CN103329257A - 被处理体的运送机构 - Google Patents

被处理体的运送机构 Download PDF

Info

Publication number
CN103329257A
CN103329257A CN2011800655262A CN201180065526A CN103329257A CN 103329257 A CN103329257 A CN 103329257A CN 2011800655262 A CN2011800655262 A CN 2011800655262A CN 201180065526 A CN201180065526 A CN 201180065526A CN 103329257 A CN103329257 A CN 103329257A
Authority
CN
China
Prior art keywords
roller
transport
conveyer
handled object
vacuum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2011800655262A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103329257B (zh
Inventor
大野哲宏
佐藤重光
大空弘树
佐藤善胜
松冈隆滋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Publication of CN103329257A publication Critical patent/CN103329257A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103329257B publication Critical patent/CN103329257B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B65G49/061—Lifting, gripping, or carrying means, for one or more sheets forming independent means of transport, e.g. suction cups, transport frames
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B65G49/063—Transporting devices for sheet glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67709—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using magnetic elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G2249/00—Aspects relating to conveying systems for the manufacture of fragile sheets
    • B65G2249/02—Controlled or contamination-free environments or clean space conditions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Rollers For Roller Conveyors For Transfer (AREA)

Abstract

一种被处理体的运送机构具备：运送部件，在下部具备圆柱状的滑动轴并运送被处理体；支撑部件，由具备与所述滑动轴相接并引导所述运送部件的U字状的槽部的多个辊构成，在所述被处理体的运送机构中，所述滑动轴及所述辊中一方的至少接触部由包括硅、铝、氧及氮的块体构成，所述滑动轴及所述辊中另一方的至少接触部由不锈钢构成。

Description

被处理体的运送机构
技术领域
本发明涉及一种在真空处理装置中运送被处理体的运送机构。
本申请基于2011年4月15日在日本申请的特愿2011-091409号要求优先权，并且在此援引其内容。
背景技术
例如，在加工用于等离子显示器或液晶显示器的大型玻璃基板时，需要在真空下进行升温至所需温度的加热工序和在溅射、CVD或蚀刻等加工装置进行多层成膜的各种成膜工序。
以往以来，提供各种实用的成膜装置。在以水平状态对基板进行成膜的成膜装置中，当基板大型化时，会随之产生装置也被大型化的问题。因此，在近几年中开发出使基板大致立起并进行成膜等的立式成膜装置。
图17是表示现有成膜装置的基本结构的图。
现有成膜装置100具备基板装卸室120、在一个直线上连结的第一至第三这三个真空处理室200、220、240以及在大气侧与真空处理室200、220、240之间运送基板托盘的L/UL室(Load/Unload：装入/取出)140。
此外，在L/UL室140安装有真空排气装置300。在加热室安装有加热装置和真空排气装置300。在各真空处理室200、220、240分别安装有溅射装置等成膜装置210、230、250和真空排气装置300。
另外，在L/UL室140内及真空处理室200、220、240内，设置有两条运送路径160、180：第一运送路径160，将基板托盘从L/UL室140向各真空处理室200、220、240运送的去路；以及第二运送路径180，将基板托盘从各真空处理室200、220、240经过加热室向L/UL室140运送的回路。
进一步，成膜装置100的最后部的第三真空处理室240具备移载机构（未图示），该移载机构使基板托盘从第一运送路径（去路）160向第二运送路径（回路）180，相对于两条运送路径160、180横向移动并移载。该移载机构具有先抬起第一运送路径（去路）160上的基板托盘并向第二运送路径（回路）180移载的机构。
第一及第二运送路径160、180由一对导轨构成，基板托盘通过设置在其底部上的多对车轮，在该导轨上移动。
另外，在基板托盘的下面设置有齿条，并在基板装卸室120和第一至第三真空处理室200、220、240分别设置有利用马达的旋转力旋转的多个小齿轮。通过使小齿轮和齿条啮合在一起，将马达的驱动力传递到基板托盘，从而运送基板托盘。
对这种现有成膜装置100的基本动作进行说明。
在基板装卸室120中，当在基板托盘上放置基板时，该基板托盘被运送到L/UL室140，该L/UL室140被真空排气并成为高真空后，向设置在真空处理室200内的成为去路的第一运送路径160运送。
在第一运送路径（去路）160上运送基板托盘（基板载体）的同时，在真空处理室200、220、240中，对放置在基板托盘上的基板实施加热和成膜等的真空处理。
在真空处理室240基板被施以真空处理后，基板托盘通过未图示的移载机构被移载到成为回路的第二运送路径180，并且在真空处理室200、220、240中，分别进行成膜等的真空处理。基板托盘在放置有被真空处理的基板的状态下经过L/UL室140，并且在基板装卸室120卸下基板。
但是，在如上述的现有的齿条及小齿轮形式的运送机构中，由于齿条与小齿轮的摩擦，产生由齿轮的损伤和磨损引起的颗粒（灰尘），从而成为成品率的低下以及缩短装置寿命的主要原因。
专利文献1：日本特开2005-340425号公报
发明内容
本发明是鉴于这种现有实情而提出的，其目的在于提供一种被处理体的运送机构，该机构能够抑制由磨损引起的颗粒产生，从而提高成品率，并能够实现装置的长寿命化。
本发明的第一方式所涉及的被处理体的运送机构包括：运送部件，在下部具备圆柱状的滑动轴并运送被处理体；支撑部件，由具备与所述滑动轴相接并引导所述运送部件的U字状的槽部的多个辊构成，所述被处理体的运送机构可以是，所述滑动轴及所述辊中一方的至少接触部由包括硅、铝、氧及氮的块体构成，所述滑动轴及所述辊中另一方的至少接触部由不锈钢构成。
本发明的第二方式所涉及的被处理体的运送机构，在第一方式中所述块体可进一步包括钇、钙、镁、锂和钠中的至少一种。
本发明的第三方式所涉及的被处理体的运送机构，在第一或第二方式中所述支撑部件的U字状的槽部的曲率半径R可在15～40mm的范围。
本发明的第四方式所涉及的被处理体的运送机构，在所述第一至第三方式中的任一方式中，通过所述支撑部件使所述运送部件移动的运送速度可在1～3000mm/sec的范围。
本发明的第五方式所涉及的被处理体的运送机构，在所述第一至第四方式中的任一方式中，通过所述支撑部件使所述运送部件移动的运送加速度还可以为，在加速时1200mm/sec2以下，在减速时-650mm/sec2以下。
本发明的第六方式所涉及的成膜装置，在所述第一或第二方式中，所述运送部件还可以立式运送所述被处理体。
本发明的方式所涉及的运送机构不依赖于减压下或大气压下的使用环境，能够抑制由磨损引起的颗粒的产生。
根据本发明的方式所涉及的被处理体的运送机构，能够抑制由磨损引起的颗粒的产生。进而，能够提供一种可提高成品率，进一步可实现装置的长寿命化的被处理体的运送机构。
附图说明
图1是示意地表示具备本发明的实施方式所涉及的被处理体的运送机构的成膜装置的一结构例的图。
图2是表示搭载基板的托盘的一例的图。
图3是表示基板托盘的下部支撑机构的一例的图。
图4是表示基板托盘的下部支撑机构的一例的图。
图5是表示基板托盘的上部支撑机构的一例的图。
图6是表示改变运送方式的情况下的运送路径的往返次数与磨损粉末量之间关系的图。
图7是表示改变运送方式的情况下的运送路径的往返次数与磨损粉末量之间关系的图。
图8是表示在真空中进行行进实验的情况下的运送路径的往返次数与磨损粉末量之间关系的图。
图9是表示在大气压中进行行进实验的情况下的运送路径的往返次数与磨损粉末量之间关系的图。
图10是表示在加热真空中进行行进实验的情况下的运送路径的往返次数与磨损粉末量之间关系的图。
图11是表示在真空中进行高速行进实验的情况下的运送路径的往返次数与磨损粉末量之间关系的图。
图12是表示在真空中进行行进实验的情况下的运送路径的往返次数与磨损粉末量之间关系的图。
图13是表示在通过真空运送与真空加热运送的组合进行行进实验的情况下的运送路径的往返次数与磨损粉末量之间关系的图。
图14是表示在轴的材质与辊的材质的组合的各种变更情况下的运送路径的往返次数与磨损粉末量之间关系的图。
图15是表示在通过真空运送与大气运送的组合进行行进实验的情况下的运送路径的往返次数与磨损粉末量之间关系的图。
图16是表示对辊的槽部的曲率半径R与滑动系数及内部剪切应力之间关系的图。
图17是示意地表示具备现有被处理体的运送机构的成膜装置的一结构例的图。
具体实施方式
下面，关于本发明的实施方式所涉及的被处理体的运送机构进行说明。
图1是示意地表示具备本发明的实施方式所涉及的被处理体的运送机构的成膜装置的一结构例的图。
该成膜装置1包括两个L/UL室(Load/Unload：装入/取出室)10A、10B、依次被配置的托盘储藏室60、加热室20、第一成膜室30及第二成膜室40。另外，在L/UL室10A、10B的前面配设有基板装卸室50。
各室间通过门式阀（略图示）连通。另外，在这些L/UL室10A、10B、所述加热室20和第一成膜室30分别单独设置有用于分别对这些室的内部进行真空排气的真空排气装置12、22、32。
在基板装卸室50，在托盘70上安装从外部运送来的基板2（被处理体）。托盘70使基板2大致立起并固定及保持，之后通过旋转机构（省略图示）向L/UL室10A、10B的方向转换方向，并平行地搬入L/UL室10A、10B。
另外如后述，在基板装卸室50中，由于放置有真空处理后的基板2的托盘70从L/UL室10A、10B被运送过来，因此从托盘70卸下该基板2。卸下基板2的托盘70被利用于下一个基板2的运送。
L/UL室10A、10B在开放于大气压的状态下，与基板装卸室50进行托盘70的装入和取出。
在L/UL室10A、10B分别设置有用于对其内部进行真空排气的真空排气装置12A、12B。
一般而言，在L/UL室10A、10B中，除托盘70的搬入搬出外，还进行真空排气和大气压开放。
在L/UL室10A、10B中的所述作业时间远远长于在各真空处理室（加热室20及成膜室30、40）中的真空处理（加热、成膜）所需的加工时间，并在L/UL室10A、10B为单数的情况下，托盘70向真空处理室的装入很费时间，且会产生在各真空处理室中不能进行真空处理的空白时间，产生生产效率低的问题。
为此，在该成膜装置中设置有多个（图示为两个）L/UL室10A、10B和托盘储藏室60，该托盘储藏室60暂时储藏被运送至加热室20、成膜室30和40的托盘70及拟向L/UL室10A、10B送出的托盘70。由此，能够实现生产效率的提高。
在加热室20设置有加热装置23，升温至适合基板2的成膜的温度。
在加热室20设置有用于使其内部真空排气的真空排气装置22。
在成膜室30和40中，通过成膜装置33和43，基板2被施以成膜处理。
成膜装置33和43并不特别限定，但可列举例如溅射用的阴极或CVD用平行平板型的电极。
在这种成膜装置1中，作为被处理体的基板2通过运送部件被运送的同时，实施加热和成膜等的处理。
运送基板2的运送部件具备保持基板2的托盘70（载体）和运送保持有基板2的托盘70的线路80。另外，运送部件立式运送基板2。
在此，使基板2竖置的理由主要是因为随着大型液晶显示器和等离子显示器的普及，基板自身变大及变薄，在卧置的情况下成膜装置自身的平面面积随之变大，因此通过构成立式来节省空间。另外，在卧置的情况下，会产生由基板2的自重引起的弯曲，难以保持平坦性，难以进行均匀的成膜。
而且，在该成膜装置1中，在所述第一成膜室30包括分别由去路和回路构成的线路80，该线路80配置为贯通所述L/UL室10A、10B、所述加热室20及成膜室30、40整体。线路80包括第一线路81和第二线路82。
另外，成膜装置1包括移动机构（未图示），该移动机构使托盘70从第一线路81向第二线路82（回路）相对于线路横向移动而移载。该移动机构具有先抬起第一线路81上的托盘70，并向第二线路82移载的机构。
图2是表示托盘70的大致结构的立体图。
如图2所示，托盘70包括由铝等构成的框体状的框架71、沿着框架71的上边设置的磁铁72、沿着框架71的下边设置的圆柱状的滑动轴73、承载基板2的载荷并且用于保持基板2的水平度的基板承载体74、用于使基板2保持在托盘70上的夹子75和用于覆盖基板2的周边的非成膜区域的掩模76。
线路80包括构成为能够支撑托盘70的载荷且能够运送托盘70的下部支撑机构84以及构成为能够在非接触状态下支撑托盘70的上部的上部支撑机构88。托盘70构成为能够在由下部支撑机构84及上部支撑机构88保持为大致铅垂的状态下移动。
图3及图4是表示下部支撑机构84的结构的立体图。
如图3所示，下部支撑机构84包括马达85和辊86。如图4所示，辊86具备引导托盘70的U字状的槽部86a。构成为通过马达85的驱动，辊86进行旋转，托盘70在辊86上水平移动。具体来讲，构成为设置在托盘70的下部的滑动轴73与辊86的槽部86a配合，并且托盘70能够水平移动。
在本发明的实施方式中，由滑动轴73和辊86构成运送机构。通过采用轴和辊方式，从而与齿条及小齿轮方式的运送机构相比，能够大幅减少磨损量。
另外，在本发明的实施方式中，通过将辊86的槽部86a设为U字形状，从而能够顺利运送的同时，能够大幅抑制滑动轴73和辊86的磨损，并能减低由磨损引起的灰尘的产生。
另外，图5是表示上部支撑机构88的结构的说明图。
如图5所示，上部支撑机构88设置有多个磁铁89。而且，在托盘70的上边也设置有磁铁72，配置成磁铁89和磁铁72在铅垂方向相对并且磁铁89、72彼此吸附。
通过如此构成，磁铁89、72彼此吸附，能够将托盘70保持为铅垂状态。即，通过铅垂保持基板2，能够抑制成膜装置1的设置面积随着基板2的大型化而增大，并且能够避免由大型基板2的弯曲引起的影响。
而且，在本发明的实施方式所涉及的被处理体的运送机构中，载体70的滑动轴73或下部支撑机构84的辊86中一个的至少接触部由包括硅（Si）、铝（Al）、氧（O）及氮（N）的块体构成，并且滑动轴73或辊86中另一个的至少接触部由SUS（不锈钢）构成。
通过以上述材料构成滑动轴73或辊86的接触部，能够抑制滑动轴73和辊86的磨损，并且能够减低由磨损引起的灰尘的产生。由此能够提高成品率，并且能够实现装置的长寿命化。
这种包括硅（Si）、铝（Al）、氧（O）及氮（N）的块体并不特别限定，但例如因赛隆(SiAlON)在高温环境下的机械强度、耐热冲击性、耐磨损性方面优秀而优选。
在本发明的实施方式所涉及的被处理体的运送机构中，优选地，所述块体进一步包括钇、钙、镁、锂和钠中的至少一种。
进一步，通过使用包括如上所述元素的材料，能够大幅抑制滑动轴73和辊86的磨损，并且能够减低由磨损引起的灰尘的产生。
优选地，辊86所包含的U字状的槽部的曲率半径R在20～34mm的范围。
如后面揭示的图16所示，相对于槽部的曲率半径R越小滑动系数越大的现象，具有内部剪切应力变小的倾向。
为了减少由滑动引起的磨损，最好槽部的曲率半径R大（槽部浅）。
另一方面，为了防止由滚动接触疲劳引起的切削，最好槽部的曲率半径R小（槽部深）。通过考虑这些滑动系数和内部剪切应力，并将槽部的曲率半径设为规定范围，从而能够抑制由滚动接触疲劳引起的切削和由滑动引起的磨损这两者。例如，优选地将槽部的曲率半径R设为20mm≤R≤34mm。
另外，优选地，在本发明的实施方式所涉及的被处理体的运送机构中，使所述托盘70（运送部件）移动的运送速度[mm/sec]在减压或大气压等任何条件下，都在1～3000的范围。另外，使所述托盘70（运送部件）移动时的运送加速度[mm/sec2]，若在所述托盘70加速时超过1200则会引起运送错位，因此不优选。另一方面，若在所述托盘70减速时超过650则会引起运送错位，因此不优选。但是，这些数值是以所述托盘70的重量为240kg时的实测数据为基础的值。
而且，在包括本发明的实施方式所涉及的被处理体的运送机构的成膜装置1中，通过沿着第一线路81（去路）移动的托盘70（运送部件），基板2（被处理体）从所述L/UL室10A、10B经过所述基板储藏室60和加热室20，向成膜室30、40运送，并在成膜室30、40进行成膜后，放置有所述基板2的运送部件在所述成膜室30、40的内部通过移动部件从第一线路81（去路）向第二线路81（回路）移动，并沿着第二线路82，从成膜室30、40的内部经过所述加热室20和基板储藏室60向所述L/UL室10A、10B运送。
此时，在本发明的实施方式所涉及的运送机构中，通过规定滑动轴与辊的接触部的材料，能够减小滑动轴与辊之间的摩擦。由此能够抑制由磨损引起的颗粒的产生。结果是，本发明的实施方式所涉及的运送机构能够提高成品率，并且能够实现装置的长寿命化。
（实验例）
下面，对于为了确认本发明的实施方式的效果而进行的实验例进行说明。
（对运送方式的评价）
首先，在大气中行进的运送路径中，利用轴及辊式的运送路径（实验例1）和齿条及小齿轮形式的运送路径（实验例2、3），对其磨损量的不同进行测定和评价。
齿条及小齿轮、轴及辊都使用由SUS440C构成的材料。另外，辊所包含的槽部的形状为U字形状。
使加载有260kg的载荷的托盘以0.65m/sec的速度，在长度12m的运送路径往返行进，并测定每一个辊的磨损粉末量。
此外，在齿条及小齿轮形式的运送路径中，在使齿条与小齿轮的移动完全同步的情况（实验例2）和完全不同步的情况（实验例3）下进行测定。
关于实验例1至实验例3，在图6中表示运送路径的往返次数与每一个辊的磨损粉末量之间的关系。此外，在辊的下部配置器皿，利用电子称测定磨损粉末量。
从图6明显地看出，在由轴及辊运送的实验例1中，与由齿条及小齿轮运送的实验例2、3相比能够大幅削减磨损粉末量。
（对辊材料及槽部形状的评价）
在下面的实验中，关于轴及辊形式的运送路径，用各种方式改变辊的材质及槽部的形状，并在大气中进行行进实验，对其磨损量的不同进行了测定和评价。此外，轴的材质全部统一为SUS440C。
使加载有260kg的载荷的托盘以0.65m/sec的速度，在长度12m的运送路径往返行进，并测定每两个辊的磨损粉末量。
（实验例4）
将辊的材质设为Al2O3。
（实验例5）
将辊的材质设为SUS440C（表面粗糙度Ra：1.6μm）。
（实验例6）
将辊的材质设为SUS440C（表面粗糙度Ra＜0.4μm）。
（实验例7）
将辊的材质设为使用陶瓷系列材料的USR-1。在此，“USR-1”为在包括硅（Si）、铝（Al）、氧（O）及氮（N）的块体中，进一步含有元素M（钇、钙、镁、锂和钠中的至少一种）而构成的陶瓷系列材料的简称。该陶瓷系列材料的优选组成[mol%]的范围为0＜Al＜33、0＜O＜33、25＜N＜60、0＜（元素M）＜7及剩余部分Si。另外，作为该陶瓷系列材料中的优选的物理性质值，可列举三点弯曲强度[MPa]：＞850、破坏韧性值[MPa·m1/2]：＞5、弹性模量[GPa]：＞290、体积密度[g·cm-3]：＞3.2等。
（实验例8）
将辊的材质设为SUS440C。但是，将槽部的形状设为V字形状。
关于实验例4至实验例8，图7表示运送路径的往返次数与每两个辊的总磨损粉末量之间的关系。
从图7明显地看出，与由Al2O3构成的实验例4的辊相比，在由SUS系列材料构成的实验例5、6的辊中，磨损量得到抑制。另外，在表面粗糙度Ra小的实验例6中，与表面粗糙度Ra大的实验例5相比磨损量小。
进一步确认到，在由USR-1构成的实验例7的辊中，与由SUS系列材料构成的辊相比能够进一步大幅削减磨损量。
另外，关于辊的槽部的形状，在设为V字形状的实验例8中，与设为U字形状的实验例5、6相比磨损大。认为这是因为在V字形状的槽部的左右产生了圆周速度差的缘故。由此可知，通过将槽部设为U字形状，能够进行顺利的运送。
（对塞隆的评价）
在下面的实验中，关于轴及辊形式的运送路径，在各种条件下对由塞隆（SiAlON）构成的辊进行行进实验，并对其磨损量的不同进行测定和评价。
使加载有260kg的载荷的托盘以0.65m/sec的速度，在长度12m的运送路径往返行进，并测定每两个辊的总磨损粉末量。
（实验例9）
在真空中进行行进实验。
（实验例10）
在大气中进行行进实验。
（实验例11）
在真空中，加热至120℃并进行行进实验。
（实验例12）
在真空中，使托盘以2m/sec的速度高速行进并进行行进实验。
（实验例13）
使用由SUS系列材料构成的辊，在真空中进行行进实验。
图8至图12关于实验例9至实验例13分别表示往返次数与每两个辊的总磨损粉末量之间的关系。
分别表示如下：图8表示在真空中进行行进实验的情况、图9表示在大气压中进行行进实验的情况、图10表示在加热真空中进行行进实验的情况、图11表示在真空中进行高速行进实验的情况、图12表示在真空中进行行进实验的情况。
比较图8与图12明显地看出，在作为辊的材质使用塞隆的实验例9中，与使用由SUS系列材料构成的辊的实验例13相比，在真空运送下也能够大幅削减磨损粉末量。
另外，从图9至图11明显地看出，通过将塞隆作为辊的材质使用，从而在大气运送、真空加热运送和真空高速运送中的任一种情况下都能够大幅削减磨损粉末量。即已确认，通过将塞隆作为辊的材质使用，在所使用的空间为减压下或大气压下（即、减压气氛或大气压气氛）的任一种情况下，都能够将滑动轴与辊之间的摩擦抑制得较小。
（对真空装置与真空加热运送的组合行进的评价）
在下面的实验中，改变轴与辊的材质的组合，并且在真空中及大气中进行行进实验，对其磨损量的不同进行测定和评价。
使加载有260kg的载荷的托盘以0.65m/sec的速度，在长度12m的运送路径往返行进。此时，依次进行在1.4×10-2Pa中的真空运送60万周期和在120℃下的真空加热运送20万周期，并测定每两个辊的总磨损粉末量。
（实验例14）
将轴的材质设为SUS，将辊的材质设为塞隆。
（实验例15）
将轴的材质设为SUS，将辊的材质设为SUS。
图13表示运送路径的往返次数与每两个辊的总磨损粉末量之间的关系。
从图13明显地看出，与辊的材质设为SUS的实验例15相比，将辊的材质设为塞隆的实验例14的辊，在真空运送和真空加热运送的组合运送下都能够大幅削减磨损量。
（对轴材料和辊材料的评价）
在下面的实验中，以各种方式改变轴与辊的材质的组合，在大气中进行行进实验，并对其磨损量的不同进行测定和评价。
使加载有260kg的载荷的托盘以0.65m/sec的速度，在长度12m的运送路径往返行进，并测定每两个辊的总磨损粉末量。
（实验例16）
将轴材质设为SUS440C，并将辊的材质设为SUS440C（表面粗糙度Ra：1.6μm）。
（实验例17）
将轴材质设为SUS440C，并将辊的材质设为SUS440C（表面粗糙度Ra：0.2μm）。
（实验例18）
将轴材质设为SUS440C，并将辊的材质设为USR-1。
（实验例19）
将轴材质设为SUS304，并将辊的材质设为USR-1。
关于实验例16至实验例19，图14表示运送路径的往返次数与每两个辊的总磨损粉末量之间的关系。
从图14明显地看出，与轴和辊这两个都由SUS材料构成的实验例16、17相比，将一个（在此为辊）设为USR-1的实验例18、19的辊能够大幅削减磨损量。另外认为，在将辊设为SUS系列材料，并将轴设为USR-1的情况下，也能得到相同的效果。
（对真空运送与大气运送的组合行进的评价）
在下面的实验中，改变轴与辊的材质的组合，并且在真空中及大气中进行行进实验，对其磨损量的不同进行测定和评价。
使加载有260kg的载荷的托盘以0.65m/sec的速度，在长度12m的运送路径往返行进。此时，依次进行在1.4×10-2Pa中的真空运送60万周期和在120℃下的真空加热运送20万周期，并测定每二十一个辊（相当于两个腔室份）的总磨损粉末量。
（实验例20）
将轴材质设为SUS440C，并将辊的材质设为SUS440C。
（实验例21）
将轴材质设为SUS440C，并将辊的材质设为USR-1。
关于实验例20至实验例21，图15表示运送路径的往返次数与每两个辊的总磨损粉末量之间的关系。
从图15明显地看出，与轴和辊这两个都由SUS材料构成的实验例20相比，将一个（在此为辊）为USR-1的实验例21的辊在真空运送、真空加热运送、大气运送和真空高速运送的组合运送下都能够大幅削减磨损量。
（对辊的槽部形状的评价）
对辊的槽部的曲率半径与滑动系数及内部剪切应力的关系进行评价。
（实验例22）
对具有曲率半径R=∞（平面）、R=34mm、R=28mm、R=20mm的槽部的辊，分别测定滑动量及内部剪切应力。
图16表示槽部的曲率半径R与滑动系数及内部剪切应力之间的关系。
从图16明显地看出，槽部的曲率半径R越小滑动系数越大，另一方面，槽部的曲率半径R越小内部剪切应力越小。
为了减少由滑动引起的磨损，最好曲率半径R大（槽部浅）。另一方面，为了防止由滚动接触疲劳引起的切削，最好槽部的曲率半径R小（槽部深）。可通过考虑这些滑动系数和内部剪切应力，并将槽部的曲率半径设为规定范围，从而抑制由滚动接触疲劳引起的切削和由滑动引起的磨损这两者。例如，优选将曲率半径R设为20mm≤R≤34mm。
在本发明的实施方式中，将运送机构由“在下部具备圆柱状的滑动轴，并运送所述被处理体的运送部件（托盘）”和“由具备与所述滑动轴相接并引导所述运送部件的U字状的槽部的多个辊构成的支撑部件”构成，并且通过规定所述滑动轴与所述辊的接触部的材料，从而在所使用的空间为减压下或大气压下（即、减压气氛或大气压气氛）的任一种情况下，都能够减低滑动轴与辊之间的摩擦。
以上，对本发明的实施方式所涉及的被处理体的运送机构进行了说明，但本发明并不限定于此，在不脱离本发明的宗旨的范围，能够进行适当变更。
产业上的可利用性
本发明能够广泛应用在被处理体的运送机构中。
附图标记说明
Figure BDA00003536755600121

Claims (6)

1.一种被处理体的运送机构，包括：
运送部件，在下部具备圆柱状的滑动轴并运送被处理体；和
支撑部件，由具备与所述滑动轴相接并引导所述运送部件的U字状的槽部的多个辊构成，
所述被处理体的运送机构的特征在于，
所述滑动轴及所述辊中一方的至少接触部由包括硅、铝、氧及氮的块体构成，
所述滑动轴及所述辊中另一方的至少接触部由不锈钢构成。
2.根据权利要求1所述的被处理体的运送机构，其特征在于，
所述块体进一步包括钇、钙、镁、锂和钠中的至少一种。
3.根据权利要求1或2所述的被处理体的运送机构，其特征在于，
所述支撑部件的U字状的槽部的曲率半径R在15～40mm的范围。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的被处理体的运送机构，其特征在于，
通过所述支撑部件使所述运送部件移动的运送速度在1～3000mm/sec的范围。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的被处理体的运送机构，其特征在于，
通过所述支撑部件使所述运送部件移动的运送加速度在加速时为1200mm/sec2以下，在减速时为-650mm/sec2以下。
6.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
所述运送部件立式运送所述被处理体。
CN201180065526.2A 2011-04-15 2011-10-28 被处理体的运送机构 Active CN103329257B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-091409 2011-04-15
JP2011091409 2011-04-15
PCT/JP2011/074987 WO2012140801A1 (ja) 2011-04-15 2011-10-28 被処理体の搬送機構

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103329257A true CN103329257A (zh) 2013-09-25
CN103329257B CN103329257B (zh) 2016-11-09

Family

ID=47009000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180065526.2A Active CN103329257B (zh) 2011-04-15 2011-10-28 被处理体的运送机构

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5721816B2 (zh)
KR (1) KR101537249B1 (zh)
CN (1) CN103329257B (zh)
TW (1) TWI503916B (zh)
WO (1) WO2012140801A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103896069A (zh) * 2014-03-21 2014-07-02 京东方科技集团股份有限公司 一种导向轮及传送装置

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103213768B (zh) * 2013-04-19 2015-08-12 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板搬送治具
KR20170008270A (ko) * 2014-05-15 2017-01-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 입자 제거 디바이스 및 이의 작동 방법
WO2018225826A1 (ja) * 2017-06-08 2018-12-13 株式会社アルバック 基板ガイド、キャリア
JP2019071447A (ja) * 2018-12-19 2019-05-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 粒子除去デバイス、及び粒子除去デバイスを操作する方法
JP7242414B2 (ja) * 2019-05-08 2023-03-20 株式会社アルバック 真空搬送装置及び成膜装置
JP2023103649A (ja) 2022-01-14 2023-07-27 株式会社アルバック 基板処理装置および基板処理方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1128806A (zh) * 1994-09-20 1996-08-14 株式会社日立制作所 浸入熔融金属的滑动轴承和连续热浸涂镀装置
CN101661222A (zh) * 2008-08-29 2010-03-03 东京毅力科创株式会社 基板搬送装置
US20100126415A1 (en) * 2007-04-16 2010-05-27 Ulvac, Inc. Conveyor and deposition apparatus, and maintenance method thereof
US20100254044A1 (en) * 2009-04-07 2010-10-07 Alphana Technology Co., Ltd. Disk drive device having fluid dynamic bearing with porous member at position in which lubricant is charged

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002337028A (ja) * 2001-05-11 2002-11-26 Ntn Corp 微小部品供給装置
JP2005199197A (ja) * 2004-01-16 2005-07-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板搬送方法
CN100590171C (zh) * 2004-06-18 2010-02-17 独立行政法人物质·材料研究机构 α型赛隆陶瓷和α型赛隆陶瓷荧光体及其制造方法
JP4588379B2 (ja) * 2004-07-21 2010-12-01 太平洋セメント株式会社 半導体製造装置用部材の製造方法
JP2006305708A (ja) * 2005-05-02 2006-11-09 Ngk Spark Plug Co Ltd サイアロン製スローアウェイチップおよび切削工具
JP2006263599A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Toray Ind Inc ペースト分散装置およびペースト製造方法
JP2006276575A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Seiko Precision Inc 光学ユニット
JP2008121806A (ja) * 2006-11-13 2008-05-29 Fukui Byora Co Ltd 弁軸の製造方法及びそれによって製造された弁軸
JP4745447B2 (ja) * 2010-02-04 2011-08-10 キヤノンアネルバ株式会社 基板搬送装置及び真空処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1128806A (zh) * 1994-09-20 1996-08-14 株式会社日立制作所 浸入熔融金属的滑动轴承和连续热浸涂镀装置
US20100126415A1 (en) * 2007-04-16 2010-05-27 Ulvac, Inc. Conveyor and deposition apparatus, and maintenance method thereof
CN101661222A (zh) * 2008-08-29 2010-03-03 东京毅力科创株式会社 基板搬送装置
US20100254044A1 (en) * 2009-04-07 2010-10-07 Alphana Technology Co., Ltd. Disk drive device having fluid dynamic bearing with porous member at position in which lubricant is charged

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103896069A (zh) * 2014-03-21 2014-07-02 京东方科技集团股份有限公司 一种导向轮及传送装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2012140801A1 (ja) 2014-07-28
KR101537249B1 (ko) 2015-07-17
TW201246434A (en) 2012-11-16
TWI503916B (zh) 2015-10-11
WO2012140801A1 (ja) 2012-10-18
CN103329257B (zh) 2016-11-09
KR20130113501A (ko) 2013-10-15
JP5721816B2 (ja) 2015-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103329257A (zh) 被处理体的运送机构
CN101767718B (zh) 传送一个或多个基板于工艺模块之间或装卸站之间的方法
US8328946B2 (en) Conveyor assembly with removable rollers for a vapor deposition system
CN103449714A (zh) 基板分断装置及基板分断装置的基板搬送方法
KR20190053293A (ko) 코팅 장치 및 방법
CN101353109A (zh) 运输设备、运输系统以及伸长机构
CN103283011B (zh) 成膜装置
CN103958725A (zh) 在线淀积系统和用于淀积薄膜层的过程
CN111908123B (zh) 储料器输送机
US4113082A (en) Apparatus and method for storing and transporting substrates in a batch-type vacuum process
JP2010040755A (ja) 基板搬送装置
TW201542428A (zh) 玻璃板保持具、玻璃板移動限制裝置及玻璃物品之製造方法
JP2002534800A (ja) 搬送装置
TWI768165B (zh) 熱處理爐
US20120037478A1 (en) Roller convey system
US20140110225A1 (en) Conveyor assembly with geared, removable rollers for a vapor deposition system
TWI628131B (zh) Handling device, handling system
TW201336761A (zh) 直接傳動式平板運送裝置
CN219545900U (zh) 一种输送轨道及装置
CN213444668U (zh) 一种托盘链式顶升移载机
JP2014107412A (ja) 搬送システム及び成膜装置
TWI806948B (zh) 熱處理爐及其製造方法
CN214298059U (zh) 一种可平移传输机构
CN210762834U (zh) 一种移栽机及其控制系统
KR101193714B1 (ko) 평판 유리용 운반 장치 및 그 사용

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant