1마그넷 플레이트의 외방영역에 있어서는 각 척핀이 닫힘상태가 되고, 제2마그넷 플레이트의 외방영역에 있어서는 각 척핀이 열림상태가 된다.
즉, 각 척핀의 파지부는, 제1마그넷 플레이트의 외방영역을 통과할 때에 기판의 바깥둘레단부에 접촉한 상태로 유지되어, 제2마그넷 플레이트의 외방영역을 통과할 때에 기판의 바깥둘레단부로부터 이간한다.
Figure P1020080109695
기판처리장치

Description

기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 기판을 파지하면서 회전시키는 기판파지 회전장치, 그것을 구비한 기판세정장치 및 기판처리장치에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 웨이퍼, 포토마스크용 유리기판, 액정표시장치용 유리기판, 광디스크용 유리기판 등의 기판에 여러가지 처리를 행하기 위해서, 기판처리장치가 이용되고 있다.
기판처리장치에 있어서는, 예를 들면 스핀척에 의해 기판이 파지된 상태로, 기판의 세정처리가 행하여진다.
스핀척으로서는, 기판의 바깥둘레단부를 파지하는 단면(端面) 파지식의 스핀척이 있다(예를 들면 일본 특허공개 평10-92912호참조). 단면 파지식의 스핀척은, 예를 들면, 모터와, 모터에 의해 회전구동 되는 스핀 베이스와, 스핀 베이스 위에 설치되는 복수의 파지핀으로 구성된다. 복수의 파지핀이 기판의 바깥둘레단부에 맞닿음으로써 기판이 스핀 베이스상에서 파지된다. 스핀척이 연직축의 둘레로 회전함에 의해 기판이 수평자세로 회전한다. 이 상태로, 기판의 표면이 브러쉬 등에 의해 세정된다.
그렇지만, 기판의 표면뿐만 아니라 기판의 바깥둘레단부를 세정할 필요가 생기는 경우가 있다. 이러한 경우, 기판의 바깥둘레단부가 복수의 파지핀에 의해 파지되어 있으면, 기판의 바깥둘레단부의 전체를 균일하게 세정함이 곤란해진다.
본 발명의 목적은, 기판의 바깥둘레단부의 전체를 세정함이 가능한 기판파지 회전장치, 그것을 구비한 기판세정장치 및 기판처리장치를 제공하는 것이다.
(1)본 발명의 한 특징을 따르는 기판파지 회전장치는, 기판을 파지하면서 회전시키는 기판파지 회전장치이며, 회전축선의 둘레로 회전가능하게 설치된 회전부재와, 회전부재를 회전시키는 회전구동기구와, 기판의 바깥둘레단부에 맞닿아 기판을 파지하는 기판파지상태와 기판의 바깥둘레단부로부터 이간하는 기판해방상태로 전환가능하게 회전부재에 설치된 복수의 파지부재와, 복수의 파지부재를 기판파지상태와 기판해방상태로 전환하는 파지부재전환기구를 구비하고, 복수의 파지부재의 각각은, 회전구동기구에 의한 회전부재의 회전에 따른 기판의 바깥둘레단부를 따른 제1영역및 제2영역을 통하여 회전축의 둘레로 회전하고, 파지부재전환기구는, 회전부재의 회전중에 복수의 파지부재 중 제1영역에 위치하는 파지부재를 기판파지상태로 하는 동시에 복수의 파지부재 중 제2영역에 위치하는 파지부재를 기판해방상태로 하는 것이다.
그 기판파지 회전장치에 있어서는, 회전구동기구에 의해 회전부재가 회전축선의 둘레로 회전한다. 회전부재에 설치된 복수의 파지부재는, 파지부재전환기구에 의하여 기판의 바깥둘레단부에 맞닿아 기판을 파지하는 기판파지상태와 기판의 바깥둘레단부로부터 이간하는 기판개방상태로 전환된다.
회전부재의 회전 중에는, 파지부재전환기구에 의해 복수의 파지부재 중 제1영역에 위치하는 파지부재가 기판파지상태로 하고, 복수의 파지부재 중 제2영영역에 위치하는 파지부재가 기판해방상태로 한다. 이 경우, 제1영역에 위치하는 파지부재가 기판을 파지한 상태로 이동하고, 제2영역에 위치하는 파지부재가 기판의 바깥둘레단부로부터 이간한 상태로 이동한다. 그로써, 제2영역을 통과하는 기판의 바깥둘레단부와 파지부재 사이에 스페이스가 형성되어, 그 스페이스에 있어서 기판의 바깥둘레단부의 전체를 세정함이 가능해진다. 따라서, 기판의 바깥둘레단부의 오염에 기인하는 기판의 처리 불량의 발생을 방지하는 것이 가능해진다.
(2)파지부재전환기구는, 자력(磁力)에 의해 제1영역에 위치하는 파지부재를 기판파지상태로 전환하는 제1자력발생부재와, 자력에 의해 제2영역에 위치하는 파지부재를 기판해방상태로 전환하는 제2자력발생부재를 포함해도 좋다.
이 경우, 자력을 이용함에 의해, 이동하는 파지부재로부터 제1자력발생부재 및 제2자력발생부재가 이간한 상태로 제1영역에 위치하는 파지부재를 기판파지상태로 전환할 수 있는 동시에 제2영역에 위치하는 파지부재를 기판해방상태로 전환할 수 있다. 따라서, 파지부재전환기구의 구성이 복잡해짐이 방지된다.
(3)제1자력발생부재는, 제1영역에 위치하는 파지부재에 대하여 근접 혹은 이간해서 제1영역에 위치하는 파지부재에 자력을 작용시키는 제1자석부재를 포함하고, 제2자력발생부재는, 제2영역에 위치하는 파지부재에 대하여 근접 혹은 이간해서 제2영역에 위치하는 파지부재에 자력을 작용시키는 제2자석부재를 포함해도 좋다.
이 경우, 간단한 구성으로 확실하게 제1영역에 위치하는 파지부재를 기판파지상태로 전환할 수 있는 동시에 제2영역에 위치하는 파지부재를 기판해방상태로 전환할 수 있다.
(4)복수의 파지부재의 각각은, 회전부재의 아래쪽에서 기판의 바깥둘레단부에 맞닿는 맞닿음위치와 기판의 바깥둘레단부로부터 이간하는 이간위치의 사이에서 이동가능하게 설치된 파지부를 가져도 좋다.
이 경우, 회전부재의 아래쪽에 기판이 배치된 상태로 파지부재의 파지부가 맞닿음위치로 이동함에 의해, 회전부재의 아래쪽에서 기판이 파지된다.
그 때문에, 기판의 아래쪽에 기판의 하면을 세정하기 위한 스페이스가 형성된다.
따라서, 기판의 하면을 세정함이 용이해진다.
(5)본 발명의 다른 특징을 따르는 기판세정장치는, 기판을 파지하면서 회전시키는 기판파지 회전장치와, 기판의 바깥둘레단부를 세정하기 위한 제1세정구와, 제1세정구를 이동시키는 제1세정구이동기구를 구비하고, 기판파지 회전장치는, 회전축선의 둘레로 회전가능하게 설치된 회전부재와, 회전부재를 회전시키는 회전구동기구와, 기판의 바깥둘레단부에 맞닿아 기판을 파지하는 기판파지상태와 기판의 바깥둘레단부로부터 이간하는 기판해방상태로 전환가능하게 회전부재에 설치된 복수의 파지부재와, 복수의 파지부재를 기판파지상태와 기판해방상태로 전환하는 파지부재전환기구를 포함하고, 복수의 파지부재의 각각은, 회전구동기구에 의한 회전부재의 회전에 따른 기판의 바깥둘레단부를 따른 제1영역 및 제2영역을 통하여 회 전축의 둘레로 회전하고, 파지부재전환기구는, 회전부재의 회전중에 복수의 파지부재 중 제1영역에 위치하는 파지부재를 기판파지상태로 하는 동시에 복수의 파지부재 중 제2영역에 위치하는 파지부재를 기판해방상태로 하고, 제1세정구이동기구는,제1영역에 위치하는 파지부재가 기판파지상태로 있는 동시에 제2영역에 위치하는 파지부재가 기판해방상태로 있을 때에 제1세정구를 제2영역으로 이동시키는 것이다.
그 기판세정장치에 있어서는, 기판파지 회전장치에 의해 기판이 파지되면서회전한다.
기판파지 회전장치의 회전부재는, 회전구동기구에 의해 회전축선 둘레로 회전한다. 회전부재에 설치된 복수의 파지부재는, 파지부재전환기구에 의해 기판의 바깥둘레단부에 맞닿아 기판을 파지하는 기판파지상태와 기판의 바깥둘레단부로부터 이간하는 기판개방상태로 전환된다.
회전부재의 회전중에는, 파지부재전환기구에 의해 복수의 파지부재 중 제1영역에 위치하는 파지부재가 기판파지상태로 되고, 복수의 파지부재 중 제2영영역에 위치하는 파지부재가 기판해방상태로 된다. 이 경우, 제1영역에 위치하는 파지부재가 기판을 파지한 상태로 이동하고, 제2영역에 위치하는 파지부재가 기판의 바깥둘레단부로부터 이간한 상태로 이동한다. 그로써, 제2영역을 통과하는 기판의 바깥둘레단부와 파지부재의 사이에 스페이스가 형성된다.
그 스페이스에 제1세정구가 제1세정구이동기구에 의해 이동하고, 회전한 기판의 바깥둘레단부에 접촉한다. 그로써, 기판의 바깥둘레단부의 전체를 제1세정구 에 의해 세정할 수 있고, 기판의 바깥둘레단부에 부착되는 오염물을 확실하게 제거할 수 있다. 그 결과, 기판의 바깥둘레단부의 오염에 기인하는 기판의 처리 불량의 발생을 방지할 수 있다.
(6)기판세정장치는, 기판의 상면 또는 하면을 세정하기 위한 제2세정구과, 제2세정구를 이동시키는 제2세정구이동기구를 더 구비하고, 제2세정구이동기구는, 제1영역에 위치하는 파지부재가 기판파지상태에 있는 동시에 제2영역에 위치하는 파지부재가 기판해방상태에 있을 때에 제2세정구를 제2영역을 통해서 기판의 상면측 또는 하면측으로 이동시켜도 좋다.
이 경우, 제1영역에 위치하는 파지부재에 의해 기판을 파지하면서 회전시키면서, 제2영역을 통해서 제2세정구를 기판과 회전부재 사이로 이동시킬 수 있다.
그로써, 회전부재의 아래쪽에 기판이 위치할 경우에 있어서 기판의 상면을 제2세정구에 의해 세정할 수 있고, 회전부재의 위쪽에 기판이 위치할 경우에 있어서 기판의 하면을 제2세정구에 의해 세정할 수 있다.
(7)파지부재전환기구는, 자력에 의해 제1영역에 위치하는 파지부재를 기판파지상태로 전환하는 제1자력발생부재와, 자력에 의해 제2영역에 위치하는 파지부재를 기판해방상태로 전환하는 제2자력발생부재를 포함해도 좋다.
이 경우, 자력을 이용함에 의해, 이동하는 파지부재로부터 제1 및 제2자력발생부재가 이간한 상태로 제1영역에 위치하는 파지부재를 기판파지상태로 전환할 수 있는 동시에 제2영역에 위치하는 파지부재를 기판해방상태로 전환할 수 있다. 따라서, 파지부재전환기구의 구성이 복잡해짐이 방지된다.
(8)제1자력발생부재는, 제1영역에 위치하는 파지부재에 대하여 근접 혹은 은 이간해서 제1영역에 위치하는 파지부재에 자력을 작용시키는 제1자석부재(磁石部材)를 포함하고,제2자력발생부재는, 제2영역에 위치하는 파지부재에 대하여 근접 혹은 이간해서 제2영역에 위치하는 파지부재에 자력을 작용시키는 제2자석부재를 포함해도 좋다.
이 경우, 간단한 구성으로 확실히 제1영역에 위치하는 파지부재를 기판파지상태로 전환할 수 있는 동시에 제2영역에 위치하는 파지부재를 기판해방상태로 전환할 수 있다.
(9)복수의 파지부재의 각각은, 회전부재의 아래쪽에서 기판의 바깥둘레단부에 맞닿는 맞닿음위치와 기판의 바깥둘레단부로부터 이간하는 이간위치 사이에서 이동가능하게 설치된 파지부를 갖고, 기판세정장치는, 회전부재의 아래쪽에서 기판을 지지하는 기판지지부재와, 기판지지부재를 승강(昇降)시키는 지지부재승강기구를 더 구비해도 좋다.
이 경우, 기판지지부재에 의해 기판이 지지된 상태로, 지지부재승강기구에 의하여 기판지지부재가 상승한다. 그로써, 기판이 복수의 파지부재의 사이로 이동한다. 그 상태에서, 복수의 파지부재의 파지부가 맞닿음위치로 이동함에 의해, 회전부재(回轉部材)의 아래쪽에서 기판을 파지할 수 있다. 그 후, 기판지지부재가 하강함에 의해, 기판의 아래쪽에 기판의 하면을 세정하기 위한 스페이스가 형성된다. 이것에 의해, 기판의 하면을 용이하게 세정할 수 있다.
(10)본 발명의 더욱 다른 특징을 따르는 기판처리장치는, 노광장치에 인접하 도록 배치되는 기판처리장치로서, 기판에 처리를 행하기 위한 처리부와, 처리부와 노광장치 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 주고받기부를 구비하고, 처리부 및 주고받기부의 적어도 한 쪽은, 기판의 세정처리를 행하는 세정처리유닛을 포함하고, 세정처리유닛은, 기판을 파지하면서 회전시키는 기판파지 회전장치와, 기판의 바깥둘레단부를 세정하기 위한 세정구와, 세정구를 이동시키는 세정구이동기구를 구비하고, 기판파지 회전장치는, 회전축선의 둘레로 회전가능하게 설치된 회전부재와, 회전부재를 회전시키는 회전구동기구와, 기판의 바깥둘레단부에 맞닿아 기판을 파지하는 기판파지상태와 기판의 바깥둘레단부로부터 이간하는 기판해방상태로 전환가능하게 회전부재에 설치된 복수의 파지부재와, 복수의 파지부재를 기판파지상태과 기판해방상태로 전환하는 파지부재전환기구를 포함하고, 복수의 파지부재의 각각은, 회전구동기구에 의한 회전부재의 회전에 따른 기판의 바깥둘레단부를 따른 제1영역 및 제2영역을 통하여 회전축의 둘레로 회전하고, 파지부재전환기구는,회전부재의 회전중에 복수의 파지부재 중 제1영역에 위치하는 파지부재를 기판파지상태로 하는 동시에 복수의 파지부재 중 제2영역에 위치하는 파지부재를 기판해방상태로 하고, 세정구이동기구는, 파지부재전환기구가 제1영역에 있는 파지부재를 기판파지상태로 전환하는 동시에 제2영역에 있는 파지부재를 기판해방상태로 전환한 상태에서 세정구를 제2영역으로 이동시키는 것이다.
그 기판처리장치에 있어서는, 처리부에 의해 기판에 소정의 처리가 행하여져, 주고받기부에 의해 그 기판이 처리부로부터 노광장치로 주고받기된다. 노광장치에 의해 기판에 노광처리가 행하여진 후, 그 기판이 주고받기부에 의해 노광장치 로부터 처리부로 주고받기된다. 노광장치에 의한 노광처리전 또는 노광처리후에는, 세정처리유닛에 의해 기판의 세정처리가 행하여진다.
기판세정장치에 있어서는, 기판파지 회전장치에 의해 기판이 파지되면서 회전한다. 기판파지 회전장치의 회전부재는, 회전구동기구에 의해 회전축선의 둘레로 회전한다. 회전부재에 설치된 복수의 파지부재는, 파지부재전환기구에 의해 기판의 바깥둘레단부에 맞닿아 기판을 파지하는 기판파지상태와 기판의 바깥둘레단부로부터 이간하는 기판개방상태로 전환된다.
회전부재의 회전중에는, 파지부재전환기구에 의해 복수의 파지부재 중 제1영역에 위치하는 파지부재가 기판파지상태로 되고, 복수의 파지부재 중 제2영영역에 위치하는 파지부재가 기판해방상태로 된다. 이 경우, 제1영역에 위치하는 파지부재가 기판을 파지한 상태로 이동하고, 제2영역에 위치하는 파지부재가 기판의 바깥둘레단부로부터 이간한 상태로 이동한다. 그로써, 제2영역을 통과하는 기판의 바깥둘레단부와 파지부재의 사이에 스페이스가 형성된다.
그 스페이스에 세정구가 세정구이동기구에 의해 이동하고, 회전하는 기판의 바깥둘레단부에 접촉한다. 그로써, 기판의 바깥둘레단부의 전체를 세정구에 의해 세정할 수 있고, 기판의 바깥둘레단부에 부착되는 오염물을 제거할 수 있다.
그 결과, 기판의 바깥둘레단부의 오염에 기인하는 기판의 처리 불량의 발생을 방지하는 것이 가능하다.
노광장치에 의한 노광처리전에 세정처리유닛에 의해 기판의 바깥둘레단부를 세정하는 경우에는, 기판의 바깥둘레단부의 오염에 기인하는 노광장치내의 오염을 방지할 수 있고, 치수불량 및 형상불량 등의 패턴불량을 방지할 수 있다. 또한, 노광장치에 의한 노광처리 후에 세정처리유닛에 의해 기판의 바깥둘레단부를 세정할 경우에는, 노광 패턴의 현상시에 있어서의 현상 결함의 발생을 방지할 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판의 바깥둘레단부의 전체를 세정함이 가능해진다.
그로써, 기판의 바깥둘레단부의 오염에 기인하는 기판의 처리 불량의 발생을 방지하는 것이 가능해진다.
이하, 본 발명의 실시형태에 의한 기판파지 회전장치, 그를 구비한 기판세정장치 및 기판처리장치에 대해서 도면을 이용해서 설명한다.
이하의 설명에서, 기판이라 함은, 반도체기판, 액정표시장치용 기판, 플라즈마디스플레이용 기판, 포토마스크용 유리기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기디스크용 기판, 포토마스크용 기판 등을 말한다.
(1)제1실시형태
(1-1)기판처리장치의 구성
도 1은, 본 발명의 제1실시형태에 의한 기판처리장치의 평면도이다. 또한,도 1 및 후술하는 도 2∼도 4에는, 위치 관계를 명확히 하기 위해서 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 나타내는 화살표를 붙이고 있다. X 방향 및 Y방향는 수평면내에서 서로 직교하고, Z 방향은 연직방향에 상당한다. 또한, 각 방향에서 화살 표가 향하는 방향을 +방향, 그 반대인 방향을 -방향으로 한다. 또한, Z방향을 중심으로 하는 회전방향을 θ방향으로 하고 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판처리장치(500)는, 인덱서블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트 커버막용 처리블록(13), 레지스트 커버막 제거블록(14) 및 인터페이스블록(15)을 포함한다. 또한, 인터페이스블록(15)에 인접하도록 노광장치(16)가 배치된다. 노광장치(16)에 있어서는, 액침법에 의하여 기판(W)에 노광처리가 행하여진다.
이하, 인덱서블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트 커버막용 처리블록(13), 레지스트 커버막 제거블록(14) 및 인터페이스블록(15)의 각각을 처리블록으로 부른다.
인덱서블록(9)은, 각 처리블록의 동작을 제어하는 메인컨트롤러(제어부)(30), 복수의 캐리어재치대(40) 및 인덱서로봇(IR)을 포함한다. 인덱서로봇(IR)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(IRH)가 설치된다.
반사방지막용 처리블록(10)은, 반사방지막용 열처리부(100, 101), 반사방지막용도포처리부(50) 및 제1센터로봇(CR1)을 포함한다. 반사방지막용도포처리부(50)은, 제1센터로봇(CR1)을 끼워서 반사방지막용열처리부(100, 101)에 대향하여 설치된다. 제1센터로봇(CR1)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH1, CRH2)가 상하로 설치된다.
인덱서블록(9)과 반사방지막용 처리블록(10)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(17)이 설치된다. 이 격벽(17)에는, 인덱서블록(9)과 반사방지막용 처리블 록(10)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS1, PASS2)가 상하로 근접해서 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS1)는, 기판(W)을 인덱서블록(9)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)에 반송할 때에 이용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS2)는, 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 인덱서블록(9)에 반송할 때에 이용된다.
또한, 기판재치부(PASS1, PASS2)에는, 기판(W)의 유무를 검출하는 광학식의 센서(도시되지 않음)가 설치되어 있다. 그로써, 기판재치부(PASS1,PASS2)에 있어서 기판(W)이 재치되어 있는지 여부의 판정을 행하는 것이 가능하다. 또한, 기판재치부(PASS1, PASS2)에는, 고정 설치된 복수개의 지지 핀이 설치되어 있다. 또한, 상기의 광학식의 센서 및 지지 핀은, 후술하는 기판재치부(PASS3∼PASS13)에도 동일하게 설치된다.
레지스트막용 처리블록(11)은, 레지스트막용 열처리부(110, 111), 레지스트막용도포처리부(60) 및 제2센터로봇(CR2)을 포함한다. 레지스트막용도포처리부(60)는, 제2센터로봇(CR2)을 끼워서 레지스트막용열처리부(110, 111)에 대향하여 설치된다. 제2센터로봇(CR2)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH3, CRH4)가 상하로 설치된다.
반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(18)이 설치된다. 이 격벽(18)에는, 반사방지막용 처리블록(10)과 레지스트막용 처리블록(11)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS3, PASS4)가 상하로 근접해서 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS3) 는, 기판(W)을 반사방지막용 처리블록(10)으로부터 레지스트막용처리블록(11)으로 반송할 때에 이용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS4)은, 기판(W)을 레지스트막용 처리블록(11)으로부터 반사방지막용 처리블록(10)으로 반송할 때에 이용된다.
현상처리블록(12)은, 현상용 열처리부(120, 121), 현상처리부(70)및 제3센터로봇(CR3)을 포함한다. 현상처리부(70)는, 제3센터로봇(CR3)을 끼워서 현상용 열처리부(120, 121)에 대향하여 설치된다. 제3센터로봇(CR3)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH5,CRH6)가 상하로 설치된다.
레지스트막용 처리블록(11)과 현상처리블록(12)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(19)이 설치된다. 이 격벽(19)에는, 레지스트막용 처리블록(11)과 현상처리블록(12)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS5, PASS6)가 상하로 근접해서 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS5)는, 기판(W)을 레지스트막용 처리블록(11)으로부터 현상처리블록(12)에 반송할 때에 이용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS6)는, 기판(W)을 현상처리블록(12)으로부터 레지스트막용 처리블록(11)에 반송할 때에 이용된다.
레지스트 커버막용 처리블록(13)은, 레지스트 커버막용 열처리부(130,131), 레지스트 커버막용도포처리부(80) 및 제4센터로봇(CR4)을 포함한다. 레지스트 커버막용도포처리부(80)는, 제4센터로봇(CR4)을 끼워서 레지스트 커버막용 열처리부(130, 131)에 대향하여 설치된다. 제4센터로봇(CR4)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH7,CRH8)가 상하로 설치된다.
현상처리블록(12)과 레지스트 커버막용 처리블록(13)과의 사이에는, 분위기 차단용의 격벽(20)이 설치된다. 이 격벽(20)에는, 현상처리블록(12)과 레지스트 커버막용 처리블록(13)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS7, PASS8)가 상하로 근접해서 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS7)는, 기판(W)을 현상처리블록(12)으로부터 레지스트 커버막용 처리블록(13)에 반송할 때에 이용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS8)는, 기판(W)을 레지스트 커버막용 처리블록(13)으로부터 현상처리블록(12)에 반송할 때에 이용된다.
레지스트 커버막 제거블록(14)은, 노광후베이크용 열처리부(140, 141), 레지스트 커버막 제거용 처리부(90) 및 제5센터로봇(CR5)을 포함한다. 노광후베이크용 열처리부(141)는 인터페이스블록(15)에 인접하고, 후술하는 바와 같이, 기판재치부(PASS11, PASS12)를 구비한다. 레지스트 커버막 제거용 처리부(90)는, 제5센터로봇(CR5)을 끼워서 노광후베이크용 열처리부(140, 141)에 대향하여 설치된다. 제5센터로봇(CR5)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH9, CRHlO)가 상하로 설치된다.
레지스트 커버막용 처리블록(13)과 레지스트 커버막 제거블록(14)과의 사이에는, 분위기차단용의 격벽(21)이 설치된다. 이 격벽(21)에는, 레지스트커버막용 처리블록(13)과 레지스트 커버막 제거블록(14)과의 사이에서 기판(W)의 주고받기를 행하기 위한 기판재치부(PASS9, PASS10)가 상하로 근접하여 설치된다. 위쪽의 기판재치부(PASS9)는, 기판(W)을 레지스트 커버막용 처리블록(13)으로부터 레지스트 커버막 제거블록(14)에 반송할 때에 이용되고, 아래쪽의 기판재치부(PASS10)는, 기판(W)을 레지스트 커버막 제거블록(14)으로부터 레지스트 커버막용 처리블록(13)에 반송할 때에 이용된다.
인터페이스블록(15)은, 보냄버퍼부(SBF), 세정/건조처리유닛(SD1), 제6센터로봇(CR6), 에지노광부(EEW), 되돌림버퍼부(RBF), 재치겸 냉각유닛(PASS-CP)(이하, P-CP로 약기한다), 기판재치부(PASS13), 인터페이스용 반송기구(IFR) 및 세정/건조처리유닛(SD2)을 포함한다. 세정/건조처리유닛(SD1)은, 노광처리전의 기판(W)의 세정 및 건조처리를 행하고, 세정/건조처리유닛(SD2)은, 노광처리후의 기판(W)의 세정 및 건조처리를 행한다. 세정/건조처리유닛(SD1,SD2)의 상세한 사항은 후술한다.
또한, 제6센터로봇(CR6)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(CRH11, CRH12)(도 4참조)가 상하로 설치되고, 인터페이스용 반송기구(IFR)에는, 기판(W)을 주고받기 위한 핸드(H1, H2)(도 4참조)가 상하로 설치된다. 인터페이스블록(15)의 상세한 사항에 대해서는 후술한다.
본 실시형태에 의한 기판처리장치(500)에 있어서는, Y방향을 따라 인덱서블록(9), 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트 커버막용 처리블록(13), 레지스트 커버막 제거블록(14) 및 인터페이스블록(15)이 순서대로 병설(竝設)되어 있다.
도 2는, 도 1의 기판처리장치(500)를 +X방향에서 본 개략측면도이며, 도 3 은, 도 1의 기판처리장치(500)를 -X방향에서 본 개략측면도이다. 또한, 도 2에 있어서는, 기판처리장치(500)의 +X측에 설치되는 것을 주로 나타내고, 도 3에 있어서는, 기판처리장치(500)의 -X측에 설치되는 것을 주로 나타내고 있다.
우선, 도 2을 이용하여, 기판처리장치(500)의 +X측의 구성에 대해서 설명한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용도포처 리부(50)(도 1참조)에는, 3개의 도포유닛(BARC)이 상하로 적층배치되어 있다. 각 도포유닛(BARC)은, 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지해서 회전하는 스핀척(51) 및 스핀척(51) 위에 파지된 기판(W)에 반사방지막의 도포액을 공급하는 공급노즐(52)을 구비한다.
레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용도포처리부(60)(도 1참조)에는, 3개의 도포유닛(RES)이 상하로 적층배치되어 있다. 각 도포유닛(RES)은, 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지해서 회전하는 스핀척(61) 및 스핀척(61)위에 파지된 기판(W)에 레지스트막의 도포액을 공급하는 공급노즐(62)을 구비한다.
현상처리블록(12)의 현상처리부(70)에는, 5개의 현상처리유닛(DEV)이 상하로 적층배치되어 있다. 각 현상처리유닛(DEV)은, 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지해서 회전하는 스핀척(71) 및 스핀척(71) 위에 파지된 기판(W)에 현상액을 공급하는 공급노즐(72)을 구비한다.
레지스트 커버막용 처리블록(13)의 레지스트 커버막용도포처리부(80)에는, 3개의 도포유닛(COV)이 상하로 적층배치되어 있다. 각 도포유닛(COV)은, 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지해서 회전하는 스핀척(81) 및 스핀척(81)위에 파지된 기판(W)에 레지스트 커버막의 도포액을 공급한 공급노즐(82)을 구비한다. 레지스트 커버막의 도포액으로서는, 레지스트 및 물과의 친화력이 낮은 재료(레지스트 및 물과의 반응성이 낮은 재료)를 이용할 수 있다. 예를 들면, 불소수지이다. 도포유닛(COV)은, 기판(W)을 회전시키면서 기판(W) 위에 도포액을 도포함에 의해, 기판(W) 위에 형성된 레지스트막 상에 레지스트 커버막을 형성한다.
레지스트 커버막 제거블록(14)의 레지스트 커버막 제거용 처리부(90)에는, 3 개의 제거유닛(REM)이 상하로 적층배치되어 있다. 각 제거유닛(REM)은, 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지해서 회전하는 스핀척(91) 및 스핀척(91) 위에 파지된 기판(W)에 박리액(예를 들면 불소수지)을 공급하는 공급노즐(92)을 구비한다. 제거유닛(REM)은, 기판(W)을 회전시키면서 기판(W) 위에 박리액을 도포함에 의해, 기판(W) 위에 형성된 레지스트 커버막을 제거한다.
또한, 제거유닛(REM)에 있어서의 레지스트 커버막의 제거 방법은 상기의 예에 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판(W)의 윗쪽에서 슬릿노즐을 이동시키면서 기판(W) 위에 박리액을 공급함에 의해 레지스트 커버막을 제거해도 좋다.
인터페이스블록(15)안의 +X측에는, 에지노광부(EEW) 및 3개의 세정/건조처리유닛(SD2)이 상하로 적층배치된다. 각 에지노광부(EEW)는, 기판(W)을 수평자세로 흡착 파지해서 회전하는 스핀척(98) 및 스핀척(98)위에 파지된 기판(W)의 가장자리를 노광하는 광조사기(99)를 구비한다.
다음으로, 도 3을 이용하여, 기판처리장치(500)의 -X측의 구성에 대해서 설명한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 반사방지막용 처리블록(10)의 반사방지막용 열처리부(100, 101)에는, 2개의 가열유닛(핫플레이트)(HP) 및 2개의 냉각유닛(쿨링 플레이트)(CP)이 각각 적층배치된다. 또한, 반사방지막용 열처리부(100, 101)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.
레지스트막용 처리블록(11)의 레지스트막용 열처리부(110, 111)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 각각 적층배치된다. 또한, 레지스트막용 열처리부(110, 111)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.
현상처리블록(12)의 현상용 열처리부(120, 121)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 각각 적층배치된다. 또한, 현상용열처리부(120, 121)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.
레지스트 커버막용 처리블록(13)의 레지스트 커버막용 열처리부(130,131)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 각각 적층배치된다. 또한, 레지스트 커버막용 열처리부(130, 131)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.
레지스트 커버막 제거블록(14)의 노광후베이크용 열처리부(140)에는, 2개의 가열유닛(HP) 및 2개의 냉각유닛(CP)이 상하로 적층배치되어, 노광후베이크용 열처리부(141)에는 2개의 가열유닛(HP), 2개의 냉각유닛(CP) 및 기판재치부(PASS11, PASS12)가 상하로 적층배치된다. 또한, 노광후베이크용 열처리부(140, 141)에는, 최상부에 가열유닛(HP) 및 냉각유닛(CP)의 온도를 제어하는 로컬 컨트롤러(LC)가 각각 배치된다.
다음으로, 도 4를 이용해서 인터페이스블록(15)에 대해서 상세하게 설명한다. 도 4는, 인터페이스블록(15)을 +Y측에서 본 개략측면도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 인터페이스블록(15) 내에서, -X측에는, 보냄버퍼부(SBF)및 3개의 세정/ 건조처리유닛(SD1)이 적층배치된다. 또한, 인터페이스블록(15)안에서, +X측의 상부에는, 에지노광부(EEW)가 배치된다.
에지노광부(EEW)의 아래쪽에서, 인터페이스블록(15)안의 대략 중앙부에는, 되돌림버퍼부(RBF), 2개의 재치겸 냉각유닛(P-CP) 및 기판재치부(PASS13)가 상하로 적층배치된다. 에지노광부(EEW)의 아래쪽에서, 인터페이스블록(15)안의 +X측에는, 3개의 세정/건조처리유닛(SD2)이 상하로 적층배치된다.
또한, 인터페이스블록(15)안의 하부에는, 제6센터로봇(CR6) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)가 설치되어 있다. 제6센터로봇(CR6)은, 보냄버퍼부(SBF)및 세정/건조처리유닛(SD1)과, 에지노광부(EEW), 되돌림버퍼부(RBF), 재치겸 냉각유닛(P-CP) 및 기판재치부(PASS13)과의 사이에서, 상하이동 가능하면서 회동(回動) 가능하게 설치되어 있다.
인터페이스용 반송기구(IFR)는, 되돌림버퍼부(RBF), 재치겸 냉각유닛(P-CP) 및 기판재치부(PASS13)와, 세정/건조처리유닛(SD2)의 사이에서 상하이동 가능하면서 회동 가능하게 설치되어 있다.
(1-2)기판처리장치의 동작
다음으로, 본 실시형태에 의한 기판처리장치(500)의 동작에 대해서 도 1∼도 4를 참조하면서 설명한다.
(1-2-1)인덱서블록∼레지스트 커버막 제거블록의 동작
우선, 인덱서블록(9)∼레지스트 커버막 제거블록(14)의 동작에 대하여 간단히 설명한다.
인덱서블록(9)의 캐리어재치대(40) 위에는, 복수매의 기판(W)을 다단으로 수납하는 캐리어(C)가 수취된다. 인덱서로봇(IR)은, 핸드(IRH)를 이용하여 캐리어(C)안에 수납된 미처리의 기판(W)을 꺼낸다. 그 후, 인덱서로봇(IR)은 ±X방향으로 이동하면서 ±θ방향으로 회전이동하고, 미처리의 기판(W)을 기판재치부(PASS1)에 재치한다.
본 실시형태에 있어서는, 캐리어(C)로서 FOUP(front opening unified pod)을 채용하고 있지만, 이에 한정되지 않고, SMIF(Standard Mechanical Inter Face) 포트나 수납 기판(W)을 외기에 노출시키는 OC(open cassette) 등을 이용해도 좋다.
더욱이, 인덱서로봇(IR), 제1∼제6센터로봇(CR1∼CR6) 및 인터페이스용 반송기구(IFR)에는, 각각 기판(W)에 대하여 직선적으로 슬라이드시켜서 핸드의 진퇴동작을 행하는 직동형(直動型) 반송로봇을 이용하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 관절을 움직임에 의해 직선적으로 핸드의 진퇴동작을 행하는 다관절형 반송로봇을 이용해도 좋다.
기판재치부(PASS1)에 재치된 미처리의 기판(W)은, 반사방지막용 처리블록(10)의 제1센터로봇(CR1)에 의해 수취된다. 제1센터로봇(CR1)은, 그 기판(W)을 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 반입한다.
그 후, 제1센터로봇(CR1)은, 반사방지막용 열처리부(100, 101)로부터 열처리를 마친 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 반사방지막용도포처리부(50)에 반입한다.
이 반사방지막용도포처리부(50)에서는, 노광시에 발생하는 저재파(低在波)나 할레이션(halation)을 감소시키기 위해서, 도포유닛(BARC)에 의해 기판(W) 위에 반 사방지막이 도포형성된다.
다음으로, 제1센터로봇(CR1)은, 반사방지막용도포처리부(50)로부터 도포처리를 마친 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 반사방지막용 열처리부(100, 101)에 반입한다. 그 후, 제1센터로봇(CR1)은, 반사방지막용 열처리부(100,101)로부터 열처리를 마친 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS3)에 재치한다.
기판재치부(PASS3)에 재치된 기판(W)은, 레지스트막용 처리블록(11)의 제2센터로봇(CR2)에 의해 수취된다. 제2센터로봇(CR2)은, 그 기판(W)을 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 반입한다.
그 후, 제2센터로봇(CR2)은, 레지스트막용 열처리부(110, 111)로부터 열처리를 마친 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 레지스트막용도포처리부(60)에 반입한다. 이 레지스트막용도포처리부(60)에서는, 도포유닛(RES)에 보다 반사방지막이 도포형성된 기판(W) 위로 레지스트막이 도포형성된다.
다음으로, 제2센터로봇(CR2)은, 레지스트막용도포처리부(60)로부터 도포처리를 마친 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 레지스트막용 열처리부(110, 111)에 반입한다. 그 후, 제2센터로봇(CR2)은, 레지스트막용 열처리부(110, 111)로부터 열처리를 마친 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS5)에 재치한다.
기판재치부(PASS5)에 재치된 기판(W)은, 현상처리블록(12)의 제3센터로봇(CR3)에 의해 수취된다. 제3센터로봇(CR3)은, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS7)에 재치한다.
기판재치부(PASS7)에 재치된 기판(W)은, 레지스트 커버막용 처리블록(13)의 제4센터로봇(CR4)에 의해 수취된다. 제4센터로봇(CR4)은, 그 기판(W)을 레지스트 커버막용도포처리부(80)에 반입한다. 이 레지스트 커버막용도포처리부(80)에서는, 도포유닛(COV)에 의해 레지스트막이 도포형성된 기판(W) 위에 레지스트 커버막이 도포형성된다. 레지스트커버막이 형성됨으로써, 노광장치(16)에 있어서 기판(W)이 액체와 접촉해도, 레지스트막이 액체와 접촉하는 것이 방지되어, 레지스트의 성분이 액체중에 용출됨이 방지된다.
다음으로, 제4센터로봇(CR4)은, 레지스트 커버막용도포처리부(80)부터 도포처리를 마친 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 레지스트 커버막용 열처리부(130, 131)에 반입한다. 그 후, 제4센터로봇(CR4)은, 레지스터스트라이크 커버막용 열처리부(130, 131)로부터 열처리를 마친 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS9)에 재치한다.
기판재치부(PASS9)에 재치된 기판(W)은, 레지스트 커버막 제거블록(14)의 제5센터로봇(CR5)에 의해 수취된다. 제5센터로봇(CR5)은, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS11)에 재치한다.
기판재치부(PASS11)에 재치된 기판(W)은, 인터페이스블록(15)의 제6센터로봇(CR6)에 의해 수취되어, 후술하는 바와 같이, 인터페이스블록(15) 및 노광장치(16)에 있어서 소정의 처리가 행해진다. 인터페이스블록(15) 및 노광장치(16)에 있어서 기판(W)에 소정의 처리가 행해진 후, 그 기판(W)은, 제6센터로봇(CR6)에 의해 레지스트 커버막 제거블록(14)의 노광후베이크용 열처리부(141)에 수취된다.
노광후베이크용 열처리부(141)에 있어서는, 기판(W)에 대하여 노광후베이 크(PEB)가 행하여진다. 그 후, 제6센터로봇(CR6)은, 노광후베이크용 열처리부(141)로부터 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS12)에 재치한다.
또한, 본 실시형태에 있어서는 노광후베이크용 열처리부(141)에 의해 노광후베이크를 행하고 있지만, 노광후베이크용 열처리부(140)에 의해 노광후베이크를 행해도 좋다.
기판재치부(PASS12)에 재치된 기판(W)은, 레지스트 커버막 제거블록(14)의 제5센터로봇(CR5)에 의해 수취된다. 제5센터로봇(CR5)은, 그 기판(W)을 레지스트 커버막 제거용 처리부(90)에 반입한다. 레지스트 커버막 제거용 처리부(90)에 서는, 레지스트 커버막이 제거된다.
다음으로, 제5센터로봇(CR5)은, 레지스트 커버막 제거용 처리부(90)부터 처리를 마친 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS10)에 재치한다.
기판재치부(PASS10)에 재치된 기판(W)은, 레지스트 커버막용 처리블록(13)의 제4센터로봇(CR4)에 의해 기판재치부(PASS8)에 재치된다.
기판재치부(PASS8)에 재치된 기판(W)은, 현상처리블록(12)의 제3센터로봇(CR3)에 의해 수취된다. 제3센터로봇(CR3)은, 그 기판(W)을 현상처리부(70)에 반입한다. 현상처리부(70)에서는, 노광된 기판(W)에 대하여 현상처리가 행해진다.
다음으로, 제3센터로봇(CR3)은, 현상처리부(70)로부터 현상처리를 마친 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 현상용 열처리부(120, 121)에 반입한다. 그 후, 제3센터로봇(CR3)은, 현상용 열처리부(120, 121)로부터 열처리후의 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS6)에 재치한다.
기판재치부(PASS6)에 재치된 기판(W)은, 레지스트막용 처리블록(11)의 제2센터로봇(CR2)에 의해 기판재치부(PASS4)에 재치된다. 기판재치부(PASS4)에 재치된 기판(W)은 반사방지막용 처리블록(10)의 제1센터로봇(CR1)에 의해 기판재치부(PASS2)에 재치된다.
기판재치부(PASS2)에 재치된 기판(W)은, 인덱서블록(9)의 인덱서로봇(IR)에 의해 캐리어(C)안에 수납된다. 이로써, 기판처리장치(500)에 있어서의 기판(W)의 각 처리가 종료한다.
(1-2-2)인터페이스블록의 동작
다음으로, 인터페이스블록(15)의 동작에 대해서 상세하게 설명한다.
상술한 바와 같이, 인덱서블록(9)에 반입된 기판(W)은, 소정의 처리가 행해진 후, 레지스트 커버막 제거블록(14)(도 1)의 기판재치부(PASS11)에 재치된다.
기판재치부(PASS11)에 재치된 기판(W)은, 인터페이스블록(15)의 제6센터로봇(CR6)에 의해 수취된다. 제6센터로봇(CR6)은, 그 기판(W)을 에지노광부(EEW)(도 4)에 반입한다. 이 에지노광부(EEW)에 있어서는, 기판(W)의 가장자리부에 노광처리가 행해진다.
다음으로, 제6센터로봇(CR6)은, 에지노광부(EEW)로부터 에지노광을 마친 기판(W)을 꺼내고, 그 기판(W)을 세정/건조처리유닛(SD1)의 어느 것에 반입한다. 세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서는, 상술한 바와 같이 노광처리전의 기판(W)의 세정 및 건조처리가 행하여진다.
여기에서, 노광장치(16)에 의한 노광처리의 시간은, 통상, 다른 처리공정 및 반송공정보다도 길다. 그 결과, 노광장치(16)가 뒤의 기판(W)을 받아들일 수 없는경우가 많다. 이 경우, 기판(W)은 보냄버퍼부(SBF)(도 4)에 일시적으로 수납보관된다. 본 실시형태에서는, 제6센터로봇(CR6)은, 세정/건조처리유닛(SD1)으로부터 세정 및 건조처리를 마친 기판(W)을 꺼내서 그 기판(W)을 보냄버퍼부(SBF)에 반송한다.
다음으로, 제6센터로봇(CR6)은, 보냄버퍼부(SBF)에 수납 보관되어 있는 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 재치겸 냉각유닛(P-CP)에 반입한다. 재치겸 냉각유닛(P-CP)에 반입된 기판(W)은, 노광장치(16)안과 같은 온도(예를 들면, 23℃)로 유지된다.
또한, 노광장치(16)가 충분한 처리속도를 가질 경우에는, 보냄버퍼부(SBF)에 기판(W)을 수납 보관하지 않고, 세정/건조처리유닛(SD1)으로부터 재치겸 냉각유닛(P-CP)에 기판(W)을 반송해도 좋다.
계속해서, 재치겸 냉각유닛(P-CP)에서 상기 소정온도로 유지된 기판(W)이, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 위쪽의 핸드(H1)(도 4)에 의해 수취되어, 노광장치(16)안의 기판반입부(16a)(도 1)에 수취된다.
노광장치(16)에서 노광처리가 행해진 기판(W)은, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 아래쪽의 핸드(H2)(도 4)에 의해 기판반출부16b(도 1)로부터 반출된다. 인터페이스용 반송기구(IFR)는, 핸드(H2)에 의해, 그 기판(W)을 세정/건조처리유닛(SD2) 중 어느 것에 반입한다. 세정/건조처리유닛(SD2)에 있어서는, 상술한 바와 같이 노광처리후의 기판(W)의 세정 및 건조처리가 행하여진다.
세정/건조처리유닛(SD2)에 있어서 세정 및 건조처리가 행해진 기판(W)은, 인터페이스용 반송기구(IFR)의 핸드(H1)(도 4)에 의해 꺼내진다. 인터페이스용 반송기구(IFR)는, 핸드(H1)에 의해, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS13)에 재치한다.
기판재치부(PASS13)에 재치된 기판(W)은, 제6센터로봇(CR6)에 의해 수취된다. 제6센터로봇(CR6)은, 그 기판(W)을 레지스트커버막 제거블록(14)(도 1)의 노광후베이크용 열처리부(141)에 반송한다.
또한, 제거유닛(REM)(도 2)의 고장 등에 의해, 레지스트 커버막 제거블록(14)이 일시적으로 기판(W)의 받아들임이 불가능할 때에는, 되돌림버퍼부(RBF)에 노광처리후의 기판(W)을 일시적으로 수납 보관할 수 있다.
여기에서, 본 실시형태에 있어서는, 제6센터로봇(CR6)은, 기판재치부(PASS11)(도 1), 에지노광부(EEW), 세정/건조처리유닛(SD1), 보냄버퍼부(SBF), 재치겸 냉각유닛(P-CP), 기판재치부(PASS13) 및 노광후베이크용 열처리부(141)의 사이에서 기판(W)을 반송하지만, 이 일련의 동작을 단시간(예를 들면, 24초)에 행할 수 있다.
또한, 인터페이스용 반송기구(IFR)는, 재치겸 냉각유닛(P-CP), 노광장치(16), 세정/건조처리유닛(SD2) 및 기판재치부(PASS13)의 사이에서 기판(W)을 반송하지만, 이 일련의 동작을 단시간(예를 들면, 24초)에 행할 수 있다.
이들의 결과, 처리량을 확실하게 향상시킬 수 있다.
(1-3)세정/건조처리유닛
다음으로, 세정/건조처리유닛(SD1)에 대해서 도면을 이용해서 상세하게 설명 한다. 도 5 및 도 6은, 세정/건조처리유닛(SD1)의 구성을 나타내는 측면도 및 개략 평면도이다.
한편, 도 6에는, 세정/건조처리유닛(SD1)의 일부의 구성요소가 모식적으로 나타난다. 세정/건조처리유닛(SD2)은, 세정/건조처리유닛(SD1)과 같은 구성을 가진다.
도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 세정/건조처리유닛(SD1)은, 기판(W)을 수평으로 파지해서 회전시키는 스핀척(610)을 구비한다. 스핀척(610)은, 스핀모터(611), 회전축(611a), 원판형상의 스핀 플레이트(612), 플레이트 지지부재(613), 마그넷 플레이트(614a, 614b) 및 복수의 척핀(615)을 포함한다.
세정/건조처리유닛(SD1)의 상부에 스핀모터(611)가 설치되어 있다. 스핀모터(611)는, 도시되지 않은 지지부재에 의해 지지되어 있다. 스핀모터(611)로부터 아래쪽으로 뻗도록 회전축(611a)이 설치되어 있다. 회전축(611a)의 하단부에는 플레이트 지지부재(613)가 설치되어 있다. 플레이트지지부재(613)에 의해 스핀 플레이트(612)가 수평으로 지지되어 있다. 스핀모터(611)에 의해 회전축(611a)이 회전함에 의해, 스핀 플레이트(612)가 연직축의 둘레로 회전한다.
스핀모터(611), 회전축(611a) 및 플레이트 지지부재(613)에는, 액공급관(610a)이 장착되어 있다. 액공급관(610a)을 통하여, 스핀척(610)에 의해 파지되는 기판(W) 위에 세정액을 공급할 수 있다. 세정액으로는, 예를 들면 순수가 이용된다.
스핀 플레이트(612)의 가장자리부에는, 복수(본 예에서는 5개)의 척핀(615) 이 회전축(611a)에 관해서 동일한 각도 간격으로 설치되어 있다. 척핀(615)의 개수는, 5개 이상인 것이 바람직하다. 그 이유에 대해서는 후술한다.
각 척핀(615)은, 축부(615a), 핀 지지부(615b), 파지부(615c) 및 마그넷(616)을 포함한다. 스핀 플레이트(612)을 관통하도록 축부(615a)가 설치되어, 축부(615a)의 하단부에 수평방향으로 뻗는 핀 지지부(615b)가 접속되어 있다. 핀 지지부(615b)의 선단부에서 아래쪽으로 돌출하도록 파지부(615c)가 설치되어 있다.
또한, 스핀 플레이트(612)의 상면측에서, 축부(615a)의 상단부에 마그넷(616)이 설치되어 있다.
각 척핀(615)은, 축부(615a)를 중심으로 연직축의 둘레로 회전가능하며, 파지부(615c)가 기판(W)의 바깥둘레단부에 맞닿는 닫힘상태와, 파지부(615c)가 기판(W)의 바깥둘레단부로부터 이간(離間)하는 열림상태로 전환가능하다. 또한, 본 예에서는, 마그넷(616)의 N극이 안쪽에 있을 경우에 각 척핀(615)이 닫힘상태가 되고, 마그넷(616)의 S극이 안쪽에 있을 경우에 각 척핀(615)이 열림상태가 된다.
스핀 플레이트(612)의 윗쪽에는, 회전축(611a)을 중심으로 하는 둘레방향을 따라 마그넷 플레이트(614a, 614b)가 배치된다. 마그넷 플레이트(614a, 614b)는, 외측에 S극을 가지고, 안쪽에 N극을 가진다. 마그넷 플레이트(614a, 614b)는, 마그넷 승강기구(617a, 617b)에 의해 각각 독립적으로 승강하여, 척핀(615)의 마그넷(616)보다도 높은 상방위치와 척핀(615)의 마그넷(616)과 거의 동일한 높이의 하방위치와의 사이에서 이동한다.
마그넷 플레이트(614a, 614b)의 승강에 의해, 각 척핀(615)지만 열림상태와 닫힘상태로 전환된다. 마그넷 플레이트(614a, 614b) 및 척핀(615)의 동작의 상세한 사항에 대해서는 후술한다.
스핀척(610)의 바깥쪽에는, 기판(W)으로부터 비산하는 세정액을 받아내기 위한 가드(618)가 설치되어 있다. 가드(618)는, 스핀척(610)의 회전축(611a)에 관해서 회전대칭(回轉對稱)인 형상을 가진다. 또한, 가드(618)는, 가드승강기구(618a)에 의해 승강한다.
가드(618)에 의해 받아진 세정액은, 도시되지 않은 배액장치 또는 회수장치에 의해 배액 또는 회수된다.
가드(618)의 바깥쪽에는, 3개 이상(본 예에서는 3개)의 기판주고받기기구(620)가 스핀척(610)의 회전축(611a)을 중심으로 해서 같은 각도 간격으로 배치되어 있다. 각 기판주고받기기구(620)는, 승강회전구동부(621), 회전축(622), 아암(623) 및 파지핀(624)을 포함한다. 승강회전구동부(621)로부터 윗쪽으로 뻗도록 회전축(622)이 설치되고, 회전축(622)의 상단부로부터 수평방향으로 뻗도록 아암(623)이 연결되어 있다. 아암(623)의 선단부에, 기판(W)의 바깥둘레단부를 파지하기 위한 파지핀(624)이 설치되어 있다.
승강회전구동부(621)에 의해, 회전축(622)이 승강동작 및 회전동작을 행한다. 그로써, 파지핀(624)이 수평방향 및 상하 방향으로 이동한다.
또한, 세정/건조처리유닛(SD1)의 하부에는, 스핀척(610)에 의해 파지되는 기판(W)의 바깥둘레단부 및 이면을 세정하기 위한 세정브러쉬(630)가 설치되어 있다. 세정브러쉬(630)는 대략 원주(圓柱)형상을 가지며, 바깥둘레면에는 단면 V자형태의 홈(635)이 형성되어 있다. 세정브러쉬(630)는 브러쉬 파지부재(631)에 의해 파지되어 있다. 브러쉬 파지부재(631)가 브러쉬 이동기구(632)에 의해 구동됨에 의해, 세정브러쉬(630)가 수평방향 및 연직방향으로 이동한다.
세정브러쉬(630)의 근방에서의 브러쉬 파지부재(631)의 부분에는 세정노즐(633)이 설치되어 있다. 세정노즐(633)에는 세정액이 공급되는 액공급관(도시되지 않음)이 접속되어 있다. 세정노즐(633)의 토출구는 세정브러쉬(635) 주변을 향하게 되어 있어, 토출구로부터 세정브러쉬(630)주변을 향해서 세정액이 토출된다.
(1-4)기판의 파지동작
다음으로, 스핀척(610)에 의한 기판(W)의 파지동작에 대해서 설명한다. 도 7 및 도 8은, 스핀척(610)에 의한 기판(W)의 파지동작을 설명하기 위한 도면이다.
우선, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 가드(618)가 척핀(615)보다도 낮은 위치로 이동한다. 그리고, 복수의 기판주고받기기구(620)(도5)의 파지핀(624)이 가드(618)의 윗쪽을 지나가서 스핀 플레이트(612)의 아래쪽으로 이동한다. 복수의 파지핀(624) 상에 제6센터로봇(CR6)(도 1)에 의해 기판(W)이 재치된다.
이 때, 마그넷 플레이트(614a, 614b)는 윗쪽위치에 있다. 이 경우, 마그넷 플레이트(614a, 614b)의 자력선(B)은, 척핀(615)의 마그넷(616)의 높이에 있어서 안쪽에서 바깥쪽을 향한다. 그로써, 각 척핀(615)의 마그넷(616)의 S극이 안쪽으로 흡인된다. 따라서, 각 척핀(615)은 열림상태가 된다.
계속해서, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 복수의 파지핀(624)이 기판(W)을 파지한 상태로 상승한다. 이로써, 기판(W)이 복수의 척핀(615)의 파지부(615c)의 사이로 이동한다.
계속해서, 도 8(c)에 나타내는 바와 같이, 마그넷 플레이트(614a, 614b)가 아래쪽위치로 이동한다. 이 경우, 각 척핀(615)의 마그넷(616)의 N극이 안쪽으로 흡인된다. 그로써, 각 척핀(615)이 닫힘상태가 되고, 각 척핀(615)의 파지부(615c)에 의해 기판(W)의 바깥둘레단부가 파지된다. 또한, 각 척핀(615)은, 인접한 파지핀(624) 사이에서 기판(W)의 바깥둘레단부를 파지한다. 그 때문에, 척핀(615)과 파지핀(624)과는 서로 간섭하지 않는다. 그 후, 복수의 파지핀(624)이 가드(618)의 바깥쪽으로 이동한다.
계속해서, 도 8(d)에 나타내는 바와 같이, 가드(618)가 척핀(615)에 의해 파지되는 기판(W)을 둘러싸는 높이로 이동한다. 그리고, 기판(W)의 세정처리 및 건조처리가 차례로 행하여진다.
(1-5)세정처리 및 건조처리
세정/건조처리유닛(SD1)에 있어서는, 세정처리로서 기판(W)의 표면(상면)을 세정하는 표면세정처리, 기판의 이면(하면)을 세정하는 이면세정처리, 및 기판(W)의 바깥둘레단부(베벨부)을 세정하는 베벨세정처리가 행해져, 그 후, 기판(W)의 건조처리가 행하여진다.
도 9는 기판(W)의 표면세정처리 및 이면세정처리에 대해서 설명하기 위한 측면도이며, 도 10은 기판(W)의 베벨세정처리에 대해서 설명하기 위한 측면도 및 평면도이다.
기판(W)의 표면세정처리시에는, 도 9(a)에 나타내는 바와 같이, 스핀척(610) 에 의해 기판(W)이 회전하는 상태로, 액공급관(610a)을 통하여 기판(W)의 표면에 세정액이 공급된다. 세정액은 원심력에 의해 기판(W)의 표면의 전체로 퍼지고, 바깥쪽으로 비산한다. 이에 의해, 기판(W)의 표면에 부착되는 진애(塵埃) 등이 씻겨나가게 된다. 또한, 기판(W) 위의 레지스트 커버막의 성분의 일부가 세정액중에 용출하여, 씻겨 나간다.
기판(W)의 이면세정처리시에는, 도 9(b)에 나타내는 바와 같이, 스핀척(610)에 의해 기판(W)이 회전하는 상태로, 세정브러쉬(630)가 기판(W)의 아래쪽으로 이동한다. 그리고, 세정브러쉬(630)의 상면과 기판(W)의 이면이 접촉하는 상태로, 세정브러쉬(630)가 기판(W)의 중심부 아래쪽과 가장자리부 아래쪽의 사이에서 이동한다. 기판(W)과 세정브러쉬(630)의 접촉부분에는, 세정노즐(633)로부터 세정액이 공급된다. 이로써, 기판(W)의 이면의 전체가 세정브러쉬(630)에 의해 세정되어, 기판(W)의 이면에 부착되는 오염물이 제거된다.
기판(W)의 베벨세정처리시에는, 도 10(a) 및 도 10(b)에 나타내는 바와 같이, 마그넷 플레이트(614a)가 아래쪽위치에 배치되어, 마그넷 플레이트(614b)가 윗쪽위치에 배치된다. 그 상태로, 스핀척(610)에 의해 기판(W)이 회전한다.
이 경우, 마그넷 플레이트(614a)의 바깥영역(R1)(도 10(b)참조)에서는 각 척핀(615)이 닫힘상태가 되고, 마그넷 플레이트(614b)의 바깥영역(R2)(도 10(b)참조)에 있어서는 각 척핀(615)이 열림상태가 된다.
즉, 각 척핀(615)의 파지부(615c)는, 마그넷 플레이트(614a)의 바깥영역(R1)을 통과할 때에 기판(W)의 바깥둘레단부에 접촉한 상태로 유지되어, 마그넷플레이 트(614b)의 바깥영역(R2)을 통과할 때에 기판(W)의 바깥둘레단부로부터 이간한다.
본 예에서는, 5개의 척핀(615) 중 적어도 4개의 척핀(615)이 마그넷 플레이트(614a)의 바깥영역(R1)에 위치한다. 이 경우, 적어도 4개의 척핀(615)에 의해 기판(W)이 파지된다. 그로써, 기판(W)의 안정성이 확보된다.
그 상태에서, 세정브러쉬(630)가, 바깥영역(R2)에 있어서 척핀(615)의 파지부(615c)와 기판(W)의 바깥둘레단부와의 사이로 이동한다. 그리고, 세정브러쉬(630)의 홈(635)이, 기판(W)의 바깥둘레단부에 눌러 덮여진다. 세정브러쉬(630)와 기판(W)과의 접촉부분에는, 세정노즐(633)(도5)로부터 세정액이 공급된다. 이로써, 기판(W)의 바깥둘레단부의 전체가 세정되어, 기판(W)의 바깥둘레단부에 부착되는 오염물이 제거된다.
또한, 베벨세정처리시에 도 5의 액공급관(610a)을 통해서 기판(W)의 표면에 세정액을 공급해도 좋다. 이 경우, 베벨세정처리와 표면세정처리를 동시에 행할 수 있다. 또한, 기판(W)의 이면을 세정하는 이면세정브러쉬를 세정브러쉬(630)와 별개로 설치하고, 베벨세정처리시에 이면세정브러쉬를 기판(W)의 이면에 접촉시켜도 좋다. 그 경우, 베벨세정처리와 이면세정처리를 동시에 행할 수 있다. 혹은, 베벨세정처리, 표면세정처리 및 이면세정처리를 동시에 행해도 좋다.
상기의 표면세정처리, 이면세정처리 및 베벨세정처리 후에는, 기판(W)의 건조처리가 행하여진다. 이 경우, 마그넷 플레이트(614a, 614b)가 아래쪽위치에 배치되어, 모든 척핀(615)에 의해 기판(W)이 파지된다. 그 상태로, 스핀척(610)에 의해 기판(W)이 고속으로 회전한다. 그로써, 기판(W)에 부착되는 세정액이 뿌리쳐져, 기 판(W)이 건조한다.
또한, 기판(W)의 건조처리시에, 액공급관(610a)을 통해서 기판(W)에 불활성 가스(예를 들면 질소 가스) 또는 에어(air) 등의 기체를 공급해도 좋다. 그 경우, 스핀 플레이트(612)와 기판(W)과의 사이에 형성되는 기류에 의해 기판(W) 위의 세정액이 바깥쪽으로 불어 날린다. 그로써, 기판(W)을 효율적으로 건조시킬 수 있다.
(1-6)제1실시형태의 효과
본 실시형태에서는, 세정/건조처리유닛(SD1)에서, 노광처리전의 기판(W)의 세정처리가 행하여진다. 그로써, 노광장치(16)안의 오염을 방지하는 것이 가능하여, 노광 패턴의 치수불량 및 형상불량이 발생하는 것을 방지하는 것이 가능하다.
또한, 기판(W)의 표면세정처리시에, 기판(W) 위의 레지스트 커버막의 성분의 일부가 세정액 중에 용출하여, 씻겨 버려진다. 그 때문에, 노광장치(16)에 있어서 기판(W) 위에 액체가 공급되었을 때에, 그 액체중에 레지스트 커버막의 성분이 용출하는 것이 방지된다.
또한, 세정/건조처리유닛(SD1)에서는, 바깥영역(R1)에 위치하는 척핀(615)의 파지부(615c)에서 기판(W)의 바깥둘레단부를 파지해서 기판(W)을 회전시키면서, 바깥영역(R2)에 위치하는 척핀(615)의 파지부(615c)를 기판(W)의 바깥둘레단부로부터 이간시킴으로써, 세정브러쉬(630)에 의해 기판(W)의 바깥둘레단부를 세정할 수 있다.
이 경우, 기판(W)의 이면을 진공흡착에 의해 파지하는 흡착식의 스핀척을 이용할 경우와 달리, 기판(W)의 이면에 흡착자국 등을 형성하지 않고, 기판(W)의 바 깥둘레단부를 충분히 청정하게 할 수 있다.
또한, 세정/건조처리유닛(SD1)에서는, 스핀척(610)이 기판(W)의 윗쪽에 위치하므로, 세정브러쉬(630)에 의한 기판(W)의 이면의 세정이 가능해져서, 기판(W)의 이면에 부착되는 오염물을 확실하게 제거할 수 있다. 또한, 도포유닛(RES) 등의 다른 유닛에 있어서, 흡착식의 스핀척에 의해 기판(W)의 이면에 흡착자국이 형성되었을 경우라도, 그 흡착자국을 노광처리 전에 확실하게 제거할 수 있다. 이로써, 노광장치 내의 오염,및 기판(W)의 이면의 요철에 기인하는 디포커스(defocus)의 발생을 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 세정/건조처리유닛(SD2)에 있어서는, 노광처리후의 기판(W)의 세정처리가 행하여진다. 이 경우, 노광처리시에 액체가 부착된 기판(W)에 분위기중의 진애 등이 부착되어도, 그 부착물을 제거할 수 있다. 그로써, 기판(W)의 처리 불량을 보다 확실하게 방지할 수 있다. 또한, 노광처리후의 기판(W)이 청정하게 유지됨으로써, 현상 결함의 발생을 방지할 수 있다.
(1-7)변형예
상기 제1실시형태에 있어서의 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)에서는, 자력에 의해 척핀(615)을 닫힘상태와 열림상태로 전환하고 있지만, 기계적인 구조 및 전기적인 제어에 의해 척핀(615)을 닫힘상태와 열림상태로 전환해도 좋다.
또한, 상기 제1실시형태에 있어서의 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)에서는, 기판(W)을 스핀 플레이트(612)의 아래쪽에서 파지하는 스핀척(610)이 이용되지만, 기판(W)을 스핀 플레이트(612)의 위쪽에서 파지하는 스핀척을 이용해도 좋다.
또한, 세정/건조처리유닛(SD1, SD2), 도포유닛(BARC, RES, COV), 현상처리유닛(DEV), 제거유닛(REM), 가열유닛(HP),냉각유닛(CP) 및 재치겸 냉각유닛(P-CP)의 개수는, 각 처리블록의 처리속도에 맞춰서 적당히 변경해도 좋다.
또한, 상기 제1실시형태에서는, 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)이 인터페이스블록(15)안에 배치되지만, 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)의 적어도 한 쪽이 도 1에 나타낸 레지스트 커버막 제거블록(14)안에 배치되어도 좋다. 혹은, 세정/건조처리유닛(SD1, SD2)의 적어도 한 쪽을 포함하는 세정/건조처리블록을 도 1에 나타낸 레지스트 커버막 제거블록(14)과 인터페이스블록(15)의 사이에 설치해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는, 액침법(液浸法)에 의해 기판(W)의 노광처리를 행하는 노광장치(16)를 기판처리장치(500)의 외부장치로서 설치할 경우에 대해서 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 액체를 사용하지 않고 기판(W)의 노광처리를 행하는 노광장치를 기판처리장치(500)의 외부장치로서 설치해도 좋다.
(2)제2실시형태
(2-1)기판처리장치의 구성 및 동작
도 11은, 본 발명의 제2실시형태에 의한 기판처리장치 평면도이다. 이 기판처리장치에서는, 기판(W) 위로 여러가지 막이 형성되지 않고 있는 상태로, 기판(W)에 세정처리가 행하여진다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 기판처리장치(800)는, 인덱서부(810) 및 세정처리부(820)를 포함한다. 인덱서부(810)에는, 복수의 캐리어재치대(811)및 인덱서로봇(IRa)이 설치되어 있다. 캐리어재치대(811) 위에는, 복수매의 기판(W)을 다단 으로 수납하는 캐리어(C)가 수취된다. 인덱서로봇(IRa)은, 캐리어(C)와 세정처리부(820)과의 사이에서 기판(W)을 반송한다.
세정처리부(820)의 중앙부에는, 메인로봇(MR)이 설치되어 있다. 메인로봇(MR)과 인덱서부(810)의 사이에는, 일시적으로 기판(W)이 재치되는 기판재치부(PASS81, PASS82)가 상하로 설치된다. 또한, 메인로봇(MR)을 둘러싸도록, 2개의 세정처리유닛(SS), 건조처리유닛(DRY), 제어유닛(CON) 및 처리액저장부(TA)가 설치되어 있다.
또한, 세정처리유닛(SS) 및 건조처리유닛(DRY)의 개수는 상기에 한하지 않고, 임의로 설정해도 좋다. 또한, 복수의 세정처리유닛(SS) 및 복수의 건조처리유닛(DRY)를 각각 다단으로 적층해서 설치해도 좋다.
세정처리유닛(SS)에 의해 기판(W)에 세정처리가 행하여진다. 세정처리유닛(SS)의 상세한 사항에 대해서는 후술한다. 건조처리유닛(DRY)은, 세정처리후의 기판(W)에 건조처리를 행한다. 제어유닛(CON)은, 기판처리장치(800)의 각 구성요소의 동작을 제어한다. 처리액저장부(TA)에는, 세정액 등의 처리액을 저류하는 저류탱크 및 배관 등의 유체관련기기가 수납되어 있다.
다음으로, 기판처리장치(800)의 동작에 대해서 설명한다. 우선, 인덱서로봇(IRa)이 캐리어(C)안에 수납된 미처리의 기판(W)을 꺼낸다. 계속해서, 인덱서로봇(IRa)이 화살표 U방향으로 이동하면서 연직축의 둘레로 회전하여, 미처리의 기판(W)을 기판재치부(PASS82)에 재치한다.
기판재치부(PASS82)에 재치된 미처리의 기판(W)은, 메인로봇(MR)에 의하여 수취된다. 메인로봇(MR)은, 그 기판(W)을 세정처리유닛(SS)에 반입한다. 그 후, 메인로봇(MR)은, 세정처리유닛(SS)으로부터 세정처리 후의 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 건조처리유닛(DRY)에 반입한다.
이어서, 메인로봇(MR)은, 건조처리유닛(DRY)으로부터 건조처리후의 기판(W)을 꺼내서, 그 기판(W)을 기판재치부(PASS81)에 재치한다. 기판재치부(PASS81)에 재치된 기판(W)은, 인덱서로봇(IR)에 의해 캐리어(C)에 수납된다. 이로써, 기판처리장치(800)에 있어서의 기판(W)의 각 처리가 종료한다.
(2-2)세정처리유닛(SS)
다음으로, 세정처리유닛(SS)에 대해서 상기의 세정/건조처리유닛(SD1)과 다른 점을 설명한다. 도 12 및 도 13은, 세정처리유닛(SS)의 구성을 나타내는 측면도 및 개략평면도이다. 또한, 도 13에는, 세정처리유닛(SS)의 일부의 구성 요소가 모식적으로 나타냈다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 세정처리유닛(SS)에 있어서는, 스핀척(610)의 아래쪽에 표면세정기구(660)가 설치되어 있다. 표면세정기구(660)는, 승강회전구동부(661), 회전축(662), 아암(663) 및 표면세정브러쉬(664)를 포함한다. 승강회전구동부(661)로부터 윗쪽으로 뻗도록 회전축(662)이 설치되어, 회전축(662)의 상단부로부터 수평방향으로 뻗도록 아암(663)이 연결되어 있다. 아암(663)의 선단부에, 표면세정브러쉬(664)가 설치되어 있다. 승강회전구동부(661)에 의해, 회전축(622)이 승강동작 및 회전동작을 행한다. 그로써, 표면세정브러쉬(664)가 수평방향 및 상하 방향으로 이동한다.
도 13에 나타내는 바와 같이, 표면세정기구(660)의 회전축(662)은 바깥영역(R2)에 위치한다. 표면세정기구(660)의 아암(663)은, 기판(W)의 바깥둘레를 따르도록 만곡(彎曲)되어 있다. 아암(663)의 길이는, 마그넷 플레이트(614b)의 길이와 거의동일하게 설정되어 있다. 또한, 도 12의 스핀 플레이트(612)의 가장자리부에는, 8개의 척핀(615)이 회전축(611a)에 관해서 동일한 각도 간격으로 설치되어 있다.
이 세정처리유닛(SS)에서는, 도 9(b)에 나타낸 기판(W)의 이면세정처리및 도 10에 나타낸 기판(W)의 베벨세정처리가 행하여지는 동시에, 표면세정브러쉬(664)를 이용한 기판(W)의 표면세정처리가 행하여진다. 도 14는, 표면세정브러쉬(664)를 이용한 기판(W)의 표면세정처리를 설명하기 위한 측면도 및 개략평면도이다.
표면세정처리시에는, 도 14(a) 및 도 14(b)에 나타내는 바와 같이, 마그넷 플레이트(614a)가 아래쪽위치에 배치되고, 마그넷 플레이트(614b)가 위쪽위치에 배치된다. 그 상태로, 스핀척(610)에 의해 기판(W)이 회전한다. 이 경우, 상기의 베벨세정처리시와 같이, 각 척핀(615)의 파지부(615c)는, 마그넷 플레이트(614a)의 바깥영역(R1)을 통과할 때에 기판(W)의 바깥둘레단부에 접촉한 상태로 유지되어, 마그넷 플레이트(614b)의 바깥영역(R2)을 통과할 때에 기판(W)의 바깥둘레단부로부터 이간한다.
본 예에서는, 8개의 척핀(615) 중 적어도 6개의 척핀(615)이 마그넷 플레이트(614a)의 바깥영역(R1)에 위치한다. 이 경우, 적어도 6개의 척핀(615)에 의해 기판(W)이 파지된다. 그로써, 기판(W)의 안정성이 확보된다.
이간한 기판(W)의 바깥둘레단부와 척핀(615)의 파지부(615c) 사이를 통하여 표면세정기구(660)의 회전축(662)이 소정의 높이까지 상승한다. 그리고, 아암(663)이 회전축(662)의 둘레로 회전한다. 그로써, 표면세정브러쉬(664)가 스핀 플레이트(612)와 기판(W)의 표면과의 사이로 이동한다.
회전축(662)이 상승하는 때에는, 아암(663)은 기판(W)의 바깥둘레를 따른 상태로 유지된다(도 14(b)에 점선에서 나타낸 상태). 이 경우, 바깥영역(R2)에서 이간하는 기판(W)의 바깥둘레단부와 척핀(615)의 파지부(615c) 사이를 아암(663)이 통과한다.
계속해서, 표면세정브러쉬(664)의 하면과 기판(W)의 표면이 접촉한 상태에서, 표면세정브러쉬(664)가 기판(W)의 중심부 윗쪽과 기판(W)의 가장자리부 윗쪽과의 사이에서 이동한다. 또한, 도 12의 액공급관(610a)를 통해서 기판(W)의 표면에 세정액이 공급되다. 이것에 의해, 기판(W)의 표면의 전체가 표면세정브러쉬(664)에 의해 세정되어, 기판(W)의 표면에 부착되는 오염물이 충분히 제거된다.
또한, 표면세정브러쉬(664)에 의한 표면세정처리와 세정브러쉬(630)에 의한 기판(W)의 베벨세정처리를 동시에 행해도 좋다. 또한, 기판(W)의 이면을 세정하는 이면세정브러쉬를 세정브러쉬(630) 및 표면세정브러쉬(664)와 별개로 설치하고, 상기의 표면세정처리와 이면세정브러쉬에 의한 이면세정처리를 동시에 행해도 좋다. 혹은, 베벨세정처리, 표면세정처리 및 이면세정처리를 동시에 행해도 좋다.
표면세정처리, 이면세정처리 및 베벨세정처리 후에는, 상기의 세정/건조처리유닛(SD1)과 같이, 기판(W)의 건조처리가 행하여진다.
(2-3)제2실시형태의 효과
본 실시형태에서는, 공통의 세정처리유닛(SS)에 있어서 기판(W)의 표면, 이면 및 바깥둘레단부를 세정할 수 있다. 그 때문에, 기판(W)의 표면을 세정하는 유닛, 기판(W)의 이면을 세정하는 유닛 및 기판(W)의 바깥둘레단부를 세정하는 유닛을 별개로 설치할 경우에 비하여, 설치면적의 저감 및 기판처리장치(800)의 소형화가 가능해진다. 또한, 그러한 복수의 유닛을 설치할 경우에 비교해서 기판(W)의 반송 공정을 삭감할 수 있으므로, 처리량을 향상할 수 있다.
(2-4)변형예
상기 제2실시형태에 있어서의 세정처리유닛(SS)에서는, 자력에 의해 척핀(615)을 닫힘상태와 열림상태로 전환하고 있지만, 기계적인 구조 및 전기적인 제어에 의해 척핀(615)을 닫힘상태와 열림상태로 바꾸어도 좋다.
또한, 상기 제2실시형태에 있어서의 세정처리유닛(SS)에서는, 기판(W)을 스핀 플레이트(612)의 아래쪽에서 파지하는 스핀척(610)이 이용되지만, 기판(W)을 스핀 플레이트(612)의 위쪽에서 파지하는 스핀척을 이용해도 좋다.
(3)기타의 실시형태
상기 실시형태에서는, 세정/건조처리유닛(SD1)을 기판처리장치(500)에 설치할 경우 및 세정처리유닛(SS)을 기판처리장치(800)에 설치할 경우에 대하여 설명했지만, 이에 한하지 않고, 세정/건조처리유닛(SD1) 및 세정처리유닛(SS)을 다른 기판처리장치에 설치해도 좋고, 또는 세정/건조처리유닛(SD1) 및 세정처리유닛(SS)을 단독으로 이용해도 좋다.
(4)청구항의 각 구성요소와 실시형태의 각 요소와의 대응
이하, 청구항의 각 구성요소와 실시형태의 각 요소와의 대응의 예에 대해서 설명하지만, 본 발명은 하기의 예에 한정되지 않는다.
상기 실시형태에서는, 스핀척(610)이 기판파지 회전장치의 예이며, 스핀 플레이트(612)가 회전부재의 예이며, 스핀모터(611)가 회전구동기구의 예이며, 척핀(615)이 파지부재의 예이며, 마그넷 플레이트(614a, 614b) 및 마그넷 승강기구(617a,617b)가 파지부재전환기구의 예이며, 마그넷 플레이트(614a)가 제1자력발생부재 및 제1자석부재의 예이며, 마그넷 플레이트(614b)가 제2자력발생부재및 제2자석부재의 예이다.
또한, 세정/건조처리유닛(SD1, SD2) 및 세정처리유닛(SS)이 기판세정장치의 예이며, 세정브러쉬(630)가 제1세정구의 예이며, 브러쉬이동기구(632)가 제1세정구이동기구의 예이며, 표면세정브러쉬(664)가 제2세정구의 예이며, 승강회전구동부(661)가 제2세정구이동기구의 예이며, 파지핀(624)이 기판지지부재의 예이며, 승강회전구동부(621)가 지지부재승강기구의 예이다.
또한, 반사방지막용 처리블록(10), 레지스트막용 처리블록(11), 현상처리블록(12), 레지스트 커버막용 처리블록(13) 및 레지스트 커버막 제거블록(14)이 처리부의 예이며, 인터페이스블록(15)이 주고받기부의 예이다.
청구항의 각 구성요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 가진 다른 여러가지 요소를 사용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시형태에 의한 기판처리장치의 평면도.
도 2는 도 1의 기판처리장치를 +X방향에서 본 개략측면도.
도 3은 도 1의 기판처리장치를 -X방향에서 본 개략측면도.
도 4는 인터페이스블록을 +Y측에서 본 개략측면도.
도 5는 세정/건조처리유닛의 구성을 나타낸 측면도.
도 6은 세정/건조처리유닛의 구성을 나타내는 개략평면도.
도 7은 스핀척에 의한 기판(W)의 파지동작을 설명하기 위한 도면.
도 8은 스핀척에 의한 기판의 파지동작을 설명하기 위한 도면.
도 9는 기판의 표면세정처리 및 이면세정처리에 대해서 설명하기 위한 측면
도.
도 10은 기판의 베벨세정처리에 대해서 설명하기 위한 측면도 및 평면도.
도 11은 본 발명의 제2실시형태에 의한 기판처리장치의 평면도.
도 12는 세정처리유닛의 구성을 나타낸 측면도.
도 13은 세정처리유닛의 구성을 나타내는 개략평면도.
도 14는 표면세정브러쉬를 이용한 기판(W)의 표면세정처리에 대해서 설명하기 위한 측면도 및 개략평면도이다.

Claims (10)

  1. 기판을 파지하면서 회전시키는 기판파지 회전장치로서,
    회전축선의 둘레로 회전가능하게 설치된 회전부재와,
    상기 회전부재를 회전시키는 회전구동기구와,
    기판의 바깥둘레단부에 맞닿아 기판을 파지하는 기판파지상태와 기판의 바깥둘레단부로부터 이간(離間)하는 기판해방상태로 전환가능하게 상기 회전부재에 설치된 복수의 파지부재와,
    상기 복수의 파지부재를 상기 기판파지상태와 상기 기판해방상태로 전환하는 파지부재전환기구를 구비하고,
    상기 복수의 파지부재의 각각은, 상기 회전구동기구에 의한 상기 회전부재의 회전에 따른 기판의 바깥둘레단부를 따른 제1영역 및 제2영역을 통하여 상기 회전축의 둘레로 회전하고,
    상기 파지부재전환기구는, 상기 회전부재의 회전 중에 상기 복수의 파지부재 중 상기 제1영역에 위치하는 파지부재를 상기 기판파지상태로 하는 동시에 상기 복수의 파지부재 중 상기 제2영역에 위치하는 파지부재를 상기 기판해방상태로 하는 기판파지 회전장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 파지부재전환기구는,
    자력(磁力)에 의해 상기 제1영역에 위치하는 파지부재를 상기 기판파지상태로 전환하는 제1자력발생부재와,
    자력에 의해 상기 제2영역에 위치하는 파지부재를 상기 기판해방상태로 전환하는 제2자력발생부재를 포함하는 기판파지 회전장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1자력발생부재는, 상기 제1영역에 위치하는 파지부재에 대하여 근접 또는 이간해서 상기 제1영역에 위치하는 파지부재에 자력을 작용시키는 제1자석부재를 포함하고,
    상기 제2자력발생부재는, 상기 제2영역에 위치하는 파지부재에 대하여 근접 또는 이간해서 상기 제2영역에 위치하는 파지부재에 자력을 작용시키는 제2자석부재를 포함하는 기판파지 회전장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 파지부재의 각각은, 상기 회전부재의 아래쪽에서 기판의 바깥둘레단부에 맞닿는 맞닿음위치와 기판의 바깥둘레단부로부터 이간하는 이간위치 사이에서 이동 가능하게 설치된 파지부를 가지는 기판파지 회전장치.
  5. 기판을 파지하면서 회전시키는 기판파지 회전장치와,
    기판의 바깥둘레단부를 세정하기 위한 제1세정구와,
    상기 제1세정구를 이동시키는 제1세정구이동기구를 구비하고,
    상기 기판파지 회전장치는,
    회전축선의 둘레로 회전가능하게 설치된 회전부재와,
    상기 회전부재를 회전시키는 회전구동기구와,
    기판의 바깥둘레단부에 맞닿아 기판을 파지하는 기판파지상태와 기판의 바깥둘레단부로부터 이간하는 기판해방상태로 전환가능하게 상기 회전부재에 설치된 복수의 파지부재와,
    상기 복수의 파지부재를 상기 기판파지상태와 상기 기판해방상태로 전환하는 파지부재전환기구를 포함하고,
    상기 복수의 파지부재의 각각은, 상기 회전구동기구에 의한 상기 회전부재의 회전에 따른 기판의 바깥둘레단부를 따른 제1영역 및 제2영역을 통하여 상기 회전축의 둘레로 회전하고,
    상기 파지부재전환기구는, 상기 회전부재의 회전중에 상기 복수의 파지부재 중 상기 제1영역에 위치하는 파지부재를 상기 기판파지상태로 하는 동시에 상기 복수의 파지부재 중 상기 제2영역에 위치하는 파지부재를 상기 기판해방상태로 하고,
    상기 제1세정구이동기구는, 상기 제1영역에 위치하는 파지부재가 상기 기판파지상태에 있는 동시에 상기 제2영역에 위치하는 파지부재가 상기 기판해방상태에 있을 때에 상기 제1세정구를 상기 제2영역으로 이동시키는 기판세정장치.
  6. 제5항에 있어서,
    기판의 상면 또는 하면을 세정하기 위한 제2세정구와,
    상기 제2세정구를 이동시키는 제2세정구이동기구를 더 구비하고,
    상기 제2세정구이동기구는, 상기 제1영역에 위치하는 파지부재가 상기 기판파지상태에 있는 동시에 상기 제2영역에 위치하는 파지부재가 상기 기판해방상태에 있을 때에 상기 제2세정구를 상기 제2영역을 통과시켜서 기판의 상면측 또는 하면측으로 이동시키는 기판세정장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 파지부재전환기구는,
    자력에 의해 상기 제1영역에 위치하는 파지부재를 상기 기판파지상태로 전환하는 제1자력발생부재와,
    자력에 의해 상기 제2영역에 위치하는 파지부재를 상기 기판해방상태로 전환하는 제2자력발생부재를 포함하는 기판세정장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1자력발생부재는, 상기 제1영역에 위치하는 파지부재에 대하여 근접 또는 이간해서 상기 제1영역에 위치하는 파지부재에 자력을 작용시키는 제1자석부재를 포함하고,
    상기 제2자력발생부재는, 상기 제2영역에 위치하는 파지부재에 대하여 근접 또는 이간해서 상기 제2영역에 위치하는 파지부재에 자력을 작용시키는 제2자석부 재를 포함한 기판세정장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 복수의 파지부재의 각각은, 상기 회전부재의 아래쪽에서 기판의 바깥둘레단부에 맞닿는 맞닿음위치와 기판의 바깥둘레단부로부터 이간하는 이간위치의 사이에서 이동 가능하게 설치된 파지부를 갖고,
    상기 회전부재의 아래쪽에서 기판을 지지하는 기판지지부재와,
    상기 기판지지부재를 승강시키는 지지부재승강기구를 더 구비하는 기판세정장치.
  10. 노광장치(露光裝置)에 인접하도록 배치되는 기판처리장치로서,
    기판에 처리를 행하기 위한 처리부와,
    상기 처리부와 상기 노광장치 사이에서 기판의 주고받기를 행하기 위한 주고받기부를 구비하며,
    상기 처리부 및 상기 주고받기부의 적어도 한 쪽은,
    기판의 세정처리를 행하는 세정처리유닛을 포함하고,
    상기 세정처리유닛은,
    기판을 파지하면서 회전시키는 기판파지 회전장치와,
    기판의 바깥둘레단부를 세정하기 위한 세정구(洗淨具)와,
    상기 세정구를 이동시키는 세정구이동기구를 구비하고,
    상기 기판파지 회전장치는,
    회전축선의 둘레로 회전가능하게 설치된 회전부재와,
    상기 회전부재를 회전시키는 회전구동기구와,
    기판의 바깥둘레단부에 맞닿아 기판을 파지하는 기판파지상태와 기판의 바깥둘레단부로부터 이간하는 기판해방상태로 전환가능하게 상기 회전부재에 설치된 복수의 파지부재와,
    상기 복수의 파지부재를 상기 기판파지상태와 상기 기판해방상태로 전환하는 파지부재전환기구를 포함하고,
    상기 복수의 파지부재의 각각은, 상기 회전구동기구에 의한 상기 회전부재의 회전에 따른 기판의 바깥둘레단부를 따른 제1영역 및 제2영역을 통하여 상기 회전축의 둘레로 회전하고,
    상기 파지부재전환기구는, 상기 회전부재의 회전중에 상기 복수의 파지부재 중 상기 제1영역에 위치하는 파지부재를 상기 기판파지상태로 하는 동시에 상기 복수의 파지부재 중 상기 제2영역에 위치하는 파지부재를 상기 기판해방상태로 하고,
    상기 세정구이동기구는, 상기 파지부재전환기구가 상기 제1영역에 있는 파지부재를 상기 기판파지상태로 전환하는 동시에 상기 제2영역에 있는 파지부재를 상기 기판해방상태로 전환한 상태에서 상기 세정구를 상기 제2영역으로 이동시키는 기판처리장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101934883B1 (ko) * 2018-07-26 2019-04-05 주식회사 지티아이코리아 반도체 제조 방법 및 장치

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100949256B1 (ko) 2009-12-24 2010-03-25 이인오 웨이퍼 고정용 척
JP2011205004A (ja) 2010-03-26 2011-10-13 Sokudo Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US9153462B2 (en) * 2010-12-09 2015-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Spin chuck for thin wafer cleaning
NL2009533A (en) * 2011-10-27 2013-05-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP6043060B2 (ja) * 2011-12-09 2016-12-14 東京応化工業株式会社 保持装置
US9385020B2 (en) * 2011-12-19 2016-07-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate holding and rotating device, substrate treatment apparatus including the device, and substrate treatment method
JP6001896B2 (ja) 2012-03-27 2016-10-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
JP6061484B2 (ja) 2012-03-27 2017-01-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板洗浄装置およびそれを備えた基板処理装置
KR101501362B1 (ko) * 2012-08-09 2015-03-10 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치 및 기판처리방법
JP6073192B2 (ja) * 2013-06-14 2017-02-01 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄システムおよび基板洗浄方法
CN103456666B (zh) * 2013-08-29 2016-07-13 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种多组卡销式晶圆清洗设备和清洗方法
CN103920688B (zh) * 2014-04-18 2015-11-18 成都先进功率半导体股份有限公司 一种安装于用于清洗半导体芯片的清洗机的卡扣
JP6503194B2 (ja) * 2015-02-16 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6461748B2 (ja) * 2015-08-25 2019-01-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10276365B2 (en) 2016-02-01 2019-04-30 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, substrate cleaning method and substrate processing method
JP6726575B2 (ja) * 2016-02-01 2020-07-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法
CN107665832B (zh) * 2016-07-27 2019-12-20 上海新昇半导体科技有限公司 晶盒清洗设备
JP6684191B2 (ja) 2016-09-05 2020-04-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置およびそれを備える基板処理装置
JP6740065B2 (ja) * 2016-09-13 2020-08-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法
JP6740066B2 (ja) 2016-09-13 2020-08-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置、基板処理装置および基板洗浄方法
KR102030471B1 (ko) * 2017-07-25 2019-10-14 세메스 주식회사 리프트 핀 유닛 및 이를 구비하는 기판 지지 유닛
CN109712927A (zh) * 2018-12-28 2019-05-03 天津洙诺科技有限公司 一种半导体晶片清洗机
CN114769176A (zh) * 2022-04-24 2022-07-22 中国原子能科学研究院 擦拭装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3492107B2 (ja) 1996-09-09 2004-02-03 大日本スクリーン製造株式会社 回転式現像装置
JPH1092912A (ja) * 1996-09-11 1998-04-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転保持装置および回転式基板処理装置
EP0898301B1 (en) 1997-08-18 2006-09-27 Tokyo Electron Limited Apparatus for cleaning both sides of a substrate
JP4086398B2 (ja) 1999-01-28 2008-05-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
JP3888608B2 (ja) 2001-04-25 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板両面処理装置
JP2002368066A (ja) * 2001-06-06 2002-12-20 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP2003007664A (ja) 2001-06-22 2003-01-10 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
JP4095613B2 (ja) 2005-01-13 2008-06-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持装置
JP4726752B2 (ja) * 2005-10-25 2011-07-20 義治 山本 基板洗浄装置
JP4719051B2 (ja) 2006-03-30 2011-07-06 ソニー株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR100892809B1 (ko) * 2006-03-30 2009-04-10 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
KR100831988B1 (ko) * 2006-06-02 2008-05-23 세메스 주식회사 스핀헤드 및 이를 이용하여 웨이퍼를 홀딩/언홀딩하는 방법
KR100746576B1 (ko) 2006-09-12 2007-08-06 세메스 주식회사 스핀헤드 및 이를 이용하여 웨이퍼를 홀딩/언홀딩하는 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101934883B1 (ko) * 2018-07-26 2019-04-05 주식회사 지티아이코리아 반도체 제조 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TWI421974B (zh) 2014-01-01
TW200933810A (en) 2009-08-01
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CN101436564B (zh) 2011-10-19
JP4939376B2 (ja) 2012-05-23
JP2009123800A (ja) 2009-06-04
KR100983421B1 (ko) 2010-09-20
US8166985B2 (en) 2012-05-01
US20090120472A1 (en) 2009-05-14

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