JP2019071447A - 粒子除去デバイス、及び粒子除去デバイスを操作する方法 - Google Patents

Abstract

【課題】改良された粒子除去装置、改良されたロードロックチャンバ、改良された真空処理システム、及び真空処理システムにおいてキャリアを洗浄する改善された方法を提供する。【解決手段】キャリアに支持された基板を処理するための真空処理システム用の粒子除去デバイス２００は、凹部を有し、キャリアの一部が凹部を通って移動することができるように凹部が構成された基体２１０と、凹部に備えられ、凹部を通って移動する時にキャリアの一部と接触するように構成されているブラシ２２０とを含む。【選択図】図２Ａ

Description

［０００１］本実施形態は、真空処理システムにおいて、又は真空処理システム内部でキャリアを洗浄することに関する。本実施形態は具体的には、粒子除去デバイス、ロードロックチャンバ、及び真空処理システムに関する。

［０００２］基板は多くの場合、例えば真空コーティング設備において５×１０−４ｈＰａから０．５ｈＰａの範囲内の圧力の高真空条件下でコーティングされる。設備の生産性を向上させ且つ各基板のために全装置を真空に引く必要性、特に高真空区域を回避するために、基板用のロードロック及びアンロードロックが使用される。

［０００３］例えば、平坦パネルディスプレイの生産においては、処理システムの機械的構成要素とプロセス自体の両方からの粒子が歩留まり低下の主な要因である。従って、真空プロセス間の汚染を減らしたいという願望は何年にもわたって膨らんできた。汚染は例えば、処理システムのチャンバが適切に真空に引かれていない場合、搬送システム又は処理システムの構成要素がプロセス間に粒子を発生させた場合、処理される基板により、真空に引かれた処理システムの中へ粒子が取り込まれた場合等に発生しうる。従って、操作中の堆積システムにおいては、製品の品質に影響を及ぼす複数の潜在的な汚染粒子源が存在する。

［０００４］処理システムにおける構成要素の洗浄及び交換、また連続的な真空ポンピングは、製品の汚染リスクを低減する１つの方法である。しかしながら、上述したように、プロセスはそれでも尚、可能な限り最速で効率的な方法で実施されなければならない。洗浄および交換手法はメンテナンスに時間がかかるため、生産時間には使用できない。

［０００５］上記を考慮すると、改良された粒子除去装置、改良されたロードロックチャンバ、改良された真空処理システム、及び真空処理システムにおいてキャリアを洗浄する改善された方法を提供することは有益である。

［０００６］一実施形態によれば、キャリアに支持された基板を処理するための真空処理システム用の粒子除去装置が提供されている。粒子除去デバイスは、キャリアの一部が凹部を通って移動することができるように構成された凹部を有する基体と、凹部に備えられ、凹部を通って移動したときにキャリアの一部と接触するように構成されているブラシとを含む。

［０００７］別の実施形態によれば、キャリアに支持された基板を処理するための真空処理システム用のロードロックチャンバが提供されている。ロードロックチャンバは、ロードロックチャンバの空間を形成するロードロック壁と、キャリアをロードロックチャンバの中へロックするように構成され、ロードロック壁の入口壁に設けられた入口と、ロードロックチャンバを真空に引くための真空生成装置と、ロードロックチャンバの入口壁において入口に隣接して位置づけされた粒子除去装置とを含む。粒子除去装置は、キャリアの一部が凹部を通って移動することができるように構成された凹部を有する基体と、凹部に備えられ、凹部を通って移動したときにキャリアの一部と接触するように構成されているブラシとを含む。

［０００８］更に別の実施形態によれば、基板を処理するための真空処理システムが提供されている。本システムは、基板を処理するように適合された真空処理チャンバと、基板を大気条件から真空処理チャンバへ移送するように構成されたロードロックチャンバとを含む。ロードロックチャンバは、ロードロックチャンバの空間を形成するロードロック壁と、キャリアをロードロックチャンバの中へロックするように構成され、ロードロック壁の入口壁に設けられた入口と、ロードロックチャンバを真空に引くための真空生成装置と、ロードロックチャンバの入口壁において入口に隣接して位置づけされた粒子除去装置とを含む。粒子除去装置は、キャリアの一部が凹部を通って移動することができるように構成された凹部を有する基体と、凹部に備えられ、凹部を通って移動したときにキャリアの一部と接触するように構成されているブラシとを含む。

［０００９］また別の実施形態によれば、基板処理システムにおいてキャリアを洗浄する方法が提供されている。本方法は、キャリアを真空処理システムのロードロックチャンバの中にロックすることと、キャリアがロードロックチャンバの中にロックされている間に、ブラシを用いてキャリアの一部を洗浄することとを含む。

［００１０］本発明の上記の特徴を詳細に理解することができるよう、実施形態を参照することによって、上記に簡潔に概説した本発明のより詳細な説明を得ることができる。添付の図面は、本発明の実施形態に関連し、以下の記述において説明される。

本明細書に記載の実施形態に係る粒子除去デバイスを含む真空処理システムの一部を示す図である。 キャリアを洗浄するためのブラシを有する本明細書に記載の実施形態に係る粒子除去デバイスを示す概略図である。 キャリアを洗浄するためのブラシ、ガスノズル及び吸引ポートを有する本明細書に記載の実施形態に係る別の粒子除去デバイスを示す概略図である。 本明細書に記載の実施形態に係るロードロックチャンバの一部を示す図である。 本明細書に記載の実施形態に係る粒子除去デバイスの一部を示す図である。 本明細書に記載の実施形態に係る粒子除去デバイスを示す概略図である。 本明細書に記載の実施形態に係る粒子除去デバイスを示す概略図である。 本明細書に記載の実施形態に係るロードロックチャンバを有する処理システムを示す図である。

［００１１］理解を容易にするために、可能な場合には、図に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。１つの実施形態で開示する要素は、具体的な記述がなくとも、他の実施形態で有益に利用できることが企図されている。

［００１２］これより、様々な実施形態を詳細に参照し、それらの１つ又は複数の例を図に示す。概して、個々の実施形態に関する相違のみを説明する。更に、一実施形態の一部として例示又は記載される特徴は、他の実施形態で使用したり、又は他の実施形態と併用したりしてもよく、それによって、更なる実施形態が生み出される。本記載には、そのような変更及び変形が含まれることが意図されている。

［００１３］本明細書に記載の実施形態によれば、粒子トラップ又は粒子除去デバイスが提供されている。例えば、粒子トラップ又は粒子除去デバイスは、基体とブラシを含む。ブラシは、真空処理システムにおいて又は真空処理システム内でキャリアを洗浄できる。例えば、ブラシは真空ブラシ、すなわちブラシを用いてキャリアから洗浄された粒子を真空洗浄するための吸引ポートと組み合わされたブラシであってよい。粒子トラップ又は粒子除去デバイスは、基板、例えば平坦パネルディスプレイが製造される基板に粒子が達するのを防止する効果的な方法を提供するのに有益でありうる。

［００１４］ 通常の実行形態によれば、物理蒸着（ＰＶＤ）ツール、例えばアプライドマテリアルズ社のＡＫＴ Ｐｉｖｏｔ ａｎｄ ＮｅｗＡｒｉｓｔｏでは、基板キャリアが搬送システム上で移動し、キャリアのロッドがローラ装置上を移動する。システムの操作中に、粒子が基板キャリアのロッドに蓄積する。これら蓄積した粒子は、基板キャリアのロッドによりシステム全体に運ばれて、システムを循環する。最終的に、これらの粒子は、例えばロードロックチャンバ等の真空チャンバの換気中またポンピング中の気流パターン、又は静電気及び／又は動的効果のいずれかのために、平坦パネル基板に達しうる。

［００１５］上記を鑑み、粒子トラップ又は粒子除去装置が、少なくともブラシを用いて、具体的にはブラシ、真空吸引配置構成及び／又は洗浄ガス流を供給するためのガス出口（例：ガスノズル）を用いてキャリアのロッドを洗浄するように有益に適合されうる。パネルに粒子が達するのを防止する効果的な方法は、粒子を捕捉する又は除去することである。

［００１６］図１に、処理チャンバ１２４に接続されているロードロックチャンバ１２２の一実施形態を示す。例えばロードロックチャンバの入口壁に、粒子トラップ又は粒子除去デバイス２００が提供されている。ロードロックチャンバ１２２は、例えばポンプ等の真空生成装置１３５を含みうる。図１に示す実施形態では、ロードロックチャンバ及び処理チャンバにおいて基板は基本的に垂直に配向されている。（基板がわずかに下方に面して傾いている場合）数度の傾きを有する基板が安定して搬送されうる、又は基板の粒子による汚染が低減されうるように、垂直に配向されている基板が処理システムにおいて垂直、すなわち９０°の配向からある程度偏向している場合がある、すなわち基板は垂直の配向から±２０°以下、たとえば±１０°以下の偏向を有しうることを理解すべきである。

［００１７］幾つかの実施形態によれば、本明細書に記載されるロードロックチャンバは、大面積基板用に適合されうる。幾つかの実施形態によれば、大面積基板又は複数の基板を有するそれぞれのキャリアは、少なくとも０．６７ｍ^２のサイズを有し得る。典型的には、サイズは、約０．６７ｍ^２（０．７３×０．９２ｍ−Ｇｅｎ４．５）以上であってよく、より典型的には、約２ｍ^２から約９ｍ^２まで、又は更に１２ｍ^２に及んでもよい。典型的には、本明細書に記載の実施形態に係る構造、システム、チャンバ、放出路（ｓｌｕｉｃｅｓ）、及びバルブが提供の対象である基板又はキャリアは、本明細書に記載されるように大面積基板である。例えば、大面積基板又はキャリアは、約０．６７ｍ^２の基板（０．７３×０．９２ｍ）に相当するＧＥＮ４．５、約１．４ｍ^２の基板（１．１ｍ×１．３ｍ）に相当するＧＥＮ５、約４．２９ｍ^２の基板（１．９５ｍ×２．２ｍ）に相当するＧＥＮ７．５、約５．７ｍ^２の基板（２．２ｍ×２．５ｍ）に相当するＧＥＮ８．５、又は約８．７ｍ^２の基板（２．８５ｍ×３．０５ｍ）に相当するＧＥＮ１０でさえありうる。ＧＥＮ１１及びＧＥＮ１２などの更に次の世代及び相当する基板面積を同様に実装してもよい。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、システムは例えば静的堆積を用いたＴＦＴの製造用に構成されうる、又は例えば動的堆積を用いたカラーフィルタの製造用に構成されうる。

［００１８］幾つかの実施形態によれば、本明細書に記載されるロードロックチャンバ、それらの構成要素、例えば基板支持又はトラッキングシステム、スリットバルブ又は放出路、又は本明細書に記載される処理チャンバは、基板をハンドリングするように適合されうる。基板は、ガラス基板、又はプラスチックでできた基板、すなわち、例えばディスプレイの製造に使用される基板を含みうる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わされうるいくつかの実施形態によれば、本明細書に記載の実施形態は、ディスプレイ、例えばＰＶＤの製造、すなわちディスプレイ市場向けの大面積基板上のスパッタ堆積に利用されうる。

［００１９］上述したように、ロードロックチャンバは例えば真空ポンプ等の真空生成装置を含み得、チャンバの入口壁とチャンバの出口壁にそれぞれ真空密閉バルブを設けることによって、ロードロックチャンバ内の真空を維持するように適合されうる。幾つかの実施形態によれば、本明細書に記載されるロードロックチャンバは、１ｍｂａｒ未満の真空を提供するように適合されている。幾つかの実施形態では、ロードロックチャンバは、通常約０．０１ｍｂａｒと約１ｍｂａｒの間、更に通常約０．１ｍｂａｒと約１ｍｂａｒの間の真空を提供するように適合されている。

［００２０］本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態によれば、本明細書に記載される真空処理チャンバは、高真空チャンバとして適合されうる。例えば、処理チャンバは、処理チャンバにおいて真空を生成し維持するためのそれぞれの真空ポンプ、シール、バルブ及び放出路を含みうる。幾つかの実施形態では、処理チャンバは、約１０^−３ｍｂａｒを下回る真空を提供するように適合されている。幾つかの実施例では、処理チャンバは、通常約１０^−１２ｍｂａｒと約１０^−３ｍｂａｒの間、更に通常約１０^−９ｍｂａｒと約１０^−５ｍｂａｒの間の圧力を有する真空を提供するように適合されている。

［００２１］図１に示すように、キャリアによって支持される基板は、真空密閉バルブを通してロードロックチャンバ１２２に最初に提供される。幾つかの実施形態によれば、キャリアはローカルチャンバ１２２に入る時に粒子除去デバイス２００の上を通過する。従って、キャリア、又はキャリアの一部、例えばキャリアのロッドに付着した粒子は、キャリアがロードロックチャンバ１２２に入る前に除去される。

［００２２］真空処理システムの操作において、ロードロックチャンバ１２２を大気圧から低い気圧へ真空に引くために、ロードロックチャンバ１２２の入口壁の真空密閉バルブが閉じられうる。基板を真空処理チャンバ１２４へ移送することができるように、ロードロックチャンバ１２２を真空に引いた後で、ロードロックチャンバの出口壁の真空密閉バルブが開かれうる。例えば、真空処理チャンバ１２４にカソード１１３が設けられうる。

［００２３］図２Ａに、本明細書に記載される別の実施形態を示すために使用されうる粒子除去デバイス２００を示す。粒子除去デバイス２００は、基体２１０及びブラシ２２０を含む。例えば、基体２１０は凹部、例えば基体２１０の上側に凹部を有する。ブラシ２２０は、基体２１０の凹部内部に備えられている。キャリアの一部、例えばキャリアのロッドが基体２１０の凹部を通って移動する時に、ブラシ２２０によってロッドが払われうる。

［００２４］また別の実施形態によれば、図２Ｂに示すように、ガス出口配置構成又はガスノズル配置構成が追加で設けられうる。例えば、ガスノズル配置構成には、一又は複数のガス出口又はガスノズル２３１の第１のセットと、一又は複数のガス出口又はガスノズル２３３の第２のセットとが含まれうる。ガスノズルは、例えばキャリアの一部を洗浄するように構成された空気、乾燥空気、圧縮乾燥空気、又は別のガスが導入されうる導管等の導管に接続されている。

［００２５］ガスが基体２１０の凹部に、及び／又は凹部の下部に下向きに吹き付けられるように、一又は複数のガス出口又はガスノズル２３１の第１のセットは例えば基体の左側に設けられ得、一又は複数のガス出口又はガスノズル２３３の第２のセットは例えば基体の右側に設けられうる。基体２１０の凹部を通って移動するキャリアの一部、例えばキャリアのロッド等は、ガス出口配置構成又はガスノズル配置構成からのガスの流れにさらされる。ガスの流れにさらされることで、例えばキャリアのロッド等のキャリアの一部に付着した粒子が更に除去され得る。幾つかの実施形態によれば、一又は複数のガスノズルのセットの一方又は両方の一又は複数のガスノズルには、例えばキャリアのロッド等のキャリアの一部にガス噴射を向けるためのノズル出口が含まれうる。

［００２６］本明細書に記載される他の実施形態と組み合わせることができるまた別の実施形態によれば、真空配置構成又は吸引配置構成２４０が提供されうる。吸引ポート２４１は、凹部の開口部と流体連結している。吸引ポート２４１は、導管２４３に接続されている。吸引ポート２４１は、導管２４３と流体連通している。導管 ２４３は、ポンプに接続されうる。キャリアの一部から放出される粒子は、吸引配置構成２４０によって真空洗浄されうる。吸引配置構成２４０は、粒子除去デバイスに蓄積されない粒子及び／又は更に別の粒子が、例えば掃除機と同様の吸引配置構成によって除去されるため有益である。

［００２７］図３に、ローカルチャンバの入口壁に装着された粒子除去デバイス２００を示す。ブラシ２２０は、基体２１０、例えば基体２１０の凹部等に装着される。幾つかの実施形態によれば、キャリアのロッドが基体２１０の凹部を通って通過しうるように、基体の凹部は例えば湾曲部を有するくぼんだ形状を有しうる。図３に示すように、一又は複数のガス出口又はガスノズル２３１の第１のセットは、基体の片側、例えば基体の上部及び／又は凹部の片側に設けられる。一又は複数のガス出口又はガスノズル２３２の第２のセットは、基体の反対側、例えば基体の上部及び／又は凹部の反対側に設けられる。図３に、吸引配置構成のポンプに連結されうる導管２４３の一部を更に示す。

［００２８］図４に、ロードロックチャンバの一部を示す。ロードロックチャンバは、開口部４９２を有する入口壁４２２を有する。開口部４９２は、真空密閉バルブで閉じられうる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、真空密閉バルブは、スリットバルブ、放出路バルブ、及びゲートバルブからなるグループから選択されうる。キャリア４０は、開口部４９２に差しこまれる。図からわかるように、キャリアは、基体２１０の凹部を通って移動するロッド４２を含む。粒子除去デバイス２００は、支持体４１０を有する入口壁４２２に装着される。一又は複数のガスノズル２３１の第１のセットと、一又は複数のガスノズル２３３の第２のセットは、空気又は別のガスをキャリア４０のロッド４２上に吹き付けるために基体に設けられる。基体の凹部のブラシは更に、キャリア４０のロッド４２から粒子を除去する。ブラシ、及び／又はガス出口配置構成又はガスノズル配置構成の気流から除去された粒子が、吸引配置構成によって粒子除去装置２００から除去され、ポンプは導管２４３に連結される。

［００２９］図５Ａに、本開示の幾つかの実施形態に係る粒子除去装置２００の断面図を示す。基体２１０は凹部を有する。ブラシ２２０は、ブラシがキャリア４０のロッド４２と接触しうるように、凹部内に備えられる。本明細書に記載の実施形態の任意選択的な変形例によれば、一又は複数のブラシ、例えば１、２、又は３つのブラシが基体の１つの凹部に備えられうる。ブラシは、キャリアを洗浄するために、キャリアのロッドに付着した粒子を払い落とす。ガスノズル配置構成は、一又は複数のガスノズル２３１の第１のセットと、一又は複数のガスノズル２３３の第２のセットとを含む。ガスノズル配置構成は更に、ロッド４２から粒子を除去する。キャリア又はキャリア４０のロッド４２から除去された粒子はそれぞれ、ポンプに連結されうる導管２４３を通って帯電粒子除去デバイス２００から除去されうる。粒子は、吸引ポート、導管、及び／又はポンプを含む吸引配置構成によって除去される。

［００３０］図５Ｂに、本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせうるまた別の実施形態を示す。基体は、第１のブラシ２２０が備えられた第１の凹部を有する。更に、基体は、第２のブラシ２２０が備えられた第２の凹部を有する。第１の凹部と第２の凹部、又はそれぞれのブラシは、デュアル軌道搬送システム上を移動するキャリアがそれぞれの凹部を通って移動しうるように、互いから間隔を置いて配置される。例えば、図５Ｂにおいて、右側のブラシはロードロックチャンバのキャリアの入口に関連し得、左側のブラシは、ロードロックチャンバを出るキャリアの出口に関連しうる。ブラシは、基本的に円形の開口部内に備えられる。開口部は、吸引配置構成の吸引開口部として設けられる。ブラシによってキャリアのロッドから除去される粒子は開口部の中へ落ちてよく、ポンプによって導管を通って除去されうる。

［００３１］本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、ブラシと開口部は、吸引配置構成の一部である導管の一部として設けられる基体の細長い差込部に沿って移動しうる。開口部とブラシは、デュアル軌道搬送システムの入口軌道の、ロードロックチャンバの入口壁に近い位置に移動しうる。開口部とブラシは、細長い差込部内で、デュアル軌道搬送システムの出口軌道の、ロードロックチャンバの入口壁から離れた位置に移動しうる。

［００３２］上記を踏まえ、蓄積した粒子がＰＶＤツールを汚染するのを防止することができるようにするために、本明細書に記載の実施形態に従って、真空処理システムの入口に配置されうるキャリアロッドクリーナーが設けられる。幾つかの実施形態によれば、キャリアのロッドの最上部に空気の流れを供給するノズル配置構成、すなわち空気シャワー又はガスシャワーが設けられうる。例えば、蓄積した粒子を除去するために、複数のノズルによりキャリアのロッドにガス又は空気が吹き付けられる。本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせうる幾つかの実施形態によれば、気流の方向又はガス流の方向は、キャリアロッドの軸に対して基本的に垂直（８０°から１００°）であってよい。

［００３３］本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせうるまた別の実施形態によれば、吸引配置構成、すなわち吸引ポートが設けられうる。例えば、吸引ポートはキャリアのロッドの下であってよい。ノズル配置構成によって、又は空気シャワーによって離れた粒子が、吸引ポート、例えば真空ポートによって引き離される。

［００３４］本明細書に記載の他の実施形態と組み合わせうるまた別の実施形態によれば、ブラシを空気シャワーと吸引ポートの間に備えてもよい。ノズル配置構成、すなわち空気シャワーの気流によって除去されない蓄積された粒子は、ブラシによって捕捉される。ブラシは、真空処理システム内でキャリアを移送している、又は移動させている間にキャリアのロッドをこする。一実行形態によれば、基体の凹部に一又は複数のブラシが備えられうる。例えば、ブラシはロッドから除去される粒子をよりよく捕捉することができるように、静電気防止材料を有しうる。

［００３５］図６に、本明細書に記載の実施形態に係る処理システム１００を示す。処理システムは、第１の真空チャンバ１０１、第２の真空チャンバ１０２、第３の真空チャンバ１０３、及び第４の真空チャンバ１２１を含む。真空チャンバは、堆積チャンバ又は他の処理チャンバであってよく、真空がチャンバ内部で生成される。図６において、処理システムの外の大気条件から処理システムのチャンバ内の真空条件までの遷移を提供するロードロックチャンバ１２２が示され得る。ロードロックチャンバ１２２は、詳しく上述したロードロックチャンバであってよく、例えばロードロックチャンバの内壁に粒子除去装置を含みうる。粒子除去デバイス２００は、本明細書に記載のいずれかの実施形態にしたがって実装されうる。本明細書に記載の実施形態によれば、ロードロックチャンバ１２２と真空チャンバ１０１、１０２、１０３、及び１２１は、搬送システムによって線形搬送路を介して連結される。

［００３６］ロードロックチャンバ１２２は、例えば移送チャンバ等の別の真空チャンバ１２１に連結される。移送チャンバは、例えば堆積チャンバ等の別の真空チャンバ１０１に連結される。図６に示すように、また別の実施形態によれば、堆積チャンバに入る前にキャリア、又は例えばキャリアのロッド等のキャリアの一部が洗浄されるように、移送チャンバに代替的に、又は追加として別の粒子除去装置６００が設けられうる。図６に示す粒子除去デバイス６００は、真空処理システム内の真空条件で操作可能となるように、ガス放出が十分に低い例えばＰＥＥＫ、ステンレス鋼及び他の材料等の材料から製造されうる。また別の実行形態によれば、別の真空除去装置６００は、例えば真空回転モジュール１５０等の一又は複数の他の真空チャンバ内に設けられうる。

［００３７］本明細書に記載の実施形態によれば、搬送システムは、幾つかの搬送軌道１６１、１６３、１６４を含むデュアル軌道搬送システムを含みうる。図６に示す実施例では、搬送システムは更に、搬送路に沿って基板を回転させることができる回転モジュール１５０を含む。例えば、ディスプレイの製造において通常使用される大面積基板は、基板処理システム１００の線形搬送路に沿って搬送されうる。通常、線形搬送路は、例えばラインに沿って配置された複数のローラ等を有する線形搬送軌道等の搬送軌道１６１及び１６３によって提供される。

［００３８］通常の実施形態によれば、搬送軌道及び／又は回転軌道は、大面積基板の底部において搬送システム、また基本的に垂直に配向された大面積基板の最上部において例えば磁気案内システム等の案内システムによって提供され得る。

［００３９］本明細書に記載される他の実施形態と組み合わせうる異なる実施形態によれば、例えば図６に示す真空チャンバ１２２、１２１、１０１、１０２、及び１０３等の真空チャンバのデュアル軌道搬送システム、すなわち第１の搬送路と第２の搬送路を有する搬送システムは、固定デュアル軌道システム、可動単一軌道システム、又は可動デュアル軌道システムによって提供されうる。固定デュアル軌道システムは、第１の搬送軌道及び第２の搬送軌道を含み、第１の搬送軌道と第２の搬送軌道は側方に移動できない、すなわち基板は搬送方向に対して垂直の方向に移動することができない。可動単一軌道システムは、基板が第１の搬送路又は第２の搬送路上に供給されるように、側方、すなわち搬送方向に対して垂直に移動可能な線形搬送路を有することによってデュアル軌道搬送システムを提供し、第１の搬送路と第２の搬送路は互いに離れている。可動デュアル軌道システムは、第１の搬送軌道と第２の搬送軌道を含み、両方の搬送軌道は側方に移動可能である、すなわち両方の搬送軌道は、第１の搬送路から第２の搬送路へ、又はその逆へそれぞれの位置を切り替えることができる。

［００４０］本明細書に記載の実施形態に係るロードロックチャンバと、ロードロックチャンバを含む処理システムにより、処理システムにおける汚染を低減することが可能である。本明細書に記載の幾つかの実施形態に係る粒子除去デバイス又は粒子トラップを使用することにより、真空処理システムにおいて粒子を捕捉する簡単で単純な方法が可能になると同時に、例えば既定のガス放出率等の規定の材料特性を有するそれぞれの材料を使用することによって汚染のリスクが低減される。

［００４１］上記の記述は、本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の実施形態及び更なる実施形態は、本発明の基本的な範囲を逸脱せずに考案してもよく、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。

［００２１］図１に示すように、キャリア１１０によって支持される基板は、真空密閉バルブを通してロードロックチャンバ１２２に最初に提供される。幾つかの実施形態によれば、キャリアはローカルチャンバ１２２に入る時に粒子除去デバイス２００の上を通過する。従って、キャリア、又はキャリアの一部、例えばキャリアのロッドに付着した粒子は、キャリアがロードロックチャンバ１２２に入る前に除去される。

［００２７］図３に、ローカルチャンバの入口壁に装着された粒子除去デバイス２００を示す。ブラシ２２０は、基体２１０、例えば基体２１０の凹部等に装着される。幾つかの実施形態によれば、キャリアのロッドが基体２１０の凹部を通って通過しうるように、基体の凹部は例えば湾曲部を有するくぼんだ形状を有しうる。図３に示すように、一又は複数のガス出口又はガスノズル２３１の第１のセットは、基体の片側、例えば基体の上部及び／又は凹部の片側に設けられる。一又は複数のガス出口の第１のセットは、ガスを凹部の下部へと下方に向けるように構成されうる。一又は複数のガス出口又はガスノズル２３２の第２のセットは、基体の反対側、例えば基体の上部及び／又は凹部の反対側に設けられる。一又は複数のガス出口の第２のセットは、ガスを凹部の下部へと下方に向けるように構成されうる。図３に、吸引配置構成のポンプに連結されうる導管２４３の一部を更に示す。

［００３６］ロードロックチャンバ１２２は、例えば移送チャンバ等の別の真空チャンバ１２１に連結される。移送チャンバは、例えば堆積チャンバ等の別の真空チャンバ１０１に連結される。図６に示すように、また別の実施形態によれば、堆積チャンバに入る前にキャリア、又は例えばキャリアのロッド等のキャリアの一部が洗浄されるように、移送チャンバに代替的に、又は追加として別の粒子除去装置６００が設けられうる。図６に示す粒子除去デバイス６００は、真空処理システム内の真空条件で操作可能となるように、ガス放出が十分に低い例えばＰＥＥＫ、ステンレス鋼及び他の材料等の材料から製造されうる。本明細書に記載の実施形態によれば、粒子除去デバイスは、約１．０Ｅ−８ｍｂａｒ＊ｌ／（ｓ＊ｃｍ^２）と約１．０Ｅ−６ｍｂａｒ＊ｌ／（ｓ＊ｃｍ^２）の間の１時間（１ｈ）当たりのガス放出値を有する材料を含みうる。また別の実行形態によれば、別の真空除去装置６００は、例えば真空回転モジュール１５０等の一又は複数の他の真空チャンバ内に設けられうる。

［００４１］上記の記述は、本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の実施形態及び更なる実施形態は、本発明の基本的な範囲を逸脱せずに考案してもよく、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。
以下、付記を記載する。
［付記１］
キャリアに支持された基板を処理するための真空処理システム用の粒子除去デバイスであって、
凹部を有する基体であって、前記キャリアの一部が前記凹部を通って移動しうるように前記凹部が構成された前記基体と、
前記凹部に備えられ、前記凹部を通って移動する時に、前記キャリアの一部と接触するように構成されているブラシと
を備える、粒子除去デバイス。
［付記２］
前記凹部を通って移動する時に前記キャリアの一部上にガスを向けるように構成された一又は複数のガス出口
を更に備える、付記１に記載の粒子除去デバイス。
［付記３］
前記凹部の開口部と流体連結し、ポンプに接続されるように構成されている吸引ポート
を更に備える、付記１又は２に記載の粒子除去デバイス。
［付記４］
前記一又は複数のガス出口が前記基体の上部に設けられ、特に前記凹部の下部へ下向きにガスを向けるように構成されている、付記１から３のいずれか一項に記載の粒子除去デバイス。
［付記５］
前記一又は複数のガス出口は、第１のガス出口配置構成と第２のガス出口配置構成とを含み、前記第１のガス出口配置構成は前記基体の一方の側に設けられ、前記第２のガス出口配置構成は第１の側とは反対の前記基体の第２の側に設けられている、付記４に記載の粒子除去デバイス。
［付記６］
前記凹部の前記開口部が前記ブラシの下にある、付記３から５のいずれか一項に記載の粒子除去デバイス。
［付記７］
別のキャリアの一部が凹部を通って移動することができるように構成された別の凹部と、
前記別の凹部に備えられた別のブラシと
を更に備え、粒子トラップが、デュアル軌道搬送システムにおいて搬送されるキャリアの粒子を捕捉するように構成されている、付記１から６のいずれか一項に記載の粒子除去デバイス。
［付記８］
前記別の凹部が前記基体に設けられている、付記７に記載の粒子除去デバイス。
［付記９］
キャリアに支持された基板を処理するための真空処理システム用のロードロックチャンバであって、
ロードロックチャンバの空間を形成するロードロック壁と、
前記ロードロックチャンバの中に前記キャリアをロックするように構成され、前記ロードロック壁の入口壁に設けられた入口と、
前記ロードロックチャンバを真空に引くための真空生成装置と、
キャリアに支持された基板を処理するための真空処理システム用の粒子除去デバイスと
を備え、
前記粒子除去デバイスが、
凹部を有する基体であって、前記凹部を通って前記キャリアの一部が移動できるように前記凹部が構成されている基体と、
前記凹部に備えられ、前記凹部を通って移動する時に前記キャリアの一部と接触するように構成されているブラシと
を備える、ロードロックチャンバ。
［付記１０］
前記入口における第１の真空密閉バルブと、
前記ロードロック壁の出口壁において前記キャリアを前記ロードロックチャンバの外へ移送するように構成された出口と、
前記ロードロックチャンバを出る前記基板の前記出口における第２の真空密閉バルブと
を更に備える、付記９に記載のロードロックチャンバ。
［付記１１］
基板を処理するための真空処理システムであって、
前記基板を処理するように適合された真空処理チャンバと、
前記基板を大気条件から前記真空処理チャンバへ移送するように構成された、付記９又は１０に記載のロードロックチャンバと
を備える真空処理システム。
［付記１２］
付記１から８のいずれか一項に記載の第２の粒子除去デバイスであって、約１．０Ｅ−８ｍｂａｒ＊ｌ／（ｓ＊ｃｍ^２）と約１．０Ｅ−６ｍｂａｒ＊ｌ／（ｓ＊ｃｍ^２）の間の１時間ａ１ｈ当たりのガス放出値を有する材料を含み、前記ロードロックチャンバ、前記真空処理チャンバ、又は前記真空処理システムの別の真空チャンバに設けられている前記第２の粒子除去デバイスを更に備える、付記１１に記載の真空処理システム。
［付記１３］
前記真空処理チャンバの真空が、約１０^−７ｍｂａｒと約１０^−５ｍｂａｒの間の範囲の圧力を有する超高真空である、付記１１又は１２のいずれか一項に記載の真空処理システム。
［付記１４］
真空処理システムにおいてキャリアを洗浄する方法であって、
前記真空処理システムのロードロックチャンバの中に前記キャリアをロックすることと、
前記キャリアが前記ロードロックチャンバの中にロックされている間に、ブラシを用いて前記キャリアの一部を洗浄することと
を含む方法。
［付記１５］
前記キャリアが前記ロードロックチャンバの中にロックされている間に、前記キャリアの一部上にガスの流れを向けることと、
前記キャリアの一部から除去された粒子を真空洗浄することと
を更に含む、付記１４に記載の方法。

Claims (15)

1. キャリアに支持された基板を処理するための真空処理システム用の粒子除去デバイスであって、
   凹部を有する基体であって、前記キャリアの一部が前記凹部を通って移動しうるように前記凹部が構成された前記基体と、
   前記凹部に備えられ、前記凹部を通って移動する時に、前記キャリアの一部と接触するように構成されているブラシと
   を備える、粒子除去デバイス。
2. 前記凹部を通って移動する時に前記キャリアの一部上にガスを向けるように構成された一又は複数のガス出口
   を更に備える、請求項１に記載の粒子除去デバイス。
3. 前記凹部の開口部と流体連結し、ポンプに接続されるように構成されている吸引ポート
   を更に備える、請求項１又は２に記載の粒子除去デバイス。
4. 前記一又は複数のガス出口が前記基体の上部に設けられ、特に前記凹部の下部へ下向きにガスを向けるように構成されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の粒子除去デバイス。
5. 前記一又は複数のガス出口は、第１のガス出口配置構成と第２のガス出口配置構成とを含み、前記第１のガス出口配置構成は前記基体の一方の側に設けられ、前記第２のガス出口配置構成は第１の側とは反対の前記基体の第２の側に設けられている、請求項４に記載の粒子除去デバイス。
6. 前記凹部の前記開口部が前記ブラシの下にある、請求項３から５のいずれか一項に記載の粒子除去デバイス。
7. 別のキャリアの一部が凹部を通って移動することができるように構成された別の凹部と、
   前記別の凹部に備えられた別のブラシと
   を更に備え、粒子トラップが、デュアル軌道搬送システムにおいて搬送されるキャリアの粒子を捕捉するように構成されている、請求項１から６のいずれか一項に記載の粒子除去デバイス。
8. 前記別の凹部が前記基体に設けられている、請求項７に記載の粒子除去デバイス。
9. キャリアに支持された基板を処理するための真空処理システム用のロードロックチャンバであって、
   ロードロックチャンバの空間を形成するロードロック壁と、
   前記ロードロックチャンバの中に前記キャリアをロックするように構成され、前記ロードロック壁の入口壁に設けられた入口と、
   前記ロードロックチャンバを真空に引くための真空生成装置と、
   キャリアに支持された基板を処理するための真空処理システム用の粒子除去デバイスと
   を備え、
   前記粒子除去デバイスが、
   凹部を有する基体であって、前記凹部を通って前記キャリアの一部が移動できるように前記凹部が構成されている基体と、
   前記凹部に備えられ、前記凹部を通って移動する時に前記キャリアの一部と接触するように構成されているブラシと
   を備える、ロードロックチャンバ。
10. 前記入口における第１の真空密閉バルブと、
    前記ロードロック壁の出口壁において前記キャリアを前記ロードロックチャンバの外へ移送するように構成された出口と、
    前記ロードロックチャンバを出る前記基板の前記出口における第２の真空密閉バルブと
    を更に備える、請求項９に記載のロードロックチャンバ。
11. 基板を処理するための真空処理システムであって、
    前記基板を処理するように適合された真空処理チャンバと、
    前記基板を大気条件から前記真空処理チャンバへ移送するように構成された、請求項９又は１０に記載のロードロックチャンバと
    を備える真空処理システム。
12. 請求項１から８のいずれか一項に記載の第２の粒子除去デバイスであって、約１．０Ｅ−８ｍｂａｒ＊ｌ／（ｓ＊ｃｍ^２）と約１．０Ｅ−６ｍｂａｒ＊ｌ／（ｓ＊ｃｍ^２）の間の１時間ａ１ｈ当たりのガス放出値を有する材料を含み、前記ロードロックチャンバ、前記真空処理チャンバ、又は前記真空処理システムの別の真空チャンバに設けられている前記第２の粒子除去デバイスを更に備える、請求項１１に記載の真空処理システム。
13. 前記真空処理チャンバの真空が、約１０^−７ｍｂａｒと約１０^−５ｍｂａｒの間の範囲の圧力を有する超高真空である、請求項１１又は１２のいずれか一項に記載の真空処理システム。
14. 真空処理システムにおいてキャリアを洗浄する方法であって、
    前記真空処理システムのロードロックチャンバの中に前記キャリアをロックすることと、
    前記キャリアが前記ロードロックチャンバの中にロックされている間に、ブラシを用いて前記キャリアの一部を洗浄することと
    を含む方法。
15. 前記キャリアが前記ロードロックチャンバの中にロックされている間に、前記キャリアの一部上にガスの流れを向けることと、
    前記キャリアの一部から除去された粒子を真空洗浄することと
    を更に含む、請求項１４に記載の方法。