CN103531503B

CN103531503B - 用于处理基板的方法和装置

Info

Publication number: CN103531503B
Application number: CN201310269120.7A
Authority: CN
Inventors: 李泽烨
Original assignee: Semes Co Ltd
Current assignee: Semes Co Ltd
Priority date: 2012-06-29
Filing date: 2013-06-28
Publication date: 2016-12-28
Anticipated expiration: 2033-06-28
Also published as: CN103531503A; US20140000659A1; US9355835B2

Abstract

本发明提供了一种基板处理装置和一种基板处理方法。基板处理装置包括：基板支撑件，在其上布置基板；以及可移动喷射件，其将流体供给到布置在基板支撑件上的基板。可移动喷射件包括旋转以喷射至少一种流体的第一喷嘴臂以及布置在第一喷嘴臂上以喷射至少一种流体的第二喷嘴臂。

Description

用于处理基板的方法和装置

技术领域

这里公开的本发明涉及一种用于处理基板的系统，并且更具体，涉及一种将化学溶液喷射在基板上以清洗基板的表面的基板处理装置以及一种基板处理方法。

背景技术

随着半导体器件的高密度、高集成与高性能的趋势，电路图案的微粉化进展迅速。因此，保留在基板的表面上的诸如颗粒、有机污染物、金属污染物等的污染物对器件特性与产品的收益率有很大影响。因此，用于移除附接到基板的表面的多种污染物的清洗处理成为主要问题。在用于制造半导体的每次单元处理之前与之后都执行基板清洗处理。

通常，利用多种化学溶液来移除光致抗蚀剂。这里，每种不同化学溶液都可以通过各个独立喷嘴单元中提供到基板上。因此，由于化学溶液的种类增加，因此喷嘴单元数量的增加可能使设备面积增加。

发明内容

本发明提供了一种能够减小设备面积的基板处理装置以及一种基板处理方法。

本发明提供了一种能够减小处理时间的基板处理装置以及一种基板处理方法。

本发明的特征不限于上述，而且本领域中的技术人员将会从下面的描述中清楚地理解这里未描述的其它特征。

本发明的实施方式提供了基板处理装置，其包括：基板支撑件，在其上布置有基板；以及可移动喷射件，其将流体供给到布置在所述基板支撑件上的所述基板上，其中可移动喷射件包括：旋转以喷射至少一种流体的第一喷嘴臂；以及布置在第一喷嘴臂上以喷射至少一种流体的第二喷嘴臂。

在一些实施方式中，第二喷嘴臂可以通过单独的旋转轴与驱动源在第一喷嘴臂上旋转。

在其它实施方式中，当第一喷嘴臂旋转的同时，第二喷嘴臂可以与第一喷嘴臂一起旋转。

在此外其它实施方式中，第一喷嘴臂与第二喷嘴臂可以包括喷射彼此不同的处理流体的喷嘴。

在此外其它实施方式中，可移动喷射件可以包括：使第一喷嘴臂旋转的第一驱动单元；以及使所述第二喷嘴臂旋转的第二驱动单元。

在此外其它实施方式中，第二驱动单元可以布置在第一喷嘴臂上。

在其它实施方式中，可移动喷射件还可以包括控制第一驱动单元与第二驱动单元的控制单元。

在此外的其它实施方式中，在可移动喷射件中，可在第一喷嘴臂上设置多个第二喷嘴臂。

在此外的其它实施方式中，可移动喷射件还可以包括第三喷嘴臂，其通过单独的旋转轴与驱动源在第二喷嘴臂上旋转以喷射至少一种流体。

在本发明的其它实施方式中，通过利用包括第一喷嘴的第一喷嘴臂与相对于所述第一喷嘴臂独立地操作并且包括第二喷嘴的第二喷嘴臂来处理基板表面的基板处理方法，包括：将所述第一喷嘴臂与所述第二喷嘴臂从起始点旋转到基板上方的一个点；当第二喷嘴臂从基板上方的一个点朝向基板的边缘旋转时，通过第二喷嘴将处理流体喷射在基板上；以及当完成处理流体通过第二喷嘴的喷射时，在第一喷嘴臂从基板上方的一个点朝向基板的边缘旋转的同时，通过第一喷嘴将处理流体喷射在基板上。

在一些实施方式中，在通过第一喷嘴喷射处理流体的过程中，第二喷嘴臂可以沿着与第一喷嘴臂的旋转方向相反的方向旋转以防止第二喷嘴臂的位置改变。

在其它实施方式中，在通过第一喷嘴喷射处理流体的过程中，第一喷嘴臂与第二喷嘴臂可以具有相同的旋转。

附图说明

所包括的附图提供对本发明的进一步地理解，并且纳入并且构成本说明书的一部分。此附图示出了本发明的示例性实施方式，其连同附图说明一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是基板处理系统的示意性平面图；

图2是根据本发明的基板处理装置的平面图：

图3是根据本发明的基板处理装置的侧面横截面视图：

图4是示出图3的第一可移动喷射件的主要部分的放大图；

图5是示出第一喷嘴臂与第二喷嘴臂的控制序列的视图；以及

图6-图9是示出第一可移动喷射件的操作的视图。

具体实施方式

下面将参照附图更加详细地描述本发明的示例性实施方式。尽管这里将晶片设置为基板的实例，但是本发明的技术构思与范围不限于此。

参照图1，根据本发明的基板处理系统1000包括分度单元10、缓冲单元20、以及处理单元50。分度单元10、缓冲单元20、以及处理单元50可以布置在一条直管线上。在下文中，其中分度单元10、缓冲单元20、与处理单元50布置的方向称作第一方向。此外，当从上侧观察时，垂直于第一方向的方向称作第二方向，并且垂直于包括第一方向与第二方向的平面的方向称作第三方向。

分度单元10沿着第一方向布置在基板处理系统1000的前侧上。分度单元10包括四个加载端口12以及一个分度机械手13。

四个加载端口12沿着第一方向布置在分度单元10的前侧上。设有多个加载端口12。多个加载端口12沿着第二方向布置。加载端口12的数量可以根据基板处理系统1000的处理效率和表面区域（foot print）状况增加或减小。其中容纳待处理的基板W与经处理的基板W的载体（例如，暗盒或前开式晶圆盒）定位在每个加载端口12上。在基板平行于地面布置的状态中用于容纳基板的多个狭槽被限定在载体16中。

分度机械手13沿着第一方向布置在加载端口12附近。分度机械手13布置在加载端口12与缓冲单元20之间。分度机械手13将等待在缓冲单元20的上基底（upper floor）上的基板W转移到载体16中，或者将等待在载体16中的基板W转移到缓冲单元20的下基底中。

缓冲单元20布置在分度单元10与处理单元50之间。缓冲单元20提供一个位置，待通过分度机械手13转移的基板W或者待通过主转移机械手30转移的将处理的基板W临时地容纳在此位置中或在此位置等待。

主转移机械手30布置在移动路径40上以在每个基板处理装置1与缓冲单元20之间转移基板W。主转移机械手30将待处理的等待在缓冲单元20中的基板W，转移到每个基板处理装置1中，或者将在每个基板处理装置1中处理的基板W转移到缓冲单元20中。

移动路径40沿着第一方向布置有处理单元50以提供主转移机械手30通过其移动的路径。基板处理装置1沿着第一方向布置在移动路径40的两侧上以面向彼此。移动轨道布置在移动路径40上，主转移机械手30通过移动轨道沿着第一方向移动并且可提升到每个基板处理装置1的上基底与下基底以及缓冲单元20的上基底与下基底。

基板处理装置1布置在移动路径40的两侧上，主转移机械手30布置在移动路径40上以面向彼此。基板处理系统1000包括多个上基板处理装置和下基板处理装置1。然而，基板处理装置1的数量可以根据基板处理系统1000处理效率和表面区域状况增加或减小。每个基板处理装置1都可以设置为独立的壳体。因此，可以在每个基板处理装置内执行用于单独处理基板的处理。

在下面的实施方式中，可以作为实例描述用于通过使用诸如高温硫酸、碱性化学溶液（包括臭氧水）、酸性化学溶液、冲洗溶液、干燥气体（包含IPA的气体）的处理流体来清洗基板的装置。然而，本发明的技术特征不限于此。例如，本发明的技术特征可以应用到在使基板旋转的同时执行诸如蚀刻处理的处理的多种装置。

图2是根据本发明的基板处理装置的平面图。图3是根据本发明的基板处理装置的侧面横截面视图。在图3中，为了方便绘图，省略了固定喷嘴件。

尽管在现有的实施方式中示例了作为通过使用单一式基板处理装置1处理的基板的半导体基板，但是本发明不限于此。例如，本发明还可以应用于诸如玻璃基板的多种基板。

参照图2和图3，根据本发明的单一式基板处理装置1可以是通过使用多种处理流体来移除保留在基板的表面上的异物与薄膜的装置。单一式基板处理装置1包括室800、处理容器100、基板支撑件200、可移动喷嘴件200、可移动喷嘴件300、固定喷嘴500、以及排放件400。

室800提供了密封的内部空间、以及布置在室800的上部上的风扇过滤器单元810。风扇过滤器单元810在室800内产生竖直空气流。

过滤器与空气供给风扇模块化为一个单元以构成风扇过滤器单元810。风扇过滤器单元810可以是用于过滤清洁空气以将清洁空气供给到室800中的单元。清洁空气可以穿过风扇过滤器单元810并且供给到室800中以产生竖直空气流。竖直空气流可以在基板上提供均匀空气流。因此，通过处理容器100的抽吸管将在通过处理流体处理基板的表面时产生的污染物（烟）与空气一起排放到排放件400中并且由此将污染物移除以保持处理容器100中的高纯度。

如图2中所示，可以通过水平分隔壁将室800分隔成处理区域816与修复区域818。尽管在附图中仅示出了区域的一部分，但是修复区域818提供了空间，在此空间中布置有回收管线141、143和145以及连接到处理容器100的子排放管线410、提升单元的驱动单元、连接到可移动喷嘴件300的可移动喷嘴310的驱动单元、以及供给管线，并且修复区域与在其中处理基板的处理区域分离。

处理容器100具有包含打开的上部的圆柱形形状，以提供在其中处理基板W的处理空间。处理容器100的打开的上部用作用于加载或卸载基板W的路径。基板支撑件200布置在处理空间中。当执行处理时，基板支撑件200支撑基板W并且使基板W旋转。

处理容器100提供了其中布置有旋转头210的上部空间132a以及通过旋转头210与上部空间132a分离的下部空间132b。这里，排放管190可以连接到处理容器100的下端以强制地使室800的内部排气。各自都具有环形形状以引入与抽吸化学溶液以及从旋转物质分散的气体的第一抽吸管110、第二抽吸管120和第三抽吸管130，以多级布置在处理容器100的上部空间132a中。

各自都具有环形形状的第一抽吸管110、第二抽吸管120和第三抽吸管130，具有与一个共用环形空间联通的排放孔H（与容器的下部空间相应）。连接到排放件400的排放管190布置在下部空间132b中。

具体地说，第一抽吸管至第三抽吸管110、120、130中的每个都包括具有环形形状的底面以及从底面延伸出并且具有圆柱形形状的侧壁。第二抽吸管120围绕第一抽吸管110并且与第一抽吸管110隔开。第三抽吸管130围绕第二抽吸管120并且与第二抽吸管120隔开。

第一抽吸管到第三抽吸管110、120和130提供第一回收空间到第三回收空间RS1、RS2和RS3，通过回收空间RS1、RS2和RS3相应地引入从基板W分散的处理溶液和包含烟的空气流。第一回收空间RS1由第一抽吸管110限定，并且第二回收空间RS2通过在第一抽吸管110与第二抽吸管120之间间隔的空间限定。第三回收空间RS3通过在第二抽吸管120与第三抽吸管130之间间隔的空间限定。

第一抽吸管到第三抽吸管110、120和130的每个的顶面都包括开口的中间部分与从连接的侧壁朝向其开口逐渐远离相应的底面的倾斜表面。因此，从基板W分散的处理溶液可以相应地沿着第一抽吸管到第三抽吸管110、120与130的顶面流入到回收空间RS1、RS2和RS3。

引入到第一回收空间RS1的第一处理溶液通过第一回收管线141排放到外部。引入到第二回收空间RS2的第二处理溶液通过第二回收管线143排放到外部。引入到第三回收空间RS3的第三处理溶液通过第三回收管线145排放到外部。

处理容器100接合到提升单元600以便改变处理容器100的竖直位置。提升单元600沿着竖直方向使处理容器100直线地移动。由于处理容器100竖直地移动，因此处理容器100相对于旋转头210的相对高度可以改变。

提升单元600包括支架612、移动轴614、以及驱动器616。支架612固定到处理容器100的外壁。通过驱动器616竖直移动的移动轴614牢固地连接到支架612。当基板W加载在旋转头210中或者从旋转头210卸载时，处理容器100下降以使旋转头从处理容器100向上伸出。此外，当执行此处理时，可以调节处理容器100的高度，从而根据供给到基板W上的处理溶液的种类将处理溶液相应地引入到抽吸管110、120和130中。因此，可以改变处理容器100与基板W之间的相对竖直位置。因此，在处理容器100中，可以相应地将不同的处理溶液和气体回收到回收空间RS1、RS2和RS3中。

在当前的实施方式中，基板处理装置1使处理容器100竖直地移动以改变处理容器100与基板支撑件200之间的相对竖直位置。另选地，基板处理装置1可以使基板支撑件200竖直地移动以改变处理容器100与基板支撑件200之间的相对竖直位置。

基板支撑件200布置在处理容器100内部。当执行处理时基板支撑件200支撑基板W。此外，在执行处理的同时基板支撑件200可以通过下文将要描述的驱动器240旋转。基板支撑件200包括具有圆形顶面的旋转头210。支撑基板W的支撑销212与卡盘销214布置在旋转头210的顶面上。支撑销212彼此间隔地布置在旋转头210的顶面的边缘上。此外，支撑销212从旋转头210向上伸出。支撑销212支撑基板W的底面以使基板W与旋转头210向上地隔开。卡盘销214相应地布置在支撑销212的外部。此外，卡盘销214向上伸出。卡盘销214与基板W对直以使由多个支撑销212支撑的基板W布置在旋转头210上的适当位置中。当执行此处理时，卡盘销214接触基板W的侧面部分以防止基板W脱离适当位置。

支撑旋转头210的支撑轴220连接到旋转头210的下部。此外，支撑轴220通过连接到其下端的驱动单元230旋转。驱动单元230可以包括电机。当支撑轴220旋转时，旋转头210与基板W旋转。

排放件400为抽吸管提供排放压力（抽吸压力），其回收第一抽吸管到第三抽吸管的处理溶液。排放件400包括连接到排放管190的子排放管线410以及节气阀420。子排放管线410接收来自排放泵（未示出）的排放压力并且连接到埋在半导体生产线（工厂）的底部空间中的主排放管线。

固定喷嘴500布置在处理容器100的上端。固定喷嘴500中的每个都将处理流体喷射到布置在旋转头210上的基板W上。可以根据待处理的基板的位置调节固定喷嘴500的喷射角度。

图4是示出图3的第一可移动喷射件的主要部分的放大图。

参照图2至图4，第一可移动喷射件300可以摆动以移动到基板的中心部分的上侧，由此将用于清洗或者蚀刻的处理流体供给到基板上。

第一可移动喷射件300包括第一驱动单元320、第一喷嘴臂330、第二喷嘴臂340、以及第二驱动单元350。

用于喷射处理流体的第一喷嘴332和第二喷嘴342相应地布置在第一喷嘴臂330与第二喷嘴臂340中。第一喷嘴332与第二喷嘴342可以相应地喷射彼此不同的处理流体。例如，第一喷嘴332可以喷射氮气，并且第二喷嘴342可以喷射去离子水。

支撑轴310具有沿着第三方向限定的长度方向。此外，支撑轴310具有接合到第一驱动单元320的下端。第一驱动单元320使支撑轴310旋转以允许第一喷嘴臂330摆动。例如，第一驱动单元可以设置为包括电机、皮带以及皮带轮的组件。

第一喷嘴臂330接合到支撑轴310。第一喷嘴332布置在第一喷嘴臂330的端部。通过将支撑轴用作中心轴（第一轴），第一喷嘴臂330可以通过第一驱动单元320从基板的中心摆动到基板的边缘。

尽管未示出，第一可移动喷射件300包括提升驱动单元，其提供用于提升第一喷嘴臂330或支撑轴310的驱动力，以使得当第一喷嘴臂330旋转时第一喷嘴臂330与靠近它的其它单元碰撞。例如，提升驱动单元可以设置为诸如单缸电机或线性电机的线性驱动单元。

第二喷嘴臂可以通过单独的旋转轴与驱动源在第一喷嘴臂330上旋转。第二喷嘴臂340具有接合到第一喷嘴臂330的第二轴348的一个端部。第二喷嘴342布置在第二喷嘴臂340的另一端。第二喷嘴臂340通过第二驱动单元350相对于第二轴348摆动。尽管在本实施方式中第二驱动单元350设置为缸体，但是第二驱动单元350可以包括能够使第二喷嘴臂340旋转的多个旋转器件，诸如包括电机、皮带、与皮带轮的组件。

用于处理基板的处理流体可以包括选自下述中的至少一种：氢氟酸（HF）、硫酸（H₃SO₄）、氢（H₂O₂）、氮气、硝酸（HNO₃）、磷酸（H₃PO₄）、臭氧水和SC-1溶液（氢氧化铵（NH₄OH）、氢（H₂O₂）、和水（H₂P）的混合溶液）。去离子水（DIW）可以用作冲洗溶液。异丙醇气（IPA）可以用作干气。

如上所述，由于第一可移动喷射件400设有多个喷嘴臂，因此可以减小设备面积。此外，当完成利用第二喷嘴的处理时，第一喷嘴可以在基板的中心处等待以减少处理时间。

尽管在本实施方式中第一喷嘴臂330的旋转轴与第二喷嘴臂240的旋转轴彼此不同，但是本发明不限于此。例如，第一喷嘴臂与第二喷嘴臂可以通过使用相同的旋转轴旋转。此外，尽管第一可移动喷射件300包括两个喷嘴臂，但是本发明不限于此。例如，第一可移动喷射件300可以包括至少两个喷嘴臂，并且喷嘴臂中的每个都可以通过使用相同的旋转轴或者彼此不同的旋转轴旋转。

图5是示出第一喷嘴臂与第二喷嘴臂的控制序列的视图，以及图6-图9是示出第一可移动喷射件的操作的视图。

参照图5与图6，第一可移动喷射件300可以在起始点等待。在第一可移动喷射件300在起始点的等待期间，第一喷嘴臂330与第二喷嘴臂340彼此平行布置。第一喷嘴臂330与第二喷嘴臂340可以通过使用一个提升驱动单元或单独的提升驱动单元来调节高度。另选地，可以省略用于调节第一喷嘴臂330与第二喷嘴臂340中的每个的高度的提升驱动单元。参照图5-图8，第一喷嘴臂330沿着相对于第一轴作为基板方向的逆时针方向（CCW）旋转。例如，第一喷嘴臂330可以根据设备部件沿着顺时针方向或者沿着逆时针方向旋转。当第一喷嘴臂330旋转预设角度时，便从第二喷嘴342喷射处理流体。与第一喷嘴臂330平行布置的第二喷嘴臂340沿着顺时针方向（CW）旋转。即，第二喷嘴臂340通过控制第二轴的第二驱动单元320执行从基板的中心朝向基板的边缘的扫描操作或者操作为在预设点处喷射处理液体达预定时间。

当完成处理流体通过第二喷嘴342的排放时，第二喷嘴臂340通过第二驱动单元350从基板的上侧返回到起始点以防止从第二喷嘴342排放的处理流体异常地流动（例如，由于异常阀（abnormal valve）使得处理流体滴落）。这里，第二喷嘴臂340使在基板上方的任何点处的处理流体的排放停止以返回到起始点，或者执行直到基板的边缘的扫描操作以喷射处理流体，然后使在基板的边缘处的处理流体的排放停止以返回到起始点。

参照图5与图9，当完成处理流体通过第二喷嘴342的排放时，从第一喷嘴332喷射处理流体。即，第一喷嘴臂330通过第一驱动单元320执行从基板的中心朝向基板的边缘的扫描操作或者操作为在预设点处喷射处理液体达预定时间。当完成处理流体通过第一喷嘴332的排放时，第一喷嘴臂330返回到起始点。这里，第二喷嘴臂340在与第一喷嘴臂330的旋转方向相反的方向上旋转。然后，当第一喷嘴臂330返回到起始点时，第二喷嘴臂340保持在起始点处。第一喷嘴臂330与第二喷嘴臂340可以以相同的旋转速率旋转，以在第一喷嘴臂330返回到起始点时防止第二喷嘴臂340的起始点改变。此外，第一喷嘴臂330在返回到起始点时使在基板上方的任何点处的处理流体的排放停止以返回到起始点，或者执行直到基板的边缘的扫描操作以喷射处理流体，然后使在基板的边缘处的处理流体的排放停止以返回到起始点。

根据本发明，由于包括第二喷嘴的第二喷嘴臂安装在包括第一喷嘴的第一喷嘴臂上，因此当设有多个臂时，可以减小设备面积。此外，可以连续地执行处理流体通过第一喷嘴与第二喷嘴的排放以减少处理时间，由此提高基板的生产量。

尽管已经参照本发明的优选实施方式特别地示出并且描述了本发明，但是本领域中的技术人员将会理解的是，在不偏离本发明的如由所附权利要求限定的精神和范围的情况下可以在其中对形式与细节做出多种改变。

Claims

1.一种基板处理装置，其包括：

基板支撑件，在其上布置有基板；以及

可移动喷射件，其将流体供给到布置在所述基板支撑件上的所述基板上，

其中所述可移动喷射件包括：

第一喷嘴臂，其旋转以喷射至少一种流体；以及

第二喷嘴臂，其平行于所述第一喷嘴臂布置并且布置在所述第一喷嘴臂上以喷射至少一种流体；

第一支撑轴，其接合到所述第一喷嘴臂；

第二支撑轴，其布置在所述第一喷嘴臂的两个端部之间，

其中所述第二喷嘴臂通过所述第二支撑轴接合到所述第一喷嘴臂；以及

其中所述第一喷嘴臂构造为绕所述第一支撑轴旋转并且所述第二喷嘴臂构造为绕所述第二支撑轴旋转。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第二喷嘴臂通过单独的旋转轴与驱动源在所述第一喷嘴臂上旋转。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中在所述第一喷嘴臂旋转的同时，所述第二喷嘴臂与所述第一喷嘴臂一起旋转。

4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中所述第一喷嘴臂与所述第二喷嘴臂包括喷射彼此不同的处理流体的喷嘴。

5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中所述可移动喷射件包括：

第一驱动单元，其使所述第一喷嘴臂旋转；以及

第二驱动单元，其使所述第二喷嘴臂旋转。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中所述第二驱动单元布置在所述第一喷嘴臂上。

7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中所述可移动喷射件还包括控制所述第一驱动单元与所述第二驱动单元的控制单元。

8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中在所述可移动喷射件中，在所述第一喷嘴臂上设置多个所述第二喷嘴臂。

9.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中所述可移动喷射件还包括通过单独的旋转轴与驱动源在所述第二喷嘴臂上旋转的第三喷嘴臂以喷射至少一种流体。

10.一种通过利用包括第一喷嘴的第一喷嘴臂与相对于所述第一喷嘴臂独立地操作并且包括第二喷嘴的第二喷嘴臂来处理基板的表面的基板处理方法，该基板处理方法包括：

将所述第一喷嘴臂连同所述第二喷嘴臂从起始位置旋转到所述基板上方的一个位置；

当所述第二喷嘴臂从所述基板上方的一个位置朝向所述基板的边缘旋转时，通过所述第二喷嘴将处理流体喷射在所述基板上；以及

当完成所述处理流体通过所述第二喷嘴的喷射时，在所述第一喷嘴臂从所述基板上方的一个位置朝向所述基板的所述边缘旋转的同时，通过所述第一喷嘴将处理流体喷射在所述基板上。

11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，在通过所述第一喷嘴喷射所述处理流体的过程中，所述第二喷嘴臂在与所述第一喷嘴臂的所述旋转方向相反的方向上旋转以防止所述第二喷嘴臂的位置改变。

12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中在通过所述第一喷嘴喷射所述处理流体的过程中，所述第一喷嘴臂与所述第二喷嘴臂具有相同的旋转速率。