WO2012140801A1 - 被処理体の搬送機構 - Google Patents

被処理体の搬送機構 Download PDF

Info

Publication number
WO2012140801A1
WO2012140801A1 PCT/JP2011/074987 JP2011074987W WO2012140801A1 WO 2012140801 A1 WO2012140801 A1 WO 2012140801A1 JP 2011074987 W JP2011074987 W JP 2011074987W WO 2012140801 A1 WO2012140801 A1 WO 2012140801A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
conveyance
roller
tray
substrate
processed
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/074987
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
哲宏 大野
重光 佐藤
弘樹 大空
善勝 佐藤
隆滋 松岡
Original Assignee
株式会社アルバック
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社アルバック filed Critical 株式会社アルバック
Priority to JP2013509736A priority Critical patent/JP5721816B2/ja
Priority to KR1020137018513A priority patent/KR101537249B1/ko
Priority to CN201180065526.2A priority patent/CN103329257B/zh
Publication of WO2012140801A1 publication Critical patent/WO2012140801A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B65G49/061—Lifting, gripping, or carrying means, for one or more sheets forming independent means of transport, e.g. suction cups, transport frames
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B65G49/063—Transporting devices for sheet glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67709—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using magnetic elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G2249/00—Aspects relating to conveying systems for the manufacture of fragile sheets
    • B65G2249/02—Controlled or contamination-free environments or clean space conditions

Definitions

  • the present invention relates to a transfer mechanism for transferring an object to be processed in a vacuum processing apparatus.
  • This application claims priority on April 15, 2011 based on Japanese Patent Application No. 2011-091409 for which it applied to Japan, and uses the content here.
  • multiple layers are formed using a heating process that raises the temperature to a desired temperature under vacuum, or a processing device such as sputtering, CVD, or etching.
  • a processing device such as sputtering, CVD, or etching.
  • Various film forming steps are required.
  • a film forming apparatus for forming a substrate in a horizontal state has a problem that when the substrate is enlarged, the apparatus is also enlarged. Therefore, in recent years, a vertical type film forming apparatus for forming a film or the like by making the substrate substantially upright has been developed.
  • FIG. 17 is a diagram showing a basic configuration of a conventional film forming apparatus.
  • a conventional film forming apparatus 100 includes a substrate attaching / detaching chamber 120, first to third three vacuum processing chambers 200, 220, 240 connected on one line, a substrate tray on the atmosphere side, and vacuum processing chambers 200, 220, L / UL chambers (Load / Unload) 140 for conveying between 240.
  • a vacuum exhaust device 300 is attached to the L / UL chamber 140.
  • a heating device and a vacuum exhaust device 300 are attached to the heating chamber.
  • film forming apparatuses 210, 230, and 250 such as a sputtering apparatus and a vacuum exhaust apparatus 300 are attached, respectively.
  • a first tray serving as a forward path through which the substrate tray is transported from the L / UL chamber 140 to the vacuum processing chambers 200, 220, and 240.
  • Two transfer paths 160 and 180 are provided, which are a transfer path 160 and a second transfer path 180 serving as a return path from each vacuum processing chamber 200, 220, 240 to the L / UL chamber 140 through the heating chamber. .
  • the third vacuum processing chamber 240 at the rearmost part of the film forming apparatus 100 is configured to transfer the substrate tray from the first transfer path (forward path) 160 to the second transfer path (return path) 180, and the two transfer paths 160 and 180.
  • the first and second transfer paths 160 and 180 are composed of a pair of rails, and the substrate tray is moved on the rails by a plurality of pairs of wheels provided at the bottom thereof. Also, a rack is provided on the lower surface of the substrate tray, and a plurality of pinion gears that are rotated by the rotational force of the motor are provided in the substrate attaching / detaching chamber 120 and the first to third vacuum processing chambers 200, 220, and 240, respectively. ing. By engaging the pinion gear and the rack, the driving force of the motor is transmitted to the substrate tray, and the substrate tray is conveyed.
  • the substrate tray is transported to the L / UL chamber 140, and the L / UL chamber 140 is evacuated and evacuated to a vacuum. It is transported to the first transport path 160 that is prepared in the processing chamber 200 and serves as the forward path.
  • the substrate tray (substrate carrier) is subjected to vacuum processing such as heating and film formation in the vacuum processing chambers 200, 220, and 240 while being transported through the first transport path (outward path) 160. .
  • the substrate tray is transferred to the second transfer path 180 serving as a return path by a transfer mechanism (not shown), and film formation is performed in the vacuum processing chambers 200, 220, and 240, respectively.
  • Etc. are vacuum-processed.
  • the substrate is removed from the substrate tray in the substrate attaching / detaching chamber 120 through the L / UL chamber 140 with the vacuum-treated substrate placed thereon.
  • the present invention has been devised in view of such conventional circumstances, and can suppress the generation of particles due to wear, improve the yield, and extend the life of the apparatus. It is an object of the present invention to provide a conveyance mechanism for an object to be processed.
  • the conveyance mechanism of the to-be-processed object which concerns on the 1st aspect of this invention is equipped with the cylindrical slide shaft in the lower part,
  • a support member comprising a plurality of rollers, each having at least one contact portion of the slide shaft and the roller, wherein silicon, aluminum, oxygen, And at least the other contact portion of the slide shaft and the roller may be made of stainless steel.
  • the bulk body may further include at least one of yttrium, calcium, magnesium, lithium, and sodium.
  • the U-shaped groove portion of the support member may have a radius of curvature R in the range of 15 to 40 mm. .
  • the transport speed at which the transport member is moved by the support member is in the range of 1 to 3000 mm / sec. May be.
  • a conveyance acceleration for moving the conveyance member by the support member is 1200 mm / sec 2 or less during acceleration and a deceleration. Sometimes it may be -650 mm / sec 2 or less.
  • the transfer member may vertically transfer the object to be processed.
  • the transport mechanism according to an aspect of the present invention can suppress the generation of particles due to wear without depending on the use environment under reduced pressure or atmospheric pressure. According to the conveyance mechanism of the object to be processed according to the aspect of the present invention, generation of particles due to wear can be suppressed. Furthermore, it is possible to provide a conveyance mechanism for an object to be processed, which can improve the yield and can extend the life of the apparatus.
  • FIG. 1 It is a figure which shows typically the example of 1 structure of the film-forming apparatus provided with the conveyance mechanism of the to-be-processed object which concerns on embodiment of this invention. It is a figure which shows an example of the board
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration example of a film forming apparatus provided with a transport mechanism for an object to be processed according to an embodiment of the present invention.
  • the film forming apparatus 1 includes two L / UL chambers (Load / Unload) 10A and 10B, a tray storage chamber 60 arranged in order, a heating chamber 20, a first film forming chamber 30, and a second chamber.
  • a film forming chamber 40 is provided.
  • a substrate attaching / detaching chamber 50 is arranged in front of the L / UL chambers 10A and 10B.
  • the chambers communicate with each other via a door valve (not shown).
  • the L / UL chambers 10A and 10B, the heating chamber 20 and the first film forming chamber 30 are provided with evacuation devices 12, 22, and 32, respectively, for evacuating the interior thereof. It has been.
  • the substrate attaching / detaching chamber 50 attaches the substrate 2 (object to be processed) carried from the outside to the tray 70.
  • the tray 70 holds the substrate 2 in an upright position, and then is turned in the direction of the L / UL chambers 10A and 10B by a rotation mechanism (not shown), and is carried in parallel to the L / UL chambers 10A and 10B.
  • the tray 70 on which the vacuum-treated substrate 2 is placed is transported from the L / UL chambers 10 ⁇ / b> A and 10 ⁇ / b> B, and thus the substrate 2 is removed from the tray 70.
  • the tray 70 from which the substrate 2 has been removed is used for transporting the next substrate 2.
  • the L / UL chambers 10 ⁇ / b> A and 10 ⁇ / b> B prepare and take out the substrate attaching / detaching chamber 50 and the tray 70 in a state opened to the atmospheric pressure.
  • the L / UL chambers 10A and 10B are provided with evacuation devices 12A and 12B, respectively, for evacuating the inside thereof.
  • a heating device 23 is provided in the heating chamber 20, and the temperature is raised to a temperature suitable for film formation of the substrate 2.
  • the heating chamber 20 is provided with an evacuation device 22 for evacuating the inside thereof.
  • the substrate 2 is subjected to film forming processing by the film forming apparatuses 33 and 43.
  • the film forming apparatuses 33 and 43 are not particularly limited, and examples include a cathode for sputtering and a parallel plate type electrode for CVD.
  • the substrate 2 as the object to be processed is subjected to processing such as heating and film formation while being transferred by the transfer member.
  • the conveyance member that conveys the substrate 2 includes a tray 70 (carrier) that holds the substrate 2 and a line 80 that conveys the tray 70 on which the substrate 2 is held. Further, the conveying member conveys the substrate 2 in a vertical type.
  • the reason why the substrate 2 is placed vertically is that the substrate itself has become larger and thinner with the spread of large liquid crystal displays and plasma displays. Since the flat area is increased accordingly, the vertical type is intended to save space. Further, in the case of horizontal placement, the substrate 2 is bent due to its own weight, it is difficult to maintain flatness, and uniform film formation becomes difficult.
  • the said 1st film-forming chamber 30 has the track
  • the line 80 includes a first line 81 and a second line 82.
  • the film forming apparatus 1 includes a moving device (not shown) for moving the tray 70 from the first line 81 to the second line 82 (return path) in a direction transverse to the line.
  • This moving device has a mechanism for temporarily lifting the tray 70 on the first track 81 and transferring it to the second track 82.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a schematic configuration of the tray 70.
  • the tray 70 has a frame-like frame 71 made of aluminum or the like, a magnet 72 provided along the upper side of the frame 71, and a columnar shape provided along the lower side of the frame 71.
  • Slider shaft 73 a substrate receiver 74 for receiving the load of the substrate 2 and maintaining the level of the substrate 2; a clamp 75 for holding the substrate 2 on the tray 70; And a mask 76 for covering the film region.
  • the track 80 includes a lower support mechanism 84 configured to be able to transport the tray 70 while supporting the load of the tray 70, and an upper support mechanism 88 configured to be able to support the upper portion of the tray 70 in a non-contact manner.
  • the tray 70 is configured to be movable while being held substantially vertically by the lower support mechanism 84 and the upper support mechanism 88.
  • FIG. 3 and 4 are perspective views showing the configuration of the lower support mechanism 84.
  • the lower support mechanism 84 includes a motor 85 and a roller 86.
  • the roller 86 includes a U-shaped groove 86 a that guides the tray 70.
  • the motor 85 is driven, the roller 86 is rotated, and the tray 70 is horizontally moved on the roller 86.
  • the slider shaft 73 provided at the lower portion of the tray 70 is engaged with the groove portion 86a of the roller 86, so that the tray 70 can be moved horizontally.
  • the transport mechanism is composed of a slider shaft 73 and a roller 86.
  • the shaft and roller system By employing the shaft and roller system, the amount of wear can be greatly reduced compared to a rack and pinion system transport mechanism.
  • the groove 86a of the roller 86 is U-shaped, so that it can be smoothly conveyed and wear of the slide shaft 73 and the roller 86 can be greatly suppressed. Generation can be reduced.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing the configuration of the upper support mechanism 88.
  • the upper support mechanism 88 is provided with a plurality of magnets 89.
  • a magnet 72 is also attached to the upper side of the tray 70, and is arranged so that the magnet 89 and the magnet 72 face each other in the vertical direction and the magnets 89 and 72 are attracted to each other.
  • the magnets 89 and 72 are attracted to each other, and the tray 70 can be held in a vertical state. That is, by holding the substrate 2 vertically, it is possible to suppress an increase in the installation area of the film forming apparatus 1 accompanying the increase in the size of the substrate 2 and to avoid the influence of the deflection of the large substrate 2.
  • the conveyance mechanism of the to-be-processed object which concerns on embodiment of this invention is a silicon
  • Si silicon
  • Al aluminum
  • oxygen at least one contact part of the slide shaft 73 of the carrier 70, or the roller 86 of the lower part support mechanism 84. It is comprised from the bulk body containing (O) and nitrogen (N), and the at least contact part of the other of the slide shaft 73 or the roller 86 is comprised from stainless steel (SUS).
  • Such a bulk body containing silicon (Si), aluminum (Al), oxygen (O) and nitrogen (N) is not particularly limited.
  • SiAlON sialon
  • SiAlON is used in a high temperature environment. It is excellent in mechanical strength, thermal shock resistance and abrasion resistance, and is preferable.
  • the bulk body further includes at least one of yttrium, calcium, magnesium, lithium, and sodium. Furthermore, by using the material containing the above elements, the wear of the slide shaft 73 and the roller 86 can be greatly suppressed, and the generation of dust due to wear can be reduced.
  • the U-shaped groove portion of the roller 86 preferably has a curvature radius R in the range of 20 to 34 mm.
  • the radius of curvature R of the groove portion decreases, the slip coefficient tends to increase while the internal shear stress tends to decrease.
  • the radius of curvature R is large (the groove is shallow).
  • the radius of curvature R is small (the groove is deep).
  • the radius of curvature R of the groove is preferably 20 mm ⁇ R ⁇ 34 mm.
  • the conveyance speed [mm / sec] for moving the tray 70 (conveyance member) is 1 to 2 under any conditions of reduced pressure or atmospheric pressure. A range of 3000 is preferred. Further, when the tray 70 (conveying member) is moved, if the conveyance acceleration [mm / sec 2 ] exceeds 1200 when the tray 70 is accelerated, a conveyance deviation may occur. On the other hand, when the tray 70 decelerates, if it exceeds 650, it may cause a conveyance shift, which is not preferable. However, these numerical values are based on actually measured data when the weight of the tray 70 is 240 kg.
  • the film-forming apparatus 1 provided with the conveyance mechanism of the to-be-processed object which concerns on embodiment of this invention is the board
  • the carrying member to be placed is moved from the first line 81 (outward path) to the second line 81 (return path) by the moving member inside the film forming chambers 30 and 40, and along the second line 82, the film forming chamber 30. , 40 through the heating chamber 20 and the tray storage chamber 60 to the L / UL chambers 10A and 10B.
  • the friction between the slide shaft and the roller can be reduced by defining the material of the contact portion between the slide shaft and the roller.
  • production of the particle by wear can be suppressed.
  • the yield can be improved and the life of the apparatus can be extended.
  • FIG. 6 shows the relationship between the number of reciprocations of the conveyance path and the amount of wear powder per roller for Experimental Examples 1 to 3.
  • the amount of wear powder was measured with an electronic balance with a tray placed under the roller. As is apparent from FIG. 6, it was found that the amount of wear can be significantly reduced in Experimental Example 1 in which the shaft and the roller are conveyed compared to Experimental Examples 2 and 3 in which the rack and pinion are conveyed.
  • the material of the roller was SUS440C (surface roughness Ra ⁇ 0.4 ⁇ m).
  • the material of the roller was USR-1 using a ceramic material.
  • USR-1 means a bulk body containing silicon (Si), aluminum (Al), oxygen (O) and nitrogen (N), and further an element M (yttrium, calcium, magnesium, lithium, sodium Is an abbreviation for a ceramic material containing at least one of them.
  • the preferable composition [mol%] ranges in this ceramic material are 0 ⁇ Al ⁇ 33, 0 ⁇ O ⁇ 33, 25 ⁇ N ⁇ 60, 0 ⁇ (element M) ⁇ 7, and the balance Si.
  • suitable physical property values in this ceramic material include three-point bending strength [MPa]:> 850, fracture toughness value [MPa ⁇ m 1/2 ]:> 5, Young's modulus [GPa]:> 290, bulk Density [g ⁇ cm ⁇ 3 ]:> 3.2, and the like.
  • the material of the roller was SUS440C. However, the shape of the groove was V-shaped.
  • FIG. 7 shows the relationship between the number of reciprocations of the conveyance path and the total amount of wear powder per two rollers for Experimental Example 4 to Experimental Example 8.
  • the amount of wear was suppressed in the rollers of Experimental Examples 5 and 6 made of SUS material compared to the roller of Experimental Example 4 made of Al 2 O 3 .
  • the amount of wear was smaller than in Experimental Example 5 with a large surface roughness Ra.
  • the wear amount of the roller of Experimental Example 7 made of USR-1 can be further greatly reduced compared to the roller made of SUS material.
  • FIGS. 8 shows a case where a running experiment is performed in a vacuum
  • FIG. 9 shows a case where a running experiment is performed in the atmosphere
  • FIG. 10 shows a case where a running experiment is performed in a heating vacuum
  • FIG. FIG. 12 shows a case where a running experiment is performed in a vacuum.
  • the experimental example 9 using sialon as the material of the roller has an amount of wear even in the vacuum conveyance as compared with the experimental example 13 using the roller made of the SUS material. It was found that can be greatly reduced. Further, as apparent from FIGS.
  • sialon as the material of the roller can greatly reduce the amount of wear in any of atmospheric conveyance, vacuum heating conveyance, and vacuum high-speed conveyance.
  • sialon as the material of the roller, the friction between the slide shaft and the roller is kept low regardless of whether the space used is under reduced pressure or atmospheric pressure (ie, reduced pressure atmosphere or atmospheric pressure atmosphere). It was confirmed that
  • FIG. 13 shows the relationship between the number of reciprocations of the conveyance path and the total amount of wear powder per two rollers.
  • the roller of Experimental Example 14 in which the material of the roller is sialon is compared with Experimental Example 15 in which the material of the roller is SUS, and the amount of wear is also reduced in the combined conveyance of vacuum conveyance and vacuum heating conveyance. It was found that it can be greatly reduced.
  • FIG. 14 shows the relationship between the number of reciprocations of the conveying path and the total amount of wear powder per two rollers for Experimental Examples 16 to 19.
  • the rollers of Experimental Examples 18 and 19 in which both of the shaft and the roller are USR-1 are compared to Experimental Examples 16 and 17 made of SUS material. It was found that the amount could be greatly reduced. Further, it is considered that the same effect can be obtained even when the roller is made of SUS material and the shaft is made of USR-1.
  • FIG. 15 shows the relationship between the number of reciprocations of the conveyance path and the total amount of wear powder per two rollers for Experimental Example 20 to Experimental Example 21.
  • FIG. 16 shows the relationship between the radius of curvature R of the groove, the slip coefficient, and the internal shear stress.
  • the radius of curvature R of the groove the greater the slip coefficient
  • the radius of curvature R of the groove the smaller the internal shear stress.
  • the radius of curvature R is large (the groove is shallow).
  • the radius of curvature R is small (the groove is deep).
  • the radius of curvature R is preferably 20 mm ⁇ R ⁇ 34 mm.
  • the transport mechanism includes a “cylindrical slide shaft at a lower portion and a transport member (tray) for carrying the object to be processed” and “the slide member is brought into contact with the slide shaft to guide the transport member.
  • a supporting member comprising a plurality of rollers provided with a U-shaped groove portion, and by defining the material of the contact portion between the slide shaft and the roller, the space used is large under reduced pressure.
  • the friction between the slide shaft and the roller can be reduced under any atmospheric pressure (that is, a reduced pressure atmosphere or an atmospheric pressure atmosphere).
  • the conveyance mechanism which concerns on embodiment of this invention can suppress generation
  • the present invention can be widely applied to the conveyance mechanism of the object to be processed.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Rollers For Roller Conveyors For Transfer (AREA)

Abstract

　円柱状のスライドシャフトを下部に備え、被処理体を運ぶ搬送部材と、前記スライドシャフトと接して、前記搬送部材を誘導するＵ字状の溝部を備えた、複数のローラーからなる支持部材と、を備える被処理体の搬送機構であって、前記スライドシャフト及び前記ローラーのうちの一方の少なくとも接触部が、シリコン、アルミニウム、酸素、および窒素を含むバルク体から構成され、前記スライドシャフト及び前記ローラーのうちの他方の少なくとも接触部が、ステンレス鋼から構成されている。

Description

被処理体の搬送機構
　本発明は、真空処理装置において、被処理体を搬送する搬送機構に関する。
　本願は、２０１１年４月１５日に、日本に出願された特願２０１１－０９１４０９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　例えば、プラズマディスプレイや液晶ディスプレイに用いられる大型ガラス基板を加工するには、真空下において、所望の温度まで昇温させる加熱工程や、スパッタリング、ＣＶＤ、或いは、エッチング等の加工装置で複数層成膜する種々の成膜工程が必要である。
　従来より、種々の成膜装置が実用に供されている。基板を水平状態で成膜する成膜装置では、基板が大型化すると、それに伴って装置も大型化するという問題を備えている。従って、近年では、基板を略直立させて成膜等を行う縦型方式の成膜装置が開発されている。
　図１７は、従来の成膜装置の基本構成を示す図である。
　従来の成膜装置１００は、基板着脱室１２０、１ライン上に連結された第一乃至第３の３つの真空処理室２００、２２０、２４０、基板トレーを大気側と真空処理室２００、２２０、２４０間で搬送するＬ／ＵＬ室（Ｌｏａｄ／Ｕｎｌｏａｄ：仕込／取出）１４０と、を備える。
　なお、Ｌ／ＵＬ室１４０には真空排気装置３００が取り付けられている。加熱室には、加熱装置及び真空排気装置３００が取り付けられている。各真空処理室２００、２２０、２４０には、スパッタリング装置等の成膜装置２１０、２３０、２５０、及び真空排気装置３００がそれぞれ取り付けられている。
　また、Ｌ／ＵＬ室１４０内及び各真空処理室２００、２２０、２４０内には、基板トレーがＬ／ＵＬ室１４０から各真空処理室２００、２２０、２４０に搬送される往路となる第一の搬送経路１６０と、各真空処理室２００、２２０、２４０から加熱室を経てＬ／ＵＬ室１４０に搬送される復路となる第二の搬送経路１８０の２つの搬送経路１６０、１８０が設けられている。
　更に、成膜装置１００の最後部の第三の真空処理室２４０は、基板トレーを第一の搬送経路（往路）１６０から第二の搬送経路（復路）１８０に、２つの搬送経路１６０、１８０に対して横方向に移動させて移載する移載機構（図示せず）を備えている。この移載機構は、第一の搬送経路（往路）１６０上の基板トレーを一旦持ち上げ、第二の搬送経路（復路）１８０に移載する機構を有している。
　第一及び第二の搬送経路１６０、１８０は、１対のレールからなり、基板トレーはその底部に設けられた複数対の車輪によって、このレール上を移動する。
　また、基板トレーの下面にはラックが設けられ、基板着脱室１２０、第１乃至第３の真空処理室２００、２２０、２４０にはモータの回転力で回転させられるそれぞれ複数個のピニオンギヤが設けられている。ピニオンギヤとラックを噛み合わせることにより、モータの駆動力を基板トレーに伝達して、基板トレーを搬送する。
　このような従来の成膜装置１００の基本動作について説明する。
　基板着脱室１２０で、基板トレーに基板を載置されると、この基板トレーは、Ｌ／ＵＬ室１４０に搬送され、このＬ／ＵＬ室１４０が真空排気され、高真空化された後に、真空処理室２００内に用意されている、往路となる第一の搬送経路１６０に搬送される。
　基板トレー（基板キャリア）は、第一の搬送経路（往路）１６０を搬送されながら、真空処理室２００、２２０、２４０において、載置された基板が加熱や成膜等の真空処理が施される。
　真空処理室２４０で基板が真空処理された後は、基板トレーは復路となる第二の搬送経路１８０に、図示しない移載機構により移載され、真空処理室２００、２２０、２４０においてそれぞれ成膜等の真空処理がなされる。基板トレーは、真空処理された基板を載置した状態で、Ｌ／ＵＬ室１４０を経て、基板着脱室１２０で基板が取り外される。
　しかしながら、上述したような従来のラック及びピニオン形式の搬送機構では、ラックとピニオンギヤとの摩擦により、ギヤの欠けや磨耗によるパーティクル（ダスト）が発生し、歩留まりの低下、及び装置の寿命を縮める大きな要因となっていた。
日本国特開２００５－３４０４２５号公報
　本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、磨耗によるパーティクルの発生を抑制し、歩留まりを向上することが可能であり、装置の長寿命化を図ることが可能な被処理体の搬送機構を提供することを目的とする。
　本発明の第１態様に係る被処理体の搬送機構は、円柱状のスライドシャフトを下部に備え、被処理体を運ぶ搬送部材と、前記スライドシャフトと接して、前記搬送部材を誘導するＵ字状の溝部を備えた、複数のローラーからなる支持部材と、を備える被処理体の搬送機構であって、前記スライドシャフト及び前記ローラーのうちの一方の少なくとも接触部が、シリコン、アルミニウム、酸素、および窒素を含むバルク体から構成され、前記スライドシャフト及び前記ローラーのうちの他方の少なくとも接触部が、ステンレス鋼から構成されてもよい。
　本発明の第２態様に係る被処理体の搬送機構は、第１態様において、前記バルク体は、さらに、イットリウム、カルシウム、マグネシウム、リチウム、ナトリウムのうち少なくとも１つを含んでもよい。
　本発明の第３態様に係る被処理体の搬送機構は、第１または第２態様において、前記支持部材のＵ字状の溝部は、その曲率半径Ｒが１５～４０ｍｍの範囲であってもよい。
　本発明の第４態様に係る被処理体の搬送機構は、第１乃至第３態様のいずれかにおいて、前記支持部材により前記搬送部材を移動させる搬送速度は、１～３０００ｍｍ／ｓｅｃの範囲であってもよい。
　本発明の第５態様に係る被処理体の搬送機構は、第１乃至第４態様のいずれかにおいて、前記支持部材により前記搬送部材を移動させる搬送加速度は、加速時に１２００ｍｍ／ｓｅｃ２以下、減速時に－６５０ｍｍ／ｓｅｃ２以下であってもよい。
　本発明の第６態様に係る成膜装置は、第１又は第２態様において、前記搬送部材は、被処理体を縦型搬送してもよい。
　本発明の態様に係る搬送機構は、減圧下又は大気圧下の使用環境に依存せず、磨耗によるパーティクルの発生を抑制することができる。
　本発明の態様に係る被処理体の搬送機構によれば、磨耗によるパーティクルの発生を抑制することができる。さらに、歩留まりを向上することが可能であり、さらに装置の長寿命化を図ることが可能な被処理体の搬送機構を提供することができる。
本発明の実施形態に係る被処理体の搬送機構を備えた成膜装置の一構成例を模式的に示す図である。 基板が搭載される基板トレーの一例を示す図である。 基板トレーの下部支持機構の一例を示す図である。 基板トレーの下部支持機構の一例を示す図である。 基板トレーの上部支持機構の一例を示す図である。 搬送方式を変えた場合の、搬送経路の往復回数と磨耗粉量との関係を示す図である。 搬送方式を変えた場合の、搬送経路の往復回数と磨耗粉量との関係を示す図である。 真空中で走行実験を行った場合の、搬送経路の往復回数と磨耗粉量との関係を示す図である。 大気中で走行実験を行った場合の、搬送経路の往復回数と磨耗粉量との関係を示す図である。 加熱真空中で走行実験を行った場合の、搬送経路の往復回数と磨耗粉量との関係を示す図である。 真空中で高速走行実験を行った場合の、搬送経路の往復回数と磨耗粉量との関係を示す図である。 真空中で走行実験を行った場合の、搬送経路の往復回数と磨耗粉量との関係を示す図である。 真空搬送と真空加熱搬送との組み合わせで走行実験を行った場合の、搬送経路の往復回数と磨耗粉量との関係を示す図である。 シャフトの材質と、ローラーの材質との組み合わせを各種変えた場合の、搬送経路の往復回数と磨耗粉量との関係を示す図である。 真空搬送と大気搬送の組み合わせで走行実験を行った場合の、搬送経路の往復回数と磨耗粉量との関係を示す図である。 ローラーの溝部について曲率半径Ｒと滑り係数及び内部せん断応力との関係を示す図である。 従来の被処理体の搬送機構を備えた成膜装置の一構成例を模式的に示す図である。
　以下、本発明の実施形態に係る被処理体の搬送機構について説明する。
　図１は、本発明の実施形態に係る被処理体の搬送機構を備えた成膜装置の一構成例を模式的に示す図である。
　この成膜装置１は、２つのＬ／ＵＬ室（Ｌｏａｄ／Ｕｎｌｏａｄ：仕込／取出）１０Ａ，１０Ｂ、順番に配されたトレー貯蔵室６０、加熱室２０、第１成膜室３０、及び第２成膜室４０を備える。また、Ｌ／ＵＬ室１０Ａ，１０Ｂの前には、基板着脱室５０が配されている。
　各室間はドアバルブ（図示略）を介して連通されている。また、これらＬ／ＵＬ室１０Ａ，１０Ｂ、前記加熱室２０、第１成膜室３０には、それらの内部をそれぞれ真空排気するための真空排気装置１２，２２，３２が、それぞれ独立して設けられている。
　基板着脱室５０は、外部から運ばれてきた基板２（被処理体）をトレー７０に取付ける。トレー７０は、基板２を略直立させて固定保持し、その後、回転機構（図示略）によりＬ／ＵＬ室１０Ａ，１０Ｂの方向に方向転換され、Ｌ／ＵＬ室１０Ａ，１０Ｂに平行に搬入される。
　また、後述するように、基板着脱室５０では、真空処理された基板２を載置したトレー７０が、Ｌ／ＵＬ室１０Ａ，１０Ｂから搬送されて来るので、この基板２をトレー７０から取り外す。基板２が取り外されたトレー７０は、次の基板２の搬送に利用される。
　Ｌ／ＵＬ室１０Ａ，１０Ｂは、大気圧に開放された状態で、基板着脱室５０とトレー７０の仕込みと取り出しを行う。
　Ｌ／ＵＬ室１０Ａ，１０Ｂには、その内部を真空排気するための真空排気装置１２Ａ，１２Ｂがそれぞれ設けられている。
　一般に、Ｌ／ＵＬ室１０Ａ，１０Ｂでは、トレー７０の搬入搬出の他に、真空排気と大気圧開放が行われる。
　Ｌ／ＵＬ室１０Ａ，１０Ｂにおける前記作業時間が、各真空処理室（加熱室２０及び成膜室３０，４０）における真空処理（加熱、成膜）に要する加工時間よりも大幅に長い場合、Ｌ／ＵＬ室１０Ａ，１０Ｂが単数である場合、トレー７０の真空処理室への仕込みに手間取り、各真空処理室では真空処理が行えないブランクタイムが生じ、生産効率が低下するという問題が生じる。
　そこで、この成膜装置では、複数（図示のものは２つ）のＬ／ＵＬ室１０Ａ、１０Ｂと、加熱室２０、成膜室３０，４０に送られるトレー７０、及び、Ｌ／ＵＬ室１０Ａ、１０Ｂに送り出されるトレー７０を一時的に貯蔵しておくトレー貯蔵室６０を設置している。これにより、生産効率の向上を図ることができる。
　加熱室２０には加熱装置２３が設けられており、基板２の成膜に適した温度まで昇温する。
　加熱室２０には、その内部を真空排気するための真空排気装置２２が設けられている。
　成膜室３０，４０では、成膜装置３３，４３により、基板２は成膜処理される。
　成膜装置３３，４３としては、特に限定されるものではないが、例えば、スパッタ用のカソードや、ＣＶＤ用の平行平板型の電極が挙げられる。
　このような成膜装置１において、被処理体である基板２は、搬送部材により搬送されながら、加熱や成膜などの処理が施される。
　基板２を搬送する搬送部材は、基板２を保持するトレー７０（キャリア）と、基板２が保持されたトレー７０を搬送する線路８０とを備える。また、搬送部材は、基板２を縦型搬送する。
　ここで、基板２が縦置きにされるのは、主として、大型の液晶ディスプレイやプラズマディスプレイが普及するに伴い、基板自体が大型化、薄型化しており、横置きの場合は成膜装置自体の平面積がそれに伴って大型化するので、縦型とすることで省スペース化を図る趣旨である。また、横置きの場合は、基板２の自重による撓みが生じ、平坦性を保持することが難しく、均一な成膜が困難となるためである。
　そして、この成膜装置１では、前記第１成膜室３０には各々往路と復路からなる線路８０があり、この線路８０は全て、前記Ｌ／ＵＬ室１０Ａ，１０Ｂ、前記加熱室２０、及び成膜室３０，４０を貫通して配置されている。線路８０は、第一線路８１と、第二線路８２とを備える。
　また、成膜装置１は、トレー７０を第一線路８１から第二線路８２（復路）に、線路に対して横方向に移動させて移載する移動装置（図示せず）を備えている。この移動装置は、第一線路８１上のトレー７０を一旦持ち上げ、第二線路８２に移載する機構を有している。
　図２は、トレー７０の概略構成を示す斜視図である。
　図２に示すように、トレー７０は、アルミニウムなどからなる枠状のフレーム７１と、フレーム７１の上辺に沿うように設けられたマグネット７２と、フレーム７１の下辺に沿うように設けられた円柱状のスライダシャフト７３と、基板２の荷重を受け、かつ基板２の水平度を保持するための基板受け７４と、基板２をトレー７０に保持させるためのクランプ７５と、基板２の周縁の非成膜領域を覆うためのマスク７６とを備えている。
　線路８０は、トレー７０の荷重を支持しながらトレー７０を搬送可能に構成された下部支持機構８４と、トレー７０の上部を非接触で支持可能に構成された上部支持機構８８とを備えている。トレー７０は、下部支持機構８４および上部支持機構８８により略垂直に保持された状態で移動可能に構成されている。
　図３及び図４は、下部支持機構８４の構成を示す斜視図である。
　図３に示すように、下部支持機構８４は、モータ８５と、ローラー８６とを備えている。図４に示すように、ローラー８６は、トレー７０を誘導するＵ字状の溝部８６ａを備えている。モータ８５が駆動することで、ローラー８６が回転し、ローラー８６上をトレー７０が水平移動するように構成されている。具体的には、トレー７０の下部に設けられたスライダシャフト７３がローラー８６の溝部８６ａに係合し、トレー７０が水平移動可能に構成されている。
　本発明の実施形態では、搬送機構を、スライダシャフト７３とローラー８６とで構成している。シャフト及びローラー方式を採用することで、ラック及びピニオン方式の搬送機構に比べて、大幅に磨耗量を削減することができる。
　また、本発明の実施形態では、ローラー８６の溝部８６ａをＵ字形状とすることで、滑らかな搬送ができるとともに、スライドシャフト７３とローラー８６の磨耗を大幅に抑えることができ、磨耗によるダストの発生を低減できる。
　また、図５は、上部支持機構８８の構成を示す説明図である。
　図５に示すように、上部支持機構８８は複数のマグネット８９が設けられている。そして、トレー７０の上辺にもマグネット７２が取り付けられており、マグネット８９とマグネット７２が垂直方向に対向するように、かつ互いのマグネット８９，７２が吸着しあうように配置される。
　このように構成することで、マグネット８９，７２同士が吸着しあい、トレー７０を垂直状態に保持することが可能となる。つまり、基板２を垂直保持することにより、基板２の大型化に伴う成膜装置１の設置面積の増大を抑えることができるとともに、大型基板２のたわみによる影響を回避することができる。
　そして、本発明の実施形態に係る被処理体の搬送機構は、キャリア７０のスライドシャフト７３又は下部支持機構８４のローラー８６の一方の少なくとも接触部が、シリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含むバルク体から構成され、スライドシャフト７３又はローラー８６の他方の少なくとも接触部が、ステンレス鋼（ＳＵＳ）から構成されている。
　スライドシャフト７３又はローラー８６の接触部を上記のような材料により構成することで、スライドシャフト７３とローラー８６の磨耗を抑えることができ、磨耗によるダストの発生を低減できる。これにより歩留まりを向上できるとともに、装置の長寿命化を図ることができる。
　このようなシリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含むバルク体としては、特に限定されるものではないが、例えばサイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）が、高温環境下での機械的強度、耐熱衝撃性、耐摩耗性に優れ、好ましい。
　本発明の実施形態に係る被処理体の搬送機構において、前記バルク体が、さらに、イットリウム、カルシウム、マグネシウム、リチウム、ナトリウムのうち少なくとも１つを含むことが好ましい。
　さらに、上記のような元素を含む材料を用いることにより、スライドシャフト７３とローラー８６の磨耗を大幅に抑えることができ、磨耗によるダストの発生を低減できる。
　ローラー８６が有するＵ字状の溝部は、その曲率半径Ｒが２０～３４ｍｍの範囲であることが好ましい。
　後掲する図１６に示されるように、溝部の曲率半径Ｒが小さくなるほど、滑り係数は大きくなるのに対して、内部せん断応力は小さくなる傾向がある。
　摺動による磨耗を少なくするためには、曲率半径Ｒが大きい（溝部が浅い）方がよい。
　一方、転がり疲れによる削れを防止するためには、曲率半径Ｒが小さい（溝部が深い）方がよい。これらの滑り係数と内部せん断応力とを考慮し、溝部の曲率半径を所定範囲とすることで、転がり疲れによる削れと摺動による磨耗の双方を抑えることができる。例えば、溝部の曲率半径Ｒを、２０ｍｍ≦Ｒ≦３４ｍｍとすることが好ましい。
　また、本発明の実施形態に係る被処理体の搬送機構において、前記トレー７０（搬送部材）を移動させる搬送速度［ｍｍ／ｓｅｃ］は、減圧あるいは大気圧の何れの条件下においても、１～３０００の範囲であることが好ましい。また、前記トレー７０（搬送部材）を移動させるときの搬送加速度［ｍｍ／ｓｅｃ２］は、前記トレー７０が加速する際には１２００を越えると搬送ズレを起こすことがあり好ましくない。一方、前記トレー７０が減速する際には６５０を越えると搬送ズレを起こすことがあり好ましくない。ただし、これらの数値は、前記トレー７０の重量を２４０ｋｇとした場合の実測データに基づくものである。
　そして、本発明の実施形態に係る被処理体の搬送機構を備えた成膜装置１は、第一線路８１（往路）に沿って移動するトレー７０（搬送部材）により、基板２（被処理体）は、前記Ｌ／ＵＬ室１０Ａ，１０Ｂから前記トレー貯蔵室６０、加熱室２０を通して、成膜室３０、４０に運ばれ、成膜室３０、４０にて成膜した後、前記基板２を載置する搬送部材は、成膜室３０、４０の内部において、移動部材により第一線路８１（往路）から第二線路８１（復路）に移され、第二線路８２に沿って成膜室３０、４０の内部から、前記加熱室２０、トレー貯蔵室６０を通して前記Ｌ／ＵＬ室１０Ａ，１０Ｂへ運ばれる。
　このとき、本発明の実施形態に係る搬送機構では、スライドシャフトとローラーの接触部の材料を規定することで、スライドシャフトとローラー間の摩擦を小さくすることができる。これにより磨耗によるパーティクルの発生を抑制することができる。その結果、本発明の実施形態に係る被処理体の搬送機構では、歩留まりを向上できるとともに、装置の長寿命化を図ることができる。
　（実験例）
　以下、本発明の実施形態の効果を確認するために行った実験例に付いて説明する。
　（搬送方式についての評価）
　まず、大気中を走行する搬送経路において、シャフト及びローラー式の搬送経路（実験例１）とラック及びピニオン形式の搬送経路（実験例２，３）で、その磨耗量の違いについて測定、評価した。
　ラック及びピニオン、シャフト及びローラーは、いずれもＳＵＳ４４０Ｃから構成したものを用いた。また、ローラーが有する溝部の形状は、Ｕ字形状とした。
　２６０ｋｇの負荷を加重させたトレーを、０．６５ｍ／秒の速さで、長さ１２ｍの搬送経路を往復走行させ、ローラー１個当たりの磨耗粉量を測定した。
　なお、ラック及びピニオン形式の搬送経路においては、ラックとピニオンの動きを完全に同期させた場合（実験例２）と、完全に非同期させた場合（実験例３）とで行った。
　実験例１～実験例３について、搬送経路の往復回数と、ローラー１個当たりの磨耗粉量との関係を図６に示す。なお、磨耗粉量は、ローラー下に受け皿を配置し、電子天秤で測定した。
　図６から明らかなように、シャフト及びローラー搬送した実験例１では、ラック及びピニオン搬送した実験例２，３に比べて大幅に磨耗量を削減することができることがわかった。
　（ローラー材料及び溝部形状についての評価）
　以下の実験では、シャフト及びローラー形式の搬送経路について、ローラーの材質及び溝部の形状を各種変えて大気中で走行実験を行い、その磨耗量の違いについて測定、評価した。なお、シャフトの材質は全てＳＵＳ４４０Ｃで統一した。
　２６０ｋｇの負荷を加重させたトレーを、０．６５ｍ／秒の速さで、長さ１２ｍの搬送経路を往復走行させ、ローラー２個当たりの全磨耗粉量を測定した。
　（実験例４）
　ローラーの材質をＡｌ２Ｏ３とした。
　（実験例５）
　ローラーの材質をＳＵＳ４４０Ｃ（表面粗さＲａ：１．６μｍ）とした。
　（実験例６）
　ローラーの材質をＳＵＳ４４０Ｃ（表面粗さＲａ＜０．４μｍ）とした。
　（実験例７）
　ローラーの材質を、セラミック系材を使用したＵＳＲ－１とした。ここで、「ＵＳＲ－１」とは、シリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）を含むバルク体に、さらに、元素Ｍ（イットリウム、カルシウム、マグネシウム、リチウム、ナトリウムのうち少なくとも１つ）を含有してなるセラミック系材の略称である。このセラミック系材における好適な組成［ｍｏｌ％］の範囲は、０＜Ａｌ＜３３、０＜Ｏ＜３３、２５＜Ｎ＜６０、０＜（元素Ｍ）＜７、残部Ｓｉである。また、このセラミック系材における好適な物性値としては、３点曲げ強度［ＭＰａ］：＞８５０、破壊靭性値［ＭＰａ・ｍ１／２］：＞５、ヤング率［ＧＰａ］：＞２９０、嵩密度［ｇ・ｃｍ－３］：＞３．２、等が挙げられる。
　（実験例８）
　ローラーの材質をＳＵＳ４４０Ｃとした。ただし、溝部の形状をＶ字形状とした。
　実験例４～実験例８について、搬送経路の往復回数と、ローラー２個当たりの全磨耗粉量との関係を図７に示す。
　図７から明らかなように、Ａｌ２Ｏ３からなる実験例４のローラーに比べて、ＳＵＳ系材料からなる実験例５，６のローラーでは、磨耗量が抑えられていることがわかった。また、表面粗さＲａの小さい実験例６では、表面粗さＲａの大きい実験例５に比べて磨耗量が小さかった。
　さらに、ＵＳＲ－１からなる実験例７のローラーでは、ＳＵＳ系材料からなるローラーよりも、磨耗量をさらに大幅に削減できることがわかった。
　また、ローラーが有する溝部の形状について、Ｖ字形状とした実験例８では、Ｕ字形状とした実験例５，６に比べて磨耗が大きい。これは、Ｖ字形状の溝部の左右で周速差が発生してしまったためと考えられる。これにより、溝部をＵ字形状とすることにより、滑らかな搬送が可能となることがわかった。
　（サイアロンについての評価）
　以下の実験では、シャフト＆ローラー形式の搬送経路について、サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）からなるローラーについて各種条件で走行実験を行い、その磨耗量の違いについて測定、評価した。
　２６０ｋｇの負荷を加重させたトレーを、０．６５ｍ／秒の速さで、長さ１２ｍの搬送経路を往復走行させ、ローラー２個当たりの全磨耗粉量を測定した。
　（実験例９）
　真空中で走行実験を行った。
　（実験例１０）
　大気中で走行実験を行った。
　（実験例１１）
　真空中、１２０℃に加熱して走行実験を行った。
　（実験例１２）
　真空中、２ｍ／秒の速さで、高速走行させて走行実験を行った。
　（実験例１３）
　ＳＵＳ系材料からなるローラーを用いて、真空中で走行実験を行った。
　実験例９～実験例１３について、往復回数と、ローラー２個当たりの全磨耗粉量との関係を図８～図１２にそれぞれ示す。
　図８は真空中で走行実験を行った場合、図９は大気中で走行実験を行った場合、図１０は加熱真空中で走行実験を行った場合、図１１は真空中で高速走行実験を行った場合、図１２は真空中で走行実験を行った場合、をそれぞれ表している。
　図８と図１２とを比較して明らかなように、ローラの材質としてサイアロンを用いた実験例９では、ＳＵＳ系材料からなるローラーを用いた実験例１３に比べて、真空搬送においても磨耗量を大幅に削減できることがわかった。
　また、図９～図１１から明らかなように、ローラの材質としてサイアロンを用いることで、大気搬送、真空加熱搬送、真空高速搬送のいずれにおいても磨耗量を大幅に削減できることがわかった。すなわち、ローラの材質としてサイアロンを用いることにより、使用される空間が減圧下、大気圧下（すなわち、減圧雰囲気又は大気圧雰囲気）の何れであっても、スライドシャフトとローラー間の摩擦を低く抑えられることが確認された。
　（真空搬送と真空加熱搬送の組み合わせ走行についての評価）
　以下の実験では、シャフトとローラーの材質の組み合わせを変えるとともに、真空中及び大気中で走行実験を行い、その磨耗量の違いについて測定、評価した。
　２６０ｋｇの負荷を加重させたトレーを、０．６５ｍ／秒の速さで、長さ１２ｍの搬送経路を往復走行させた。このとき、１．４×１０－２Ｐａにおける真空搬送を６０万サイクルと、１２０℃での真空加熱搬送を２０万サイクルと、を順に行い、ローラー２個当たりの全磨耗粉量を測定した。
　（実験例１４）
　シャフト材質をＳＵＳとし、ローラーの材質をサイアロンとした。
　（実験例１５）
　シャフト材質をＳＵＳとし、ローラーの材質をＳＵＳとした。
　搬送経路の往復回数と、ローラー２個当たりの全磨耗粉量との関係を図１３に示す。
　図１３から明らかなように、ローラーの材質をＳＵＳとした実験例１５に比べて、ローラーの材質をサイアロンとした実験例１４のローラーでは、真空搬送、真空加熱搬送の組み合わせ搬送においても磨耗量を大幅に削減できることがわかった。
　（シャフト材料とローラー材料についての評価）
　以下の実験では、シャフトとローラーの材質の組み合わせを各種変えて大気中で走行実験を行い、その磨耗量の違いについて測定、評価した。
　２６０ｋｇの負荷を加重させたトレーを、０．６５ｍ／秒の速さで、長さ１２ｍの搬送経路を往復走行させ、ローラー２個当たりの全磨耗粉量を測定した。
　（実験例１６）
　シャフト材質をＳＵＳ４４０Ｃとし、ローラーの材質をＳＵＳ４４０Ｃ（表面粗さＲａ：１．６μｍ）とした。
　（実験例１７）
　シャフト材質をＳＵＳ４４０Ｃとし、ローラーの材質をＳＵＳ４４０Ｃ（表面粗さＲａ：０．２μｍ）とした。
　（実験例１８）
　シャフト材質をＳＵＳ４４０Ｃとし、ローラーの材質をＵＳＲ－１とした。
　（実験例１９）
　シャフト材質をＳＵＳ３０４とし、ローラーの材質をＵＳＲ－１とした。
　実験例１６～実験例１９について、搬送経路の往復回数と、ローラー２個当たりの全磨耗粉量との関係を図１４に示す。
　図１４から明らかなように、シャフト、ローラーの双方ともＳＵＳ系材料からなる実験例１６，１７に比べて、一方を（ここではローラー）ＵＳＲ－１とした実験例１８，１９のローラーでは、磨耗量を大幅に削減できることがわかった。また、ローラーをＳＵＳ系材料とし、シャフトをＵＳＲ－１とした場合でも、同様の効果が得られると考えられる。
　（真空搬送と大気搬送の組み合わせ走行についての評価）
　以下の実験では、シャフトとローラーの材質の組み合わせを変えるとともに、真空中及び大気中で走行実験を行い、その磨耗量の違いについて測定、評価した。
　２６０ｋｇの負荷を加重させたトレーを、０．６５ｍ／秒の速さで、長さ１２ｍの搬送経路を往復走行させた。このとき、１．４×１０－２Ｐａにおける真空搬送を６０万サイクルと、１２０℃での真空加熱搬送を１０万サイクルと、大気搬送を２０万サイクルと、真空高速搬送を２０万サイクルと、を順に行い、ローラー２１個当たり（チャンバ２つ分に相当）の全磨耗粉量を測定した。
　（実験例２０）
　シャフト材質をＳＵＳ４４０Ｃとし、ローラーの材質をＳＵＳ４４０Ｃとした。
　（実験例２１）
　シャフト材質をＳＵＳ４４０Ｃとし、ローラーの材質をＵＳＲ－１とした。
　実験例２０～実験例２１について、搬送経路の往復回数と、ローラー２個当たりの全磨耗粉量との関係を図１５に示す。
　図１５から明らかなように、シャフト、ローラーの双方ともＳＵＳ系材料からなる実験例２０に比べて、一方を（ここではローラー）ＵＳＲ－１とした実験例２１のローラーでは、真空搬送、真空加熱搬送、大気搬送、真空高速搬送の組み合わせ搬送においても磨耗量を大幅に削減できることがわかった。
　（ローラーの溝部形状についての評価）
　ローラーの溝部の曲率半径と、滑り係数及び内部せん断応力との関係について評価した。
　（実験例２２）
　曲率半径Ｒ＝∞（平面）、Ｒ＝３４ｍｍ、Ｒ＝２８ｍｍ、Ｒ＝２０ｍｍの溝部を有するローラーについて、滑り量及び内部せん断応力をそれぞれ測定した。
　溝部の曲率半径Ｒと滑り係数及び内部せん断応力との関係を図１６に示す。
　図１６から明らかなように、溝部の曲率半径Ｒが小さくなるほど、滑り係数は大きくなり、一方、溝部の曲率半径Ｒが小さくなるほど、内部せん断応力は小さくなっている。
　摺動による磨耗を少なくするためには、曲率半径Ｒが大きい（溝部が浅い）ほうがよい。一方、転がり疲れによる削れを防止するためには、曲率半径Ｒが小さい（溝部が深い）ほうがよい。これらの滑り係数と内部せん断応力とを考慮し、溝部の曲率半径を所定範囲とすることで、転がり疲れによる削れと摺動による磨耗の双方を抑えることができる。例えば、曲率半径Ｒを２０ｍｍ≦Ｒ≦３４ｍｍとすることが好ましい。
　本発明の実施形態では、搬送機構を、「円柱状のスライドシャフトを下部に備え、前記被処理体を運ぶ搬送部材（トレー）」と、「前記スライドシャフトと接して、前記搬送部材を誘導するＵ字状の溝部を備えた、複数のローラーからなる支持部材」と、から構成するとともに、前記スライドシャフトと前記ローラーの接触部の材料を規定することにより、使用される空間が減圧下、大気圧下（すなわち、減圧雰囲気又は大気圧雰囲気）の何れであっても、スライドシャフトとローラー間の摩擦を低くすることができる。これにより、本発明の実施形態に係る搬送機構は、減圧下又は大気圧下の使用環境に依存せず、磨耗によるパーティクルの発生を抑制することができる。
　以上、本発明の実施形態に係る被処理体の搬送機構について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
　本発明は、被処理体の搬送機構に広く適用可能である。
　１　　　　　　　　成膜装置
　２　　　　　　　　基板（被処理体）
　１０Ａ，１０Ｂ　　Ｌ／ＵＬ室
　２０　　　　　　　加熱室
　３０，４０　　　　成膜室
　５０　　　　　　　基板着脱機構
　６０　　　　　　　トレー貯蔵室
　７０　　　　　　　トレー（搬送部材）
　８１　　　　　　　第一線路（往路）
　８２　　　　　　　第二線路（復路）

Claims (6)

  1. 　円柱状のスライドシャフトを下部に備え、被処理体を運ぶ搬送部材と、
    　前記スライドシャフトと接して、前記搬送部材を誘導するＵ字状の溝部を備えた、複数のローラーからなる支持部材と、
    　を備える被処理体の搬送機構であって、
    　前記スライドシャフト及び前記ローラーのうちの一方の少なくとも接触部が、シリコン、アルミニウム、酸素、および窒素を含むバルク体から構成され、
    　前記スライドシャフト及び前記ローラーのうちの他方の少なくとも接触部が、ステンレス鋼から構成されていることを特徴とする被処理体の搬送機構。
  2. 　前記バルク体は、さらに、イットリウム、カルシウム、マグネシウム、リチウム、ナトリウムのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の被処理体の搬送機構。
  3. 　前記支持部材のＵ字状の溝部は、その曲率半径Ｒが１５～４０ｍｍの範囲であることを特徴とする請求項１または２に記載の被処理体の搬送機構。
  4. 　前記支持部材により前記搬送部材を移動させる搬送速度は、１～３０００ｍｍ／ｓｅｃの範囲であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の被処理体の搬送機構。
  5. 　前記支持部材により前記搬送部材を移動させる搬送加速度は、加速時に１２００ｍｍ／ｓｅｃ２以下、減速時に－６５０ｍｍ／ｓｅｃ２以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の被処理体の搬送機構。
  6. 　前記搬送部材は、前記被処理体を縦型搬送することを特徴とする請求項１又は２に記載の成膜装置。
PCT/JP2011/074987 2011-04-15 2011-10-28 被処理体の搬送機構 WO2012140801A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013509736A JP5721816B2 (ja) 2011-04-15 2011-10-28 被処理体の搬送機構
KR1020137018513A KR101537249B1 (ko) 2011-04-15 2011-10-28 피처리체의 반송 기구 및 이를 이용한 성막 장치
CN201180065526.2A CN103329257B (zh) 2011-04-15 2011-10-28 被处理体的运送机构

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-091409 2011-04-15
JP2011091409 2011-04-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012140801A1 true WO2012140801A1 (ja) 2012-10-18

Family

ID=47009000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/074987 WO2012140801A1 (ja) 2011-04-15 2011-10-28 被処理体の搬送機構

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5721816B2 (ja)
KR (1) KR101537249B1 (ja)
CN (1) CN103329257B (ja)
TW (1) TWI503916B (ja)
WO (1) WO2012140801A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014169530A1 (zh) * 2013-04-19 2014-10-23 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板搬送治具
JP2017520112A (ja) * 2014-05-15 2017-07-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 粒子除去デバイス、及び粒子除去デバイスを操作する方法
JP2019071447A (ja) * 2018-12-19 2019-05-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 粒子除去デバイス、及び粒子除去デバイスを操作する方法
JP2020184573A (ja) * 2019-05-08 2020-11-12 株式会社アルバック 真空搬送装置及び成膜装置
KR20230110185A (ko) 2022-01-14 2023-07-21 가부시키가이샤 아루박 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103896069A (zh) * 2014-03-21 2014-07-02 京东方科技集团股份有限公司 一种导向轮及传送装置
CN109496350B (zh) 2017-06-08 2023-02-17 株式会社爱发科 基板导向件及载体

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005199197A (ja) * 2004-01-16 2005-07-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板搬送方法
JP2006263599A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Toray Ind Inc ペースト分散装置およびペースト製造方法
WO2008129983A1 (ja) * 2007-04-16 2008-10-30 Ulvac, Inc. コンベアおよび成膜装置とそのメンテナンス方法
JP2010056359A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置
JP2010244626A (ja) * 2009-04-07 2010-10-28 Alphana Technology Co Ltd ディスク駆動装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2948108B2 (ja) * 1994-09-20 1999-09-13 株式会社日立製作所 溶融金属中すべり軸受および溶融金属めっき装置
JP2002337028A (ja) * 2001-05-11 2002-11-26 Ntn Corp 微小部品供給装置
KR100900282B1 (ko) * 2004-06-18 2009-05-29 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 α형 사이알론 및 α형 사이알론 형광체 및 그 제조 방법
JP4588379B2 (ja) * 2004-07-21 2010-12-01 太平洋セメント株式会社 半導体製造装置用部材の製造方法
JP2006305708A (ja) * 2005-05-02 2006-11-09 Ngk Spark Plug Co Ltd サイアロン製スローアウェイチップおよび切削工具
JP2006276575A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Seiko Precision Inc 光学ユニット
JP2008121806A (ja) * 2006-11-13 2008-05-29 Fukui Byora Co Ltd 弁軸の製造方法及びそれによって製造された弁軸
JP4745447B2 (ja) * 2010-02-04 2011-08-10 キヤノンアネルバ株式会社 基板搬送装置及び真空処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005199197A (ja) * 2004-01-16 2005-07-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板搬送方法
JP2006263599A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Toray Ind Inc ペースト分散装置およびペースト製造方法
WO2008129983A1 (ja) * 2007-04-16 2008-10-30 Ulvac, Inc. コンベアおよび成膜装置とそのメンテナンス方法
JP2010056359A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置
JP2010244626A (ja) * 2009-04-07 2010-10-28 Alphana Technology Co Ltd ディスク駆動装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014169530A1 (zh) * 2013-04-19 2014-10-23 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板搬送治具
JP2017520112A (ja) * 2014-05-15 2017-07-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 粒子除去デバイス、及び粒子除去デバイスを操作する方法
JP2019071447A (ja) * 2018-12-19 2019-05-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 粒子除去デバイス、及び粒子除去デバイスを操作する方法
JP2020184573A (ja) * 2019-05-08 2020-11-12 株式会社アルバック 真空搬送装置及び成膜装置
JP7242414B2 (ja) 2019-05-08 2023-03-20 株式会社アルバック 真空搬送装置及び成膜装置
KR20230110185A (ko) 2022-01-14 2023-07-21 가부시키가이샤 아루박 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR101537249B1 (ko) 2015-07-17
JPWO2012140801A1 (ja) 2014-07-28
KR20130113501A (ko) 2013-10-15
TW201246434A (en) 2012-11-16
JP5721816B2 (ja) 2015-05-20
CN103329257A (zh) 2013-09-25
TWI503916B (zh) 2015-10-11
CN103329257B (zh) 2016-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5721816B2 (ja) 被処理体の搬送機構
JP5945553B2 (ja) 被覆装置および被覆方法
WO2013118764A1 (ja) 成膜装置及び成膜方法
JP2008505041A (ja) ガスベアリング基板装填機構
KR101483180B1 (ko) 성막 장치
TWI603418B (zh) 成膜裝置
JP2005340425A (ja) 真空処理装置
JP6055229B2 (ja) 被処理体の搬送機構および真空処理装置
KR101270526B1 (ko) 진공처리장치
JP2011233938A (ja) 真空処理装置およびこれを用いた基板搬送方法
TWI628131B (zh) Handling device, handling system
KR101045555B1 (ko) 기판의 이송장치
JP2010024469A (ja) スパッタ装置
JP2012001283A (ja) 基板搬送装置及び真空処理装置
KR20190025504A (ko) 플로트 유리 제조 장치 및 플로트 유리 제조 방법
JP2014107412A (ja) 搬送システム及び成膜装置
WO2010026733A1 (ja) 基板搬送装置及び真空成膜装置
WO2011121632A1 (ja) 搬送機構及びこれを用いた真空処理装置と電子デバイスの製造方法
JP2012001282A (ja) 基板搬送装置及び真空処理装置
CN118241175A (zh) 成膜装置
CN118256886A (en) Support unit, film forming apparatus, and support method for carrier
WO2019121289A1 (en) Surface treatment chamber transport system
JP2010045079A (ja) 真空処理装置
JP2009209454A (ja) 基板の成膜方法及び円板状基板
JPH07112395A (ja) 磁気的に結合された試料搬送装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11863634

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2013509736

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20137018513

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11863634

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1