KR20170008270A - 입자 제거 디바이스 및 이의 작동 방법 - Google Patents

입자 제거 디바이스 및 이의 작동 방법 Download PDF

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KR20170008270A
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병욱 지
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

캐리어(40) 상에서 지지되는 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템을 위한 입자 제거 디바이스(200)가 설명된다. 입자 제거 디바이스(200)는 리세스 - 리세스는 캐리어(40)의 부분이 리세스를 통해 이동될 수 있도록 구성됨 - 를 갖는 베이스 본체(210), 및 리세스에 제공되며 캐리어(40)의 부분이 리세스를 통해 이동될 때 캐리어의 부분과 접촉하도록 구성되는 브러시(210)를 포함한다.

Description

입자 제거 디바이스 및 이의 작동 방법{PARTICLE REMOVAL DEVICE AND METHOD OF OPERATING THEREOF}
[0001] 실시예들은 진공 프로세싱 시스템에서 또는 그 내부에서 캐리어의 세정에 관한 것이다. 실시예들은 특히, 입자 제거 디바이스, 로드 록 챔버, 및 진공 프로세싱 시스템에 관한 것이다.
[0002] 기판은 종종, 예컨대, 진공 코팅 설비들에서, 고-진공 조건들 하에서, 5*10-4hPa 내지 0.5hPa 범위 내의 압력들에서 코팅된다. 설비 생산성을 증가시키고 각각의 기판, 그리고 특히, 고-진공 섹션에 대해 전체 설비를 진공 배기해야 할 필요성을 피하기 위해, 로드(load) 및 언로드(unload) 록들(locks)이 기판들에 대해서 사용된다.
[0003] 예컨대, 플랫 패널 디스플레이 생산에서, 프로세싱 시스템의 기계적 컴포넌트들과 프로세스 그 자체 양자 모두로부터의 입자들은 수율 손실에 대한 주 인자이다. 따라서, 진공 프로세스 동안 더 적은 오염을 위한 소망은 지난 몇 년간 증가되었다. 예컨대, 프로세싱 시스템의 챔버들이 적절하게 진공으로 진공 배기되지 않는 경우, 프로세스 시스템의 컴포넌트들 또는 운송 시스템이 프로세스 동안 입자들을 생성하는 경우, 프로세싱될 기판이 입자들을 진공 배기된 프로세스 시스템 내로 도입하는 경우, 등의 경우에 오염이 발생할 수 있다. 따라서, 작동 동안 증착 시스템에는, 생산품 품질에 영향을 주는, 복수의 가능한 오염 입자 소스들이 존재한다.
[0004] 프로세스 시스템에서의 연속적인 진공 펌핑뿐만 아니라 컴포넌트들을 세정하고 교환하는 것은 생산품의 오염 위험을 감소시키기 위한 방법이다. 그러나, 상기 언급된 바와 같이, 그럼에도 불구하고 프로세스는 가능한 한 가장 빠르고 효율적인 방식으로 수행되어야 한다. 세정 및 교환 절차들은 유지보수를 위해 시간이 걸리고, 그러면 그러한 시간은 생산 시간을 위해 사용될 수 없다.
[0005] 상기 내용을 고려하여, 개선된 입자 제거 디바이스, 개선된 로드 록 챔버, 개선된 진공 프로세싱 시스템, 및 진공 프로세싱 시스템에서 캐리어를 세정하는 개선된 방법을 제공하는 것이 유익하다.
[0006] 일 실시예들에 따르면, 캐리어 상에서 지지되는 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템을 위한 입자 제거 디바이스가 제공된다. 입자 제거 디바이스는 리세스 - 리세스는 캐리어의 부분이 리세스를 통해 이동될 수 있도록 구성됨 - 를 갖는 베이스 본체, 및 리세스에 제공되며 캐리어의 부분이 리세스를 통해 이동될 때 캐리어의 부분과 접촉하도록 구성되는 브러시를 포함한다.
[0007] 다른 실시예에 따르면, 캐리어 상에서 지지되는 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 록 챔버가 제공된다. 로드 록 챔버는, 로드 록 챔버 용적을 형성하는 로드 록 벽들, 캐리어를 로드 록 챔버 내에 록킹 인(locking in)하도록 구성된 유입구 - 유입구는 로드 록 벽들 중 유입구 벽에 제공됨 -, 로드 록 챔버를 진공 배기하기 위한 진공 생성 디바이스, 및 로드 록 챔버의 유입구 벽에서 유입구에 인접하여 로케이팅되는 입자 제거 디바이스를 포함한다. 입자 제거 디바이스는 리세스 - 리세스는 캐리어의 부분이 리세스를 통해 이동될 수 있도록 구성됨 - 를 갖는 베이스 본체, 및 리세스에 제공되며 캐리어의 부분이 리세스를 통해 이동될 때 캐리어의 부분과 접촉하도록 구성되는 브러시를 포함한다.
[0008] 또 다른 실시예에 따르면, 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템이 제공된다. 시스템은, 기판을 프로세싱하도록 이루어진 진공 프로세싱 챔버, 기판을 대기 조건들(atmospheric conditions)로부터 진공 프로세싱 챔버 내로 이송하도록 구성된 로드 록 챔버를 포함한다. 로드 록 챔버는, 로드 록 챔버 용적을 형성하는 로드 록 벽들, 캐리어를 로드 록 챔버 내에 록킹 인(locking in)하도록 구성된 유입구 - 유입구는 로드 록 벽들 중 유입구 벽에 제공됨 -, 로드 록 챔버를 진공 배기하기 위한 진공 생성 디바이스, 및 로드 록 챔버의 유입구 벽에서 유입구에 인접하여 로케이팅되는 입자 제거 디바이스를 포함한다. 입자 제거 디바이스는 리세스 - 리세스는 캐리어의 부분이 리세스를 통해 이동될 수 있도록 구성됨 - 를 갖는 베이스 본체, 및 리세스에 제공되며 캐리어의 부분이 리세스를 통해 이동될 때 캐리어의 부분과 접촉하도록 구성되는 브러시를 포함한다.
[0009] 더 추가적인 실시예에 따르면, 진공 프로세싱 시스템에서 캐리어를 세정하는 방법이 제공된다. 방법은, 진공 프로세싱 시스템의 로드 록 챔버 내로 캐리어를 록킹하는 단계, 및 캐리어가 로드 록 챔버 내로 록킹되어있는 동안 브러시를 이용하여 캐리어의 부분을 세정하는 단계를 포함한다.
[0010] 본 발명의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된, 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있다. 첨부한 도면들은 본 발명의 실시예들에 관한 것이고, 이하에서 설명된다:
도 1은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 입자 제거 디바이스를 포함하는 진공 프로세싱 시스템의 부분을 도시하고;
도 2a는, 캐리어의 세정을 위한 브러시를 갖고, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 입자 제거 디바이스의 개략도를 도시하며;
도 2b는, 석션 포트, 가스 노즐들, 및 캐리어의 세정을 위한 브러시를 갖고, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 추가적인 입자 제거 디바이스의 개략도를 도시하고;
도 3 및 4는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 입자 제거 디바이스 및 로드 록 챔버의 각각의 부분을 도시하며; 그리고
도 5a 및 5b는, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 입자 제거 디바이스의 개략도들을 도시하고; 그리고
도 6은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 로드 록 챔버가 구비된 프로세싱 시스템을 도시한다.
[0011] 이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에 공통되는 동일한 엘리먼트들을 나타내기 위해, 동일한 참조번호들이 사용되었다. 일 실시예에 개시되는 엘리먼트들이, 구체적인 언급 없이 다른 실시예들에서 유익하게 사용될 수 있다는 점이 고려된다.
[0012] 이제, 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이며, 다양한 실시예들 중 하나 또는 그 초과의 예들은 도면들에 예시된다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 대한 차이들만이 설명된다. 또한, 일 실시예의 부분으로서 예시되거나 설명되는 특징들은, 더 추가적인 실시예를 생성하기 위해 다른 실시예들과 함께 사용되거나 또는 다른 실시예들에 대해 사용될 수 있다. 상세한 설명은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하도록 의도된다.
[0013] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 입자 트랩(trap) 또는 입자 제거 디바이스가 제공된다. 예컨대, 입자 트랩 또는 입자 제거 디바이스는 베이스 본체 및 브러시를 포함한다. 브러시는 진공 프로세싱 시스템에서 또는 그 내부에서 캐리어를 세정할 수 있다. 예컨대, 브러시는 진공 브러시, 즉, 브러시를 이용하여 캐리어로부터 세정되는 입자들의 진공 세정을 위한 석션 포트와 조합된 브러시일 수 있다. 입자 트랩 또는 입자 제거 디바이스는, 입자들이 기판, 예컨대, 상부에서 플랫 패널 디스플레이들이 제조되는 기판에 도달하는 것을 방지하는 효과적인 방법을 제공하는 데에 유익할 수 있다.
[0014] 전형적인 구현예들에 따르면, Applied Materials Inc.로부터의 AKT Pivot 및 NewAristo 와 같은 물리 기상 증착(PVD) 툴(tool)에서, 기판 캐리어들은 운송 시스템 상에서 이동하며, 캐리어의 로드(rod)는 롤러 배열체 상에서 이동된다. 시스템 작동 동안, 입자들은 기판 캐리어의 로드 상에 축적된다. 축적된 입자들은 기판 캐리어의 로드에 의해 시스템을 통해 운송되고 시스템에서 순환한다. 결국, 이러한 입자들은, 예컨대, 로드 록 챔버와 같은 진공 챔버의 배기(venting) 및 펌핑 동안의 공기 유동 패턴들 때문에, 또는 정전기 및/또는 동적(dynamic) 효과들 때문에 플랫 패널 기판에 도달할 수 있다.
[0015] 상기 내용을 고려하여, 입자 트랩 또는 입자 제거 디바이스는, 적어도 브러시를 이용하여, 특히, 세정 가스 스트림을 제공하기 위한 가스 배출구들(예컨대, 가스 노즐들), 진공 석션 배열체, 및/또는 브러시를 이용하여, 캐리어의 로드를 세정하도록 유익하게 이루어질 수 있다. 입자들이 패널들에 도달하는 것을 방지하는 효과적인 방법은 입자들을 포획하거나 제거하는 것이다.
[0016] 도 1은, 프로세싱 챔버(124)에 연결되는 로드 록 챔버(122)의 실시예를 도시한다. 예컨대, 로드 록 챔버의 유입구 벽에 입자 트랩 또는 입자 제거 디바이스(200)가 제공된다. 로드 록 챔버(122)는 펌프와 같은 진공 생성 디바이스(135)를 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 실시예에서, 기판은 프로세싱 챔버 및 로드 록 챔버에서 본질적으로 수직-배향된다. 수직 배향된 기판은, 몇 도 만큼의 경사를 이용하여 (기판이 살짝 하방으로 향하게 경사지는 경우) 기판의 입자 오염을 감소시키기 위해 또는 안정적인 운송을 허용하기 위해, 프로세싱 시스템에서 수직, 즉, 90° 배향으로부터 일부 편차를 가질 수 있다는 점, 즉, 기판들은 수직 배향으로부터 ± 20° 또는 그 미만, 예컨대, ±10° 또는 그 미만의 편차를 가질 수 있다는 점이 이해되어야 한다.
[0017] 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 로드 록 챔버는 대면적 기판들을 위해 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 대면적 기판들 또는 각각의 캐리어들 - 캐리어들은 복수의 기판들을 가짐 - 은 적어도 0.67 m²의 크기를 가질 수 있다. 전형적으로, 크기는 약 0.67㎡ (0.73x0.92m - 4.5세대) 또는 그 초과, 더 전형적으로 약 2㎡ 내지 약 9㎡ 또는 심지어 12㎡ 까지일 수 있다. 전형적으로, 기판들 또는 캐리어들은 본원에서 설명되는 바와 같은 대면적 기판들이며, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 구조물들, 시스템들, 챔버들, 슬루스들(sluices), 및 밸브들이, 이러한 기판들 또는 캐리어들을 위해 제공된다. 예컨대, 대면적 기판 또는 캐리어는, 약 0.67㎡ 기판들(0.73x0.92m)에 대응하는 4.5 세대, 약 1.4㎡ 기판들(1.1 x 1.3m)에 대응하는 5 세대, 약 4.29㎡ 기판들(1.95m x 2.2m)에 대응하는 7.5 세대, 약 5.7㎡ 기판들(2.2m x 2.5m)에 대응하는 8.5 세대, 또는 심지어, 약 8.7㎡ 기판들(2.85m x 3.05m)에 대응하는 10 세대일 수 있다. 심지어 11 세대 및 12 세대와 같은 더 큰 세대들 및 대응하는 기판 면적들이 유사하게 구현될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 시스템은, 예컨대, 정적 증착(static deposition)을 이용한 TFT 제조를 위해 구성될 수 있거나, 예컨대, 동적 증착(dynamic deposition)을 이용한 색 필터 제조를 위해 구성될 수 있다.
[0018] 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 로드 록 챔버, 그의 컴포넌트들, 예컨대, 기판 지지부 또는 트랙킹(tracking) 시스템, 슬릿 밸브들 또는 슬루스들, 또는 본원에서 설명되는 바와 같은 프로세싱 챔버는 기판들을 취급하기 위해 이루어질 수 있다. 기판은, 유리 기판들 또는 플라스틱 재료로 만들어진 기판들, 즉, 예컨대, 디스플레이들의 제조를 위해 사용되는 기판들을 포함할 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 실시예들은 디스플레이 제조, 예컨대, PVD, 즉, 디스플레이 시장을 위한 대면적 기판들 상에서의 스퍼터 증착을 위해 활용될 수 있다.
[0019] 상기 언급된 바와 같이, 로드 록 챔버는 진공 펌프들과 같은 진공 생성 디바이스들을 포함할 수 있고, 예컨대, 각각의 진공 밀봉 가능한(sealable) 밸브들을 유입구 챔버 벽 및 배출구 챔버 벽에 제공함으로써, 로드 록 챔버 내에서 진공을 유지하기 위해 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 로드 록 챔버는 1mbar 미만의 진공을 제공하기 위해 이루어진다. 몇몇 실시예들에서, 로드 록 챔버는, 전형적으로 약 0.01mbar 내지 약 1mbar, 더 전형적으로 약 0.1mbar 내지 약 1mbar의 진공을 제공하도록 이루어진다.
[0020] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 본원에서 설명되는 바와 같은 진공 프로세싱 챔버는 고 진공 챔버이도록 이루어질 수 있다. 예컨대, 프로세싱 챔버는, 프로세싱 챔버에서 진공을 생성하고 유지하기 위해, 각각의 진공 펌프들, 시일들(seals), 밸브들, 및 슬루스들을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프로세싱 챔버는 약 10-3mbar 아래의 진공을 제공하도록 이루어진다. 몇몇 예들에서, 프로세싱 챔버는, 전형적으로 약 10-12mbar 내지 약 10-3mbar, 더 전형적으로 약 10-9mbar 내지 약 10-5mbar의 압력을 갖는 진공을 제공하도록 이루어진다.
[0021] 도 1에 도시된 바와 같이, 캐리어에 의해 지지되는 기판이 먼저, 진공 밀봉 가능한 밸브를 통해 로드 록 챔버(122)에 제공된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 캐리어는, 국부(local) 챔버(122)에 진입할 때, 입자 제거 디바이스(200)를 통과한다. 따라서, 캐리어 또는 캐리어의 부분, 예컨대, 캐리어의 로드에 부착된 입자들은 캐리어가 로드 록 챔버(122)에 진입하기 전에 제거된다.
[0022] 로드 록 챔버(122)의 유입구 벽의 진공 밀봉 가능한 밸브는, 로드 록 챔버(122)를 대기압으로부터 진공 프로세싱 시스템의 작동을 위한 더 낮은 압력으로 진공 배기하기 위해, 폐쇄될 수 있다. 로드 록 챔버(122)의 진공 배기 이후, 로드 록 챔버의 배출구 벽의 진공 밀봉 가능한 밸브는, 기판이 진공 프로세싱 챔버(124) 내로 이송될 수 있도록 개방될 수 있다. 예컨대, 캐소드들(113)이 진공 프로세싱 챔버(124)에 제공될 수 있다.
[0023] 도 2a는, 본원에서 설명되는 추가적인 실시예들을 예시하기 위해 사용될 수 있는 입자 제거 디바이스(200)를 도시한다. 입자 제거 디바이스(200)는 베이스 본체(210) 및 브러시(220)를 포함한다. 예컨대, 베이스 본체(210)는 리세스, 예컨대, 베이스 본체(210)의 상부 측의 리세스를 갖는다. 브러시(220)는 베이스 본체(210)의 리세스 내에 제공된다. 캐리어의 부분, 예컨대, 캐리어의 로드가 베이스 본체(210)의 리세스를 통해 이동될 때, 로드는 브러시(220)에 의해 브러싱될(brushed) 수 있다.
[0024] 더 추가적인 실시예들에 따르면, 도 2b에 도시된 바와 같이, 부가적으로 가스 배출구 배열체 또는 가스 노즐 배열체가 제공될 수 있다. 예컨대, 가스 노즐 배열체는 하나 또는 그 초과의 가스 배출구들 또는 가스 노즐들(231)의 제 1 세트 및 하나 또는 그 초과의 가스 배출구들 또는 가스 노즐들(233)의 제 2 세트를 포함할 수 있다. 가스 노즐들은 도관, 예컨대, 공기, 건조 공기(dry air), 압축(compressed) 건조 공기, 또는 캐리어의 부분을 세정하도록 구성된 다른 가스가 도입될 수 있는 도관에 연결된다.
[0025] 가스가 하방으로 베이스 본체(210)의 리세스 내로 그리고/또는 리세스의 하부 부분 내로 송풍되도록(blown), 하나 또는 그 초과의 가스 배출구들 또는 가스 노즐들(231)의 제 1 세트는, 예컨대, 좌측 상에 제공될 수 있고, 하나 또는 그 초과의 가스 배출구들 또는 가스 노즐들(233)의 제 2 세트는, 예컨대, 베이스 본체의 우측 상에 제공될 수 있다. 베이스 본체(210)의 리세스를 통해 이동되는 캐리어의 부분, 예컨대, 캐리어의 로드는 가스 배출구 배열체 또는 가스 노즐 배열체로부터의 가스의 스트림에 노출된다. 가스의 스트림에 대한 노출은, 캐리어의 부분, 예컨대, 캐리어의 로드에 부착되는 입자들을 부가적으로 제거할 수 있다. 몇몇 실시예들에 따르면, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들의 세트 중 하나 또는 양자 모두의 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들은, 캐리어의 부분, 예컨대, 캐리어의 로드 상에 가스 제트(jet)를 지향시키기 위한 노즐 배출구를 포함할 수 있다.
[0026] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 더 추가적인 실시예들에 따르면, 진공 배열체 또는 석션 배열체(240)가 제공될 수 있다. 석션 포트(241)는 리세스의 개구부와 유체 연통(fluid communication)한다. 석션 포트(241)는 도관(243)에 연결된다. 석션 포트(241)는 도관(243)과 유체 연통한다. 도관(243)은 펌프에 연결될 수 있다. 캐리어의 부분으로부터 방출된(released) 입자들은 석션 배열체(240)에 의해 진공 세정될 수 있다. 석션 배열체(240)는, 입자들이 입자 제거 디바이스에 축적되지 않고 그리고/또는 더 추가적으로 입자들이, 예컨대, 진공 청소기와 유사한 석션 배열체에 의해 제거되도록 유익하다.
[0027] 도 3은, 국부 챔버의 유입구 벽에 장착된 입자 제거 디바이스(200)를 도시한다. 브러시(220)는 베이스 본체(210)에, 예컨대, 베이스 본체(210)의 리세스에 장착된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 베이스 본체의 리세스는, 예컨대, 만곡된(curved) 부분을 구비한 오목 형상을 가질 수 있고, 이로써, 캐리어의 로드는 베이스 본체(210)의 리세스를 통과할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 하나 또는 그 초과의 가스 배출구들 또는 가스 노즐들(231)의 제 1 세트는 베이스 본체의 일 측 상에, 예컨대, 베이스 본체의 상부 부분에 및/또는 리세스의 일 측 상에 제공된다. 하나 또는 그 초과의 가스 배출구들 또는 가스 노즐들(232)의 제 2 세트는 베이스 본체의 대향(opposing) 측 상에, 예컨대, 베이스 본체의 상부 부분에 및/또는 리세스의 대향 측 상에 제공된다. 도 3은 석션 배열체의 펌프에 연결될 수 있는 도관(243)의 부분을 추가로 도시한다.
[0028] 도 4는 로드 록 챔버의 부분을 도시한다. 로드 록 챔버는 개구부(492)를 구비한 유입구 벽(422)을 갖는다. 개구부(492)는 진공 밀봉 가능한 밸브를 이용하여 폐쇄될 수 있다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 진공 밀봉 가능한 밸브는, 슬릿 밸브, 슬루스 밸브, 및 게이트(gate) 밸브로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다. 캐리어(40)는 개구부(492)에 삽입된다. 볼 수 있는 바와 같이, 캐리어는, 베이스 본체(210)의 리세스를 통해 이동하는 로드(42)를 포함한다. 입자 제거 디바이스(200)는 지지부(410)를 이용하여 유입구 벽(422)에 장착된다. 공기 또는 다른 가스를 캐리어(40)의 로드(42) 상에 송풍하기 위해, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(231)의 제 1 세트 및 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(233)의 제 2 세트가 베이스 본체에 제공된다. 베이스 본체(210)의 리세스의 브러시는 캐리어(40)의 로드(42)로부터 입자들을 추가로 제거한다. 브러시 및/또는 가스 배출구 배열체 또는 가스 노즐 배열체의 공기스트림에 의해 제거되는 입자들은, 펌프가 도관(243)에 연결된 석션 배열체를 이용하여 입자 제거 디바이스(200)로부터 제거된다.
[0029] 도 5a는, 본 개시물의 몇몇 실시예들에 따른 입자 제거 디바이스(200)의 단면도를 도시한다. 베이스 본체(210)는 리세스를 갖는다. 브러시가 캐리어(40)의 로드(42)와 접촉할 수 있도록, 브러시(220)는 리세스 내에 제공된다. 본원에서 설명되는 실시예들의 선택적인 수정들에 따라, 하나 또는 그 초과의 브러시들, 예컨대, 1, 2, 또는 3개의 브러시들이 베이스 본체의 하나의 리세스에 제공될 수 있다. 캐리어를 세정하기 위해, 브러시는, 캐리어의 로드에 부착된 입자들을 브러싱한다. 가스 노즐 배열체는, 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(231)의 제 1 세트 및 하나 또는 그 초과의 가스 노즐들(233)의 제 2 세트를 포함한다. 가스 노즐 배열체는 로드(42)로부터 입자들을 추가로 제거한다. 캐리어 또는 캐리어(40)의 로드(42)로부터 제거된 입자들은, 각각, 펌프에 연결될 수 있는 도관(243)을 통해, 충전된(charged) 입자 제거 디바이스(200)로부터 제거될 수 있다. 입자들은, 석션 포트, 도관, 및/또는 펌프를 포함하는 석션 배열체에 의해 제거된다.
[0030] 도 5b는, 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 더 추가적인 실시예들을 예시한다. 베이스 본체는, 제 1 브러시(220)가 제공되는 제 1 리세스를 갖는다. 또한, 베이스 본체는, 제 2 브러시(220)가 제공되는 제 2 리세스를 갖는다. 제 1 리세스 및 제 2 리세스, 또는 각각의 브러시들은, 이중 트랙 운송 시스템 상에서 이동되는 캐리어들이 각각의 리세스들을 통해 이동될 수 있도록, 서로로부터 이격된다. 예컨대, 도 5b에서, 우측 상의 브러시는 로드 록 챔버 내의 캐리어의 유입구와 관련될 수 있고, 좌측 상의 브러시는 로드 록 챔버 밖의 캐리어의 배출구와 관련될 수 있다. 브러시들 내에는, 본질적으로 원형인 개구부들이 제공된다. 개구부들은 석션 배열체의 석션 개구부들로서 제공된다. 브러시에 의해 캐리어의 로드로부터 제거되는 입자들은 개구부 내로 떨어질 수 있고, 펌프에 의해 도관을 통해 제거될 수 있다.
[0031] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 브러시 및 개구부는, 석션 배열체의 부분인 도관의 부분으로서 제공되는, 베이스 본체의 세장형(elongated) 인서트를 따라서 이동될 수 있다. 개구부 및 브러시는, 이중 트랙 운송 시스템의 유입구 트랙을 위한, 로드 록 챔버의 유입구 벽에 더 가까운 포지션에서 이동될 수 있다. 개구부 및 브러시는, 이중 트랙 운송 시스템의 배출구 트랙을 위한, 로드 록 챔버의 유입구 벽으로부터 더 멀리 떨어진 포지션에서 세장형 인서트 내에서 이동될 수 있다.
[0032] 상기 내용을 고려하여, 축적된 입자들이 PVD 툴을 오염시키는 것을 방지하는 것을 가능하게 하기 위해, 본원에서 설명되는 실시예들에 따라, 진공 프로세싱 시스템의 입구에 위치될 수 있는 캐리어 로드 세정기가 제공된다. 몇몇 실시예들에 따르면, 노즐 배열체, 즉, 캐리어 로드의 정상부 상에 공기의 스트림을 제공하는 공기 샤워기(shower) 또는 가스 샤워기가 제공될 수 있다. 예컨대, 축적된 입자들을 제거하기 위해, 다수의 노즐들은 가스 또는 공기를 캐리어 로드 상에 송풍한다. 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 몇몇 실시예들에 따르면, 공기 유동 방향 또는 가스 유동 방향은 본질적으로 캐리어 로드의 축에 대해 수직(80° 내지 100°)일 수 있다.
[0033] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 더 추가적인 실시예들에 따르면, 석션 배열체, 즉, 석션 포트가 제공될 수 있다. 예컨대, 석션 포트는 캐리어 로드 아래에 있을 수 있다. 노즐 배열체에 의해 또는 공기 샤워기에 의해 이동된 입자들은 그러한 석션 포트, 예컨대, 진공 포트에 의해 빠져 나간다.
[0034] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 더 추가적인 실시예들에 따르면, 브러시는 공기 샤워기와 석션 포트 사이에 제공될 수 있다. 노즐 배열체, 즉, 공기 샤워기의 공기 유동에 의해 제거되지 않는 축적된 입자들은 브러시에 의해 포획된다. 브러시는 진공 프로세싱 시스템 내에서 캐리어의 이동 또는 이송 동안 캐리어 로드를 러빙한다(rub). 일 구현예에 따르면, 하나 또는 그 초과의 브러시들이 베이스 본체의 리세스에 제공될 수 있다. 예컨대, 브러시는, 로드로부터 제거되는 입자들의 더 양호한 트랙킹을 허용하기 위해, 정전기 방지(antistatic) 재료를 가질 수 있다.
[0035] 도 6은, 본원에서 설명되는 실시예들에 따른 프로세싱 시스템(100)을 도시한다. 프로세싱 시스템은 제 1 진공 챔버(101), 제 2 진공 챔버(102), 제 3 진공 챔버(103), 및 제 4 진공 챔버(121)를 포함한다. 진공 챔버들은 증착 챔버들 또는 다른 프로세싱 챔버들일 수 있으며, 진공은 챔버들 내에서 생성된다. 도 6에서, 프로세싱 시스템의 외부의 대기 조건들로부터 프로세싱 시스템의 챔버들 내의 진공 조건들로의 전이(transition)를 제공하는 로드 록 챔버(122)를 볼 수 있다. 로드 록 챔버(122)는 상기에서 상세하게 설명된 바와 같은 로드 록 챔버일 수 있고, 예컨대, 로드 록 챔버의 유입구 벽에 입자 제거 디바이스를 포함할 수 있다. 입자 제거 디바이스(200)는 본원에서 설명되는 실시예들 중 임의의 것에 따라 구현될 수 있다. 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 로드 록 챔버(122)와 진공 챔버들(101, 102, 103, 및 121)은 운송 시스템에 의해 선형 운송 경로들을 통해 연결된다.
[0036] 로드 록 챔버(122)는 추가적인 진공 챔버(121), 예컨대, 이송 챔버에 연결된다. 이송 챔버는 추가적인 진공 챔버(101), 예컨대, 증착 챔버에 연결된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 그리고 더 추가적인 실시예들에 따르면, 추가적인 입자 제거 디바이스(600)가 대안적으로 또는 부가적으로 이송 챔버에 제공될 수 있고, 이로써, 캐리어 또는 캐리어의 부분, 예컨대, 캐리어의 로드는 증착 챔버에 진입하기 전에 세정된다. 도 6에 도시된 바와 같은 입자 제거 디바이스(600)는 재료들, 예컨대, PEEK, 스테인리스 스틸, 및 진공 프로세싱 시스템 내의 진공 조건들에서의 작동을 허용하기 위해 충분히 낮은 가스 방출(outgassing)을 갖는 다른 재료들로부터 제조될 수 있다. 더 추가적인 구현예들에 따르면, 추가적인 진공 제거 디바이스들(600)은 다른 진공 챔버들 중 하나 또는 그 초과 내에, 예컨대, 진공 회전 모듈(150)에 제공될 수 있다.
[0037] 본원에서 설명되는 실시예들에 따르면, 운송 시스템은, 여러 개의 운송 트랙들(161, 163, 164)을 포함하는 이중 트랙 운송 시스템을 포함할 수 있다. 도 6에 보이는 예에서, 운송 시스템은 운송 경로를 따라 기판들의 회전을 허용하는 회전 모듈(150)을 더 포함한다. 예컨대, 전형적으로 디스플레이 제조를 위해 사용되는 대면적 기판들은 기판 프로세싱 시스템(100)의 선형 운송 경로들을 따라 운송될 수 있다. 전형적으로, 선형 운송 경로들은, 예컨대, 라인을 따라서 배열된 복수의 롤러들을 갖는 선형 운송 트랙들과 같은 운송 트랙들(161 및 163)에 의해 제공된다.
[0038] 전형적인 실시예들에 따르면, 운송 트랙들 및/또는 회전 트랙들은, 대면적 기판들의 바닥부에서 운송 시스템에 의해, 그리고 본질적으로 수직 배향된 대면적 기판들의 정상부에서 안내(guiding) 시스템, 예컨대, 자성 안내 시스템에 의해 제공될 수 있다.
[0039] 본원에서 설명되는 다른 실시예들과 결합될 수 있는 상이한 실시예들에 따르면, 진공 챔버들, 예컨대, 도 6 에 도시된 진공 챔버들(122, 121, 101, 102, 및 103)의 이중 트랙 운송 시스템들, 즉, 제 1 운송 경로 및 제 2 운송 경로를 갖는 운송 시스템들은, 고정형(fixed) 이중 트랙 시스템, 이동 가능한 단일 트랙 시스템, 또는 이동 가능한 이중 트랙 시스템에 의해 제공될 수 있다. 고정형 이중 트랙 시스템은 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙을 포함하고, 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙은 측방향으로 이동될 수 없는데, 즉, 기판은 운송 방향에 대해 수직한 방향으로 이동될 수 없다. 이동 가능한 단일 트랙 시스템은, 측방향으로, 즉, 운송 방향에 대해 수직으로 이동될 수 있는 선형 운송 트랙을 가지는 것에 의해, 이중 트랙 운송 시스템을 제공하고, 이에 의해, 기판은 제 1 운송 경로 상에 또는 제 2 운송 경로 상에 제공될 수 있으며, 제 1 운송 경로 및 제 2 운송 경로는 서로로부터 떨어져 있다. 이동 가능한 이중 트랙 시스템은 제 1 운송 트랙 및 제 2 운송 트랙을 포함하고, 운송 트랙들 양자 모두는 측방향으로 이동될 수 있는데, 즉, 운송 트랙들 양자 모두는 자신들의 각각의 포지션을 제 1 운송 경로로부터 제 2 운송 경로로 그리고 그 역으로 스위칭할 수 있다.
[0040] 본원에서 설명되는 실시예들에 따른, 로드 록 챔버 및 로드 록 챔버를 포함하는 프로세싱 시스템을 이용하여, 프로세싱 시스템에서 오염을 감소시키는 것이 가능하다. 본원에서 설명되는 몇몇 실시예들에 따른 입자 트랩 또는 입자 제거 디바이스를 사용하는 것은, 진공 프로세싱 시스템에서 입자들을 포획하는 쉽고 간단한 방법을 허용하면서, 동시에, 오염 위험은, 정의된 가스 방출 레이트와 같은 정의된 재료 특성들을 갖는 각각의 재료들을 사용하는 것에 의해 감소된다.
[0041] 전술한 내용은 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 본 발명의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 본 발명의 범위는 이하의 청구항들에 의해서 결정된다.

Claims (15)

  1. 캐리어(carrier) 상에서 지지되는 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템을 위한 입자 제거 디바이스(particle removal device)로서,
    리세스(recess)를 갖는 베이스 본체(base body) - 상기 리세스는, 캐리어의 부분이 상기 리세스를 통해서 이동될 수 있도록 구성됨 -; 및
    상기 리세스에 제공되며, 상기 캐리어의 부분이 상기 리세스를 통해 이동될 때 상기 캐리어의 부분과 접촉하도록 구성되는 브러시(brush)를 포함하는,
    캐리어 상에서 지지되는 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템을 위한 입자 제거 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐리어의 부분이 상기 리세스를 통해 이동될 때 상기 캐리어의 부분 상으로 가스를 지향시키도록 구성된 하나 또는 그 초과의 가스 배출구들을 더 포함하는,
    캐리어 상에서 지지되는 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템을 위한 입자 제거 디바이스.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 리세스의 개구부와 유체 연통(fluid communication)하며, 펌프에 연결되도록 구성되는 석션 포트(suction port)를 더 포함하는,
    캐리어 상에서 지지되는 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템을 위한 입자 제거 디바이스.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 가스 배출구들은 상기 베이스 본체의 상부 부분에 제공되고, 특히, 가스를 하방으로 상기 리세스의 하부 부분 내로 지향시키도록 구성되는,
    캐리어 상에서 지지되는 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템을 위한 입자 제거 디바이스.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 가스 배출구들은 제 1 가스 배출구 배열체 및 제 2 가스 배출구 배열체를 포함하고, 상기 제 1 가스 배출구 배열체는 상기 베이스 본체의 일 측 상에 제공되며, 상기 제 2 가스 배출구 배열체는, 제 1 측에 대향하는(opposing), 상기 베이스 본체의 제 2 측 상에 제공되는,
    캐리어 상에서 지지되는 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템을 위한 입자 제거 디바이스.
  6. 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리세스의 개구부는 상기 브러시 아래에 있는,
    캐리어 상에서 지지되는 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템을 위한 입자 제거 디바이스.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    추가적인 캐리어의 부분이 리세스를 통해서 이동될 수 있도록 구성된 추가적인 리세스; 및
    상기 추가적인 리세스에 제공되는 추가적인 브러시를 더 포함하고, 상기 입자 트랩(trap)은 이중 트랙 운송 시스템(dual track transportation system)에서 운송되는 캐리어들의 입자들을 포획하도록 구성되는,
    캐리어 상에서 지지되는 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템을 위한 입자 제거 디바이스.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 추가적인 리세스는 상기 베이스 본체에 제공되는,
    캐리어 상에서 지지되는 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템을 위한 입자 제거 디바이스.
  9. 캐리어 상에서 지지되는 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 록 챔버(load lock chamber)로서,
    로드 록 챔버 용적을 형성하는 로드 록 벽들;
    상기 로드 록 챔버 내로 캐리어를 록킹 인(locking in)하도록 구성된 유입구 - 상기 유입구는 상기 로드 록 벽들의 유입구 벽에 제공됨 -;
    상기 로드 록 챔버를 진공 배기(evacuating)하기 위한 진공 생성 디바이스; 및
    캐리어 상에서 지지되는 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템을 위한 입자 제거 디바이스를 포함하고, 상기 입자 제거 디바이스는,
    리세스를 갖는 베이스 본체 - 상기 리세스는, 캐리어의 부분이 상기 리세스를 통해서 이동될 수 있도록 구성됨 -; 및
    상기 리세스에 제공되며, 상기 캐리어의 부분이 상기 리세스를 통해 이동될 때 상기 캐리어의 부분과 접촉하도록 구성되는 브러시를 포함하는,
    캐리어 상에서 지지되는 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 록 챔버.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 유입구에서의 제 1 진공 밀봉 가능한(sealable) 밸브;
    상기 로드 록 벽들의 배출구 벽에서, 상기 로드 록 챔버 밖으로 상기 캐리어를 이송하도록 구성된 배출구, 및
    상기 로드 록 챔버 밖의 기판을 위한 배출구에서의 제 2 진공 밀봉 가능한 밸브를 더 포함하는,
    캐리어 상에서 지지되는 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템을 위한 로드 록 챔버.
  11. 기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템으로서,
    기판을 프로세싱하도록 이루어진 진공 프로세싱 챔버;
    대기 조건들로부터 상기 진공 프로세싱 챔버 내로 기판을 이송하도록 구성된, 제 9 항 또는 제 10 항에 따른 로드 록 챔버를 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 제 2 입자 제거 디바이스를 더 포함하고, 상기 제 2 입자 제거 디바이스는 1시간(a1h) 동안 약 1.0E-8mbar*l/(s*㎠) 내지 약 1.0E-6mbar*l/(s*㎠)의 가스 방출(outgassing) 값을 갖는 재료를 포함하며, 상기 제 2 입자 제거 디바이스는 상기 로드 록 챔버, 상기 진공 프로세싱 챔버 또는 상기 진공 프로세싱 시스템의 추가적인 진공 챔버에 제공되는,
    기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 진공 프로세싱 챔버의 진공은, 약 10-7mbar 내지 약 10-5mbar 범위의 압력을 갖는 초-고 진공인,
    기판을 프로세싱하기 위한 진공 프로세싱 시스템.
  14. 진공 프로세싱 시스템에서 캐리어를 세정하는 방법으로서,
    진공 프로세싱 시스템의 로드 록 챔버 내로 캐리어를 록킹하는 단계; 및
    상기 캐리어가 상기 로드 록 챔버 내에 록킹되어있는 동안 브러시를 이용하여 상기 캐리어의 부분을 세정하는 단계를 포함하는,
    진공 프로세싱 시스템에서 캐리어를 세정하는 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 캐리어가 상기 로드 록 챔버 내에 록킹되어있는 동안 가스 스트림(stream)을 상기 캐리어의 부분 상에 지향시키는 단계; 및
    상기 캐리어의 부분으로부터 제거된 입자들의 진공 세정 단계를 더 포함하는,
    진공 프로세싱 시스템에서 캐리어를 세정하는 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018141366A1 (en) * 2017-01-31 2018-08-09 Applied Materials, Inc. Substrate carrier and method of processing a substrate
DE102017106373A1 (de) * 2017-03-24 2018-09-27 Nexwafe Gmbh Prozesskammerführung, Prozesskammer und Verfahren zum Führen eines Substratträgers in eine Prozessposition
CN110055488B (zh) * 2019-05-28 2021-05-25 珠海长安富士金属热处理有限公司 一种真空热处理渗碳装置
WO2022128113A1 (en) * 2020-12-17 2022-06-23 Applied Materials, Inc. Carrier cleaning head for cleaning a carrier moving along a transport direction, substrate processing system, method of maintaining a substrate processing system, and method of manufacturing a device
CN116159809A (zh) * 2022-12-28 2023-05-26 深圳市纳设智能装备有限公司 晶圆传输方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5210959A (en) * 1991-08-19 1993-05-18 Praxair Technology, Inc. Ambient-free processing system
EP0599087B1 (de) * 1992-11-27 1996-01-10 Satzinger GmbH & Co. Vorrichtung zum Schmieren und Reinigen insbesondere von Ketten und Schienen
JP3188935B2 (ja) * 1995-01-19 2001-07-16 東京エレクトロン株式会社 検査装置
JP2842551B2 (ja) * 1995-02-28 1999-01-06 三洋電機株式会社 半導体薄膜の製造装置
EP1046433B1 (en) * 1995-10-13 2004-01-02 Lam Research Corporation Method for removing contaminants by brushing
US8545159B2 (en) * 2003-10-01 2013-10-01 Jusung Engineering Co., Ltd. Apparatus having conveyor and method of transferring substrate using the same
JP5055776B2 (ja) * 2006-02-03 2012-10-24 大日本印刷株式会社 成膜装置
KR20080004118A (ko) * 2006-07-04 2008-01-09 피에스케이 주식회사 기판 처리 설비
ITMI20071064A1 (it) * 2007-05-25 2008-11-26 Giorgio Passoni Dispositivo per la pulizia di una catena di trasmissione del moto
US8070408B2 (en) * 2008-08-27 2011-12-06 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
WO2012140801A1 (ja) * 2011-04-15 2012-10-18 株式会社アルバック 被処理体の搬送機構
JP2014141311A (ja) * 2011-05-24 2014-08-07 Murata Mach Ltd コンベア装置

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