CN112420555A - 传送单元和包括该传送单元的基板处理装置 - Google Patents

传送单元和包括该传送单元的基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112420555A
CN112420555A CN202010860551.0A CN202010860551A CN112420555A CN 112420555 A CN112420555 A CN 112420555A CN 202010860551 A CN202010860551 A CN 202010860551A CN 112420555 A CN112420555 A CN 112420555A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transfer
substrate
housing
pad
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010860551.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112420555B (zh
Inventor
裵文炯
朴珉贞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN112420555A publication Critical patent/CN112420555A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112420555B publication Critical patent/CN112420555B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
    • B03C—MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
    • B03C3/00—Separating dispersed particles from gases or vapour, e.g. air, by electrostatic effect
    • B03C3/28—Plant or installations without electricity supply, e.g. using electrets
    • B03C3/30—Plant or installations without electricity supply, e.g. using electrets in which electrostatic charge is generated by passage of the gases, i.e. tribo-electricity
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B65G49/061—Lifting, gripping, or carrying means, for one or more sheets forming independent means of transport, e.g. suction cups, transport frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G2201/00—Indexing codes relating to handling devices, e.g. conveyors, characterised by the type of product or load being conveyed or handled
    • B65G2201/02—Articles
    • B65G2201/0214—Articles of special size, shape or weigh
    • B65G2201/022—Flat

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明涉及传送单元和包括该传送单元的基板处理装置。一种用于处理基板的装置包括索引模块和处理基板的处理模块。索引模块包括：装载端口，载体被装载在所述装载端口上，所述载体具有接收在其中的多个基板；和传送框架，其设置在所述处理模块与所述装载端口之间，并在装载在所述装载端口上的所述载体与所述处理模块之间传送所述基板。所述处理模块包括：一个或多个工艺腔室；和传送腔室，其将所述基板传送到所述工艺腔室。所述传送腔室包括：壳体，其具有传送空间，在所述传送空间中传送所述基板；传送机械手，其设置在所述壳体中并在所述工艺腔室之间传送所述基板；和静电垫，其设置在所述传送空间中，并静电地吸引所述壳体中的颗粒。

Description

传送单元和包括该传送单元的基板处理装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年8月23日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2019-0103639的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文描述的本发明构思的实施方式涉及一种传送单元及包括该传送单元的基板处理装置。
背景技术
执行例如光刻、清洁等各种工艺，以制造半导体元件和平板显示器。在具有独立空间的腔室中执行工艺，并且基板由传送机械手根据工艺顺序传送到腔室中。
通常，基板处理工艺需要清洁的状态，其中去除了诸如灰尘的颗粒。即使在工艺开始之前清洁了腔室的内部，但是由于在传送基板的情况下产生的颗粒也会导致不良的工艺。颗粒主要在用于传送基板的装置中产生。更具体地，大量的颗粒由于将功率传输到装置的驱动构件中的部件之间的摩擦而产生。
可以使用风机过滤器单元去除相对大的颗粒。但是，相对小的颗粒在传送空间中不能很好地去除。
发明内容
本发明构思的实施方式提供了一种用于最小化由在传送基板的工艺中产生的颗粒引起的不良工艺的传送单元，以及包括该传送单元的基板处理装置。
另外，本发明构思的实施方式提供了一种用于最小化在传送单元中产生的颗粒向外部释放的传送单元，以及包括该传送单元的基板处理装置。
本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
根据示例性实施方式，一种用于处理基板的装置包括：索引模块；和处理模块，其处理所述基板。所述索引模块包括：装载端口，载体被装载在所述装载端口上，所述载体具有接收在其中的多个基板；和传送框架，其设置在所述处理模块与所述装载端口之间，并在装载在所述装载端口上的所述载体和所述处理模块之间传送所述基板。所述处理模块包括：一个或多个工艺腔室；和传送腔室，其将所述基板传送到所述工艺腔室。所述传送腔室包括：壳体，其具有传送空间，在所述传送空间中传送所述基板；传送机械手，其设置在所述壳体中并在所述工艺腔室之间传送所述基板；和静电垫，其设置在所述传送空间中，并静电地吸引所述壳体中的颗粒。
根据一实施方式，所述传送腔室还可以包括驱动单元，所述驱动单元移动所述传送机械手，以及所述静电垫可设置在所述驱动单元中。
根据一实施方式，所述驱动单元可包括：主体，其具有形成在其中的开口；密封带，其面向所述开口并密封所述开口，与所述传送机械手耦合的托架(bracket)耦合至所述密封带；和致动器，其设置在所述主体中、并移动所述密封带，以及所述静电垫可以位于所述主体中，以与所述开口相邻。
根据一实施方式，所述静电垫可附接到所述壳体的内壁。
根据一实施方式，所述静电垫可设置在与所述壳体的侧壁之间的所述传送机械手的移动方向平行的侧壁上。
根据一实施方式，所述传送腔室还可包括在所述壳体中产生竖直气流的风机过滤器单元。
根据一实施方式，所述静电垫可包括吸引带正电荷的颗粒的材料而形成的第一垫。
根据一实施方式，所述静电垫可包括吸引带负电荷的颗粒的材料而形成的第二垫。
根据一实施方式，所述静电垫可包括吸引带正电荷的颗粒的材料而形成的第一垫和吸引带负电荷的颗粒的材料而形成的第二垫。
根据一实施方式，可设置多个第一垫和多个第二垫，以及所述第一垫和所述第二垫可交替设置。
根据一实施方式，所述第一垫可包含特氟隆(Teflon)、硅氧烷(silicone)、聚乙烯和氯乙烯之一。
根据一实施方式，所述第二垫可包含尼龙、醋酸纤维(acetate)和铝之一。
根据一示例性实施方式，一种传送单元包括：壳体，其具有空间，在所述空间中传送基板；传送机械手，其设置在所述壳体中并在处理模块之间传送所述基板；和静电垫，其设置在所述壳体中并静电地吸引所述壳体中的颗粒。
根据一实施方式，所述静电垫可设置在与所述壳体的侧壁之间的所述传送机械手的移动方向平行的侧壁上。
根据一实施方式，传送单元还可包括在所述壳体中产生竖直气流的风机过滤器单元。
根据一实施方式，所述静电垫可包括吸引带正电荷的颗粒的材料而形成的第一垫。
根据一实施方式，所述静电垫可包括吸引带负电荷的颗粒的材料而形成的第二垫。
根据一实施方式，所述静电垫可包括吸引带正电荷的颗粒的材料而形成的第一垫和吸引带负电荷的颗粒的材料而形成的第二垫。
根据一实施方式，可设置多个第一垫和多个第二垫，以及所述第一垫和所述第二垫可交替设置。
根据一实施方式，所述第一垫可包含特氟隆、硅氧烷、聚乙烯和氯乙烯之一。
根据一实施方式，所述第二垫可包含尼龙、醋酸纤维和铝之一。
附图说明
参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且其中：
图1是示出了根据本发明构思的实施方式的基板处理设备的平面图；
图2是示出了当沿方向A-A观察时图1的设备的视图；
图3是示出了当沿方向B-B观察时图1的设备的视图；
图4是示出了当沿方向C-C观察时图1的设备的视图；
图5和图6是示意性地示出图1的传送腔室的一个实施方式的立体图和侧视图；
图7为示出了根据本发明构思的实施方式的传送机械手的视图；
图8是示出本发明构思的驱动单元的另一实施方式的侧视截面图；
图9是示出本发明构思的驱动单元的另一实施方式的水平截面图；和
图10和图11是示出设置在本发明构思的传送腔室的壳体中的静电垫(electrostatic pad)的其他实施方式的示意图。
具体实施方式
以下，将参照附图更加详细地描述本发明构思的实施方案。可以对本发明构思的实施方案进行各种修改和变型，并且本发明构思的范围不应解释为受限于本文中阐述的实施方案。提供这些实施方案使得本发明构思彻底且完善，并且将本发明构思的范围完全传达给本领域的技术人员。因此，在附图中，为了清楚说明，夸大了部件的形状。
本发明构思的基板处理设备可以用于在诸如半导体晶圆或平板显示面板的基板上执行光刻工艺。特别地，本发明构思的基板处理设备可以连接到步进器，并且可以用于在基板上执行涂覆工艺和显影工艺。然而，本发明构思可应用于在处理基板的密封空间中形成气流的各种装置。在以下描述中，将例示圆形晶圆用作基板。
图1是示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理设备的示意性平面图。图2是示出了当沿方向A-A观察时图1的设备的视图。图3是示出了当沿方向B-B观察时图1的设备的视图。图4是示出了当沿方向C-C观察时图1的设备的视图。
参照图1至图4，基板处理设备1包括装载端口100、索引模块200、第一缓冲模块300、涂覆和显影模块(coating and developing module)400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块(pre/post-exposure treatment module)600和接口模块700。装载端口100、索引模块200、第一缓冲模块300、涂覆和显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块600和接口模块700沿一个方向依序设置成排。
在下文中，设置装载端口100、索引模块200、第一缓冲模块300、涂覆和显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块600和接口模块700的方向被称为第一方向12。从上面观察时垂直于第一方向12的方向被称为第二方向14，且垂直于第一方向12和第二方向14的方向被称为第三方向16。
以接收在盒(cassettes)20中的状态移动基板W。盒20具有可以与外部密封的结构。例如，每个前部具有门的前开式晶圆传送盒(FOUP，front open unified pods)可以用作盒20。
在下文中，将详细描述装载端口100、索引模块200、第一缓冲模块300、涂覆和显影模块400、第二缓冲模块500、曝光前/曝光后处理模块600和接口模块700。
装载端口100具有多个安装台120，其中接收有基板W的盒20放置在安装台120上。安装台120沿着第二方向14设置成排。在图2中，设置四个安装台120。
索引模块200在放置于装载端口100的安装台120上的盒20与第一缓冲模块300之间传送基板W。索引模块200具有框架210、索引机械手220和导轨230。框架210具有基本矩形的平行六面体形状(rectangular parallelepiped shape)，内部具有空的空间，并且该框架210设置在装载端口100与第一缓冲模块300之间。索引模块200的框架210可以设置在比将在下面描述的第一缓冲模块300的框架310更低的位置。索引机械手220和导轨230设置在框架210中。索引机械手220具有能够四轴驱动的结构，使得直接处理基板W的手(hand)221在第一方向12、第二方向14和第三方向16上是可移动的，并且绕其中心轴线是可旋转的。
索引机械手220具有手221、臂222、支承杆223和基座224。手221固定地附接至臂222。臂222设置为可伸缩且可旋转的结构。支承杆223设置成使得其纵向方向平行于第三方向16。臂222耦合至支承杆223以便沿支承杆223为可移动的。支承杆223固定地耦合至基座224。导轨230设置成使得其纵向方向平行于第二方向14。基座224耦合至导轨230以便沿导轨230为可直线移动的。此外，尽管未示出，但是在框架210中另外设置有用于打开和关闭盒20的门的开门器(door opener)。
第一缓冲模块300具有框架310、第一缓冲区320、第二缓冲区330、冷却腔室350和第一缓冲区机械手360。框架310具有矩形的平行六面体形状，内部具有空的空间，并且该框架310设置在索引模块200与涂覆和显影模块400之间。第一缓冲区320、第二缓冲区330、冷却腔室350和第一缓冲区机械手360位于框架310中。冷却腔室350、第二缓冲区330和第一缓冲区320沿第三方向16向上依序设置。第一缓冲区320位于与将在下面描述的涂覆和显影模块400的涂覆模块401相对应的高度处，而第二缓冲区330和冷却腔室350位于与将在下面描述的涂覆和显影模块400的显影模块402相对应的高度处。第一缓冲区机械手360定位成在第二方向14上与第二缓冲区330、冷却腔室350和第一缓冲区320间隔开预定距离。
第一缓冲区320和第二缓冲区330各自临时存储多个基板W。第二缓冲区330包括壳体331和多个支承件332。支承件332设置在壳体331中并沿第三方向16彼此间隔开。每个支承件332上放置一个基板W。
壳体331具有分别面对索引机械手220、第一缓冲区机械手360和显影器机械手482的设置方向的开口(未示出)，使得索引机械手220、第一缓冲区机械手360和显影模块402(以下将描述)的显影器机械手482将基板W装载到壳体331中的支承件332上，或者将基板W从壳体331中的支承件332卸下。第一缓冲区320具有与第二缓冲区330基本相似的结构。
然而，第一缓冲区320的壳体321具有面对设置第一缓冲区机械手360和位于涂覆模块401中的涂覆器机械手432的方向的开口。第一缓冲区320中设置的支承件332的数量可以与第二缓冲区330中设置的支承件332的数量相同或不同。根据实施方案，设置在第二缓冲区330中的支承件332的数量可以大于设置在第一缓冲区320中的支承件332的数量。
第一缓冲区机械手360在第一缓冲区320与第二缓冲区330之间传送基板W。第一缓冲区机械手360具有手361、臂362和支承杆363。手361固定地附接至臂362。臂362具有可伸缩的结构，以使手361能够沿第二方向14移动。臂362耦合至支承杆363以便在第三方向16上沿支承杆363为可直线移动的。支承杆363具有从对应于第二缓冲区330的位置延伸至对应于第一缓冲区320的位置的长度。支承杆363还可向上或向下延伸。第一缓冲区机械手360可以设置成使得手361仅简单地沿第二方向14和第三方向16执行2轴驱动。
冷却腔室350冷却基板W。冷却腔室350具有壳体351和冷却板352。冷却板352具有其上放置基板W的上表面和冷却基板W的冷却工具(cooling means)353。诸如通过冷却水进行冷却、通过热电元件进行冷却等的各种方法可以用于冷却工具353。此外，冷却腔室350可以包括将基板W定位在冷却板352上的升降销组件(未示出)。壳体351具有分别面对设置索引机械手220和显影器机械手482的方向的开口(未示出)，使得索引机械手220和设置在显影模块402中的显影器机械手482将基板W装载到冷却板352上，或者将基板W从冷却板352卸载。此外，冷却腔室350可以包括打开和关闭上述开口的门(未示出)。
涂覆和显影模块400在曝光工艺之前执行用光刻胶涂覆基板W的工艺，在曝光工艺之后在基板W上执行显影工艺。涂覆和显影模块400具有基本矩形的平行六面体形状。涂覆和显影模块400具有涂覆模块401和显影模块402。涂覆模块401和显影模块402设置在不同的层板(floor)上以便彼此分开。根据实施方案，涂覆模块401位于显影模块402上方。
涂覆模块401执行用诸如光刻胶的光敏液涂覆基板W的工艺，并且在刻胶(resist)涂覆工艺之前和之后在基板W上执行诸如加热或冷却的热处理工艺。涂覆模块401具有刻胶涂覆单元410、烘烤单元800和传送腔室430。刻胶涂覆单元410、传送腔室430和烘烤单元800沿第二方向14依序设置。
因此，刻胶涂覆单元410和烘烤单元800在第二方向14彼此间隔开，其间具有传送腔室430。刻胶涂覆单元410布置在第一方向12和第三方向16上。附图示出了设置六个刻胶涂覆单元410的实施例。烘烤单元800沿第一方向12和第三方向16排布。附图示出了设置六个烘烤单元800的实施例。然而，可以设置更多或更少数量的烘烤单元800。
传送腔室430沿第一方向12与第一缓冲模块300的第一缓冲区320并排定位。涂覆器机械手432位于传送腔室430中。传送腔室430具有基本矩形的形状。用于产生竖直气流的风机过滤器单元440可以设置在传送腔室430中。风机过滤器单元440产生从壳体425的顶部朝向底部的竖直气流，并将清洁空气吹入传送腔室430。
涂覆器机械手432在烘烤单元800、刻胶涂覆腔室400、第一缓冲模块300的第一缓冲区320和将在下面描述的第二缓冲模块500的第一冷却腔室530之间传送基板W。
图5和图6是示意性地示出图1的传送腔室430的一个实施方式的立体图和侧视图。参照图5和图6，传送腔室433包括壳体425、传送机械手432、静电垫4335和驱动单元433。壳体425具有传送空间431，在该传送空间431中传送基板W。
壳体425具有上壁4251、下壁4254以及内壁4252和4253。在一个实施方式中，在壳体425的一侧上的内壁4252由刻胶涂覆单元410的外壁来实现，在其中形成基板入口/出口419。在壳体425的相对侧上的内壁4253由烘烤单元800的外壁来实现，在其中形成基板入口/出口801。
传送机械手432设置在传送空间431中，并且如上所述在处理模块之间传送基板W。静电垫4335设置在传送空间431中，并静电地吸引壳体425中的颗粒。驱动单元433移动传送机械手432。
静电垫4335b附接到壳体425的内壁4252和4253。内壁4252和4253平行于传送机械手432的运动方向。在一个实施方式中，静电垫4335b可以设置在内壁4252和4253上。
根据一个实施方式，静电垫4335b可以设置在与驱动传送机械手432的驱动单元433相对应的高度处或附近。例如，在壳体425中，静电垫4335b可以设置在入口/出口419和801中的最低的入口/出口419和801的下方，入口/出口419和801设置为将基板W装载到腔室中或从腔室中卸载基板W。
根据一实施方式，静电垫4335b可以包括第一垫4331b和第二垫4332b。第一垫4331b由吸引带正电荷的颗粒的材料而形成。第二垫4331b由吸引带负电荷的颗粒的材料而形成。提供多个第一垫4331b和多个第二垫4332b。尽管在每个侧壁上示出了设置两个第一垫4331b和两个第二垫4332b，但是可以设置更多或更少数量的第一垫4331和第二垫4332。在一个实施方式中，第一垫4331b和第二垫4332b交替设置。
第一垫4331b由易于带负电荷的材料而形成。在一个实施方式中，第一垫4331b可以包含特氟隆、硅氧烷、聚乙烯和氯乙烯之一。第二垫4332b由易于带正电荷的材料而形成。在一个实施方式中，第二垫4332b可以包含尼龙、醋酸纤维和铝之一。
图7为示出了根据本发明构思的实施方式的传送机械手432的视图。参照图7，传送机械手432可以包括多个手4381、手驱动单元438、旋转部435、竖直移动部436和水平移动部437。
手4381可以设置为彼此面对。各手4381可以装载一个基板W。尽管图7示出了设置两个手4381的示例，但是可以根据工艺效率来增加手4381的数量。手驱动单元438在水平方向上移动手4381。手驱动单元438可以单独地移动手4381。旋转部435位于手动驱动单元438的下方并且支承手驱动单元438。旋转部435旋转手驱动单元438，并且手4381与手驱动单元438一起旋转。
竖直移动部436与旋转部435耦合，并且竖直移动旋转部435。因此，手驱动单元438和手4381在竖直方向上移动，且调节手驱动单元438和手4381的高度。水平移动部437耦合到竖直移动部436的下端，并且沿着轨道状驱动单元433在水平方向上直线地移动。
图8和图9是示出本发明构思的驱动单元433的另一实施方式的截面图。参照图8和图9，驱动单元433可以具有与图7的驱动单元433类似的结构。然而，图8和图9的驱动单元433在其中具有静电垫4335a。
参照图8和图9，驱动单元433包括主体4339、密封带4336、导轨4373、辊4337和致动器(未示出)。
开口4338形成在主体4339中。密封带4336定位成面对开口4338并且密封开口4338。与传送机械手432耦合的托架4371耦合到密封带4336。托架4371在水平方向上沿着导轨4373移动。密封带4336通过辊4337像输送带一样移动，并且通过移动耦合到密封带4336的托架4371、在水平方向上移动传送机械手432。致动器(未示出)设置在主体4339中并移动密封带4336。在一个实施方式中，致动器(未示出)可以是向辊4337提供功率的电动机。
静电垫4335a位于主体4339中，以与开口4338相邻。在一个实施方式中，静电垫4335a附接到主体4339的、与开口4338相邻的内侧壁。静电垫4335a可以包括第一垫4331a和第二垫4332a。第一垫4331a由吸引带正电荷的颗粒的材料而形成。第二垫4331a由吸引带负电荷的颗粒的材料而形成。提供多个第一垫4331a和多个第二垫4332a。尽管图8示出了设置两个第一垫4331a和两个第二垫4332a的示例，但是可以设置更多或更少数量的第一垫4331a和第二垫4332a。在一个实施方式中，第一垫4331a和第二垫4332a交替设置。
尽管已经描述了传送机械手432在执行涂覆和显影工艺的基板处理装置中传送晶片，但是传送机械手432可以设置在执行各种工艺的装置中。例如，传送机械手432可以在对晶片执行清洁工艺的基板清洁装置中传送晶片。
在上文中，已经描述了附接到壳体425的内壁4252和4253的静电垫4335b设置在、设置为将基板W装载到腔室的入口/出口419和801中的最低入口/出口419和801的下方。然而，静电垫4335b可以设置在壳体425中的各种高度处。例如，如图10和图11所示，可以设置静电垫4335b以填充除了设置为将基板W装载到腔室中的入口/出口419和801之外的剩余空间。
可选择地，静电垫4335b可以设置在、设置为将基板W装载到腔室的入口/出口419和801中的最低入口/出口419和801的下方的区域中的至少一个，彼此相邻的入口/出口419和801之间的区域，对应于入口/出口419和801的区域，以及最高的入口/出口419和801的上方的区域。
静电垫4335b已经描述为具有与壳体425的长度方向相对应的长度。然而，可以设置多个静电垫4335b，以沿着壳体425的长度方向彼此间隔开。例如，如图10所示，三个静电垫4335b可以设置为沿着壳体425的长度方向彼此间隔开。
已经描述了静电垫4335设置在传送腔室430中。然而，在另一实施方式中，静电垫4335可施加到所有可能在其中产生颗粒的腔室。
已经描述了静电垫4335包括所有第一垫4331和第二垫4332。然而，在另一实施方式中，静电垫4335可仅包括第一垫4331和第二垫4332中的一个。在一个实施方式中，在主要产生带负电荷颗粒的环境中可以仅设置第一垫4331。在一个实施方式中，在主要产生带正电荷颗粒的环境中可以仅设置第二垫4332。
已经描述了静电垫4335设置在壳体425或驱动单元433中。然而，在另一实施方式中，静电垫4335可设置在壳体425和驱动单元433中。
根据本发明构思，静电垫吸引未被风机过滤器单元去除的颗粒，从而防止颗粒从传送腔室430逸出。
根据本发明构思，传送机械手432在移动的情况下吸引由于与密封带4336的摩擦而产生的颗粒，从而防止了颗粒从传送腔室430逸出。
根据本发明构思，静电垫4335具有去除带负电荷的颗粒和带正电荷的颗粒的优点。
根据本发明构思，第一垫4331和第二垫4332交替地设置。因此，在静电垫4335的宽区域中均匀地去除了带负电荷的颗粒和带正电荷的颗粒。
再次参照图1至图4，刻胶涂覆单元410都具有相同结构。然而，在各个刻胶涂覆单元410中使用的光敏液的类型可以彼此不同。例如，化学增幅型刻胶可以用作光敏液。各刻胶涂覆单元410用光敏液涂覆基板W。刻胶涂覆单元410具有壳体411、支承板412和喷嘴413。壳体411具有带开放顶部的杯形。支承板412位于壳体411中并支承基板W。支承板412设置为可旋转的。
喷嘴413将光敏液分配到放置在支承板412上的基板W上。另外，刻胶涂覆单元410还可以包括喷嘴414，该喷嘴414分配诸如去离子水的清洁溶液，以清洁涂覆有光敏液的基板W的表面。
尽管在附图中未示出，但是与在涂覆模块401中设置的传送腔室430中一样、静电垫可以设置在传送腔室480中。
各烘烤单元800在基板W上执行热处理。烘烤单元800包括冷却板830和加热单元1000。冷却板830可以冷却由加热单元1000加热的基板W。冷却板830具有圆板的形状。诸如冷却水或热电元件的冷却工具设置在冷却板830内部。例如，放置在冷却板830上的基板W可以被冷却到与室温相同或接近室温的温度。
加热单元1000由加热基板W的基板处理装置实施。加热单元1000在大气压或低于大气压的减压气氛下加热基板W。
显影模块402执行显影工艺和热处理工艺，该显影工艺通过供应显影溶液来去除光刻胶的一部分以在基板W上获得图案，该热处理工艺在显影工艺之前或之后加热和冷却基板W。显影模块402具有显影单元460、烘烤单元470和传送腔室480。显影单元460、传送腔室480和烘烤单元470沿第二方向14依序设置。因此，显影单元460和烘烤单元470在第二方向14彼此间隔开，其间具有传送腔室480。显影单元460布置在第一方向12和第三方向16上。附图示出了设置六个显影单元460的实施例。烘烤单元470沿第一方向12和第三方向16排布。附图示出了设置六个烘烤单元470的实施例。然而，可以设置更多的烘烤单元470。
传送腔室480在第一方向12与第一缓冲模块300的第二缓冲区330并排定位。显影机械手482位于传送腔室480中。传送腔室480具有基本矩形的形状。用于产生竖直气流的风机过滤器单元441可以设置在传送腔室480中。风机过滤器单元441产生从壳体426的顶部朝向底部的竖直气流，并将清洁空气吹入传送腔室480。显影器机械手482在烘烤单元470、显影单元460、第一缓冲模块300的第二缓冲区330和冷却腔室350、以及第二缓冲模块500的第二冷却腔室540之间传送基板W。
显影单元460都具有相同结构。然而，在各个显影单元460中使用的显影溶液的类型可以彼此不同。各显影单元460去除基板W上的光刻胶的曝光区域。这时，还去除了保护膜的曝光区域。可选择地，根据所使用的光刻胶的类型，可以仅去除光刻胶和保护膜的掩膜区域(masked region)。
显影单元460具有壳体461、支承板462和喷嘴463。壳体461具有带开放顶部的杯形。支承板462位于壳体461中并支承基板W。支承板462设置为可旋转的。喷嘴463将显影溶液分配到放置在支承板462上的基板W上。喷嘴463可以具有圆管形的形状，并且可以将显影溶液分配到基板W的中心上。可选择地，喷嘴463可以具有与基板W的直径相对应的长度，并且喷嘴463的分配开口可以具有缝的形状。另外，显影单元460还可以包括喷嘴464，该喷嘴464分配诸如去离子水的清洁溶液，以清洁显影溶液分配到的基板W的表面。
显影模块402的烘烤单元470在基板W上执行热处理。例如，烘烤单元470在显影工艺之前执行加热基板W的后烘烤工艺，在显影工艺之后执行加热基板W的硬烘烤工艺，以及在烘烤工艺之后执行冷却基板W的冷却工艺。各烘烤单元470具有冷却板471或加热单元472。诸如冷却水或热电元件的冷却工具473设置在冷却板471内部。可替代地，诸如加热丝或热电元件的加热工具474设置在加热单元472内部。冷却板471和加热单元472可以设置在一个烘烤单元470中。可选择地，一些烘烤单元470可以仅包括冷却板471，而其他烘烤单元470可以仅包括加热单元472。显影模块402的烘烤单元470具有与涂覆模块401的烘烤单元800相同的构造，因此将省略对其的详细描述。
第二缓冲模块500用作通道，通过该通道，基板W在涂覆和显影模块400与曝光前/曝光后处理模块600之间运送。另外，第二缓冲模块500在基板W上执行预定工艺，诸如冷却工艺或边缘曝光工艺。第二缓冲模块500具有框架510、缓冲区520、第一冷却腔室530、第二冷却腔室540、边缘曝光腔室550和第二缓冲机械手560。腔室510具有矩形的平行六面体形状。缓冲区520、第一冷却腔室530、第二冷却腔室540、边缘曝光腔室550和第二缓冲机械手560位于框架510中。缓冲区520、第一冷却腔室530和边缘曝光腔室550设置在与涂覆模块401相对应的高度处。第二冷却腔室540设置在与显影模块402相对应的高度处。缓冲区520、第一冷却腔室530和第二冷却腔室540沿第三方向16依序设置成排。当从上方观察时，缓冲区520沿第一方向12与涂覆模块401的传送腔室430并排设置。边缘曝光腔室550在第二方向14与缓冲区520或第一冷却腔室530间隔开预定距离。
第二缓冲机械手560在缓冲区520、第一冷却腔室530和边缘曝光腔室550之间运送基板W。第二缓冲机械手560位于边缘曝光腔室550与缓冲区520之间。第二缓冲机械手560可以具有与第一缓冲机械手360的结构类似的结构。第一冷却腔室530和边缘曝光腔室550在涂覆模块401中处理的基板W上执行随后的工艺。第一冷却腔室530冷却在涂覆模块401中处理的基板W。第一冷却腔室530具有与第一缓冲模块300的冷却腔室350的结构类似的结构。边缘曝光腔室550在第一冷却腔室530中经受冷却工艺的基板W上执行边缘曝光工艺。在边缘曝光腔室550中处理的基板W被传送到将在下面描述的预处理模块601之前，缓冲区520临时存储基板W。在将在下面描述的后处理模块602中处理的基板W被传送到显影模块402之前，第二冷却腔室540冷却基板W。第二缓冲模块500还可以包括在与显影模块402相对应的高度处的另外的缓冲区。在这种情况下，在后处理模块602中处理的基板W可以在被临时存储于另外的缓冲区中之后，被传送到显影模块402。
在步进器900执行液体浸渍光刻工艺的情况下，曝光前/曝光后处理模块600可以执行用保护膜来涂覆基板W的工艺，该保护膜在液体浸渍光刻工艺期间保护基板W上的光刻胶膜。此外，曝光前/曝光后处理模块600可以在曝光工艺之后执行清洁基板W的工艺。另外，在使用化学增幅型刻胶执行涂覆工艺的情况下，曝光前/曝光后处理模块600可以执行曝光后烘烤工艺。
曝光前/曝光后处理模块600具有预处理模块601和后处理模块602。预处理模块601在曝光工艺之前执行处理基板W的工艺，而后处理模块602在曝光工艺之后执行处理基板W的工艺。预处理模块601和后处理模块602设置在不同的层板上以便彼此分开。根据一实施方案，预处理模块601位于后处理模块602上方。预处理模块601位于与涂覆模块401相同的高度处。后处理模块602位于与显影模块402相同的高度处。预处理模块601具有保护膜涂覆单元610、烘烤单元620和传送腔室630。保护膜涂覆单元610、传送腔室630和烘烤单元620沿第二方向14依序设置。因此，保护膜涂覆单元610和烘烤单元620在第二方向14彼此间隔开，其间具有传送腔室630。保护膜涂覆单元610沿第三方向16竖直地布置。可替代地，保护膜涂覆单元610可以布置在第一方向12和第三方向16上。烘烤单元620沿第三方向16竖直地布置。可选择地，烘烤单元620可以布置在第一方向12和第三方向16上。
传送腔室630在第一方向12上与第二缓冲模块500的第一冷却腔室530并排定位。预处理机械手632位于传送腔室630中。传送腔室630具有基本正方形或矩形的形状。预处理机械手632在保护膜涂覆单元610、烘烤单元620、第二缓冲模块500的缓冲区520、以及将在下面描述的接口模块700的第一缓冲区720之间传送基板W。
各保护膜涂覆单元610用保护膜涂覆基板W，该保护膜在液体浸渍光刻期间保护刻胶膜。保护膜涂覆单元610具有壳体611、支承板612和喷嘴613。壳体611具有带开放顶部的杯形。支承板612位于壳体611中并支承基板W。支承板612设置为可旋转的。喷嘴613将用于形成保护膜的保护液分配到放置在支承板612上的基板W上。喷嘴613可以具有圆管形的形状，并且可以将保护液分配到基板W的中心上。可选择地，喷嘴613可以具有与基板W的直径相对应的长度，并且喷嘴613的分配开口可以具有缝的形状。在这种情况下，支承盘612可以设置成固定状态。保护液包含发泡材料。对光刻胶和水具有低亲和性的材料可以用作保护液。例如，保护液可以包括氟类溶剂。在旋转放置在支承板612上的基板W的情况下，保护膜涂覆单元610将保护液分配到基板W的中心区域上。
各烘烤单元620在涂覆有保护膜的基板W上执行热处理。烘烤单元620具有冷却板621或加热板622。诸如冷却水或热电元件的冷却工具623设置在冷却板621内部。可替代地，诸如加热丝或热电元件的加热工具624设置在加热板622内部。加热板622和冷却板621可以设置在一个烘烤单元620中。可选择地，一些烘烤单元620可以仅包括加热板622，而其他烘烤单元620可以仅包括冷却板621。
后处理模块602具有清洁腔室660、后曝光烘烤单元670和传送腔室680。清洁腔室660、传送腔室680和后曝光烘烤单元670沿第二方向14依序设置。因此，清洁腔室660和后曝光烘烤单元670在第二方向14上彼此间隔开，其间具有传送腔室680。清洁腔室660可以沿第三方向16竖直地布置。可选择地，清洁腔室660可以布置在第一方向12和第三方向16上。后曝光烘烤单元670可以沿第三方向16竖直地布置。可选择地，后曝光烘烤单元670可以布置在第一方向12和第三方向16上。
当从上方观察时，传送腔室680在第一方向12上与第二缓冲模块500的第二冷却腔室540并排定位。传送腔室680具有基本正方形或矩形的形状。后处理机械手682位于传送腔室680中。后处理机械手682在清洁腔室660、后曝光烘烤单元670、第二缓冲模块500的第二冷却腔室540、和将在下面描述的接口模块700的第二缓冲区730之间传送基板W。设置在后处理模块602中的后处理机械手682可以具有与设置在预处理模块601中的预处理机械手632相同的结构。
在曝光工艺之后，各清洁腔室660在基板W上执行清洁工艺。清洁腔室660具有壳体661、支承板662和喷嘴663。壳体661具有带开放顶部的杯形。支承板662位于壳体661中并支承基板W。支承板662设置为可旋转的。喷嘴663将清洁溶液分配到放置在支承板662上的基板W上。诸如去离子水的水可以用作清洁溶液。在旋转放置在支承板662上的基板W的情况下，清洁腔室660将清洁溶液分配到基板W的中心区域上。可选择地，在旋转基板W的情况下，喷嘴663可以从基板W的中心区域线性移动或摆动到基板W的边缘区域。
各后曝光烘烤单元670通过使用远紫外线来加热经受曝光处理的基板W。后曝光烘烤工艺加热基板W以通过曝光工艺放大在光刻胶中产生的酸，从而完成光刻胶性质的改变。后曝光烘烤单元670具有加热板672。诸如加热丝或热电元件的加热工具674设置在加热板672内部。后曝光烘烤单元670还可以在其中包括冷却板671。诸如冷却水或热电元件的冷却工具673设置在冷却板671内部。可选择地，可以另外设置仅具有冷却板671的烘烤单元。
如上所述，在曝光前/曝光后处理模块600中，预处理模块601和后处理模块602彼此完全分离。此外，预处理模块601的传送腔室630和后处理模块602的传送腔室680可以具有相同尺寸，并且可以当从上方观察时彼此完全覆盖。此外，保护膜涂覆单元610和清洁腔室660可以具有相同尺寸，并且可以当从上方观察时彼此完全覆盖。另外，烘烤单元620和后曝光烘烤单元670可以具有相同尺寸，并且可以当从上方观察时彼此完全覆盖。
接口模块700在曝光前/曝光后处理模块600与步进器900之间传送基板W。接口模块700具有框架710、第一缓冲区720、第二缓冲区730和接口机械手740。第一缓冲区720、第二缓冲区730和接口机械手740位于框架710中。第一缓冲区720和第二缓冲区730彼此竖直地间隔开预定距离。第一缓冲区720设置在比第二缓冲区730更高的位置。第一缓冲区720位于与预处理模块601相对应的高度处，而第二缓冲区730设置在与后处理模块602相对应的高度处。从上方观察时，第一缓冲区720与预处理模块601的传送腔室630一起沿第一方向12设置成排，而第二缓冲区730与后处理模块602的传送腔室680一起沿第一方向12设置成排。
接口机械手740定位成在第二方向14上与第一缓冲区720和第二缓冲区730间隔开。接口机械手740在第一缓冲区720、第二缓冲区730和步进器900之间传送基板W。接口机械手740具有基本上与第二缓冲区机械手560的结构类似的结构。
在预处理模块601中处理的基板W移动到步进器900之前，第一缓冲区720临时存储基板W。在步进器900中处理的基板W移动到后处理模块602之前，第二缓冲区730临时存储基板W。第一缓冲区720具有壳体721和多个支承件722。支承件722设置在壳体721中并沿第三方向16彼此间隔开。每个支承件722上放置一个基板W。壳体721具有分别面对设置接口机械手740和预处理机械手632的方向的开口(未示出)，使得接口机械手740和预处理机械手632将基板W装载到壳体721中的支承件722上，或者将基板W从壳体721中的支承件722卸载。第二缓冲区730具有与第一缓冲区720的结构基本上类似的结构。然而，第二缓冲区730的壳体在设置接口机械手740和后处理机械手682的方向上没有开口。接口模块700可以仅包括如上所述的缓冲区和机械手，而不包括用于在基板上执行预定工艺的腔室。
如上所述，根据实施方式，本发明构思可以最小化由在传送基板的过程中产生的颗粒引起的不良工艺。
另外，本发明构思可以最小化在传送单元中产生的颗粒向外部的释放。
本发明构思的效果不限于上述效果，且本发明构思所属领域的技术人员可以从本说明书和附图中清楚地理解本文中未提及的任何其他效果。
以上描述例证了本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方案，并且本发明构思可以用于各种其他的组合、变化和环境中。也就是说，在不脱离本说明书中公开的本发明构思的范围、与书面公开的等同范围、和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下，可以对本发明构思进行变化或修改。书面实施方案描述了实现本发明构思的技术精神的最佳状态，且可以进行本发明构思的特定应用和目的所需的各种改变。因此，本发明构思的详细描述并非旨在将发明构思限制在所公开的实施方案状态中。另外，应当理解的是，所附权利要求包括其他的实施方案。
虽然已经参照示例性实施方案描述了本发明构思，但对于本领域技术人员而言将显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以做出各种改变和修改。因此，应当理解的是，上述实施方案并非限制性的，而是说明性的。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
索引模块；和
处理模块，其配置为处理所述基板，
其中，所述索引模块包括：
装载端口，载体被装载在所述装载端口上，所述载体具有接收在其中的多个基板；和
传送框架，其设置在所述处理模块与所述装载端口之间，并配置为在装载在所述装载端口上的所述载体与所述处理模块之间传送所述基板，
其中，所述处理模块包括：
一个或多个工艺腔室；和
传送腔室，其配置为将所述基板传送到所述工艺腔室，以及
其中，所述传送腔室包括：
壳体，其具有传送空间，在所述传送空间中传送所述基板；
传送机械手，其设置在所述壳体中并配置为在所述工艺腔室之间传送所述基板；和
静电垫，其设置在所述传送空间中，并配置为静电地吸引所述壳体中的颗粒。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述传送腔室还包括驱动单元，所述驱动单元配置为移动所述传送机械手，以及
其中，所述静电垫设置在所述驱动单元中。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述驱动单元包括：
主体，其具有形成在其中的开口；
密封带，其面向所述开口、并配置为密封所述开口，其中，与所述传送机械手耦合的托架耦合至所述密封带；和
致动器，其设置在所述主体中、并配置为移动所述密封带，以及
其中，所述静电垫位于所述主体中，以与所述开口相邻。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述静电垫附接到所述壳体的内壁。
5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述静电垫设置在与所述壳体的侧壁之间的所述传送机械手的移动方向平行的侧壁上。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述传送腔室还包括风机过滤器单元，所述风机过滤器单元配置为在所述壳体中产生竖直气流。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述静电垫包括：
第一垫，其由配置为吸引带正电荷的颗粒的材料而形成；和
第二垫，其由配置为吸引带负电荷的颗粒的材料而形成。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，设置多个第一垫和多个第二垫，以及
其中，所述第一垫和所述第二垫交替设置。
9.根据权利要求7所述的装置，其中，所述第一垫包含特氟隆、硅氧烷、聚乙烯和氯乙烯之一。
10.根据权利要求7所述的装置，其中，所述第二垫包含尼龙、醋酸纤维和铝之一。
11.一种传送单元，其包括：
壳体，其具有空间，在所述空间中传送基板；
传送机械手，其设置在所述壳体中并配置为在处理模块之间传送所述基板；和
静电垫，其设置在所述壳体中，并配置为静电地吸引所述壳体中的颗粒。
12.根据权利要求11所述的传送单元，其还包括：
驱动单元，其配置为引导所述传送机械手的移动，
其中，所述静电垫设置在所述驱动单元中。
13.根据权利要求12所述的传送单元，其中，所述驱动单元包括：
主体，其具有形成在其中的开口；
密封带，其面向所述开口、并配置为密封所述开口，其中，与所述传送机械手耦合的托架耦合至所述密封带；和
致动器，其设置在所述主体中、并配置为移动所述密封带，以及
其中，所述静电垫位于所述主体中，以与所述开口相邻。
14.根据权利要求11所述的传送单元，其中，所述静电垫附接到所述壳体的内壁。
15.根据权利要求14所述的传送单元，其中，所述静电垫设置在与所述壳体的侧壁之间的所述传送机械手的移动方向平行的侧壁上。
16.根据权利要求14所述的传送单元，其还包括：
风机过滤器单元，其配置为在所述壳体中产生竖直气流。
17.根据权利要求11所述的传送单元，其中，所述静电垫包括：
第一垫，其由配置为吸引带正电荷的颗粒的材料而形成；和
第二垫，其由配置为吸引带负电荷的颗粒的材料而形成。
18.根据权利要求17所述的传送单元，其中，设置多个第一垫和多个第二垫，以及
其中，所述第一垫和所述第二垫交替设置。
19.根据权利要求17所述的传送单元，其中，所述第一垫包含特氟隆、硅氧烷、聚乙烯和氯乙烯之一。
20.根据权利要求17所述的传送单元，其中，所述第二垫包含尼龙、醋酸纤维和铝之一。
CN202010860551.0A 2019-08-23 2020-08-24 传送单元和包括该传送单元的基板处理装置 Active CN112420555B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190103639A KR102366179B1 (ko) 2019-08-23 2019-08-23 반송 장치 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR10-2019-0103639 2019-08-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112420555A true CN112420555A (zh) 2021-02-26
CN112420555B CN112420555B (zh) 2024-09-20

Family

ID=74645917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010860551.0A Active CN112420555B (zh) 2019-08-23 2020-08-24 传送单元和包括该传送单元的基板处理装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11456198B2 (zh)
KR (1) KR102366179B1 (zh)
CN (1) CN112420555B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102240925B1 (ko) * 2019-07-17 2021-04-15 세메스 주식회사 기판 처리 설비 및 기판 반송 장치
TW202249142A (zh) * 2021-02-25 2022-12-16 日商東京威力科創股份有限公司 基板搬送機構及基板搬送方法

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IN148737B (zh) * 1977-06-02 1981-05-30 Arvi Artama
JPH0739787A (ja) * 1993-07-27 1995-02-10 Nec Corp 集塵器
JPH0883832A (ja) * 1994-07-13 1996-03-26 Shinko Electric Co Ltd 電力供給装置
US20040144316A1 (en) * 2003-01-24 2004-07-29 Soo-Woong Lee Apparatus for processing a substrate
US20070022876A1 (en) * 2005-07-28 2007-02-01 Hess Don H Apparatus and method for enhancing filtration
US20070107598A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 Jin-Goo Lee Load-lock and semiconductor device manufacturing equipment comprising the same
KR20100059354A (ko) * 2008-11-26 2010-06-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US20100163185A1 (en) * 2008-12-26 2010-07-01 Michiaki Kobayashi Vacuum processing apparatus
KR20140072998A (ko) * 2012-12-05 2014-06-16 세메스 주식회사 기판처리장치
US20140262691A1 (en) * 2013-03-18 2014-09-18 Yas Co., Ltd Apparatus for Substrate Transportation Using Electrostatic Floating
CN104347460A (zh) * 2013-08-01 2015-02-11 中微半导体设备(上海)有限公司 晶圆传递腔室
CN105047599A (zh) * 2011-03-14 2015-11-11 等离子瑟姆有限公司 用于对基板进行等离子切割的方法
EP3005412A1 (en) * 2013-06-07 2016-04-13 Asti Holdings Limited Systems and methods for automatically verifying correct die removal from film frames
US20160218031A1 (en) * 2013-09-09 2016-07-28 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Robot
CN106232863A (zh) * 2014-04-16 2016-12-14 应用材料公司 用于真空处理系统的负载锁定腔室和真空处理系统
JP2019071447A (ja) * 2018-12-19 2019-05-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 粒子除去デバイス、及び粒子除去デバイスを操作する方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1028896A (ja) * 1996-07-13 1998-02-03 Morita Denko Kk 静電式空気清浄装置
JP2004055748A (ja) 2002-07-18 2004-02-19 Sharp Corp パーティクル除去装置
JP2005093812A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置および基板処理装置
US7981221B2 (en) * 2008-02-21 2011-07-19 Micron Technology, Inc. Rheological fluids for particle removal
KR101153328B1 (ko) * 2011-02-14 2012-06-07 조영만 반도체 제조장비의 파티클 제거용 포터블 핸드 타입 클리닝장치
JP5732329B2 (ja) 2011-06-24 2015-06-10 東京エレクトロン株式会社 電動アクチュエータ
KR102054221B1 (ko) * 2013-02-13 2020-01-22 세메스 주식회사 기판반송장치 및 이를 가지는 기판처리장치
JP6613864B2 (ja) 2015-12-14 2019-12-04 Ｔｄｋ株式会社 ミニエンバイロメント装置
JP6674869B2 (ja) * 2016-08-30 2020-04-01 株式会社日立ハイテクマニファクチャ＆サービス ウェーハ搬送装置
WO2019219163A1 (en) * 2018-05-14 2019-11-21 Applied Materials, Inc. Cleaning device for attracting particles in a substrate processing system, processing system for processing a substrate, and method of operation of a cleaning device

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IN148737B (zh) * 1977-06-02 1981-05-30 Arvi Artama
JPH0739787A (ja) * 1993-07-27 1995-02-10 Nec Corp 集塵器
JPH0883832A (ja) * 1994-07-13 1996-03-26 Shinko Electric Co Ltd 電力供給装置
US20040144316A1 (en) * 2003-01-24 2004-07-29 Soo-Woong Lee Apparatus for processing a substrate
US20070022876A1 (en) * 2005-07-28 2007-02-01 Hess Don H Apparatus and method for enhancing filtration
US20070107598A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 Jin-Goo Lee Load-lock and semiconductor device manufacturing equipment comprising the same
KR20100059354A (ko) * 2008-11-26 2010-06-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US20100163185A1 (en) * 2008-12-26 2010-07-01 Michiaki Kobayashi Vacuum processing apparatus
CN105047599A (zh) * 2011-03-14 2015-11-11 等离子瑟姆有限公司 用于对基板进行等离子切割的方法
KR20140072998A (ko) * 2012-12-05 2014-06-16 세메스 주식회사 기판처리장치
US20140262691A1 (en) * 2013-03-18 2014-09-18 Yas Co., Ltd Apparatus for Substrate Transportation Using Electrostatic Floating
EP3005412A1 (en) * 2013-06-07 2016-04-13 Asti Holdings Limited Systems and methods for automatically verifying correct die removal from film frames
CN104347460A (zh) * 2013-08-01 2015-02-11 中微半导体设备(上海)有限公司 晶圆传递腔室
US20160218031A1 (en) * 2013-09-09 2016-07-28 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Robot
CN106232863A (zh) * 2014-04-16 2016-12-14 应用材料公司 用于真空处理系统的负载锁定腔室和真空处理系统
JP2019071447A (ja) * 2018-12-19 2019-05-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 粒子除去デバイス、及び粒子除去デバイスを操作する方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112420555B (zh) 2024-09-20
KR20210023448A (ko) 2021-03-04
KR102366179B1 (ko) 2022-02-22
US11456198B2 (en) 2022-09-27
US20210057253A1 (en) 2021-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101901012B1 (ko) 기판 처리 장치
CN112420555B (zh) 传送单元和包括该传送单元的基板处理装置
US20220102169A1 (en) Treating vessel and liquid processing apparatus
KR102556992B1 (ko) 세정 지그, 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치의 세정 방법
US10991601B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
US10969700B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
US20210202296A1 (en) Method for lifting substrate and apparatus for treating substrate
KR101935945B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20190004494A (ko) 기판 처리 장치
KR102533056B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR102000023B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20210011197A (ko) 기판 처리 장치
CN112420554B (zh) 用于处理基板的装置和方法
KR101757814B1 (ko) 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR20140102366A (ko) 기판반송장치
KR102119685B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102534203B1 (ko) 기판 처리 시스템
KR101768518B1 (ko) 반송 챔버, 기판 처리 설비, 그리고 기판 반송 방법
KR101817213B1 (ko) 기판 처리 장치
US11651979B2 (en) Transfer unit and apparatus for treating substrate
KR20170056224A (ko) 베이크 장치 및 베이크 방법
KR102119682B1 (ko) 액 공급 유닛 및 기판 처리 장치
KR20180122518A (ko) 기판 처리 장치
KR101914481B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20240099623A (ko) 에지 처리 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant