JP5721816B2 - 被処理体の搬送機構 - Google Patents
被処理体の搬送機構 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5721816B2 JP5721816B2 JP2013509736A JP2013509736A JP5721816B2 JP 5721816 B2 JP5721816 B2 JP 5721816B2 JP 2013509736 A JP2013509736 A JP 2013509736A JP 2013509736 A JP2013509736 A JP 2013509736A JP 5721816 B2 JP5721816 B2 JP 5721816B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- roller
- conveyance
- tray
- substrate
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 title claims description 37
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 19
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 62
- 239000000463 material Substances 0.000 description 47
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 28
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 27
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 23
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 22
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 16
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
- B65G49/063—Transporting devices for sheet glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
- B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
- B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
- B65G49/061—Lifting, gripping, or carrying means, for one or more sheets forming independent means of transport, e.g. suction cups, transport frames
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67709—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations using magnetic elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G2249/00—Aspects relating to conveying systems for the manufacture of fragile sheets
- B65G2249/02—Controlled or contamination-free environments or clean space conditions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Rollers For Roller Conveyors For Transfer (AREA)
Description
本願は、2011年4月15日に、日本に出願された特願2011−091409号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
従来の成膜装置100は、基板着脱室120、1ライン上に連結された第一乃至第3の3つの真空処理室200、220、240、基板トレーを大気側と真空処理室200、220、240間で搬送するL/UL室(Load/Unload:仕込/取出)140と、を備える。
また、基板トレーの下面にはラックが設けられ、基板着脱室120、第1乃至第3の真空処理室200、220、240にはモータの回転力で回転させられるそれぞれ複数個のピニオンギヤが設けられている。ピニオンギヤとラックを噛み合わせることにより、モータの駆動力を基板トレーに伝達して、基板トレーを搬送する。
基板着脱室120で、基板トレーに基板を載置されると、この基板トレーは、L/UL室140に搬送され、このL/UL室140が真空排気され、高真空化された後に、真空処理室200内に用意されている、往路となる第一の搬送経路160に搬送される。
基板トレー(基板キャリア)は、第一の搬送経路(往路)160を搬送されながら、真空処理室200、220、240において、載置された基板が加熱や成膜等の真空処理が施される。
本発明の第2態様に係る被処理体の搬送機構は、第1態様において、前記バルク体は、さらに、イットリウム、カルシウム、マグネシウム、リチウム、ナトリウムのうち少なくとも1つを含んでもよい。
本発明の第3態様に係る被処理体の搬送機構は、第1または第2態様において、前記支持部材のU字状の溝部は、その曲率半径Rが20〜34mmの範囲であってもよい。
本発明の第4態様に係る被処理体の搬送機構は、第1乃至第3態様のいずれか1項において、前記支持部材により前記搬送部材を移動させる搬送速度は、1〜3000mm/secの範囲であってもよい。
本発明の第5態様に係る被処理体の搬送機構は、第1乃至第4態様のいずれか1項において、前記支持部材により前記搬送部材を移動させる搬送加速度は、加速時に1200mm/sec2以下、減速時に−650mm/sec2以下であってもよい。
本発明の第6態様に係る成膜装置は、第1又は第2態様に記載の被処理体の搬送機構を備え、搬送部材は、被処理体を縦型搬送してもよい。
本発明の態様に係る被処理体の搬送機構によれば、磨耗によるパーティクルの発生を抑制することができる。さらに、歩留まりを向上することが可能であり、さらに装置の長寿命化を図ることが可能な被処理体の搬送機構を提供することができる。
この成膜装置1は、2つのL/UL室(Load/Unload:仕込/取出)10A,10B、順番に配されたトレー貯蔵室60、加熱室20、第1成膜室30、及び第2成膜室40を備える。また、L/UL室10A,10Bの前には、基板着脱室50が配されている。
各室間はドアバルブ(図示略)を介して連通されている。また、これらL/UL室10A,10B、前記加熱室20、第1成膜室30には、それらの内部をそれぞれ真空排気するための真空排気装置12,22,32が、それぞれ独立して設けられている。
また、後述するように、基板着脱室50では、真空処理された基板2を載置したトレー70が、L/UL室10A,10Bから搬送されて来るので、この基板2をトレー70から取り外す。基板2が取り外されたトレー70は、次の基板2の搬送に利用される。
L/UL室10A,10Bには、その内部を真空排気するための真空排気装置12A,12Bがそれぞれ設けられている。
L/UL室10A,10Bにおける前記作業時間が、各真空処理室(加熱室20及び成膜室30,40)における真空処理(加熱、成膜)に要する加工時間よりも大幅に長い場合、L/UL室10A,10Bが単数である場合、トレー70の真空処理室への仕込みに手間取り、各真空処理室では真空処理が行えないブランクタイムが生じ、生産効率が低下するという問題が生じる。
加熱室20には、その内部を真空排気するための真空排気装置22が設けられている。
成膜装置33,43としては、特に限定されるものではないが、例えば、スパッタ用のカソードや、CVD用の平行平板型の電極が挙げられる。
基板2を搬送する搬送部材は、基板2を保持するトレー70(キャリア)と、基板2が保持されたトレー70を搬送する線路80とを備える。また、搬送部材は、基板2を縦型搬送する。
ここで、基板2が縦置きにされるのは、主として、大型の液晶ディスプレイやプラズマディスプレイが普及するに伴い、基板自体が大型化、薄型化しており、横置きの場合は成膜装置自体の平面積がそれに伴って大型化するので、縦型とすることで省スペース化を図る趣旨である。また、横置きの場合は、基板2の自重による撓みが生じ、平坦性を保持することが難しく、均一な成膜が困難となるためである。
図2に示すように、トレー70は、アルミニウムなどからなる枠状のフレーム71と、フレーム71の上辺に沿うように設けられたマグネット72と、フレーム71の下辺に沿うように設けられた円柱状のスライダシャフト73と、基板2の荷重を受け、かつ基板2の水平度を保持するための基板受け74と、基板2をトレー70に保持させるためのクランプ75と、基板2の周縁の非成膜領域を覆うためのマスク76とを備えている。
図3に示すように、下部支持機構84は、モータ85と、ローラー86とを備えている。図4に示すように、ローラー86は、トレー70を誘導するU字状の溝部86aを備えている。モータ85が駆動することで、ローラー86が回転し、ローラー86上をトレー70が水平移動するように構成されている。具体的には、トレー70の下部に設けられたスライダシャフト73がローラー86の溝部86aに係合し、トレー70が水平移動可能に構成されている。
また、本発明の実施形態では、ローラー86の溝部86aをU字形状とすることで、滑らかな搬送ができるとともに、スライドシャフト73とローラー86の磨耗を大幅に抑えることができ、磨耗によるダストの発生を低減できる。
図5に示すように、上部支持機構88は複数のマグネット89が設けられている。そして、トレー70の上辺にもマグネット72が取り付けられており、マグネット89とマグネット72が垂直方向に対向するように、かつ互いのマグネット89,72が吸着しあうように配置される。
スライドシャフト73又はローラー86の接触部を上記のような材料により構成することで、スライドシャフト73とローラー86の磨耗を抑えることができ、磨耗によるダストの発生を低減できる。これにより歩留まりを向上できるとともに、装置の長寿命化を図ることができる。
さらに、上記のような元素を含む材料を用いることにより、スライドシャフト73とローラー86の磨耗を大幅に抑えることができ、磨耗によるダストの発生を低減できる。
後掲する図16に示されるように、溝部の曲率半径Rが小さくなるほど、滑り係数は大きくなるのに対して、内部せん断応力は小さくなる傾向がある。
摺動による磨耗を少なくするためには、曲率半径Rが大きい(溝部が浅い)方がよい。
一方、転がり疲れによる削れを防止するためには、曲率半径Rが小さい(溝部が深い)方がよい。これらの滑り係数と内部せん断応力とを考慮し、溝部の曲率半径を所定範囲とすることで、転がり疲れによる削れと摺動による磨耗の双方を抑えることができる。例えば、溝部の曲率半径Rを、20mm≦R≦34mmとすることが好ましい。
以下、本発明の実施形態の効果を確認するために行った実験例に付いて説明する。
(搬送方式についての評価)
まず、大気中を走行する搬送経路において、シャフト及びローラー式の搬送経路(実験例1)とラック及びピニオン形式の搬送経路(実験例2,3)で、その磨耗量の違いについて測定、評価した。
ラック及びピニオン、シャフト及びローラーは、いずれもSUS440Cから構成したものを用いた。また、ローラーが有する溝部の形状は、U字形状とした。
260kgの負荷を加重させたトレーを、0.65m/秒の速さで、長さ12mの搬送経路を往復走行させ、ローラー1個当たりの磨耗粉量を測定した。
なお、ラック及びピニオン形式の搬送経路においては、ラックとピニオンの動きを完全に同期させた場合(実験例2)と、完全に非同期させた場合(実験例3)とで行った。
図6から明らかなように、シャフト及びローラー搬送した実験例1では、ラック及びピニオン搬送した実験例2,3に比べて大幅に磨耗量を削減することができることがわかった。
以下の実験では、シャフト及びローラー形式の搬送経路について、ローラーの材質及び溝部の形状を各種変えて大気中で走行実験を行い、その磨耗量の違いについて測定、評価した。なお、シャフトの材質は全てSUS440Cで統一した。
260kgの負荷を加重させたトレーを、0.65m/秒の速さで、長さ12mの搬送経路を往復走行させ、ローラー2個当たりの全磨耗粉量を測定した。
(実験例4)
ローラーの材質をAl2O3とした。
(実験例5)
ローラーの材質をSUS440C(表面粗さRa:1.6μm)とした。
(実験例6)
ローラーの材質をSUS440C(表面粗さRa<0.4μm)とした。
(実験例7)
ローラーの材質を、セラミック系材を使用したUSR−1とした。ここで、「USR−1」とは、シリコン(Si)、アルミニウム(Al)、酸素(O)および窒素(N)を含むバルク体に、さらに、元素M(イットリウム、カルシウム、マグネシウム、リチウム、ナトリウムのうち少なくとも1つ)を含有してなるセラミック系材の略称である。このセラミック系材における好適な組成[mol%]の範囲は、0<Al<33、0<O<33、25<N<60、0<(元素M)<7、残部Siである。また、このセラミック系材における好適な物性値としては、3点曲げ強度[MPa]:>850、破壊靭性値[MPa・m1/2]:>5、ヤング率[GPa]:>290、嵩密度[g・cm−3]:>3.2、等が挙げられる。
(実験例8)
ローラーの材質をSUS440Cとした。ただし、溝部の形状をV字形状とした。
図7から明らかなように、Al2O3からなる実験例4のローラーに比べて、SUS系材料からなる実験例5,6のローラーでは、磨耗量が抑えられていることがわかった。また、表面粗さRaの小さい実験例6では、表面粗さRaの大きい実験例5に比べて磨耗量が小さかった。
さらに、USR−1からなる実験例7のローラーでは、SUS系材料からなるローラーよりも、磨耗量をさらに大幅に削減できることがわかった。
また、ローラーが有する溝部の形状について、V字形状とした実験例8では、U字形状とした実験例5,6に比べて磨耗が大きい。これは、V字形状の溝部の左右で周速差が発生してしまったためと考えられる。これにより、溝部をU字形状とすることにより、滑らかな搬送が可能となることがわかった。
以下の実験では、シャフト&ローラー形式の搬送経路について、サイアロン(SiAlON)からなるローラーについて各種条件で走行実験を行い、その磨耗量の違いについて測定、評価した。
260kgの負荷を加重させたトレーを、0.65m/秒の速さで、長さ12mの搬送経路を往復走行させ、ローラー2個当たりの全磨耗粉量を測定した。
(実験例9)
真空中で走行実験を行った。
(実験例10)
大気中で走行実験を行った。
(実験例11)
真空中、120℃に加熱して走行実験を行った。
(実験例12)
真空中、2m/秒の速さで、高速走行させて走行実験を行った。
(実験例13)
SUS系材料からなるローラーを用いて、真空中で走行実験を行った。
図8は真空中で走行実験を行った場合、図9は大気中で走行実験を行った場合、図10は加熱真空中で走行実験を行った場合、図11は真空中で高速走行実験を行った場合、図12は真空中で走行実験を行った場合、をそれぞれ表している。
図8と図12とを比較して明らかなように、ローラの材質としてサイアロンを用いた実験例9では、SUS系材料からなるローラーを用いた実験例13に比べて、真空搬送においても磨耗量を大幅に削減できることがわかった。
また、図9〜図11から明らかなように、ローラの材質としてサイアロンを用いることで、大気搬送、真空加熱搬送、真空高速搬送のいずれにおいても磨耗量を大幅に削減できることがわかった。すなわち、ローラの材質としてサイアロンを用いることにより、使用される空間が減圧下、大気圧下(すなわち、減圧雰囲気又は大気圧雰囲気)の何れであっても、スライドシャフトとローラー間の摩擦を低く抑えられることが確認された。
以下の実験では、シャフトとローラーの材質の組み合わせを変えるとともに、真空中及び大気中で走行実験を行い、その磨耗量の違いについて測定、評価した。
260kgの負荷を加重させたトレーを、0.65m/秒の速さで、長さ12mの搬送経路を往復走行させた。このとき、1.4×10−2Paにおける真空搬送を60万サイクルと、120℃での真空加熱搬送を20万サイクルと、を順に行い、ローラー2個当たりの全磨耗粉量を測定した。
(実験例14)
シャフト材質をSUSとし、ローラーの材質をサイアロンとした。
(実験例15)
シャフト材質をSUSとし、ローラーの材質をSUSとした。
図13から明らかなように、ローラーの材質をSUSとした実験例15に比べて、ローラーの材質をサイアロンとした実験例14のローラーでは、真空搬送、真空加熱搬送の組み合わせ搬送においても磨耗量を大幅に削減できることがわかった。
以下の実験では、シャフトとローラーの材質の組み合わせを各種変えて大気中で走行実験を行い、その磨耗量の違いについて測定、評価した。
260kgの負荷を加重させたトレーを、0.65m/秒の速さで、長さ12mの搬送経路を往復走行させ、ローラー2個当たりの全磨耗粉量を測定した。
(実験例16)
シャフト材質をSUS440Cとし、ローラーの材質をSUS440C(表面粗さRa:1.6μm)とした。
(実験例17)
シャフト材質をSUS440Cとし、ローラーの材質をSUS440C(表面粗さRa:0.2μm)とした。
(実験例18)
シャフト材質をSUS440Cとし、ローラーの材質をUSR−1とした。
(実験例19)
シャフト材質をSUS304とし、ローラーの材質をUSR−1とした。
図14から明らかなように、シャフト、ローラーの双方ともSUS系材料からなる実験例16,17に比べて、一方を(ここではローラー)USR−1とした実験例18,19のローラーでは、磨耗量を大幅に削減できることがわかった。また、ローラーをSUS系材料とし、シャフトをUSR−1とした場合でも、同様の効果が得られると考えられる。
以下の実験では、シャフトとローラーの材質の組み合わせを変えるとともに、真空中及び大気中で走行実験を行い、その磨耗量の違いについて測定、評価した。
260kgの負荷を加重させたトレーを、0.65m/秒の速さで、長さ12mの搬送経路を往復走行させた。このとき、1.4×10−2Paにおける真空搬送を60万サイクルと、120℃での真空加熱搬送を10万サイクルと、大気搬送を20万サイクルと、真空高速搬送を20万サイクルと、を順に行い、ローラー21個当たり(チャンバ2つ分に相当)の全磨耗粉量を測定した。
(実験例20)
シャフト材質をSUS440Cとし、ローラーの材質をSUS440Cとした。
(実験例21)
シャフト材質をSUS440Cとし、ローラーの材質をUSR−1とした。
図15から明らかなように、シャフト、ローラーの双方ともSUS系材料からなる実験例20に比べて、一方を(ここではローラー)USR−1とした実験例21のローラーでは、真空搬送、真空加熱搬送、大気搬送、真空高速搬送の組み合わせ搬送においても磨耗量を大幅に削減できることがわかった。
ローラーの溝部の曲率半径と、滑り係数及び内部せん断応力との関係について評価した。
(実験例22)
曲率半径R=∞(平面)、R=34mm、R=28mm、R=20mmの溝部を有するローラーについて、滑り量及び内部せん断応力をそれぞれ測定した。
図16から明らかなように、溝部の曲率半径Rが小さくなるほど、滑り係数は大きくなり、一方、溝部の曲率半径Rが小さくなるほど、内部せん断応力は小さくなっている。
摺動による磨耗を少なくするためには、曲率半径Rが大きい(溝部が浅い)ほうがよい。一方、転がり疲れによる削れを防止するためには、曲率半径Rが小さい(溝部が深い)ほうがよい。これらの滑り係数と内部せん断応力とを考慮し、溝部の曲率半径を所定範囲とすることで、転がり疲れによる削れと摺動による磨耗の双方を抑えることができる。例えば、曲率半径Rを20mm≦R≦34mmとすることが好ましい。
2 基板(被処理体)
10A,10B L/UL室
20 加熱室
30,40 成膜室
50 基板着脱機構
60 トレー貯蔵室
70 トレー(搬送部材)
81 第一線路(往路)
82 第二線路(復路)
Claims (6)
- 円柱状のスライドシャフトを下部に備え、被処理体を運ぶ搬送部材と、
前記スライドシャフトと接して、前記搬送部材を誘導するU字状の溝部を備えた、複数のローラーからなる支持部材と、
を備える被処理体の搬送機構であって、
前記スライドシャフト及び前記ローラーのうちの一方の少なくとも接触部が、シリコン、アルミニウム、酸素、および窒素を含むバルク体から構成され、
前記スライドシャフト及び前記ローラーのうちの他方の少なくとも接触部が、ステンレス鋼から構成されており、
摺動時における、前記スライドシャフト及び前記ローラーの対向面の一方が前記バルク体であり、他方が前記ステンレス鋼であることを特徴とする被処理体の搬送機構。 - 前記バルク体は、さらに、イットリウム、カルシウム、マグネシウム、リチウム、ナトリウムのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の被処理体の搬送機構。
- 前記支持部材のU字状の溝部は、その曲率半径Rが20〜34mmの範囲であることを特徴とする請求項1または2に記載の被処理体の搬送機構。
- 前記支持部材により前記搬送部材を移動させる搬送速度は、1〜3000mm/secの範囲であることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の被処理体の搬送機構。
- 前記支持部材により前記搬送部材を移動させる搬送加速度は、加速時に1200mm/sec2以下、減速時に−650mm/sec2以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の被処理体の搬送機構。
- 請求項1または2に記載の被処理体の搬送機構を備え、搬送部材は、被処理体を縦型搬送することを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013509736A JP5721816B2 (ja) | 2011-04-15 | 2011-10-28 | 被処理体の搬送機構 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011091409 | 2011-04-15 | ||
JP2011091409 | 2011-04-15 | ||
PCT/JP2011/074987 WO2012140801A1 (ja) | 2011-04-15 | 2011-10-28 | 被処理体の搬送機構 |
JP2013509736A JP5721816B2 (ja) | 2011-04-15 | 2011-10-28 | 被処理体の搬送機構 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012140801A1 JPWO2012140801A1 (ja) | 2014-07-28 |
JP5721816B2 true JP5721816B2 (ja) | 2015-05-20 |
Family
ID=47009000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013509736A Active JP5721816B2 (ja) | 2011-04-15 | 2011-10-28 | 被処理体の搬送機構 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5721816B2 (ja) |
KR (1) | KR101537249B1 (ja) |
CN (1) | CN103329257B (ja) |
TW (1) | TWI503916B (ja) |
WO (1) | WO2012140801A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103213768B (zh) * | 2013-04-19 | 2015-08-12 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶面板搬送治具 |
CN103896069A (zh) * | 2014-03-21 | 2014-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种导向轮及传送装置 |
JP2017520112A (ja) * | 2014-05-15 | 2017-07-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 粒子除去デバイス、及び粒子除去デバイスを操作する方法 |
KR102174217B1 (ko) | 2017-06-08 | 2020-11-04 | 가부시키가이샤 아루박 | 기판 가이드, 캐리어 |
JP2019071447A (ja) * | 2018-12-19 | 2019-05-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 粒子除去デバイス、及び粒子除去デバイスを操作する方法 |
JP7242414B2 (ja) * | 2019-05-08 | 2023-03-20 | 株式会社アルバック | 真空搬送装置及び成膜装置 |
JP2023103649A (ja) | 2022-01-14 | 2023-07-27 | 株式会社アルバック | 基板処理装置および基板処理方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002337028A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-26 | Ntn Corp | 微小部品供給装置 |
JP2005199197A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板搬送方法 |
WO2005123876A1 (ja) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | National Institute For Materials Science | α型サイアロン及びα型サイアロン蛍光体並びにその製造方法 |
JP2006263599A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Toray Ind Inc | ペースト分散装置およびペースト製造方法 |
JP2006276575A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Seiko Precision Inc | 光学ユニット |
JP2006305708A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | サイアロン製スローアウェイチップおよび切削工具 |
JP2008121806A (ja) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Fukui Byora Co Ltd | 弁軸の製造方法及びそれによって製造された弁軸 |
WO2008129983A1 (ja) * | 2007-04-16 | 2008-10-30 | Ulvac, Inc. | コンベアおよび成膜装置とそのメンテナンス方法 |
JP2010159167A (ja) * | 2010-02-04 | 2010-07-22 | Canon Anelva Corp | 基板搬送装置及び真空処理装置 |
JP2010244626A (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Alphana Technology Co Ltd | ディスク駆動装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2948108B2 (ja) * | 1994-09-20 | 1999-09-13 | 株式会社日立製作所 | 溶融金属中すべり軸受および溶融金属めっき装置 |
JP4588379B2 (ja) * | 2004-07-21 | 2010-12-01 | 太平洋セメント株式会社 | 半導体製造装置用部材の製造方法 |
JP4675401B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置 |
-
2011
- 2011-10-28 WO PCT/JP2011/074987 patent/WO2012140801A1/ja active Application Filing
- 2011-10-28 JP JP2013509736A patent/JP5721816B2/ja active Active
- 2011-10-28 CN CN201180065526.2A patent/CN103329257B/zh active Active
- 2011-10-28 KR KR1020137018513A patent/KR101537249B1/ko active IP Right Grant
- 2011-10-31 TW TW100139624A patent/TWI503916B/zh active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002337028A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-26 | Ntn Corp | 微小部品供給装置 |
JP2005199197A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板搬送方法 |
WO2005123876A1 (ja) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | National Institute For Materials Science | α型サイアロン及びα型サイアロン蛍光体並びにその製造方法 |
JP2006263599A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Toray Ind Inc | ペースト分散装置およびペースト製造方法 |
JP2006276575A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Seiko Precision Inc | 光学ユニット |
JP2006305708A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | サイアロン製スローアウェイチップおよび切削工具 |
JP2008121806A (ja) * | 2006-11-13 | 2008-05-29 | Fukui Byora Co Ltd | 弁軸の製造方法及びそれによって製造された弁軸 |
WO2008129983A1 (ja) * | 2007-04-16 | 2008-10-30 | Ulvac, Inc. | コンベアおよび成膜装置とそのメンテナンス方法 |
JP2010244626A (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-28 | Alphana Technology Co Ltd | ディスク駆動装置 |
JP2010159167A (ja) * | 2010-02-04 | 2010-07-22 | Canon Anelva Corp | 基板搬送装置及び真空処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201246434A (en) | 2012-11-16 |
JPWO2012140801A1 (ja) | 2014-07-28 |
CN103329257B (zh) | 2016-11-09 |
TWI503916B (zh) | 2015-10-11 |
KR101537249B1 (ko) | 2015-07-17 |
CN103329257A (zh) | 2013-09-25 |
KR20130113501A (ko) | 2013-10-15 |
WO2012140801A1 (ja) | 2012-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5721816B2 (ja) | 被処理体の搬送機構 | |
JP5945553B2 (ja) | 被覆装置および被覆方法 | |
JP4745447B2 (ja) | 基板搬送装置及び真空処理装置 | |
WO2013118764A1 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
KR101483180B1 (ko) | 성막 장치 | |
TWI603418B (zh) | 成膜裝置 | |
JP2005340425A (ja) | 真空処理装置 | |
JP6055229B2 (ja) | 被処理体の搬送機構および真空処理装置 | |
TW201910545A (zh) | 用於處理基板的設備、用於處理基板的處理系統、以及用於保養用在處理基板的設備的方法 | |
JP2010024469A (ja) | スパッタ装置 | |
TWI628131B (zh) | Handling device, handling system | |
KR20180104130A (ko) | 성막 장치 | |
KR20190025504A (ko) | 플로트 유리 제조 장치 및 플로트 유리 제조 방법 | |
JP2012001283A (ja) | 基板搬送装置及び真空処理装置 | |
JP2014107412A (ja) | 搬送システム及び成膜装置 | |
KR20190142728A (ko) | 플로트 유리 제조 장치 및 플로트 유리 제조 방법 | |
WO2011121632A1 (ja) | 搬送機構及びこれを用いた真空処理装置と電子デバイスの製造方法 | |
CN118241175A (zh) | 成膜装置 | |
WO2010026733A1 (ja) | 基板搬送装置及び真空成膜装置 | |
JP2012001282A (ja) | 基板搬送装置及び真空処理装置 | |
KR20100025950A (ko) | 기판의 이송장치 | |
CN118256886A (zh) | 支承单元、成膜装置以及载体的支承方法 | |
CN118016585A (zh) | 基板保持器、基板保持方法以及成膜装置 | |
JP2009209454A (ja) | 基板の成膜方法及び円板状基板 | |
JP2006063412A (ja) | 成膜方法および成膜装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140715 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150310 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150324 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5721816 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |