TWI539525B - 加熱裝置、塗佈裝置及加熱方法 - Google Patents

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宮本英典
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Description

加熱裝置、塗佈裝置及加熱方法
本發明是關於一種加熱裝置、塗佈裝置及加熱方法。
本案發明是依據於2011年6月2日在美國所申請的暫時專利申請第61/492627號來主張優先權，在此援用其內容。
使用含有Cu、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Ga、In、Ti、Zn及此些之組合等的金屬，與S、Se、Te、及此些之組合等的元素硫屬(element chalcogen)的半導體材料的CIGS型太陽電池或是CZTS型太陽電池，是作為具有高變換效率的太陽電池受到注目(例如，參照專利文獻1~專利文獻3)。
CIGS型太陽電池，是作為光吸收層(光電變換層)成為例如使用上述Cu、In、Ga、Se之4種類的半導體材料所形成之膜的構造。還有，CZTS型太陽電池，是作為光吸收層(光電變換層)成為例如使用上述Cu、Zn、Sn、Se之4種類的半導體材料所形成之膜的構造。作為此種太陽電池的構造，眾所周知，例如在玻璃等所形成的基板上設有鉬(Mo)等所形成的背面電極，且在該背面電極上配置有上述光吸收層的構造。
CIGS型太陽電池或是CZTS型太陽電池，是與傳統型式的太陽電池相比較，因可將光吸收層的厚度變成較 薄，因此，相對於曲面的設置或是搬運成為容易。所以，作為高性能且具可撓性的太陽電池，期待著有廣泛領域的應用。作為形成光吸收層的手法，傳統上，眾所周知，例如蒸鍍法或濺鍍法等所形成的手法(例如，參照專利文獻2~專利文獻5)。
專利文獻1：日本特開平11-340482號公報
專利文獻2：日本特開2005-51224號公報
專利文獻3：日本特表2009-537997號公報
專利文獻4：日本特開平1-231313號公報
專利文獻5：日本特開平11-273783號公報
相對於此，本案發明人是作為形成光吸收層的手法，提案一種將上述半導體材料以液狀體塗佈於基板上的手法。藉由液狀體之塗佈來形成光吸收層時，以下之課題被例舉。
塗佈液狀體之後，進行加熱塗佈膜的燒成工序。該燒成工序，是對於作為塗佈膜的光吸收層的特性上有所影響之故，因而以更最適當的條件來加熱成為需要。為了形成具有所期望之特性的塗佈膜，被要求可以調整加熱條件的構造。
鑒於如上所述的情形，本發明是提供一種形成具有所期望之特性的塗佈膜的加熱裝置、塗佈裝置及加熱方法，作為目的。
本發明的第一形態的加熱裝置，其特徵為：具備：第一加熱部及第二加熱部、以及距離調整部，該第一加熱部及第二加熱部，是可將用來配置具有塗佈膜之基板的基板位置夾隔在上述塗佈膜的膜厚方向上，該距離調整部，是用以調整上述基板位置與上述第一加熱部之第一距離，及上述基板位置與上述第二加熱部之第二距離中的至少一方。
依照本發明，一種加熱裝置，其特徵為：具備：第一加熱部及第二加熱部、以及距離調整部，該第一加熱部及第二加熱部，是可將用來配置具有塗佈膜之基板的基板位置夾隔在塗佈膜的膜厚方向上，該距離調整部，是用以調整基板位置與第一加熱部之第一距離，及基板位置與第二加熱部之第二距離中的至少一方之故，因而調整基板位置與第一加熱部及第二加熱部之距離，就能夠調整相對於塗佈膜的加熱條件。藉此，能夠形成具有所期望之特性的塗佈膜。
在上述加熱裝置中，上述距離調整部，是具有使上述第一加熱部及上述第二加熱部中之至少一方朝向上述膜厚方向移動的移動部。
依照本發明，能夠將第一加熱部及第二加熱部中之至少一方朝向膜厚方向移動之故，因而能夠柔軟地變更加熱條件。
在上述加熱裝置中，上述第一加熱部及上述第二加熱部，是被配置成排列於垂直方向。
依照本發明，第一加熱部及第二加熱部，是被配置成排列於垂直方向之故，因而成為將基板容易配置於第一加熱部及第二加熱部之間的構造。。
在上述加熱裝置中，更進一步地具備：用以保持被配置於上述基板位置的上述基板的基板保持部。
依照本發明具備：用以保持被配置於基板位置的基板的基板保持部之故，因而在基板的位置或是姿勢穩定的狀態之下能夠進行塗佈膜的加熱。
在上述加熱裝置中，上述第一加熱部及上述第二加熱部中，相對於上述基板位置被配置於垂直方向之下方的一方的加熱部，是兼具上述基板保持部。
依照本發明，第一加熱部及第二加熱部中，相對於基板位置被配置於垂直方向之下方的一方的加熱部，是兼具基板保持部之故，因而與另外配置基板保持部的情形相比較，能夠謀求節省空間化。
在上述加熱裝置中，上述距離調整部，是使上述第一加熱部及上述第二加熱部中，相對於上述基板位置被配置於垂直方向之上方的另一方的加熱部，以不會接觸於上述塗佈膜的方式，來調整上述第一距離及上述第二距離中之至少一方。
依照本發明，第一加熱部及第二加熱部中，相對於基板位置被配置於垂直方向之上方的另一方的加熱部，以不會接觸於塗佈膜的方式，能夠進行加熱之故，因而能夠避免損壞塗佈膜。
在上述加熱裝置中，更進一步地具備：包圍上述基板位置、上述第一加熱部及上述第二加熱部的腔室。
依照本發明，具備：包圍基板位置、第一加熱部及第二加熱部的腔室之故，因而在容易進行調整氣氛的環境下能夠有效率地進行加熱。
在上述加熱裝置中，上述腔室是具有用以導入氣體的氣體導入部。
依照本發明，腔室是具有用以導入氣體的氣體導入部之故，因而成為藉由來自氣體導入部的氣體之導入可能維持腔室內部的氣氛，或是予以變更。
在上述加熱裝置中，上述氣體導入部，是設置在與上述基板位置之間之可將上述第一加熱部及上述第二加熱部中之至少一方夾於其中的位置上。
依照本發明，氣體導入部，是設置在與基板位置之間之可將第一加熱部及第二加熱部中之至少一方夾於其中的位置上之故，因而能夠防止氣體直接噴射至基板。
在上述加熱裝置中，上述腔室是具有用以排出氣體的氣體排出部。
依照本發明，腔室是具有用以排出氣體的氣體排出部之故，因而成為藉由來自氣體排出部的氣體之排出可能維持腔室內部的氣氛，或是予以變更。
在上述加熱裝置中，上述腔室是具有用以導入氣體的氣體導入部及用以排出上述氣體的氣體排出部，上述氣體導入部及上述氣體排出部是設置於可將上述基板位置夾於 其中的位置。
依照本發明，腔室是具有用以導入氣體的氣體導入部及用以排出氣體的氣體排出部，氣體導入部及氣體排出部是設置於可將基板位置夾於其中的位置之故，因而在導入氣體時及排出氣體時，能夠防止氣流直接影響到基板。
本發明的第二形態的一種塗佈裝置，其特徵為：該裝置是具備：塗佈部、及加熱部、以及搬運部，該塗佈部是將含有易氧化性的金屬及溶媒之液狀體的塗佈膜形成於基板，該加熱部是用以加熱形成有上述塗佈膜的上述基板，該搬運部是在上述塗佈部與上述加熱部之間用以搬運上述基板，作為上述加熱部，使用本發明的第一形態的加熱裝置。
依照本發明，一種塗佈裝置，其特徵為：該裝置是具備：塗佈部、及加熱部、以及搬運部，該塗佈部是將含有易氧化性的金屬及溶媒之液狀體的塗佈膜形成於基板，該加熱部是用以加熱形成有塗佈膜的基板，該搬運部是在塗佈部與上述加熱部之間用以搬運基板，作為加熱部，使用調整對塗佈膜的加熱條件的加熱裝置之故，因而能夠穩定地形成具有所期望之特性的塗佈膜。
本發明的第三形態的加熱方法，其特徵為：該方法是包括：加熱步驟、及距離調整步驟，該加熱步驟，是使用：可將用來配置具有塗佈膜之基板的基板位置夾隔在上述塗佈膜的膜厚方向上的第一加熱部與第二加熱部，來加熱上述基板，該距離調整步驟，是用以調整上述基板位置 與上述第一加熱部之第一距離，及上述基板位置與上述第二加熱部之第二距離中的至少一方。
依照本發明，作成使用：可將用來配置具有塗佈膜之基板的基板位置夾隔在塗佈膜的膜厚方向上的第一加熱部與第二加熱部，來加熱基板，該距離調整步驟，是用以調整基板位置與第一加熱部之第一距離，及基板位置與第二加熱部之第二距離中的至少一方之故，因而能夠調整相對於塗佈膜的加熱條件。藉此，能夠形成具有所期望之特性的塗佈膜。
在上述加熱方法中，在進行上述基板加熱之期間，進行上述距離調整步驟。
依照本發明，在進行基板加熱之期間，能夠調整相對於塗佈膜的加熱條件之故，因而能夠更確實地形成具有所期望之特性的塗佈膜。
依照本發明，能夠形成具有所期望之特性的塗佈膜。
以下，參照圖式，來說明本發明的實施形態。
第1圖是表示本實施形態的塗佈裝置CTR之構造的概略圖。
如第1圖所示地，塗佈裝置CTR是於基板S塗佈液狀體的裝置。塗佈裝置CTR是具有：基板供給回收部LU、塗佈部CT、減壓乾燥部VD、燒成部BK及控制部CONT。
塗佈裝置CTR，是例如被載置於工廠等的地板面FL而被使用。塗佈裝置CTR，是被收容於一個房間的構造也可以，或是被分割於複數房間而被收容的構造也可以。塗佈裝置CTR，是基板供給回收部LU、塗佈部CT、減壓乾燥部VD及燒成部BK以該順序被配置成朝向一方向排列。
還有，針對於裝置構造，塗佈裝置CTR，是並不被限定於基板供給回收部LU、塗佈部CT、減壓乾燥部VD及燒成部BK以該順序被配置朝向一方向排列。例如，基板供給回收部LU，是被分割成未予圖示之基板供給部與未予圖示之基板回收部也可以，或是省略減壓乾燥部VD也可以。當然，未被配置朝向一方向排列也可以，以未予圖示之機械人作為中心上下地積層的配置，或是左右地配置的構造也可以。
在以下的各圖中，對於說明本實施形態的基板處理裝置的構造，為了簡化標示，使用XYZ座標系統來說明圖中的方向。在該XYZ座標系統中，將平行於地板面的平面作為XY平面。在該XY平面中，以排列塗佈裝置CTR的各構成要素(基板供給回收部LU、塗佈部CT、減壓乾燥部VD及燒成部BK)的方向標示為X方向，而在XY平面上以正交於X方向的方向標示為Y方向。垂直於XY平面的方向是標示為Z方向。X方向、Y方向及Z方向的各個，是圖中的箭形符號的方向為+方向，而與箭形符號的方向相反之方向作為-方向者進行說明。
在本實施形態中，作為基板S，例如使用玻璃或是樹脂等所形成的板狀構件。在本實施形態中，又在基板S上作為背面電極以濺鍍來形成鉬(Mo)。當然，作為背面電極，使用其他的導電性物質的構造也可以。作為基板S，以Z方向觀看的尺寸是330mm×330mm的基板作為例子進行說明。還有，針對於基板S的尺寸，並未被限定於如上所述的330mm×330mm的基板。例如，作為基板S，使用尺寸是125mm×125mm的基板也可以，使用尺寸是1m×1m的基板也可以。當然，能夠適當地使用比上述尺寸還要大的尺寸的基板或是比上述尺寸還要小的尺寸的基板。
在本實施形態中，作為塗佈於基板S的液狀體，例如在肼(hydrazine)等的溶媒，使用含有所謂銅(Cu)、銦(In)、鎵(Ga)、硒(Se)或是銅(Cu)、鋅(Zn)、鍚(Sn)、硒(Se)的易氧化性的金屬材料的液狀組成物。該液狀組成物，是含有構成CIGS或是CZTS型太陽電池的光吸收層(光電變換層)的金屬材料。
在本實施形態中，該液狀組成物，是含有確保CIGS或是CZTS型太陽電池的光吸收層的粒度(grain size)所用的物質。當然，作為液狀體，也可以使用分散其他的易氧化性金屬之液狀體的構造。
(基板供給回收部)
基板供給回收部LU，是相對於塗佈部CT供給未予處理的基板S，而且回收來自塗佈部CT之經處理的基板 S。基板供給回收部LU，是具有腔室10。腔室10是被形成長方體的箱狀。在腔室10的內部，形成有可收容基板S的收容室10a。腔室10，是具有第一開口部11、第二開口部12及蓋部14。第一開口部11及第二開口部12，是連通收容室10a及腔室10的外部。
第一開口部11，是被形成於腔室10的+Z側的一面。第一開口部11，是在Z方向觀看形成比基板S的尺寸還要大。被取出於腔室10外部的基板S，或是被收容於收容室10a的基板S，是經由第一開口部11取出和放入於基板供給回收部LU。
第二開口部12，是被形成於腔室10的+X側的一面。第二開口部12，是在X方向觀看形成比基板S的尺寸還要大。被供給於塗佈部CT的基板S，或是從塗佈部CT被退回的基板S，是經由第二開口部12取出和放入於基板供給回收部LU。
蓋部14，是開放或是閉塞第一開口部11。蓋部14，是被形成矩形的板狀。蓋部14，是經由未予圖示的鉸鏈部安裝於第一開口部11的+X側附近。所以，蓋部14，是以第一開口部11的+X側附近作為中心，轉動於Y軸周圍。第一開口部11，是將蓋部14轉動於Y軸周圍就可成為開閉。
在收容室10a，設有基板搬運部15。基板搬運部15，是具有複數滾子17。滾子17，是配置一對在Y方向，而該一對滾子17排列複數於X方向。
各滾子17，是以Y軸方向作為中心軸方向設置成可旋轉於Y軸周圍。複數滾子17，是各別形成相等的直徑，而複數滾子17的+Z側的端部，是被配置在平行於XY平面的同一平面上。所以，複數滾子17，是基板S成為平行於XY平面的姿勢的方式，可支承該基板S。
各滾子17，是藉由例如未予圖示之滾子旋轉控制部使得旋轉被控制。基板搬運部15，是複數滾子17支承基板S的狀態之下，藉由將各滾子17朝向順時鐘周圍或是反時鐘周圍旋轉在Y軸周圍，而將基板S朝向X方向(+X方向或是-X方向)搬運。作為基板搬運部15，也可以使用浮起基板進行搬運的未予圖示之浮起搬運部。
(塗佈部)
塗佈部CT，是相對於基板S進行液狀體的塗佈處理。塗佈部CT，是具有腔室20及基台BC。塗佈部CT，是在被載置於地板面FL的基台BC上配置有腔室20的構造。
腔室20是被形成長方體的箱狀。在腔室20的內部，形成有處理室20a。腔室20是具有第一開口部21及第二開口部22。第一開口部21及第二開口部22，是連通處理室20a及腔室20之外部。
第一開口部21，是被形成於腔室20的-X側的一面。第二開口部22，是被形成於腔室20的+X側的一面。第一開口部21及第二開口部22，是被形成於基板S可通過 的尺寸。基板S，是經由第一開口部21及第二開口部22取出和放入於腔室20。
在處理室20a，設置有：吐出部31、維修部32、液狀體供給部33、洗淨液供給部34、廢液儲備部35、氣體供給排出部37及基板搬運部25。
吐出部31是具有：噴嘴NZ、處理平台28及噴嘴驅動部NA。
第3圖是表示噴嘴NZ的構造的圖式。
如第3圖所示地，噴嘴NZ是被形成成長形狀，長邊方向被配置成平行於X方向。噴嘴NZ是具有本體部NZa及突出部NZb。本體部NZa是在內部可收容液狀體的筐體。本體部NZa，是例如使用含有鈦或是鈦合金的材料所形成。突出部NZb，是相對於本體部NZa各別突出於+X側及-X側所形成。突出部NZb是被保持在噴嘴驅動部NA的一部分。
第4圖是表示從-Z側觀看噴嘴NZ時的構造的圖式。
如第4圖所示地，噴嘴NZ是在本體部NZa的-Z側的端部(前端TP)具有吐出口OP。吐出口OP是液狀體被吐出的開口部。吐出口OP是朝向X方向成為長邊的方式開縫狀地被形成。吐出口OP是例如長邊方向與基板S的X方向尺寸大約同一的方式所形成。
噴嘴NZ是吐出例如上述的Cu、In、Ga、Se的4種類的金屬以預定組成比所混合的液狀體。噴嘴NZ是經由連接配管(未予圖示)等，各別被連接於液狀體供給部 33。噴嘴NZ是在內部具有保持液狀體的保持部。還有，也可以配置有調整被保持於上述保持部的液狀體之溫度的調溫部。
回到第1圖及第2圖，處理平台28，是載置成為塗佈處理的對象的基板S。處理平台28的+Z側的一面，是載置基板S的基板載置面。該基板載置面，是被形成平行於XY平面。處理平台28，是使用例如不鏽鋼等所形成。
噴嘴驅動部NA是朝向X方向移動噴嘴NZ。噴嘴驅動部NA是具有構成線性馬達機構的定子40及轉子41。還有，作為噴嘴驅動部NA，使用例如滾珠螺絲機構等，其他的驅動機構的構造也可以。定子40是朝向Y方向延伸。定子40是被支承於支承框架38。支承框架38，是具有第一框架38a及第二框架38b。第一框架38a是被配置於處理室20a的-Y側端部。第二框架38b是被配置於在處理室20a中與第一框架38a之間夾隔處理平台28的位置。
轉子41是沿著定子40的延伸方向(Y方向)可能移動。轉子41是具有噴嘴支承構件42及昇降部43。噴嘴支承構件42是被形成門型式，具有保持噴嘴NZ的突出部NZb的保持部42a。噴嘴支承構件42是與昇降部43一起沿著定子40朝向Y方向一體地移動在第一框架38a及第二框架38b之間。所以，被保持於噴嘴支承構件42的噴嘴NZ，是朝向Y方向橫跨地移動處理平台28。噴嘴支承構件42是沿著昇降部43的昇降導件43a朝向Z方向移 勳。轉子41是具有朝向Y方向及Z方向移動噴嘴支承構件42的未予圖示的驅動源。
維修部32是進行噴嘴NZ的維修的部分。維修部32是具有噴嘴待機部44及噴嘴前端管理部45。
噴嘴待機部44是具有：噴嘴NZ的前端TP未被乾燥的方式來浸漬該前端TP的未予圖示的浸漬部，及在更換噴嘴NZ時或是更換供給於噴嘴NZ的液狀體時排出被保持於噴嘴NZ內的液狀體的未予圖示的排出部。
噴嘴前端管理部45，是洗淨噴嘴NZ的前端TP及其近旁，或是從噴嘴NZ的吐出口OP預備性地吐出，就可整理噴嘴前端的條件的部分。噴嘴前端管理部45是具備：擦拭洗淨噴嘴NZ的前端TP的擦拭部45a，及引導該擦拭部45a的導軌45b。在噴嘴前端管理部45，設有噴嘴NZ所排出的液狀體，或是被使用於噴嘴NZ之洗淨的洗淨液等的廢液收容部35a。
第5圖是表示噴嘴NZ及噴嘴前端管理部45的斷面形狀的圖式。如第5圖所示地，擦拭部45a是在斷面觀看被形成覆蓋噴嘴NZ的前端TP及前端TP側之斜面的一部分的形狀。
導軌45b是覆蓋噴嘴NZ的吐出口OP的方式朝向X方向延伸。擦拭部45a是藉由未予圖示之驅動源等，設置成沿著導軌45b朝向X方向可移動。擦拭部45a在接觸於噴嘴NZ的前端TP的狀態之下朝向X方向移動，就成為使得前端TP被擦拭的情形。
液狀體供給部33，是具有第一液狀體收容部33a及第二液狀體收容部33b。在第一液狀體收容部33a及第二液狀體收容部33b，收容有塗佈於基板S的液狀體。還有，第一液狀體收容部33a及第二液狀體收容部33b，是各別可收容不相同種類的液狀體。
洗淨液供給部34，是收容有塗佈部CT的各部，亦即具體而言，收容有洗淨噴嘴NZ的內部或是噴嘴前端管理部45等的洗淨液。洗淨液供給部34，是經由未予圖示之配管或是泵浦等，被連接於此些噴嘴NZ之內部或是噴嘴前端管理部45等。
廢液儲備部35，是回收從噴嘴NZ所吐出的液體中未被再利用的分量。還有，噴嘴前端管理部45中進行預備吐出的部分，及洗淨噴嘴NZ的前端TP的部分各自地設置的構造也可以。還有，在噴嘴待機部44進行預備吐出的構造也可以。
氣體供給排出部37，是具有氣體供給部37a及排氣部37b。氣體供給部37a，是於處理室20a供給氮氣體或是氬氣體等的惰性氣體。排氣部37b，是吸引處理室20a，並將處理室20a的氣體排出至腔室20的外部。
基板搬運部25，是在處理室20a中搬運基板S。基板搬運部25，是具有複數滾子27。滾子27是朝向X方向橫過處理室20a之Y方向的中央部的方式被配置成兩列。被配置於各列的滾子27，是各別支承基板S的+Y側端邊及-Y側端邊。
在支承基板S的狀態之下，藉由將各滾子27朝向順時鐘周圍或是反時鐘周圍旋轉於Y軸周圍，使得藉由各滾子27所支承的基板S朝向X方向(+X方向或是-X方向)被搬運。還有，使用浮起基板來搬運的未予圖示的浮起搬運部也可以。
(減壓乾燥部)
減壓乾燥部VD，是乾燥被塗佈於基板S上的液狀體。減壓乾燥部VD，是具有腔室50、基台BV及閘閥V2及V3。減壓乾燥部VD，是於被載置於地板面FL的基台BV上配置有腔室50的構造。
腔室50是被形成長方體的箱狀。在腔室50的內部，形成有處理室50a。腔室50，是具有第一開口部51及第二開口部52。第一開口部51及第二開口部52，是連通處理室50a及腔室50的外部。
第一開口部51，是被形成於腔室50的-X側的一面。第二開口部52，是被形成於腔室50的+X側的一面。第一開口部51及第二開口部52，是被形成於基板S可通過的尺寸。基板S，是經由第一開口部51及第二開口部52取出和放入於腔室50。
在處理室50a，設置有：基板搬運部55及氣體供給部58、排氣部59及加熱部53。
基板搬運部55，是具有複數滾子57。滾子57是朝向Y方向配置一對，該一對滾子57朝向X方向排列複數。 複數滾子57，是經由第一開口部21支承被配置於處理室50a的基板S。
在支承基板S的狀態之下，將各滾子57藉由朝向順時鐘周圍或是反時鐘周圍旋轉於Y軸周圍，使得藉由各滾子57所支承的基板S朝向X方向(+X方向或是-X方向)被搬運。還有，使用浮起基板來搬運的未予圖示的浮起搬運部也可以。
第6圖是表示減壓乾燥部VD的構造的模式圖。
如第6圖所示地，氣體供給部58，是於處理室50a供給氮氣體或是氬氣體等的惰性氣體。氣體供給部58，是具有第一供給部58a及第二供給部58b。第一供給部58a及第二供給部58b，是被連接於儲氣瓶或是氣體管等的氣體供給源58c。供給氣體至處理室50a，是主要使用第一供給部58a來進行。第二供給部58b，是微調整依第一供給部58a所導致之氣體的供給量。
排氣部59，是吸引處理室50a，並將該處理室50a的氣體排出至腔室50之外部，進行減壓處理室50a。藉由進行減壓處理室50a，來促進被含有於基板S的液狀體之溶媒的蒸發，進行乾燥液狀體。排氣部59，是具有第一吸引部59a及第二吸引部59b。第一吸引部59a及第二吸引部59b，是被連接於泵浦等的吸引源59c及59d。來自處理室50a的吸引是主要使用第一吸引部59a。第二吸引部59b是微調整依第一吸引部59a所導致的吸引量。
加熱部53，是進行加熱被配置於處理室50a的基板S 上的液狀體。作為加熱部53，使用例如紅外線裝置或是加熱板等。加熱部53的溫度，是可能調整成例如室溫至100℃程度。藉由使用加熱部53，促進被含有於基板S上的液狀體的溶媒之蒸發，能夠保持在減壓下之乾燥處理。
(燒成部)
燒成部BK，是燒成被塗佈於基板S上的塗佈膜。燒成部BK，是具有腔室60及基台BB。燒成部BK，是在被載置於地板面FL的基台BB上配置有腔室60的構造。
腔室60是被形成長方體的箱狀。在腔室60的內部，形成有處理室60a。腔室60是具有開口部61。開口部61，是連通處理室60a及腔室60之外部。開口部61，是被形成於腔室60的-X側的一面。開口部61，是被形成於基板S可通過的尺寸。基板S，是經由開口部61被取出和放入於腔室60。
在處理室60a，設置有：基板搬運部65及氣體供給部68、排氣部69及加熱部70。
基板搬運部65，是具有複數滾子67，及臂部71。滾子67是朝向Y方向夾隔基板引導平台66配置一對，該一對滾子67朝向X方向排列複數。複數滾子67，是經由開口部61支承被配置於處理室60a的基板S。
在支承基板S的狀態之下，將各滾子67藉由朝向順時鐘周圍或是反時鐘周圍旋轉於Y軸周圍，使得藉由各滾子67所支承的基板S朝向X方向(+X方向或是-X方 向)被搬運。還有，使用浮起基板來搬運的未予圖示的浮起搬運部也可以。
臂部71，是被配置於架台74上，而在複數滾子67與加熱部70之間進行基板S之交接。臂部71，是具有搬運臂72及臂驅動部73。搬運臂72，是具有基板支承部72a及移動部72b。基板支承部72a，是支承基板S的+Y側及-Y側之一帶。移動部72b是被連結於基板支承部72a，並朝向X方向可移動，且朝向θ Z方向可轉動。
臂驅動部73，是朝向X方向或是θ Z方向來驅動移動部72b。在藉由臂驅動部73朝向+X方向來移動移動部72b時，使得基板支承部72a被插入於加熱部70內，而且使得基板S成為被配置於加熱部70的Z方向觀看位於中央部。
第7圖是表示加熱部70的構造的斷面圖。
如第7圖所示地，加熱部70是被配置於架台74上，具有：第一收容部81、第二收容部82、第一加熱板83、第二加熱板84、頂推部85、密封部86、氣體供給部87、排氣部88及距離調整部89。
第一收容部81是在Z方向觀看被形成矩形的斗形狀，使得開口部朝向+Z側地被載置於腔室60的底部。第二收容部82是在Z方向觀看被形成矩形的斗形狀，使得開口部配置成對向於第一收容部81。第二收容部82是使用未予圖示之昇降機構可朝向Z方向移動。將第二收容部82的緣部82a藉由重疊於第一收容部81的緣部81a，使 得第一收容部81及第二收容部82的內部被密閉。
第一加熱板83，是被收容於第一收容部81。第一加熱板83，是在被載置基板S的狀態之下進行加熱該基板S。第一加熱板83，是使用例如石英等所形成，而在內部設有紅外線裝置或是加熱板等的加熱裝置。第一加熱板83的溫度，是可調整成例如200℃至800℃程度。在第一加熱板83形成有複數貫通孔83a。貫通孔83a是貫通頂推部85的一部分。
第二加熱板84，是被收容於第二收容部82。第二加熱板84，是使用例如金屬材料所形成，而在內部設有紅外線裝置或是加熱板等的加熱裝置。第二加熱板84的溫度，是可調整成例如200℃至800℃程度。
第一加熱板83及第二加熱板84，是各別平行地配置於XY平面。還有，第一加熱板83及第二加熱板84，是將配置有塗佈膜F所形成的基板S的基板位置Sp夾隔Z方向(塗佈膜F的膜厚方向)的方式，被配置成排列於Z方向(垂直方向)。
頂推部85，是在臂部71與第一加熱板83之間進行移動基板S。頂推部85，是具有：複數支承銷85a，及保持該支承銷85a並能夠朝向Z方向移動的移動部85b。為了容易判別圖示，在第7圖中，表示設有2個支承銷85a之構造，惟實際上例如可配置16個(參照第7圖)。設置於第一加熱板83的複數貫通孔83a，是被配置於在Z方向觀看相對應於複數支承銷85a的位置。
密封部86，是被形成於第一收容部81的緣部81a。作為密封部86，能夠使用例如使用樹脂材料等所形成的O形環。密封部86，是在第二收容部82的緣部82a被重疊於第一收容部81的緣部81a的狀態之下，進行密封該第一收容部81與第二收容部82之間。所以，能夠密閉第一收容部81與第二收容部82之內部。
氣體供給部87，是於處理室60a供給氫氣體、氬氣體或是氮氣體等。氣體供給部87是被連接於腔室60的+Z側的一面。氣體供給部87是具有：儲氣瓶或是氣體管等的氣體供給源87a，及連接該氣體供給源87a與腔室60的連接管87b。
排氣部88，是吸引處理室60a，並將該處理室60a的氣體排出至腔室60之外部。排氣部88是被連接於腔室60的-Z側的一面。排氣部88是具有：泵浦等的吸引源88a，及連接該吸引源88a與腔室60的連接管88b。
距離調整部89，是個別地朝向Z方向移動第一加熱板83及第二加熱板84的移動機構。作為距離調整部89，使用例如馬達機構或是氣缸機構等。距離調整部89是藉由朝向Z方向移動第一加熱板83及第二加熱板84，進行調整第一加熱板83與基板S之間的第一距離d1，同時調整第二加熱板84與基板S之間的第二距離d2。
還有，在本實施形態中，設有溶媒濃度感測器SR3及SR4。溶媒濃度感測器SR3及SR4，是與上述的溶媒濃度感測器SR1及SR2同樣地，檢測出周圍的氣氛中的液 狀體之溶媒(在本實施形態為肼)的濃度，並將檢測結果發訊至控制部CONT。溶媒濃度感測器SR3，是被配置於處理室60a中的架台74上的加熱部70的+Y側。溶媒濃度感測器SR3，是被配置於從加熱部70遠離的位置。溶媒濃度感測器SR4是被配置於腔室60之外部。在本實施形態中，為了檢測出比重比空氣還要大的肼的濃度，溶媒濃度感測器SR3及SR4，是與上述的溶媒濃度感測器SR1及SR4同樣地，各別被配置於比基板S的搬運路徑還位於垂直方向的下方。還有，在腔室60的外部，也藉由配置溶媒濃度感測器SR4，即使有來自腔室60的肼的漏出時也能夠檢測出。
(基板搬運路徑)
基板供給回收部LU的第二開口部12、塗佈部CT的第一開口部21以及第二開口部22、減壓乾燥部VD的第一開口部51以及第二開口部52、燒成部BK的開口部61，是設置排列於平行於X方向的直線上。所以，基板S是朝向X方向移動於直線上。還有，在從基板供給回收部LU被收容於燒成部BK的加熱部70為止的路徑，保持著Z方向的位置。所以，可抑制依基板S所導致之周圍的氣體之攪拌。
(副腔室)
如第1圖所示地，在腔室20，連接有副腔室AL1~ AL3。
副腔室AL1~AL3，是連通腔室20的內外所設置。副腔室AL1~AL3，是各別將處理室20a的構成要素取出至腔室20之外部，或是將該構成要素從腔室20之外部引入至處理室20a所用的路徑。
副腔室AL1，是被連接於吐出部31。被設置於吐出部31的噴嘴NZ，是經由副腔室AL1成為能夠取出和放入於處理室20a。副腔室AL2，是被連接於液狀體供給部33。液狀體供給部33，是經由副腔室AL2成為能夠取出和放入於處理室20a。
副腔室AL3，是被連接於液狀體調合部36。在液狀體調合部36，經由副腔室AL3成為將液體能夠取出和放入於處理室20a。還有，副腔室AL3，是被形成能夠通過基板S的尺寸。所以，例如在塗佈部CT中進行液狀體之試塗時，可將未經處理的基板S從副腔室AL3供給至處理室20a。還有，從副腔室AL3可取出進行試塗之後的基板S。還有，在緊急時等從副腔室AL3也能夠臨時地取出基板S。
還有，在腔室60，連接有副腔室AL4。
副腔室AL4，是被連接於加熱部70。副腔室AL4，是被形成能夠通過基板S的尺寸。所以，例如在加熱部70中進行基板S的加熱時，可將基板S從副腔室AL4供給至處理室60a。還有，從副腔室AL4可取出進行加熱處理之後的基板S。
(球狀部)
如第1圖所示地，在腔室20，連接有球狀部GX1。還有，在腔室60，連接有球狀部GX2。
球狀部GX1及GX2，是作業人員存取於腔室20及60內所用的部分。作業人員藉由將手插入於球狀部GX1及GX2內，成為能夠進行腔室20及60內的維修動作等。球狀部GX1及GX2，是被形成袋狀。球狀部GX1及GX2，是各別被配置於腔室20及60的複數部位。檢測出作業人員是否有將手插入於球狀部GX1及GX2內的感測器等被配置於腔室20及60內也可以。
(閘閥)
在基板供給回收部LU的第二開口部12與塗佈部CT的第一開口部21之間，設有閘閥V1。閘閥V1，是設置成藉由未予圖示之驅動部朝向Z方向能夠移動。朝向Z方向移動閘閥V1，使得基板供給回收部LU的第二開口部12與塗佈部CT的第一開口部21同時地被開放或是被閉塞。若使第二開口部12與第一開口部21同時地被開放，則在此些第二開口部12與第一開口部21之間能夠進行基板S之移動。
在塗佈部CT的第二開口部22與減壓乾燥部VD的第一開口部51之間，設有閘閥V2。閘閥V2，是設置成藉由未予圖示之驅動部朝向Z方向能夠移動。朝向Z方向 移動閘閥V2，使得塗佈部CT的第二開口部22與減壓乾燥部VD的第一開口部51同時地被開放或是被閉塞。若使第二開口部22與第一開口部51同時地被開放，則在此些第二開口部22與第一開口部51之間能夠進行基板S之移動。
在減壓乾燥部VD的第二開口部52與燒成部BK的開口部61之間，設有閘閥V3。閘閥V3，是設置成藉由未予圖示之驅動部朝向Z方向能夠移動。朝向Z方向移動閘閥V3，使得減壓乾燥部VD的第二開口部52與燒成部BK的開口部61同時地被開放或是被閉塞。若使第二開口部52與開口部61同時地被開放，則在此些第二開口部52與開口部61之間能夠進行基板S之移動。
(控制裝置)
控制部CONT是總括地控制塗佈裝置CTR的部分。具體而言，控制在基板供給回收部LU、塗佈部CT、減壓乾燥部VD、燒成部BK的動作，閘閥V1~V3的動作等。作為例子，控制部CONT是進行調整燒成部BK的第一加熱板83與基板S之間的第一距離d1，或是調整第二加熱板84與基板S之間的第二距離d2等。還有，例如，依據因溶媒濃度感測器SR1~SR4所導致之檢測結果，來調整氣體供給部37a的供給量。控制部CONT是具有使用於處理時間的計測等的未予圖示之計時器等。
(塗佈方法)
以下，說明本實施形態的塗佈方法。在本實施形態中，使用如上所述地所構成的塗佈裝置CTR於基板S上進行形成塗佈膜。在塗佈裝置CTR之各部所進行的動作，是藉由控制部CONT所控制。
控制部CONT，是首先將基板S從外部搬進基板供給回收部LU。這時候，控制部CONT，是作為閉塞閘閥V1之狀態，打開蓋部14並將基板S收容於腔室10的收容室10a。基板S被收容於收容室10a之後，控制部CONT是關閉蓋部14。
關閉蓋部14之後，控制部CONT，是開放閘閥V1，並連通腔室10的收容室10a與塗佈部CT的腔室20的處理室20a。開放閘閥V1之後，控制部CONT，是使用基板搬運部15將基板S搬運至X方向。
使基板S的一部分被插入至塗佈部CT的處理室20a之後，控制部CONT是使用基板搬運部25將基板S完全地搬進處理室20a。基板S被搬進之後，控制部CONT，是閉塞閘閥V1。控制部CONT，是閉塞閘閥V1之後，將基板S搬運至處理平台28。
第8圖是表示簡化塗佈部CT的構造並省略一部分的構造的圖式。以下，在第9圖至第12圖也同樣。如第8圖所示地，當基板S被載置於處理平台28上時，則在塗佈部CT進行塗佈處理。在該塗佈處理之前，控制部CONT，是作成閉塞閘閥V1及V2的狀態，並使用氣體供 給部37a及排氣部37b進行惰性氣體之供給及吸引。
藉由此動作，使得處理室20a的氣氛及壓力被調整。調整處理室20a的氣氛及壓力之後，控制部CONT，是使用噴嘴驅動部NA(在第8圖中未予圖示)將噴嘴NZ從噴嘴待機部44移動至噴嘴前端管理部45。控制部CONT，是在以後處理塗佈之期間，繼續地進行處理室20a的氣氛及壓力之調整動作。
使噴嘴NZ到達至噴嘴前端管理部45之後，控制部CONT，是如第9圖所示地，相對於噴嘴NZ進行預備吐出動作。在預備吐出動作，控制部CONT，是從吐出口OP吐出液狀體Q。預備吐出動作之後，控制部CONT，是如第10圖所示地，將擦拭部45a沿著導軌45b朝向X方向移動，並擦拭噴嘴NZ的前端TP及其近旁之傾斜部。
擦拭噴嘴NZ的前端TP之後，控制部CONT，是將噴嘴NZ移動至處理平台28。噴嘴NZ的吐出口OP到達至基板S的-Y側端部之後，控制部CONT，是如第11圖所示地，一面以預定速度朝向+Y方向移動噴嘴NZ，一面從吐出口OP朝向基板S吐出液狀體Q。藉由該動作，在基板S上形成有液狀體Q的塗佈膜。
在基板S的預定領域形成液狀體Q的塗佈膜之後，控制部CONT，是使用基板搬運部25而將基板S從處理平台28朝向+X方向移動至第二平台26B。還有，控制部CONT，是朝向-Y方向移動噴嘴NZ，並回歸至噴嘴待機部44。
使基板S到達至腔室20的第二開口部22之後，控制部CONT，是開放閘閥V2，並將基板S從塗佈部CT搬運至減壓乾燥部VD。使基板S被收容於設在減壓乾燥部VD的腔室50的處理室50a之後，控制部CONT，是閉塞閘閥V2，並在處理室50a中進行基板S的減壓乾燥處理。
在減壓乾燥處理中，控制部CONT，是使用氣體供給部58進行調整處理室50a的氣氛，而且使用排氣部59進行減壓處理室50a。藉由該動作，進行減壓處理室50a時，則含有於被形成在基板S的液狀體Q之塗佈膜的溶媒之蒸發被促進，並進行乾燥塗佈膜。還有，控制部CONT，是藉由使用加熱部53，來促進含有於基板S上的液狀體的溶媒之蒸發，並支承在減壓下之乾燥處理也可以。藉由該處理，於基板S上形成有塗佈膜F(參照第13圖)。
進行減壓乾燥處理之後，控制部CONT，是開放閘閥V3，並將基板S從減壓乾燥部VD搬運至燒成部BK。使基板S被收容於設在燒成部BK的腔室60的處理室60a之後，控制部CONT是閉塞閘閥V3。
藉由基板支承部72a之移動，使得基板S被配置於第一加熱部83上的中央部之後，控制部CONT，是朝向+Z方向移動頂推部85。藉由該動作，基板S是從搬運臂72的基板支承部72a遠離，而被支承於頂推部85的複數支承銷85a。作成這樣子，使得基板S從基板支承部72a交 給頂推部85。基板S藉由頂推部85的支承銷85a支承之後，控制部CONT是將基板支承部72a朝向-X方向疏散至加熱部70之外部。
疏散基板支承部72a之後，控制部CONT，是如第15圖所示地，朝向-Z方向移動頂推部85，而且朝向-Z方向移動第二收容部82。藉由該動作，使得第二收容部82的緣部82a重疊於第一收容部81的緣部81a，而在緣部82a與緣部81a，之間成為密封部86被夾隔的狀態。所以，形成有藉由第一收容部81、第二收容部82及密封部86所密閉的燒成室80。
形成燒成室80之後，控制部CONT，是如第16圖所示地，朝向-Z方向移動頂推部85並將基板S被載置於第一加熱板83上。當基板S被載置於第一加熱板83上之後，控制部CONT，是朝向-Z方向移動第二加熱板84，並接近第二加熱板84與基板S。還有，這時候，控制部CONT，是使用距離調整部89，進行調整第一加熱板83及第二加熱板84的Z方向之位置。
又，在本實施形態中，將基板S被載置於第一加熱板83上之故，因而第一加熱板83與基板S之間的第一距離d1是仍被固定在零的狀態。因此，藉由該調整，成為第二加熱板84與基板S之間的第二距離d2被調整。
調整第二加熱板84的Z方向的位置之後，如第17圖所示地，使用氣體供給部87將氮氣體或是硫化氫氣體供給於燒成室80，而且使用排氣部88來吸引燒成室80。藉 由該動作，燒成室80的氣氛及壓力被調整，而且從第二收容部82直到第一收容部81為止形成有氮氣體或是硫化氫氣體的氣流。
控制部CONT，是在形成有氮氣體或是硫化氫氣體的氣流的狀態之下，進行動作第一加熱板83與第二加熱板84，並進行基板S的燒成動作。藉由該動作，從基板S的塗佈膜F所蒸發的溶媒成分等藉由氣流被沖走，並從排氣部88被吸引。還有，氮氣體或是硫化氫氣體的氣流未直接噴射至基板S，而經由第二加熱板84被供給之故，因而能夠防止影響到塗佈膜F的形狀。
控制部CONT是一面進行依第一加熱板83與第二加熱板84所導致的加熱動作，一面使用距離調整部89來調整第二加熱板84的Z方向的位置也可以。藉由該動作，第二加熱板84與基板S之間的第二距離d2被調整，形成有相對於塗佈膜F的最合適的加熱狀態。還有，第一加熱板83與排氣部88之間的距離，及第二加熱板84與氣體供給部87之間的距離被調整之故，因而針對於氮氣體或是硫化氫氣體的氣流也成為被調整。
完成燒成動作之後，控制部CONT，是朝向-X方向搬運基板S。具體而言，從加熱部70經由臂部71、基板引導平台66而從燒成部BK被搬出，又經由減壓乾燥部VD、塗佈部CT而回歸至基板供給回收部LU。基板S回歸至基板供給回收部LU後控制部CONT，是在閉塞閘閥V1的狀態之下，進行開放蓋部14。然後，作業人員是回 收腔室10內的基板S，並將新基板S收容於腔室10的收容室10a。
還有，基板S回歸至基板供給回收部LU之後，再重疊其他塗佈膜於形成在基板S的塗佈膜F上所形成時，控制部CONT，是再將基板S搬運至塗佈部CT，而重複進行塗佈處理、減壓乾燥處理及燒成處理。作成這樣子，於基板S上形成有塗佈膜F。
如以上地，在本實施形態中，具備：可將用來配置具有塗佈膜F之基板S的基板位置Sp夾隔在塗佈膜F的膜厚方向上的第一加熱板83及第二加熱板84，與用以調整基板位置Sp與第一加熱板83之第一距離d1，及基板位置Sp與第二加熱板84之第二距離d2的距離調整部89之故，因而用以調整基板位置Sp與第一加熱板83及第二加熱板84之距離，就能夠調整相對於塗佈膜F的加熱條件。藉由此，能夠形成具有所期望之特性的塗佈膜F。
還有，在本實施形態中，具備：將含有易氧化性的金屬及溶媒之液狀體的塗佈膜F形成於基板S的塗佈部CT，及用以加熱形成有塗佈膜F的基板S的燒成部BK，及在塗佈部CT與燒成部BK之間用以搬運基板的基板搬運部55、65及臂部71，作為燒成部BK，使用調整相對於塗佈膜F的加熱條件的上述的構造之故，因而能夠穩定地形成具有所期望之特性的塗佈膜F。
本發明的技術範圍是並不被限定於上述實施形態者，在未超越本發明的宗旨的範圍內能夠添加適當的變更。
在上述實施形態中，作為塗佈部CT的構造，作成使用開縫型的噴嘴NZ的構造，惟並不被限定於此，例如中央滴下型的塗佈部也可以，或是使用噴墨型的塗佈部也可以。還有，例如使用滑動台(skige)等來擴散而進行塗佈被配置於基板S上的液狀體的構造也可以。
還有，在上述實施形態中，塗佈裝置CTR為被收容於一個房間的構造時，設有用以調整該房間之氣氛的氣體供給排出部的構造也可以。這時候，使用該氣體供給排出部就能夠排出房間的氣氛中的肼之故，因而能夠更確實地抑制塗佈環境之變化。
還有，在上述實施形態中，例舉在基板S平行地被配置於XY平面時，使得第一加熱板83與第二加熱板84朝向Z方向夾隔基板S的方式，被配置成排列於垂直方向的構造加以說明，惟並不被限定於此者。
例如，如第18圖所示地，在基板S平行地被配置於YZ平面上時，使得第一加熱板83與第二加熱板84朝向X方向夾隔基板S的方式，被配置成排列於水平方向的構造也可以。
還有，在上述實施形態中，例舉進行燒成動作之際，在將基板S被載置於第一加熱板83上的狀態之下進行加熱的形態加以說明，惟並不被限定於此者。
例如，如第19圖所示地，在基板S被支承於頂推部85的支承銷85a的狀態之下進行加熱也可以。這時候，相對於基板S，能夠朝向Z方向移動第一加熱板83與第 二加熱板84之雙方，並能夠用以調整第一距離d1與第二距離d2之雙方。所以，相對於基板S能夠形成最合適的加熱狀態。
還有，在上述實施形態中，例舉從基板S的垂直方向的上側(+Z側)朝向下側流通氣體的構造加以說明，惟並不被限定於此者。
例如，如第20圖所示地，於第一收容部81設有氣體供給部87，而於第二收容部82設有排氣部88的構造者也可以。這時候，作為從氣體供給部87所供給的氣體，是比空氣還要輕的氫氣體等最合適。
還有，在上述實施形態中，例舉距離調整部89為移動第一加熱板83與第二加熱板84之雙方的形態加以說明，惟並不被限定於此者。例如，僅移動第一加熱板83與第二加熱板84的任一方，並固定另一方的形態也可以。
以上，說明了本發明的合適的實施例，惟本發明是並未限定於此些實施例者。在未超越本發明的宗旨之範圍，能夠做構造的附加、省略、置換、及其他之變更。本發明是藉由上述的說明並未加以限定者，僅藉由所附的申請專利範圍加以限定。
CTR‧‧‧塗佈裝置
S‧‧‧基板
LU‧‧‧基板供給回收部
CT‧‧‧塗佈部
VD‧‧‧減壓乾燥部
BK‧‧‧燒成部
CONT‧‧‧控制部
FL‧‧‧地板面
LU‧‧‧基板供給回收部
BV‧‧‧基台
BB‧‧‧基台
NZ‧‧‧噴嘴
NZa‧‧‧本體部
NZb‧‧‧突出部
NA‧‧‧噴嘴驅動部
OP‧‧‧吐出口
TP‧‧‧前端
V1~V3‧‧‧閘閥
F‧‧‧塗佈膜
Sp‧‧‧基板位置
SR1~SR4‧‧‧溶媒濃度感測器
d1‧‧‧第一距離
d2‧‧‧第二距離
AL1~AL3‧‧‧副腔室
GX1、GX2‧‧‧球狀部
Q‧‧‧液狀體
10‧‧‧腔室
10a‧‧‧收容室
11‧‧‧第一開口部
12‧‧‧第二開口部
14‧‧‧蓋部
15‧‧‧基板搬運部
17‧‧‧滾子
20‧‧‧腔室
20a‧‧‧處理室
21‧‧‧第一開口部
22‧‧‧第二開口部
25‧‧‧基板搬運部
26A、26B‧‧‧第二平台
27‧‧‧滾子
28‧‧‧處理平台
31‧‧‧吐出部
32‧‧‧維修部
33‧‧‧液狀體供給部
33a‧‧‧第一液狀體收容部
33b‧‧‧第二液狀體收容部
34‧‧‧洗淨液供給部
35‧‧‧廢液儲備部
35a‧‧‧廢液收容部
36‧‧‧液狀體調合部
37‧‧‧氣體供給排出部
37a‧‧‧氣體供給部
37b‧‧‧排氣部
38‧‧‧支承框架
38a‧‧‧第一框架
38b‧‧‧第二框架
40‧‧‧定子
41‧‧‧轉子
42‧‧‧噴嘴支承構件
42a‧‧‧保持部
43‧‧‧昇降部
44‧‧‧噴嘴待機部
45‧‧‧噴嘴前端管理部
45a‧‧‧擦拭部
45b‧‧‧導軌
50‧‧‧腔室
50a‧‧‧處理室
51‧‧‧第一開口部
52‧‧‧第二開口部
53‧‧‧加熱部
55‧‧‧基板搬運部
57‧‧‧滾子
58‧‧‧氣體供給部
58a‧‧‧第一供給部
58b‧‧‧第二供給部
58c‧‧‧氣體供給源
59‧‧‧排氣部
59a‧‧‧第一吸引部
59b‧‧‧第二吸引部
59c、59d‧‧‧吸引源
60‧‧‧腔室
60a‧‧‧處理室
61‧‧‧開口部
65‧‧‧基板搬運部
66‧‧‧基台引導平台
67‧‧‧滾子
68‧‧‧氣體供給部
69‧‧‧排氣部
70‧‧‧加熱部
71‧‧‧臂部
72‧‧‧搬送臂
72a‧‧‧基板支承部
72b‧‧‧移動部
73‧‧‧臂驅動部
74‧‧‧架台
81‧‧‧第一收容部
81a‧‧‧緣部
82‧‧‧第二收容部
82a‧‧‧緣部
83‧‧‧第一加熱板
83a‧‧‧貫通孔
84‧‧‧第二加熱板
85‧‧‧頂推部
85a‧‧‧支承銷
85b‧‧‧移動部
86‧‧‧密封部
87‧‧‧氣體供給部
87a‧‧‧氣體供給源
87b‧‧‧連接管
88‧‧‧排氣部
88a‧‧‧吸引源
88b‧‧‧連接管
89‧‧‧距離調整部
第1圖是表示本發明的實施形態的塗佈裝置之全體構造的圖式。
第2圖是表示本實施形態的塗佈裝置之全體構造的圖式。
第3圖是表示本實施形態的噴嘴之構造的圖式。
第4圖是表示本實施形態的噴嘴之構造的圖式。
第5圖是表示本實施形態的塗佈部的一部分之構造的圖式。
第6圖是表示本實施形態的減壓乾燥部之構造的圖式。
第7圖是表示本實施形態的燒成部的一部分之構造的圖式。
第8圖是表示本實施形態的塗佈裝置的塗佈處理之過程的圖式。
第9圖是表示本實施形態的塗佈裝置的塗佈處理之過程的圖式。
第10圖是表示本實施形態的塗佈裝置的塗佈處理之過程的圖式。
第11圖是表示本實施形態的塗佈裝置的塗佈處理之過程的圖式。
第12圖是表示本實施形態的塗佈裝置的塗佈處理之過程的圖式。
第13圖是表示本實施形態的塗佈裝置的燒成處理之過程的圖式。
第14圖是表示本實施形態的塗佈裝置的燒成處理之過程的圖式。
第15圖是表示本實施形態的塗佈裝置的燒成處理之過程的圖式。
第16圖是表示本實施形態的塗佈裝置的燒成處理之過程的圖式。
第17圖是表示本實施形態的塗佈裝置的燒成處理之過程的圖式。
第18圖是表示本發明的變形例的加熱裝置之構造的圖式。
第19圖是表示本發明的變形例的加熱裝置之動作的圖式。
第20圖是表示本發明的變形例的加熱裝置之構造的圖式。
Sp‧‧‧基板位置
SR1~SR4‧‧‧溶媒濃度感測器
d1‧‧‧第一距離
d2‧‧‧第二距離
70‧‧‧加熱部
81‧‧‧第一收容部
81a‧‧‧緣部
82‧‧‧第二收容部
82a‧‧‧緣部
83‧‧‧第一加熱板
83a‧‧‧貫通孔
84‧‧‧第二加熱板
85‧‧‧頂推部
85a‧‧‧支承銷
85b‧‧‧移動部
86‧‧‧密封部
87‧‧‧氣體供給部
87a‧‧‧氣體供給源
87b‧‧‧連接管
88‧‧‧排氣部
88a‧‧‧吸引源
88b‧‧‧連接管
89‧‧‧距離調整部

Claims (8)

  1. 一種加熱裝置，其特徵為：具備：具備第一加熱部的第一收容部、具備第二加熱部的第二收容部、距離調整部、以及控制部，上述第一收容部，可對於上述第二收容部實際平行地移動，上述第一收容部藉由重疊於上述第二收容部，而可形成在內部配置有上述第一加熱部及上述第二加熱部的腔室，上述第一加熱部及上述第二加熱部，將配置有具有塗佈膜的基板之基板位置夾隔在上述塗佈膜的膜厚方向，該距離調整部，是用以調整上述基板位置與上述第一加熱部之第一距離，及上述基板位置與上述第二加熱部之第二距離中的至少一方；該控制部是設置於上述腔室的用以導入氣體的氣體導入部及用以排出上述氣體的氣體排出部，上述氣體導入部及上述氣體排出部是設置於可將上述基板位置夾於其中的位置，藉由從上述氣體導入部將上述氣體導入上述腔室內部，並且使上述氣體從上述氣體排出部排出至上述腔室外部，會在上述第一加熱部及上述第二加熱部的周圍形成氣流，上述距離調整部具有移動部，該移動部，將上述第一加熱部及上述第二加熱部的其中至少一方，在上述膜厚方向與上述第一加熱部及上述第二加熱部實際平行地移動。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的加熱裝置，其中，上述第一加熱部及上述第二加熱部，是被配置成排列於垂直方向。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的加熱裝置，其中，更進一步地具備：用以保持被配置於上述基板位置的上述基板的基板保持部。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的加熱裝置，其中，上述第一加熱部及上述第二加熱部中，相對於上述基板位置被配置於垂直方向之下方的一方的加熱部，是兼具上述基板保持部。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的加熱裝置，其中，上述距離調整部，是使上述第一加熱部及上述第二加熱部中，相對於上述基板位置被配置於垂直方向之上方的另一方的加熱部，以不會接觸於上述塗佈膜的方式，來調整上述第一距離及上述第二距離中之至少一方。
  6. 一種塗佈裝置，其特徵為：該裝置是具備：塗佈部、及加熱部、以及搬運部，該塗佈部是將含有易氧化性的金屬及溶媒之液狀體的塗佈膜形成於基板，該加熱部是用以加熱形成有上述塗佈膜的上述基板，該搬運部是在上述塗佈部與上述加熱部之間用以搬運上述基板，作為上述加熱部，使用申請專利範圍第1項所述的加熱裝置。
  7. 一種加熱方法，其特徵為：該方法是包括：收容步驟、加熱步驟、距離調整步驟、及氣流形成步驟，該收容步驟，將具備第一加熱部的第一收容部，對於具備第二加熱部的第二收容部實際平行地移動，將上述第一收容部重疊於上述第二收容部，藉此形成在內部配置有上述第一加熱部及上述第二加熱部的腔室；該氣流形成步驟，使用設置於可將上述基板位置夾於其中的位置且設置於上述腔室的用以導入氣體的氣體導入部及用以排出上述氣體的氣體排出部，藉由從上述氣體導入部將上述氣體導入上述腔室內部，並且使上述氣體從上述氣體排出部排出至上述腔室外部，會在上述第一加熱部及上述第二加熱部的周圍形成氣流，該加熱步驟，是藉由上述第一加熱部及上述第二加熱部，將用來配置具有塗佈膜之基板的基板位置夾隔在上述塗佈膜的膜厚方向上，來加熱上述基板，該距離調整步驟，是藉由將上述第一加熱部及上述第二加熱部的其中至少一方，在膜厚方向與上述第一加熱部及上述第二加熱部實際平行地移動，來調整上述基板位置與上述第一加熱部之第一距離，及上述基板位置與上述第二加熱部之第二距離中的至少一方。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的加熱方法，其中，在進行上述基板加熱之期間，進行上述距離調整步驟。
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