KR20030063219A

KR20030063219A - 기판처리장치 및 기판처리방법

Info

Publication number: KR20030063219A
Application number: KR10-2003-0003925A
Authority: KR
Inventors: 우시지마미쓰루
Original assignee: 동경 엘렉트론 주식회사
Priority date: 2002-01-22
Filing date: 2003-01-21
Publication date: 2003-07-28
Also published as: TWI254193B; TW200302404A; JP2003218007A; CN1279580C; CN1434481A; KR100917728B1; JP3959612B2

Abstract

이동기구에 의해 용제노즐로부터 신나를 토출하면서 기판의 각 근처에 따라, 예를 들면 2왕복 또는 3왕복정도 이동시킴으로써, 기판의 둘레가장자리부만의 레지스트막을 제거하여, 어드히젼처리가 행하여졌을 때에 형성된 HMDS 가스에 의한 처리막을 노출된다. 다음에, 광파이버에 의해 자외선을 조사하면서 기판의 각 근처에 따라, 예를 들면 2왕복 또는 3왕복정도 이동시킴으로써, 기판의 둘레가장자리부에만 노출한 처리막을 제거한다. 이것에 의해, 기판둘레가장자리부에 노출한 처리막으로부터 아민계가스를 발생시키는 일이 없기 때문에 노광장치에 있어서의 노광렌즈나 미러, 그 밖의 기기류를 백탁시키는 것을 방지할 수 있다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 발명은 액정표시 디바이스등에 사용되는 유리기판에 형성된 처리막등을 제거하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.

LCD (Liquid Crystal Display: LCD)등의 제조공정에 있어서는, 피처리체인 LCD 용의 유리기판상에 ITO (Indium Tin Oxide)의 박막이나 전극패턴을 형성하기 위해서, 반도체 디바이스의 제조에 사용되는 것과 같은 포토리소그래피기술이 이용된다. 포토리소그래피기술에서는, 포토레지스트를 유리기판에 도포하여, 이것을 노광하고, 더욱 현상한다.

또한, 이들 레지스트도포, 노광 및 현상의 각 공정의 전후로 있어서는, 소정의 가열처리나 냉각처리를 행하고 있고, 특히, 레지스트의 도포처리의 전공정에 있어서는, 어드히젼처리를 하고 있다. 이 어드히젼처리란, 유리기판과 레지스트막과의 밀착성을 향상시키기 위해서, 유리기판에 암모니아계의 가스(일반적으로는 HMDS 가스가 사용되고 있다)를 증기형상으로 하여 도포하고 있다.

그리고, 이 어드히젼처리후 레지스트막이 도포되지만, 후에 파티클의 발생을 방지하기 위해서, 레지스트막도포처리후에 유리기판의 둘레가장자리부에 도포된 여분인 레지스트막을 신나등의 용제에 의해 제거하고 있다.

그렇지만, 이 둘레가장자리부의 레지스트제거처리가 이루어진 후, 유리기판은 노광장치에 반송되어 노광처리되지만, 이 때 노광장치에 있어서의 노광렌즈나 미러등이 백탁(白濁)한다고 하는 문제가 발생하고 있다. 이것은 레지스트막의 아래에 도포된 HMDS 가스에 의한 막이, 기판둘레가장자리부의 레지스트막을 제거한 후에 해당 둘레가장자리부에 노출하여, 이 부분으로부터 HMDS 가스를 구성하는 아민계의 가스, 예를 들면 황화 암모늄이 발생하여, 이 발생한 가스가 노광장치의 렌즈나 미러등에 부착하는 것이 원인이라고 생각된다. 이러한 문제에 의해, 예를 들면, 소정의 노광량으로 노광할 수 없는 등, 노광처리에 불량이 생기고 있다.

이상과 같은 사정을 감안해, 본 발명의 목적은 노광장치에 악영향을 주지 않고서 기판둘레가장자리부의 레지스트막을 제거할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것에 있다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 관한 기판처리장치는 처리막과 이 처리막상에 도포된 도포막이 형성된 기판의 기판둘레가장자리부에 용제를 토출하여, 해당 둘레가장자리부의 도포막을 제거하는 도포막제거수단과, 상기 도포막이 제거된 기판둘레가장자리부에 노출한 상기 처리막을 제거하는 처리막제거수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

이러한 구성에 의하면, 도포막제거수단에 의해서 도포막이 제거된 후, 노출한 처리막이 처리막제거수단에 의해서 제거된다. 이것에 의해, 노광장치에 있어서의 노광 렌즈나 미러등이 백탁하는 원인이 되다, 예를 들면 어드히젼처리에 의해 형성된 처리막을 제거할 수 있으므로, 노광장치에 악영향을 주지 않고서 기판둘레가장자리부의 도포막을 제거할 수 있다.

도포막처리수단으로서, 용제노즐을 기판둘레가장자리부에 따라 이동시키면서 용제를 토출함으로써 도포막을 제거하는 것을 생각할 수 있다. 또한, 처리막제거수단으로서, 예를 들면 광파이버를 기판둘레가장자리부에 따라 이동시키면서 이 광파이버로부터 빛을 조사하는 것에 의해 처리막을 제거하는 것을 생각할 수 있고, 더욱 처리막에 오존수를 공급하는 것에 의해 해당 처리막을 제거하는 것도 생각될 수 있다.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 광파이버에 의한 빛은 상기 도포막을 노광하기 위한 노광광의 파장성분을 포함하는 빛을 사용하는 것이 바람직하다.

또한, 도포막을 제거한 후에 노출하는 처리막을 가열하는 가열수단을 갖더라도 좋다. 이와 같이, 빛의 조사를 하기 전에 미리 처리막을 가열함으로써, 광조사에 의한 처리막의 박리작용을 촉진시킬 수 있다.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 도포막제거수단은 상기 용제를 토출하는 용제노즐을 유지한 유지부재와, 상기 유지부재를 기판의 둘레가장자리부에 따라 이동시키는 둘레가장자리이동기구를 구비하여, 상기 유지부재를 상기 둘레가장자리이동기구에 의해 이동시키면서 상기 용제를 토출하는 것을 특징으로 한다. 이러한 구성에 의하면, 유지부재를 이동시키면서 용제를 토출할 수 있기 때문에, 효율 좋게 도포막 및 처리막을 제거할 수 있다. 또한, 유지부재에 광파이버가 고정되어 있는 경우에는, 유지부재를 이동시키면서 빛을 조사할 수 있기 때문에, 효율 좋게 처리막을 제거할 수 있다.

이 광파이버의 투광면은 한변이 거의 상기 노출한 처리막의 폭과 같은 길이를 갖는 직사각형으로 되는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 예를 들면, 유지부재에 의한 기판둘레가장자리부의 1왕로의 이동만에 의해, 처리막이 노출한 영역을 효율 좋게 제거할 수 있다. 또한, 광파이버에 의한 빛의 조사는 상기 도포막이 도포된 기판면의 이면측에서 행하여도 좋다. 예를 들면, 기판이 유리기판인 경우에는, 이면측에서 빛을 조사하더라도 유리기판의 표면측에 빛을 투과시킬 수 있다.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 광파이버와 용제노즐이 상기 유지부재의 이동방향과 거의 평행하게 배치되어 있는 것을 특징으로 한다. 이 경우, 유지부재에 상기 이동방향과 직교하는 방향에 이동시키는 직교이동기구를 설치하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 유지부재를 상기 직교방향으로 이동시켜, 용제노즐 및 광파이버를 처리막상에서, 이 처리막의 폭방향으로 이동시킬 수 있게 된다. 따라서, 용제노즐 및 광파이버에 의해서 처리막이 제거된 범위가 넓게 되고, 적확하게 처리막이 제거되는 것이 된다.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 광파이버가 상기 용제노즐보다도 기판의 외측에 배치되어 있는 것을 특징으로 한다. 이러한 구성에 의하면, 유지부재의 기판둘레가장자리부에 따른 이동만을 하여, 기판둘레가장자리부의 도포막이 제거된 후에 남은 도포막을 광파이버에 의한 광조사에 의해 노광되어 버리는 것을 방지할 수가 있다.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 유지부재를 상기 이동방향과 직교하는 방향으로 이동시키는 직교방향이동기구를 더욱 구비하여, 유지부재를 상기 둘레가장자리이동기구 및 직교방향이동기구에 의해서 교대로 이동시키면서, 상기 둘레가장자리부의 도포막을 제거함과 동시에, 순차 노출되어 가는 처리막을 제거하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이, 광파이버가 뒤따라 용제토출에 의해 순차 노출되어 가는 처리막을 제거하여 가는 것에 의해, 광파이버에 의해서 처리막이 제거되는 범위가 넓게 되어, 적확하게 처리막이 제거되는 것이 되고, 도포막 및 처리막을 효율적이고 또한 신속히 제거할 수가 있다.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 광파이버의 투광면에 향하여 세정액을 분출하는 세정노즐을 더욱 구비하는 것을 특징으로 한다. 빛이 조사되는 것에 의해 가스화한 처리막이 광파이버의 투광면에 부착하여 해당 광파이버의 투광면을 백탁시키면, 광파이버의 투광면의 그 부착물에 의해서, 기판에 일정한 광조사를 얻을 수 없게 될 가능성을 생각할 수 있다. 본 발명에서는, 광파이버의 투광면의 백탁을 세정액으로 세정함에 의해, 이러한 사태를 회피할 수가 있다. 또한, 본 발명의 세정노즐은 유지부재와 일체적으로 이동할 수 있도록, 유지부재에 부착되어 있는 것으로도 할 수 있다.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 처리막을 제거할 때에 해당 처리막으로부터 발생하는 가스를 배출하는 수단을 더욱 구비하는 것을 특징으로 한다. 이러한 구성에 의하면, 광조사에 의해서 가스화한 처리막을 배기할 수 있다. 이것에 의해, 상술한 광파이버의 투광면의 백탁을 방지할 수 있고, 또, 장치나 기기류의 오염을 방지할 수 있다. 또한, 이 배출하는 수단을 설치하는 것에 의해, 해당 세정의 때에 비산하는 세정액을, 제거된 도포막이나 처리막이 처리막부터의 발생가스등과 동시에 배출할 수 있고, 더욱, 광파이버의 투광면도 건조시킬 수 있다.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 상기 광파이버는 둘레가장자리이동기구에 의한 상기 유지부재의 이동방향과는 다른 방향으로 복수 배열 설치되어 있다. 이것에 의해, 유지부재의 1왕로로 처리막을 제거할 수 있어, 보다 확실히 처리막을 제거할 수 있음과 동시에 스루풋를 향상시킬 수 있다.

본 발명의 하나의 형태에 의하면, 2이상의 상기 용제노즐로 기판을 사이에 두도록 상기 유지부재에 부착되어 있다. 이에 따라 기판의 표면측뿐만 아니라 이면측에 돌아 들어가서 부착한 도포막을 제거할 수 있다.

본 발명에 관한 기판처리방법은, 처리막과 이 처리막상에 도포된 도포막이 형성된 기판의 기판둘레가장자리부에 용제를 토출하여, 해당 둘레가장자리부의 도포막을 제거하는 공정과, 상기 도포막이 제거된 기판둘레가장자리부에 노출한 상기 처리막을 제거하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

도 1은 본 발명의 일실시형태에 관한 도포현상처리시스템의 전체구성을 나타내는 평면도,

도 2는 도 1에 나타내는 도포현상처리시스템의 정면도,

도3은 도 1에 나타내는 도포현상처리시스템의 배면도,

도 4는 일실시형태에 관하는 레지스트처리 블록을 나타내는 평면도,

도 5는 도 4에 나타내는 레지스트처리 블록의 측면도,

도 6은 본 발명의 일실시형태에 관하는 에지리무버의 개략 사시도,

도 7은 일실시형태에 관하는 리무버헤드를 나타내는 단면도,

도 8은 도 7에 나타내는 리무버헤드의 평면도,

도 9는 도 7에 나타내는 리무버헤드의 정면도,

도 10(a)는 기판둘레가장자리부의 레지스트막제거작용, (b)은 어드히션처리에 의해 처리막의 제거작용을 나타내는 단면도,

도 11은 리무버헤드에 에어 실린더를 부착한 상태를 나타내는 측면도,

도 12(a)은 용제노즐과 광파이버와의 위치관계를 나타내는 평면도이고, (b)는 그 처리막의 제거작용을 나타내는 측면도,

도 13은 기판둘레가장자리부를 리무버헤드에 의해 주사시키는 상태를 나타내는 평면도,

도 14는 세정노즐을 설치한 리무버헤드의 단면도,

도 15는 별도의 실시형태에 관하는 에지리무버의 개략 사시도,

도 16은 도 15에 나타내는 테두리형상부재의 단면도,

도 17은 히터의 기판둘레가장자리부에 대한 가열작용을 나타내는 사시도,

도 18은 다른 실시형태를 나타내는 광파이버일부분의 확대사시도,

도 19는 더욱 별도의 실시형태에 관한 리무버헤드의 단면도,

도 20은 더욱 별도의 실시형태에 관한 리무버헤드의 평면도,

도 21은 더욱 별도의 실시형태에 관하는 리무버헤드의 단면도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

G : 유리기판 S : 처리공간

A, B, C, D, E : 위치 Ga : 이면

48 : 에지리무버 66 : 세정노즐

70 : 레지스트막 70a : 가장자리부분

75 : 히터 80 : 처리막

81 : 광파이버 81a : 투광면

82a : 창문부 92 : 흡인구

93 : 리무버헤드 93a : 상부헤드구성재

93b : 하부헤드구성재 94 : 이동기구

95 : 용제노즐

이하, 본 발명의 실시의 형태를 도면에 근거하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 반송장치가 적용되는 LCD 기판의 도포현상처리시스템을 나타내는 평면도이고, 도 2는 그 정면도, 또한 도 3은 그 배면도이다.

이 도포현상처리시스템(1)은 복수의 유리기판(G)을 수용하는 카세트(C)를 얹어 놓는 카세트스테이션(2)과, 기판(G)에 레지스트도포 및 현상을 포함하는 일련의 처리를 실시하기 위해서의 복수의 처리유니트를 구비한 처리부(3)와, 노광장치(32)와의 사이에서 기판(G)의 주고 받음을 행하기 위한 인터페이스부(4)를 구비하고,처리부(3)의 양끝단에 각각 카세트스테이션(2) 및 인터페이스부(4)가 배치되어 있다.

카세트스테이션(2)은 카세트(C)와 처리부(3)와의 사이에서 LCD 기판의 반송을 행하기 위한 반송기구(10)를 구비하고 있다. 그리고, 카세트스테이션(2)에 있어서 카세트(C)의 반입출이 행하여진다. 또한, 반송기구(10)는 카세트의 배열방향을 따라서 설치된 반송로(12)상을 이동가능한 반송아암(11)을 구비하여, 이 반송아암(11)에 의해 카세트(C)와 처리부(3)와의 사이에서 기판(G)의 반송이 행하여진다.

처리부(3)에는 카세트스테이션(2)에 있어서의 카세트(C)의 배열방향(Y방향)으로 수직방향(X방향)으로 연장하여 설치된 주반송부(3a)와, 이 주반송부(3a)에 따라, 레지스트도포처리유니트(CT)를 포함하는 각 처리유니트가 병렬설치된 상류부 (3b) 및 현상처리유니트(DEV)(18)를 포함하는 각 처리유니트가 병렬설치된 하류부 (3c)가 설치된다.

주반송부(3a)에는, X방향으로 연장하여 설치된 반송로(31)와, 이 반송로(31)에 따라 이동가능하게 구성되어 유리기판(G)을 X방향으로 반송하는 반송셔틀(23)이 설치되어 있다. 이 반송셔틀(23)은 예를 들면, 지지핀에 의해 기판(G)을 유지하여 반송하도록 되어 있다. 또한, 주반송부(3a)의 인터페이스부(4) 측단부에는, 처리부(3)와 인터페이스부(4)와의 사이에서 기판(G)의 주고 받음을 하는 수직반송유니트(7)가 설치된다.

상류부(3b)에서, 카세트스테이션(2)측단부에는, 기판(G)에 세정처리를 실시하는 스크러버세정처리유니트(SCR)(20)가 설치되어, 이 스크러버세정처리유니트(SCR)(20)의 상단에 기판(G) 상의 유기물을 제거하기 위한 엑시머UV처리유니트(e-UV)(19)가 배치되어 있다.

스크러버세정처리유니트에(SCR)(20)의 이웃에는, 유리기판(G)에 대하여 열적처리를 하는 유니트가 다단으로 쌓아 올려진 열처리계 블록(24 및 25)이 배치되어 있다. 이들 열처리계 블록(24와 25)와의 사이에는, 수직반송유니트(5)가 배치되고, 반송아암(5a)가 Z방향 및 수평방향으로 이동가능하게 되고, 또한 θ방향으로 회전가능하게 되어 있는 것으로, 양 블록(24 및 250에 있어서의 각 열처리계유니트에 액세스하여 기판(G)의 반송이 행해지도록 되어 있다. 또, 상기 처리부(3)에 있어서의 수직반송유니트(7)에 관해서도 이 수직반송유니트(5)와 동일한 구성을 갖고 있다.

도 2에 도시한 바와 같이, 열처리계 블록(24)에는, 기판(G)에 레지스트도포전의 가열처리를 실시하는 베킹유니트(BAKE)가 2단, HMDS 가스에 의해 소수화처리를 실시하는 어드히젼유니트(AD)가 아래로부터 순차로 적층되어 있다. 한편, 열처리계 블록(25)에는, 기판(G)에 냉각처리를 실시하는 쿨링유니트(COL)가 2단, 어드히젼유니트(AD)가 아래로부터 순차로 적층되어 있다.

열처리계 블록(25)에 인접하여 레지스트처리 블록(15)가 X방향으로 연장하여 설치되어 있다. 이 레지스트처리블록(15)는 기판(G)에 레지스트를 도포하는 레지스트도포처리유니트(CT)(49)와, 감압에 의해 상기 도포된 레지스트를 건조시키는 감압건조유니트(VD)(40)와, 본 발명에 관한 기판(G)의 둘레가장자리부의 레지스트를 제거하는 에지리무버(ER)(48)과가 일체적으로 설치되어 구성되고 있다. 이 레지스트처리블록(15)에는 레지스트도포처리유니트(CT)(49)로부터 에지리무버(ER) (48)에 걸쳐서 이동하는 도시하지 않은 서브암이 설치되어 있고, 이 서브암에 의해 레지스트처리블록(15)내에서 기판(G)이 반송되도록 되어 있다.

레지스트처리블록(15)에 인접하여 다단구성의 열처리계 블록(26)이 배치되어 있고, 이 열처리계 블록(26)에는, 기판(G)에 레지스트도포 후의 가열처리를 하는 프리베킹유니트(PREBAKE)가 3단 적층되어 있다.

하류부(3c)에서는, 도 3에 도시한 바와 같이, 인터페이스부(4) 측단부에는, 열처리계 블록(29)이 설치되어 있고, 이것에는, 쿨링유니트(COL), 노광 후 현상처리전의 가열처리를 하는 포스트 엑스포져베킹유니트(PEBAKE)가 2단, 아래로부터 순차로 적층되고 있다.

열처리계 블록(29)에 인접하여 현상처리를 하는 현상처리유니트(DEV) (18)가 X방향으로 연장하여 설치되어 있다. 이 현상처리유니트(DEV)(18)의 이웃에는 열처리계 블록(28 및 27)이 배치되고, 이들 열처리계 블록(28과 27)와의 사이에는, 상기 수직반송유니트(5)와 동일한 구성을 가지고, 양 블록(28 및 27)에 있어서의 각 열처리계 유니트에 액세스가능한 수직반송유니트(6)가 설치되어 있다. 또한, 현상처리유니트인(DEV)(18)끝단부의 위에는 i선처리유니트(i-UV)(33)가 설치되어 있다.

열처리계 블록(28)에는, 쿨링유니트(COL), 기판(G)에 현상후의 가열처리를 하는 포스트베이킹유니트(POBAKE)가 2단, 아래로부터 순차로 적층되어 있다. 한편, 열처리계 블록(27)도 마찬가지로, 쿨링유니트(COL), 포스트베이킹유니트 (POBAKE)가 2단, 아래로부터 순차로 적층되어 있다.

인터페이스부(4)에는, 정면측에 타이틀러 및 주변노광유니트(Titler/EE)(22)가 설치되고, 수직반송유니트(7)에 인접하여 엑스텐션쿨링유니트(EXTCOL)(35)가 또한 배면측에는 버퍼카세트(34)가 배치되어 있고, 이들 타이틀러 및 주변노광유니트 (Titler/EE)(22)와 엑스텐션쿨링유니트(EXTCOL)(35)와 버퍼카세트 (34)와 인접한 노광장치(32)와의 사이에서 기판(G)의 주고 받음을 하는 수직반송유니트(8)가 배치되어 있다. 이 수직반송유니트(8)도 상기 수직반송유니트(5)와 동일한 구성을 갖고 있다.

이상과 같이 구성된 도포현상처리시스템(1)의 처리공정에 대해서는, 우선 카세트(C) 내의 기판(G)이 처리부(3)부에서의 상류부(3b)로 반송된다. 상류부(3b)에서는, 엑시머UV처리유니트(e-UV)(19)에 있어서 표면개질·유기물제거처리가 행하여져, 다음에 스크러버세정처리유니트에(SCR)(20)에 있어서, 기판(G)이 약 수평으로 반송되면서 세정처리 및 건조처리가 행하여진다. 계속해서 열처리계 블록(24)의 최하단부에서 수직반송유니트에 있어서의 반송아암(5a)에 의해 기판(G)이 꺼내어지고, 동열처리계 블록(24)의 베킹유니트(BAKE)로써 가열처리, 어드히젼유니트(AD)로써, 유리기판(G)과 레지스트막과의 밀착성을 높이기 위해서, 기판(G)에 HMDS 가스를 분무하는 처리가 행해진다. 이 후, 열처리계 블록(25)의 쿨링유니트(COL)에 의한 냉각처리가 행하여진다.

다음에, 기판(G)은 반송아암(5a)에서 반송셔틀(23)에 주고받아진다. 그리고 레지스트 도포처리유니트(CT)에 반송되어, 레지스트의 도포처리가 행하여진 후, 감압건조처리유니트(VD)로써 감압건조처리, 에지리무버(ER)(48)으로써 기판둘레가장자리의 레지스트제거처리가 순차 행하여진다.

다음에, 기판(G)은 반송셔틀(23)로부터 수직반송유니트(7)의 반송아암에 주고받아지고, 열처리계 블록(26)에 있어서의 프리베킹유니트(PREBAKE)로써 가열처리가 행하여진 후, 열처리계 블록(29)에 있어서의 쿨링유니트(COL)로써 냉각처리가 행하여진다. 계속해서 기판(G)은 엑스텐션쿨링유니트(EXTCOL)(35)로써 냉각처리됨과 동시에 노광장치로써 노광처리된다.

다음에, 기판(G)은 수직반송유니트(8 및 7)의 반송아암을 통해 열처리계 블록(29)의 포스트엑스포져베킹유니트(PEBAKE)에 반송되고, 여기서 가열처리가 행하여진 후, 쿨링유니트(COL)로써 냉각처리가 행하여진다. 그리고 기판(G)는 수직반송유니트(7)의 반송아암을 통해, 현상처리유니트(DEV)(18)에 있어서, 기판(G)은 약 수평으로 반송되면서 현상처리, 린스처리 및 건조처리가 행하여진다.

다음에, 기판(G)은 열처리계 블록(28)에 있어서의 최하단으로부터 수직반송유니트(6)의 반송암(6a)에 의해 주고받아지고, 열처리계 블록(28또는 27)에 있어서의 포스트베킹유니트(POBAKE)로써 가열처리가 행하여져, 쿨링유니트(COL)로써 냉각 처리가 행하여진다. 그리고 기판(G)은 반송기구(10)에 주고받아지고 카세트(C)에 수용된다.

도 4 및 도 5는 레지스트처리블록(15)을 나타내는 개략평면도 및 개략측면도이다. 이들 레지스트도포유니트(CT)(49), 감압건조유니트(VD)(40), 및 에지리무버 (48)은 도시한 바와 같이, 동일한 스테이지에 일체적으로 병렬되어 있다.

감압건조유니트(VD)(40)은 하부챔버(61)와, 그 위를 덮도록 설치되고, 그 내부의 처리공간을 기밀하게 유지하는 상부챔버(62)를 갖고 있다. 하부챔버(61)에는 기판(G)을 얹어 놓기 위한 스테이지(63)가 설정되어, 하부챔버(61)의 각 코너 일부에는, 4개의 배기구(64)가 설치되어, 이 배기구(64)에 연통된 배기관(65)이 터보분자배기펌프등의 배기펌프(도시 생략)에 접속되어 있다. 그리고, 하부챔버(61)과 상부챔버(62)와가 밀착한 상태로 그 중의 처리공간을 배기함으로써, 소정의 진공도에 감압되도록 구성되어 있다.

또한, 레지스트도포유니트(CT)(49)의 거의 중앙에는, 유저원통형의 컵(71)이 배치되어, 컵(71)내에는 유리기판(G)을 고정유지하기 위한 유지부재인 기판흡착테이블(58)이 배치되어 있다.

이들 레지스트도포유니트(CT)(49), 감압건조유니트(VD)(40), 및 에지리무버 (ER)(48)사이에 있어서의 기판(G)의 반송은 아암(41,42)에 의해 행해지도록 되어 있다.

다음에 본 발명의 일실시형태에 관한 에지리무버(ER)(48)에 관해서 설명한다. 도 6에 도시한 바와 같이, 유리기판(G)을 얹어 놓기 위한 스테이지(91)가 설치된다. 이 스테이지(91)에 유리기판(G)이 얹어 놓여진 상태에 있어서, 유리기판 (G)의 둘레가장자리부인 사방에는, 유리기판(G)의 둘레가장자리부의 에지로부터 여분인 레지스트를 제거하기 위한 4개의 리무버헤드(93)가 기판(G)의 사방에 따라 이동가능하게 설치되어 있다. 이 사방에 따라 이동은 이동기구(94)에 의해 행하여지도록 구성되어 있고, 이 이동기구(94)는 각 리무버헤드(93)를 지지하는 지지부재 (36)와, 이 지지부재(36)를 기판(G)의 사방에 평행하게 이동시키는 예를 들면 도시하지 않은 벨트구동기구를 갖고 있다.

도 7, 도 8 및 도 9는 상기 리무버헤드(93)의 단면도, 평면도 및 정면도이다. 도 7에 도시한 바와 같이, 리무버헤드(93)는 상부헤드구성재(93a)와 하부헤드구성재(93b)를 가지고, 이들을 상하방향으로 대향시켜 처리공간(S)를 구비한 단면 약 ㄷ자형상으로 형성되어 있다. 또한, 이 리무버헤드(93)는 이 리무버헤드(93)의 기초끝단부측에 통하여 흡인구(92)를 가지고, 이 흡인구(92)에는, 도시하지 않은 진공펌프등에 접속되어 처리공간(S) 내의 분위기가 흡인되도록 되어 있다.

상부헤드구성재(93a)에는, 상부헤드구성재(93a)와 하부헤드구성재(93b)와의 사이의 처리공간(S) 내에 기판(G)의 둘레가장자리부를 위치시키었을 때에, 불필요한 레지스트막(70)을 제거하는 부분에 향하여 용제를 토출하기 위한 용제노즐(95)이 고정되어 있다. 용제노즐(95)에는, 다른 설치의 예를 들면, 탱크등을 구비한 용제공급원(96)으로부터, 공급관(21)을 통해 질소가스등에 의한 압송에 의해 용제, 예를 들면 신나가 소정압으로 공급되도록 되어 있다. 이것에 의해, 각 리무버헤드 (93)는 기판(G)의 각 근처에 따라 이동하여 신나를 토출하면서, 기판(G)의 사방의 에지에 부착한 여분인 레지스트막(70)을 제거할 수 있다.

용제노즐(95)은 가는 선재의 중에 토출구와 같은 지름의 유통부(도시하지 않음)이 형성되어 이루어지는 중공(中空)구조를 갖는다. 일반적으로 사용되고 있는 예를 들면 용제노즐(95)의 토출구의 지름은 약 260μm 정도이다. 그리고 탱크(96)에 가하는 질소가스의 압력은 약 1kg/cm²정도이고, 이것에 의해서 매분 40 ml 정도의 용제가 기판(G)의 표리면의 둘레가장자리부에 대하여 토출되어, 불필요한 레지스트막(70)이 용해되어 기판(G) 상에서 제거되도록 되어 있다. 본 실시형태에서는, 예를 들면 도 8에 도시한 바와 같이 기판(G)의 끝단부로부터 0.5 mm∼10 mm의 범위로 레지스트막을 제거하는 것이 가능해지고 있다. 또한, 토출된 용제나 용해한 레지스트액은 상기 흡인구(92)로부터 흡인되어 외부로 배출되도록 되어 있다.

또한, 상부헤드구성재(93a)에는, 광파이버(81)가 그 투광면(81a)를 기판(G) 측에 향하여 고정되어 있고, 도시하지 않은 광원에 접속되어 있다. 이 광파이버 (81)와 용제노즐(95)와의 위치관계는, 예를 들면 도 8에 도시한 바와 같이, 기판 (G)의 한변과 거의 평행하게 되어 있다. 이 광파이버(81)는 레지스트막 (70)의 하층에 형성된 기판둘레가장자리부의 처리막(80)을 제거할 목적으로 설치되어, 각 리무버헤드(93)가 기판(G)의 각 근처에 따라 이동함으로써, 예를 들면, 광파이버(81)에 의해 자외선을 조사하면서, 기판(G)의 사방의 둘레가장자리부에 부착한 여분인 처리막(80)이 제거되도록 되어 있다. 여기서 사용하는 자외선은 예를 들면, 상기 노광장치(32)의 노광처리로 사용하는 노광파장성분을 포함하는 빛을 사용하는 것이 바람직하다. 또, 각 리무버헤드(93)의 이동, 용제노즐(95)부터의 신나의 공급 및 정지, 광파이버(81)에 의한 자외선의 조사 및 정지등은 도시하지 않은 제어부에 의해 제어되도록 되어 있다.

다음에, 이와 같이 구성된 에지리무버(ER)(48)의 작용에 관해서 설명한다.

레지스트막이 형성된 유리기판(G)이, 에지리무버(ER)(48)에 있어서의 스테이지(91)에 얹어 놓여진다. 그리고, 각 리무버헤드(93)가 각각 기판(G)의 각부(角部)의 소정의 위치로 배치되어, 도 10(a)에 도시한 바와 같이, 이동기구(94)에 의해 용제노즐(95)로부터 신너를 토출하면서 기판(G)의 각 근처에 따라, 예를 들면 2왕복 또는 3왕복정도 이동시킴으로써, 기판(G)의 둘레가장자리부만의 레지스트막 (70)을 제거하여, 처리막(80)을 노출시킨다. 이 때, 제거된 레지스트막이 레지스트용해에 사용된 신나와 동시에, 흡인구(92) 의해 흡인되어 배출된다. 이 처리막 (80)은 상기 어드히젼처리가 행하여졌을 때에 형성된 HMDS 가스에 의한 처리막이다.

다음에, 도 10(b)에 도시한 바와 같이, 광파이버(81)에 의해 자외선을 조사하면서 기판(G)의 각 근처에 따라, 예를 들면 2왕복 또는 3왕복정도 이동시킴으로써, 기판(G)의 둘레가장자리부에만 노출한 처리막(80)을 제거한다. 이와 같이 처리막(80)이 제거될 때에 처리막(80)로부터 가스가 발생하지만, 이것은 흡인구(92)부터의 흡인에 의해 해당 가스를 배기할 수 있다. 이러한 1개의 흡인구(92)에 의해, 레지스트막 및 처리막부터의 가스의 양자를 효율적으로 배출할 수 있다.

본 실시형태에 의하면, 이 후의 공정에서 노광장치(32)로 기판(G)이 반송되더라도, 종래와 같이, 기판둘레가장자리부에 노출한 처리막(80)으로부터 아민계가스를 발생시키는 일이 없기 때문에 노광장치(32)에 있어서의 노광 렌즈나 미러, 그 밖의 기기류를 백탁시키는 것을 방지할 수 있고, 노광장치(32)에 대한 악영향을 회피할 수 있다. 또한, 노광장치(32)가 아니고, 레지스트도포처리의 직후의 프리베킹유니트(PREBAKE)나, 노광처리후의 현상처리유니트(DEV)등의 장치나 기기에 대한 악영향을 회피할 수가 있다.

또한, 본 실시형태에 있어서는, 도 11에 도시한 바와 같이, 이동기구(94)에 의해 이동하는 지지부재(36)에 예를 들면 에어 실린더(30)를 부착하도록 해도 좋다. 그리고 이 에어실린더(30)의 피스톤(30a)에 리무버헤드(93)의 기초끝단부측을 도시한 바와 같이 부착함으로써, 이동기구(94)에 의한 기판둘레가장자리부에 따른 지지부재(36)의 이동방향에 대하여 직교하는 방향으로 리무버헤드(93)를 이동시킬 수 있다.

이러한 구성을 함으로써, 예를 들면, 우선 도 10(a)에 도시한 바와 같이, 리무버헤드(93)를 기판둘레가장자리부에 따라 예를 들면 2왕복 또는 3왕복정도 이동시킴으로써, 기판(G)의 둘레가장자리부만의 레지스트막(70)을 제거하여, 처리막 (80)을 노출시킨다. 그리고 다음에, 에어 실린더(30)에 의해, 예를 들면 리무버헤드(93)를 기판(G)에서 이간시키는 방향(도 11에 나타내는 X방향)으로 소정거리만 이동시킨다. 그리고, 광파이버(81)에 의해 자외선을 조사하면서 기판(G)의 각 근처에 따라, 예를 들면 2왕복 또는 3왕복 정도이동시킴으로써, 기판(G)의 둘레가장자리부에만 노출한 처리막(80)을 제거한다.

이것에 의해, 예를 들면, 용제노즐(95)에 의한 신나토출과 광파이버(81)에 의한 자외선조사가 기판둘레가장자리부에 따른 이동방향과 동일 이동직선형상으로 행하여지는 것을 방지할 수 있다. 즉, 용제노즐(95)에 의해 레지스트막이 제거된 후의 둘레가장자리부이외로 남은 레지스트막의 가장자리부분을 광파이버(81)에 의한 자외선조사에 의해 노광되어 버리는 것을 방지할 수 있다.

또한, 이러한 에어 실린더(30)를 설치하는 대신에, 용제노즐(95)와 광파이버(81)와의 위치관계를, 도 12(a),(b)에 도시한 바와 같이, 광파이버(81)를 용제노즐 (95)보다 기판(G)의 외측으로 어긋나서 배치시키는 것에 의해서도, 리무버헤드(93)의 Y 방향의 이동만을 행하면 좋고, 상기한 바와 같은 둘레가장자리부이외로 남은 레지스트막의 가장자리부분(70a)를 광파이버(81)에 의한 자외선조사에 의해 노광되어 버리는 것을 방지할 수 있다.

더욱, 도 11 및 도 12에 나타내는 형태를 조합하여, 도 13에 도시한 바와 같이, 용제노즐(95)에 의한 신나의 토출 및 광파이버(81)에 의한 자외선조사를 동시에 하면서, 유리기판(G)의 각부(A)로부터 차례로, 화살표방향으로 B→C→D→E→···와 같이 리무버헤드(93)를 이동시켜, 레지스트막(70) 및 처리막(80)을 제거할 수도 있다. 이 경우는 위치 A에서 위치 B의 이동인 최초의 리무버헤드(93)의 이동시에는, 용제노즐(95)에 의한 신나의 토출만 행하여 레지스트막을 제거하여, 위치 B에서 위치 D의 이동이후의 이동에 있어서는, 용제노즐(95)에 의한 신나의 토출 및 광파이버(81)에 의한 자외선조사를 동시에 행하므로써, 광파이버(81)가 뒤따르는 것으로 신나토출에 의해 서서히 노출되어 가는 처리막(80)을 제거하여 갈 수 있다. 또한, 이 경우, 위치 A에서 위치 B까지 및 위치 C에서 위치 D까지의 이동을 이동기구(94)에 의해 하여, 위치 B에서 위치 C까지 및 위치 D에서 위치 E까지의 이동을 에어 실린더(30)에 의해 행하도록 제어한다.

이러한 레지스트막(70)의 제거 및 처리막(80)의 제거를 동시에 행하므로써, 처리시간이 단축되고, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다. 또, 이 경우는, 리무버헤드(93)의 기판둘레가장자리부에 따른 이동속도를 통상의 리무버헤드(93)의 속도보다 낮게 하는 등 함으로써, 확실히 레지스트막(70)을 제거하고, 또 확실히 처리막 (80)도 제거할 수 있다.

다음에, 도 14를 참조하여, 본 발명의 별도의 실시형태에 관해서 설명한다. 또, 도 14에 있어서, 도 7, 도 8 및 도 9에 있어서의 구성요소와 동일한 것에 대해서는 동일한 부호를 부여하는 것으로 하여, 그 설명을 생략한다.

도 14를 참조하여, 리무버헤드(93)의 하부헤드구성재(93b)에는, 광파이버 (81)의 투광면(81a)에 향하여 세정액을 분출하는 세정노즐(66)이 부착되어 있다. 이 세정노즐(66)은 세정액공급관(67)을 개재하는 세정공급원(68)에 접속되어 있고, 이것에 의해 노즐(66)까지 세정액을 공급할 수 있도록 되어 있다. 또한, 세정액으로서는, 예를 들면, 순수 등을 사용하고 있다.

이것에 의해, 자외선을 조사하여 처리막(80)을 제거할 때에 발생하는 가스가 광파이버(81)의 투광면(81a)에 부착하여 투광면(81a)가 백탁하여 오염되더라도, 예를 들면 처리막(80)의 제거처리가 종료한 후에, 기판마다, 또는 소정의 기판의 매수마다, 세정노즐(66)에 의해 투광면(81a)에 향하여 세정액을 분출함에 의해, 해당 투광면(81a)의 백탁을 제거할 수 있다. 이것에 의해, 예를 들면, 광파이버(81)로부터 조사되는 자외선의 강도가 투광면(81a)의 부착물에 의해서 감소하는 것을 회피할 수가 있다.

또한, 리무버헤드(93)에 설치되는 흡인구(92)부터의 흡인에 의해, 해당 세정의 때에 비산하는 세정액을, 제거된 레지스트막(70)이나 처리막(80), 이 처리막 (80)부터의 발생가스등과 동시에 배출할 수 있고, 이 흡인구(92)부터의 흡인의 효과는 크다.

또, 세정노즐(66)은 반드시 리무버헤드(93)에 고정되어 있지 않더라도 좋고, 특히 도시하지 않은 아암등 별도 고정하는 수단등을 설치하도록 해도 좋다.

도 15는 더욱 별도의 실시형태에 관한 에지리무버(ER)(48)을 나타내는 개략 사시도이다. 본 실시형태로서는, 도 6에 나타내는 에지리무버(ER)(48)에 덧붙여 더욱 히터(75)가 구비되고 있다. 이 히터(75)는 예를 들면, 유리기판(G)의 크기와 거의 동일한 크기의 직사각형의 테두리형상을 이루는 중공의 테두리형상부재(88)와, 이 테두리형상부재(88)를 지지하는 지지부(73)와, 테두리형상부재(88)를 상하로 승강시키기 위한 모터(72)를 갖고 있다.

도 16은 테두리형상부재(88)의 단면도이다. 테두리형상부재(88)는 도시하지 않은 기체공급원에서 기체를 받아들이는 기체공급구(74)와, 받아들인 기체를 가열하는 기체가열실(76)과, 가열한 기체를 유리기판(G) 상의 처리막(80)에 내뿜기 위한 기체분출구(85)를 갖는다. 또한, 기체를 가열하는 수단으로서, 예를 들면 기체가열실(76)에 니크롬선(78)을 갖는다.

본 실시형태에서는, 상기 실시형태와 같이, 우선, 용제노즐(95)로부터 신나가 토출되어, 유리기판(G)의 둘레가장자리부가 불필요한 레지스트막이 제거된 후, 리무버헤드(93)가 유리기판(G)에서 이격되어, 일단 퇴거한다. 이 리무버헤드(93)의 유리기판(G)에서 이간은, 상기한 바와 같이, 도 11로 나타내는 에어 실린더(30)등에 의해 행할 수 있다.

다음에, 히터(75)가 유리기판(G)의 위쪽으로부터 모터(72)에 의해서 하강하여, 유리기판(G)에 가까이 간다. 그리고, 도17에 도시한 바와 같이, 히터(75)로부터 온풍 또는 열풍이 분출되어, 유리기판(G)의 둘레가장자리부를 덮는 어드히젼처리에 의한 처리막을 가열한다.

다음에, 처리막(80)이 충분히 가열되면, 히터(75)는 모터(72)에 의해서 상승하여, 유리기판(G)으로부터 멀어진다. 그리고, 다시 리무버헤드(93)가 유리기판 (G) 둘레가장자리부의 소정의 위치까지 접근하여, 광파이버(81)로부터 사출되는 자외선에 의해서 가열된 처리막(80)의 제거가 행하여진다.

이와 같이, 자외선조사를 하기 전에 미리 처리막(80)을 가열함으로써, 자외선 조사에 의한 처리막(80)의 박리작용을 촉진시킬 수 있다.

도 18은 광파이버 일부분의 다른 실시형태를 나타낸다. 예를 들면 원통부재 (82)에는, 다수의 광파이버가 묶여 설치되어 있고, 이 원통부재(82)의 투광면에는, 광파이버의 사출용의 창문부(82a)가 형성되고 있다. 이 창문부(82a)의 한변은 유리기판(G) 둘레가장자리부의 레지스트막이 제거되고, 처리막이 노출한 파선으로 나타내는 영역(39)의 폭과 동일 또는 이것 이하인 직사각형으로 형성되어 있다. 이러한 창문부(82a)의 형상에 의해, 예를 들면, 리무버헤드에 의한 기판둘레가장자리부의 1왕로의 이동만에 의해, 어드히젼처리에 의한 처리막이 노출한 영역(39)을 효율 좋게 제거할 수 있다. 이에 따라 처리시간도 저감하여 스루풋의 향상을 꾀할 수 있다.

도 19에서는, 광파이퍼(81)가 리무버헤드(93)의 하부헤드구성재(93b)에 부착되어 있고, 그 투광면(81a)을 상부헤드구성재(93a)에 향하고 배치되어 있다. 이경우, 기판(G)은 유리기판이기 때문에, 이 광파이버(81)에 의해, 유리기판(G)의 이면(Ga) 측에서 자외선을 투과시켜, 기판(G)의 표면에 형성된 처리막(80)에 조사할 수 있다. 이것에 의해, 예를 들면, 처리막(80)에 자외선을 조사시키었을 때에 발생하는 가스가 광파이버(81)의 투광면(81a)를 백탁시키는 것 등의 악영향을 방지할 수 있다.

본 발명은 이상 설명한 실시형태에는 한정되는 것이 아니라 여러가지의 변형이 가능하다.

예를 들면, 상기 각 실시형태에 있어서, 어드히젼처리에 의한 처리막을 제거하는 수단과 하여 광파이버(81)를 예로서 올려 왔지만, 예를 들면, 해당 처리막에 오존수를 공급함으로써 이들을 제거할 수도 있다.

또한, 상기 도 15∼도 17에 있어서 처리막을 가열하는 수단으로서 온풍 또는 열풍을 사용하는 것으로 하였지만, 이것에 한정되는 일없이 예를 들면 적외선등에 의해서 가열하더라도 좋다.

또한, 처리막(80)을 제거하기 위한 광파이버(81)의 이동은 기판(G)의 한변의 왕복은 아니고, 1왕로의 이동만 이더라도 좋다. 또한, 레지스트막을 제거하기 위한 리무버헤드(93)의 이동회수가 미리 정해지고 있는 것이면, 광파이버(81)를 용제노즐(95)에 대하여, 리무버헤드(93)가 레지스트막제거를 위해 최후에 이동하는 진행방향의 후방측에 배치하여, 리무버헤드(93)가 해당 최후에 이동할 때에 동시에 광파이버(81)에 자외선을 조사하도록 하더라도 좋다. 이것에 의해, 더욱 처리시간을 저감하여 스루풋를 향상시킬 수 있다.

상기의 각 실시형태에 있어서, 광파이버(81)의 빛의 파장은 250 nm보다 큰 것인 것이 바람직하다. 파장이 250 nm보다 크게 함으로써, 레지스트가 노광되어 버리는 것을 방지할 수 있다.

상기의 실시형태에서는, 레지스트막(70)을 제거할 때 및 처리막(80)을 제거할 때의 양자로 흡인구(92)부터의 배출을 하였다. 그러나 처리막(80)을 제거할 때만 배기를 하여 발생하는 HMDS 가스만을 배기하도록 해도 좋다.

또한, 레지스트막(70)을 제거할 때 및 처리막(80)을 제거할 때의 양자로 흡인구(92)로부터의 배출을 하는 경우에, 처리막(80)을 제거하는 시에 있어서의 가스의 배기량을 레지스트막(70)을 제거할 때보다 증가시킬 수도 있다.

상기 각 실시형태에 있어서, 처리공간(S)에서 광파이버(81)의 도시하지 않은 렌즈부부근을 양압으로 하여 처리막(80)을 제거하는 시에 발생하는 가스를 회수하는 회수부를 흡인구(92)에 덧붙여 설치하도록 해도 좋다. 이 경우, 회수부를 해당 렌즈의 근방에 설치하면 좋다.

도 20, 도 21에 더욱 별도의 실시형태에 관한 리무버헤드를 나타낸다.

도 20에 나타내는 리무버헤드(93)에는 광파이버(81)가 복수 부착되어 있다. 본 실시형태에서는 예를 들면 3개의 광파이버(81)가 도면 중 X방향과 Y방향과의 사이의 경사 방향으로 배열설치되어 있지만, X방향에 배열설치하도록 해도 좋다. 부호95는 용제노즐이다. 이와 같은 구성에 의해, 리무버헤드(93)의 1왕로의 이동에 의해서, 처리막(80)이 노출한 부분전체가 복수의 광파이버(81)부터의 빛을 받는다. 이것에 의해 확실히 처리막(80)를 제거할 수가 있음과 동시에 스루풋을 향상시킬수 있다.

도 21에 나타내는 리무버헤드(93)에 있어서의 상부헤드구성부재(93a)와 하부헤드구성부재(93b)에 각각 용제노즐(95)이 부착되어 있다. 이와 같이 기판(G)을 사이에 두도록 용제노즐(95)을 부착함으로써, 기판(G)의 표면측 뿐만 아니라 이면측에 돌아 들어가서 부착한 레지스트막(70)을 제거할 수 있다. 이 실시형태에서는 용제노즐(95)을 2개, 더욱 그것보다 많이 유지부재(93)에 부착하도록 해도 좋다. 또한, 기판이면측의 제거해야 할 레지스트막은 표면측에 비교하여 적기 때문에, 상부헤드구성부재(93a)에 부착되는 광파이버(81)의 수보다, 하부헤드구성부재(93b)에 부착하는 수를 적게 해도 좋다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 노광장치의 노광렌즈나 미러등의 기기를 백탁시키는 것을 방지할 수 있는 등, 노광장치에 대한 악영향을 방지할 수 있다.

Claims

처리막과 이 처리막상에 도포된 도포막이 형성된 기판의 기판둘레가장자리부에 용제를 토출하여, 해당 둘레가장자리부의 도포막을 제거하는 도포막 제거수단과,

상기 도포막이 제거된 기판둘레가장자리부에 노출한 상기 처리막을 제거하는 처리막제거수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 처리막은 어드히젼처리에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 처리막제거수단은 상기 노출한 처리막에 상기 도포막을 노광하기 위한 노광광의 파장성분을 포함하는 빛을 조사하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 3 항에 있어서, 상기 도포막제거수단은 상기 용제를 토출하는 용제노즐을 유지한 유지부재와, 상기 유지부재를 기판의 둘레가장자리부에 따라 이동시키는 둘레가장자리이동기구를 구비하고,

상기 유지부재를 상기 둘레가장자리이동기구에 의해 이동시키면서 상기 용제를 토출하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 4 항에 있어서, 상기 유지부재에 상기 용제노즐과 일체적으로 부착되고, 상기 빛을 조사하는 광파이버를 구비하고,

상기 처리막제거수단은 상기 유지부재를 상기 둘레가장자리이동기구에 의해 이동시키면서 빛을 조사하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 5 항에 있어서, 상기 광파이버와 용제노즐이 상기 유지부재의 이동방향과 거의 평행하게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 6 항에 있어서, 상기 유지부재를 상기 이동방향과 직교하는 방향에 이동시키는 직교방향이동기구와,

상기 둘레가장자리부의 도포막을 제거한 후에, 상기 직교방향기구에 의해 상기 유지부재를 이동시켜, 해당 둘레가장자리부의 처리막을 제거하는 수단을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 5 항에 있어서, 상기 광파이버가 상기 용제노즐보다도 기판의 외측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 8 항에 있어서, 상기 유지부재를 상기 이동방향과 직교하는 방향으로 이동시키는 직교방향이동기구를 더욱 구비하고,

상기 유지부재를 상기 둘레가장자리이동기구 및 직교방향이동기구에 의해서 교대로 이동시키면서, 상기 둘레가장자리부의 도포막을 제거함과 동시에, 순차 노출되어 가는 처리막을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 5 항에 있어서, 상기 광파이버의 투광면에 향하여 세정액을 분출하는 세정노즐을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 10 항에 있어서, 상기 세정노즐은 상기 유지부재에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 5 항에 있어서, 상기 처리막을 제거할 때에 해당 처리막으로부터 발생하는 가스를 배기하는 수단을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 12 항에 있어서, 상기 배기수단은 상기 세정노즐에 의해 세정한 후의 광파이버의 투광면을 건조시키는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 5 항에 있어서, 상기 광파이버의 투광면은 한변이, 거의 상기 노출한 처리막의 폭과 같은 길이를 가지는 직사각형으로 되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 5 항에 있어서, 상기 광파이버에 의한 빛의 조사는 상기 도포막이 도포된 기판면의 이면측으로부터 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 기판둘레가장자리부의 처리막을 가열하는 수단을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 1 항에 있어서, 상기 처리막제거수단은 상기 노출한 처리막에, 오존수를 공급하는 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 5 항에 있어서, 상기 광파이버는 둘레가장자리이동기구에 의한 상기 유지부재의 이동방향과는 다른 방향으로 복수 배열설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
제 5 항에 있어서, 2이상의 상기 용제노즐로 기판을 사이에 두도록 상기 유지부재에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
처리막과 이 처리막상에 도포된 도포막이 형성된 기판의 기판둘레가장자리부에 용제를 토출하여, 해당 둘레가장자리부의 도포막을 제거하는 공정과,

상기 도포막이 제거된 기판둘레가장자리부에 노출한 상기 처리막을 제거하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
제 20 항에 있어서, 상기 처리막은 어드히젼처리에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
제 20 항에 있어서, 상기 처리막의 제거공정은 기판의 노광처리전에 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
제 20 항에 있어서, 상기 처리막의 제거공정은 상기 노출한 처리막에, 상기 노광처리에 있어서의 노광광의 파장성분을 포함하는 빛을 조사하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
제 20 항에 있어서, 상기 처리막을 제거할 때에 해당 처리막으로부터 발생하는 가스를 배기하는 공정을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.