JP2018515932A - ロードロックチャンバ、ロードロックチャンバを有する真空処理システム及びロードロックチャンバを排気する方法 - Google Patents

Abstract

真空処理システム（５００）のためのロードロックチャンバ（１００）が説明されている。ロードロックチャンバはロードロックチャンバ空間を取り囲むロードロック壁を含み、ロードロック壁は第１のロードロック壁（１０１）及び第２のロードロック壁（１０２）を含み、第２のロードロック壁（１０２）は第１のロードロック壁（１０１）と向かい合うように配置されている。ロードロックチャンバは更に、ロードロックチャンバ（１００）を排気するための少なくとも１つの第１の真空吸引アウトレット（１１０）及び少なくとも１つの第２の真空吸引アウトレット（１１１）を含み、少なくとも１つの第１の真空吸引アウトレット（１１０）は第１のロードロック壁（１０１）に配置され、少なくとも１つの第２の真空吸引アウトレット（１１１）は第２のロードロック壁（１０２）に配置される。更に、ロードロックチャンバを排気するための真空処理システム及び方法が説明されている。【選択図】図３ｂ

Description

［０００１］ 本発明の実施形態は、ロードロックチャンバ、ロードロックチャンバを有する真空処理システム及びロードロックチャンバを排気する方法に関する。本発明の実施形態は特に、真空吸引アウトレットを有するロードロックチャンバ、基板処理のための真空処理システム、及びロードロックチャンバを排気して真空にする方法に関する。

［０００２］ 基板は多くの場合、例えば、真空処理システム又は真空コーティング設備において５×１０^−４ｈＰａから０．５ｈＰａの範囲内の圧力の高真空条件下でコーティングされる。設備の生産性を高め、各基板に対して装置全体を排気しなければならない状況を回避するため、特に高真空区域、ロードロック及びアンロードロック（又は入口チャンバ及び出口チャンバ）が基板に対して使用される。

［０００３］ 材料の流動速度を改善し、現在のインラインコーティングプラントにおける生産性を高めるために別個のロードロックチャンバ及びアンロードロックチャンバが使用されている。単純な構造のいわゆる３チャンバコーティングユニットは、基板が大気圧から一連の真空コーティングセクション（一又は複数の処理チャンバ）の適切な過渡圧力（例えば、ｐ＝１＊１０^−３ｈＰａからｐ＝１．０ｈＰａの間）にポンピングされるロードロックと、通気によって当該基板が再び大気圧レベルに調節されるアンロードロックとからなる。幾つかのシステムでは、ロードロック及びアンロードロックは同一のロードロックチャンバによって提供される。

［０００４］ ロードロックチャンバ及びアンロードロックチャンバの役割は、処理範囲が充分低い過渡圧力になるまで、可能な限り迅速に充分に排気し、また、再び大気圧に戻るまで、可能な限り迅速に通気することである。基板がロードロックチャンバからアンロードされた後、ロードロックチャンバは再び排気される。

［０００５］ 近年では、真空処理の間に汚染も同時に低減させたいという要望が高まっている。例えば、ディスプレイを生産する際に、粒子による汚染に対する許容度は低くなっており、品質基準、さらに顧客期待品質は高まっている。汚染は例えば、処理システムのチャンバが適切に排気され真空になっていない場合、搬送システム又は処理システムの構成要素がプロセスの間に粒子を生成させた場合、処理対象の基板が、排気された処理システムの中へ粒子を持ち込む場合、などに発生しうる。このように、操作中の堆積システムにおいては、製品の品質に影響を及ぼす複数の潜在的な汚染粒子源が存在する可能性がある。構成要素の洗浄及び交換、並びに処理システム内の連続真空ポンピングは、製品の汚染リスクを減少させる１つの方法である。しかしながら、上述のように、この処理は、可能な限り迅速に、且つ最も効率的な方法で行われなければならない。洗浄及び交換の手続きは、メンテナンスに時間がかかるため、生産時間に当てることはできない。

［０００６］ 以上のことを考慮して、本書に記載の実施形態の目的は、当該技術分野の課題のうちの少なくとも幾つかの課題を克服する、ロードロックチャンバ、真空処理システム、及びロードロックチャンバを排気する方法を提供することである。

［０００７］ 上記に照らして、ロードロックチャンバ、真空処理システム、及び独立請求項によるロードロックチャンバの排気方法が提供される。更なる態様、利点及び特徴は、従属請求項、明細書、及び添付図面から明らかである。

［０００８］ 一実施形態によれば、真空処理システムのためのロードロックチャンバが提供される。ロードロックチャンバは、ロードロックチャンバの空間を取り囲むロードロック壁を含む。ロードロック壁は第１のロードロック壁と第２のロードロック壁を含み、第２のロードロック壁は第１のロードロック壁と向かい合うように配置される。ロードロックチャンバは更に、ロードロックチャンバを排気するための第１の真空吸引アウトレット及び第２の真空吸引アウトレットのうちの少なくとも１つを含む。少なくとも１つの第１の真空吸引アウトレットは第１のロードロック壁に配置され、少なくとも１つの第２の真空吸引アウトレットは第２のロードロック壁に配置される。

［０００９］ 一実施形態によれば、真空処理システムのためのロードロックチャンバが提供される。ロードロックチャンバは基板を運ぶためのキャリアを含み、当該キャリアは基板の基板前面と同じ方向に面しているキャリア前面を含む。基板の基板前面は、真空処理システムの真空処理で取り扱われる面である。キャリアは更に、基板の基板背面側にキャリア背面を含む。ロードロックチャンバは更に、キャリアのキャリア前面に面しているロードロック前壁、及び、キャリアのキャリア背面に面しているロードロック後壁、及び、ロードロック後壁の２つの真空吸引アウトレットを含む。

［００１０］ 更なる実施形態によれば、基板を処理するための真空処理システムが提供される。真空処理システムは、基板を処理するように適合されている真空処理チャンバ、及び基板を大気条件から真空条件へと搬送するように構成されている、本書に記載の実施形態によるロードロックチャンバを含む。

［００１１］ 更なる実施形態によれば、基板を処理するための真空処理システムが提供される。真空処理システムは、基板の処理に適合された真空処理チャンバを含む。真空処理チャンバは処理領域に面した処理ツールを有し、処理領域は真空処理システムの第１の面上にある。真空処理システムは更に、基板を大気条件から真空処理システムへ搬送するように構成されたロードロックチャンバを含む。ロードロックチャンバは、真空処理システムの第１の面上のロードロック前壁、及び、真空処理システムの第１の面と向かい合うように配置された真空処理システムの第２の面に面するロードロック後壁を含む。ロードロックチャンバは更に、ロードロック後壁に、第１の真空吸引アウトレット及び第２の真空吸引アウトレットを含む。

［００１２］ 更なる実施形態によれば、真空処理システムのためのロードロックチャンバを排気する方法が提供される。本方法は、基板をロードロックチャンバに挿入するための第１の真空密封バルブを開放すること、少なくとも１つの基板をロードロックチャンバへ挿入すること、第１の真空密封バルブを閉鎖すること、並びに、互いに向かい合うように配置されたロードロックチャンバの少なくとも２つのロードロック壁から吸引を行って、或いはロードロック後壁の２つの真空吸引アウトレットから吸引を行って、ロードロックチャンバを０．０５ｍｂａｒから１ｍｂａｒの間の圧力まで排気すること、を含む。

［００１３］ 実施形態は、開示されている方法を実施するための装置も対象としており、説明されている各方法の特徴を実行するための装置部分を含む。これらの方法の特徴は、ハードウェア構成要素を用いて、適切なソフトウェアによってプログラミングされたコンピュータを用いて、この２つの任意の組合せによって、又は、それ以外の任意の方法で実施されうる。更に、実施形態は、記載された装置を操作する方法も対象とする。これは、装置のあらゆる機能を実行するための方法の特徴を含む。

［００１４］ 本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、上で簡単に概説した本開示のより具体的な説明を得ることができる。添付の図面は実施形態に関連し、以下の記述において説明される。

本書に記載の実施形態による、ロードロックチャンバ及び真空処理チャンバを示す。 本書に記載の実施形態による、ロードロック壁を有するロードロックチャンバの概略斜視図を示す。 本書に記載の実施形態による、ロードロックチャンバの水平方向からの概略図を示す。 本書に記載の実施形態による、ロードロックチャンバの水平方向からの概略図を示す。 本書に記載の実施形態による、ロードロックチャンバの水平方向からの概略図を示す。 本書に記載の実施形態による、ロードロックチャンバの水平方向からの概略図を示す。 本書に記載の実施形態による、ロードロックチャンバの水平方向からの概略図を示す。 本書に記載の実施形態による、ロードロックチャンバの水平方向からの概略図を示す。 本書に記載の実施形態による、ロードロックチャンバの垂直方向からの概略断面図を示す。 本書に記載の実施形態による、ロードロックチャンバの垂直方向からの概略断面図を示す。 本書に記載の実施形態による、基板を運ぶキャリアの前面斜視図を示す。 本書に記載の実施形態による、基板を運ぶキャリアの背面斜視図を示す。 本書に記載の実施形態による、ロードロックチャンバを有する真空処理システムを示す。 本書に記載の実施形態による、ロードロックチャンバを排気する方法のフロー図である。

［００１５］ これより、様々な実施形態が詳細に参照され、それらの１つ又は複数の例が図に示される。図面に関する以下の説明の中で、同じ参照番号は、同じ構成要素を表している。概して、個々の実施形態に関して相違のみが説明される。各例は単なる説明として提示されており、限定を意味するものではない。さらに、一実施形態の一部として図示且つ説明される特徴は、他の実施形態で用いてもよく、或いは他の実施形態と併用してもよい。それにより、さらに別の実施形態が生み出される。本記載には、このような修正例及び変形例が含まれることが意図されている。

［００１６］ 更に、以下の記載では、ロードロックチャンバは、真空処理システムのためのチャンバとして理解されうる。本書に記載の実施形態によれば、ロードロックチャンバは、大気条件から低圧力又は真空への移行チャンバを設けてもよい。例えば、本書に記載の実施形態によるロードロックチャンバは、大気条件内で供給されている基板を受け入れるための基板入口、及び処理チャンバなどの真空チャンバに接続されるように適合されている基板出口を有しうる。本書に記載の実施形態によるロードロックチャンバは、真空になるまで排気可能であってもよく、真空吸引アウトレット、真空ポンピングアウトレット又は真空ポートなどの機器を含むことができ、これらは真空ポンプに接続可能であってもよい。更に、本書に記載された実施形態によるロードロックチャンバは、ロードロックチャンバ及び／又は真空チャンバ（例えば、真空処理チャンバ）の中で基板を搬送するための基板搬送システムを有してもよい。幾つかの実施形態では、ロードロックチャンバは、ロードロックチャンバ内で、及び／又はロードロックチャンバを通って基板を運ぶためのキャリアを含みうる。ロードロックチャンバは、基板入口及び基板出口に真空密封バルブを有してもよい。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、真空密封バルブは、ゲートバルブ、スリットバルブ、及びスロットバルブからなるグループから提供されうる。

［００１７］ 図１は、本書に記載の実施形態の可能な応用分野の例を示すため、処理ツール又は処理機器７１０によって処理チャンバ７００に接続されるロードロックチャンバ１００の実施形態を示している。処理機器は、例えば、堆積源を含みうる。図１で示された実施形態では、基板は、ロードロックチャンバ及び処理チャンバの中で基本的に垂直に配向されている。垂直に配向された基板は、数度の傾斜で安定した搬送を可能にするため、ロードロックチャンバ内で垂直配向（すなわち、９０°）から幾らかの偏差を有してもよく、すなわち、基板は、±２０°以下（例えば±１０°以下）の、垂直配向からの偏差を有してもよいことを理解されたい。

［００１８］ 図に示した実施形態は実質的に垂直に配向された基板について言及しているが、本書に記載の実施形態は、垂直に、或いは実質的に垂直に配置された基板用のロードロックチャンバ及び真空処理システムにも適用されうることを理解されたい。

［００１９］ 本書で使用される「実質的に」又は「本質的に」という表現は、「実質的に」で示される特性から何らかの偏差がありうることを意味してもよい。例えば、「実質的に水平な」という表現は、正確な水平方向から偏ることがありうること、例えば、約１°から約１０°の偏差をあることを意味する。幾つかの実施形態によれば、「実質的に」という表現は、値又は値の範囲が値から１５％までの偏差を含みうる。

［００２０］ 図１では、ロードロックチャンバはスルース（ｓｌｕｉｃｅ）４００を経由して処理チャンバに接続されている。ロードロックチャンバ１００が適切な圧力レベル（真空圧レベルなど）まで排気された後、基板３００はスルース４００を通って搬送されうる。幾つかの実施形態では、ロードロックチャンバ１００は、処理チャンバ７００から基板と取り出すためのアンロードチャンバとしても使用されうる。例えば、ロードロックチャンバ１００は、図９に関して詳細に説明されるように、処理チャンバ７００との間で双方向に基板を搬送するため２つの軌道を有してもよい。アンロードロックチャンバとして使用されるロードロックチャンバ１００は、ロードロックチャンバの圧力レベルを大気圧条件に戻すように通気されてもよい。

［００２１］ 幾つかの実施形態によれば、ロードロックチャンバ及び処理チャンバは、図１に例示的に示したように、互いに直接接続されてもよい。幾つかの実施形態では、バッファチャンバは、図９に関して詳細に説明されるように、ロードロックチャンバと処理チャンバとの間に提供されてもよい。

［００２２］ 幾つかの実施形態により、真空処理システムのためのロードロックチャンバが説明される。ロードロックチャンバは、ロードロックチャンバの空間を取り囲むロードロック壁を含む。ロードロック壁は第１のロードロック壁と第２のロードロック壁を含み、第２のロードロック壁は第１のロードロック壁と向かい合うように配置される。ロードロックチャンバは更に、ロードロックチャンバを排気するための第１の真空吸引アウトレット及び第２の真空吸引アウトレットのうちの少なくとも１つを含む。少なくとも１つの第１の真空吸引アウトレットは第１のロードロック壁に配置され、少なくとも１つの第２の真空吸引アウトレットは第２のロードロック壁に配置される。

［００２３］ 上述のように、ロードロックチャンバ内の圧力は一般的に、大気圧と真空条件との間で周期的に変化する。既知のシステムでは、真空生成のためのポンピングポートは、ロードロックチャンバの底部に配置され、チャンバの上部からチャンバの底部へ向かう方向（トップダウン方向）のポンピングフローを引き起こす。本書に記載の実施形態に従い、ロードロックチャンバの反対側に真空吸引アウトレット（又は、真空ポンピングアウトレット、真空ポンピングポート）を有するロードロックチャンバ内では、ポンピングフローはトップダウン方向から内外方向に、また、前面から背面に変更されうる。本書に記載の実施形態による、ロードロックチャンバ排気中の粒子の流れは一般的に、汚染又は汚染領域（キャリアフレーム、グラスホルダー又はチャンバ壁など）から移される。基板の中心から離れるようにポンピングフローを変えることによって、処理対象の基板の付加的な粒子汚染を避けることができる。本書に記載の実施形態による真空吸引アウトレット又はポンピングポートの配置は、ポンピング中のガス流が常に基板の中心から離れるように誘導されることを保証する。粒子汚染の可能性が基板から外へ移ることはない。

［００２４］ 図２に、ロードロックチャンバ１００の概略斜視図を示す。図２に示したロードロックチャンバ１００は、本書に記載の実施形態によるロードロックチャンバとの接続に使用される幾何学的な用語を説明するため、大幅に単純化されている。図２に示したロードロックチャンバ１００は立方体に単純化されている。しかしながら、当業者であれば、本書に記載の実施形態により、ロードロックチャンバが異なる（特に、立方体ではない）形状に成形されうること、また、形状がロードロックチャンバの機能に適している限り他の形状も可能であることが理解されうる。

［００２５］ 図２に示したロードロックチャンバ１００は、第１のロードロック壁１０１及び第２のロードロック壁１０２を含み、これらは互いに向かい合うように配置される。幾つかの実施形態によれば、互いに対して実質的に向かい合うように配置される壁は、ロードロックチャンバの空間に関して互いに向かい合っていると理解されてもよい。例えば、互いに向かい合うように配置される壁は、ロードロックチャンバ空間の向かい合う面に配置されうる。一実施例では、互いに向かい合うように配置される壁は、ロードロックチャンバの軸上に配置されてもよい（例えば、ロードロックチャンバの高さ軸１０７上で向かい合っている壁１０１及び１０２、或いはロードロックチャンバの縦軸１０８上で向かい合っている壁１０３及び１０４を参照）。当業者であれば、２つの向かい合う壁が、各壁の厳密に平行な配置からある程度偏ってもよいことを理解されたい。ロードロックチャンバ空間は、ロードロック壁によって囲まれた空間として説明されうる。一実施例では、ロードロック空間は排気される空間、例えば、真空吸引アウトレットによって排気可能な空間として理解されうる。

［００２６］ 図２からわかるように、ロードロックチャンバ１００は更に、互いに向かい合うように配置される壁１０３及び１０４を含む。壁１０３は、向かい合うロードロック壁１０１及び１０２をリンクする第１のリンキングロードロック壁と称されることがある。壁１０４は、向かい合うロードロック壁１０１及び１０２をリンクし、第１のリンキングロードロック壁１０３と向かい合うように配置される、第２のリンキングロードロック壁と称されることがある。ロードロックチャンバは更に、ロードロック前壁１０５及びロードロック後壁１０６とも説明される壁１０５及び１０６を含みうる。「ロードロック前壁」及び「ロードロック後壁」という用語は以下でより詳細に説明される。

［００２７］ 図３ａは、本書に記載の実施形態によるロードロックチャンバ１００の例を示す。図３ａは、ロードロックチャンバに向かって水平方向から見た図を示す。図３ａのロードロックチャンバは、垂直方向の断面図で示されている。ロードロックチャンバ１００はロードロック壁１０１、１０２、１０３、及び１０４を含み、壁１０１及び１０２は向かい合う壁で、壁１０３及び１０４は互いに向かい合うように配置されている。図３ａは、第１のロードロック壁１０１に配置される第１の真空吸引アウトレット１１０、及び第２のロードロック壁１０２に配置される第２の真空吸引アウトレット１１１を示している。

［００２８］ 真空吸引アウトレット、又は真空ポンピングアウトレットは、本書で使用されているように、ロードロックチャンバの排気を支援するロードロックチャンバの出口として理解されうる。特に、真空吸引アウトレットは、ロードロックチャンバ内の空気又はガスに加えられる吸引力が経由する出口であってよい。幾つかの実施形態では、真空吸引アウトレットはロードロック壁の開口部を含む。幾つかの実施形態によれば、真空吸引アウトレットはロードロックチャンバの外まで通じていてもよい。幾つかの実施例では、真空吸引アウトレットは、（ロードロック壁の一部としてロードロック壁内、又はチャンバ壁外に配置された）ロードロックチャンバの一部とみなされるチャネル、導管、通路、パイプ、又はコレクタパイプに通じていてもよい。真空吸引アウトレットは、真空ポンプ、粒子ポンプ、粒子トラップ、又はロードロックチャンバの排気に適した他のデバイスに接続されるように構成された真空ポンピングポートを含みうる。

［００２９］ 図３ａに示したロードロックチャンバ１００の実施例はまた、エッジが点線で示されている基板３００を運ぶことができるキャリア１２０を示している。例えば、キャリア１２０は基板を保持するためのフレーム及びクランプを含みうる。静電キャリア、接着によって基板を運ぶキャリアなど、キャリアの他の実装も可能である。

［００３０］ 本書に記載の実施形態によれば、真空吸引アウトレットの向かい合う配置は、基板（又は、特に基板の中心）から離れる吸引フローの誘導に役立つ。実施例に示した配置はまた、処理前の基板の（粒子）汚染の低減に役立つ。

［００３１］ 幾つかの実施形態では、ロードロックチャンバは、排気中に基板が（特に基板搬送方向に）保持される基板保持位置１１６を画定する。幾つかの実施形態によれば、基板保持位置は基板の中心点に実質的に対応しうる（一方、基板はロードロックチャンバ内に停止されている）。一実施例として、図３ａに示した真空吸引アウトレットは、基板保持位置の近くに配置されている。一般的に、ロードロックチャンバの排気中の基板の保持位置は、ロードロックチャンバの排気プロセスが始まるとき、基板が停止する位置、又は基板キャリアが停止（及び／又はその場で固定）される位置として認識されうる。幾つかの実施例では、保持位置は、排気中に基板を立てて運ぶことができる位置にキャリアを固定することを可能にしうる。

［００３２］ 図３ａの垂直に配置された基板の実施例は、（例えば、基板が基板保持位置にあるとき）ロードロックチャンバ内で基板の実質的に半分の高さを通る、実質的な水平線を示している。本書に記載の幾つかの実施形態によれば、ロードロックチャンバのライン１１７よりも上方の半分は真空吸引アウトレット１１０によって吸引され、ロードロックチャンバのライン１１７よりも下方の半分は真空吸引アウトレット１１１によって吸引される。吸引された空気又はガスの流れは、この実施例では、基板の中心から離れるように誘導される。例えば、実質的に水平なラインは（事実上の）中立ラインとして記述されうる。

［００３３］ 図３ｂは、本書に記載の実施形態により、ロードロックチャンバに向かって水平方向から見た図を示している。図３ｂのロードロックチャンバは、垂直方向の断面図で示されている。図３ｂは、第１のロードロック壁１０１に２つの第１の真空吸引アウトレット１１０、並びに、第２のロードロック壁１０２に２つの第２の真空吸引アウトレット１１１を有するロードロックチャンバ１００の実施形態を示している。図３ｂの実施例は、真空吸引アウトレット１１０及び１１１が、それぞれ壁１０３及び１０４に向かって、ロードロックチャンバの側面に配置可能であることを示している。図３ａは、基板の保持位置又は中心位置にほぼ配置される真空吸引アウトレットの配置を示し、これは、幾つかの実施形態では、（垂直に配置された基板の場合）水平方向の基板の中心位置に対応しうる。幾つかの実施形態によれば、基板の中心位置は、ロードロックチャンバの排気時の搬送方向での基板の中心と理解されうる。

［００３４］ ロードロック壁１０１及び１０２の中心でない位置、又は脇位置、又はエッジ位置に配置された真空吸引アウトレット１１０及び１１１を有する、図３ｂに示した実施例は、ロードロックチャンバの排気中に、フローが基板から、特に基板の中心から離れるように誘導する効果を更に高める。例えば、真空吸引アウトレット１１０及び１１１は、ロードロックチャンバの排気中に、フローが基板の中心位置から離れるように配置されうる。

［００３５］ 図３ｃは、本書に記載の実施形態により、ロードロックチャンバに向かって水平方向から見た図を示している。図３ｃのロードロックチャンバは、垂直方向の断面図で示されている。図３ｃは、第１のリンキングロードロック壁１０３に２つの第１の真空吸引アウトレット１１０、並びに、第２のリンキングロードロック壁１０４に２つの第２の真空吸引アウトレット１１１を有するロードロックチャンバ１００の実施形態を示している。図３ｃの実施例は、真空吸引アウトレット１１０及び１１１が、それぞれ壁１０１及び１０２に向かって、ロードロックチャンバの上部及び底部に向かって配置可能であることを示している。本書に記載の実施形態によれば、真空吸引アウトレットの配置は、吸引したガス又は空気の流れを基板の中心から離れるように誘導するのに役立ちうる。

［００３６］ また、図３ｃでは、ロードロックチャンバ内で、基板保持位置を画定しうる垂直ライン１１６、及び基板の水平中心ラインを画定しうる水平ライン１１７が示されている。図３ｃに示した実施形態では、ライン１１６の右側でロードロックチャンバの右半分は真空吸引アウトレット１１０によって吸引され、ライン１１６の左側でロードロックチャンバの左半分は真空吸引アウトレット１１１によって吸引される。吸引された空気又はガスの流れは、この実施例では、基板の垂直中心から離れるように誘導される。例えば、実質的に垂直なラインは（事実上の）中立ラインとして記述されうる。当業者であれば、「上方の」「下方の」「左の」「右の」という記述は、示された図の投影面について例示的に言及しているものであり、チャンバ及びチャンバ内の基板の配向に依存しうることを理解されたい。

［００３７］ 図４ａは、本書に記載の実施形態によるロードロックチャンバの実施例を示している。図４ａは、ロードロックチャンバに向かって水平方向から見た図を示す。図４ａのロードロックチャンバは、垂直方向の断面図で示されている。ロードロックチャンバ１００は、ロードロック壁１０１、１０２、１０３及び１０４を含む。図４ａのロードロックチャンバ１００は、ロードロックチャンバの３つのロードロック壁１０２、１０３及び１０４に、真空吸引アウトレット１１２、１１３及び１１１を提供する。真空吸引アウトレット１１２及び１１３を提供するロードロック壁１０３及び１０４は、互いに向かい合うように配置されたロードロック壁である。図４ａからわかるように、ロードロック壁１０３及びロードロック壁１０４は、真空吸引アウトレット１１２及び１１３から、真空ポンプに接続されうるポンピングポートまで吸引した空気を誘導するためのチャネル１３０及び１３２を提供する。図４ａでは、真空吸引アウトレット１１１は、真空ポンプに接続可能な真空ポンピングポートを含むように、或いは接続されるように構成されうる。図４ａに示した矢印は、ロードロックチャンバ空間から吸引されたストリームの概略的な方向を示している。真空吸引アウトレット１１１、１１２及び１１３の配置により、上記で説明したように、基板から離れるように、或いは基板の中心から離れるように、ガス又は空気の流れを誘導することができる。幾つかの実施形態によれば、図４ａに示した配置は、真空吸引アウトレットのＵ字形配置として説明されうる。

［００３８］ 図４ｂは、矢印で示されているように、真空吸引アウトレット１１１を経由して真空ポンプまで更に吸引されるよう、チャネル１３０及び１３１を介してロードロックチャンバに空気又はガスを誘導する、真空吸引アウトレット１１０を有するロードロックチャンバ１００の配置を示す。当業者であれば、真空吸引アウトレット１１１（又は、例えば真空ポンプに接続可能な真空ポンピングポート）が、上面の第１の壁１０１、又は第１のリンキング壁１０３及び第２のリンキング壁１０４など、ロードロックチャンバの別の面に配置可能であると理解されたい。ロードロックチャンバの残りの壁には、吸引した空気又はガスを誘導するためのチャネルが備わっていてもよい。

［００３９］ 図５は、ロードロックチャンバに向かって水平方向から見た図を示す。図５のロードロックチャンバは、垂直方向の断面図で示されている。図５は、４つのロードロック壁１０１、１０２、１０３及び１０４に真空ポンピングポートを備えるロードロックチャンバ１００の実施形態を示す。図５のロードロックチャンバ１００はまた、ロードロックチャンバ空間から吸引されたガス又は空気が真空吸引アウトレット１１２及び１１３から誘導されるチャネル１３０及び１３１を備える。チャネル１３０及び１３１は、真空ポンピングポートを含む、又は真空ポンピングポートに接続されるように構成された真空吸引アウトレットに、吸引したガス又は空気を誘導する。

［００４０］ 図５に示した実施例では、チャネル１３０及び１３１は共に真空吸引アウトレット１１１に通じている。当業者であれば、別の実施形態では、チャネルは真空吸引アウトレット１１０に接続されうる（或いは、流体連通に有効となりうる）ことを理解されたい。幾つかの実施形態では、チャネルは共に、ロードロック壁１０１及び１０２において、真空吸引アウトレット１１０及び１１１との流体連通に有効となりうる。別の実施形態では、各チャネル１３０、１３１はそれぞれ、ロードロック壁の１つの真空吸引アウトレットとの流体連通に有効となりうる。幾つかの実施形態では、図５に示した配置は、真空吸引アウトレットのＯ字形配置として説明されうる。

［００４１］ 本書に記載の他の実施形態と結合されうる、幾つかの実施形態によれば、各ロードロック壁の真空吸引アウトレットの数は２以上で、例えば、４、５又はよりも大きい８や１０であってもよい。幾つかの実施形態では、ロードロック壁には真空吸引アウトレットとして動作する複数の開口部が備えられてもよい。例えば、ロードロック壁は、特にロードロック壁の全領域にわたって、一種のシャワーとして、或いは真空吸引アウトレットとして動作する複数の開口部を提供する焼結材料として、提供されうる。幾つかの実施形態によれば、真空吸引アウトレットとして動作する複数の開口部は、開口部を通って吸引される空気又はガスを集めるためのチャネルなどに通じている。

［００４２］ 幾つかの実施形態によれば、基板を運ぶキャリアを含む真空処理システム用のロードロックチャンバが提供される。キャリアは、基板の基板前面と同じ方向に面しているキャリア前面を含む。一般的に、基板の前面は、真空処理システムの真空処理で処理される面である。キャリアは更に、基板の背面側にキャリア背面を含む。本書に記載の実施形態によれば、ロードロックチャンバは更に、キャリアのキャリア前面に面するロードロック前壁、及びキャリアのキャリア背面に面するロードロック後壁を含む。ロードロックチャンバは、ロードロック後壁に２つの真空吸引アウトレット、すなわち、ロードロック後壁の第１の真空吸引アウトレット及びロードロック後壁の第２の真空吸引アウトレットを含む。

［００４３］ 図６は、水平方向で切断した断面図でロードロックチャンバ２００の例を示している。図６のロードロックチャンバは、特にロードロックチャンバの上方から見た垂直方向の図である。当業者であれば、図６が垂直配置された基板３００の水平方向の断面図を示していることを理解されたい。当業者はまた、本書に記載の実施形態が、基板が実質的に水平に配置されるロードロックチャンバにも適用されうることを理解されたい。図６に示した実施形態では、ロードロック壁２０５及び２０６には、真空吸引アウトレット２１０、２１１として動作する複数の開口部が備わっている。ロードロック壁２０５及び２０６は、特にロードロック壁２０５、２０６の全領域にわたって、一種のシャワーとして、或いは真空吸引アウトレットとして動作する複数の開口部を提供する焼結材料として、説明されうる。例えば、ロードロックチャンバ壁２０５、２０６の全領域にわたって分散された複数の開口部は、ロードロックチャンバ内でのガス又は空気の吸引流の異常により、基板３００が一方向に曲げられるのを防止しうる。図６からわかるように、真空吸引アウトレット１１０、１１１として動作する複数の開口部は、真空ポンプなどに接続されるように構成された真空吸引アウトレット２１３及び２１４（又は真空ポンピングポート）に通じている。

［００４４］ ロードロックチャンバ２００は、ロードロック前壁２０５及びロードロック後壁２０６を含む。幾つかの実施形態によれば、図２で説明された項目はまた、図６及び図７の項目に対応するように適用されうる。例えば、図６及び図７に示したロードロックチャンバの概略的な形状は、図２について説明されているようになりうる。図６の断面図には、第１のリンキングロードロック壁２０３及び第２のリンキングロードロック壁２０４が示されている。第１のリンキングロードロック壁及び第２のリンキングロードロック壁は、ロードロックチャンバの向かい合う壁であってもよい。幾つかの実施形態では、第１のリンキングロードロック壁及び第２のリンキングロードロック壁は、ロードロック前壁とロードロック後壁をつなぐ、及び／又は第１のロードロック壁と第２のロードロック壁（図２に例示的に示したように）をつなぐ壁であってもよい。図６に示したロードロックチャンバ２００は、ロードロックチャンバのロードロック前壁２０５に複数の第１の真空吸引アウトレット２１０を、また、ロードロックチャンバのロードロック後壁２０６に複数の第１の真空吸引アウトレット２１１を提供し、ロードロック後壁はロードロック前壁と向かい合うように配置されている。

［００４５］ 幾つかの実施形態によれば、ロードロック前壁は、基板の前面に面するロードロックチャンバの壁として理解されうる。基板の前面は、（チャンバ、又は加熱ユニットなどの処理ユニットを介して、或いは直接）ロードロックチャンバが接続される処理チャンバ内で扱われる又は処理される基板の面（すなわち表面）である。幾つかの実施形態では、ロードロック前壁は、ロードロックチャンバ内のキャリアの前面に面するロードロックチャンバの壁として理解されうる。例えば、キャリアの前面は、基板前面と同じ方向を向いているキャリアの面となりうる。以下で詳細に説明されるように、キャリアは、キャリア背面よりもキャリア前面において異なる形状を有しうる。幾つかの実施形態では、ロードロック前壁は、ロードロックチャンバがその一部となりうる処理システムの第１の面に配置される壁として理解されうる。処理システムの第１の面は、処理領域が準備される処理システムの面であってもよい。幾つかの実施形態によれば、処理システムの処理領域は、基板（特に、基板の前面）を処理するための処理ツール又は処理機器、例えば、加熱デバイス、冷却デバイス、材料源、堆積機器、プラズマ生成機器、蒸着機器、コーティング機器、洗浄機器、エッチング機器などを含みうる。

［００４６］ 本書に記載の幾つかの実施形態によれば、ロードロックチャンバのロードロック前壁は、ロードロックチャンバがその一部となりうる処理システムの処理領域と同じ面に配置されうる。特に、ロードロックチャンバのロードロック前壁は、ロードロックチャンバがその一部となりうる処理システムの処理領域と同じ方向に配向されうる。

［００４７］ 当業者であれば、ロードロック後壁はロードロック前壁と向かい合うように配置されるロードロックチャンバの壁であることを理解されたい。特に、ロードロック前壁の上記の説明は、必要に応じて、ロードロック後壁に対応するように適用されうる。例えば、ロードロック後壁は、基板の後壁及び／又は基板キャリアの後壁に面するロードロックチャンバの壁であってもよい。

［００４８］ 図６に戻ると、ロードロック前壁は参照記号２０５で表わされており、ロードロック後壁は参照記号２０６で表わされている。図６のロードロックチャンバの実施形態は、基板キャリア２２０によって運ばれる基板３００を示している。基板キャリア前面は参照記号２２５で表わされており、基板前面は参照記号３０５で表わされている。図６に示した実施例では、基板３００の前面３０５及びキャリア２２０の前面２２５は互いに同一平面上にある。例えば、基板の処理時に影の影響を避けるため、基板は前面がキャリアの前面と同一平面上にある状態で運ばれる。

［００４９］ 当業者であれば、キャリアは図６及び図７に示した形状とは異なる形状で提供されうることを理解されたい。例えば、キャリアは、基板を静電的に、磁気的に、又は接着によって固定するように適合されてもよく、エッジ除外マスクなどの処理中に、マスクがキャリア及び基板に適用される受容部分（ｒｅｃｅｐｔｉｏｎ）を含みうる。幾つかの実施形態では、キャリア自体がエッジ除外マスクを提供してもよい。

［００５０］ 図６の実施例からわかるように、一方がロードロック前壁２０５に、他方がロードロック後壁２０６に配置されている２つの真空吸引アウトレット２１３及び２１４は、基板の中心位置に配置されている。幾つかの実施形態では、中心位置は、（垂直に配置されている基板の場合）水平方向の基板の中心位置に対応しうる。幾つかの実施形態によれば、基板の中心位置は、ロードロックチャンバの排気中の搬送方向における（例えば、基板保持位置における）基板の中心として理解されてもよい。ロードロック前壁及びロードロックチャンバの後壁の両方に配置される真空吸引アウトレット２１０及び２１１はまた、基板の一方向への曲げの防止を支援しうる。図６に示した矢印は、ロードロックチャンバの排気中の流れの方向を示している。

［００５１］ 図７は、水平方向で切断した概略的な断面図でロードロックチャンバ２００の例を示している。図７のロードロックチャンバは、特にロードロックチャンバの上方から見た垂直方向の図である。図７は、ロードロック前壁２０５、ロードロック後壁２０６、及び前面２２５を有する基板キャリア２２０を含む、ロードロックチャンバ２００の実施形態を示している。基板前面３０５を有する基板３００は、基板キャリア２２０によって運ばれるように示されている。図７のロードロックチャンバ２００は、共にロードロック後壁２０６に配置される２つの真空吸引アウトレット２１０及び２１１を含む。２つの真空吸引アウトレット２１０及び２１１は、基板の中心から距離をとって配置され、特に基板３００のエッジ領域又は境界領域に配置される。例えば、エッジ領域又は境界領域（又は、図７の基板の左側及び右側に示された各エッジ領域）は、水平方向に基板の約２０％の延長部分を含みうる。

［００５２］ 幾つかの実施形態によれば、２つの真空吸引アウトレットは、基板の排気中に、基板の中心から離れるガス又は空気の流れの誘導を支援する。図７の実施例では、特に、２つの真空吸引アウトレット２１０及び２１１は、ロードロックチャンバ内での空気又はガスが基板の中心位置から離れるように誘導するのを支援するだけではなく、基板３００の前面３０５からも離れるように誘導するのを支援する。特に、流れは基板の前面から基板の背面まで誘導される。図７に示した配置によって、基板の前面（基板の処理される面）の粒子汚染は低減される。

［００５３］ 図８ａ及び８ｂは、基板を運ぶためのキャリア２２０（基板キャリアとも称される）を示す。特に、キャリア２２０は、本書に記載の実施形態により、ロードロックチャンバ内で基板を運ぶように構成されている。幾つかの実施形態では、キャリアはロードロックチャンバを通って基板を搬送するように構成されうる。例えば、キャリアは、基板がロードロックチャンバに入る前、及び基板がロードロックチャンバを出た後、基板が真空処理システムへの途上にあるときなどには、基板を保持するように適合されうる。幾つかの実施形態によれば、前面キャリアは、処理中に（例えば、堆積処理中に）基板の一部を被覆するためのマスクなど、基板用のマスクを運ぶように適合されてもよい。幾つかの実施形態では、マスクはエッジ除外マスクであってもよい。キャリアは、キャリアが処理チャンバに入る前に、或いはキャリアが処理チャンバ内にある間に、ロードロックチャンバに入る前のマスクを受容するように構成されうる。

［００５４］ 図８ａ及び図８ｂからわかるように、キャリア２２０のキャリア前面２２５（図８ａに示して）及びキャリア背面２２６（図８ｂに示した）は異なるように設計されてもよい。例えば、背面２２６は、固定デバイス（締め付けデバイス、可動式締め付けデバイスなど）、操作デバイス２２７、制御デバイス、ハンドル２２４などのための受容部分２２３（すなわち、凹部、ノッチ、又はパウチ）を含みうる。キャリアの前面は、基板などの位置決め用マスク２２２のための受容部分２２１を含みうる。幾つかの実施形態によれば、キャリアの前面は処理を受けるように構成されうる。例えば、キャリアの前面は、温度、化学物質、堆積などに対して画定された抵抗力を有しうる。幾つかの実施形態では、キャリア前面は、基板が処理された後の洗浄が困難になりうる複雑な形状を含まないように設計されうる。幾つかの実施形態によれば、キャリアの前面は、表面、キャリアの背面と比較してより少ない受容部分、適切な材料、又は、場合によっては表面処理（例えば、キャリア前面を滑らかにすること）などを含む、単純な形状を有しうる。

［００５５］ 図８ａは、キャリア前面２２５を有するキャリア２２０の正面図を示す。図８ｂは、キャリア背面２２６を有するキャリアの背面図を示す。キャリア２２０は、基板３００を垂直に保持する。図８ａでは、基板３００の前面３０５を見ることができ、図８ｂでは、基板３００の背面３０６を見ることができる。キャリア２２０は、基板がキャリア２２０によって運ばれるとき、基板前面３０５がキャリア前面２２５と実質的に同一平面上にあるように構成されている。幾つかの実施形態によれば、キャリア前面と基板前面が基板平面内で連続的な平面を形成するという点において、キャリア前面と基板前面が実質的に同一平面上にあると理解されうる。

［００５６］ 幾つかの実施形態によれば、ロードロックチャンバは、ロードロックチャンバ内のキャリアを誘導するためのレールなど、誘導デバイスを含みうる。本書に記載の実施形態によるロードロックチャンバのキャリアは、搬送されるための、また、誘導デバイス内を移動するためのローラなど、搬送デバイスを含みうる。

［００５７］ 幾つかの実施形態によれば、本書に記載のロードロックチャンバ（及び、本書に記載のように、ロードロックチャンバ用のキャリア）は、大面積基板用に適合されうる。幾つかの実施形態によれば、大面積基板、又は複数の基板を有する各キャリアは、少なくとも０．６７ｍ^２のサイズを有しうる。典型的には、サイズは、約０．６７ｍ^２（０．７３×０．９２ｍ−Ｇｅｎ４．５）以上であってよく、より典型的には、約２ｍ^２から約９ｍ^２まで、又は更に１２ｍ^２に及んでもよい。典型的には、本書に記載の実施形態による構造、システム、チャンバ、スルース、及びバルブが準備される基板又はキャリアは、本書に記載の大面積基板である。例えば、大面積基板又はキャリアは、約０．６７ｍ^２の基板（０．７３×０．９２ｍ）に対応するＧＥＮ４．５、約１．４ｍ^２の基板（１．１ｍ×１．３ｍ）に対応するＧＥＮ５、約４．２９ｍ^２の基板（１．９５ｍ×２．２ｍ）に対応するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ^２の基板（２．２ｍ×２．５ｍ）に対応するＧＥＮ８．５、又は約８．７ｍ^２の基板（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に対応するＧＥＮ１０であってもよい。ＧＥＮ１１及びＧＥＮ１２のような更に大きな世代、並びにそれに相当する基板面積を同様に実装してもよい。本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、本システムは、例えば静的堆積を伴うＴＦＴ製造用に構成されうる。

［００５８］ 幾つかの実施形態によれば、ロードロックチャンバ及び本書に記載の実施形態の真空吸引アウトレットの配置は、ロードロックチャンバの排気中に、基板から離れるように、特に、基板前面及び／又は基板の中心から離れるように向けられたガス又は空気の流れをもたらす。ロードロックチャンバから吸い出される粒子は、基板前面から離れるように誘導される。吸引した粒子を基板前面から離れるように誘導することにより、ロードロックチャンバ内の粒子の流れは基板前面を通過せず、基板前面の上の汚染を引き起こさない。ロードロックチャンバの向かい合う面に真空吸引アウトレットを、或いは、ロードロックチャンバの背面に真空吸引アウトレットを有する本書に記載の実施形態は、基板前面の汚染を減らし、処理された製品の品質を高める。

［００５９］ 幾つかの実施形態によれば、真空吸引アウトレットは、排気中に、真空吸引アウトレットがガス又は空気の流れを、排気中の基板がロードロックチャンバと共に保持される位置から離れるように誘導するよう配置されうる。幾つかの実施形態では、ロードロックチャンバは、排気中に基板が保持される基板保持位置を提供する。

［００６０］ 幾つかの実施形態によれば、基板を処理するための真空処理システムが提供される。真空処理システムは、基板の処理に適合される真空処理チャンバ、及び本書に記載の実施形態によるロードロックチャンバを含みうる。ロードロックチャンバは、基板を大気条件から真空条件へ搬送するように構成されうる。幾つかの実施形態では、ロードロックチャンバは、基板を大気条件から真空処理チャンバへ搬送するように構成されている。

［００６１］ 幾つかの実施形態では、基板がロードロックチャンバ内にあるとき、ロードロックチャンバは排気され、例えば、低圧力、低真空、又は中真空がロードロックチャンバにもたらされうる。例えば、ロードロックチャンバには、約１ｍｂａｒの典型的な圧力がもたらされうる。幾つかの実施形態によれば、処理チャンバは、例えば、約１０^−８ｍｂａｒから約１０^−５ｍｂａｒの間の到達真空度（ベース圧力）を有することにより、ロードロックチャンバよりも高い真空（すなわち、より低い圧力）を有しうる。

［００６２］ 幾つかの実施形態によれば、基板を処理するための真空処理システムが提供される。真空処理システムは、基板を処理するように適合された真空処理チャンバを含みうる。真空処理チャンバは処理領域に面する処理ツールを有してもよく、処理領域は真空処理システムの第１の面上にある。真空処理システムは更に、基板を大気条件から真空条件へ搬送するように構成されたロードロックチャンバを含みうる。ロードロックチャンバは、真空処理システムの第１の面上にロードロック前壁を、また、真空処理システムの第１の面と向かい合うように配置された真空処理システムの第２の面に面するロードロック後壁を含みうる。本書に記載の幾つかの実施形態によれば、ロードロックチャンバは更に、ロードロック後壁に第１の真空吸引アウトレット及び第２の真空吸引アウトレットを、或いは、ロードロック前壁に第１の真空吸引アウトレットとロードロック後壁に第２の真空吸引アウトレットを含む。

［００６３］ 図９は、本書に記載された実施形態よる真空処理システムを示す。図９は、本書に記載された実施形態による真空処理システム５００を示す。処理システムの実施例には、第１の真空処理チャンバ５０１及びバッファチャンバ５２１が含まれる。真空処理システム５００は、幾つかの実施形態で処理チャンバを更に含む。真空チャンバは、堆積チャンバ又は他の処理チャンバであってよく、チャンバ内で真空が生成される。図９では、処理システムの外側の大気条件から処理システムのチャンバの中の真空条件への移行をもたらすロードロックチャンバ５２２を見ることができる。ロードロックチャンバ５２２は、上記で詳細に説明されたようなロードロックチャンバであってもよく、上記の実施形態で詳細に説明された真空吸引アウトレットの配置を含みうる。本書に記載の実施形態によれば、ロードロックチャンバ５２２と真空チャンバ５０１（場合によっては、更なる真空チャンバ）は、搬送システムによって線形搬送路を介して連結されてもよい。本書に記載の実施形態によれば、搬送システムは、幾つかの搬送軌道５６１、５６３、５６４を含むデュアル軌道搬送システムを含みうる。幾つかの実施形態では、搬送システムは更に、搬送路に沿って基板を回転させることができる回転モジュールを含みうる。例えば、ディスプレイの製造において通常使用される大面積基板は、基板処理システム５００の線形搬送路に沿って搬送されうる。典型的に、線形搬送路は、例えばラインに沿って配置された複数のローラ等を有する線形搬送軌道等の搬送軌道５６１及び５６３によって提供される。

［００６３］ 典型的な実施形態によれば、搬送軌道及び／又は回転軌道は、大面積基板の底部における搬送システム、及び基本的に垂直に配向された大面積基板の上部における誘導システムによって提供されうる。

［００６４］ 本書に記載の他の実施形態と組み合わせうる異なる実施形態によれば、真空チャンバのデュアル軌道搬送システム、すなわち第１の搬送路と第２の搬送路とを有する搬送システムは、固定デュアル軌道システム、可動単一軌道システム又は移動可能なデュアル軌道システムによって提供されうる。固定デュアル軌道システムは、第１の搬送軌道及び第２の搬送軌道を含み、第１の搬送軌道と第２の搬送軌道は側方に移動できない、すなわち基板は搬送方向に対して垂直の方向に移動することができない。可動単一軌道システムは、基板が第１の搬送路又は第２の搬送路上に供給されるように、側方、すなわち搬送方向に対して垂直に移動可能な線形搬送路を有することによってデュアル軌道搬送システムを提供し、第１の搬送路と第２の搬送路は互いに離れている。可動デュアル軌道システムは、第１の搬送軌道と第２の搬送軌道を含み、両方の搬送軌道は側方に移動可能である、すなわち両方の搬送軌道は、第１の搬送路から第２の搬送路へ、又はその逆へそれぞれの位置を切り替えることができる。

［００６５］ 幾つかの実施形態によれば、真空処理システム５００は、真空処理システム５００のチャンバ５０１に例示的に示されている処理ツール５７０などの、処理ツールを含みうる。例えば、真空処理システムに提供される処理ツールは、材料堆積源、蒸発器、ターゲット、プラズマ生成デバイス、加熱デバイス、冷却デバイス、洗浄デバイスなどによって提供されうる。幾つかの実施形態では、加熱、冷却、洗浄、高真空条件への基板の持ち込み等は、図９のバッファチャンバ５２１などのバッファチャンバに準備されうる。典型的には、処理ツールは処理領域５８０に面し、処理領域は真空処理システムの第１の面５９０上にある（ロードロックチャンバのロードロック前壁５０５は、第１の面５９０に配置されている）。真空処理システムは更に、第１の面５９０と向かい合う第２の面５９１を含む（ロードロックチャンバのロードロック後壁５０６は、真空処理システムの第２の面５９１に面する）。幾つかの実施形態によれば、真空処理システム５００の第１の面５９０は、ロードロックチャンバとして、真空処理システム内でほぼ同じ配向を有する真空処理チャンバによって記述されうる。ロードロックチャンバとして、（真空処理システム５００の回転モジュールの後に配置される処理チャンバなど）同じ配向を有する処理チャンバがない場合には、第１の面は、ロードロックチャンバの排気中に基板の前面が面する側として記述されうる。

［００６６］ 図１０は、真空処理システムのロードロックチャンバを排気するための方法のフロー図を示す。方法６００はブロック６１０で、基板をロードロックチャンバへ挿入するため、第１の真空密封バルブを開くことを含む。幾つかの実施形態によれば、第１の真空密封バルブは、ロードロックチャンバとロードロックチャンバがその一部となりうる処理システムの環境との間の移行手段として提供されうる。幾つかの実施形態により、ロードロックチャンバは、図１〜図７に関連して説明されるロードロックチャンバとなりうる。上述のロードロックチャンバの特徴は、本書に記載の実施形態による方法で使用されるロードロックチャンバに適用されうる。ブロック６２０では、少なくとも１つの基板がロードロックチャンバに挿入される。例えば、基板は、特に真空処理システム内で基板を運び、搬送することができるキャリア内に準備されうる。例えば、キャリアは、図７、図８ａ及び図８ｂに関して説明されるキャリアであってもよい。特に、キャリアは、処理される基板の面である基板前面と同じ方向に面しているキャリア前面を提供しうる。

［００６７］ ブロック６３０では、第１の真空密封バルブが閉じられる。本書に記載の実施形態によれば、次にロードロックチャンバは、ロードロックチャンバの少なくとも２つの向かい合うロードロック壁から吸引を提供することによって、０．０５ｍｂａｒから１ｍｂａｒの間の圧力まで排気される。例えば、吸引は真空吸引アウトレットを介して提供される。幾つかの実施形態によれば、吸引はロードロックチャンバの２つの向かい合う壁に、例えば、上述の図に示したように、ロードロックチャンバの第１の壁１０１及び第２の壁１０２、或いは前壁２０５及び後壁２０６などに、配置される真空ポンピングポートによって提供される。幾つかの実施形態によれば、吸引は、真空ポンプに接続可能になりうる真空吸引アウトレットを介して、提供されうる。真空吸引アウトレットは、上記で詳細に説明したように、Ｕ字形配置、Ｘ字形配置、又はＯ字形配置されたロードロックチャンバの壁に設けられうる。実施例の幾つかは、ロードロックチャンバの３面又は４面からロードロックチャンバの排気を行うための吸引を提供しうる。

［００６８］ 幾つかの実施形態によれば、ブロック６３０は追加的に又は代替的に、ロードロックチャンバの後壁に設けた少なくとも２つの真空吸引アウトレットからの吸引を提供することによって、０．０５ｍｂａｒから１ｍｂａｒまでの間の圧力までロードロックチャンバを排気することを含む。例えば、ロードロックチャンバは、特に図６〜図８について上記で詳細に説明されているように、基板の前面（処理される基板の面又は表面）に対応する前面、及び前面と向かい合う背面を含みうる。

［００６９］ 以上の説明は実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱せずに他の実施形態及び更なる実施形態を考案してもよく、本開示の範囲は、添付の特許請求の範囲によって定められる。

Claims (15)

1. ロードロックチャンバ空間を取り囲むロードロック壁（１０１；１０２；１０３；１０４、１０５；１０６；２０５；２０６）であって、第１のロードロック壁（１０１；１０３；１０５）及び第２のロードロック壁（１０２；１０４；１０６）を含み、前記第２のロードロック壁（１０２；１０４；１０６）は前記第１のロードロック壁（１０１；１０３；１０５）と向かい合うように配置されているロードロック壁と、
   前記ロードロックチャンバ（１００；２００）を排気するための少なくとも１つの第１の真空吸引アウトレット（１１０）及び少なくとも１つの第２の真空吸引アウトレット（１１１）と
   を備える、真空処理システム（５００）のためのロードロックチャンバ（１００；２００）であって、
   前記少なくとも１つの第１の真空吸引アウトレット（１１０）は前記第１のロードロック壁（１０１；１０３；１０５）に配置されており、前記少なくとも１つの第２の真空吸引アウトレット（１１１）は前記第２のロードロック壁（１０２；１０４；１０６）に配置されているロードロックチャンバ。
2. 前記ロードロックチャンバ（１００；２００）は、前記第１のロードロック壁（１０１；１０３）に２つの第１の真空吸引アウトレット（１１０）、並びに、前記第２のロック壁（１０２；１０４；１０６）に２つの第２の真空吸引アウトレット（１１１）を備える、請求項１に記載のロードロックチャンバ。
3. 前記ロードロックチャンバ（１００；２００）は、前記第１のロードロック壁（１０１）と前記第２のロードロック壁（１０２）をリンクする第１のリンキングロードロック壁（１０３）を備え、前記ロードロックチャンバ（１００；２００）は前記第１のリンキングロードロック壁（１０３）に配置された少なくとも１つの第３の真空吸引アウトレット（１１３）を備える、請求項１又は２に記載のロードロックチャンバ。
4. 前記ロードロックチャンバ（１００；２００）は、前記第１のリンキングロードロック壁（１０３；１０５）と向かい合うように配置された第２のリンキングロードロック壁（１０４；１０６）を備え、少なくとも１つの第４の真空吸引アウトレット（１１３；１１４）は前記第２のリンキングロードロック壁（１０４；１０６）に配置される、請求項３に記載のロードロックチャンバ。
5. 前記第１の真空吸引アウトレット（１１０）、前記第２の真空吸引アウトレット（１１１）、前記第３の真空吸引アウトレット（１１３）、及び前記第４の真空吸引アウトレット（１１２）からなるグループの少なくとも１つの数は２よりも大きい、請求項１から４のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
6. 前記ロードロックチャンバ（１００；２００）は基板保持位置（１１６）を画定し、前記基板（３００）は排気中保持され、前記真空吸引アウトレット（１１０；１１１；１１２；１１３）は、排気中、一又は複数の流れの方向を前記基板保持位置から離れるように誘導するように配置されている、請求項１から５のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
7. 前記ロードロックチャンバ（１００；２００）は、実質的に０．０５ｍｂａｒから１ｍｂａｒの間の範囲内の真空を提供するように適合されている、請求項１から６のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
8. 前記真空ポート（１１０；１１１；１１２；１１３）は、真空ポンプ配置に接続されるように構成されている、請求項１から７のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ。
9. 真空処理システム（５００）のためのロードロックチャンバ（１００；２００）であって、
   基板（３００）の基板前面（３０５）と同じ方向に面しているキャリア前面（２２５）を備える、基板（３００）を運ぶためのキャリア（１２０；２２０）を備え、前記基板（３００）の前記基板前面（３０５）は、前記真空処理システム（５００）の真空処理で処理される面で、前記キャリア（１２０；２２０）は、前記基板（３００）の基板背面（３０６）側にキャリア背面（２２６）を更に備え、
   前記ロードロックチャンバ（１００；２００）は更に、
   前記キャリア（１２０；２２０）の前記キャリア前面（２２５）に面するロードロック前壁（２０５）、及び前記キャリア（１２０；２２０）の前記キャリア背面（２２６）に面するロードロック後壁（２０６）と、
   前記ロードロック後壁（２０６）に２つの真空吸引アウトレット（２１０；２１１）と
   を備える、ロードロックチャンバ。
10. 前記キャリア（２２０）が基板（３００）を運ぶとき、前記キャリア（２２０）は、前記基板前面（３０５）が前記キャリア前面（２２５）と同一平面上にある状態で基板（３００）を運ぶように構成されており、及び／又は、
    前記真空吸引アウトレット（２１０；２１１）は、前記ロードロックチャンバ（２００）が真空までポンピングされるとき、ポンピングの流れが前記キャリア前面（２２５）から離れるように誘導されるように、前記ロードロック後壁（２０６）に配置される、請求項９に記載のロードロックチャンバ。
11. 基板（３００）を処理するための真空処理システム（５００）であって、
    前記基板（３００）を処理するように適合されている真空処理チャンバ（５０１；５０２；５０３；５２１）と、
    前記基板を大気条件から真空条件へと搬送するように構成されている、請求項１から１０のいずれか一項に記載のロードロックチャンバ（１００；２００；５２２）と
    を備える真空処理システム。
12. 前記処理チャンバ（５０１；５０２；５０３；５２１）内の真空が、約１０^−８ｍｂａｒと約１０^−５ｍｂａｒの間の範囲内の圧力を有する超高真空である、請求項１１に記載の真空処理システム。
13. 基板（３００）を処理するように適合されている真空処理チャンバ（５０１；５０２；５０３；５２１）であって、真空処理システム（５００）の第１の面（５９０）上にある処理領域（５８０）に面している処理ツール（５７０）を有する真空処理チャンバ（５０１；５０２；５０３；５２１）と、
    前記基板（３００）を大気条件から前記真空処理システムへ搬送するように構成されているロードロックチャンバ（１００；２００；５２２）と、
    前記真空処理システム（５００）の前記第１の面（５９０）上のロードロック前壁（１０５；２０５）、及び前記真空処理システム（５００）の前記第１の面（５９０）と向かい合うように配置された前記真空処理システム（５００）の第２の面（５９１）に面するロードロック後壁（１０６；２０６）と、
    前記ロードロック後壁（１０６；２０６）の第１の真空吸引アウトレット（１１０）及び第２の真空吸引アウトレット（１１１）と
    を備える、基板処理のための真空処理システム（５００）。
14. 基板（３００）をロードロックチャンバ（１００；２００；５２２）へ挿入するための第１の真空密封バルブを開けること（６１０）と、
    少なくとも１つの基板（３００）を前記ロードロックチャンバ（１００；２００；５２２）へ挿入すること（６２０）と、
    前記第１の真空密封バルブを閉じること（６３０）と、
    互いに向かい合うように配置された前記ロードロックチャンバの少なくとも２つのロードロック壁から吸引を提供することによって、或いは、ロードロック後壁（１０６；２０６）で２つの真空吸引アウトレット（１１０；１１１）から吸引を提供することによって、前記ロードロックチャンバ（１００；２００；５２２）を０．０５ｍｂａｒから１ｍｂａｒの間の圧力まで排気すること（６４０）と
    を含む、真空処理システム（５００）のロードロックチャンバ（１００；２００；５２２）を排気するための方法（６００）。
15. 前記ロードロックチャンバ（１００；２００；５２２）を排気することは、前記ロードロックチャンバの少なくとも３つのロードロック壁からの吸引を提供することを含む、請求項１４に記載の方法。

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